JP2010182555A - 極端紫外光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EUV光発生チャンバ2と、ターゲット物質供給部と、を具備するEUV光源装置であって、囲繞壁と、その囲繞壁の出口端に設けた微細孔を有する細孔板23と、囲繞壁に繋がりピエゾ素子25と対向する底面22とを備えて、ターゲット物質を溶解した状態で収納し、ターゲット物質を微細孔から噴射してドロップレット29にする細管28において、ピエゾ素子25が、底面22に当接し底面を介して細管28に振動を与えてドロップレット29の形成を助勢する。
【選択図】図1
Description
EUV光発生チャンバ102は、EUV光の生成が行われるチャンバであり、ターゲット物質のプラズマ化を容易にするとともにEUV光の吸収を防止するため、真空ポンプ105によって真空引きされている。また、EUV光発生チャンバ102には、ドライバーレーザ101から発生したレーザ光120を導入するためのウインドウ106が取り付けられている。さらに、EUV光発生チャンバ102の内部には、ターゲット噴射ノズル103aと、ターゲット回収筒107と、EUV光集光ミラー108とが配置されている。
なお、レーザに照射された溶融金属は、中性またはイオンの状態でデブリとなり四方へとび散る。このデブリの発生を最小限に抑えるために、レーザに照射される溶融金属の量を所望のEUV光を得られるだけの量とすることが好ましい。
図1は、本発明の1実施形態に係る極端紫外光源装置(以下において、「EUV光源装置」とも言う)のEUV光発生チャンバ部分について概要を示す構成図、図2はノズル部末端部分の拡大図である。
このEUV光源装置は、ドライバーレーザと、レーザ光集光光学系と、EUV光発生チャンバと、ターゲット物質供給部と、EUV光集光光学系とを主要な構成要素として構成される。
なお、レーザに照射された溶融金属は、中性またはイオンの状態でデブリとなり四方へとび散る。このデブリの発生を最小限に抑えるために、レーザに照射されるドロップレット29の大きさを調整して、所望のEUV光を得られるだけのターゲット量とすることが好ましい。
また、ピエゾ素子25を駆動するための給電部あるいは電極は、温度の関係からはんだ付けにすることはできないので、機械的に接点を設けるか、ろう付けにする必要がある。
図3は、本発明の第2の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、第1の実施形態のノズル部21に対して、高振動伝達部材を付加したことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図4は、本発明の第3の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、第1の実施形態のノズル部21に対して、冷却管39を仕込んだ冷却プレート37を付加したことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図5は、本発明の第4の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、第1の実施形態のノズル部21に対して、押し当て部材27に冷却管43を仕込み、高温構造物が冷却しないように断熱部材45を設けたことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図6は、本発明の第5の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図4に表した第3の実施形態のノズル部21に対して、ノズル部21の底面22にピエゾ素子25振動を伝達する突起部47を設けて、その突起部47にピエゾ素子25を当接させたことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図7は、本発明の第6の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図6に表した第5実施形態のノズル部21に対して、押し当て部材27とノズル部21の底面22の間に断熱部材51を入れて、ノズル部21の温度低下および押し当て部材27の温度上昇を抑制することが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。断熱部材51により、金属を溶融する高温なノズル部21の温度低下を抑制し、かつピエゾ素子25を加熱しないため冷却が必要な押し当て部材27の温度上昇を抑制することができる。
図8は、本発明の第7の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図3に表した第2実施形態のノズル部21に対して、圧電素子25とノズル部21の底面22との間に介装した高振動伝達部材35に冷却管53を付設したことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図9は、本発明の第8の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図8に表した第7実施形態のノズル部21に対して、冷却管39を仕込んだ冷却プレート37を付加したことが異なるだけで、その他の構成要素はほぼ同じである。第7実施形態に加えて、押し当て部材27の側からも冷却することでよりピエゾ素子25を効率よく冷却することができる。この場合、高振動伝達部材35と冷却プレート37の温度は同じでもよいが、冷却プレート温度<高振動伝達部材温度、というような温度差をつけることにより、ノズル部21に影響を与えずピエゾ素子25を冷却することができる。
図10は、本発明の第9の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図6に表した第5実施形態のノズル部21に対して、ノズル部21の底面22に一体に形成された突起部47と同等の高振動伝達部材55を、ピエゾ素子25の振動面に接合して、底面22とピエゾ素子25振動面との間に介装したことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
図11は、本発明の第10の実施形態に係るEUV光源装置におけるノズル部の概要を示す構成図である。本実施形態のEUV光源装置は、図10に表した第9実施形態のノズル部21に対して、底面22とピエゾ素子25の間に介装した高振動伝達部材55に冷却管57を組み込んだことが異なるだけで、その他の構成はほぼ同じである。
Claims (7)
- レーザ光をターゲット物質のドロップレットに照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
ターゲット物質を前記チャンバ内に噴射するノズル部を備えたターゲット物質供給部であって、前記ノズル部において、微細孔が形成された細孔板が末端に取り付けられてターゲット物質を収納する細管と、該細管に直結する底面とが形成されている前記ターゲット物質供給部と、
前記ノズル部の底面に接合された振動面を有し、該振動面から前記ノズル部の底面に振動を伝えて前記細管を振動させることにより、規則的に滴下するターゲット物質のドロップレットを生成するピエゾ素子と、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光をターゲット物質のドロップレットに照射させる光学系と、
を具備する極端紫外光源装置。
- 前記底面に突起を設けて前記ピエゾ素子の前記振動面を該突起の面に接合させる、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記ピエゾ素子は、振動面に剛性部材を接合して該剛性部材の他端面を前記振動面として前記底面に接合して振動を伝えるようにした、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記剛性部材は、前記ピエゾ素子の振動面との接触面積が前記底面との接触面積より大きい、請求項3記載の極端紫外光源装置。
- 前記剛性部材に冷却機構を備えた、請求項3または4記載の極端紫外光源装置。
- 前記ピエゾ素子を挟んで前記底面と反対の位置に、冷却機構を備えた部材を配置する、請求項1から5のいずれか1項に記載の極端紫外光源装置。
- 前記ピエゾ素子が、PZT、AlN薄膜、水晶、ニオブ酸リチウム、チタン酸鉛、メタニオブ酸鉛、リン酸ガリウム、ランガサイト、および、酸化亜鉛のいずれか1つを含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の極端紫外光源装置。
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