CN100366129C - 用于产生辐射的方法和装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种产生具有增强通量稳定性和均匀性的辐射等离子体的方法。该方法包括以下步骤：通过在压力下从喷嘴挤出液体而生成初级靶(210)；将能量预脉冲导向该初级靶，从而生成气体或等离子云形式的次级靶(220)；使这样形成的次级靶膨胀预定时段(230)；以及在渡过了预定时段时，将主能量脉冲导向次级靶，从而产生辐射X射线或EUV辐射的等离子体(240)。预脉冲在至少一维上的束腰尺寸大于对应的初级靶的尺寸。

Description

用于产生辐射的方法和装置

技术领域

本发明涉及用来产生X射线或远紫外线(EUV)辐射的方法。尤其，本发明涉及对与能量束产生的等离子体相关的通量稳定性和均匀性的改进。

背景技术

高强度的EUV和X射线源被应用于许多领域，例如表面物理学、材料测试、晶体分析、原子物理、医疗诊断、刻印术和显微术。在传统的X射线源中，使电子束撞击阳极而生成相对低强度的X射线。一些诸如同步加速器光源等大型设备产生高的平均功率。然而，有许多应用需要能产生相对高的平均功率且紧凑的小型系统。紧凑而更廉价的系统对使用者来讲更为青睐，因此其对科学和社会具有更大的潜在价值。一种在工业上特别重要的应用示例是未来的窄线宽度(narrow-line-width)刻印系统。

自从20世纪60年代以来，构成集成电子电路基础的结构的尺寸不断地减小。其优点是对于较快速和较复杂的电路只需要较少的功率。通常，在工业上使用光刻来产生线宽约为0.18μm、预计发展至0.065μm这样的电路。为了进一步减小线宽，或许需用其它的方法，其中EUV投影刻印是主要的候选，而X射线刻印可能令某些技术领域感兴趣。在EUV投影刻印中，使用了波长范围约10～20nm的减少远紫外线(EUV)物镜系统。在约1nm范围的波长中执行利用接触复制方案的近似X射线刻印。

激光产生的等离子体由于其高亮度、高空间稳定性和潜在的高重复率而成为诱人的桌面X射线和EUV源。然而，对于传统的块状(bulk)或带状(tape)靶，由于不能以足够的速度来供应新的靶材料，故特别是在使用高反复率激光时，工作时间受到了限制。此外，传统的靶会产生残片，其可能毁坏或覆盖置于等离子体附近的诸如X射线光学器件或EUV多层镜等处的敏感部件。已经设计出几种方法，以便通过防止产生的残片到达敏感部件来消除残片的影响。另一方法，可通过由例如气体靶、气体簇靶、小液滴靶或液体喷射物靶来取代传统的固体靶而限制实际产生的残片量。

像由Rymell和Hertz在“Droplet target for low-debris laser-plasma softx-ray generation”(Opt.Commun.103，p.105，1993)一文中公开的那样的微小小液滴形式的靶，其是具有诱人的低残片和高密度的靶，并具有高亮度发射的高重复率激光等离子体工作的潜力。这种小液滴是由液体喷射物的受激碎裂而生成的，该液体喷射物形成于低压腔的喷嘴处。然而，由于某些流体的液体动力学属性而导致形成了不稳定的小液滴。此外，激光的工作必须小心地与小液滴形成同步。在使用迅速挥发的液体物质时可能出现另一问题，即喷射物在生成时立即冻结，从而不能形成小液滴。这种物质主要包括常压和常温下处于气态、而为了生成小液滴靶冷却至液态的介质。为了确保小液滴形成，有必要在低压腔内提供合适的气体气压，或在喷射物附近配备电热器，以便使喷射物的温度升至其冻结温度以上，像由Foster等人在“Apparatusfor producing uniform solid spheres of hydrogen”(Rev.Sci.Instrum.6，pp625-631，1977)一文中公开的那样。

另一方法，从全部内容包含于此作为参考的US-A-6,002,744可知：激光辐射改为聚焦于喷射物的空间连续部分，该喷射物是通过从出口或喷嘴挤出的液体物质而生成的。这一液体喷射物的方式缓解了激光与靶生成的时间同步的要求，同时保持与小液滴靶一样少的残片产生。此外，在此方式中可使用液体动力学属性不适宜于小液滴形成的液体物质。另一比小液滴靶方式更有优势之处在于喷射物的空间连续部分允许冻结。这种液体喷射物激光等离子体源进一步由Berglund等人论证于“Cryogenic liquid-jet target fordebris-free laser-plasma soft x-ray generation”(Rev.Sci.Instrum.69，p.2361，1998)一文中和由Rymell等人论证于“Liquid-jet target laser-plasma sources forEUV and X-ray lithography”(Microelectronic Engineering 46，p.453，1999)一文中，其分别使用液态氮和氙作为靶材料。在这些情形下，高密度靶是由喷射物的空间连续部分形成，其中空间连续部分可能是液态或冻结状态。这种激光等离子体源具有是高亮度、低残片源并能够连续高重复率工作的优势，而等离子体可远离出口喷嘴而产生，因此限制了热负荷和等离子体引起出口喷嘴的腐蚀。这种腐蚀可成为破坏性残片之来源。此外，由于远离出口喷嘴而产生等离子体，可使生成的辐射的自身吸收最小化。这是由于这一事实：即喷射物(或小液滴串)的温度随着离出口愈远而降低，从而相应地减少了挥发速率。于是，喷射物(或小液滴串)周围的局部气体气压也随着离出口愈远而降低。

然而，许多物质，特别是通过冷却常态是气态的物质而形成的液态物质，产生的喷射物或小液滴串在从形成喷射物的喷嘴的方向上经历了随机变化。通常，所述方向上的变化可达约±1°并每分钟出现数次乃至每秒出现数次。这种相对粗糙的方向不稳定类型可由例如公开于瑞典专利申请号为SE0003715-0的方法来消除。然而，对于某些应用，需要极高的通量稳定性和均匀性。需要高度的通量稳定性和均匀性的例子的应用是EUV刻印。尤其，在所谓的步进器(stepper)以及在度量和探测设备中需要高度的稳定性。即使利用了公开于上述瑞典专利申请的方法，在靶位置处仍留有一些微小涨落。这继而又导致了激光束聚焦处，即期望的束与靶的作用区，的空间不稳，该聚焦处因上述理由应尽量远离出口喷嘴。空间不稳定导致所发射的X射线和EUV辐射通量的脉冲到脉冲(pulse-to-pulse)的涨落以及辐射等离子体的空间不稳定。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种通过能量束产生的等离子体发射来产生X射线或EUV辐射的改进方法，其中这些靶中的位置涨落的有害影响被消除或至少显著减小。

总之，本发明的目的在于改进从等离子体发射出的辐射的位置、通量和空间分布的脉冲到脉冲和长期的稳定性，该等离子体是通过将诸如激光脉冲的能量脉冲导向靶而产生的。

为此，提供了一种通过从能量束产生的等离子体发射而产生X射线或EUV辐射的方法，包括以下步骤：通过在压力下从喷嘴挤出液体而生成初级靶302、402、502；将第一能量脉冲301、401、501导向所述初级靶，从而生成次级靶303、403、603；使次级靶膨胀预定时段；以及在渡过了所述预定时段时，将第二能量脉冲304、404、604导向所述次级靶，从而产生发射X射线或EUV辐射的等离子体，所述第二能量脉冲的能量大于第一能量脉冲的能量；其中第一能量脉冲301、401、501在至少一维上在靶302、402、502处的束腰尺寸大于对应的所述初级靶的尺寸，因而，在所述至少一维上，减小了初级靶相对于能量束的位置涨落对由等离子体发射的辐射的稳定性的影响。

本发明基于将“预脉冲”应用于等离子体产生的新途径。预脉冲是在主等离子体生成脉冲之前的能量脉冲。预先使用预脉冲，以便提高从激光产生的等离子体发射的总的X射线量。例如参考“Ultraviolet prepulse for enhancedx-ray emission and brightness from droplet-target laser plasmas”(由M.Berglund等人，Applied Physics Letters，Vol.69，No.12(1996))。M.Berglund等人指出了由X射线的通量涨落造成的小液滴位置相对于激光束聚焦点的小的涨落，但却没有给出解决该问题的建议。尽管激光脉冲形式的能量脉冲是最好的，但也可考虑诸如电子束脉冲等其他类型的能量脉冲。然而在下文中，将激光脉冲形式的能量脉冲作为最佳示例。

总之，为了最小化热负荷和由于等离子体的存在而造成的喷嘴腐蚀，希望尽量远离喷嘴而产生辐射等离子体。然而，将愈远离喷嘴的能量束导向靶，所产生的辐射的通量对于靶相对于能量束的方向的不稳定性也愈敏感。其原因被认为只是等离子体产生束未能最佳地“命中”靶，于是断续地产生了不稳定或弱的辐射等离子体。而且，还有其他原因导致能量脉冲不能最佳地命中靶。例如，在靶是小液滴或小液滴串的情形下，小液滴到达作用区(能量脉冲被导向靶的区域)的时间可能有变化。这导致了靶位置相对于能量脉冲的位置不确定性，因此导致了所产生的辐射的涨落。而且，其实靶可能是裂成碎块的冻结喷射物，而造成了类似位置的不确定。不管靶相对于能量脉冲的位置不确定性的原因是什么，本发明都提供了改进所发射的辐射的位置、通量和空间分布的脉冲到脉冲和长期的稳定性。

由于真空问题，简单地改用更大的靶喷射物不是好的解决方案。当使用低温靶(即在真空腔中由挥发而冻结的靶)时，靶材料的挥发使之难以保持良好的真空。因此，最好是使用小的靶喷射物，其中可利用更高的传播速度而不造成太高的挥发(以致真空的恶化)。另外，靶的高传播速度可改进靶的稳定性。

根据本发明，为了形成膨胀气体或等离子云(次级靶)而使用预脉冲(pre-pulse)，为了产生具有高度电离的等离子体而将主能量脉冲引导到次级靶，该等离子体辐射出期望的X射线或EUV辐射。在靶处于所谓的初级靶(primary target)的状态下将预脉冲导向靶，同时将主能量脉冲导向由预脉冲形成的气体或等离子云。在本申请中，由预脉冲形成的气体或等离子云称作次级靶(secondary target)。

根据本发明，为了形成次级靶，使用了这样的扩展的脉冲：其束腰(beamwaist)尺寸在至少某一维上大于靶的尺寸。也就是说，预脉冲的束腰大于靶在最小维上的尺寸。为使每次射击都能“命中”靶，扩展的预脉冲的尺寸应等于或大于靶位置(相对于能量束)的预期变动。为了提供上述对于通量、位置和分布的脉冲到脉冲或长期涨落的稳定性，能量预脉冲应提供次级靶，产生主等离子体的能量脉冲的每次射击都能以同样方式命中该次级靶。由预脉冲产生的气体或等离子云接着被允许膨胀预定时段，以形成膨胀的次级靶。接着，主能量脉冲被导向次级靶以形成较高电离度的辐射等离子体。主能量脉冲的束腰尺寸和形状最好是适宜次级靶的尺寸和形状。通过使用能量较低的预脉冲，尽管其束腰尺寸大于初级靶的最小维上的尺寸，但仅有少量能量被预脉冲浪费了。同时，预脉冲产生可膨胀的气体或等离子云而形成次级靶。由于预脉冲大于初级靶的最小维上的尺寸，故初级靶位置上的可能偏离对次级靶的影响得到最小。接着，由于以下事实的支持：即主能量脉冲的尺寸最好是适宜膨胀的等离子云(次级靶)，故初级靶的位置涨落对总通量的影响被急剧减小。激光聚焦和初级靶的相对位置的微小涨落仅引起主能量脉冲和膨胀的次级靶云之间的重叠有小的相对变化，从而有效减小了X射线或EUV通量中的涨落。

因此，由于初级靶和次级靶的绝对位置涨落是同样的，故次级靶的相对位置涨落由于其增加的尺寸而急剧减小了。

从脉冲到脉冲的涨落和长期稳定性的观点看来，本发明提供了改进的等离子体辐射通量的稳定性。进而，本发明增加了所实现的辐射通量的均匀性。

最好，预脉冲和主脉冲的束腰尺寸和形状相等。由于同样的聚焦光学器件可以用于两种脉冲，故这一点特别诱人。然而，在所附权利要求书中呈示的范围内，可考虑束腰尺寸以及预脉冲和主脉冲之间的时间分离的许多不同选择。

在根据本发明的方法的优点中，有一点是能够将能量脉冲远离喷嘴地导向靶，而不造成所生成的X射线或EUV辐射的辐射通量的大的涨落。

总之，不管等离子体与喷嘴的距离是否增加，本发明的方法都可实现通量稳定性的惊人增加。

因而，一方面，本发明提供了一种由能量束产生的等离子发射来产生X射线或EUV辐射的方法，其中显著地减小了辐射通量的涨落。在优选实施例中，能量束是激光束。

另一方面，本发明提供了一种产生X射线或EUV辐射的方法，其中可以以与现有技术中认为是合适的位置相比在更远离靶生成喷嘴的地方形成等离子体，而不降低通量稳定性或均匀性。

而且，根据本发明，提供了一种产生X射线或EUV辐射的方法，其中可将光束质量相对较差的激光用作等离子体产生能量源。由于所使用的任何焦点光斑都比现有技术中所使用的要大得多，所以这是容许的。对于一些商业用的激光，光束质量只是因为不能聚焦于较小的光斑而不够好。

在本申请中，当提到束腰尺寸时，所指的是半最大值的全宽度(FWHM)。

附图说明

通过阅读下面一些优选实施例的详细说明，本发明的更多方面和特点将会变得更加清楚。在详细的说明中参照了附图，其中：

图1示意性示出了现有技术中遇到的问题：即相对于能量束的靶的位置涨落的问题；

图2是概括了根据本发明的方法步骤的示意图；

图3示意性图解说明了当使用柱状靶时的本发明的实施；

图4示意性图解说明了当使用小液滴靶时的本发明的实施；

图5a～e示意性示出了预脉冲和靶的不同组合；和

图6示意性示出了主能量脉冲对次级靶的匹配。

具体实施方式

以下参照附图的图1来扼要地讨论现有技术中遇到的稳定性问题。通常，在激光产生的等离子体进行发射的场中，理想的激光聚焦点101具有空间上固定位置。然而，即使在良好的激光系统中，也会有造成或加重靶102和激光束101之间相对位置涨落的束定点稳定性的问题。靶位置或激光束的任何涨落都将因此造成激光脉冲部分地或整体脱靶102。如图1示意性图解说明，激光脉冲101理想地以同一位置为中心(图中虚线所示)。在时刻t₁处靶的位置可能移动了，以致激光脉冲101仅部分命中靶102；在时刻t₂处靶102的位置实际上可能是合适的；而在时刻t₃处靶102的位置可能使激光脉冲101整体脱靶。靶的这样的位置涨落降低了从产生的等离子体发射出的辐射的位置、通量和空间分布的脉冲到脉冲的稳定性、以及降低了长期的稳定性。

为了克服这一问题，本发明提供了一种方法：即，为了产生次级靶而利用扩展的能量预脉冲，其后引导主能量脉冲到次级靶上以产生辐射等离子体。如图2示意性图解所示，根据本发明的方法包括步骤210，其通过在压力下从喷嘴挤出液体而生成初级靶；步骤220，其为了形成气体或等离子云形式的次级靶而将能量的预脉冲导向该初级靶；步骤230，其使次级靶膨胀一预定时段；以及步骤240，其为了产生辐射等离子体而将主能量脉冲送至次级靶上。根据本发明，能量的预脉冲在至少一维上的束腰尺寸大于对应的初级靶的尺寸，因而，至少在所述一维上，可减少上述初级靶相对于能量束的位置涨落对由等离子体发射的辐射的稳定性的影响。如上所述，能量脉冲是激光脉冲。

下面参照图3。在本发明的优选实施例中，使用氙(Xe)作为靶材料。Xe被冷却至液态并在约20巴下保存于压力容器(未图示)中。将Xe从出口孔或喷嘴(未图示)挤出该容器，从而在真空腔内形成喷射物302。真空腔具有约10^-8毫巴的基本压强。在优选实施例中喷嘴的直径是20μm，于是产生了近似直径的喷射物302。通常，当使用Xe作为靶材料时，这样形成的喷射物在将任何激光脉冲导向其上之前，由于真空腔内的挥发而冻结为固态。靶材料的挥发在真空腔内给出了约10^-3毫巴的氙的部分压力。

然而，靶可由其他物质构成，并可保持于液态。靶也可分成冻结或液态的小液滴串。此外，用于靶材料的容器、喷嘴和任何控制装置可以适于按需要将小液滴提供给真空腔。

因此，所生成的Xe喷射物可具有约20μm的直径，并以约30m/s的速度传播。辐射等离子体在距喷嘴约50mm处形成。产生辐射等离子体的开始步骤首先在时刻t₁处，将束腰尺寸约250μm的激光预脉冲301导向靶302。预脉冲301使气体或等离子云形成。在约100ns的时段Δt期间，该云可膨胀而形成用于主激光脉冲304的次级靶303。在经过了所述时段后，在时刻t₁+Δt处，为了形成高度电离的辐射等离子体，即X射线或EUV辐射的实际源，而将主激光脉冲304导向次级靶303。

所发射的辐射的位置、通量和空间分布的脉冲到脉冲和长期的稳定性通过使主激光脉冲304略小于膨胀的次级靶303的尺寸而进一步改善。具体地说，主脉冲304应具有落入次级靶303范围内的足够小的截面，次级靶范围受到次级靶位置的预期变化的影响。通过进一步调整主脉冲304的脉冲能量和脉冲长度，可得到增强的稳定性，并保持能量变换成X射线或EUV辐射的高变换效率。

如在以上发明内容中简述的，当预脉冲301和主激光脉冲304两者使用相同束腰尺寸时，对这两种激光脉冲，可采用共同的光学系统。这是优选实施例的优点。

原则上可将同样的激光用于预脉冲和主脉冲。然而，在优选实施例中，100ns的延迟对应于约30m的光程长度差。因此，经常将两种不同的激光分别用于预脉冲和主脉冲更为便利。在优选实施例中，使用了发射1064nm光的两种Nd:YAG的激光。然而，也可以使用具有其他脉冲长度、波长、脉冲能量等的其他激光。为了以20Hz的重复率来提供5ns长的能量脉冲，对激光进行Q-开关(Q-switch)。构成主脉冲304的光相对于构成预脉冲301的光延迟了100ns。预脉冲的能量是约10mJ，而主脉冲中的能量是约200mJ。在优选实施例中，预脉冲和主脉冲两者具有5ns的相同脉冲长度。

由激光预脉冲301(第一能量脉冲)产生的次级靶303的膨胀主要是由热能驱动的。因为Xe原子相对较重，所以膨胀速率很慢。因此，第一激光脉冲301和第二脉冲，即主激光脉冲，304之间的时间Δt必须足够长，以使气体或等离子云303合适地膨胀。对于更低原子质量的靶材料，第一和第二激光脉冲之间的时段Δt应更短。而且，预脉冲301中的能量愈高，云的膨胀速愈快(因为较高的温度)。因此，从实现对于主激光脉冲的合适尺寸和密度的次级靶云的观点来看，预脉冲和主脉冲之间的时段应根据所使用的靶材料和预脉冲的能量来设置。熟练技术人员在阅读并理解了本说明书后可找到各种情况的适宜设置。

由于优选实施中的初级靶302是柱状喷射物，故只存在这样的风险：即在相对于喷射物302的传播方向上的横向维中，不能用预脉冲301命中靶。因此，最好对于预脉冲使用线聚焦，其具有在喷射物横向上延伸的延长。在图5c中示意性示出了这一点。因此，根据初级靶的几何形状，预脉冲仅在一维上大于初级靶就足够了。

图4示意性示出了与图3所示的相同的实施。然而在图4中，小液滴402被用作初级靶而不是柱状喷射物的靶材料。在此情形中，也存在沿纵向维(小液滴的传播方向)上命不中初级靶402的潜在风险。因此，在此情形中，最好是使用圆形束腰的截面的预脉冲401。在靶小液滴402抵达预脉冲401导向靶的位置的时间上的任意抖动将导致初级靶位置涨落或不确定性。同样，通过使用大于靶的预脉冲401，可减小这种涨落对辐射通量稳定性的影响。

尽管最优实施例利用旋转对称的聚焦斑点501a(图5a)，但其他实施例可使用诸如线聚焦501b、501c(图5b、5c)等延伸的聚焦形状。图5b示出了这种情况：使用与柱状靶502b共同延伸的线聚焦501b，而图5c示出了这种情况：使用与柱状靶502c横向交叉的线聚焦501c。在所有其他方面，线聚焦的实施例的特征与上述圆聚焦斑点的实施例的特征相同。当使用由小液滴502d或小液滴串502e构成的初级靶时，最好使用圆形的预脉冲501d、501e(图5d和5e)。总之，当实施本发明时，只要激光束焦斑在至少一维(即，减小位置涨落影响的维)上大于靶，则可使用任何类型的能量束(激光束)聚焦。

在图6中，描绘了主能量脉冲对次级靶的匹配。膨胀的次级靶如虚线603所示，而主能量脉冲在次级靶上的束腰由实线604所示。尽管膨胀的次级靶603的相对位置仅略微变化，但在主能量脉冲604导向次级靶时，次级靶的位置仍有某些不确定性。为此，主能量脉冲604最好具有略小于膨胀的次级靶603的束腰。若次级靶603的位置在脉冲到脉冲之间有少量的变化，则整体主脉冲604仍命中靶材料，从而具有增强的稳定性。

以上已参照一些优选实施例而说明了本发明。然而，对熟练技术人员来说很显然：在所附权利要求书定义的发明范围内，可以考虑各种变形和修改。

例如，产生初级靶的喷嘴的直径可具有除此处公开的直径以外的其他尺度。应当理解：初级靶的直径的绝对大小和本发明目的的关系不大。另外，初级靶可以是半连续喷射物或裂成碎块的冻结喷射物。

而且，用于靶材料的容器内部的压强在优选实施例中设置成约20巴，但也可在10巴以下或远高于100巴。同样，这一参数和本发明的原理关系不大。

此外，本发明是参照以Xe作为靶材料来说明的。然而，本发明的内容也适用于其他靶材料，例如其他惰性气体(冷却至液态)；各种化合物和混合物；诸如锡等液态金属；以及诸如乙醇等各种有机液体。

另外，在本发明的范围内当然也可能使用多个第一和第二能量脉冲，同时将它们导向靶。

结论

总而言之，这里公开了一种产生具有增强通量稳定性和均匀性的辐射等离子体的方法。该方法包括以下步骤：通过在压力下从喷嘴挤出液体而生成初级靶；为了生成气体或等离子云形式的次级靶而将能量预脉冲导向该初级靶；使这样形成的气体或等离子云膨胀预定时段；以及为了产生等离子辐射X射线或EUV辐射，而当渡过了预定时段后将主能量脉冲导向气体或等离子云。预脉冲在至少一维上的束腰尺寸大于对应的初级靶的尺寸，因而，至少在所述一维上，可减小初级靶的位置涨落对辐射通量稳定性的影响。

Claims (19)

1.一种通过从能量束产生的等离子体发射而产生X射线或EUV辐射的方法，包括以下步骤：

通过在压力下从喷嘴挤出液体而生成初级靶(302、402、502)；

将第一能量脉冲(301、401、501)导向所述初级靶，从而生成次级靶(303、403、603)；

使次级靶膨胀预定时段；以及

在渡过了所述预定时段时，将第二能量脉冲(304、404、604)导向所述次级靶，从而产生发射X射线或EUV辐射的等离子体，所述第二能量脉冲的能量大于第一能量脉冲的能量；

其中第一能量脉冲(301、401、501)在至少一维上在靶(302、402、502)处的束腰尺寸大于对应的所述初级靶的尺寸，因而，在所述至少一维上，减小了初级靶相对于能量束的位置涨落对由等离子体发射的辐射的稳定性的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将第二能量脉冲导向所述次级靶(303、403、603)时，所述第二能量脉冲(304、404、604)的束腰尺寸小于对应的所述次级靶的尺寸。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一能量脉冲(301、401、501)的束腰尺寸和形状基本上和第二能量脉冲(304、404、604)的束腰尺寸和形状相同。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一和第二能量脉冲之间的预定时段是100ns。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中至少一个能量脉冲(301、401、501；304、404、604)是激光脉冲。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中初级靶是直径为20μm的柱状喷射物或小液滴，而当第一和第二能量脉冲被分别聚焦于初级靶和次级靶时，第一和第二能量脉冲两者的束腰都是圆的并且直径为250μm。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一和第二能量脉冲在距喷嘴50mm以上的地方被分别导向初级靶和次级靶。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中初级靶是空间连续的或半连续的喷射物。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中初级靶是小液滴。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中初级靶在将第一能量脉冲导向所述初级靶处时是处于冻结状态的。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述靶材料是Xe。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一能量脉冲的能量是在第二能量脉冲的能量的5％。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一能量脉冲和第二能量脉冲两者的脉冲长度都为5ns。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其中相关于EUV刻印而利用所产生的辐射。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中在EUV刻印步进器设备中利用所产生的辐射。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中在EUV度量或检测设备中利用所产生的辐射。

17.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括用所产生的辐射来进行X射线显微术的步骤。

18.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括用所产生的辐射来进行X射线荧光化的步骤。

19.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括用所产生的辐射来进行X射线衍射的步骤。

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