JP2011023403A - 遮光装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】遮光部によって遮光する場合に、遮光部に入射する放射ビームの反射を抑制できる。
【解決手段】スリット装置４０は、露光光の一部を遮光するための第３遮光部４４を備えている。第３遮光部４４は、露光光の進行方向における光源側に位置し、当該露光光が入射可能な入射部５１と、該入射部５１を介した露光光（即ち、遮光光ＳＬ）が導かれる光導波路５０と、該光導波路５０内に入射した遮光光ＳＬの一部を反射可能な内側面４９とを有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、放射ビームの一部を遮光するための遮光部を備える遮光装置、該遮光装置を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。

一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターン（回路パターンなど）が形成されたレチクルなどのマスクを照明するための照明光学系と、マスクを介した露光光で基板を照射するための投影光学系とを備えている。照明光学系には、オプティカルインテグレータなどの各種光学部材と、遮光装置の一種としてスリット装置とが設けられている。このスリット装置は、走査露光時に発生する基板に対する照射むらを抑制するための装置である（特許文献１参照）。

すなわち、スリット装置は、マスクと光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。また、スリット装置は、基板及びマスクの走査方向と略直交する非走査方向に沿って配置される複数のブレードを備え、該各ブレードによってスリット（即ち、開口）が囲み形成されている。そして、スリットを通過した露光光がマスクに向けて射出される。また、スリット装置には、各ブレードの走査方向における位置を個別に調整するための複数の調整機構が設けられており、各ブレードは、それらに個別対応する各調整機構の駆動によって個別に走査方向に沿ってそれぞれ進退移動可能である。すなわち、各ブレードの走査方向における位置をそれぞれ調整することにより、スリットの形状が調整され、結果として、基板を走査露光する際に生じる照射むらが抑制されていた。

特開２００５−１６７２３２号公報

ところで、近年では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターン像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光として用いるＥＵＶ露光装置の開発が行われている。

ＥＵＶ露光装置に露光光を供給する光源装置は、レーザ励起型プラズマ光源や放電型プラズマ光源が用いられる。そのため、光源装置から供給される露光光は、光源の特性上、単一波長で構成されるのではなく、複数の波長の光から構成される。こうした露光光が上記スリット装置に入射する場合、各ブレードによって遮光される露光光（「遮光光」ともいう。）のうち一部の遮光光は、その波長とブレードを構成する材料との関係上、各ブレードによって吸入される。ところが、各ブレードに吸収されない残りの遮光光は、その波長とブレードを構成する材料との関係上、各ブレードから反射される。そして、各ブレードによって反射された光（「反射光」ともいう。）は、露光装置内の複数箇所で反射を繰り返し、マスクの照明領域内や基板の照射領域に入射する可能性がある。この場合、マスクや基板には、本来露光処理時に不必要な光が入射することになり、基板へのパターン形成時に不具合が発生するおそれがあった。

１３．５ｎｍ程度の波長を有する光に対するミラーなどの反射率は、一般的に、斜入射以外の場合（即ち、入射角が０（零）°に近い場合）には低くなる。しかし、連続した複数の波長を有する光を露光光として用いる場合、回折格子で露光光を反射させたとしても、高次光成分がレチクルに入射する可能性がある。また、レチクルブラインドに光源装置側で発生したデブリ（錫や炭素など）が付着した場合、付着したデブリが鏡として機能し、該鏡で反射した光が迷光となって投影光学系内に入射する可能性がある。

また、経時的に発生した照射むらや照明条件の変更に伴って発生した照射むらを補正するために、ブレードを移動させた場合に、該ブレードに付着していたデブリが剥離する可能性がある。また、ブレードで露光光の一部を遮光する際に、遮光する光によってブレードや該ブレードに付着するデブリが発熱し、該デブリがブレードから剥離する可能性もある。このようにブレードから剥離したデブリによって、レチクルや露光装置内が汚染されることもある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、遮光部によって遮光する場合に、遮光部に入射する放射ビームの反射を抑制できる遮光装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の遮光装置は、放射ビーム（ＥＬ）の一部を遮光可能な遮光部（４１，４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）を備えた遮光装置（４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ）において、前記遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）は、前記放射ビーム（ＥＬ）の進行方向における光源（１２）側に位置し、当該放射ビーム（ＥＬ）が入射可能な入射部（５１，６１ａ，６２ａ）と、該入射部（５１，６１ａ，６２ａ）を介した前記放射ビーム（ＥＬ）が導かれる誘導部（５０，６３，１１３）と、該誘導部（５０，６３，１１３）内に入射した放射ビーム（ＥＬ）の一部を反射可能な反射面（４９，６４，１１２）と、を有することを要旨とする。

上記構成によれば、遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）によって遮光される光（「遮光光」ともいう。）は、入射部（５１，６１ａ，６２ａ）を介して誘導部（５０，６３，１１３）内に進入する。このとき、遮光光のうち遮光部で反射する光の光量は、従来の場合に比して少なくなる。また、遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）によって、放射ビームの光路外からマスクに入射しようとする迷光の遮光にも貢献可能である。

また、遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）内には、光源装置側で発生したデブリが流入することがある。こうしたデブリは、遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）内に付着したり、該遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）内を介して外部に排出されたりする。そのため、デブリが鏡として機能する可能性が低減され、露光装置内での迷光の発生が抑制される。また、遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）内に流入したデブリが遮光部（４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）外に流出してマスクなどに付着する可能性が低減される。

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明によれば、遮光部によって遮光する場合に、遮光部に入射する放射ビームの反射を抑制できる。

第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。 光源装置を示す概略構成図。 第１の実施形態におけるスリット装置を模式的に示す単面図。 図３の４−４線矢視断面図。 第２の実施形態におけるスリット装置を模式的に示す単面図。 （ａ）はスリット装置の第３遮光部、冷却機構及び光量検出装置を示す概略構成図、（ｂ）は光量検出装置を模式的に示す側断面図。 第３の実施形態におけるスリット装置を示す概略構成図。 （ａ）は第４の実施形態におけるスリット装置の要部を示す概略構成図、（ｂ）は分岐部を模式的に示す側断面図。 第５の実施形態におけるスリット装置を模式的に示す単面図。 照射むら計測処理ルーチンを説明するフローチャート。 （ａ）は別の実施形態におけるスリット装置を示す概略構成図、（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図。 デバイスの製造例のフローチャート。 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。

（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図４に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。

図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定される第１チャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備え、該第１チャンバ１３は、連結部１４を介して光源装置１２が接続されている。また、第１チャンバ１３内には、光源装置１２から第１チャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１５と、パターンの形成された被照射面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクルステージ１６とが設けられている。また、第１チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１７と、被照射面Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハステージ１８とが設けられている。

光源装置１２は、波長が「５〜５０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）」となるＥＵＶ光を露光光ＥＬとして射出するレーザ励起型プラズマ光源装置である。具体的には、図２に示すように、光源装置１２は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定された第２チャンバ１９（図１及び図２では二点鎖線で示す。）を備えている。

この第２チャンバ１９内には、露光光ＥＬを出力する光源部２０が設けられている。この光源部２０は、プラズマＰＬを発生させるプラズマ発生部２１と、プラズマＰＬから放射される露光光ＥＬを集光させるための筒状の集光ミラー２２とを備えている。プラズマ発生部２１は、ＥＵＶ光発生物質（ターゲット）として高密度の錫化合物（例えば、酸化錫（ＳｎＯ_２））を高速で噴出するノズル２３と、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザ２４とを備えている。そして、高出力レーザ２４から射出されたレーザ光ＬＲがノズル２３から高速で噴出される高密度のＥＵＶ光発生物質を照射することによりプラズマＰＬが発生し、該プラズマＰＬからは、ＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、集光ミラー２２の入射側（図２では左側）の開口から集光ミラー２２内に入射する。

この集光ミラー２２は、Ｙ軸方向（図１及び図２では左右方向）における各位置の断面形状が円環状をなすように筒状に形成されており、集光ミラー２２の内周面には、露光光ＥＬを反射可能な反射層が形成されている。この集光ミラー２２の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。そして、集光ミラー２２で反射した露光光ＥＬは、照明光学系１５に入射する前に一旦集光した後、照明光学系１５を構成する各反射ミラーのうち最も光源装置１２側に位置する反射ミラーに入射する。なお、集光ミラー２２から射出された露光光ＥＬにおいて一旦集光する集光点のことを、「中間集光点ＩＦ」というものとする。

照明光学系１５は、図１に示すように、第１チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２５（図１では実線で囲まれた部分）を備えている。この筐体２５内には、光源装置１２から筐体２５内に入射された露光光ＥＬを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２９内に設置された折り返し用の反射ミラー２６に入射し、該反射ミラー２６で反射した露光光ＥＬがレチクルステージ１６に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１５を構成する各反射ミラー（折り返し用の反射ミラー２６も含む。）の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。

レチクルステージ１６は、投影光学系１７の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置２７を備えている。この第１静電吸着保持装置２７は、誘電性材料から構成され且つ吸着面２８ａを有する基体２８と、該基体２８内に配置される図示しない複数の電極部とから構成されている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２８から発生されるクーロン力により、吸着面２８ａにレチクルＲが静電吸着される。

また、レチクルステージ１６は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、第１静電吸着保持装置２７に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向にも移動させることが可能である。なお、レチクルＲの被照射面Ｒａに露光光ＥＬが照明される場合、該被照射面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。

投影光学系１７は、露光光ＥＬでレチクルＲの被照射面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、第１チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２９を備えている。この鏡筒２９内には、複数枚（一例としては６枚であって、図１では１枚のみ図示）の反射型のミラー３０が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、各ミラー３０に順に反射され、ウエハステージ１８に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー３０の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。

ウエハステージ１８は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置３１を備え、該第２静電吸着保持装置３１は、誘電性材料から構成され且つ吸着面３２ａを有する基体３２と、該基体３２内に配置される図示しない複数の電極部とから構成されている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３２から発生されるクーロン力により、吸着面３２ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハステージ１８には、第２静電吸着保持装置３１を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。

こうしたウエハステージ１８は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３１に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３１に保持されるウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向にも移動可能に構成されている。

そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１５によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１７の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。

本実施形態の露光装置１１において、レチクルステージ１６と投影光学系１７の鏡筒２９との間には、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲに向けて射出された露光光ＥＬの一部を遮光し、露光処理時におけるウエハＷでの照射むらを調整するスリット装置４０（「レチクルブラインド」ともいう。）が設けられている。なお、図３は、スリット装置４０を鏡筒２９側（即ち、下側）から見た場合の単面図である。

図３に示すように、本実施形態のスリット装置４０は、露光光ＥＬの光路のＸ軸方向における両側に移動不能な状態で配置される一対の第１遮光部４１を備えている。この一対の第１遮光部４１には、Ｙ軸方向に延びる第１遮光部材４２がそれぞれ設けられている。これら各第１遮光部材４２によって、レチクルＲに形成される照明領域のＸ軸方向における幅が規定される。

また、スリット装置４０は、露光光ＥＬの光路の＋Ｙ方向側（図３では右側）に配置される複数（図３では２１個）の第２遮光部４３を備え、該各第２遮光部４３は、レチクルＲの照明領域の形状と対応し、且つＸ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、各第２遮光部４３のうちＸ軸方向における中央に位置する第２遮光部４３は、他の第２遮光部４３よりも−Ｙ方向側（図３では左側）に配置されている。そして、他の第２遮光部４３の各々は、Ｙ軸方向における中央から離間するほど＋Ｙ方向側にずれてそれぞれ配置されている。

また、スリット装置４０は、露光光ＥＬの光路の−Ｙ方向側に配置される複数（図３では２１個）の第３遮光部４４を備え、該各第３遮光部４４は、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、各第３遮光部４４の−Ｙ方向側には、該各第３遮光部４４のＹ軸方向における位置を調整するための複数（図３では２１個）の調整機構４５がそれぞれ設けられている。そして、各第３遮光部４４は、それらに個別対応する各調整機構４５の駆動源（例えば、リニアアクチュエータ）がそれぞれ駆動することにより、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれ進退移動する。このように各第３遮光部４４（詳しくは、後述する光導波管４８）のＹ軸方向における位置を個別に調整することにより、スリット装置４０のスリット（開口部）４７の形状が規定され、ひいてはレチクルＲに形成される照明領域の形状が規定される。

各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４は、図４に示すように、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲ側に射出される露光光ＥＬの光路の延びる方向と略平行な所定方向に沿って延びる光導波管４８をそれぞれ備えている。各光導波管４８は、それらの長手方向（即ち、所定方向）における一端（図４では下端）が折り返し用の反射ミラー２６を指向する一方、それらの長手方向における他端（図４では上端）がレチクルＲ側を指向するようにそれぞれ配置されている。また、各光導波管４８は、Ｙ軸方向における長さのほうがＸ軸方向における長さよりも長くなるようにそれぞれ形成されている。

こうした各光導波管４８は、ＥＵＶ光が通過できるように中空状にそれぞれ形成されている。すなわち、各光導波管４８内には、それらの内側面４９に囲まれ、且つ所定方向に延びる光導波路５０がそれぞれ形成されている。これら各光導波路５０内には、光導波管４８の一端４８ａ側に形成された入射部５１から入射した光（以下、「遮光光ＳＬ」という。）がそれぞれ導かれる。また、各光導波管４８の内側面４９には、遮光光ＳＬの少なくとも一部を反射可能な反射膜がそれぞれ製膜されている。

ここで、ＥＵＶ光を含む遮光光ＳＬは、光導波管４８の内側面４９に入射する際の入射角が所定角度よりも小さい場合には内側面４９にほとんど吸収される、即ち内側面４９で反射しない。一方、遮光光ＳＬの少なくとも一部は、光導波管４８の内側面４９に入射する際の入射角が所定角度よりも大きい場合には内側面４９で反射される。本実施形態では、各光導波路５０の延びる所定方向は、露光光ＥＬの光路の進行方向とほぼ一致している。そのため、光導波管４８内に入射する大部分の遮光光ＳＬの内側面４９に対する入射角は、所定角度以下になる。したがって、遮光光ＳＬは、光導波管４８内で反射を繰り返しつつ光導波管４８の他端４８ｂ側に導かれる。このとき、遮光光ＳＬの光量は、光導波管４８の内側面４９で反射する毎に次第に減衰される。

また、各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４のレチクルＲ側の各位置には、それらの各光導波管４８の他端４８ｂに接続されるトラップ装置５２がそれぞれ設けられている。これら各トラップ装置５２は、直方体状をなす中空のトラップ部材５３をそれぞれ有しており、該各トラップ部材５３には、光導波管４８の他端４８ｂと連通する連通孔５４がそれぞれ形成されている。

さらに、各トラップ装置５２には、それらのトラップ部材５３の内壁５５を冷却するための冷却機構５６がそれぞれ設けられている。これら各冷却機構５６内は、第１チャンバ１３外に配置される図示しない冷媒供給装置から図示しない冷却用配管を介して供給される冷媒がそれぞれ循環している。

次に、本実施形態の露光装置１１の作用のうち、スリット装置４０の作用を中心に説明する。
さて、図示しない光量検出装置によってレチクルＲの照明領域におけるＸ軸方向における各位置の光量（即ち、ウエハＷでの照射むら）が検出されると、ウエハＷで発生し得る照射むらを補正すべく各第３遮光部４４のＹ軸方向における位置がそれぞれ設定される。すると、各第３遮光部４４（即ち、各光導波管４８）は、個別対応する各調整機構４５の駆動によって、設定された位置にそれぞれ移動する。この状態でウエハＷへの露光処理が開始される。

すなわち、ウエハＷへの露光に必要な露光光ＥＬは、スリット装置４０によって遮光されず、スリット４７を介してレチクルＲに入射する。一方、ウエハＷへの露光に不必要な露光光ＥＬ（即ち、遮光光ＳＬ）は、入射部５１を介して各第３遮光部４４（即ち、各光導波管４８の光導波路５０）内に導かれる。すると、各光導波路５０において、遮光光ＳＬは、各光導波管４８の内側面４９にそれぞれ入射する。このとき、遮光光ＳＬの一部は、内側面４９によって吸収される一方、残りの遮光光ＳＬは、内側面４９によって反射される。このように遮光光ＳＬが光導波管４８の内側面４９で反射する毎に、遮光光ＳＬが減衰される。そのため、光導波路５０内に導かれた遮光光ＳＬは、各光導波管４８の他端４８ｂに到達するまでに十分に減衰されている。また、たとえ各光導波管４８の他端４８ｂから連通孔５４を介して各トラップ部材５３内に遮光光ＳＬがそれぞれ入射したとしても、当該各トラップ部材５３内で遮光光ＳＬの反射が繰り返される。すなわち、各トラップ部材５３内でも、遮光光ＳＬが減衰される。

また、本実施形態の露光光ＥＬがＥＵＶ光を多く含むため、各光導波管４８の内側面４９のうち遮光光ＳＬを吸収した部分では、吸収した光量に応じた熱エネルギーがそれぞれ発生する。しかし、本実施形態では、一つの光導波管４８には、遮光光ＳＬを吸収する部分が複数箇所に分散して位置する。そのため、熱エネルギーの増大に伴う各光導波管４８の一部の熱変形や光導波管４８を構成する材料の液状化又は気化が抑制される。また、各光導波管４８に接続される各トラップ部材５３は、冷却機構５６によって冷却されているため、各光導波管４８で発生した熱エネルギーは、当該各光導波管４８に接続される各トラップ部材５３にそれぞれ移動する。

また、本実施形態の光源装置１２では、プラズマＰＬを発生される際に高密度の錫化合物が使用される。こうした錫化合物は、プラズマＰＬの発生時に加熱される。そのため、光源装置１２からは、錫化合物が加熱されてなる粒子（以下、「デブリＤ」という。）が第１チャンバ１３内に流入して飛散するおそれがある（図４参照）。こうしたデブリＤは、スリット装置４０に向けて飛散することがある。

ここで、従来のスリット装置を搭載した露光装置１１では、従来のスリット装置を構成するブレードにデブリＤが付着する可能性がある。ブレードにデブリＤが付着したとすると、該デブリＤは鏡として機能する。このとき、ブレードのうちデブリＤが付着した部分に露光光ＥＬ（即ち、遮光光ＳＬ）が入射すると、ブレードからは予期せぬ反射が発生するおそれがある。こうした予期せぬ反射光（以下、「迷光」という。）は、第１チャンバ１３内で反射を繰り返し、レチクルＲやウエハＷなどに入射するおそれもある。

また、従来のスリット装置のブレードに衝突したデブリＤは、ブレードに跳ね返され、第１チャンバ１３内において露光装置１１を構成する他の部材に付着するおそれがある。この場合、デブリＤが付着した部分には、露光光ＥＬとして用いない迷光が入射し、該迷光がレチクルＲやウエハＷ側に反射するおそれもある。

この点、本実施形態のスリット装置４０は、ブレードの代りに、中空の光導波管４８が用いられる。そのため、光導波管４８に向けて飛散してきたデブリＤは、入射部５１を介して光導波路５０内に導かれる。そして、光導波管４８の内側面４９に衝突する毎に、デブリＤの持つ運動エネルギーが徐々に失われ、その後、光導波管４８に連通するトラップ部材５３内に流入する。このトラップ部材５３は、冷却機構５６によって冷却されるため、デブリＤは、トラップ部材５３の内壁に衝突すると、冷却されて捕捉される。したがって、こうしたデブリＤがレチクルＲに付着する可能性が抑制される。また、デブリＤは、遮光光ＳＬがほとんど到達しないトラップ部材５３内で捕捉されるため、トラップ部材５３に付着したデブリＤ（即ち、鏡）による遮光光ＳＬの反射が抑制される。すなわち、第１チャンバ１３内での迷光の発生が抑制される。

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４によって遮光される遮光光ＳＬは、入射部５１を介して光導波路５０内に導かれる。このとき、遮光光ＳＬのうち各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４の入射部５１で反射する光はほとんどない。そして、光導波路５０内において遮光光ＳＬは、光導波管４８の内側面４９で反射される毎に減衰される。したがって、各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４によって遮光光ＳＬを遮光する場合に、各第２遮光部４３及び各第３遮光部４４に入射した遮光光ＳＬがスリット装置４０外に反射して迷光が発生することを抑制できる。すなわち、迷光の発生に起因したウエハＷへのパターンの形成不良の発生を抑制できる。

（２）光導波管４８の一端４８ａに形成された入射部５１を介して光導波路５０内に導かれた遮光光ＳＬは、光導波管４８の他端４８ｂに進む際にその内側面４９で反射する。こうした内側面４９で反射する毎に遮光光ＳＬが十分に減衰される。そのため、光導波管４８の他端４８ｂから当該光導波管４８外に射出された遮光光ＳＬによる影響を低減できる。

（３）また、光導波管４８の内側面４９における複数箇所で、遮光光ＳＬの反射が行なわれる。すなわち、光導波管４８の内側面４９には、遮光光ＳＬを吸収する位置が複数箇所形成される。そのため、一箇所で遮光光ＳＬを吸収する構成の場合に比して、遮光光ＳＬの吸収に基づき発生する熱エネルギーを分散できる。したがって、光導波管４８の熱変形や光導波管４８を構成する部材の液状化や気化を抑制できる。

（４）各第３遮光部４４（即ち、各光導波管４８）のＹ軸方向における位置を個別に調整することにより、ウエハＷでの照射むらを好適に調整できる。したがって、ウエハＷの各ショット領域には、パターンを好適に形成することができる。

（５）各光導波管４８内に入射部５１を介して流入したデブリＤは、トラップ装置５２によって捕捉される。そのため、第１チャンバ１３内を飛散するデブリＤの飛散量を低減できる。

（６）各光導波管４８内に入射部５１を介して流入したデブリＤは、各光導波管４８の他端４８ｂに連通するトラップ部材５３の内壁５５に付着して捕捉される。すなわち、光導波管４８の入射部５１から離間した位置でデブリＤを捕捉できる。しかも、トラップ部材５３内には、光導波路５０内に導かれた遮光光ＳＬがほとんど入射しない。そのため、デブリＤが捕捉された部分（即ち、デブリＤによって生成された鏡）での反射光の発生を抑制できる。したがって、各光導波管４８の一端４８ａ側から第１チャンバ１３内に射出される迷光の発生を抑制できる。

（７）また、デブリＤを光導波管４８内で捕捉される場合とは異なり、光導波管４８内の光導波路５０が内側面４９に付着するデブリＤによって詰まってしまうことを抑制できる。すなわち、光導波管４８における遮光光ＳＬの減衰作用を好適に維持できる。

（８）さらに、光導波管４８は、冷却機構５６によって冷却されるトラップ部材５３に接触している。そのため、光導波路５０内に導かれた遮光光ＳＬの吸収によって発生した熱エネルギーは、トラップ部材５３側に移動することになる。したがって、光導波管４８で発生した熱エネルギーを外部に好適に放熱できるため、光導波管４８の熱変形を抑制できる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図５〜図６に従って説明する。なお、第２の実施形態は、各遮光部の構成及び遮光光ＳＬの光量を検出可能な点が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図５及び図６（ａ）に示すように、本実施形態のスリット装置４０Ａは、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲ側に射出された露光光ＥＬの光路の＋Ｘ方向側に配置される複数（図５では４つ）の第１遮光部４１Ａを備え、該各第１遮光部４１Ａは、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、スリット装置４０Ａは、露光光ＥＬの光路の−Ｘ方向側に配置される複数（図５では４つ）の第１遮光部４１Ａを備え、該各第１遮光部４１Ａは、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。これら各第１遮光部４１Ａは、露光光ＥＬの光路と略平行な所定方向に延びる光ファイバ６０をそれぞれ有している。また、露光光ＥＬの光路の＋Ｙ方向側に配置される複数（図５では１８個）の第２遮光部４３Ａは、所定方向に延びる光ファイバ６１をそれぞれ有している。各光ファイバ６０，６１は、それらの長手方向における一端が折り返し用の反射ミラー２６側を指向すると共に、それらの長手方向における他端がレチクルＲやウエハＷなどの被照射面（Ｒａ，Ｗａ）の配置位置とは異なる他の位置を指向するようにそれぞれ配置されている。なお、各光ファイバ６０，６１はＥＵＶ光用のファイバであって、各光ファイバ６０，６１のコアの部分は、それぞれ中空状である。

また、スリット装置４０Ａには、露光光ＥＬの光路の−Ｙ方向側に配置される複数（図５では９個）の遮光ユニット１４４（図５では一点鎖線で囲まれた部分）が設けられており、該各遮光ユニット１４４は、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、各遮光ユニット１４４には、複数の第３遮光部４４Ａと、該各第３遮光部４４Ａを束ねるための図示しない拘束部材とがそれぞれ設けられており、各第３遮光部４４Ａは、光ファイバ６２をそれぞれ有している。こうした各遮光ユニット１４４は、それらに個別対応する各調整機構４５の駆動によって、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれ進退移動可能である。すなわち、各遮光ユニット１４４のＹ軸方向における位置をそれぞれ調整することにより、スリット４７の形状、ひいてはレチクルＲの照明領域の形状が規定される。

各光ファイバ６２は、第１遮光部４１Ａ及び第２遮光部４３Ａを構成する各光ファイバ６０，６１と同様に、ＥＵＶ光用のファイバである。すなわち、光ファイバ６２内の空間であるコアが光導波路６３として機能し、コアとクラッドとの境界面が反射面６４として機能する（図６（ｂ）参照）。そして、各光ファイバ６２の長手方向における一端６２ａは、図６（ａ）に示すように、折り返し用の反射ミラー２６側をそれぞれ指向している。そして、各光ファイバ６２の一端６２ａ側となる部分は、それぞれ所定方向に沿って延びている。また、各光ファイバ６２の長手方向における他端６２ｂは、第１チャンバ１３の側壁に設けられる後述する光量検出装置７０にそれぞれ接続されている。すなわち、各光ファイバ６２の他端６２ｂは、レチクルＲやウエハＷなどの被照射面（Ｒａ，Ｗａ）の配置位置及び各種反射ミラーの反射面とは異なる他の位置をそれぞれ指向している。なお、図６（ａ）では、明細書の説明理解の便宜上、一つの遮光ユニット１４４のみを図示している。

また、各遮光ユニット１４４を構成する各光ファイバ６２の長手方向における中途位置近傍には、当該光ファイバ６２の中途位置を冷却するための冷却機構６５が設けられている。この冷却機構６５は、各光ファイバ６２を包囲する筒状の輻射冷却部材６６と、該輻射冷却部材６６を冷却する冷却部６７とを備え、該冷却部６７内は、第１チャンバ１３外に配置される図示しない冷媒供給装置から供給管路６８を介して供給される冷媒が循環している。そして、輻射冷却部材６６は、内包する各光ファイバ６２を輻射冷却する。

第１チャンバ１３の側壁には、各遮光ユニット１４４を構成する各光ファイバ６２の他端６２ｂが接続される光量検出装置７０が遮光ユニット１４４毎に設けられている。これら各光量検出装置７０は、図６（ｂ）に示すように、直方体状をなす中空の装置本体７１をそれぞれ備え、該各装置本体７１の側壁には、連通孔７２がそれぞれ形成されている。そして、各装置本体７１内には、各光ファイバ６２の他端６２ｂから射出される遮光光ＳＬが連通孔７２を介してそれぞれ入射する。また、各装置本体７１内には、各光ファイバ６２の他端６２ｂから射出される遮光光ＳＬが入射する回折格子（「グレーティング」ともいう。）７３がそれぞれ設けられている。これら各回折格子７３は、駆動源７４の駆動によって、入射する遮光光ＳＬの進行方向と略直交する軸線方向（図６（ｂ）では紙面と直交する方向）に延びる軸線７３ａを中心にそれぞれ回転する。

さらに、各装置本体７１内には、回折格子７３で反射した遮光光ＳＬの一部が入射する受光部７５がそれぞれ設けられており、該各受光部７５には、回折格子７３の回転位置に対応した波長を有する光がそれぞれ入射する。こうした各受光部７５からは、受光量に応じた電気信号が制御装置７６に向けてそれぞれ出力される。そして、制御装置７６は、回折格子７３の回転位置を制御しつつ、受光部７５から受光量に応じた電気信号を入力することにより、遮光光ＳＬに含まれる各波長の光量を遮光ユニット１４４毎に算出する。また、制御装置７６は、各遮光ユニット１４４の遮光光ＳＬの光量を算出することも可能である。

なお、各光ファイバ６２を介して光量検出装置７０に導かれる遮光光ＳＬは、各光ファイバ６２の反射面６４との間で反射しつつ装置本体７１内に射出される。すなわち、各光ファイバ６２内において、遮光光ＳＬは、反射面６４で反射する毎に減衰される。そのため、各光ファイバ６２の他端６２ｂから射出される時点の遮光光ＳＬの光量は、各光ファイバ６２の一端６２ａに入射した時点の遮光光ＳＬの光量よりも少ない。そこで、本実施形態では、制御装置７６は、各光ファイバ６２内での遮光光ＳＬの減衰度合いを補償して遮光光ＳＬに含まれる各波長の光量を遮光ユニット１４４毎に算出する。

次に、本実施形態のスリット装置４０Ａの作用のうち、各遮光ユニット１４４の作用を説明する。
さて、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲ側に射出された露光光ＥＬの一部は、露光に不要な遮光光ＳＬとして、各遮光ユニット１４４の各光ファイバ６２内にそれらの一端６２ａを介して入射する。そして、各光ファイバ６２の光導波路６３内に導かれた遮光光ＳＬは、反射面６４で反射しながら各光ファイバ６２の他端６２ｂまでそれぞれ導かれる。そして、各光量検出装置７０の回折格子７３には、各光ファイバ６２の他端６２ｂから射出された遮光光ＳＬがそれぞれ入射し、各回折格子７３からは、それらの回転位置に応じた波長を有する光が各受光部７５側にそれぞれ射出される。すると、各受光部７５から出力される各電気信号に基づき、各回折格子７３の回転位置に応じた光の光量が制御装置７６によってそれぞれ検出される。そして、各駆動源７４の駆動によって、各回折格子７３が軸線７３ａを中心にそれぞれ回転することにより、各波長の光の光量が遮光ユニット１４４毎にそれぞれ検出される。

また、各遮光ユニット１４４の各光ファイバ６２内には、第１チャンバ１３内を飛散するデブリＤが流入することがある。こうしたデブリＤは、光ファイバ６２の反射面６４に衝突しつつ光ファイバ６２の他端６２ｂ側に向けて流動する。しかし、本実施形態の光ファイバ６２の長手方向における中途位置は、冷却機構６５によって冷却されている。そのため、デブリＤは、光ファイバ６２内において冷却機構６５によって冷却される中途位置に達すると、反射面６４に衝突した際に冷却されて運動エネルギーが奪われる。その結果、デブリＤは、光ファイバ６２の中途位置における反射面６４に付着する。すなわち、本実施形態では、デブリＤは、光ファイバ６２において冷却機構６５によって冷却される部分で捕捉される。

したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態における効果（１）〜（４）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（９）本実施形態では、光ファイバ６２が冷却機構６５によって冷却される。そのため、光ファイバ６２内にデブリＤが流入した場合に、当該光ファイバ６２内でデブリＤを好適に捕捉できる。

（１０）もし仮に光ファイバ６２の一端６２ａ側が冷却される場合、光ファイバ６２の一端６２ａ近傍が光ファイバ６２内に流入したデブリＤで詰まるおそれがある。この場合、光ファイバ６２の一端６２ａ近傍に付着したデブリＤ（即ち、鏡）が、せっかく一端６２ａを介して光ファイバ６２内に導かれた遮光光ＳＬを光ファイバ６２外に向けて反射するおそれがある。こうした反射光は、第１チャンバ１３内に射出され、迷光として第１チャンバ１３内で反射を繰り返す。そして、こうした迷光がレチクルＲの照明領域やウエハＷの照射領域内に不必要に入射するおそれがある。この点、本実施形態では、光ファイバ６２の長手方向における中途位置が冷却機構６５によって冷却される。そのため、光ファイバ６２の中途位置でデブリＤを捕捉したとしても、上記の場合に比して、該捕捉したデブリＤによって光ファイバ６２内に導かれた遮光光ＳＬが反射され、該反射光（即ち、迷光）が光ファイバ６２の一端６２ａから第１チャンバ１３内に射出される可能性を低減できる。また、たとえ反射が発生したとしても、光ファイバ６２の一端６２ａから射出される迷光の光量を上記の場合に比して少なくできるため、迷光による露光処理時の悪影響を抑制できる。

（１１）また、光ファイバ６２内に流入したデブリＤは、光ファイバ６２の長手方向における中途位置で捕捉される。そのため、デブリＤが光量検出装置７０の装置本体７１内に流入することを抑制できる結果、装置本体７１内の回折格子７３や受光部７５にデブリＤが付着することを抑制できる。したがって、光量検出装置７０による遮光光ＳＬの光量検出精度の低下、及び回折格子７３による分光精度の低下を抑制できる。

（１２）また、本実施形態では、各遮光ユニット１４４で遮光する遮光光ＳＬの光量を検出できる。こうした光量に基づき各遮光ユニット１４４のＹ軸方向における各位置をそれぞれ調整することにより、露光処理時におけるウエハＷに対する照射むらを好適に補正できる。

（１３）遮光光ＳＬの一部は、互いに隣接する光ファイバ６２同士の間の隙間に進入することがある。こうした遮光光ＳＬは、光ファイバ６２の外側面で反射すると、その一部が光ファイバ６２の外側面で吸収される。したがって、互いに隣り合う光ファイバ６２の間に隙間が介在したとしても、遮光光ＳＬを各光ファイバ６２によって好適に吸収できる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図７に従って説明する。なお、第３の実施形態は、デブリＤを捕捉する方法が第２の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１及び第２の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１及び第２の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図７に示すように、本実施形態のスリット装置４０Ｂは、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲ側に射出される露光光ＥＬの光路の＋Ｙ方向側に配置される複数の第１遮光ユニット１４３と、露光光ＥＬの光路の−Ｙ方向側に配置される第２遮光ユニット１４４Ａとを備えている。また、スリット装置４０Ｂは、図７では図示が省略されているが、露光光ＥＬの光路の＋Ｘ方向側に配置される複数の第１遮光部４１Ａと、露光光ＥＬの光路の−Ｘ方向側に配置される複数の第１遮光部４１Ａとをさらに備えている。

各第１遮光ユニット１４３は、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ配置されると共に、各第２遮光ユニット１４４Ａは、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、各第１遮光ユニット１４３は、複数（図７では３つのみ図示）の第２遮光部４３Ｂと、該各第２遮光部４３Ｂを束ねるための図示しない拘束部材とをそれぞれ備えている。同様に、各第２遮光ユニット１４４Ａは、複数（図７では３つのみ図示）の第３遮光部４４Ｂと、該各第３遮光部４４Ｂを束ねるための図示しない拘束部材とをそれぞれ備えている。

各第２遮光部４３Ｂは、光ファイバ６１をそれぞれ有すると共に、各第３遮光部４４Ｂは、光ファイバ６２をそれぞれ有している。これら各光ファイバ６１，６２は、折り返し用の反射ミラー２６からレチクルＲ側に射出される露光光ＥＬの光路と略平行な所定方向に沿ってそれぞれ延びている。すなわち、各光ファイバ６１，６２の長手方向における一端６１ａ，６２ａは、折り返し用の反射ミラー２６をそれぞれ指向すると共に、各光ファイバ６１，６２の長手方向における他端６１ｂ，６１ｂは、レチクルステージ１６をそれぞれ指向している。

また、各第１遮光ユニット１４３及び各第２遮光ユニット１４４Ａの＋Ｚ方向側には、内部が各光ファイバ６１，６２の他端６１ｂ，６２ｂと連通する連通ボックス８０Ａ，８０Ｂが設けられている。連通ボックス８０Ａは、各第１遮光ユニット１４３を構成する全ての光ファイバ６１の他端６１ｂと連通すると共に、連通ボックス８０Ｂは、各第２遮光ユニット１４４Ａを構成する全ての光ファイバ６２の他端６２ｂと連通している。こうした各連通ボックス８０Ａ，８０Ｂは、連通管８１Ａ，８１Ｂを介してトラップ装置８２Ａ，８２Ｂとそれぞれ接続されている。これら各トラップ装置８２Ａ，８２Ｂは、内部が中空をなすトラップ部材８３Ａ，８３Ｂと、該トラップ部材８３Ａ，８３Ｂの内壁を冷却する冷却機構８４Ａ，８４Ｂとをそれぞれ備えている。また、各トラップ装置８２Ａ，８２Ｂには、各トラップ部材８３Ａ，８３Ｂ、各連通管８１Ａ，８１Ｂ及び各連通ボックス８０Ａ，８０Ｂを介して各光ファイバ６１，６２内を真空排気するための真空排気装置８５Ａ，８５Ｂがそれぞれ設けられている。

また、各光ファイバ６１の一端６１ａ近傍には、該各一端６１ａよりも＋Ｙ方向側に配置されるガス供給部８６Ａのノズル８７Ａが設けられると共に、各光ファイバ６２の一端６２ａ近傍には、該各一端６２ａよりも−Ｙ方向側に配置されるガス供給部８６Ｂのノズル８７Ｂが設けられている。これら各ガス供給部８６Ａ，８６Ｂのノズル８７Ａ，８７Ｂからは、窒素などの不活性ガスが第１チャンバ１３内にそれぞれ供給される。

なお、図７では図示されていないが、スリット装置４０Ｂには、各第２遮光ユニット１４４Ａに個別対応する複数の調整機構４５が設けられている。そして、各第２遮光ユニット１４４Ａは、それらに個別対応する各調整機構４５の駆動によってそれぞれＹ軸方向に沿って進退移動可能である。

次に、本実施形態のスリット装置４０Ｂの作用を説明する。
さて、一端６１ａ，６２ａから各光ファイバ６１，６２内に導かれた遮光光ＳＬは、該各光ファイバ６１，６２の内側面（即ち、反射面）で反射を繰り返しながら各光ファイバ６１，６２の他端６１ｂ，６２ｂに向けて進む。このとき、遮光光ＳＬは、各光ファイバ６１，６２内で反射する毎に徐々に減衰される。そして、連通ボックス８０Ａ，８０Ｂ内に各光ファイバ６１，６２から射出された遮光光ＳＬは、連通ボックス８０Ａ，８０Ｂ内で反射を繰り返し、反射が繰り返される毎に遮光光ＳＬが減衰される。

また、本実施形態では、ウエハＷへの露光処理時に、各ガス供給部８６Ａ，８６Ｂのノズル８７Ａ，８７Ｂからは不活性ガスが第１チャンバ１３内にそれぞれ供給される。こうした不活性ガスは、各真空排気装置８５Ａ，８５Ｂの駆動によって、各光ファイバ６１，６２を介して回収される。すなわち、各光ファイバ６１，６２の一端６１ａ，６２ａ近傍では、該一端６１ａ，６２ａに向かう気流が発生する。そのため、各光ファイバ６１，６２の一端６１ａ，６２ａに浮遊するデブリＤは、不活性ガスの供給がない場合に比して、不活性ガスと共に光ファイバ６１，６２内に流入しやすくなる。なお、以降の記載では、明細書の説明理解の便宜上、一本の光ファイバ６２内に導かれたデブリＤについて説明する。

すると、デブリＤは、光ファイバ６２内を不活性ガスと共に該光ファイバ６２の他端６２ｂに向けて進む。そして、光ファイバ６２の他端６２ｂから連通ボックス８０Ｂ内に流入したデブリＤは、真空排気装置８５Ｂの駆動によって、連通管８１Ｂを介してトラップ部材８３Ｂ内に不活性ガスと共に流入する。すると、トラップ部材８３Ｂの内壁は、冷却機構８４Ｂによって冷却されているため、デブリＤは、トラップ部材８３Ｂの内壁に接触すると、その運動エネルギーがトラップ部材８３Ｂによって奪われて捕捉される。また、連通ボックス８０Ｂ内に流入したデブリＤは、連通ボックス８０Ｂの内壁に衝突した際に運動エネルギーが奪われ、当該内壁に付着することもある。

したがって、本実施形態では、上記第１及び第２の各実施形態における効果（１）〜（８）（１３）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１４）本実施形態では、ガス供給部８６Ａ，８６Ｂによって第１チャンバ１３内に供給される不活性ガスが、真空排気装置８５Ａ，８５Ｂの駆動によって、各光ファイバ６１，６２を介して回収される。すなわち、各光ファイバ６１，６２の一端６１ａ，６２ａ近傍には、気流が発生する。その結果、上記各実施形態に比して、第１チャンバ１３内を浮遊するデブリＤを各光ファイバ６１，６２内に流入させやすい。したがって、第１チャンバ１３内を浮遊するデブリＤをトラップ装置８２Ａ，８２Ｂによって効率良く捕捉できる。

（１５）また、各ガス供給部８６Ａ，８６Ｂのノズル８７Ａ，８７Ｂは、各光ファイバ６１，６２よりもＹ軸方向において露光光ＥＬの光路から離間した位置に配置されている。そのため、各ノズル８７Ａ，８７Ｂから供給された不活性ガスは、各光ファイバ６１，６２を介して各真空排気装置８５Ａ，８５Ｂによって回収される。したがって、不活性ガスが露光光ＥＬの光路に収入することを規制でき、レチクルＲを照明する露光光の光量不足の発生を抑制できる。

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態を図８に従って説明する。なお、第４の実施形態は、遮光光ＳＬの光量を検出可能な点が第３の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１〜第３の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１〜第３の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図８（ａ）に示すように、本実施形態のスリット装置４０Ｃは、Ｘ軸方向に沿って配置される複数の第２遮光ユニット１４４Ａを備えている。また、スリット装置４０Ｃは、図８（ａ）では図示が省略されているが、複数の第１遮光部４１Ａ及び複数の第１遮光ユニット１４３をさらに備えている。

また、スリット装置４０Ｃには、各第３遮光部４４Ｂの＋Ｚ方向側に配置される分岐部９０が第２遮光ユニット１４４Ａ毎に設けられている。また、スリット装置４０Ｃは、第２遮光ユニット１４４Ａ毎に設けられた光量検出装置７０と、一つのトラップ装置８２Ｂとを備えている。各分岐部９０は、各第２遮光ユニット１４４Ａ（即ち、各光ファイバ６２）を介して導かれた遮光光ＳＬを各第２遮光ユニット１４４Ａに個別対応する各光量検出装置７０側に導くと共に、各第２遮光ユニット１４４Ａを介して流入したデブリＤをトラップ装置８２Ｂ側に導くための装置である。すなわち、図８（ｂ）に示すように、各分岐部９０は、略直方体状をなす中空のケース部材９１をそれぞれ備えている。これらケース部材９１には、各光ファイバ６２の他端６２ｂと連通する第１連通孔９２と、対応する光量検出装置７０に接続される第１連通管９３と連通する第２連通孔９４と、トラップ装置８２Ｂに接続される第２連通管９５と連通する第３連通孔９６とがそれぞれ形成されている。

また、各ケース部材９１内には、各光ファイバ６２の他端６２ｂからケース部材９１内に射出された遮光光ＳＬを第２連通孔９４側に反射する反射ミラー９７がそれぞれ設けられ、該各反射ミラー９７は、それらに入射する遮光光ＳＬの入射角が上記所定角度未満となるようにそれぞれ配置されている。「所定角度」とは、ＥＵＶ光を含む遮光光ＳＬを反射できる入射角の最低値に近い角度に相当する。そのため、各光ファイバ６２を介して各ケース部材９１内に射出された遮光光ＳＬは、反射ミラー９７でそれぞれ反射した後、第２連通孔９４及び第１連通管９３を介して光量検出装置７０にそれぞれ導かれる。そして、各光量検出装置７０からの電気信号に基づき、制御装置７６は、遮光光ＳＬに含まれる各波長の光量を第２遮光ユニット１４４Ａ毎に算出する。なお、各光ファイバ６２内に導かれた遮光光ＳＬは、光ファイバ６２の反射面６４で反射する毎に減衰されるだけではなく、光ファイバ６２内に介在する不活性ガスによって吸収されることにより減衰される。そこで、本実施形態において制御装置７６は、各光ファイバ６２内で発生する遮光光ＳＬの反射に基づく減衰、及び各光ファイバ６２内における不活性ガスによる遮光光ＳＬの吸収を補償し、遮光光ＳＬに含まれる各波長の光量を遮光ユニット１４４Ａ毎に算出する。

また、各光ファイバ６２を介して各ケース部材９１内に流入したデブリＤは、真空排気装置８５Ｂの駆動によって、各ケース部材９１内に介在する不活性ガスと共に第３連通孔９６及び第２連通管９５を介してトラップ装置８２Ｂにそれぞれ回収される。

したがって、本実施形態では、上記第１〜第３の各実施形態における効果（１）〜（８）（１３）〜（１５）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１６）本実施形態では、各光ファイバ６２内に導かれた遮光光ＳＬを、分岐部９０を介して光量検出装置７０側に案内することにより、当該遮光光ＳＬの光量を検出できる。また、各光ファイバ６２内に流入したデブリＤを、分岐部９０を介してトラップ装置８２Ｂ側に案内することにより、当該デブリＤをトラップ装置８２Ｂで捕捉できる。すなわち、本実施形態では、分岐部９０を設けることにより、遮光光ＳＬの光量検出及びデブリＤの捕捉を共に行なうことができる。

（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態を図９及び図１０に従って説明する。なお、第５の実施形態は、各第３遮光部を同時にＹ軸方向に沿って移動させることが可能である点が第２の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１〜第４の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１〜第４の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図９に示すように、本実施形態のスリット装置４０Ｄは、Ｘ軸方向に沿って配置される各調整機構４５を支持する略矩形板状の支持部材１００と、該支持部材１００をＹ軸方向に沿って進退移動させるための移動機構１０１とを備えている。そして、各遮光ユニット１４４は、制御装置７６からの制御指令に基づき露光光ＥＬの光路内の計測位置（図９に示す位置）に配置される。本実施形態のスリット装置４０Ｄでは、各遮光ユニット１４４を露光光ＥＬの光路内の計測位置に配置することにより、レチクルＲを照明する露光光ＥＬの光量や、ウエハＷに形成される照射領域での照射むらを計測することが可能である。

次に、本実施形態の制御装置７６が実行する各種処理ルーチンのうち、ウエハＷでの照射むらを計測する際に実行される照射むら計測処理ルーチンについて図１０に示すフローチャートに基づき説明する。

さて、照射むら計測処理ルーチンにおいて、制御装置７６は、各第３遮光部４４Ａを計測位置に移動させるべく移動機構１０１の駆動を制御する（ステップＳ１０）。続いて、制御装置７６は、ウエハＷに形成される照射領域内での照射むらの計測を行なう（ステップＳ１１）。具体的には、制御装置７６は、各遮光ユニット１４４に個別対応して設けられた各光量検出装置７０からの電気信号に基づき、各遮光ユニット１４４の各光ファイバ６２内に入射する露光光ＥＬの光量をそれぞれ検出し、それら各検出結果を図示しない記憶装置に記憶させる。すなわち、制御装置７６は、Ｘ軸方向における各位置における露光光ＥＬの光量をそれぞれ算出し、該算出結果に基づきウエハＷにおける照射の照射むらを計測する。その後、制御装置７６は、全ての遮光ユニット１４４が計測位置よりも−Ｙ方向側に配置されるように移動機構１０１の駆動を制御する。

続いて、制御装置７６は、ステップＳ１１での計測結果に基づき各遮光ユニット１４４による露光光ＥＬの遮光度合いを算出し、ウエハＷへの露光処理時における各遮光ユニット１４４のＹ軸方向における位置をそれぞれ設定する（ステップＳ１２）。すなわち、照射領域内におけるＸ軸方向における各位置の光量が互いに異なると、ウエハＷのショット領域内において、露光光ＥＬの照射が不足する部分と照射が過多になる部分とが発生するおそれがある。そこで、ステップＳ１２では、ウエハＷの照明領域での照射むらがなくなる又は極力小さくなるように、各遮光ユニット１４４のＹ軸方向における位置がそれぞれ設定される。すなわち、制御装置７６は、Ｘ軸方向において光量が多いと判断された位置に対応する遮光ユニット１４４の位置を、光量が少ないと判断された位置に対応する遮光ユニット１４４の位置よりも＋Ｙ方向側に設定する。

そして、制御装置７６は、ステップＳ１２における結果に基づき、各遮光ユニット１４４のＹ軸方向に沿って個別に移動させるべく各調整機構４５の駆動を個別に制御する（ステップＳ１３）。その後、制御装置７６は、照射むら計測処理ルーチンを終了する。

したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態における効果（１）〜（４）（９）〜（１３）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１７）本実施形態では、各遮光ユニット１４４を露光光ＥＬの光路内にそれぞれ配置することができる。そのため、レチクルＲの照明領域のＸ軸方向における位置毎の光量を計測できる。すなわち、ウエハＷへの露光処理時における照射むらを計測できる。そして、この計測結果に基づき各遮光ユニット１４４の位置を個別に調整できる。したがって、スリット装置４０以外に照射むらを計測するための装置を別途設ける必要がない分、露光装置１１全体の部品点数の低減に貢献できる。

（１８）また、各遮光ユニット１４４の位置が自動的に設定されるため、各遮光ユニット１４４のＹ軸方向における位置を作業者が一々調整する手間を省くことができる。
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。

・第５の実施形態において、移動機構１０１を省略してもよい。この場合、各調整機構４５のストローク量を、各遮光ユニット１４４を露光光ＥＬの光路内に配置できる程度のストローク量に設定してもよい。このように構成しても、第５の実施形態と同等の効果を得ることができる。

・第２の実施形態において、光量検出装置７０を省略してもよい。この場合、各遮光ユニット１４４を構成する各光ファイバ６２の他端６２ｂを、該各他端６２ｂから射出される遮光光ＳＬがレチクルＲやウエハＷに入射しない位置に配置してもよい。このように構成しても、各遮光ユニット１４４で遮光した遮光光ＳＬの光量を検出することはできないものの、各遮光ユニット１４４で遮光した遮光光ＳＬがレチクルＲやウエハＷに入射することを規制できる。

・また、第２の実施形態において、冷却機構６５を、各遮光ユニット１４４を構成する各光ファイバ６２の他端６２ｂ近傍を冷却可能な位置に配置してもよい。
・さらに、第２の実施形態において、冷却機構６５を省略してもよい。このように構成しても、各遮光ユニット１４４で遮光した遮光光ＳＬがレチクルＲやウエハＷに入射することを規制できる。

・第２、第４及び第５の各実施形態において、光量検出装置７０は、回折格子７３を省略した構成でもよい。この場合、受光部７５を、各光ファイバ６２の他端６２ｂから射出される遮光光ＳＬを直接受光可能な位置に配置してもよい。

・スリット装置は、光導波管４８や光ファイバ６２以外の他の部材を有する第３遮光部を備えた構成であってもよい。すなわち、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、スリット装置４０Ｅの各第３遮光部４４Ｃは、直方体状をなす中空の遮光部本体１１０をそれぞれ備え、該各遮光部本体１１０に内外を連通する連通孔１１１を形成した構成でもよい。各連通孔１１１は、折り返し用の反射ミラー２６に対向する位置にそれぞれ形成してもよい。また、各遮光部本体１１０の内側面１１２には、連通孔１１１を介して内部空間１１３内に導かれた遮光光ＳＬの一部を反射可能な反射膜をそれぞれ製膜してもよい。このように構成しても、第３遮光部４４Ｃで遮光する場合に、第３遮光部４４Ｃに入射した遮光光ＳＬがスリット装置４０Ｄ外に反射することを抑制できる。

・第３及び第４の各実施形態において、複数本ある光ファイバのうち一部から不活性ガスを供給する構成にしてもよい。不活性ガスを供給可能な光ファイバは、他の光ファイバよりも露光光ＥＬの光路から離間した位置に配置してもよい。

・各実施形態において、各第２遮光部４３，４３Ａ，４３Ｂを、Ｙ軸方向に沿って個別に移動させる構成であってもよい。
・第１の実施形態において、光導波管４８は、他の任意の形状をなす管であってもよい。例えば、光導波管４８は、四角筒状や六角筒状をなす管であってもよいし、
・各実施形態において、スリット装置４０〜４０Ｅは、任意数の遮光部を備えた構成でもよい。

・各実施形態において、各第３遮光部４４〜４４Ｃは、Ｙ軸方向に沿って移動不能な構成でもよい。
・照明光学系１５には、一対のフライアイミラーから構成されるオプティカルインテグレータが設けられている。そこで、各フライアイミラーのうち入射側フライアイミラーに入射する露光光ＥＬの一部を遮光するために、本発明の遮光装置を用いてもよい。すなわち、入射側フライアイミラーは、複数のミラー要素を備えた構成である。そこで、各ミラー要素に入射する露光光ＥＬの光量を調整（即ち、減光）するために遮光装置を用いてもよい。このように構成すると、レチクルＲに形成される照明領域において各位置での光強度の均一化に貢献できる。また、遮光した遮光光ＳＬを遮光部内で吸収できる、若しくは露光に全く関係ない部分に誘導できるため、第１チャンバ１３内での迷光の発生を抑制できる。

・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。

・各実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。

・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源でもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源でもよい。

このような波長の光を露光光ＥＬとして用いる場合、第１チャンバ１３内を大気圧雰囲気にしてもよい。この場合、光導波管は、内部に遮光光ＳＬを導くことが可能な構成であれば、中空状の管でなくてもよい。光導波管として光ファイバを用いる場合、該光ファイバのコアは、遮光光ＳＬの波長に応じた適切な材料で構成してもよい。また、第３及び第４の各実施形態では、第１チャンバ１３内に気体が存在するため、ガス供給部８６Ａ，８６Ｂを省略してもよい。

次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図１３は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。

１１…露光装置、１２…光源としての光源装置、１５…照明光学系、１７…投影光学系、２１…プラズマ発生部、２６…光学部材としての反射ミラー、４０，４０Ａ〜４０Ｅ…遮光装置としてのスリット装置、４１，４１Ａ，４３，４３Ａ，４３Ｂ，４４，４４Ａ〜４４Ｃ…遮光部、４５…調整部を構成する調整機構、４７…開口部としてのスリット、４８…光導波路、４８ａ…一端、４８ｂ…他端、４９，１１２…反射面としての内側面、５０，６３…誘導部としての光導波路、５１…入射部、５２，８２Ａ，８２Ｂ…トラップ装置、５３，８３Ａ，８３Ｂ…連通部としてのトラップ部材、５５…内壁、５６，８６Ａ，８６Ｂ…冷却機構、６０〜６２…光導波路としての光ファイバ、６１ａ，６２ａ…入射部としての一端、６１ｂ，６１ｂ…他端、６４…反射面、６５…トラップ装置としての冷却機構、７０…光量検出装置、７３…分光ユニットを構成する回折格子、７４…分光ユニットを構成する駆動源、７６…調整部としての制御装置、８５Ａ，８５Ｂ…真空排気装置、９０…分岐部、１０１…移動機構、１１３…誘導部としての内部空間、１４３，１４４，１４４Ａ…遮光ユニット、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、ＰＬ…プラズマ、Ｒａ…被照射面、Ｗ…基板としてのウエハ。

Claims (21)

1. 放射ビームの一部を遮光可能な遮光部を備えた遮光装置において、
   前記遮光部は、前記放射ビームの進行方向における光源側に位置し、当該放射ビームが入射可能な入射部と、該入射部を介した前記放射ビームが導かれる誘導部と、該誘導部内に入射した放射ビームの一部を反射可能な反射面と、を有することを特徴とする遮光装置。
2. 前記遮光部は、長手方向における一端が前記放射ビームの進行方向における光源側を指向するように配置される光導波管を有し、
   該光導波管の一端に前記入射部が形成されると共に、前記光導波管内に形成される光導波路が前記誘導部であり、さらに、前記光導波路を包囲する側面が前記反射面であることを特徴とする請求項１に記載の遮光装置。
3. 前記遮光部を複数備え、該複数の遮光部は、前記放射ビームが通過する開口部の形状を特定可能な位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遮光装置。
4. 前記遮光部を少なくとも一つ有する複数の遮光ユニットを備え、
   該複数の遮光ユニットは、前記放射ビームが通過する開口部の形状を特定可能な位置にそれぞれ配置されると共に、前記開口部の形状を変更させるべくそれぞれ移動可能であることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の遮光装置。
5. 前記遮光部は、中空状であり、
   前記遮光部の内側面が前記反射面であると共に、該反射面によって包囲される空間が前記誘導部であることを特徴とする請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の遮光装置。
6. 前記誘導部内に侵入した異物を捕捉するためのトラップ装置をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の遮光装置。
7. 前記トラップ装置は、前記遮光部の前記反射面を冷却する冷却機構を有することを特徴とする請求項６に記載の遮光装置。
8. 前記トラップ装置は、前記誘導部に連通する連通部と、該連通部の内壁を冷却する冷却機構とを有することを特徴とする請求項６に記載の遮光装置。
9. 前記トラップ装置は、前記誘導部内を真空排気する真空排気装置を有することを特徴とする請求項６に記載の遮光装置。
10. 前記誘導部内に入射する前記放射ビームの光量を検出する光量検出装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の遮光装置。
11. 前記誘導部内に入射する前記放射ビームの光量を検出する光量検出装置と、
    前記誘導部内に侵入した異物を前記トラップ装置側に導く一方、前記誘導部内に入射した前記放射ビームを前記光量検出装置側に導くための分岐部と、をさらに備えることを特徴とする請求項６、請求項８及び請求項９のうち何れか一項に記載の遮光装置。
12. 前記光量検出装置は、前記放射ビームの波長毎の光量を検出するための分光ユニットを有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の遮光装置。
13. 前記遮光部の前記入射部を、前記放射ビームの光量を計測可能な位置に移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１０〜請求項１２のうち何れか一項に記載の遮光装置。
14. 前記光量検出装置による検出結果に基づき、前記遮光部の前記入射部の配置位置を調整する調整部をさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の遮光装置。
15. 前記遮光部は、所定のパターンが形成される被照射面と、該被照射面側に前記放射ビームを射出する光学部材との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の遮光装置。
16. 前記光導波管の少なくとも一端側は、前記放射ビームの光路と略平行に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の遮光装置。
17. 前記光導波管の長手方向における前記一端は、前記放射ビームが照射される被照射面と、該被照射面側に前記放射ビームを射出する光学部材との間に配置されており、
    前記光導波管の長手方向における他端は、前記被照射面の配置位置とは異なる他の位置を指向するように配置されていることを特徴とする請求項２又は請求項１６に記載の遮光装置。
18. 光源から出力される放射ビームで所定のパターンを照明する照明光学系と、
    請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の遮光装置と、を備え、
    前記照明光学系から射出される前記放射ビームで前記所定のパターンを照明することにより形成されたパターンの像を、感光性材料が塗布された基板に投影することを特徴とする露光装置。
19. 前記パターンの像を前記基板に投影するための投影光学系をさらに備え、
    該投影光学系に対して前記パターン及び前記基板を走査方向に沿って相対移動させることにより、前記基板に前記パターンの像を投影することを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記光源は、プラズマを発生する発生部を有し、該発生部にて発生したプラズマから放射される放射ビームを前記照明光学系に供給することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の露光装置。
21. 請求項１８〜請求項２０のうち何れか一項に記載の露光装置を用いて、前記パターンの像を前記基板に露光する露光ステップと、
    該露光ステップ後において、前記基板を現像して前記パターンの像に対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成する現像ステップと、
    該現像ステップ後において、前記マスク層を介して前記基板を加工する加工ステップと、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。

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