TWI418949B - 鏡、微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

Description

鏡、微影裝置及元件製造方法

本發明之實施例係關於一種鏡、一種微影裝置及一種用於製造元件之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。

在微影裝置中，可成像至基板上之特徵的尺寸受投影輻射之波長限制。為了產生具有更高密度之元件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。最近，已提供使用遠紫外線(EUV)輻射之微影裝置。

某些EUV源(例如，放電產生之電漿(DPP)源或雷射產生之電漿(LPP)源)在寬頻率範圍內發射輻射，甚至包括紅外線(IR)輻射、可見(VIS)輻射、紫外線(UV)輻射及深紫外線(DUV)輻射。此等不當頻率(其亦可被稱作「另一輻射」)可在微影裝置之照明系統及投影系統中傳播且導致加熱問題，且可在未被阻擋的情況下導致抗蝕劑之不當曝光。儘管針對所要波長(例如，約6.7奈米或約13.5奈米)之反射而最佳化照明系統及投影系統之多層鏡，但多層鏡可為光學平坦的且對於IR波長、可見波長及UV波長而言具有相對較高反射比。

因此，有必要自源選擇用於投影光束之相對較窄頻帶。甚至在源具有相對較窄發射譜線的情況下，仍可能有利的係拒絕在該譜線外之輻射(特別係在較長波長下)。

全文以引用之方式併入本文中的EP申請案第1 496 521號描述一種包含具備突起之多層鏡的微影裝置，該等突起經建構以形成一維或二維繞射圖案。結果，EUV輻射在無任何大體上吸收的情況下傳遞通過此等突起，而不當之另一輻射係歸因於此另一輻射在碰撞該等突起時之吸收、折射或偏轉而大體上被阻擋。

已知微影裝置之缺點在於：為了形成繞射圖案，突起(其為個別製造之元件)必須具備高精確度。此可能不必要地增加已知多層鏡之製造成本。此外，已知多層鏡包括未由突起之材料覆蓋的區域(例如，在突起之間的區域中)。該等區域在曝光至反應性環境(例如，曝光至微影裝置之H₂ 氛圍)時可由污染物覆蓋。此等污染物可降低鏡像表面相對於EUV輻射之反射率且藉此使光束品質降級。

考慮到前述內容，需要一種可易於被製造且在使用中增加EUV光束之品質的鏡，其特別係供EUV可操作微影裝置中使用。

根據本發明之一態樣，提供一種鏡，鏡具有鏡像表面，及具有外部表面之剖面化塗層，其中一或多個楔形元件係由外部表面相對於鏡像表面而形成，且其中該一或多個楔形元件具有在大約10mrad至200mrad之範圍內的楔角。

根據本發明之另一態樣，提供一種微影投影裝置，微影投影裝置包括用於供應EUV輻射及另一輻射之投影光束的輻射系統。輻射系統包括如前述內容中所闡明之鏡。

根據本發明之又一態樣，提供一種元件製造方法。在元件製造方法之一實施例中，使用輻射系統來提供EUV輻射之投影光束。圖案化投影光束。接著，將經圖案化光束投影至輻射敏感材料層之目標部分上。在輻射系統中，使用如前述內容中所闡明之鏡。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統IL可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT支撐(亦即，承載)圖案化元件MA。支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。

本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化元件MA可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡陣列之一實例使用小鏡之矩陣配置，該等小鏡中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡將圖案賦予於由鏡矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包含(例如)適當引導鏡及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化元件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位光罩MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡陣列)之無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖2描繪根據圖1之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件之實施例的側視圖，其包括輻射系統3(亦即，「源-集光器模組」)、照明系統IL及投影系統PL。輻射系統3具備輻射源LA，輻射源LA可包含放電電漿源。輻射源LA可使用氣體或蒸汽(諸如Xe氣體或Li蒸汽)，其中可藉由輻射源之電極之間的放電而形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由導致放電之部分離子化電漿崩潰至光軸O上而形成極熱電漿。為了輻射之有效產生，可能需要為0.1mbar之分壓的Xe、Li蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。

當使用氙時，電漿可在約13.5奈米之EUV範圍內輻射。應瞭解，同樣預期具有約6.7奈米之波長的EUV輻射。由輻射源LA所發射之輻射可自源腔室7通向至污染物障壁9。污染物障壁9可包含諸如EP申請案第1 057 079號中詳細地所描述之通道結構的通道結構，該申請案之全文係以引用之方式併入本文中。

輻射系統3(亦即，「源-集光器模組」)包括可由掠入射集光器形成之輻射集光器10。由輻射集光器10所傳遞之EUV輻射被反射離開光柵光譜純度濾光器或鏡11以聚焦於一孔徑處之中間焦點12中。根據本發明之一態樣，鏡11包括具有外部表面之剖面化塗層，外部表面具備相對於鏡11之鏡像表面的楔形元件，該等楔形元件具有在大約10mrad至200mrad之範圍內的楔角。結果，存在於自源LA傳播之輻射光束中的不良波長偏轉遠離於中間焦點12。應瞭解，楔角之絕對值係藉由若干因素而判定。首先，此值係藉由光學系統中之鏡與適當跟隨結構之間(例如，鏡與中間焦點之間)的路徑長度而判定。另外，在下游方向上跟隨鏡之光學元件的尺寸亦影響楔角之值。在一實施例中，楔角對於鏡11與中間焦點12之間的約2公尺之路徑長度而言為約50mrad，其中中間焦點12可藉由(例如)大約4毫米大狹縫而判定。應瞭解，對於鏡11與中間焦點12之間的其他距離而言，楔角可被相應地按比例調整。

投影光束PB係在照明系統IL中經由法線入射反射器13、14而反射至定位於主光罩台或光罩台MT上之主光罩或光罩上。形成經圖案化光束17，其係在投影光學器件系統PL中經由反射元件18、19而成像至晶圓平台或基板台WT上。比所示元件多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PL中。

應瞭解，儘管引用鏡11來解釋本發明之實施例，但一般而言，複數個鏡可具備如前述內容中所描述之剖面化塗層。詳言之，圖2之輻射集光器10或法線入射反射器13、14可為根據本發明之實施例的鏡。較佳地，塗層之材料係選自以下各項中之至少一者：鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、磷(P)、鉀(K)、鈣(Ca)、鈧(Sc)、溴(Br)、銣(Rb)、鍶(Sr)、釔(Y)、鋯(Zr)、釕(Ru)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋇(Ba)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、鏷(Pa)及鈾(U)。

圖3中示意性地展示根據本發明之一實施例的鏡30。在此實施例中，光譜純度濾光器或鏡31具備具有楔形元件32a、32b之剖面化塗層。應瞭解，術語「層」應被解釋為具有非零厚度之連續結構。

剖面化塗層有可能具備一個、兩個或兩個以上楔形結構。在一特定實施例中，剖面化塗層可包括兩個楔形元件，兩個楔形元件可相對於虛構對稱軸線S對稱。應瞭解，對稱軸線S可相對於楔形元件而被界定，且未必必須與光譜純度濾光器或鏡31之中心線重合。在一實施例中，對稱軸線S與光譜純度濾光器或鏡31之中心線重合。

根據本發明之一實施例，輻射光束可包括EUV輻射38及另一輻射35。當EUV輻射38及另一輻射35碰撞剖面化塗層時，EUV輻射38及另一輻射35中之每一者經歷與其之不同相互作用。在一實施例中，EUV輻射38大體上透射通過具有楔形元件32a、32b之剖面化塗層，而另一輻射35在楔形元件之表面處反射。結果，EUV輻射38之反射角不同於另一輻射35之反射角，從而導致另一輻射35遠離於經反射EUV光束38a之傳播方向的大體上偏轉。在一實施例中，選擇角度θ，使得另一輻射35偏轉遠離於圖2所示之中間焦點12。

根據本發明之一實施例的經剖面化成具有塗層之鏡可藉由配置適當塗層而製造，例如，在鏡像表面上包括以下材料中之一或多者：Be、B、C、P、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Ru、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa、U。在一實施例中，對於13.5奈米之EUV輻射而言，Mo、Y、Zr、Sr或Ru係歸因於其針對此波長之低吸收而被使用。向微影裝置之鏡提供該塗層具有以下額外優點：該塗層擔當鏡像表面之保護層，從而防止污染物沈澱於鏡像表面上。結果，經反射EUV光束(諸如經反射EUV光束38a)之光學品質不會降低。已發現，藉由將根據本發明之一實施例的鏡用於EUV微影裝置中，可達成針對不良輻射(如紅外線(IR)輻射、可見(VIS)輻射、紫外線(UV)輻射及深紫外線(DUV)輻射)的約100倍之抑制。

可使用不同製造步驟來獲得圖3所示之剖面化塗層之形狀。舉例而言，可藉由金剛石車削或藉由雷射切除來處理塗層。應瞭解，所得剖面化塗層亦可在楔形元件32a、32b之間的區域中具有非零厚度。

圖4描繪根據本發明之另一實施例的鏡40，其中楔形元件42a、42b之外部表面係彎曲的。在此情況下，楔角之值可具有藉由切線46及結構31之表面而判定的最大值θ(參看圖3所論述)，在一實例中，該最大值θ係在大約10mrad至200mrad之範圍內進行選擇。在此組態中，碰撞楔形元件42a之另一輻射44、47之反射角沿著楔形元件42a之表面而變化。結果，該另一輻射可自中間焦點偏轉以形成經散射雜散光。相反地，EUV輻射45、45'係藉由結構31而反射，從而得到在有用方向上(例如，在中間焦點之方向上)傳播之共平面射線光束45a、45a'。

又，在此實施例中，結構31有可能具備一個、兩個或兩個以上楔形元件。因此，楔形元件42a、42b有可能相對於虛構對稱線S而對稱地配置。

可使用複數個適當製造方法(例如，微影術或蝕刻)來製造楔形元件42a、42b。或者，可藉由(例如)將適當連通小液滴集合配置於結構31之鏡像表面上來形成凸起楔形元件42a、42b。在一實施例中，小液滴係由不濕潤鏡像表面之材料形成。對於用於微影裝置中之習知鏡而言，可將Mo用作小液滴形成材料。在將小液滴提供於鏡像表面上之後，結構31可經受增加之溫度，在該等溫度下小液滴凝固，從而形成具有凸起外部表面之剖面化塗層。

圖5描繪根據本發明之又一實施例的鏡50。在此特定實例中，包括楔形元件52a、52b之剖面化塗層提供於參看圖3所論述之結構31之鏡像表面上。楔形元件52a、52b可為凹入的，其具有藉由切線56及結構31之鏡像表面而形成的可變楔角θ。又，在此實施例中，鏡50有可能包括類型52a之一個、兩個或兩個以上楔形元件。在一實施例中，兩個對稱配置之楔形元件52a、52b提供於鏡像表面上。

可使用(例如)雷射切除來製造楔形元件52a、52b，其中大體上對應於用於切除之雷射光束的橫截面而形成凹入空腔。此實施例可具有至少相對於參看圖3所論述之實施例的優點，此在於：可在保持剖面化塗層之完整性的同時最小化該塗層之厚度x。具有最小化厚度之剖面化塗層可對於降低EUV光束歸因於在該塗層中之非零吸收的強度損失而言係有利的。

如圖5示意性地所示範，可使用凹入表面以將不良之另一輻射54偏轉至方向54a上。EUV光束57、57'經歷在有用方向57a、57a'上傳播之自結構31之反射。在一實施例中，該另一輻射偏轉遠離於參看圖2所論述之中間焦點。參看圖3至圖5所論述之楔形元件可作為具有環形對稱性之各別剖面而被提供。此可具有相對於不良之另一輻射之偏轉圖案的優點。

圖6描繪具備剖面化塗層之鏡之選定實施例的俯視圖。視圖60a示意性地呈現由如前述內容中所闡明之剖面化塗層所覆蓋之鏡(例如，多層鏡)的俯視圖。出於清楚起見，將楔形元件之間的剖面化塗層之區域展示為61。該鏡超出該圖之平面且未加以描繪。

楔形元件62a、62b、62c、62d、62e、62f、62g可根據任何剖面而組態，包括(但不限於)參看圖3至圖5所論述之剖面。詳言之，楔形元件62a、62b、62c、62d、62e、62f、62g可經配置以在楔形元件之各別周邊處具有增加之厚度，或或者，楔形元件可在其各別周邊處具有降低之厚度。

視圖60a示意性地表示一組態，其中楔形元件62a、62b、62c、62d、62e、62f、62g係根據六邊形圖案而配置。可適當地重複此圖案以在適當矩陣中沿著鏡之表面區域而傳播。

視圖60b示意性地描繪包括具有楔形元件64a、64b、64c、64d之剖面化塗層之鏡的實施例，該等楔形元件係以矩形圖案而配置。應瞭解，楔形元件可經配置以在各別周邊處具有增加之厚度，或或者，楔形元件可在各別周邊處具有降低之厚度。

視圖60c示意性地呈現根據本發明之又一實施例的鏡，其中楔形元件66a、66b、66c、66d、66e經建構成具有錐形剖面。鏡之鏡像表面可由剖面化塗層覆蓋，其中楔形元件66a、66b、66c、66d、66e可以列及行而配置，藉此形成適當矩形矩陣。

應瞭解，儘管視圖60a、60b及60c示意性地描繪大體上相等尺寸之楔形元件的規則圖案，但剖面化塗層亦有可能經建構成具有不規則定位之楔形元件。另外或或者，楔形元件可被不同地定尺寸。應進一步瞭解，在如圖6所示之鏡待用於可使用EUV輻射(例如，在約6.7奈米至13.5奈米之範圍內)而操作之微影裝置中的情況下，可將矩陣中之後續楔形元件之間的週期有利地設定至至少等於EUV輻射之波長的值。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」在情境允許時涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為或為約5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。

術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

3．．．輻射系統

7．．．源腔室

9．．．污染物障壁

10．．．輻射集光器

11．．．光柵光譜純度濾光器或鏡

12．．．中間焦點

13．．．法線入射反射器

14．．．法線入射反射器

17．．．經圖案化光束

18．．．反射元件

19．．．反射元件

30．．．鏡

31．．．光譜純度濾光器或鏡/結構

32a．．．楔形元件

32b．．．楔形元件

35．．．另一輻射

38．．．EUV輻射

38a．．．經反射EUV光束輻射

40．．．鏡

42a．．．楔形元件

42b．．．楔形元件

44．．．另一輻射

45．．．UV輻射

45'．．．EUV輻射

45a．．．共平面射線光束

45a'．．．共平面射線光束

46．．．切線

47．．．另一輻射

50．．．鏡

52a．．．楔形元件

52b．．．楔形元件

54a．．．方向

54．．．不良之另一輻射

56．．．切線

57．．．EUV光束

57'．．．EUV光束

57a．．．有用方向

57a'．．．有用方向

60a．．．視圖

60b．．．視圖

60c．．．視圖

61．．．楔形元件之間的剖面化塗層之區域

62a．．．楔形元件

62b．．．楔形元件

62c．．．楔形元件

62d．．．楔形元件

62e．．．楔形元件

62f．．．楔形元件

62g．．．楔形元件

64a．．．楔形元件

64b．．．楔形元件

64c．．．楔形元件

64d．．．楔形元件

66a．．．楔形元件

66b．．．楔形元件

66c．．．楔形元件

66d．．．楔形元件

66e．．．楔形元件

B．．．輻射光束

C．．．目標部分

IF1．．．位置感測器

IF2．．．位置感測器

IL．．．照明系統/照明器

LA．．．輻射源

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．圖案化元件/光罩

MT．．．支撐結構/光罩台

O．．．光軸

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PB．．．投影光束

PL．．．投影系統/投影光學器件系統

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

SO．．．輻射源

S．．．虛構對稱軸線/虛構對稱線

WT．．．基板台

W．．．基板

X．．．方向

θ．．．角度

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2描繪根據圖1之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件的側視圖；

圖3描繪根據本發明之一實施例的鏡；

圖4描繪根據本發明之另一實施例的鏡；

圖5描繪根據本發明之又一實施例的鏡；及

圖6描繪具備剖面化塗層之鏡之選定實施例的俯視圖。

30．．．鏡

31．．．光譜純度濾光器或鏡/結構

32a．．．楔形元件

32b．．．楔形元件

35．．．另一輻射

38．．．EUV輻射

38a．．．經反射EUV光束輻射

S．．．虛構對稱軸線/虛構對稱線

θ．．．角度

Claims (15)

1. 一種具有一鏡像表面之鏡，該鏡包含具有一外部表面之一剖面化塗層，該外部表面具備相對於該鏡像表面而形成之一或多個楔形元件，該一或多個楔形元件具有在10mrad至200mrad之一範圍內的一楔角。
2. 如請求項1之鏡，其中該剖面化塗層大體上延伸於該整個鏡像表面上。
3. 如請求項1或2之鏡，其中該剖面化塗層包含兩個楔形元件。
4. 如請求項1或2之鏡，其中該剖面化塗層之該外部表面係彎曲的。
5. 如請求項4之鏡，其中該剖面化塗層之該外部表面係凹入的。
6. 如請求項4之鏡，其中該剖面化塗層包含一凝固小液滴集合。
7. 如請求項6之鏡，其中該等小液滴係由不濕潤該鏡像表面之一材料形成。
8. 如請求項1或2之鏡，其中形成該剖面化塗層之一材料係選自由以下各項組成之一群組：Be、B、C、P、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Ru、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa及U。
9. 如請求項1或2之鏡，其中該剖面化塗層包含以一大體上規則矩陣而配置於該鏡之一表面上的複數個楔形元件。
10. 如請求項9之鏡，其中該矩陣為矩形或六邊形。
11. 如請求項1或2之鏡，其中該至少一楔形元件之一形狀為環形或錐形。
12. 一種微影投影裝置，其包含：一輻射系統，該輻射系統係用於供應EUV輻射及一另一輻射之一投影光束，其中該輻射系統包含一如前述請求項1至11中任一項之鏡。
13. 如請求項12之微影投影裝置，其中該輻射系統經建構以將該EUV輻射聚焦至一中間焦點上，該鏡經建構以將該另一輻射偏轉遠離於該中間焦點。
14. 如請求項12或13之微影裝置，當依附於請求項9或10時，其中該矩陣中之楔形元件之間的一週期至少等於該EUV輻射之一波長。
15. 一種元件製造方法，其包含：使用一輻射系統來提供EUV輻射之一投影光束；圖案化該投影光束；將該經圖案化光束投影至一輻射敏感材料層之一目標部分上，其中向該輻射系統提供一如前述請求項1至11中任一項之鏡。