KR20120045025A - 극자외(ｅｕｖ) 방사선 시스템 및 리소그래피 장치 - Google Patents

극자외(ｅｕｖ) 방사선 시스템 및 리소그래피 장치 Download PDF

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KR20120045025A
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mirrors
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KR1020127004512A
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디셀동크 안토니우스 반
에릭 룹스트라
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 투영 장치는 극자외(EUV) 방사선 시스템이 제공되며, 이 EUV 방사선 시스템은, 소스 챔버, 타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부, 타겟 재료가 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 위치될 때에 타겟 재료까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템, 및 소스 챔버 내부에서 EUV 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 타겟 재료와의 반응을 위해 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템을 포함한다.

Description

극자외(ＥＵＶ) 방사선 시스템 및 리소그래피 장치{EUV RADIATION SYSTEM AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2009년 8월 14일자로 출원된 미국 가특허 출원 61/234,061 및 2009년 12월 11일자로 출원된 미국 가특허 출원 61/285,556의 이점을 주장하며, 이들 특허 출원의 내용 전부는 인용에 의해 본 출원에 포함되어 있다.
발명의 분야
본 발명은 극자외 방사선("EUV") 방사선 시스템 및 이러한 EUV 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 일반적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 위의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)로 이루어진 층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 집적회로 및 기타 디바이스 및/또는 구조물의 제조에 있어서 핵심적인 단계 중의 하나로서 널리 인식되어 있다. 그러나, 리소그래피를 이용하여 이루어지는 특징부의 치수가 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 기타 디바이스 및/또는 구조물이 제조될 수 있도록 하는 더욱 중요한 요소가 되고 있다.
패턴 프린팅 한계의 이론적인 근사치는 수식 (1)에 나타낸 바와 같이 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 제공될 수 있다:
Figure pct00001
여기서, λ는 사용된 방사선의 파장이며, NAps는 패턴을 인쇄하기 위해 사용되는 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수로도 지칭되는 공정에 좌우되는 조정 계수이며, CD는 인쇄된 특징부의 특징 사이즈(또는 크리티컬 디멘전)이다. 수식 (1)로부터, 특징부의 최소의 인쇄 가능한 사이즈의 감소는 3가지의 방법, 즉 노광 파장 λ를 짧게 하거나, 개구도 NAps를 증가시키거나, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 달성될 수 있다는 것을 알 수 있다.
노광 파장을 단축시키고 그에 따라 최소의 인쇄 가능한 사이즈를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 시스템을 이용하는 것이 제안되어 있다. EUV 방사선은 예컨대 13?14 nm 범위 이내와 같은 10?20 nm 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 10 nm 미만, 예컨대 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같은 5?10 nm 범위 내의 파장을 갖는 EUV 방사선이 이용될 수 있는 것으로 제안되어 있다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 소프트 x-선 방사선으로 지칭된다. 가능한 방사선 소스는 예컨대 레이저 발생 플라즈마 소스(laser-produced plasma source), 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 축적 링(electron storage ring)에 의해 제공된 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 기반으로 하는 소스를 포함한다.
EUV 방사선은 플라즈마를 이용하여 발생될 수도 있다. EUV 방사선을 발생하기 위한 방사선 시스템은 플라즈마를 제공하기 위해 연료(fuel)를 여기시키기 위한 레이저와, 플라즈마를 담아두기 위한 소스 콜렉터 모듈을 포함할 수 있다. 플라즈마는 예컨대 레이저 빔을 적합한 재료(예컨대, 주석)의 입자 또는 드롭플릿 또는 Xe 가스 또는 Li 증기 등의 적합한 가스 또는 증기의 스트림과 같은 연료에 지향시킴으로써 생성될 수 있다. 그 결과의 플라즈마는 출력 방사선 예컨대 EUV 방사선을 방출하며, 이 방사선은 방사선 콜렉터를 이용하여 모아진다. 방사선 콜렉터는 방사선을 수신하여 이 방사선을 빔으로 집속시키는 거울 수직 반사 방사선 콜렉터(mirrored normal incidence radiation collector)일 수도 있다. 소스 콜렉터 모듈은 플라즈마를 지지하기 위해 진공 분위기를 제공하도록 배치된 인클로징 구조물(enclosing structure) 또는 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 방사선 시스템은 통상적으로 레이저 발생 플라즈마(LPP) 소스로 지칭된다.
플라즈마는 통상적으로 본 명세서에서는 플라즈마 챔버로도 지칭되는 예컨대 진공 챔버와 같은 밀봉 용기에서 발생되며, 다양한 타입의 계측 장비를 이용하여 모니터링된다. EUV 방사선을 발생하는 것에 추가하여, 이들 플라즈마 프로세스는 또한 플라즈마 챔버 내에 바람직하지 않은 부산물도 발생하며, 이러한 부산물에는 대역외 방사선(out-of-band radiation), 높은 에너지의 이온, 및 타겟 재료의 원자 및/또는 클럼프(clump)/마이크로드롭플릿과 같은 파편(debris)을 포함할 수 있다.
이들 플라즈마 형성 부산물은 다양한 플라즈마 챔버 광학 요소를 가열시키거나, 손상을 입히거나 또는 이들 요소의 동작 효율을 감소시킬 수 있으며, 이러한 플라즈마 챔버 광학 요소는 수직 입사 및/또는 그레이징 입사(grazing incidence) 시에 EUV 반사가 가능한 다층 미러(multi-layer mirror, MLM)를 포함한 콜렉터 미러, 계측 검출기의 표면, 플라즈마 형성 프로세스를 이미징하기 위해 이용된 윈도우, 및 레이저 입력 윈도우를 포함하며, 이들로만 한정되지는 않는다. 열, 높은 에너지 이온, 및/또는 파편은 다양한 방식으로 이들 광학 요소에 손상을 입힐 수도 있으며, 이러한 손상의 예로는, 이들 광학 요소를 광투과를 감소시키는 재료로 코팅하는 것과, 이들 광학 요소 내로 침투하여, 가능하게는 구조 무결성 및/또는 이러한 짧은 파장의 광을 반사하는 미러의 성능과 같은 광학 특성에 손상을 주는 것과, 이들 광학 요소를 부식 또는 침식시키는 것과, 및/또는 이러한 광학 요소 내로 확산하는 것을 포함한다. 예컨대 주석과 같은 일부 타겟 재료에 대해, 광학 요소 상에 침적된 파편과 같은 물질을 에칭하기 위해 예컨대 HBr과 같은 에천트(etchant)를 플라즈마 챔버에 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 또한, 에천트의 반응 속도를 증가시키기 위해 이들 광학 요소의 영향받은 표면(affected surface)을 가열하는 것도 고려된다.
전술한 바와 같이, EUV 광을 발생하기 위한 한 가지 기술은 타겟 재료를 조사(irradiation)하는 것을 포함한다. 이러한 점에서, 예컨대 10.6 ㎛ 파장의 광을 출력하는 CO2 레이저는 레이저 발생 플라즈마(LPP) 프로세스에서 타겟 재료를 조사하는 구동 레이저로서의 어떠한 장점을 제공할 수 있다. 이것은 예컨대 주석을 함유하는 재료와 같은 특정 타겟 재료에 대해 특히 그러할 것이다. 예컨대, 한 가지 가능한 장점은 구동 레이저 입력 파워와 출력 EUV 파워 간의 비교적 높은 변환 효율을 발생하는 성능을 포함할 수 있다. CO2 구동 레이저의 또 다른 가능한 장점은 비교적 긴 파장의 광(예컨대, 198 nm의 깊은 UV(deep UV)에 비하여)을 주석 파편으로 코팅된 반사성 광학 장치와 같은 비교적 거친 표면으로부터 반사하도록 하는 성능을 포함할 수 있다. 10.6 ㎛ 방사선의 이 특성은 예컨대 구동 레이저 빔의 초점 파워(focal power)를 조종(steer), 포커싱 및/또는 조정(adjust)하기 위해 반사성 미러가 플라즈마 부근에 채용될 수 있도록 할 수 있다. 그러나, 10.6 ㎛ 구동 레이저의 경우, 레이저를 플라즈마 챔버에 투입하는 윈도우가 통상적으로 ZnSe로 구성되고 반사 방지 코팅으로 코팅된다. 불행히도, 이들 재료는 예컨대 브롬화물(bromide)과 같은 특정의 에천트에 감응할 수도 있다.
플라즈마에 의해 발생되는 파편에 의해 야기되는 문제점 외에, 종래의 레이저 발생 플라즈마 소스는 레이저 빔을 타겟 재료에 포커스하기 위해 미러와 렌즈 양자를 이용한다. 렌즈는 상당한 양의 후방 반사(back reflection)를 야기할 수 있다. 또한, 레이저 빔은 약 10 kW의 파워 및 일부 경우에는 더 높은 파워를 가질 수 있다. 이것은 렌즈가 가열되도록 하고, 또한 렌즈가 변형되도록 할 수도 있어, 가열된 렌즈의 품질을 감소시킬 수도 있다. 후방 반사를 감소시키기 위해 렌즈 상에 반사 방지 코팅을 이용하는 것이 제안되었지만, 이들 코팅은 방사선의 흡수를 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 렌즈의 가열이 더 증가되도록 할 수도 있다.
광학 장치를 수용 가능한 온도로 유지하면서 타겟 재료 상에 레이저 빔을 포커싱하는 광학 장치의 후방 반사를 감소시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 특징에 따라, 소스 챔버; 타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부; 상기 타겟 재료가 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 위치될 때에 상기 타겟 재료까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및 상기 소스 챔버 내부에서 극자외(EUV) 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외(EUV) 방사선 시스템이 제공된다.
미러 중의 적어도 하나 또는 미러의 전부가 소스 챔버 외부에 위치될 수도 있다. 소스 챔버는 빔 경로가 연장하는 윈도우를 가질 수 있으며, 이 윈도우는 빔 경로에 직각을 이루지 않는다. 이러한 윈도우는 예컨대 윈도우에 의해 반사된 어떠한 방사선이 광학 시스템을 통해 복귀하지 않도록 빔 경로에 대하여 각을 이루며 경사져 있을 수 있다. 레이저 시스템은 적어도 약 9 ㎛ 내지 약 11 ㎛의 파장 범위에서 선택된 파장을 갖는 방사선을 발생하도록 구성될 수 있다. 이 파장은 약 9.4 ㎛ 또는 약 10.6 ㎛이어도 된다.
본 발명의 특징에 따라, 소스 챔버; 타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부; 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및 상기 소스 챔버 내부에서 극자외(EUV) 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에서의 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외(EUV) 방사선 시스템이 제공된다.
본 발명의 특징에 따라, 극자외(EUV) 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 극자외(EUV) 방사선 시스템은, 소스 챔버; 타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부; 상기 타겟 재료가 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 위치될 때에 상기 타겟 재료까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및 상기 소스 챔버 내부에서 극자외(EUV) 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템을 포함한다.
본 발명의 특징에 따라, 극자외(EUV) 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 극자외(EUV) 방사선 시스템은, 소스 챔버; 타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부; 상기 타겟 재료가 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 위치될 때에 상기 타겟 재료까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및 상기 소스 챔버 내부에서 극자외(EUV) 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템을 포함한다. 상기 리소그래피 투영 장치는, 플라즈마에 의해 방출된 EUV 방사선을 조절하도록 구성된 조명 시스템과, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 유지하도록 구성된 지지 구조체와, 상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟 영역 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 실시예의 보다 상세한 모식도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 리소그래피 장치의 소스 콜렉터 모듈의 보다 상세한 도면이다.
도 4는 도 1의 리소그래피 장치의 실시예의 보다 상세한 모식도이다.
도 5는 도 3의 리소그래피 장치의 레이저 시스템의 실시예의 상세한 모식도이다.
도 6은 도 3의 리소그래피 장치의 레이저 시스템의 실시예의 상세한 모식도이다.
이하에서는, 대응하는 도면 부호가 대응하는 구성요소를 나타내는 첨부의 개략 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 예시를 목적으로 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는, 방사선 빔(B)(예컨대, EUV 방사선의 빔)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL)과, 패터닝 장치(예컨대, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 패터닝 장치를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)와, 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 또한 기판을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT)과, 패터닝 장치(MA)에 의해 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 다양한 타입의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는, 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기 내에서 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 디바이스도 포함되는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역에 생성되는 디바이스의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합하다면, 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함할 수 있다. 가스가 너무 많은 방사선을 흡수할 수도 있으므로, EUV에 대해 진공을 이용하는 것이 요망될 수 있다. 따라서, 진공 벽부 및 진공 펌프를 이용하여 전체 빔 경로에 진공 분위기가 제공될 수 있다.
본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 반사형 타입(예컨대, 반사형 마스크를 채용함)의 것이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 투과형 타입의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 유형의 것일 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기기에서는, 추가의 테이블을 병행하여 사용할 수도 있고, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것도 가능하다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 소스 콜렉터 모듈(SO)로부터 극자외 방사선 빔을 수광한다. EUV 광을 발생하는 방법은, 예컨대 크세논, 리튬 또는 주석과 같은 하나 이상의 원소를 갖는 재료를 플라즈마 상태로 변환하여 EUV 대역의 하나의 방출 라인으로 하는 단계를 포함하며, 반드시 이러한 단계를 포함하는 것으로 제한되지는 않는다. 레이저 발생 플라즈마("LPP")로도 지칭되는 한 가지 이러한 방법에서, 요구된 플라즈마는 요구된 라인-방출 원소를 갖는 재료의 드롭플릿, 스트림 또는 클러스터와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사함으로써 발생될 수 있다. 소스 콜렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키기 위한 레이저 빔을 제공하는 도 1에 도시되지 않은 레이저를 포함하는 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수도 있다. 그 결과의 플라즈마는 예컨대 EUV 방사선과 같은 출력 방사선을 방출하며, 이 방사선은 소스 콜렉터 모듈에 배치된 방사선 콜렉터를 이용하여 수집된다. 레이저와 소스 콜렉터 모듈은 예컨대 연료를 여기시키기 위한 레이저 빔을 제공하기 위해 CO2 레이저가 이용될 때에는 별도의 구성요소이어도 된다.
이러한 경우, 레이저는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔이 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템을 이용하여 레이저로부터 소스 콜렉터 모듈로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 소스는 소스 콜렉터 모듈의 일체형 부품일 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하기 위한 조정 장치를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator) 및 집광기(condenser)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사선 빔의 횡단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)에 의해 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 이 투영 시스템(PS)이 방사선 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속한다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하면, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사선 빔(B)의 경로에 위치시키기 위해 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(IF1)를 이용하여 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 패터닝 장치(마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사선 빔에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)에 관련한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(또는 축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 필요에 따라 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 업데이트되거나 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드가 채용될 수도 있다.
도 2는 소스 콜렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 보다 상세하게 도시하는 도면이다. 소스 콜렉터 모듈(SO)은 소스 콜렉터 모듈(SO)의 인클로징 구조물에서 진공 분위기가 유지될 수 있도록 소스 콜렉터 모듈(SO)이 구성되어 배치된다. 플라즈마(210)를 방출하는 EUV 방사선은 방전 발생 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 방전 발생 플라즈마 소스에 의해 온도가 매우 높은 플라즈마(210)가 형성될 수 있도록 예컨대 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기와 같은 가스 또는 증기에 의해 발생될 수 있다. EUV 방사선은 온도가 매우 높은 플라즈마(210)가 생성되어 전자기 스펙트럼의 EUV 대역에서 방사선을 방출하는 예컨대 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기와 같은 가스 또는 증기에 의해 발생될 수 있다. 온도가 매우 높은 플라즈마(210)는 예컨대 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 야기하는 전기 방전에 의해 생성될 수 있다. 방사선의 효과적인 발생을 위해서는 Xe, Li, Sn 증기 또는 임의의 다른 적합한 가스 또는 증기의 부분압(partial pressure), 예컨대 10 Pa이 요구될 수 있다. 일실시예에서, EUV 방사선을 발생하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.
고온의 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은 소스 챔버(211)로부터 소스 챔버(211)의 개구부에 위치되거나 또는 개구부 뒤에 위치된 옵션의 가스 장벽 또는 오염물 트랩(230)(일부 경우에는 오염물 장벽 또는 포일 트랩(foil trap)으로도 지칭됨)을 통해 콜렉터 챔버(212) 내로 전달된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조를 포함할 수 있다. 오염물 트랩(230)은 또한 가스 장벽을 포함할 수도 있고 또는 가스 장벽과 채널 구조의 조합을 포함할 수도 있다. 여기서 추가로 설명된 오염물 트랩 또는 오염물 장벽(230)은 또한 종래 기술로 알려진 바와 같이 채널 구조를 포함한다.
콜렉터 채널(211)은 소위 그레이징 입사 콜렉터일 수도 있는 방사선 콜렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 콜렉터(CO)는 상류 방사선 콜렉터측(251)과 하류 방사선 콜렉터측(252)을 갖는다. 콜렉터(CO)를 가로지르는 방사선은 가상 소스 포인트(IF)에 포커싱되도록 격자 스펙트럼 필터(240)에서 반사될 수 있다. 가상 소스 포인트(IF)는 흔히 중간 초점으로 지칭되며, 소스 콜렉터 모듈은 중간 초점(IF)이 인클로징 구조(220)의 개구부(221)에 위치되거나 또는 개구부(221) 가까이에 위치된다. 가상 소스 포인트(IF)는 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 횡단하고, 이 조명 시스템(IL)은 패터닝 장치(MA)에서의 방사선 빔(21)의 요구된 각도 분포 및 패터닝 장치(MA)에서의 방사선 세기의 요구된 균일성을 제공하도록 배치된 퍼싯 필드 미러 장치(facetted field mirror device)(22) 및 퍼싯 퓨필 미러 장치(facetted pupil mirror device)(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 장치(MA)에서의 방사선 빔(21)의 반사 시에, 패터닝된 빔(26)이 형성되고, 이 패터닝된 빔(26)이 투영 시스테(PS)에 의해 반사 요소(28, 30)를 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.
일반적으로, 조명 광학 장치 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS)에는 도시된 것보다 더 많은 요소가 제공될 수 있다. 리소그래피 장치의 타입에 따라서는 필요한 경우 격자 스펙트럼 필터(240)가 제공될 수도 있다. 또한, 도면에 도시된 것보다 더 많은 미러가 존재할 수도 있으며, 예컨대 투영 시스템(PS)에는 도 2에 도시된 것보다 1 내지 6개의 추가의 반사 요소가 제공될 수도 있다.
콜렉터 광학장치(CO)는 그레이징 입사 콜렉터(또는 그레이징 입사 콜렉터 미러)의 일례인 반사기(253, 254, 255)를 갖는 내포형 콜렉터(nested collector)로 도시되어 있다. 그러나, 그레이징 입사 미러를 포함하는 방사선 콜렉터(50) 대신, 수직 입사 콜렉터를 포함하는 방사선 콜렉터가 적용될 수도 있다. 그러므로, 적용 가능한 곳에서는, 그레이징 입사 콜렉터로서의 콜렉터 광학장치(CO)는 전반적으로 콜렉터로서 이해될 수도 있다.
또한, 도 2에 개략적으로 도시된 바와 같은 격자(240) 대신, 투과형 광학 필터가 적용될 수도 있다. EUV에 대해서는 투과성을 나타내고 UV 방사선에 대해서는 거의 투과성을 나타내지 않거나 심지어는 UV 방사선을 실질적으로 흡수하는 다른 필터가 종래 기술로 공지되어 있다. 그러므로, "격자 스펙트럼 퓨리티 필터(grating spectral purity filter)"가 여기에서는 또한 격자 또는 투과형 필터를 포함하는 "스펙트럼 퓨리티 필터"로서도 나타내진다. 도 2에 도식적으로 도시되지 않았지만 옵션의 광학 요소로서 포함될 수 있는 것으로는, 예컨대 콜렉터 광학장치(CO)의 상류에 배치되는 EUV 투과성 광학 필터, 또는 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내의 광학 EUV 투과형 필터가 있다.
콜렉터 광학장치(CO)는 통상적으로 소스(SO) 또는 소스(SO)의 이미지에 인접하여 위치된다. 각각의 반사기(253, 254, 255)는 2개 이상의 인접한 반사 표면을 포함하며, 소스(SO)로부터 멀리 떨어진 반사 표면이 소스(SO)에 더 근접해 있는 반사 표면보다 광학축(O)에 대하여 더 작은 각도로 위치된다. 이러한 방식으로, 그레이징 입사 콜렉터(CO)는 광학축(O)을 따라 전파하는 UV(EUV) 방사선의 빔을 발생하도록 구성된다. 2개 이상의 반사기가 실질적으로 동축으로 위치되고, 광학축(O)에 대하여 실질적으로 회전 대칭으로 연장할 수 있다. 콜렉터(CO)는 외측 반사기(255)의 외부 표면 상의 추가의 특징부 또는 외측 반사기(255) 주위의 추가의 특징부를 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예컨대, 추가의 특징부는 보호 홀더 또는 히터일 수도 있다. 도면부호 "256"은 예컨대 반사기 254와 255 사이와 같은 2개의 반사기 사이의 공간을 나타낸다. 각각의 반사기(253, 254, 255)는 2개 이상의 인접한 반사 표면을 포함할 수 있으며, 소스(SO)로부터 멀리 떨어진 반사 표면이 소스(SO)에 더 근접해 있는 반사 표면보다 광학축(O)에 대해 더 작은 각도로 배치된다. 이러한 방식으로, 그레이징 입사 콜렉터(CO)는 광학축(O)을 따라 전파하는 UV(EUV) 방사선의 빔을 발생하도록 구성된다. 2개 이상의 반사기가 실질적으로 동축으로 위치되고, 광학축(O)에 대하여 실질적으로 회전 대칭으로 연장할 수 있다.
사용 동안, 외측 반사기(253) 및 내측 반사기(254, 255) 중의 하나 이상의 반사기 위에는 침적물이 발견될 수도 있다. 콜렉터(CO)는 이러한 침적물(예컨대, 이온, 전자, 클러스터, 드롭플릿, 소스(SO)로부터의 전극 부식물과 같은 파편에 의한 침적물)에 의해 악화될 수도 있다. 예컨대 Sn 소스로 인한 Sn의 침적물은, 수 개의 단층(mono-layer) 후에, 콜렉터(CO) 또는 다른 광학 요소의 반사에 해가 될 수 있으므로, 이러한 광학 요소의 세정이 필요할 것이다.
도 4는 투영 장치의 또 다른 실시예를 상세하게 도시하는 도면이다. 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)은 도 2의 투영 장치의 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)과 매우 유사하다. 그러나, 방사선 시스템(42)은 방사선 소스(SO)로서 레이저 발생 플라즈마를 이용한다. 방사선 시스템(42)은 소스 챔버(47)를 포함하며, 이 소스 챔버는 본 실시예에서는 소스(SO)뿐만 아니라 도 3의 실시예에서는 수직 입사 콜렉터(50)인 콜렉터 미러(50)를 실질적으로 둘러싸며, 이 콜렉터 미러는 예컨대 다층 미러(multi-layer mirror)이다.
또한, 방사선 시스템(42)은 통상적으로 콜렉터 미러(50)에 제공된 애퍼처(67)를 통해 광학 시스템(65)에 의해 반사되는 레이저 빔(63)을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템(61)이 제공된다. 레이저 시스템(61)은 CO2 레이저이어도 된다. 레이저 시스템은 적어도 약 9 ㎛ 내지 약 11 ㎛의 파장 범위에서 선택된 파장, 특히 약 9.4 ㎛ 또는 약 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선을 발생하도록 구성될 수 있다. 이에 추가하여 또는 이와 달리, 레이저는 펄스 레이저이어도 된다. CO2 레이저의 레이저 빔(63)은 통상적으로 약 10 kW 이상의 파워를 갖는다.
방사선 시스템은 Sn 또는 Xe와 같은 타겟 재료(69)를 타겟 재료 공급부(71)에 포함한다. 타겟 재료 공급부(71)는 타겟 재료(69)를 소정의 플라즈마 위치(73)에 공급하도록 구성되어 배치된다. 본 실시예에서는 각각의 반사 표면(S1, S2, S3)을 갖는 3개의 미러(M1, M2, M3)에 의해 형성된 3-미러 시스템(도 5를 참조)인 광학 시스템(65)은, 타겟 재료(69)의 드롭플릿이 통상적으로 광학 시스템(65)의 초점과 일치하는 소정의 플라즈마 위치(73)에 위치될 때, 빔 경로가 타겟 재료(69)의 드롭플릿까지 연장하도록 소정의 플라즈마 위치(73)까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된다. 레이저 시스템은 레이저 빔(63)이 타겟 재료와의 반응을 위해 빔 경로를 따라 제공되어 소스 챔버(47) 내측의 소정의 플라즈마 위치(73)에서 EUV 방출 플라즈마를 발생하도록 배치된다.
도 5에서, 광학 시스템(65)은 "3-미러 비점수차 교정 렌즈(3-mirror anastigmat)"로 흔히 알려진 타입의 것이라는 것을 알 수 있다. 일반적으로, "비점수차 교정 렌즈"라는 표현은 비점수차를 갖지 않거나 비점수차를 실질적으로 갖지 않는 광학 시스템을 지칭한다. 본 발명에서, 광학 시스템은 비점수차를 갖지 않도록 요구되지 않는다. 오히려, 레이저 빔(63)은 플라즈마 발생 위치에서 타겟 재료와 일치하는 크기로 집중되는 것이 바람직하다. 빔의 파워는 타겟 재료 입자 또는 드롭플릿의 사이즈에 필적하는 크기로 집중되거나 또는 더 작은 크기로 집중되어야 한다. 빔 초점이 더 크면, 효율의 손실이 있을 것이며, 이것은 최소화되는 것이 바람직하다. 3개의 비구면 미러(aspherical mirror)의 사용에 의하여 디바이스 성능의 광학 시스템이 경제적으로 구축될 수 있으며, 투과 손실이 최소화된다. 광학 시스템(65)이 미러에 의해 형성되기 때문에, 레이저 빔(63)이 통과하여 연장하는 빔 경로 내에서의 어떠한 렌즈의 필요성이 제거되며, 이것은 빔 경로를 따라 렌즈가 존재하지 않도록 하는 것을 가능하게 한다. 그러므로, 렌즈 가열뿐만 아니라 렌즈에 의해 야기된 어떠한 후방 반사 또한 방지된다. 본 발명의 적합한 적용은 또한 반사 방지 코팅의 가열을 방지할 것이다.
일실시예에서, 미러(M1, M2, M3)의 표면(51, 52, 53)은 회전 대칭 뿔면(rotationally symmetric conic surface)의 축외 부분(off-axis section)이다. 광학 시스템(65)은 단일 대칭축을 가질 수 있다. 미러 M1와 M3는 실질적으로 공통 평면을 이루고 있다.
광학 시스템(65)의 미러(M1, M2, M3) 중의 하나, 바람직하게는 빔 경로에서 가장 먼 하류측에 있는 미러(M3)가, 초점의 위치를 이동시킬 수 있도록 하기 위해 광학 시스템(65)의 나머지에 대하여 회전 가능하게 되도록 장착될 수 있다. 일실시예에서, 회전 가능 미러, 예컨대 미러 M3는 광학 시스템의 초점을 소정의 지점에 설정하기 위해 장치의 교정 및/또는 유지보수 동안 조정된다. 또 다른 실시예에서, 회전 가능 미러는 빔이 타겟 재료에 입사되도록 하기 위해 작동 동안 동적으로 조정 가능하다. 이 실시예에서, 센서(81)는 타겟 재료(72)의 입자 또는 드롭플릿의 위치를 감지한다. 액추에이터(82)는 초점의 위치를 타겟 재료(72)의 입자 또는 드롭플릿과 일치하도록 조정하기 위해 미러 M3를 구동한다. 액추에이터(82)는 센서(81)에 의해 감지된 위치에 응답하는 컨트롤러(83)에 의해 제어된다.
작동 시, 타겟 재료(69)는 타겟 재료 공급부(71)에 의해 드롭플릿(72)의 형태로 공급된다. 타겟 재료(69)의 이러한 드롭플릿이 미리 결정된 플라즈마 형성 위치(73)에 도달할 때, 레이저 빔(63)이 드롭플릿(69)에 충돌하고, 소스 챔버(47) 내부에서 EUV 방사선 방출 플라즈마가 형성된다. 도 4의 이 실시예에서, 미리 결정된 플라즈마 형성 위치(73)로부터 방출된 EUV 방사선은 수직 입사 콜렉터 미러에 의해 포커싱되고, 필요한 경우 반사성 스펙트럼 격자 필터(51)를 통해 중간 초점(52)에 포커싱된다.
과도한 가열을 방지하기 위해, 하나 이상의 반사성 표면(S1, S2, S3)에는 예컨대 금을 함유하고 있는 코팅과 같은 코팅이 제공될 수도 있다. 일실시예에서, 코팅은 실질적으로 금으로 형성된다. 일실시예에서, 광학 시스템(65)의 미러 중의 하나 이상에는 작동 동안에 미러를 냉각시키기 위해 냉각 시스템(84)이 제공된다. 냉각 시스템(84)은 예컨대 미러와 외부 열교환기 사이에 냉매가 순환되는 액티브형 냉각 시스템일 수도 있고, 또는 히트 파이프 또는 라디에이터와 같은 패시브형 냉각 시스템일 수도 있다.
일실시예에서, 광학 시스템에는 하나 이상의 추가의 미러가 제공된다. 예컨대, 보다 편리한 레이아웃을 가능하게 하기 위해 평평한 접힘식 미러(flat folding mirror)가 제공될 수도 있다.
도 6에서, EUV 방사선 시스템(42)에 이용될 수 있는 레이저 시스템(61)이 개략적으로 도시되어 있다. 도 6의 레이저 시스템은 레이저 빔(63)을 형성하는 증폭된 포톤 빔(85)을 발생하도록 구성된 시드 레이저(seed laser)(75) 및 4개의 옵티컬 게인 미디어(optical gain media)(77, 79, 81, 83)를 포함한다. 옵티컬 게인 미디어(77, 79, 81, 83) 중의 하나 이상은 증폭된 포톤 빔(85)을 투과하도록 구성되어 배치된 윈도우를 갖는 챔버 안에 포함될 수 있다. 도 6의 레이저 시스템에서는 옵티컬 게인 미디어(77, 79, 81, 83)의 전부가 각각 챔버(77', 79', 81', 83') 안에 포함되어 있으며, 각각의 챔버는 증폭된 포톤 빔을 투과하도록 구성된 윈도우를 갖는다. 이러한 윈도우는 증폭된 포톤 빔의 사이에 제공될 수도 있지만, 또한 레이저 빔(63)이 투과되는 빔 경로에 제공될 수도 있으며, 예컨대 소스 챔버(47)의 벽부 및/또는 광학 시스템(65)을 안에 포함하고 있는 벽부에 제공될 수 있다. 이러한 벽부는 증폭된 포톤 빔 또는 레이저 빔에 대하여 경사져서, 후방 반사에 의해 야기되는 단점이 최소화되도록 하는 것이 바람직하다. 챔버(83')의 윈도우 중의 하나를 통해 투과된 증폭된 포톤 빔(85)은 레이저 빔(63)을 형성하고, 광학 시스템(65)의 미러(M1) 에 바로 입사된다. 옵티컬 게인 미디어(77, 79, 81, 83)가 챔버 안에 포함되지 않으면, 옵티컬 게인 미디어에 의해 발생된 증폭된 포톤 빔(85)이 광학 시스템(65)의 미러(M1)에 바로 입사된다.
광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예의 사용에 대하여 구체적인 언급이 이루어졌지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용예에 사용될 수 있으며, 문맥이 허용하는 한 광학 리소그래피로 제한되지 않는다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어에는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 ㎚의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5?20 ㎚ 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔이 포함된다.
이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명은 위에서 설명한 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 극자외(EUV) 방사선 시스템에 있어서,
    소스 챔버;
    타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부;
    상기 타겟 재료가 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 위치될 때에 상기 타겟 재료까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및
    상기 소스 챔버 내부에서 EUV 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외 방사선 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미러 중의 하나 이상은 상기 광학 시스템의 초점에서의 비점수차(astigmatism)의 양을 적어도 감소시키도록 구성되어 배치된 비점수차 교정 렌즈(anastigmat)를 형성하는, 극자외 방사선 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 미러 중의 하나 이상은 비구면(aspherical) 형태인, 극자외 방사선 시스템.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 미러 중의 하나 이상은 초점까지의 위치를 이동시키기 위해 회전 가능한, 극자외 방사선 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 타겟 재료의 위치를 감지하도록 구성된 센서와, 상기 센서에 의해 감지된 바와 같은 상기 타겟 재료의 위치에 응답하여 하나 이상의 회전 가능한 상기 미러에 부착된 액추에이터를 제어하도록 구성된 컨트롤러를 더 포함하는, 극자외 방사선 시스템.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 빔 경로의 가장 마지막에 있는 미러가 회전 가능한, 극자외 방사선 시스템.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 초점은 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치와 실질적으로 일치하는, 극자외 방사선 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 중의 하나 이상은 코팅이 제공된 반사성 표면을 갖는, 극자외 방사선 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 코팅은 금을 함유하거나 또는 실질적으로 금에 의해 형성되는, 극자외 방사선 시스템.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 중의 하나 이상은 상기 소스 챔버 외부에 위치되는, 극자외 방사선 시스템.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 시스템은 레이저 빔을 형성하는 증폭된 포톤 빔을 발생하도록 구성된 하나 이상의 옵티컬 게인 미디어(optical gain media)를 포함하며, 상기 증폭된 포톤 빔은 상기 광학 시스템의 미러에 직접 입사되는, 극자외 방사선 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 시스템은 레이저 빔을 형성하는 증폭된 포톤 빔을 발생하도록 구성된 하나 이상의 옵티컬 게인 미디어(optical gain media)를 포함하며, 상기 옵티컬 게인 미디어 중의 하나 이상은 상기 증폭된 포톤 빔을 투과시키도록 구성되어 배치된 윈도우를 갖는 챔버 안에 포함되며, 상기 윈도우를 통해 투과된 상기 증폭된 포톤 빔은 상기 광학 시스템의 미러에 직접 입사되는, 극자외 방사선 시스템.
  13. 극자외 방사선(EUV) 시스템에 있어서,
    소스 챔버;
    타겟 재료를 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에 공급하도록 구성되어 배치된 공급부;
    상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치까지 연장하는 빔 경로를 구축하도록 배치된 3개 이상의 미러에 의해 형성된 광학 시스템; 및
    상기 소스 챔버 내부에서 EUV 방사선 방출 플라즈마를 발생하기 위한 상기 미리 결정된 플라즈마 형성 위치에서의 상기 타겟 재료와의 반응을 위해 상기 빔 경로를 따라 레이저 빔을 제공하도록 구성되어 배치된 레이저 시스템
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외 방사선 시스템.
  14. 청구항 1 내지 청구항 13 중의 어느 하나에 따른 극자외 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 투영 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    플라즈마에 의해 방출된 EUV 방사선을 조절하도록 구성된 조명 시스템;
    방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 유지하도록 구성된 지지 구조체; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟 영역 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템
    을 더 포함하는, 리소그래피 투영 장치.
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