JP2008027623A - ターゲット物質供給装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このターゲット物質供給装置は、外部から供給されるターゲット物質を冷却して液化するための液化室108と、液化室108において液化されたターゲット物質を噴出するためのノズル102と、液化室108内においてターゲット物質の温度を制御するためのロッド109、冷却装置110、ヒータ111、温度センサ112、及び、温度制御部113と、ノズル102内においてターゲット物質の温度を制御するためのロッド114、冷却装置115、ヒータ116、温度センサ117、及び、温度制御部118とを含む。
【選択図】図1
Description
EUV集光ミラー905は、プラズマから放射された光を反射集光する凹面状の反射面を有している。この反射面には、所定の波長成分(例えば、13.5nm付近)を選択的に反射するために、例えば、モリブデン及びシリコンを交互に積層した膜(Mo/Si多層膜)が形成されている。それにより、プラズマから放射された所定の波長成分が、出力EUV光として露光装置等に出力される。
特許文献1には、液体プラズマターゲット物質を供給するためのターゲット供給システムであって、ガス状態のターゲット物質を供給する供給源と液化するためにガスの温度を低くする熱交換器とを含むターゲット供給システムと、ターゲット供給システムから液体を受け取る入力端と出力端とそれらの間の狭いスロート部とを含み、液体ドロップレットを出力端を通して放出するノズルと、液体ドロップレットを加熱しEUV放射を生成するレーザビームを液体ドロップレットに照射するレーザビーム源とを具備するLPP方式のEUV光源が掲載されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るターゲット物質供給装置を用いたLPP方式EUV光源装置の構成を示す模式図である。このEUV光源装置は、液滴生成室100と、ピエゾドライバ106と、EUV光を生成するためのプラズマ発生が行われるプラズマ発生室130と、プラズマ発生室130においてターゲット物質の液滴を照射するレーザ光L1を発生するレーザ光源131と、レーザ光源131から出射したレーザ光L1をレーザ光照射点133に導くレンズ132と、制御部135とを含んでいる。液滴生成室100とプラズマ発生室130とは、液滴生成室100に設けられた開口部100aを通じて接続されている。
制御部135は、ノズル102の径やターゲット物質の噴射速度等に応じてピエゾドライバ106の液滴生成周波数を制御する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係るターゲット物質供給装置を用いたLPP方式EUV光源装置の構成を示す模式図である。
温度制御部120は、温度センサ112、117を利用して液化室108及びノズル102の温度をモニタリングしながら冷却装置110を駆動させて液化室108及びノズル102を冷却することにより、液化室108及びノズル102内のターゲット物質を冷却する。また、温度制御部120は、ヒータ111を適宜駆動させることにより、ロッド109の冷却端119aの温度を微調整することで、液化室108内のターゲット物質の温度を微調整することができる。さらに、温度制御部120は、ヒータ116を適宜駆動させることにより、ロッド109の冷却端119bの温度を冷却端119aの温度とは別に微調整することで、ノズル102内のターゲット物質の温度を微調整することができる。
図3は、本発明の第3の実施形態に係るターゲット物質供給装置を用いたLPP方式EUV光源装置の構成を示す模式図である。
一方、本実施形態においては、ロッド121の冷却端121a及び温度センサ117が液滴生成室100に接続されている。そのため、ロッド121を通すための開口及び温度センサ117に接続する配線を通すための開口を液滴生成室100に設ける必要がなく、液滴生成室100を簡易な構造とすることができる。
図4は、本発明の第4の実施形態に係るターゲット物質供給装置を用いたLPP方式EUV光源装置の構成を示す模式図である。
図5は、本発明の第5の実施形態に係るターゲット物質供給装置を用いたLPP方式EUV光源装置の構成を示す模式図である。
また、本実施形態において、第3及び第4の実施形態における冷却装置115、ヒータ116、温度センサ117、温度制御部118、及び、ロッド121(図3及び図4参照)を更に含むこととしても良い。
Claims (7)
- レーザ生成プラズマ方式の極端紫外光源装置のプラズマ発生室にターゲット物質を供給するターゲット物質供給装置であって、
外部から供給されるターゲット物質を冷却して液化するための液化室と、
前記液化室において液化されたターゲット物質を噴出するためのノズルと、
前記液化室内においてターゲット物質の温度を制御するとともに、前記ノズル内においてターゲット物質の温度を制御するための温度制御手段と、
を具備するターゲット物質供給装置。 - 前記温度制御手段が、第1及び第2の温度制御装置を含み、
前記第1の温度制御装置が、
その一端が前記液化室に接続された第1の熱伝導部材と、
前記第1の熱伝導部材の他端に接続され、前記第1の熱伝導部材を冷却するための第1の冷却装置と、
前記液化室に設けられた第1の温度センサと、
前記第1の温度センサを用いて前記液化室の温度をモニタリングしながら前記第1の冷却装置を駆動させることにより、前記液化室内のターゲット物質の温度を制御するための第1の制御部と、
を有し、
前記第2の温度制御装置が、
その一端が前記ノズルに接続された第2の熱伝導部材と、
前記第2の熱伝導部材の他端に接続され、前記第2の熱伝導部材を冷却するための第2の冷却装置と、
前記ノズルに設けられた第2の温度センサと、
前記第2の温度センサを用いて前記ノズルの温度をモニタリングしながら前記第2の冷却装置を駆動させることにより、前記ノズル内のターゲット物質の温度を制御するための第2の制御部と、
を有する、請求項1記載のターゲット物質供給装置。 - 前記温度制御手段が、
その第1の端部が前記液化室に接続され、その第2の端部が前記ノズルに接続された熱伝導部材と、
前記熱伝導部材の第3の端部に接続され、前記熱伝導部材を冷却するための冷却装置と、
前記液化室に設けられた第1の温度センサと、
前記ノズルに設けられた第2の温度センサと、
前記第1及び第2の温度センサを用いて前記液化室及び前記ノズルの温度をモニタリングしながら前記冷却装置を駆動させることにより、前記液化室及び前記ノズル内のターゲット物質の温度を制御するための制御部と、
を有する、請求項1記載のターゲット物質供給装置。 - 前記温度制御手段が、前記熱伝導部材の第1及び第2の端部の温度をそれぞれ微調整するための第1及び第2の温度微調整装置を更に具備し、
前記制御部が、前記第1の温度微調整装置を駆動させることにより、前記液化室内のターゲット物質の温度を微調整するとともに、前記第2の温度微調整装置を駆動させることにより、前記ノズル内のターゲット物質の温度を微調整する、請求項3記載のターゲット物質供給装置。 - 前記ノズルから噴出されたターゲット物質の固化を防止するためのバッファガスが充填され、前記ノズルから噴出されたターゲット物質が通過可能な開口を有し、前記開口を介して前記プラズマ発生室に接続されたバッファガス室を更に具備し、
前記温度制御手段が、第1及び第2の温度制御装置を含み、
前記第1の温度制御装置が、
その一端が前記液化室に接続された第1の熱伝導部材と、
前記第1の熱伝導部材の他端に接続され、前記第1の熱伝導部材を冷却するための第1の冷却装置と、
前記液化室に設けられた第1の温度センサと、
前記第1の温度センサを用いて前記液化室の温度をモニタリングしながら前記第1の冷却装置を駆動させることにより、前記液化室内のターゲット物質の温度を制御するための第1の制御部と、
を有し、
前記第2の温度制御装置が、
その一端が前記バッファガス室に接続された第2の熱伝導部材と、
前記第2の熱伝導部材の他端に接続され、前記第2の熱伝導部材を冷却するための第2の冷却装置と、
前記ノズル又は前記バッファガス室に設けられた第2の温度センサと、
前記第2の温度センサを用いて前記ノズル又は前記バッファガス室の温度をモニタリングしながら前記第2の冷却装置を駆動させることにより、前記ノズル内のターゲット物質の温度を制御するための第2の制御部と、
を有する、請求項1記載のターゲット物質供給装置。 - 前記ノズルから噴出されたターゲット物質の凍結を防止するためのバッファガスが充填され、前記ノズルから噴出されたターゲット物質が通過可能な開口を有し、前記開口を介して前記プラズマ発生室に接続されたバッファガス室を更に具備し、
前記温度制御手段が、第1及び第2の温度制御装置を含み、
前記第1の温度制御装置が、
その一端が前記液化室に接続された第1の熱伝導部材と、
前記第1の熱伝導部材の他端に接続され、前記第1の熱伝導部材を冷却するための第1の冷却装置と、
前記液化室に設けられた第1の温度センサと、
前記第1の温度センサを用いて前記液化室の温度をモニタリングしながら前記第1の冷却装置を駆動させることにより、前記液化室内のターゲット物質の温度を制御するための第1の制御部と、
を有し、
前記第2の温度制御装置が、
その一端が前記バッファガス室にバッファガスを導入するためのバッファガス導入路に接続された第2の熱伝導部材と、
前記第2の熱伝導部材の他端に接続され、前記第2の熱伝導部材を冷却するための第2の冷却装置と、
前記ノズル又は前記バッファガス導入路に設けられた第2の温度センサと、
前記第2の温度センサを用いて前記ノズル又は前記バッファガス導入路の温度をモニタリングしながら前記第2の冷却装置を駆動させることにより、前記ノズル内のターゲット物質の温度を制御するための第2の制御部と、
を有する、請求項1記載のターゲット物質供給装置。 - 前記ノズルから噴出されるターゲット物質に所定の周波数の振動を与える手段を更に具備する、請求項1〜6のいずれか1項記載のターゲット物質供給装置。
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