JP2011528180A - Ｅｕｖリソグラフィ装置の放射源モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

リソグラフィ装置における使用のための放射源モジュール（１０）は、極端紫外（ＥＵＶ）放射および２次放射を生成するように構成され、また、ＥＵＶ放射の放射源と協働するように構成されたバッファガスを含む。バッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過と、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収とを有する。
【選択図】 図２

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２００８年７月１４日に出願した米国仮出願第６１／１２９，７１５号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。

[0002] 本発明は、ＥＵＶリソグラフィ装置の放射源モジュール、かかる放射源モジュールを含むリソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。

[0004] 極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するように構成されたリソグラフィ装置の一実施形態が、米国特許出願公開第２００７／００１２８８９号から公知である。この公知の装置では、ＥＵＶ源からリソグラフィ装置の照明システムに向かって伝播するＥＵＶビームを高純度化（enrich）するために、ＺｒＣｌ_４を含むガス状のスペクトル純度フィルタが設けられている。この公知のリソグラフィ装置のスペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ源からのＥＵＶ含有光ビームを受け取り、かかるビームを好適な下流ＥＵＶ光学システムに送る領域に配置されてよく、ＥＵＶ源からのビームは光学システムに入射する前にスペクトル純度フィルタを通過するように配置される。ＺｒＣｌ_４ベースのガス状のスペクトル純度フィルタは、ビームがかかるフィルタを通過する際に、少なくとも１つのＥＵＶ波長におけるビームを高純度化するように構成される。

[0005] かかる公知のスペクトル純度フィルタは、微粒子デブリがＥＵＶ源からリソグラフィ装置の光学システム内へと伝播することを効果的に軽減できないことがある。公知のガス状のスペクトル純度フィルタは、紫外光、可視光、および赤外線といったＥＵＶ域外の波長を実質的に抑制できないことがある。

[0006] 生成された光のＥＵＶ高純度化とデブリ軽減の両方が効果的に向上される、ＥＵＶリソグラフィ装置内で使用するための放射源モジュールを提供することが望ましい。

[0007] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置における使用のための放射源モジュールが提供される。かかる放射源モジュールは、極端紫外（ＥＵＶ）放射および２次放射を生成するように構成される。かかる放射源モジュールは、ＥＵＶ放射の放射源と協働するように構成されたバッファガスを含む。かかるバッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過と、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収を有する。かかるＥＵＶ放射は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源を用いて生成されうる。

[0008] 本発明の一態様では、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。かかるリソグラフィ装置は、極端紫外（ＥＵＶ）放射および２次放射を生成するように構成された放射源モジュールを含む。かかる放射源モジュールは、ＥＵＶ放射の放射源と協働するように構成されたバッファガスを含む。かかるバッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過と、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収を有する。かかるバッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも９０％、またはさらには９５％の透過を有しうる。かかるバッファガスは、２次放射に対して少なくとも９０％の吸収を有しうる。追加としてまたは代替として、バッファガスは冷却されうる。バッファガスを冷却するために、放射源は、バッファガスを冷却するように構成されたパッシブ要素を含みうる。さらに、放射源は、バッファガスを冷却するように構成された循環ユニットを含みうる。バッファガスは、原子量が軽い元素を含むことが好適である。

[0009] 本発明の一態様では、極端紫外（ＥＵＶ）放射のパターン付きビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。ＥＵＶ放射および２次放射は、放射源モジュールによって生成される。かかる放射源モジュールは、ＥＵＶ放射の放射源と協働するように構成されたバッファガスを含む。かかるバッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過と、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収を有する。

[0010] 本発明の一態様では、極端紫外線および２次放射を放射源内で生成することと、放射源に、極端紫外線に対して少なくとも５０％の透過と、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収とを有するバッファガスを供給することと、極端紫外線のパターン付きビームを基板上に投影することとを含む、デバイス製造方法が提供される。

[0011] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0012] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0013] 図２は、本発明の一実施形態による放射源モジュールを概略的に示す。 [0014] 図３は、本発明の一実施形態による放射源モジュールを概略的に示す。

[0015] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。リソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射の放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。用語「ＥＵＶ」放射は、６．７〜２０ナノメートルの範囲内の波長を有する任意の電磁放射に関連することは理解されよう。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0016] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0017] サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0018] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もあることに留意されたい。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0019] パターニングデバイスは反射型であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0020] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0021] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。

[0022] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0023] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がＣＯ_２レーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0024] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。

[0025] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されても、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0026] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0027] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0028] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0029] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0030] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0031] 図２は、本発明の一実施形態による放射源モジュールを概略的に示す。放射源モジュール１０は、液化ターゲット物質３、例えばＳｎまたはＧｄが入れられたコンテナ２を含みうる。コンテナ２には、領域１にＳｎまたはＧｄの液滴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの送出のための適切な機構または開口（図示せず）が配置されてよく、領域１では、液滴は、レーザ５によって供給されるレーザビーム６が衝突するように構成される。レーザビーム６は、１０．６マイクロメートルの波長を有するＣＯ_２レーザに関連しうる。あるいは、１〜１１マイクロメートルの範囲内の波長をそれぞれ有する他の適切なレーザを用いてもよい。レーザ光は、適切な光学システム（図示せず）を用いて領域１に合焦されることが望ましい。液滴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、レーザビームと相互作用すると、６．７ｎｍの放射、または、５．０〜２０ナノメートルの範囲内の任意の他のＥＵＶ放射を放出しうるプラズマ状態に移行される。

[0032] 放出されるＥＵＶビーム７は、領域１から放出される粒子デブリを収集または偏向するように構成された適切なデブリ軽減システム８によって捕捉されうる。実質的にデブリがないＥＵＶビーム７ａは、次に、かかるビーム７ａを適切に調整するように構成された、リソグラフィ装置の照明システム９に入る。

[0033] 本発明の一態様では、放射源モジュール１０は、レーザ生成プラズマ源と協働するためのバッファバスを含みうる。このバッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過を有し、２次放射に対して少なくとも７０％の吸収を有しうる。

[0034] バッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも９０％または少なくとも９５％の透過を有することが望ましい。バッファガスは、２次放射に対して少なくとも９０％の吸収を有することがさらに望ましい。

[0035] 本発明の一態様では、放射源モジュールの領域１にはガスが与えられてよく、このガスは、ポンプレーザ波長（ＣＯ_２レーザでは典型的に波長１０．６μｍ）に対して高ＥＵＶ透過率と高吸収とを同時に有することによって、デブリを捕捉するバッファガスとして、また、入射ビーム７の十分なＥＵＶ高純度化を可能にするスペクトル純度フィルタとしても同時に機能する。一実施形態では、ガスの圧力積分は１ｍｂａｒ・ｃｍ以上でありうる。これは、原子デブリおよびイオンデブリを熱化する、したがって放射源から微粒子デブリが伝播することを軽減するのに十分であることが分かっている。バッファバスの圧力積分は、０．５〜５ｍｂａｒ・ｃｍの範囲内の値に設定されることが望ましい。

[0036] 適切なバッファガスは、原子量の軽い元素を含むガスであり、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、Ｏ_３、ＣＨ_３ＯＨ、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_２Ｈ_２、およびＮＨ_２Ｄから構成される群から選択されうる。ＣＯ_２レーザ源から放出される赤外線といった２次放射を抑制するために用いうる更なる適切なガスは、ＳｉＨ_３Ｃｌ、ＳｉＨ_３Ｆ、およびＳｉＨ_３Ｂｒである。６．７ｎｍの放射を放出するように構成された放射源は、約６．７ｎｍの範囲におけるかかるガスのＥＵＶ透過率が、赤外線といった不所望の波長の所与の抑制に対して比較的高い（通常＞９５％）ことにより、かかるガスと組み合わせることに特に適していることが分かっている。このようにして、ビーム７の十分なＥＵＶ高純度化が容易にされる。

[0037] 本発明の実施形態は、次に限定されないが、放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）またはレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）を含む任意のタイプのＥＵＶ源に用いうることは理解されよう。しかし、本発明は、通常レーザ生成プラズマ源の一部を形成するレーザ源からの放射を抑制することに特に適している。これは、レーザ源は、通常、小さい帯域幅を有し、また、分子吸収線も、特定の波長域内で多数の吸収線が利用可能でない限り、通常、限定された帯域幅を有するからである。したがって、レーザ源からの放射を抑制する必要がある場合、適切な物質、望ましくはガスの有用性がかなり高い。

[0038] 本発明の放射源モジュールの一実施形態では、バッファガスは、第１のガス試料および第２のガス試料の混合物を含みうる。第２の試料は、例えば、メインのバッファガスの圧力によって広げられた（pressure broaden）吸収ピークに選択されうる。例えば、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、ＮＨ_２Ｄ、Ｏ_３、ＣＨ_３ＯＨ、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_２Ｈ_２、ＳｉＨ_３Ｃｌ、ＳｉＨ_３Ｆ、またはＳｉＨ_３Ｂｒといったバッファガスが第２のガスと適切に混合または組み合わされると、この第２のガスは赤外線を吸収する必要がないが、この第２のタイプのガスのＥＵＶ透過率は、第１のガス試料と少なくとも同じまたはそれより高いことが望ましい。このような組み合わせの一例としては、ＣＯ_２およびＨｅの混合物であり、ＣＯ_２は赤外線を吸収するために用いられ、ＨｅはＣＯ_２の吸収線を圧力により広げる（pressure broaden）ために用いられる。また、第２のガス種として２次放射に対して高い吸収強度を有するガスや、第１のガス種として高いＥＵＶ透過率を有するガスを用いることも可能である。このような第２のガス種の例には、Ｈ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、またはＡｒが含まれうる。

[0039] 約〜１ｍｂａｒ以上の圧力において、吸収線は、通常、数百ＭＨｚ、さらには数ＧＨｚまで圧力によって広げられ（pressure broadened）、それによりバッファガスの効率を向上させる。比較として、レーザ生成プラズマ源内のＣＯ_２ポンプレーザでは典型的に約１００ＭＨｚのレーザ帯域幅が期待される。

[0040] 放射源によって生成される２次放射が、複数の実質的に別個の波長を有する電磁放射を含むことも可能である。この場合、バッファガスは、ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過を有する第１のガス試料と、上記の複数の波長に対して少なくとも７０％の吸収を有する第２のガス試料とを含む好適な混合物に関連しうる。

[0041] 本発明の一実施形態では、レーザ５の光は、ＥＵＶが生成される領域に対応する第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２を通り伝播するように構成される。放射源モジュールは、バッファガスを第２の領域Ｒ２内に実質的に閉じ込めるように構成された圧力バリア８を含みうる。

[0042] 適切な圧力バリアの様々な実施形態が考えられ、これらの実施形態では、圧力バリアは、放射源とコレクタとの間の第２の領域Ｒ２においてバッファガスの高い（分）圧を、第１の領域Ｒ１内のポンプレーザのビーム路においてバッファガスの低い（分）圧を維持するように構成される。例えば、圧力バリアは、ポンプレーザビームを少なくとも部分的に囲い、かつ、差動排気を可能にするように十分に小さい開口を有する管に関連しうる。別の例では、赤外線に対して低い吸収を有するガスが、ポンプレーザビーム路に沿って高速流で誘導されうる。圧力バリアはさらに、フォイルトラップまたはガスが注入された固定フォイルトラップに関連しうる。この特定の実施形態は、図３を参照して説明する。

[0043] 本発明の一実施形態では、放射源モジュール１０は、バッファガスを冷却するように構成されうる。例えば、放射源モジュール１０は、例えばフォイルトラップである面積の大きい固定式または回転式のプレートといった、バッファガスを冷却するためのパッシブ要素１２（図２参照）を含んでよい。或いはまたは追加的に、放射源モジュール１０は、さらに、バッファガスの冷却のためにバッファガスを循環させるように構成された循環ユニット１４（図２参照）を含んでもよい。バッファガスを冷却するという特徴は、吸収線の相対強度が温度に応じて変化するので、バッファガスの効率を維持するために有利でありうる。バッファガスを適切な事前選択された動作温度に維持することによって、放射源モジュール１０を含むリソグラフィ装置の全体の性能が低下することがなくなりうる。さらに、バッファガスの温度が望ましくなく増加するとバッファガスの実質的に一定のスペクトル純度フィルタおよびデブリ軽減性能を達成するためにバッファガスの部分密度を高く維持することが必要となってしまうので、バッファガスの冷却は有利でありうる。バッファガスの部分密度を不必要に増加することを回避することによって、適切なポンプの動作仕様を緩めることができる。

[0044] 図３は、本発明の一態様による放射源モジュールの一部の一実施形態を概略的に示し、ここでは、バッファガスが与えられたフォイルトラップ６０の一実施形態の断面を示す。フォイルトラップ６０は、ＥＵＶ放射源６１付近の回転軸６２の周りに配置されてよく、また、低速原子デブリ、高速原子デブリ、すなわち、イオンおよび／または微粒子といった微粒子デブリである物質がリソグラフィ投影装置内に伝播しないように配置された複数のチャネルバリア６３を含んでよい。フォイルトラップ６０は、微粒子デブリを捕捉するためにチャネルバリア６３の実質的に内部にバッファガスを与えるように配置された、バッファガスを保持するためのシステム６４を含んでよい。バッファガスは、適切な複数の管によって供給されてよく、この複数の管の中を、バッファガスは矢印６５ａ、６７によって概略的に示すように内側または外側に流れうる。循環するようにバッファガスを配置することによって、バッファガスの冷却も可能にされる。バッファガスを適切な排出ポート（図示せず）に供給するために排気チャンバ６５が設けられてよい。さらに、更なるポート７０を設けて、例えば、バッファガスの適切な吸収線を圧力によって広げるためにバッファガスを更なるガスで補充してもよい。システム６４はさらに、フォイルトラップを冷却するための補助冷却システム６９を含んでもよい。

[0045] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0046] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[0047] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (14)

1. リソグラフィ装置における使用のための放射源モジュールであって、前記放射源モジュールは極端紫外（ＥＵＶ）放射および２次放射を生成し、前記放射源モジュールはＥＵＶ放射の放射源と協働するバッファガスを含み、前記バッファガスは前記ＥＵＶ放射に対して少なくとも５０％の透過と、前記２次放射に対して少なくとも７０％の吸収とを有する、放射源モジュール。
2. 前記バッファガスは、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、Ｏ_３、ＣＨ_３ＯＨ、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_２Ｈ_２、ＮＨ_２Ｄ、ＳｉＨ_３Ｃｌ、ＳｉＨ_３Ｆ、およびＳｉＨ_３Ｂｒの群から選択される、請求項１に記載の放射源モジュール。
3. 前記バッファガスは、第１のガス試料と第２のガス試料の混合物を含む、請求項１または２に記載の放射源モジュール。
4. 前記第２のガス試料は、前記第１のガス試料の吸収線を広げる、請求項３に記載の放射源モジュール。
5. 前記第１のガス試料は、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、Ｏ_３、ＣＨ_３ＯＨ、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_２Ｈ_２、ＮＨ_２Ｄ、ＳｉＨ_３Ｃｌ、ＳｉＨ_３Ｆ、およびＳｉＨ_３Ｂｒの群から選択され、第２のガス試料は、Ｈ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、およびＡｒの群から選択される、請求項４に記載の放射源モジュール。
6. 前記２次放射は、約１〜１１マイクロメートルの範囲内の波長を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射源モジュール。
7. 前記２次放射は複数の波長を含み、前記第２のガス試料は前記複数の波長に対して少なくとも７０％の吸収を有する、請求項３、４、５、または６に記載の放射源モジュール。
8. 前記バッファガスの圧力積分は、０．５〜５ｍｂａｒ・ｃｍの範囲内にある、請求項１〜７のいずれか一項に記載の放射源モジュール。
9. レーザの光が第１の領域および第２の領域を通って伝播し、レーザ生成プラズマが前記第１の領域内で生成され、前記放射源モジュールは前記バッファガスを前記第２の領域に閉じ込める圧力バリアをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の放射源モジュール。
10. 前記圧力バリアはフォイルトラップを含む、請求項９に記載の放射源モジュール。
11. 前記フォイルトラップは、ガスが注入された固定フォイルトラップである、請求項１０に記載の放射源モジュール。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の放射源モジュールを含む、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するリソグラフィ装置。
13. 極端紫外（ＥＵＶ）放射のパターン付きビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記ＥＵＶ放射は、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の放射源モジュールによって、または、請求項１２に記載のリソグラフィ装置によって、生成される。デバイス製造方法。
14. 極端紫外線および２次放射を放射源内で生成することと、
    前記放射源に、前記極端紫外線に対して少なくとも５０％の透過と、前記２次放射に対して少なくとも７０％の吸収とを有するバッファガスを供給することと、
    前記極端紫外線のパターン付きビームを基板上に投影することと、
    を含む、デバイス製造方法。

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