JP2009277928A - 偏光状態計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マスクに向かう放射ビームの偏光状態をより正確に計測できる偏光状態計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】偏光状態計測装置には、照明光学系内に配置され、且つ露光光源から照明光学系を介してレチクルに向かう露光光のうち一部の露光光を選択するビーム選択板62と、該ビーム選択板62を露光光の進行方向と交差する方向に移動させる移動機構63と、ビーム選択板62によって選択された一部の露光光を受光する受光装置と、前記一部の露光光のS偏光成分の光強度、P偏光成分の光強度及び一部の露光光の変更比率を算出する光量算出部とを備えている。受光装置は、移動機構63の駆動によって、ビーム選択板62が選択する一部の露光光が変更されても、該変更された一部の露光光を受光できるように移動する。
【選択図】図6
【解決手段】偏光状態計測装置には、照明光学系内に配置され、且つ露光光源から照明光学系を介してレチクルに向かう露光光のうち一部の露光光を選択するビーム選択板62と、該ビーム選択板62を露光光の進行方向と交差する方向に移動させる移動機構63と、ビーム選択板62によって選択された一部の露光光を受光する受光装置と、前記一部の露光光のS偏光成分の光強度、P偏光成分の光強度及び一部の露光光の変更比率を算出する光量算出部とを備えている。受光装置は、移動機構63の駆動によって、ビーム選択板62が選択する一部の露光光が変更されても、該変更された一部の露光光を受光できるように移動する。
【選択図】図6
Description
本発明は、所定のパターンが形成されたマスクを照射する放射ビームの偏光状態を計測可能な偏光状態計測装置、該偏光状態計測装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを照射するための照明光学系を備えている。このマスクのパターンは、照明光学系から射出された露光光で照射された後、投影光学系によって所定倍率まで縮小されてウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影される。
こうした露光装置に用いられる投影光学系は、複数の光学素子を有している。例えば、EUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光として用いる露光装置では、投影光学系を構成する反射ミラーの入射面側には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層する成膜処理が施されている。なお、このような多層膜が成膜された反射ミラーのことを、Mo/Si多層膜ミラーというものとする。
ところで、露光装置のメンテナンス時には、投影光学系を構成する各Mo/Si多層膜ミラーの吸熱量を推定したり、基板を照射する露光光の強度などを調整したりする目的で、投影光学系の透過率の推定が行われる。ところが、Mo/Si多層膜ミラーの反射率は、該ミラーに入射する露光光の入射角、及び露光光の偏光状態、即ちP偏光成分とS偏光成分との比率などによって変わってしまう。そのため、投影光学系の透過率を推定するためには、投影光学系に入射する露光光、即ちマスクを照射する露光光の偏光状態を計測する必要があった。そこで、近年では、照明光学系から射出された露光光の偏光状態を計測するための装置として、例えば特許文献1に記載の偏光状態計測装置が提案されている。
この偏光状態計測装置は、照明光学系から射出された露光光を検出するための光検出器を備えており、該光検出器には、照明光学系からの露光光が位相子及び偏光素子を介して導かれる。なお、位相子は、λ/2波長板とλ/4波長板の2つの波長板から構成されている。
特開2007−59566号公報
ところで、照明光学系には、一対のフライアイミラー、及びマスクを照射する露光光の形状を変形させるための開口絞りなどが設けられている。そのため、露光光の光路における開口絞りの位置や開口絞りの開口部の形状などが変更された場合、フライアイミラーを構成する各反射面のうち、レチクルを照射するために有効な反射面と、レチクルの照射に使用されない反射面との組み合わせが変わってしまう。この場合、各反射面から出射される露光光の偏光状態は反射面毎に異なるため、マスクを照射する露光光の偏光状態が変わってしまう問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクに向かう放射ビームの偏光状態をより正確に計測できる偏光状態計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図9に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の偏光状態計測装置は、所定のパターンが形成されたマスク(R)を照射する放射ビーム(EL)の偏光状態を計測する偏光状態計測装置(50)であって、前記マスク(R)に向かう前記放射ビーム(EL)のうち一部の放射ビーム(EL)を選択可能なビーム選択部(62)と、該ビーム選択部(62)を前記放射ビーム(EL)の進行方向と交差する交差方向に移動させる選択部移動機構(63)と、該ビーム選択部(62)に選択された前記一部の放射ビーム(EL)を受光する受光素子(59)を有し、該受光素子(59)によって受光された前記一部の放射ビーム(EL)の第1偏光成分及び該第1偏光成分と直交する第2偏光成分の強度に応じた強度信号を出力する受光装置(51)と、該受光装置(51)からの強度信号に基づき前記第1偏光成分の強度及び前記第2偏光成分の強度をそれぞれ検出し、該検出結果に基づき前記一部の放射ビーム(EL)の偏光状態を算出する算出部(76)とを備えたことを要旨とする。
本発明の偏光状態計測装置は、所定のパターンが形成されたマスク(R)を照射する放射ビーム(EL)の偏光状態を計測する偏光状態計測装置(50)であって、前記マスク(R)に向かう前記放射ビーム(EL)のうち一部の放射ビーム(EL)を選択可能なビーム選択部(62)と、該ビーム選択部(62)を前記放射ビーム(EL)の進行方向と交差する交差方向に移動させる選択部移動機構(63)と、該ビーム選択部(62)に選択された前記一部の放射ビーム(EL)を受光する受光素子(59)を有し、該受光素子(59)によって受光された前記一部の放射ビーム(EL)の第1偏光成分及び該第1偏光成分と直交する第2偏光成分の強度に応じた強度信号を出力する受光装置(51)と、該受光装置(51)からの強度信号に基づき前記第1偏光成分の強度及び前記第2偏光成分の強度をそれぞれ検出し、該検出結果に基づき前記一部の放射ビーム(EL)の偏光状態を算出する算出部(76)とを備えたことを要旨とする。
本発明によれば、マスクに向かう放射ビームの偏光状態をより正確に計測できる。
(第1の実施形態)
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図7に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ12(図1では二点鎖線で示す。)内に設置されている。この露光装置11は、露光光源13と、照明光学系14と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ15と、投影光学系16と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ17とを備えている。なお、本実施形態の露光光源13としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該露光光源13は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を射出する。
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図7に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ12(図1では二点鎖線で示す。)内に設置されている。この露光装置11は、露光光源13と、照明光学系14と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ15と、投影光学系16と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ17とを備えている。なお、本実施形態の露光光源13としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該露光光源13は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を射出する。
照明光学系14は、チャンバ12の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1では一点鎖線で示す。)を備えている。この筐体18内には、露光光源13から出力された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換して射出する。そして、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20に入射する。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRの被照射面(即ち、図1における下面であって、パターン形成面)とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射する。その結果、射出側フライアイミラー22が、面光源として機能する。なお、射出側フライアイミラー22近傍には、開口絞り23が配置されており、該開口絞り23は、図示しない移動機構によって露光光ELの光路外に退避移動可能である。
また、照明光学系14には、フライアイ光学系20から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー24が設けられている。そして、コンデンサミラー24から射出された露光光ELは、コンデンサミラー24よりもレチクルR側に配置された折り返し用の反射ミラー25により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,24,25の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成される。
レチクルステージ15は、後述する投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着する静電チャック26と、レチクルRをY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させるレチクルステージ駆動部27とを備えている。このレチクルステージ駆動部27は、レチクルRをX軸方向(図1において紙面と直交する方向)及びθz方向(Z軸周りの回転方向)にも移動可能に構成されている。そして、レチクルRにおいて上記パターンが形成された被照射面で反射された露光光ELは、投影光学系16に導かれる。
投影光学系16は、チャンバ12の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒28(図1では一点鎖線で示す。)を備えている。この鏡筒28内には、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー29,30,31,32,33,34が収容されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー29、第2ミラー30、第3ミラー31、第4ミラー32、第5ミラー33、第6ミラー34の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWに導かれる。なお、各ミラー29〜34の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成される。
ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着する静電チャック35と、ウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハWをX軸方向及びZ軸方向にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ17には、静電チャック35を保持する不図示のウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。そして、投影光学系16から射出された露光光ELがウエハWの被照射面(即ち、図1における上面)を照射することにより、ウエハWには、レチクルR上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影転写される。
次に、フライアイ光学系20を構成する各フライアイミラー21,22について図2(a)(b)に基づき説明する。
図2(a)(b)に示すように、各フライアイミラー21,22には、露光光ELの進行方向を横切る面内に配列された複数の反射面40,41がそれぞれ形成されている。入射側フライアイミラー21の各反射面40と射出側フライアイミラー22の各反射面41とは、個別に対応する関係にあると共に、同一の焦点距離を有している。そのため、入射側フライアイミラー21に入射した露光光ELの光束は、入射側フライアイミラー21の反射面40毎に波面分割され、波面分割された多数の光束は、開口絞り23を介して射出側フライアイミラー22に入射する。すなわち、射出側フライアイミラー22の各反射面41には、該各反射面41に個別対応する入射側フライアイミラー21の反射面40から射出された光束がそれぞれ入射する。そして、射出側フライアイミラー22から射出された多数の光束がレチクルRの被照射面上で重畳することにより、レチクルR上での高照度均一性が確保される。
図2(a)(b)に示すように、各フライアイミラー21,22には、露光光ELの進行方向を横切る面内に配列された複数の反射面40,41がそれぞれ形成されている。入射側フライアイミラー21の各反射面40と射出側フライアイミラー22の各反射面41とは、個別に対応する関係にあると共に、同一の焦点距離を有している。そのため、入射側フライアイミラー21に入射した露光光ELの光束は、入射側フライアイミラー21の反射面40毎に波面分割され、波面分割された多数の光束は、開口絞り23を介して射出側フライアイミラー22に入射する。すなわち、射出側フライアイミラー22の各反射面41には、該各反射面41に個別対応する入射側フライアイミラー21の反射面40から射出された光束がそれぞれ入射する。そして、射出側フライアイミラー22から射出された多数の光束がレチクルRの被照射面上で重畳することにより、レチクルR上での高照度均一性が確保される。
ここで、開口絞り23の開口部23aが露光光ELの光路において露光光ELの光軸と略直交する方向に変位したり、開口絞り23の開口部23aの形状が変形(例えば、円形状から円環状に変形)したりすると、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち、露光光ELの光束が入射する反射面(以下、「有効反射面」という。)41aと入射しない反射面(以下、「非有効反射面」という。)41bとの組み合わせが変更される。また、各反射面41に入射する露光光ELの光束の入射角度などが互いに異なることから、各反射面41から射出される露光光ELの光束の偏光状態は、反射面41毎に互いに異なってしまう。その結果、全ての有効反射面41aの集合体の大きさや形状、即ち有効反射面41aと非有効反射面41bとの組み合わせが変更された場合には、照明光学系14からレチクルRに入射する露光光ELの偏光状態が変更される。そのため、射出側フライアイミラー22において有効反射面41aと非有効反射面41bとの組み合わせが変更されても、レチクルRに入射する露光光ELの偏光状態を正確に取得するためには、射出側フライアイミラー22から射出される各光束の偏光状態を個別に計測する必要がある。そこで、本実施形態の露光装置11には、射出側フライアイミラー22から射出される各光束を射出側フライアイミラー22の反射面41毎に計測可能な偏光状態計測装置50が設けられている。なお、偏光状態とは、露光光ELの第1偏光成分としてのS偏光(S-polarized light)成分の光強度、S偏光とは直交する第2偏光成分としてのP偏光(P-polarized light)成分の光強度、及び露光光ELのS偏光成分とP偏光成分との偏光比率のことを示している。
図1及び図3に示すように、偏光状態計測装置50は、偏光状態の計測を行わない場合には露光光ELの光路外(図1ではレチクルステージ15の+Y方向側(図1における右側))の退避位置に配置される受光装置51と、該受光装置51を照明光学系14から射出された露光光ELの光路に位置する計測位置(本実施形態では、露光時にはレチクルRが配置される位置)に搬送する搬送機構52(図7参照)とを備えている。すなわち、受光装置51は、露光光ELの偏光状態の計測を行う場合には、レチクルRの代わりにレチクルステージ15上に配置される。
受光装置51は、レチクルステージ15の静電チャック26に静電吸着される板状のベース部材53と、ベース部材53に図示しない支持部材を介して支持される照射位置選択板54と、ベース部材53に支持される観察光学系55(図3にて一点鎖線が囲まれた部分)とを備えている。照射位置選択板54は、レチクルRの被照射面と同一面内(図3にて二点鎖線で示す位置)内に配置されるようになっており、直径が0.1〜1mm(例えば0.5mm)となる第1通過孔54a(開口あるいはピンホールともいう。)を有している。
観察光学系55には、照射位置選択板54に接近する位置に配置される入射方向選択板56と、該入射方向選択板56を基準とした場合に照射位置選択板54の反対位置に配置される計測部57(図3にて破線で囲まれた部分)とが設けられている。入射方向選択板56には、上記第1通過孔54aと同程度の直径を有する第2通過孔56aが形成されている。なお、第1通過孔54a内を通過した露光光ELは、第1通過孔54a内の通過後に広がることがある。そのため、計測部57には、様々な方向に進行する露光光ELが入射しようとする。一例として、投影光学系16の開口数(NA)が0.25、投影光学系16の縮小投影倍率が1/4倍、照明光学系14の開口数が0.8である場合、露光光ELの入射角の広がりが約±3°となる。そこで、本実施形態では、第1通過孔54aを通過した露光光ELのうち一方向に進行する露光光ELのみ、即ち広がりを有しない露光光ELが、入射方向選択板56の第2通過孔56a内を通過して計測部57側に導かれる。
計測部57には、第2通過孔56aを通過した露光光ELの入射角θが予め設定された所定角度(ブリュースター角(Brewster's angle))となる反射面58aを有する偏光反射ミラー58と、該偏光反射ミラー58にて反射された露光光ELを受光する受光素子59とが設けられている。偏光反射ミラー58は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)が交互に積層されたMo/Si多層膜ミラーであって、偏光反射ミラー58に積層される多層膜の周期長が9.7nmである場合のブリュースター角は約47°である。
また、計測部57には、図4及び図7に示すように、偏光反射ミラー58及び受光素子59を、該偏光反射ミラー58に入射する露光光ELの光軸を中心に回動させる第1回動機構60が設けられている。そして、偏光反射ミラー58及び受光素子59が第1の配置態様(図4にて破線で示す配置態様)である場合、偏光反射ミラー58は、照明光学系14から射出された露光光ELのS偏光成分を受光素子59に向けて射出する。一方、第1の配置態様の偏光反射ミラー58及び受光素子59を第1回動機構60の駆動によって90°だけ回動させて第2の配置態様(図4にて実線で示す配置態様)にした場合、該偏光反射ミラー58は、照明光学系14から射出された露光光ELのP偏光成分を受光素子59に向けて射出する。なお、偏光反射ミラー58に対する露光光ELの入射角θは、第1の配置態様であっても第2の配置態様であってもブリュスター角に維持される。
また、観察光学系55には、入射方向選択板56及び計測部57を、照明光学系14から射出された露光光ELが結像する中心点S(即ち、露光光ELと図3における二点鎖線との交点)を中心に図3において一点鎖線の矢印に示す方向に回動させるための第2回動機構61(図7参照)が設けられている。この第2回動機構61の駆動によって、図5に示すように、入射方向選択板56の第2通過孔56aを通過する露光光ELの進行方向が変更される。その結果、計測部57は、種々の進行方向を有する露光光ELの偏光特性を進行方向毎に計測可能である。
また、偏光状態計測装置50には、図6に示すように、露光時に開口絞り23が配置される位置に配置可能なビーム選択板62が設けられている。このビーム選択板62は、露光光ELの偏光状態を計測する場合、図示しない搬送機構によって、開口絞り23の代わりに射出側フライアイミラー22近傍に配置される。また、ビーム選択板62には、射出側フライアイミラー22の反射面41と同等の大きさ及び形状を有する第3通過孔62aが形成されている。そのため、ビーム選択板62が露光光ELの光路に配置される場合、第3通過孔62aを通過した露光光ELは、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち1つの反射面41にのみ入射した後、レチクルステージ15側に射出される。すなわち、ビーム選択板62によって、一つの有効反射面41aが選択される。
さらに、偏光状態計測装置50には、露光光ELの光路に配置されたビーム選択板62を射出側フライアイミラー22と略平行な仮想平面上で移動させるための移動機構63が設けられている。この移動機構63の駆動によってビーム選択板62が移動した場合、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち露光光ELが入射する有効反射面41aが変更される。
次に、本実施形態の偏光状態計測装置50を制御する制御装置について図7に基づき説明する。
図7に示すように、制御装置70の図示しない入力側インターフェースには、受光素子59が電気的に接続されており、該受光素子59からは、受光した露光光ELの光強度に対応した強度信号が入力される。また、制御装置70の図示しない出力側インターフェースには、レチクルステージ駆動部27、搬送機構52、第1回動機構60、第2回動機構61及び移動機構63が電気的に接続されている。そして、制御装置70は、受光素子59からの強度信号に基づき露光光ELの偏光状態を計測するために、レチクルステージ駆動部27、搬送機構52、第1回動機構60、第2回動機構61及び移動機構63を個別に制御する。
図7に示すように、制御装置70の図示しない入力側インターフェースには、受光素子59が電気的に接続されており、該受光素子59からは、受光した露光光ELの光強度に対応した強度信号が入力される。また、制御装置70の図示しない出力側インターフェースには、レチクルステージ駆動部27、搬送機構52、第1回動機構60、第2回動機構61及び移動機構63が電気的に接続されている。そして、制御装置70は、受光素子59からの強度信号に基づき露光光ELの偏光状態を計測するために、レチクルステージ駆動部27、搬送機構52、第1回動機構60、第2回動機構61及び移動機構63を個別に制御する。
また、制御装置70には、CPUなどから構成される第1駆動制御部71、第2駆動制御部72、第3駆動制御部73、第4駆動制御部74及び第5駆動制御部75が設けられている。また、制御装置70には、CPUなどから構成される光量算出部76、不揮発性メモリやRAMなどから構成されるメモリ部77及びCPUなどから構成される透過率推定部78が設けられている。第1駆動制御部71は、搬送機構52の駆動を制御し、受光装置51を上記退避位置と計測位置との間で移動させる。また、第2駆動制御部72は、レチクルステージ駆動部27の駆動を制御し、計測位置に位置する受光装置51をX軸方向及びY軸方向に移動させる。また、第3駆動制御部73は、第1回動機構60の駆動を制御し、計測部57の偏光反射ミラー58及び受光素子59を上記第1の配置態様と第2の配置態様との間で回動させる。
また、第4駆動制御部74は、第2回動機構61の駆動を制御し、入射方向選択板56の第2通過孔56aを通過する露光光ELの進行方向を変更させる。また、第5駆動制御部75は、移動機構63の駆動を制御し、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち有効反射面41aとして選択される反射面41を変更させる。また、光量算出部76は、受光素子59からの強度信号に基づき露光光ELのS偏光成分の光強度、P偏光成分の光強度及び偏光比率(S偏光成分とP偏光成分との比率)を算出する。また、メモリ部77には、光量算出部76にて算出された露光光ELの偏光状態が記憶される。
そして、透過率推定部78は、メモリ部77に記憶された露光光ELの光束毎(即ち、射出側フライアイミラー22の反射面41毎)の偏光状態(露光光ELのS偏光成分の光強度、P偏光成分の光強度及び偏光比率)と、開口絞り23の開口部23aの形状や位置とに基づき、投影光学系16の透過率(投影光学系16への入射光の光量と投影光学系16からの射出光の光量との比率)が推定される。なお、投影光学系16の透過率は、該投影光学系16の各ミラー29〜34に入射する露光光ELの偏光状態及び入射方向が分かれば推定可能である。
次に、本実施形態の偏光状態計測装置50による照明光学系14から射出された露光光ELの偏光状態を計測する際の作用について説明する。
さて、搬送機構52の駆動によって受光装置51がレチクルRの代わりに計測位置に配置され、且つビーム選択板62が開口絞り23の代わりに露光光ELの光路に配置されると、照明光学系14から受光装置51(即ち、レチクルRの配置される位置)に向かう露光光ELの偏光状態の計測が開始される。まず、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち入射側フライアイミラー21から射出された露光光ELの光束が入射する反射面41、即ち有効反射面41aがビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択される。すると、露光光源13から照明光学系14を介して受光装置51に向かう露光光ELのうち、選択された有効反射面41aから射出された一部の露光光ELのみが受光装置51に向かうことになる。この際、レチクルステージ15に保持される受光装置51は、選択された有効反射面41aから射出された一部の露光光ELを受光素子59にて受光できるように、レチクルステージ駆動部27によってX軸方向又はY軸方向に移動する。すなわち、ビーム選択板62の移動に連動し、受光装置51の位置合せが行われる。
さて、搬送機構52の駆動によって受光装置51がレチクルRの代わりに計測位置に配置され、且つビーム選択板62が開口絞り23の代わりに露光光ELの光路に配置されると、照明光学系14から受光装置51(即ち、レチクルRの配置される位置)に向かう露光光ELの偏光状態の計測が開始される。まず、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち入射側フライアイミラー21から射出された露光光ELの光束が入射する反射面41、即ち有効反射面41aがビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択される。すると、露光光源13から照明光学系14を介して受光装置51に向かう露光光ELのうち、選択された有効反射面41aから射出された一部の露光光ELのみが受光装置51に向かうことになる。この際、レチクルステージ15に保持される受光装置51は、選択された有効反射面41aから射出された一部の露光光ELを受光素子59にて受光できるように、レチクルステージ駆動部27によってX軸方向又はY軸方向に移動する。すなわち、ビーム選択板62の移動に連動し、受光装置51の位置合せが行われる。
そして、受光装置51の位置合せが完了すると、偏光反射ミラー58の反射面58aに対する露光光ELの入射角θがブリュスター角となるように、第2回動機構61によって計測部57が回動する。すると、計測部57の偏光反射ミラー58及び受光素子59が第1の配置態様(又は第2の配置態様)であることから、偏光反射ミラー58に入射した露光光ELのうちS偏光成分(又はP偏光成分)のみが、受光素子59に導かれる。なお、照射位置選択板54の第1通過孔54aを通過した露光光ELの入射角がある程度の広がりを有することがあり、このような場合、該第1通過孔54aを通過した露光光ELは、複数方向に進行しようとする。そのため、互いに異なる複数方向に進行する露光光ELのうち所望する一方向に進行する露光光ELが、入射方向選択板56の第2通過孔56a内を通過して偏光反射ミラー58に導かれるように、第2回動機構61によって観察光学系55を回動させてもよい。これにより、所望する方向に進行する露光光ELが、偏光反射ミラー58に入射する。
すると、偏光反射ミラー58からは、その反射面58aに入射した露光光ELのうちS偏光成分(又はP偏光成分)のみが受光素子59に向けて射出され、該受光素子59からは、受光した露光光ELの光強度に対応した強度信号が出力される。その結果、制御装置70の光量算出部76によって、強度信号に基づき露光光ELのS偏光成分(又はP偏光成分)の光強度が算出され、該算出結果がメモリ部77の所定領域に記憶される。続いて、第1回動機構60によって、計測部57の偏光反射ミラー58及び受光素子59が第1の配置態様(又は第2の配置態様)から第2の配置態様(又は第1の配置態様)に回動する。すると、受光素子59には、偏光反射ミラー58に入射する露光光ELのS偏光成分及びP偏光成分のうち、計測部57の回動前とは異なる偏光成分が入射する。その結果、制御装置70の光量算出部76によって、強度信号に基づき露光光ELのP偏光成分又はS偏光成分の光強度が算出され、該算出結果がメモリ部77の所定領域に記憶される。さらに、光量算出部76によって、受光装置51に導かれた露光光ELのS偏光成分とP偏光成分との偏光比率が算出されてメモリ部77に記憶される。
そして、射出側フライアイミラー22の一つの反射面41から射出される露光光ELの偏光状態の計測が完了すると、該計測の完了した反射面41以外の他の反射面41から射出される露光光ELの偏光状態を計測するための準備が行われる。すなわち、移動機構63の駆動に基づきビーム選択板62によって選択される有効反射面41aが変更されると共に、該有効反射面41aの変更に連動して受光装置51の位置合せが行われ、上記他の反射面41から射出された露光光ELの偏光状態の計測が行われる。そして、射出側フライアイミラー22の各反射面41について、それぞれから射出される露光光ELの偏光状態が反射面41毎に計測されると、受光装置51は、搬送機構52によって計測位置から退避位置に搬送される。また、ビーム選択板62は、露光光ELの光路外に搬送され、開口絞り23が、露光光ELの光路に配置される。
そして、投影光学系16の透過率を推定する場合、開口絞り23の開口部23aの配置位置及び形状から、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうちレチクルRに向かう露光光ELの光束を射出する有効反射面41aが特定される。すると、特定された各有効反射面41aから射出される露光光ELの偏光状態が、メモリ部77から有効反射面41a毎に読み出される。そして、レチクルRの被照射面に反射して投影光学系16に入射する露光光ELの偏光状態が、透過率推定部78によって推定される。その結果、投影光学系16の各ミラー29〜34を介してウエハW側に射出される露光光ELの光強度が、より高精度に推定される。すなわち、投影光学系16の透過率、即ち光学特性は、より高精度に推定される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)露光光源13から照明光学系14を介してレチクルRに向かう露光光ELのうちビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択された一部の露光光ELのみが受光装置51側に導かれ、該受光装置51の受光素子59からの各強度信号に基づき一部の露光光ELの偏光状態が算出される。しかも、移動機構63が露光光ELの光軸と交差する方向にビーム選択板62を移動させることにより、レチクルRに向かう露光光ELのうちビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択される一部の露光光ELが変更される。そのため、本実施形態の偏光状態計測装置50では、レチクルRに向かう露光光ELの光束毎に偏光状態が計測される。その結果、レチクルRに向かう露光光ELを射出する照明光学系14内において開口絞り23の位置が変更されたり、開口絞り23の開口部23aの形状が変わったりしても、新たに計測を行うこともなく、レチクルRに向かう露光光ELの偏光状態を正確に推定できる。
(1)露光光源13から照明光学系14を介してレチクルRに向かう露光光ELのうちビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択された一部の露光光ELのみが受光装置51側に導かれ、該受光装置51の受光素子59からの各強度信号に基づき一部の露光光ELの偏光状態が算出される。しかも、移動機構63が露光光ELの光軸と交差する方向にビーム選択板62を移動させることにより、レチクルRに向かう露光光ELのうちビーム選択板62の第3通過孔62aによって選択される一部の露光光ELが変更される。そのため、本実施形態の偏光状態計測装置50では、レチクルRに向かう露光光ELの光束毎に偏光状態が計測される。その結果、レチクルRに向かう露光光ELを射出する照明光学系14内において開口絞り23の位置が変更されたり、開口絞り23の開口部23aの形状が変わったりしても、新たに計測を行うこともなく、レチクルRに向かう露光光ELの偏光状態を正確に推定できる。
(2)ビーム選択板62は、入射側フライアイミラー21から射出される露光光ELの各光束のうち、一つの光束のみを選択可能に構成されている。そのため、本実施形態の偏光状態計測装置50は、入射側フライアイミラー21から射出される光束毎に偏光状態を計測できる。
(3)受光装置51の位置は、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち、ビーム選択板62によって有効反射面41aに選択される反射面41に応じて変更される。そのため、ビーム選択板62によって有効反射面41aに選択される反射面41から射出される露光光ELの進行方向が変更されても、受光素子59は、該露光光ELを受光できる。
(4)偏光反射ミラー58は、その反射面58aに入射する露光光ELの入射角θがブリュスター角となるように配置されている。そのため、偏光反射ミラー58からは、該偏光反射ミラー58に入射した露光光ELのS偏光成分又はP偏光成分のみが射出されることになり、露光光ELの偏光状態の計測精度の向上に貢献できる。
(5)また、偏光反射ミラー58及び受光素子59は、該偏光反射ミラー58に入射する露光光ELの光軸周りに回動可能である。そのため、偏光反射ミラー58及び受光素子59を第1の配置態様にした場合、受光素子59は、偏光反射ミラー58に入射する露光光ELのS偏光成分を受光する。一方、偏光反射ミラー58及び受光素子59を第2の配置態様にした場合、受光素子59は、偏光反射ミラー58に入射する露光光ELのP偏光成分を受光する。その結果、偏光反射ミラー58に入射する露光光ELのS偏光成分の光強度及びP偏光成分の光強度を確実に計測できる。
(6)ビーム選択板62の第3通過孔62aは、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち1つの反射面41のみを選択可能である。そのため、ビーム選択板62の第3通過孔62aが射出側フライアイミラー22の各反射面41のうち複数(例えば2つ)の反射面41のみを選択可能な構成である場合に比して、投影光学系16の透過率の推定精度を向上させることができる。
(7)本実施形態では、受光装置51のX軸方向やY軸方向における位置は、レチクルステージ駆動部27の駆動によって変更される。そのため、レチクルステージ駆動部27以外の変更機構にて受光装置51のX軸方向及びY軸方向における位置を変更させる場合に比して、露光装置11全体としての部品点数の減少に貢献できる。
(8)また、投影光学系16に入射する露光光ELの偏光状態をより正確に推定できるため、投影光学系16を構成する各ミラー29〜34での発熱量を個別に推定することもできる。
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、レチクルステージ駆動部27が、受光装置51のX軸方向への移動量を十分に確保できない構成である場合、受光装置51のX軸方向における位置を変更させるための変更機構を、レチクルステージ駆動部27とは別に設けてもよい。また、受光装置51のX軸方向及びY軸方向における位置を変更させるための変更機構を、レチクルステージ駆動部27とは別に設けてもよい。
・実施形態において、レチクルステージ駆動部27が、受光装置51のX軸方向への移動量を十分に確保できない構成である場合、受光装置51のX軸方向における位置を変更させるための変更機構を、レチクルステージ駆動部27とは別に設けてもよい。また、受光装置51のX軸方向及びY軸方向における位置を変更させるための変更機構を、レチクルステージ駆動部27とは別に設けてもよい。
・実施形態において、入射方向選択板56を省略してもよい。このように構成しても、受光素子59には、射出側フライアイミラー22の1つの反射面41aから射出された露光光ELの光束のみが導かれる。
・実施形態において、射出側フライアイミラー22の各反射面41のうちビーム選択板62によって有効反射面41aに選択される反射面41が変更された場合には、該新たな有効反射面41aから射出される露光光ELを受光素子59によって受光されるように、照射位置選択板54、偏光反射ミラー58及び受光素子59のうち少なくとも1つのみを移動させてもよい。この場合、照射位置選択板54、偏光反射ミラー58及び受光素子59を個別に移動させる機構を備えることが望ましい。
・実施形態において、照射位置選択板54を、ビーム選択板62によって有効反射面41aに選択される反射面41からの露光光ELを観察光学系55側に導くことが可能であれば、レチクルRの被照射面と同一面となる位置近傍に配置してもよい。
・実施形態において、ビーム選択板62の第3通過孔62aは、射出側フライアイミラー22の複数(例えば2つ)の反射面41に対応した形状であってもよい。この場合、受光装置51側には、2つの反射面41から射出された露光光ELの光束が導かれることになる。
・実施形態において、各フライアイミラー21,22は、複数の反射ミラーを組み合わせた構成であってもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・実施形態において、露光光源13は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源13は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。この場合、照明光学系14や投影光学系16を構成する光学素子として、レンズを用いてもよい。もちろん、オプティカルインテグレータに関しても、透過型の光学素子から構成されたものであってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図8は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図9は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、14…照明光学系、16…投影光学系、20…オプティカルインテグレータとしてのフライアイ光学系、27…変更機構としてのレチクルステージ駆動部、40,41…反射面、50…偏光状態計測装置、51…受光装置、52…受光装置用移動機構としての搬送機構、54…ピンホール部材としての照射位置選択板、58…光学素子としての偏光反射ミラー、58a…反射面、59…受光素子、60…第1回動機構、62…ビーム選択部としてのビーム選択板、62a…開口としての第3通過孔、63…選択部移動機構としての移動機構、72…連動制御装置を構成する第2駆動制御部、75…連動制御装置を構成する第5駆動制御部、76…算出部としての光量算出部、78…推定装置としての透過率推定部、EL…放射ビームとしての露光光、R…マスクとしてのレチクル。
Claims (14)
- 所定のパターンが形成されたマスクを照射する放射ビームの偏光状態を計測する偏光状態計測装置であって、
前記マスクに向かう前記放射ビームのうち一部の放射ビームを選択可能なビーム選択部と、
該ビーム選択部を前記放射ビームの進行方向と交差する交差方向に移動させる選択部移動機構と、
該ビーム選択部に選択された前記一部の放射ビームを受光する受光素子を有し、該受光素子によって受光された前記一部の放射ビームの第1偏光成分及び該第1偏光成分と直交する第2偏光成分の強度に応じた強度信号を出力する受光装置と、
該受光装置からの強度信号に基づき前記第1偏光成分の強度及び前記第2偏光成分の強度をそれぞれ検出し、該検出結果に基づき前記一部の放射ビームの偏光状態を算出する算出部と
を備えた偏光状態計測装置。 - 前記選択部移動機構は、前記交差方向における前記放射ビームの断面内の複数の位置が選択されるように前記ビーム選択部を移動させ、
前記受光装置は、前記放射ビームの断面内の前記複数の位置を通過した前記一部の放射ビームのそれぞれを前記受光素子にて受光可能に構成され、
前記算出部は、前記複数の位置を通過した前記一部の放射ビームの偏光状態をそれぞれ算出する請求項1に記載の偏光状態計測装置。 - 前記受光装置の位置を、前記受光素子によって前記一部の放射ビームが受光されるように変更させる変更機構をさらに備えた請求項1又は請求項2に記載の偏光状態計測装置。
- 前記受光装置は、前記マスクのパターン形成面と同一面内、あるいはその近傍に配置されるピンホール部材と、前記一部の放射ビームのうち前記ピンホール部材を通過した放射ビームを前記受光素子に導くための光学素子とをさらに有すると共に、
前記一部の放射ビームのうち前記ピンホール部材を通過した放射ビームが前記受光素子によって受光されるように、前記ピンホール部材、前記光学素子及び前記受光素子のうち少なくとも一つの位置を相対的に変更させる変更機構をさらに備えた請求項1〜請求項3のうち何れか一項に記載の偏光状態計測装置。 - 前記ビーム選択部の前記交差方向への移動に連動して、前記ピンホール部材及び前記光学素子のうち少なくとも一つの位置が変位するように、前記選択部移動機構及び前記変更機構をそれぞれ制御する連動制御装置をさらに備えた請求項4に記載の偏光状態計測装置。
- 前記光学素子は、前記一部の放射ビームのうち前記ピンホール部材を通過した放射ビームに対して、予め設定された所定角度傾斜した反射面を有すると共に、
前記受光装置は、前記光学素子及び受光素子を、前記一部の放射ビームのうち前記ピンホール部材を通過した前記放射ビームの光軸又は該光軸と平行な軸周りに回動させる回動機構をさらに有する請求項4に記載の偏光状態計測装置。 - 前記回動機構は、前記一部の放射ビームのうち前記ピンホール部材を通過した放射ビームの第1偏光成分を受光可能な位置と、前記第2偏光成分を受光可能な位置との間で前記光学素子及び受光素子を回動させる請求項6に記載の偏光状態計測装置。
- 前記ビーム選択部は、前記マスクを照明する照明光学系内に配置されている請求項1〜請求項7のうち何れか一項に記載の偏光状態計測装置。
- 前記照明光学系は、オプティカルインテグレータを備えており、
前記ビーム選択部は、前記オプティカルインテグレータを介した放射ビームのうち前記一部の放射ビームを選択する請求項8に記載の偏光状態計測装置。 - 前記オプティカルインテグレータは、前記放射ビームの進行方向を横切る面内に配列された複数の反射面を有し、
前記ビーム選択部は、前記各反射面のうち少なくとも一つの反射面に対応した形状に形成される開口を有する請求項9に記載の偏光状態計測装置。 - 所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、
請求項1〜請求項9のうち何れか一項に記載の偏光状態計測装置と
を備えた露光装置。 - 前記受光装置を、前記ビーム選択部によって選択された前記一部の放射ビームの光路である計測位置と、前記一部の放射ビームの光路外である退避位置との間で移動させる受光装置用移動機構をさらに備えた請求項11に記載の露光装置。
- 前記偏光状態計測装置にて計測された前記一部の放射ビームの偏光状態のそれぞれに基づき前記投影光学系の光学特性を推定する推定装置をさらに備えた請求項11又は請求項12に記載の露光装置。
- リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項11〜請求項13のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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