TW201007384A - A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device - Google Patents
A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device Download PDFInfo
- Publication number
- TW201007384A TW201007384A TW098123778A TW98123778A TW201007384A TW 201007384 A TW201007384 A TW 201007384A TW 098123778 A TW098123778 A TW 098123778A TW 98123778 A TW98123778 A TW 98123778A TW 201007384 A TW201007384 A TW 201007384A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- source module
- radiation
- buffer gas
- gas
- source
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
201007384 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種極紫外線(EUV)微影裝置之源模組、 一種包含該源模組之微影裝置,及一種器件製造方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板 之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路 (ic)之製造中。在該情況下,圖案化器件(其或者被稱作光 罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部分 (例如,包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 (抗蝕劑)層上。一般而言,單一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路《已知微影裝置包括:所謂的步進 器,其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射 每一目標部分;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向 (「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反 平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。 自美國專利申請公開案第2007/0012889號已知經建搆以 產生極紫外線(EUV)光之微影裝置的實施例。在已知裝置 中,為了濃化自EUV源朝向微影裝置之照明系統傳播之 EUV光束,提供包含ZrC14之氣體光譜純度濾光器。已知微 影裝置之光譜純度濾光器可位於一區域中,該區域自Euv 源接收含EUV光之光束且將光束傳送至適當下游EUV光學 141667.doc 201007384 系統,其中來自該源之光束經配置以在進入光學系統之前 傳遞通過光譜純度濾光器。ZrCl4基氣體光譜純度濾光器 經組態以在光束傳遞通過其時以至少一 EUV波長來濃化光 束。 【發明内容】 已知光譜純度濾光器可能不會有效地減輕自EUV源傳播 至微影裝置之光學系統中的微粒碎片。已知氣體光譜純度 濾光器可能不能夠大體上抑制在EUV範圍外部之波長,如 紫外線光、可見光及紅外線輻射。 需要提供一種用於EUV微影裝置中之源模組,其中有效 地改良經產生光之EUV濃化及碎片減輕兩者。 根據本發明之一態樣,提供一種用於微影裝置辛之源模 組。源模組經建構以產生極紫外線(EUV)輻射及二次輻 射。源模組包括經組態以與EUV輻射之源合作的緩衝氣 體。緩衝氣體對於EUV輻射而言具有至少5〇%之透射且對 於二次輻射而言具有至少70%之吸收。 根據本發明之-態樣,提供—種經配置以將圖案自圖案 化器件投影至基板上之微影裝置。微影裝置包括經建構以 產生極紫外線(而則及二次輕射之源模组。源模組包 括經組態以與刪輻射之源合作的緩衝氣體。緩衝氣體對 於即V輕射而言具有至少观之透射且對於二次輻射而言 具有至少70°/。之吸收。 根據本發明之一態樣,提供一種器件製造方法,器件製 造方法包括將極紫外線(EUV)輻射之經圖案化光束投影至 141667.doc 201007384 基板上。藉纟源模組來產生EUV輻射以及二次轄射。源模 組包括經組態以與EUV輻射之源合作的緩衝氣體。緩衝氣 體對於EUV輻射而言具有至少5〇%之透射且對於二次轄射 而言具有至少70%之吸收。 根據本發明之一態樣,提供一種器件製造方法,器件製 造方法包括:藉由輻射源來產生極紫外線輻射及二次輻 射;將緩衝氣㈣供至輻射源,,緩衝氣體對於極紫外線輕 #而言具有至少5()%之透射且對於二次輻射而言具有至少 罾鳩之吸收;及將極紫外線輻射之經圖案化光束投影至基 板上。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描料發明之 實施例,在該等圖式中,對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 裝置包含照明系統(照明器)IL,其經組態以調節Euv镇射 之轄射光束Β。應瞭解,術語ΓΕυν」輻射係關於具有在 6.7奈米至20奈米之範圍内之波長的任何電磁輻射。裝置 亦包括.支揮結構(例如,光罩台)ΜΤ,其經建構以支撑圖 案化器件(例如,光罩)ΜΑ,且連接至經組態以根據某些參 數而精確地定位圖案化器件之第一定位器ρΜ;基板台(例 如,晶圓台)WT,其經建構以固持基板(例如,塗覆抗蝕劑 之晶圓)W,且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位 基板之第二定位器PW ;及投影系統(例如,折射投影透鏡 系統)PS,其經組態以將由圖案化器件^^八賦予至輻射光束 141667.doc 201007384 包含一或多個 B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如 晶粒)上。 照明系統可包括用於引導、 的光學組件,諸如,折射“从 ㈣射之各種類型 他類型之光學組件,或其任何組合。 電t 支撐結構支撐(亦即,威进^ # ,丨 載)圖案化器件。支撐結構以取 ^圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條: :’圖案化器件是否固持於真空環境幻的方式來二 案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其^ 技術來固持圖案化器件。支揮結構可為(例如)框架〇 其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確_案 化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本 文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之 術語「圖案化器件」同義。 、本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指 代可用以在輻射光束之橫截面中向轄射光束賦予圖案以便 在基板之目標部分中形成圖案的任何器#。應注意,例 如,右被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔 助特徵,則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中 的所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目 標部分中所形成之器件(諸如,積體電路)中的特定功能 層。 圖案化器件可為反射的。圖案化器件之實例包括光罩、 可程式化鏡面陣列’及可程式化LCD面板。光罩在微影術 141667.doc 201007384 中係熟知的’且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光 罩類型’以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一 實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中之每一者可個 別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡 面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋 任何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁 _ 14電磁及靜電光學系統或其任何組合,其適合於所使用 之曝光輻射。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用 均與更通用之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪,裝置為反射類型(例如,使用反射光 罩)。 微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機 器中,可並行地使用額外台,或可在一或多個台上^預 φ 備步驟,同時將一或多個其他台用於曝光。
▲參看圖1 ’照明器IL自輕射源so接收輕射光束。舉例而 δ,當輻射源為C〇2雷射時,輻射源與微影裝置可為單獨 . f體。在該等情況下,不認為輻射源形成微影裝置H A ’且韓射光束係藉助於包含(例如)適當弓丨導鏡面及/或光 束放大Is之光束傳送系統而自輕射源80傳遞至昭明器江 在其他情況下,轄射源可為微影裝置之整體部分 '。輻射源 so及照明訊連同光束傳送系統(在需要時)可被稱作辕射、 141667.doc 201007384 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 器。通常,可調整照明器之光曈平面中之強度分布的至少 外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部 及σ内部)。此外,照明器江可包含各種其他組件,諸如, 積光Is及聚光器。照明器可用以調節輻射光束,以在其橫 截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束Β入射於被固持於支撐結構(例如,光罩台μτ) 上之圖案化器件(例如,光罩ΜΑ)上,且係由圖案化器件圖 案化。在橫穿光罩ΜΑ後,輻射光束β傳遞通過投影系統 PS ’投影系統PS將光束聚焦至基板w之目標部分c上。藉 助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如,干涉量測器 件、線性編碼器或電容性感測器),基板台WT可精確地移 動,例如,以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分 c。類似地,第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以 (例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻 射光束B之路徑而精確地定位光罩MA。一般而言,可藉助 於形成第一定位器ΡΜ之一部分的長衝程模組(粗略定位)及 短衝程模組(精細定位)來實現光罩台ΜΤ之移動。類似地, 可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝 程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對) 之情況下’光罩台ΜΤ可僅連接至短衝程致動器,或可為 固定的。可使用光罩對準標記ΜΙ、M2及基板對準標記 PI、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對 準標記佔用專用目標部分,但其可位於目標部分之間的空 141667.doc 201007384 間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地,在一個以上 晶粒提供於光罩μα上之情形中,光罩對準標記可位於該 等晶粒之間。 所描續'裝置可用於以下模式中之至少一者中:
1·在步進模式中,在將被賦予至輻射光束之整個圖案一 次性投影至目標部分c上時,使光罩#ΜΤ及基板台¥丁保 持基本上靜止(亦即,單重靜態曝光)。接著,使基板台WT
在X及/或γ方向上移位,使得可曝光不同目標部分c。在 步進模式中’曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成 像之目標部分c的尺寸。 2.在掃拖模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分c上時,同步地掃描光罩台Μτ及基板台评了(亦 即,單重動態曝光卜可藉由投影系統”之放大率(縮率) 及如像反轉特性來判定基板台WM對於光罩台财之速度 及方向纟掃私模式中,曝光場之最大尺寸限制單重動態 曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動 之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 在另模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分C上時,使光罩台MT保持基本上靜止,從而0持 ρ ί式化圖案化器件,且移動或掃描基板台资。在此模 式中’通常使用脈衝式輻射源,且在基板台WT之每-移 動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新 可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用〒程 式化圖案化&件(諸如’如以上所提及之類型的可程式化 141667.doc 201007384 鏡面陣列)之無光罩微影術。 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的源模組。源 模組10可包含經配置有液化目標材料3(例如,經配置有h 或Gd)之容器2 m可經配置有適當機構或開口(未圖 示)以用於將Sn或Gd之液體小液滴4a、4b、4c、4d傳送至 區域1,其中小液滴經組態以待由雷射5所提供之雷射光束 6予以照射《雷射光束6可關於具有為1〇 6微米之波長的 C〇2雷射。或者,可使用具有在1微米至職米之範圍内之 各別波長的其他適當雷射。雷射光理想地係使用適當光學 系統(未圖示)而聚焦於區域丨中。在與雷射光束相互作用 後,小液滴4a、4b、4c、4d便被變換成電漿狀態,電漿狀 態可發射6.7奈米之輻射或在5〇奈米至2〇奈米之範圍内的 任何其他EUV輻射。 發出之EUV光束7可由適當碎片減輕系統8截取,碎片減 輕系統8經組態以收集或偏轉自區域丨發出之粒子碎片。大 體上無碎片之EUV光束7a可接著進入經組態以適當地調節 光束7a之微影裝置之照明系統9。 根據本發明之—態樣,源模組10可包括用於與雷射產生 之電漿源合作的緩衝氣體。緩衝氣體可對於EUV輻射而言 具有至少50%之透射且對於二次輻射而言具有至少之 吸收。 理想地,緩衝氣體對於Euv輻射而言具有至少9〇%或至 141667.doc t 201007384 少95%之透射。進一步需要使緩衝氣體對於二次轄射而< 具有至少90%之吸收。 根據本發明之態樣’可將氣體提供於源模蚯 、、-laE 域 1
中’該氣體藉由對於泵浦雷射波長(對於C〇2雷射而言為典 型波長10.6 μιη)而言同時具有高EUV透射率及具有高9及收 而擔當截取碎片之緩衝氣體且同時擔當實現入射光束7之 適當EUV濃化的光譜純度濾光器。在一實施例中,氣體之 壓力積分可為1 mbar.cm或更高。發現此壓力積分足以熱 化原子及離子碎片且因此減輕自源傳播之微粒碎片。理相 地,將缓衝氣體之壓力積分設定至在〇.5 mbar,c功至$ mbar.cm之範圍内的值。 適當緩衝氣體為具有輕原子量元素之氣體且可選自由 C2H4、NH3、〇3、CH3OH、C02、CH4、C2H6、c2H2 及 NH2D組成之群組。可用於抑制自c〇2雷射源發出之二次輻 射(如紅外線輻射)的另外適當氣體為SiH3Cl、SiH J及 Sil^Br·。已發現,經建構以發射6.7奈米之輻射之源特别適 合於與該等氣體組合,因為在約6.7奈米之範圍内之該等 氣體的E U V透射率對於不需要的波長(如紅外線輻射)之給 定抑制而言相對較高(通常>95%)。以此方式,促進光東7 之適當EUV濃化。 應瞭解,本發明之實施例可用於任何類型之Euv源,包 括(但不限於)放電產生之電漿源(Dpp源)或雷射產生之電漿 源(LPP源)。然而,本發明可特別適合於抑制來自通拿形 成雷射產生之電漿源之一部分之雷射源的輻射。此係因為 141667.doc 11 201007384 雷射源通常具有小頻寬,且分子吸收譜線(m〇lecular p ion line)亦通常具有有限頻寬,除非大量吸收譜線 可用於某-波長區域内。因此,當需要抑制來自雷射源之 輻射時’適备材料(理想地為氣體)之可用性顯著更高。 在根據本發明之源模组的實施例巾,緩衝氣體可包括第 一氣體試樣與第二氣體試樣之混合物。可選擇第二試樣以 (例如)壓力增寬主要緩衝氣體之吸收峰值。舉例而言,當 將緩衝氣體(如,c2h4、NH3、NH2D、、eH3QH、eQ2、 CH4、C2H6、C2H2、SiH3Cl、SiH3F 或 SiH3Br)與第二氣體 適當地混合或組合時,第二氣體可能無需吸收紅外線輻 射,但此第二類型之氣體之Euv透射率理想地係至少相同 於或高於第一氣體試樣之EUV透射率。該組合之實例為 C〇2與He之混合物,其中c〇2係用以吸收紅外線光,且He 係用以壓力增寬CO,之吸收譜線。亦有可能將對於二次輻 射而言具有高吸收強度之氣體用作第二氣體物種且將具有 高EUV透射率之氣體用作第一氣體物種。該第二氣體物種 之實例可包括H2、He、Ne或Ar。 在約〜1 mbar及更高之壓力下,吸收譜線將通常被壓力 增寬至數百MHz且甚至高達若干GHz,藉此改良缓衝氣體 之效率。為了比較起見’針對雷射產生之電漿源中的c〇2 系浦雷射而預期約1 〇〇 MHz之典型雷射頻寬。 亦有可能使由源所產生之二次輻射包含具有複數個大體 上相異波長之電磁輻射。在此情況下,緩衝氣體可關於包 含對於EUV輻射而言具有至少50%之透射之第一氣體試樣 141667.doc •12· 201007384 及對於該複數個波長而言具有至少70%之吸收之第二氣體 試樣的適當混合物。 根據本發明之一實施例’雷射5之光經組態以傳播通過 對應於產生EUV之區域的第一區域ri及第二區域R2。源模 組可包括經建構以將緩衝氣體大體上侷限於第二區域反2之 壓力障壁8。 預期適當壓力障壁之不同實施例,其中壓力障壁經建構 以在源與收集器之間在第二區域R2中維持緩衝氣體之較高 壓力(分壓)’且在第一區域R1中之泵浦雷射之光束路徑處 維持緩衝氣體之較低壓力(分壓)。舉例而言,壓力障壁可 關於至少部分地封閉泵浦雷射光束且具有足夠小以實現差 動抽没之開D的管道。在另—實例中,可沿著泵浦雷射光 束路徑而在高速流動中引導對於紅外線而言具有低吸收之 氣體。壓力障壁可進-步關於_捉器(fQi丨吻)或關於氣 體注射之靜止箔捕捉器。將參看圖3來論述此特定實施 例。 根據本發明之一實施例,源模組1〇可經建構以冷卻緩衝 氣體。舉例而言,源模組10可包含用於冷卻緩衝氣體之被 動元件12(見圖2),如具有大區域之靜止或可旋轉板(例 如,箔捕捉器)。或者或另外,源模組1〇可進一步包含經 建構以循環緩衝氣體以用於冷卻緩衝氣體之循環單元14 (見圖2)。冷卻緩衝氣體之特徵可對於維持緩衝氣體之效率 而言係有利的,因為吸收譜線之相對強度隨著溫度而改 變。藉由將緩衝氣體維持於適當預選定操作溫度下,可能 141667.doc 201007384 不會損害包括源模組10之微影裝置的總效能。此外,緩衝 氣體之冷卻可能係有利的,因為其溫度之不良增加導致需 要維持緩衝氣體之更高部分密度,以用於達成大體上值定 之光譜純度濾光器及緩衝氣體之碎片減輕效能。藉由避免 緩衝氣體之部分密度的不必要增加,可放寬適當泵浦之操 作規格。 圖3示意性地描繪根據本發明之一態樣之源模組之一部 分的實施例,其中描繪具備緩衝氣體之箔捕捉器6〇之實施 例的橫截面。箔捕捉器60可在EUV輻射之源61附近圍繞旋 參 轉軸線62而配置,且可包含經配置用於防止材料(亦即, 微粒碎片(如緩慢原子碎片、快速原子碎片(亦即,離子及/ 或微粒子)))在微影投影裝置内部傳播之複數個通道障壁 63。箱捕捉器60可包含用於留存緩衝氣體之系統Μ,系統 64經配置以大體上在通道障壁.63内部提供緩衝氣體以用於 截取微粒碎片。可藉由複數個適當導f來供應緩衝氣體, 緩衝氣體可向内及向外流動通過導管,如由箭頭仏、Μ 示意性地所指示。藉由以循環方式來配置緩衝氣體,亦彳 參 實現緩衝氣體之冷卻。可提供抽氣腔室65以用於將緩衝氣 體供應至適當出π埠(未圖示)。此外,可提供另一缚則 用於、另氣體來補充緩衝氣體,例如,以用於導致緩衝 氣體之適當吸收譜線之塵力誘發性增寬^統64可進—纟 * 包含用於冷卻落捕捉器之補充冷卻系統的。 儘g在本文中可特定地參考微影裝置在^製造令之使 用,但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用, 141667.doc •14- 201007384
諸如,製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等 等。熟習此項技術者應瞭解’在該等替代應用之情境中, 可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與 更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之 前或之後在(例如)執道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影 經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理 本文所提及之基板1用時,可將本文之揭示應用於該等 及其他基板處理工具。另外,可將基板處理一次以上, (例如)以便形成多層IC’使得本文所使用之術語基板亦可 指代已經含有多個經處理層之基板。 術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件 中之任-者或其組合’包括折射、反射、磁性、電磁及靜 電光學組件。 儘管以上已描述本發明之特^實施例,但應瞭解,可以 舆所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述 意欲為說明性而非限制性的。因對於熟習此項技術者 而言將顯而易見的係,可在不脫離以下所闡明之"專利 範圍之範相情況下對如所描述之本發明進行化改。 【圖式簡單說明】 ’ 圖I示意性地描繪根據本發 圖2示意性地描繪根據本發 圖3示意性地描繪根據本發 【主要元件符號說明】 明之一實施例的微影裝置; 明之一實施例的源模組;且 明之一實施例的源模組。 141667.doc 201007384 1 區域 2 容器 3 液化目標材料 4a 液體小液滴 4b 液體小液滴 4c 液體小液滴 4d 液體小液滴 5 雷射 6 雷射光束 7 EUV光束 7a EUV光束 8 碎片減輕系統/壓力障壁 9 照明系統 10 源模組 12 被動元件 14 循環單元 60 箔捕捉器 61 EUV輻射之源 62 旋轉軸線 63 通道障壁 64 用於留存緩衝氣體之系統 65 抽氣腔室 65a 緩衝氣體流動通過導管 67 缓衝氣體流動通過導管 141667.doc • 16- 201007384 69 補充冷卻系統 70 另一埠 B 輻射光束
C IF1 IF2 IL Ml M2 ΜΑ ΜΤ PI P2 PM PS PW R1 R2 SO w WT
目標部分 位置感測器 位置感測器 照明系統 光罩對準標記 光罩對準標記 圖案化器件 支撐結構 基板對準標記 基板對準標記 第一定位器 投影系統 第二定位器 第一區域 第二區域 輻射源 基板 基板台 141667.doc -17-
Claims (1)
- 201007384 七、申請專利範圍: 1 · 種用於一微影裝置中之源模組,該源模組經建構以產 生極紫外線(EUV)輻射及二次輻射,該源模組包含經建 構以與該EUV輻射之一源合作的一緩衝氣體,該緩衝氣 體對於該EUV輻射而言具有至少5〇%之透射且對於該二 次輻射而言具有至少7〇%之吸收。 2.如請求項1之源模組,其中該EUV輻射係使用一雷紂產 生之電浆(LPP)源而產生。 3·如請求項1或2之源模組,其中該緩衝氣體對於該Euv輻 射而言具有至少90%之透射。 4.如凊求項3之源模組,其中該緩衝氣體對於該EUV輻射 而言具有至少95%之透射。 5·如請求項1或2之源模組,其中該緩衝氣體對於該二次輻 射而言具有至少90%之吸收。 6·如請求項丨或2之源模組,其中該緩衝氣體包含輕原子量 元素。 7.如請求項丨或2之源模組,其中該緩衝氣體係選自C2ii4、 簡3、〇3、CH3〇H、C〇2、CH4、C2li6、C2H2、丽山、 SiH3Cl、SiH3F 及 SiH3Br之一群組。 8·如凊求項1或2之源模組,其中該緩衝氣體包含一第一氡 體試樣與一第二氣體試樣之一混合物。 9·如請求項8之源模組’其中該第二氣體試樣經組態以增 寬該第一氣體試樣之吸收譜線。 10·如請求項9之源模組,其中該第—氣體試樣係選自 141667.doc 201007384 c2h4、nh3、〇3、ch3oh、co2、CH4、c2h6、c2H2、 NH2D、SiH3Cl、SiH3F及 SiH3Br之一群組,且一第二氣 體試樣係選自H2、He、Ne及Ar之一群組。 Π .如請求項1或2之源模組,其中該二次輻射具有在約1微 米至11微米之一範圍内的一波長。 12. 如請求項8之源模組,其中該二次輻射包含複數個波 長’該第二氣體試樣對於該複數個波長而言具有至少 70%之吸收。 13. 如請求項1或2之源模組,其中該緩衝氣體之一壓力積分 係在0.5 mbar.cm至5 mbar.cm之範圍内。 14. 如請求項i或2之源模組,其中一雷射之光經組態以傳播 通過一第一區域及一第二區域,其中一雷射產生之電漿 係產生於該第一區域中,該源模組進一步包含經組態以 將該緩衝氣體侷限於該第二區域之一壓力障壁。 1 5 ·如請求項14之源模組,其中該壓力障壁包含一箔捕捉 器。 16. 如請求項15之源模組,其中該箔捕捉器為一氣體注射之 靜止箔捕捉器。 17. 如請求項丨或2之源模組,其中該緩衝氣體經冷卻。 18. 如請求項17之源模組,其進一步包含經建構及配置以冷 卻該緩衝氣體之一被動元件。 1 9.如凊求項17之源模組,其進一步包含經建構以循環該緩 衝氣體以用於冷卻該緩衝氣體之一循環單元。 2〇. —種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上 141667.doc • 2· 201007384 項中任一項之源模 之微影裝置,其包含一如前述請求 2!· -種器件製造方法,其包含將極紫外線ο輻射之一 經圖案化光束投影至-基板上,其中該請輕射係由一 如請求項1至19中任—項之源模組或由-如請求項20之 微影裝置予以產生。 22_ —種器件製造方法,其包含:藉由一輻射源來產生極紫外線輻射及二次輻射; 匕將-緩衝氣體提供至職射源,該緩衝氣體對於該極 料線轄射而言具有至少5〇%之透射且對於該二次賴射 而言具有至少70%之吸收;及 將該極紫外線轄射之—經圖案化光束投影至一基板 141667.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12971508P | 2008-07-14 | 2008-07-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201007384A true TW201007384A (en) | 2010-02-16 |
Family
ID=41061157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098123778A TW201007384A (en) | 2008-07-14 | 2009-07-14 | A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9465306B2 (zh) |
EP (1) | EP2300878B1 (zh) |
JP (1) | JP5341992B2 (zh) |
KR (1) | KR20110028659A (zh) |
CN (1) | CN102084299B (zh) |
NL (1) | NL2003181A1 (zh) |
TW (1) | TW201007384A (zh) |
WO (1) | WO2010007015A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479955B (zh) * | 2010-03-10 | 2015-04-01 | Asml Netherlands Bv | 用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2004706A (nl) * | 2009-07-22 | 2011-01-25 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
CN102231935A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-02 | 长春理工大学 | 一种产生相干极紫外辐射的方法及装置 |
JP5778093B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2009359A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
NL2009358A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
NL2010777A (en) * | 2012-05-21 | 2013-11-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
WO2014127151A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | Kla-Tencor Corporation | System and method for producing an exclusionary buffer gas flow in an euv light source |
US9615439B2 (en) * | 2015-01-09 | 2017-04-04 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inhibiting radiative emission of a laser-sustained plasma source |
US9899205B2 (en) * | 2016-05-25 | 2018-02-20 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inhibiting VUV radiative emission of a laser-sustained plasma source |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP4105616B2 (ja) * | 2002-08-15 | 2008-06-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフ投影装置およびこの装置用の反射鏡アセンブリ |
US7217940B2 (en) | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
US8094288B2 (en) * | 2004-05-11 | 2012-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101218543A (zh) * | 2005-06-14 | 2008-07-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进气体分布的碎片抑制系统 |
US7598508B2 (en) * | 2005-07-13 | 2009-10-06 | Nikon Corporation | Gaseous extreme-ultraviolet spectral purity filters and optical systems comprising same |
DE102005048670B3 (de) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle |
JP5215540B2 (ja) | 2006-07-18 | 2013-06-19 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット物質供給装置 |
-
2009
- 2009-07-10 NL NL2003181A patent/NL2003181A1/nl not_active Application Discontinuation
- 2009-07-13 JP JP2011517886A patent/JP5341992B2/ja active Active
- 2009-07-13 EP EP09780491.8A patent/EP2300878B1/en active Active
- 2009-07-13 KR KR1020117003284A patent/KR20110028659A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-07-13 WO PCT/EP2009/058894 patent/WO2010007015A1/en active Application Filing
- 2009-07-13 US US13/003,137 patent/US9465306B2/en active Active
- 2009-07-13 CN CN2009801260249A patent/CN102084299B/zh active Active
- 2009-07-14 TW TW098123778A patent/TW201007384A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479955B (zh) * | 2010-03-10 | 2015-04-01 | Asml Netherlands Bv | 用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2300878A1 (en) | 2011-03-30 |
EP2300878B1 (en) | 2014-11-12 |
CN102084299A (zh) | 2011-06-01 |
JP2011528180A (ja) | 2011-11-10 |
CN102084299B (zh) | 2013-09-11 |
NL2003181A1 (nl) | 2010-01-18 |
KR20110028659A (ko) | 2011-03-21 |
US20110109892A1 (en) | 2011-05-12 |
WO2010007015A1 (en) | 2010-01-21 |
US9465306B2 (en) | 2016-10-11 |
JP5341992B2 (ja) | 2013-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201007384A (en) | A source module of an EUV lithographic apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing a device | |
KR101710433B1 (ko) | 액적 가속기를 포함하는 euv 방사선 소스 및 리소그래피 장치 | |
US9013679B2 (en) | Collector mirror assembly and method for producing extreme ultraviolet radiation | |
JP5732392B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
US9958787B2 (en) | Lithographic method and apparatus | |
TWI420251B (zh) | 微影裝置,電漿源及反射方法 | |
US20110149262A1 (en) | Spectral purity filter and lithographic apparatus | |
US8917380B2 (en) | Lithographic apparatus and method | |
US20120280148A1 (en) | Euv radiation source and lithographic apparatus | |
NL1035863A1 (nl) | Module and method for producing extreme ultraviolet radiation. | |
TWI586222B (zh) | 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法 | |
US9119280B2 (en) | Radiation source | |
US8730454B2 (en) | EUV radiation source and method of generating EUV radiation | |
US20080273188A1 (en) | Device arranged to measure a quantity relating to radiation and lithographic apparatus | |
WO2013131693A1 (en) | Ion capture apparatus, laser produced plasma radiation source, lithographic apparatus | |
NL2008963A (en) | Ion capture apparatus, laser produced plasma radiation source, lithographic apparatus. | |
NL2007863A (en) | Radiation source. |