JP2000098094A - X線発生装置 - Google Patents

X線発生装置

Info

Publication number
JP2000098094A
JP2000098094A JP10266130A JP26613098A JP2000098094A JP 2000098094 A JP2000098094 A JP 2000098094A JP 10266130 A JP10266130 A JP 10266130A JP 26613098 A JP26613098 A JP 26613098A JP 2000098094 A JP2000098094 A JP 2000098094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
group
light
minute
ray generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10266130A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000098094A5 (ja
Inventor
Hiroyuki Kondo
洋行 近藤
Hideki Komatsuda
秀基 小松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10266130A priority Critical patent/JP2000098094A/ja
Publication of JP2000098094A publication Critical patent/JP2000098094A/ja
Publication of JP2000098094A5 publication Critical patent/JP2000098094A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 赤外域、可視域から紫外域にわたる広範囲の
光を著しく減衰させることが可能であり、使用波長のX
線を極力減衰させずに取り出すことができるX線発生装
置を提供すること。 【解決手段】 放射光リングから輻射されたX線を取り
出して利用する、或いは減圧された真空容器100内に
配置された標的物質105にパルスレーザー光101を
照射して該標的物質105をプラズマ化し、該プラズマ
106から輻射されたX線111を取り出して利用する
X線発生装置において、微小開口または微小開口群を有
する光学部材109を、該微小開口または該微小開口群
が前記放射光リングまたはプラズマから輻射された使用
X線の光路中(真空容器100内)に位置するように設
置して、該光学部材109により使用X線111を取り
出すことを特徴とするX線発生装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、X線顕微鏡、X線
分析装置、X線露光装置などのX線機器のX線源として
用いて好適なX線発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】放射光リングから輻射される放射光(S
R)は輝度が高く、また、波長可変であることから、X
線分析装置、X線顕微鏡やX線露光装置の光源として用
いられている。また、パルスレーザー光を真空容器内に
配置された標的物質に集光し、標的物質をプラズマ化し
て、このプラズマから輻射されるX線を取り出して利用
するレーザープラズマX線源(以下ではLPXと呼ぶ)
は小型でありながら、アンジュレーター光源に匹敵する
ほどの輝度を持つため、X線分析装置、X線露光装置な
どのX線機器の光源として近年注目を集めている。
【0003】放射光リングやLPXからはX線だけでな
く、赤外域、可視光域から真空紫外域にわたる広い波長
範囲の光(電磁波)が放出される。このような光は使用
するX線の波長(例えば13nm)に比べて、遙かに波長が
長い。従って、X線顕微鏡やX線露光装置の光学系にこ
のような長波長の光が入るとX線検出器上またはレジス
ト上における空間分解能の低下を引き起こす。
【0004】また、X線分析装置の一例である光電子分
析装置の照明光学系に前記長波長の光が入射すると、試
料の損傷を引き起こしたり、注目している光電子以外の
不要な光電子が多量に放出される。そして、これら多量
の不要光電子や、それらが周辺部材に衝突することによ
り発生した2次電子などによって、S/Nの低下や光電子
検出器の感度低下を引き起こすか、或いは試料表面で反
射した可視光や紫外光などが光電子検出器に入射するこ
とによって、検出器の感度低下や損傷などを引き起こ
す。
【0005】そこで、従来は、このような不要な長波長
光を除去するために、可視光や紫外光に対しては不透明
であり、使用波長のX線に対しては透過率の高い(透明
性を有する)薄膜(例えば膜厚1μmのベリリウム(B
e)箔など)をフィルターとして用いていた。そして、
このように可視光や紫外光に対しては不透明であり、使
用波長のX線に対しては透過率の高い(透明性を有す
る)薄膜の材料としては、その材料の吸収端が使用X線
の波長に近いものが選ばれていた。なぜならば、吸収端
よりも僅かに長波長側では物質の吸収が小さくなるため
である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、物質の
吸収端は物質に固有であり、しかも飛び飛びの値しか持
たないため、任意のX線波長に対して最適な薄膜材料
(フィルター材料)が存在するとは限らないという問題
点があった。ところで、X線縮小投影露光装置において
は、フィルターの透過率が直接、処理できるウェハーの
スループットに影響するため、フィルターの透過率をで
きるだけ高く、しかも使用するフィルターの枚数を極力
少なくする必要がある。
【0007】そして、X線縮小投影露光装置に適すると
期待されている極端紫外(EUV)の波長域(例えば波長1
3nm)では特に物質の吸収が大きく、高い透過率を得よ
うとすると、薄膜(フィルター)の厚さを非常に薄くす
る必要がある。例えば、波長13nmに対して透過率の高い
シリコン(Si)の場合でも厚さ0.5μmの場合です
ら、透過率は50%程度しか得られないので、さらに高い
透過率を得るためには更なるフィルターの薄膜化が必要
である。
【0008】しかしながら、薄膜(フィルター)の厚さ
を非常に薄くすると、機械的強度が低下するので実用的
ではなく、特に大面積化には不適当であるという問題点
があった。また、フィルターを極端に薄膜化すると可視
光も透過するようになるため、可視光をカットするフィ
ルターとして機能しなくなる。
【0009】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、赤外域、可視域から紫外域にわ
たる広範囲の光を著しく減衰させることが可能であり、
使用波長のX線を極力減衰させずに取り出すことができ
るX線発生装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「放射光リングから輻射されたX線を取り出して利用
する、或いは減圧された真空容器内に配置された標的物
質にパルスレーザー光を照射して該標的物質をプラズマ
化し、該プラズマから輻射されたX線を取り出して利用
するX線発生装置において、微小開口または微小開口群
を有する光学部材を、該微小開口または該微小開口群が
前記放射光リングまたはプラズマから輻射された使用X
線の光路中(真空容器内)に位置するように設置して、
該光学部材により使用X線を取り出すことを特徴とする
X線発生装置(請求項1)」を提供する。
【0011】また、本発明は第二に「前記微小開口また
は微小開口群は、使用X線をほぼ直進させるとともに、
前記放射光リングまたはプラズマから輻射された赤外
光、可視光及び紫外光を回折させて前記使用X線の光路
から逸脱させる機能を有することを特徴とする請求項1
記載のX線発生装置(請求項2)」を提供する。また、
本発明は第三に「前記輻射された使用X線を集光する集
光光学素子を備え、該集光光学素子の焦点位置またはそ
の近傍に前記微少開口または微少開口群が位置するよう
に、前記光学部材を設置したことを特徴とする請求項1
または2記載のX線発生装置(請求項3)」を提供す
る。
【0012】また、本発明は第四に「前記微少開口群の
位置を移動させる移動機構を具備することを特徴とする
請求項1〜3のいずれかに記載のX線発生装置(請求項
4)」を提供する。また、本発明は第五に「前記微小開
口または微小開口群を有する光学部材は、使用X線に対
して透明性を有し、赤外光、可視光及び紫外光に対して
不透明(または略不透明)である材料により構成されて
いることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の
X線発生装置(請求項5)」を提供する。また、本発明
は第六に「前記微小開口群を有する光学部材が少なくと
も赤外光、可視光、または紫外光を透過する材料にて構
成されており、該光学部材における開口部の面積と格子
部(非開口部)の面積が等しく、かつ格子部を透過した
光束が開口部を通過した光束に対して(n+1/2)λ
(n:自然数、λ:光束の波長)だけ位相に遅れが生じる
ような格子部の厚さを有することを特徴とする請求項1
〜4のいずれかに記載のX線発生装置(請求項6)」を
提供する。
【0013】また、本発明は第七に「前記放射光リング
またはプラズマから輻射された真空紫外線を吸収し、使
用X線を透過させるガスを装置の真空容器内に導入する
機構を具備することを特徴とする請求項1〜6のいずれ
かに記載のX線発生装置(請求項7)」を提供する。ま
た、本発明は第八に「前記微小開口または微小開口群を
有する光学部材は、前記真空容器内を二領域に分割する
ように構成され、前記微小開口を利用して前記二領域を
差動排気する機構を具備することを特徴とする請求項1
〜7のいずれかに記載のX線発生装置(請求項8)」を
提供する。
【0014】
【発明の実施の態様】放射光リングまたはレーザープラ
ズマX線源(LPX)から輻射されたX線を取り出して
利用する本発明(請求項1〜8)にかかるX線発生装置
では、輻射された使用X線の光路中(真空容器内)に配
置された微小開口または微小開口群により使用X線を取
り出している。
【0015】具体的に言うと、本発明にかかる微小開口
または微小開口群は、使用X線をほぼ直進させるととも
に、放射光リングまたはプラズマ(LPX)から輻射さ
れた赤外光、可視光及び紫外光を回折させて使用X線の
光路から逸脱させる機能を有する(請求項2)。或い
は、本発明にかかる微小開口群は、微小開口群を通過し
てきた光束の干渉効果により赤外光、可視光または紫外
光の強度を減少させる機能を有する(請求項6)。
【0016】このように、本発明にかかるX線発生装置
では、波長による回折角の違いを利用して、使用X線の
光路から赤外光、可視光及び紫外光を大幅に減衰させて
いる。例えば、使用X線の光路中に数10分の1μmか
ら数100μmの微小開口を配置すると、赤外光、可視
光及び紫外光は微少開口のエッジ部分により大きく回折
され、微少開口を通過した後は使用X線の光路から外れ
て(大きく広がって)伝搬してゆく。
【0017】一方、使用X線は波長が数nm〜数10nmと可
視光や赤外光に比べて1桁から2桁短いため回折角が小
さく、微少開口を通過した後もほぼ直進して伝搬してゆ
く。従って、微少開口からある程度離れた所では、使用
X線の光量は殆ど減少しないが、赤外光、可視光及び紫
外光の単位面積あたりの光量は著しく減少する。或い
は、本発明にかかるX線発生装置では、微小開口群を通
過してきた赤外光、可視光または紫外光の干渉を利用し
て、これら光束の強度を減少させている。
【0018】例えば、微小開口群を有する光学部材が少
なくとも赤外光、可視光、または紫外光を透過する材料
にて構成され、光学部材における開口部の面積と格子部
の面積が等しく、かつ格子部を透過した光束が開口部を
通過した光束に対して(n+1/2)λ(n:自然数、λ:
光束の波長)だけ位相に遅れが生じるような格子部の厚
さを有すると、この光学部材を透過もしくは通過してき
た赤外光、可視光または紫外光の0次光は干渉効果によ
り互いに打ち消しあうため、その強度を大きく減少させ
ることができる(請求項6)。
【0019】本発明にかかる微少開口を配置する位置
は、使用X線の光路中であれば特に限定はなく、また微
少開口の数も特に限定されない(一つでも複数でもよ
い)。微少開口の数が一つの場合や、或いは複数であっ
てもその数が少なくて、微少開口または微少開口群の占
める面積が使用X線の集光ビーム径(集光光学素子によ
る集光ビーム径)程度に小さい場合には、微少開口また
は微少開口群は集光光学素子の集光位置またはその近傍
に配置するとよい(請求項3)。
【0020】なお、使用X線のビーム径が一つの微少開
口よりも大きい場合には、微少開口群を用いればよく、
図2に微少開口群を有する光学部材の一例を示す。図2
(a)は微少開口群を正面から見たもの、図2(b)は
微少開口群の断面図である。図2の微少開口群は、10
μm角の微少開口201の集団であり、縦10個、横1
0個の微少開口が幅2μmの間隔で開けられている。
【0021】この微少開口群を用いれば、ビーム径が約
100μmの使用X線に対しても用いることができる。な
お、使用X線の波長は13nmとする。ところで、このよう
な微少開口群を用いる場合には、必ずグリッド部(図2
(a)では幅2μmの部分202)が存在する。このグ
リッド部における使用X線の透過率は微少開口の部分
(中空部分)201よりも必ず低くなる。
【0022】このため、微少開口群及びグリッド部を通
過してきた使用X線の強度分布にムラが発生する。X線
縮小投影露光装置では、一つのパターンを露光するのに
多重ショットによる重ね露光をするので、微少開口群及
びグリッド部を通過してきた使用X線の強度分布にムラ
が発生する場合には、1ショットごとまたは数ショット
ごとに微少開口群の位置を変化させ、グリッド部による
陰が平均化されるようにすればよい。
【0023】そこで、本発明においては、微少開口群の
位置を移動させる移動機構を具備することが好ましい
(請求項4)。なお、微少開口群は、使用X線の光軸に
垂直な面内で移動させても、光軸方向に移動させても、
或いは両方を行っても良い。また、光軸に垂直な面内に
おける移動の振幅は微少開口の大きさ程度(例えば図2の
場合には10μm)でよい。
【0024】前記微小開口または微小開口群を有する光
学部材は、使用X線に対して透明性を有し、赤外光、可
視光及び紫外光に対して不透明(または略不透明)であ
る材料により構成されていることが好ましい(請求項
5)。例えば、使用X線の波長が13nmの場合には、シリ
コン(Si)を用いて光学部材を構成するとよい。Siは1
2.4nmに吸収端を有するので、これよりも長波長の13nm
に対しては透過率が高い。
【0025】また、(BイオンのLymannα線からの)波
長4.8nmのX線を使用する場合には、光学部材の基板材
料としてはX線透過率の面で炭素(C)が適している(吸
収端4.4nm)。ただし、炭素や炭素を含む有機物を用い
ると微細加工(薄膜化及び微少開口の形成)が難しい。
そこで、X線に対して透過率が高い窒化シリコン(Si3N
4)の薄膜を基板として用いるとよい。窒化シリコンは、
0.05μm程度の厚さのものまで容易に作製することが可
能であり、微少開口の形成も容易である。0.05μm厚の
窒化シリコンの波長4.8nmに対する透過率は約63%であ
る。
【0026】もし、Si等の材料により構成された光学部
材の基板が薄すぎて可視光が透過するようであれば、Si
等材料からなる基板の上に可視光に対する不透明物質を
成膜すればよい。例えば、ストロンチウム(Sr)、イッ
トリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブ
デン(Mo)などの不透明物質を0.1〜0.2μmの厚さにて
Siからなる光学部材の基板上に成膜すればよい。
【0027】これらの物質は、波長13nmのX線に対して
は高い透過率を有するので、これらの物質を成膜した層
によるX線の減衰を少なくすることができる。すなわ
ち、本発明においては、微小開口または微小開口群を有
する光学部材は、単一の材料によって構成されていても
よいし、いくつかの材料からなる複合部材であってもよ
い。
【0028】また、本発明にかかる微少開口部はなにも
ない空洞でもよいし、X線に対して透過率の高い物質で
詰まっていてもよい。ところで、放射光リングまたはL
PXからは、紫外線より波長の短い真空紫外線も輻射さ
れる。この真空紫外線は、使用X線の波長(例えば13n
m)に近いため、回折角も使用X線と同程度となり、本
発明にかかる微少開口による減衰を受けにくくなる。
【0029】また、真空紫外線は物質による吸収が大き
いため、たいていの物質に吸収されてしまう。そこで、
この真空紫外線については、X線発生装置の真空容器内
(X線光路中)にガスを充填し、真空紫外線をこのガス
により吸収させればよい。則ち、本発明のX線発生装置
は、装置の真空容器内を放射光リングまたはプラズマか
ら輻射された真空紫外線を吸収し、使用X線を透過させ
るガス雰囲気にする機構を具備することが好ましい(請
求項7)。
【0030】この様な目的に使用するガスとしては、水
素(H2)、ヘリウム(He)、窒素(N2)、酸素(O2)、アルゴン
(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)などがあげられ
る。特にクリプトン(Kr)は波長13nm付近に吸収端がある
ので、X線縮小投影露光用として期待されている波長13
nmのX線に対して透過率が高く、この目的に適してい
る。
【0031】本発明にかかるX線発生装置は、微小開口
または微小開口群を有する光学部材を真空容器内を二領
域に分割するように構成し、微小開口を利用して前記二
領域を差動排気する機構を具備することが好ましい(請
求項8)。かかる構成にすると、微少開口109を利用
して差動排気を行うことにより、LPXにおける真空容
器内の残留ガスやプラズマ等から放出される飛散粒子が
X線発生装置の後段に配置された別の真空容器(X線光
学系が収納されている)真空容器へ流入するのを防ぐこ
とができるので好ましい。
【0032】また、かかる構成にすると、微小開口ある
いは微小開口群を介して差動排気を行うことにより、放
射光リングと下流の光学系との間の圧力差を保持するこ
とができるので好ましい。以下、本発明を実施例により
具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定される
ものではない。
【0033】
【実施例1】本実施例のX線発生装置は、減圧された真
空容器内に配置された標的物質にパルスレーザー光を照
射して該標的物質をプラズマ化し、該プラズマから輻射
されたX線を取り出して利用するX線発生装置であり、
微小開口または微小開口群を有する光学部材を、該微小
開口または該微小開口群が前記プラズマから輻射された
使用X線の光路中(真空容器内)に位置するように設置
して、該光学部材により使用X線を取り出している。
【0034】本実施例のX線発生装置の概略構成を図1
に示す。パルスレーザー発生装置(不図示)から発せら
れたレーザー光101はレンズ102により、窓103
を通して真空容器100内に集光される。標的物質であ
るクリプトン(Kr)ガスがフィードスルーを通して真
空容器100内に導入され、ノズル104から真空容器
100内に噴出される。ノズル104はパルスジェット
ノズルであり、ノズルが開いている時間は約500μse
cである。
【0035】Krガスは背圧50気圧でノズル104よ
り真空中へ噴出され、断熱自由膨張により急激にその温
度が低下して、ファン・デル・ワールス力により原子同
士が互いにくっつきあい、原子数が数十から数十万個に
も及ぶクラスター分子105が形成される。レーザー光
101は、ノズルが開いてKrガスが真空中に噴出され
た後、数100μsec程度経過してから、このクラスタ
ー分子の集団上に集光されてプラズマ106が生成され
る。
【0036】クラスター分子の数密度は、ノズルからの
距離が離れるに従って急激に減少するので、X線量を多
くするためにはレーザー光101を集光するクラスター
分子の位置をできるだけノズルに近くした方が良い。本
実施例では、プラズマがノズル先端から0.5mmの位置に
発生するようにしている。ノズル104は、多層膜回転
楕円ミラー107の中央部分を貫通して取り付けられて
いる。また、多層膜回転楕円ミラー107の一方の焦点
位置にプラズマが生成されるように、ノズルの位置やレ
ーザー光の集光位置などが決められている。
【0037】多層膜回転楕円ミラー107の多層膜は、
モリブデン(Mo)とシリコン(Si)により構成され
ており、反射X線の中心波長が13nmとなるように多層膜
の周期長が決定されている。また、ミラー全面にわたっ
て反射X線の中心波長が13nmとなるように、多層膜の周
期長をミラー上の各位置において変化させている。多層
膜回転楕円ミラー(集光光学素子の一例)107で反射
したX線は、多層膜回転楕円ミラー107のもう一方の
焦点位置に向かって集光され、この焦点位置に直径10
μmの微少開口が位置するように、該微少開口を有する
光学部材109が設置されている。
【0038】光学部材109は、厚さ2μmのSi膜で構
成されており、可視光などを完全に遮るために、光学部
材の表面には厚さ0.2μmのAlがコートされている。こ
の微少開口を通過した赤外光、可視光及び紫外光は回折
されて(例えば、光路112の方向に回折されて)、使
用X線の光路111から外れる。。一方、多層膜回転楕
円ミラー107で反射され、微少開口を通過した波長13
nmのX線は回折の影響をほとんど受けずにほぼ直進して
(光路111)、後段のX線光学系へと伝搬して行く。
【0039】従って、後段のX線光学系へ入射するX線
の光量を殆ど低下させることなく、赤外光、可視光及び
紫外光を著しく減少させることができる。このとき、標
的物質として用いているKrは真空容器100内で再び
ガス化し、真空排気系110により排気されるが、真空
容器100内に残留Krガスが存在する。
【0040】そこで、バルブ108を調整して、真空容
器100内の残留Krガスの圧力を、波長13nmのX線に
対する減衰は十分に少なく、これよりも長波長の真空紫
外線に対しては十分な吸収があるように調整することに
より、微少開口により回折を受けにくい真空紫外光も減
衰させることができる。以上のように、微少開口による
回折により赤外光、可視光及び紫外光が減衰され、残留
Krガスにより真空紫外光が減衰されるが、X線は微少
開口の中を通過してほぼ直進し、ほとんど減衰を受けな
い。よって、使用X線のみを高い効率で後段の光学系へ
と導くことができる。
【0041】本実施例では、微少開口を有する光学部材
の基板としてAlコートされたSi膜を用いたが、これに限
定されるものではない。また、微少開口の形状は円形に
限らず、四角形等どのような形状のものでも良い。ま
た、微少開口の大きさはここで述べた10μmに限らず、
不要な波長の光を十分に回折させることができればよ
く、おおよそ数10分の1μmから数100μmであ
る。
【0042】また、微少開口109を利用して差動排気
を行うと、真空容器100内の残留ガスや、プラズマ1
06、ノズル104及びノズル近傍から放出される飛散
粒子が後段のX線光学系が収納されている別の真空容器
(不図示)へ流入するのを防ぐことができるので好まし
い。X線のビーム径が一つの微少開口よりも大きい場合
には、図2に示すような微少開口群を有する光学部材を
用いればよい。
【0043】図2(a)は微少開口群を正面から見たも
の、図2(b)は微少開口群の断面図である。図2の微
少開口群は10μm角の微少開口201の集団であり、
縦10個、横10個の微少開口が幅2μmの間隔で光学
部材の基板200に開けられている。この微少開口群を
用いれば、ビーム径が約100μmのX線にも用いること
ができる。なお、使用X線の波長は13nmとする。
【0044】この微少開口群を有する光学部材の基板2
00はSi製であり、その厚さは0.5μmである。また、
基板200上には赤外光や可視光をカットするために厚
さ0.1μmのイットリウム(Y)203がコートされて
いる。波長13nmのX線に対するSi基板とY膜を含めた透
過率(グリッド部202の透過率)は0.34である。ま
た、微少開口群の開口率は0.7であり、残りの0.3の部分
(グリッド部202の部分)をX線が透過する割合はほ
ぼ0.1となる。
【0045】従って、微少開口群全体(グリッド202
部分を含む)の波長13nmのX線に対する透過率は0.8と
なる。本実施例にかかる微少開口群を用いないで、Si基
板とYのコートだけで可視光カットX線透過フィルター
を作製した場合のX線透過率は0.34であるから、本実施
例にかかる微少開口群を用いた方がX線の透過率は遙か
に向上する。
【0046】なお、このような微少開口群を用いる場合
には必ずグリッド部(図2(a)では幅2μmの部分)
202が存在し、このグリッド部におけるX線の透過率
は微少開口201の部分(中空部分)よりも必ず低くな
るので、微少開口群及びグリッド部を通過してきたX線
の強度分布にムラが発生する。X線縮小投影露光装置で
は、一つのパターンを露光するのに多重ショットによる
重ね露光をするので、微少開口群及びグリッド部を通過
してきた使用X線の強度分布にムラが発生する場合に
は、1ショットごとまたは数ショットごとに微少開口群
の位置を変化させ、グリッド部の陰が平均化されるよう
にすればよい。
【0047】即ち、微少開口群の位置を移動させる移動
機構を具備することが好ましい。このとき、微少開口群
をX線の光軸に垂直な面内で移動させても、光軸方向に
移動させても良く、或いは両方行っても良い。また、光
軸に垂直な面内における移動の振幅は微少開口の大きさ
程度(図2の場合には10μm)でよい。微少開口群の
各微少開口の大きさ、形、数、微少開口の相対位置は第
2図に示した例に限らず任意でよい。また、微少開口群
を有する光学部材の基板材料はSiに限らず任意でよい。
また、基板上にコートする物質はYに限らず任意でよ
く、必要がなければコートしなくても良いが、基板やコ
ートの材料は使用X線の波長において透過率が高い物質
であることが好ましい。
【0048】微少開口群を構成する各微少開口は同一形
状、同一寸法である必要はなく、ランダムな形状、ラン
ダムな開口径、ランダムな開口位置で構成された微少開
口群であっても良い。
【0049】
【実施例2】本実施例のX線発生装置も実施例1の装置
と同様に、減圧された真空容器内に配置された標的物質
にパルスレーザー光を照射して該標的物質をプラズマ化
し、該プラズマから輻射されたX線を取り出して利用す
るX線発生装置であり、微小開口または微小開口群を有
する光学部材を、該微小開口または該微小開口群が前記
プラズマから輻射された使用X線の光路中(真空容器
内)に位置するように設置して、該光学部材により使用
X線を取り出している。
【0050】本実施例のX線発生装置の概略構成を図3
に示す。実施例1と同様に、ノズル304から噴出さ
れ、ガス状あるいはクラスター状となった標的物質(こ
の場合はKr)305にレーザー光301を集光して、
プラズマ306を生成する。プラズマ306から輻射さ
れたX線は、多層膜放物面ミラー307により反射され
る。ミラー307で反射したX線はほぼ平行光となり、
光学部材309に形成された微少開口群に入射する。
【0051】微少開口群に入射した光のうち、赤外光、
可視光及び紫外光は微少開口群の各微少開口により回折
され、微少開口群を通過した後は大きく広がり(例えば
光路312の方向へ進み)、その殆どは真空容器300
の内壁に当たって反射、散乱または吸収され、後段のX
線光学系へ入射するのは極僅かになる。一方、X線は微
少開口群309を通過しても殆ど回折の影響を受けずに
ほぼ直進し(例えば光路311の方向へ進み)、後段の
X線光学系へ入射することができる。また、真空紫外線
については実施例1と同様のガス導入機構により減衰さ
れるため、後段のX線光学系へ入射するのは、殆ど使用
X線のみとなる。
【0052】ここで、光学部材309に形成された微少
開口群を図4に示す。なお、使用X線の波長は13nmとす
る。支持基板400上の領域に5mm角のセル(微少開口
群形成領域)403が形成され(図4(a)参照)、各
セルの間隔は0.5mmである。支持基板400の厚さは5
0μm、セル403における基板厚さは0.5μmであ
り、このセル内の基板上に10μm角の微少開口401
が2μm間隔で設けられている。
【0053】支持基板400及びセル内の基板はSi製で
あり、その表面にはイットリウム(Y)が0.1μmの
厚さでコートされている。セルの占有率は0.83であり、
支柱部404の厚さは支持基板と同じ50μmであるか
らX線は透過しない。また、セル内の微少開口401群
の開口率は0.7である。そして、波長13nmのX線に対す
るセル内のSi基板とY膜を含めた透過率は0.34であるか
ら、セル内の残りの0.3の部分(グリッド部402)を
透過するX線の割合はほぼ0.1であり、セル内の微少開
口群全体(グリッド部402を含む)の波長13nmのX線
に対する透過率は0.8となる。
【0054】従って、光学部材上の微少開口群全体の透
過率は0.83×0.8=0.66となる。本実施例にかかる微少開
口群を用いずに、Si基板とYのコートだけで可視光カッ
トX線透過フィルターを作製した場合の透過率は0.34で
あるから、本実施例にかかる微少開口群を用いた方がX
線の透過率は遙かに向上することが分かる。なお、セル
の大きさ、形、数、各セルの相対位置は任意でよい。ま
た、微少開口群の各微少開口の大きさ、形、数、開口の
相対位置は第4図に示した例に限らず任意でよい。
【0055】また、微少開口群の基板はSiに限らず任意
でよい。また、基板上にコートする物質はYに限らず任
意でよく、必要がなければコートしなくても良いが、基
板やコートの材料は、使用するX線の波長において透過
率が高い物質であることが好ましい。微少開口群を構成
する各微少開口は同一形状、同一寸法である必要はな
く、ランダムな形状、ランダムな開口径、ランダムな開
口位置で構成された微少開口群であっても良い。また、
セルの形状、セルの大きさ、セルの相対位置がランダム
であっても良い。
【0056】また、透過X線強度の空間的なムラを平均
化するため、微少開口群をX線光軸に垂直な面内で、或
いは光軸方向に(或いは両方で)移動するようにしても
良い。以上の各実施例における基板の厚さ、コート材の
厚さ、微少開口の大きさなどは一例であり、これに限る
ものではない。
【0057】また、各実施例では、微小開口群が形成さ
れている光学部材は赤外光、可視光及び紫外光に対して
不透明であったが、これを少なくとも赤外光、可視光、
または紫外光を透過する材料にて構成し、光学部材にお
ける開口部の面積と格子部の面積を等しくし、かつ格子
部を透過した光束が開口部を透過した光束に対して(n
+1/2)λ(n:自然数、λ:光束の波長)だけ位相に遅
れが生じるような格子部の厚さとすることにより、透過
もしくは通過してきた赤外光、可視光または紫外光の0
次光が互いに干渉して、打ち消しあうようにしてもよ
い。
【0058】このとき、微小開口群を形成する部材とし
ては、例えばガラス(SiO2)、Si薄膜、窒化シリコン
(Si3N4)薄膜などが利用できる。また、各実施例で
は、LPXのターゲット物質としてKrを用いている
が、他のガス(例えばキセノン、酸素、窒素など)でも
よい。また、ターゲットの形状はクラスター(ガス)状
に限らず、固体や液体であっても良い。また、ターゲッ
ト物質は必要とするX線を輻射できるものであればどん
なものでも良い。
【0059】また、各実施例では、真空紫外光を吸収す
るガスとして、ターゲット物質が気化したときの残留ガ
スを用いているが、これに限らず、使用X線に対して透
過率が高く、真空紫外域の光に対して吸収が大きいガス
であればどんなものでも良い。なお、ターゲット物質と
真空紫外線吸収用のガスの物質が異なるときには、真空
容器内に真空紫外線吸収用のガスを導入する導入口を設
ければよい。
【0060】各実施例においては、微少開口または微少
開口群を有する光学部材は1枚しかX線光路中に挿入さ
れていなかったが、これは複数枚であっても良い。例え
ば、微少開口群が複数のスリットからなるものを用いて
いる場合に、2枚の複数スリット開口群を互いに直交す
るように配置しても良い。また、各実施例においては、
Siなどの基板上または薄膜上に微少開口群を形成した
が、毛細管(例えば内径10μmのガラス管)を束ねて固
定したものを薄くスライスし、これを開口群として用い
ても良い。
【0061】各実施例においては、X線源にLPXを用
いたものしか記載しなかったが、放射光リングを用いた
場合にでも同様な効果が期待できる。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のX線発生
装置によれば、使用X線の強度を極力減衰させることな
く、不要な赤外光、可視光及び紫外光などを著しく低減
することができる。そのため、本発明のX線発生装置に
よれば、被照射物体(例えば、X線検出器やレジストな
ど)上へのX線照射量を大幅に増やすことが可能とな
り、装置のスループットを向上させることができる。
【0063】また、本発明のX線発生装置によれば、透
過率の波長依存性が少ないので、広い波長範囲のX線に
対して使用できる。また、微小開口または微小開口群を
介して差動排気を行うことにより、LPXにおける真空
容器内の残留ガスや、プラズマやプラズマ近傍から放出
される飛散粒子が後段の光学系が収納されている別の真
空容器へ流入するのを防いだり、放射光リングと下流の
光学系との間の圧力差を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、実施例1のX線発生装置を示す概略構成図
である。
【図2】は、実施例1における微少開口群の一例を示す
概略構成図である。
【図3】は、実施例2のX線発生装置を示す概略構成図
である。
【図4】は、実施例2における微少開口群を示す概略構
成図である。
【主要部分の符号の説明】
100,300…真空容器、 101,301…レーザ
ー光 102,302…集光レンズ、 103,303…レー
ザー光導入窓 104,304…ノズル 105,305…クラスター(ガス) 106,306…プラズマ 107…多層膜回転楕円ミラー、307…多層膜放物面
ミラー 108,308…バルブ 109…微小開口を有する光学部材、309…微小開口
群を有する光学部材 110,310…真空排気系 111,311…ほぼ直進するX線 112,312…回折された赤外線、可視光、紫外光な
ど 200…基板 400…支持基板 201,401…開口 202,402…グリッド部 203…イットリウム薄膜 403…セル 404…支柱部 以上

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放射光リングから輻射されたX線を取り
    出して利用する、或いは減圧された真空容器内に配置さ
    れた標的物質にパルスレーザー光を照射して該標的物質
    をプラズマ化し、該プラズマから輻射されたX線を取り
    出して利用するX線発生装置において、 微小開口または微小開口群を有する光学部材を、該微小
    開口または該微小開口群が前記放射光リングまたはプラ
    ズマから輻射された使用X線の光路中(真空容器内)に
    位置するように設置して、該光学部材により使用X線を
    取り出すことを特徴とするX線発生装置。
  2. 【請求項2】 前記微小開口または微小開口群は、使用
    X線をほぼ直進させるとともに、前記放射光リングまた
    はプラズマから輻射された赤外光、可視光及び紫外光を
    回折させて前記使用X線の光路から逸脱させる機能を有
    することを特徴とする請求項1記載のX線発生装置。
  3. 【請求項3】 前記輻射された使用X線を集光する集光
    光学素子を備え、該集光光学素子の焦点位置またはその
    近傍に前記微少開口または微少開口群が位置するよう
    に、前記光学部材を設置したことを特徴とする請求項1
    または2記載のX線発生装置。
  4. 【請求項4】 前記微少開口群の位置を移動させる移動
    機構を具備することを特徴とする請求項1〜3のいずれ
    かに記載のX線発生装置。
  5. 【請求項5】 前記微小開口または微小開口群を有する
    光学部材は、使用X線に対して透明性を有し、赤外光、
    可視光及び紫外光に対して不透明(または略不透明)で
    ある材料により構成されていることを特徴とする請求項
    1〜4のいずれかに記載のX線発生装置。
  6. 【請求項6】前記微小開口群を有する光学部材が少なく
    とも赤外光、可視光、または紫外光を透過する材料にて
    構成されており、該光学部材における開口部の面積と格
    子部(非開口部)の面積が等しく、かつ格子部を透過し
    た光束が開口部を通過した光束に対して(n+1/2)λ
    (n:自然数、λ:光束の波長)だけ位相に遅れが生じる
    ような格子部の厚さを有することを特徴とする請求項1
    〜4のいずれかに記載のX線発生装置。
  7. 【請求項7】 前記真空容器内を、前記放射光リングま
    たはプラズマから輻射された真空紫外線を吸収し、使用
    X線を透過させるガス雰囲気にする機構を具備すること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のX線発生
    装置。
  8. 【請求項8】 前記微小開口または微小開口群を有する
    光学部材は、前記真空容器内を二領域に分割するように
    構成され、前記微小開口を利用して前記二領域を差動排
    気する機構を具備することを特徴とする請求項1〜7の
    いずれかに記載のX線発生装置。
JP10266130A 1998-09-21 1998-09-21 X線発生装置 Pending JP2000098094A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10266130A JP2000098094A (ja) 1998-09-21 1998-09-21 X線発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10266130A JP2000098094A (ja) 1998-09-21 1998-09-21 X線発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000098094A true JP2000098094A (ja) 2000-04-07
JP2000098094A5 JP2000098094A5 (ja) 2005-11-04

Family

ID=17426756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10266130A Pending JP2000098094A (ja) 1998-09-21 1998-09-21 X線発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000098094A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214400A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Toyota Macs Inc レーザープラズマeuv光源装置及びそれに用いられるターゲット
WO2002085080A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-24 Commissariat A L'energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
JP2002365141A (ja) * 2001-06-13 2002-12-18 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置の波長測定装置
JP2005276673A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Komatsu Ltd Lpp型euv光源装置
JP2006310520A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ushio Inc 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
CN100366129C (zh) * 2002-05-13 2008-01-30 杰特克公司 用于产生辐射的方法和装置
JP2008535623A (ja) * 2005-04-15 2008-09-04 センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド 光学的検知装置
JP2010021543A (ja) * 2008-06-12 2010-01-28 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214400A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Toyota Macs Inc レーザープラズマeuv光源装置及びそれに用いられるターゲット
WO2002085080A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-24 Commissariat A L'energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
FR2823949A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
JP4699640B2 (ja) * 2001-06-13 2011-06-15 ギガフォトン株式会社 真空紫外レーザ装置の波長測定装置
JP2002365141A (ja) * 2001-06-13 2002-12-18 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置の波長測定装置
CN100366129C (zh) * 2002-05-13 2008-01-30 杰特克公司 用于产生辐射的方法和装置
JP2005276673A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Komatsu Ltd Lpp型euv光源装置
JP2008535623A (ja) * 2005-04-15 2008-09-04 センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド 光学的検知装置
JP2012118086A (ja) * 2005-04-15 2012-06-21 Sensors For Medicine & Science Inc 光電検知装置
JP2006310520A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ushio Inc 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
JP4710406B2 (ja) * 2005-04-28 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
EP1717638B1 (en) * 2005-04-28 2016-08-24 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Extreme UV radiation exposure apparatus and extreme UV radiation source
JP2010021543A (ja) * 2008-06-12 2010-01-28 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Günther et al. Photoelectron microscopy and applications in surface and materials science
US8411815B2 (en) Grazing incidence collector for laser produced plasma sources
Akhsakhalyan et al. Current status and development prospects for multilayer X-ray optics at the Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
US20120228523A1 (en) Biological laser plasma x-ray point source
US8009350B2 (en) Laptop-size high-order harmonic generation apparatus using near field enhancement
US20050211910A1 (en) Morphology and Spectroscopy of Nanoscale Regions using X-Rays Generated by Laser Produced Plasma
Kalmykov et al. Xe laser-plasma EUV radiation source with a wavelength near 11 nm—Optimization and conversion efficiency
Kirz et al. Soft x-ray microscopy of biological specimens
JP2001512568A (ja) 軟x線顕微透視装置
JP2000098094A (ja) X線発生装置
Holburg et al. Brilliance improvement of laser-produced extreme ultraviolet and soft x-ray plasmas based on pulsed gas jets
Barkusky et al. Formation and direct writing of color centers in LiF using a laser-induced extreme ultraviolet plasma in combination with a Schwarzschild objective
JP2000098094A5 (ja)
US4484339A (en) Providing X-rays
KR20020052204A (ko) 극자외선 소스를 얻는 방법, 광선의 소스 및 리소그라피공정에의 사용
EP0105261B1 (en) Providing x-rays
US8101930B2 (en) Method of increasing the operation lifetime of a collector optics arranged in an irradiation device
US4829177A (en) Point projection photoelectron microscope with hollow needle
US6625251B2 (en) Laser plasma x-ray generation apparatus
Koay et al. High-conversion-efficiency tin material laser-plasma source for EUVL
Michette Laser-generated plasmas: Source requirements for X-ray microscopy
Michette et al. A scanned source X-ray microscope
Neff et al. The plasma focus as soft X-ray source for microscopy and lithography
Bobashev et al. Intensive laser plasma source of quasimonochromatized soft x-ray radiation with focusing multilayer mirrors
Gluskin et al. Experiments on X-ray lithography using synchrotron radiation from the VEPP-2M storage ring

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050811

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080610

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081014