TWI586222B - 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法 - Google Patents

輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI586222B
TWI586222B TW101129772A TW101129772A TWI586222B TW I586222 B TWI586222 B TW I586222B TW 101129772 A TW101129772 A TW 101129772A TW 101129772 A TW101129772 A TW 101129772A TW I586222 B TWI586222 B TW I586222B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
seed laser
radiation
amplified
beam splitter
Prior art date
Application number
TW101129772A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201313074A (zh
Inventor
克利斯提恩 華格納
艾瑞克 羅勒夫 洛卜史塔
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201313074A publication Critical patent/TW201313074A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI586222B publication Critical patent/TWI586222B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/2333—Double-pass amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters

Description

輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法
本發明係關於一種適合於結合微影裝置而使用或形成微影裝置之部件之輻射源。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他元件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱作瑞 立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的EUV輻射。此輻射被稱作極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫，其當前被認為是最有希望的且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料選擇)之粒子(亦即，小滴)，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷 射產生電漿(LPP)源。在亦可使用雷射之用途的替代系統中，可藉由使用放電(放電產生電漿(DPP)源)所形成之電漿來產生輻射。
所提議之EUV LPP輻射源包含種子雷射(seed laser)。種子雷射引導種子雷射光束進入且通過一或多個光學放大器(例如，高增益放大器或前置放大器，其後為一或多個功率放大器)。經放大雷射輻射接著被引導朝向燃料小滴且入射於燃料小滴上。經放大雷射輻射用以(例如)至少部分地汽化燃料小滴以產生EUV輻射。然而，當經放大雷射輻射入射於燃料小滴上時，經放大雷射輻射之一部分可能會反射離開燃料小滴且沿著朝向種子雷射之相同初始光束路徑而返回。此返回光束可在其返回至種子雷射之路途中藉由光學放大器放大，此情形可引起經放大雷射光束入射於種子雷射自身上。此情形可造成對種子雷射之損壞。
需要預防或減輕先前技術之至少一個問題(無論在本文中抑或在別處得以識別)，或提供對現有裝置或方法之替代。
根據本發明之一第一態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著一軌跡引導一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位；一雷射，其經組態以將雷射輻射引導於該電漿形成部位處之一燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；其中該雷射包含：一種子雷射，其用於提供一種子雷射光束；一光束分裂器，其用於自該種子雷 射接收該種子雷射光束；一光學放大器，其用於自該光束分裂器接收該種子雷射光束且執行光學放大；一第一反射體，其位於該光學放大器下游，該第一反射體經組態以引導該種子雷射光束返回通過該光學放大器且到達該光束分裂器；及一第二反射體，其更遠地位於該光束分裂器下游，該第二反射體經組態以自該光束分裂器接收該種子雷射光束且引導該種子雷射光束之至少一部分返回朝向該光束分裂器。
該光束分裂器可為一偏振式光束分裂器。
一波片可位於該光束分裂器與該第一反射體之間的一光束路徑中。該波片為一四分之一波片。該波片可能經組態以確保一輻射偏振狀態在傳遞通過該波片兩次之後改變(亦即，旋轉)達90°。
該光束分裂器可經配置以將該種子雷射光束之僅一微小部分(例如，10%)引導至該光學放大器。一較大部分(例如，90%)可被引導於別處，例如，被引導至一光束截止器或其類似者。
該第二反射體可為一燃料小滴。
該光學放大器可為一高增益放大器或一前置放大器(或若一個以上放大器用於放大程序中，則至少為具有最高增益之放大器)。
一或多個另外光學放大器(例如，相比於已經描述之光學放大器具有較低增益)可位於一光束路徑中及該光束分裂器與該第二反射體之間。
根據本發明之一第二態樣，提供一種雷射，該雷射包含：一種子雷射，其用於提供一種子雷射光束；一光束分裂器，其用於自該種子雷射接收該種子雷射光束；一光學放大器，其用於自該光束分裂器接收該種子雷射光束且執行光學放大；一第一反射體，其位於該光學放大器下游，該第一反射體經組態以引導該種子雷射光束返回通過該光學放大器且到達該光束分裂器；及一第二反射體，其更遠地位於該光束分裂器下游，該第二反射體經組態以自該光束分裂器接收該種子雷射光束且引導該種子雷射光束之至少一部分返回朝向該光束分裂器。
本文所描述之任何放大器中之一或多者可藉由該種子雷射泵浦及/或觸發。或者或另外，一或多個放大器可藉由一或多個其他方案(例如，藉由使用電輸入或其類似者)泵浦成一受激(或放大)狀態。
根據本發明之一第三態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含本發明之另一態樣之一輻射源或雷射、與該輻射源或雷射連接，或可連接至該輻射源或雷射。
該微影裝置可進一步包含：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一圖案化元件，其用於在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其用於固持一基板；及一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
根據本發明之一第四態樣，提供一種產生雷射輻射之方法，該方法包含：引導一種子雷射光束朝向一光束分裂 器；該種子雷射光束係藉由該光束分裂器引導至一光學放大器以用於光學放大；在該種子雷射光束已傳遞通過該光學放大器之後，引導該種子雷射光束返回通過該光學放大器以用於光學放大，且接著到達該光束分裂器；該光束分裂器將該種子雷射光束引導於下游，其中該種子雷射光束之至少一部分接著被引導返回朝向該光束分裂器。
該等放大器有時可被稱作空腔。
應瞭解，關於本發明之一態樣而描述之一或多個特徵可在適當時適用於本發明之任何其他態樣。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由此處所附加之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集 器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特 定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡陣列之一實例使用小鏡之矩陣配置，該等小鏡中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡在藉由鏡矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此 類方法(通常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(通常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡元件及琢面化光瞳鏡元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚 焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈 衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置LAP，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組之圍封結構2中。
雷射4經配置以經由雷射光束6將雷射能量沈積至自燃料供應物8提供的諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中。錫(最可能呈小滴之形式)當前被認為是最有希望的且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料選擇。雷射能量至燃料中之沈積在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿10發射、藉由近正入射輻射收集器14收集及聚焦。雷射4及燃料供應物8(及/或收集器14)可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。
可提供第二雷射(圖中未繪示)，第二雷射經組態以在雷射光束6入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(DLP)源。
儘管圖中未繪示，但燃料供應物將包含噴嘴或與噴嘴連接，噴嘴經組態以沿著一軌跡引導燃料小滴串流朝向電漿 形成部位12。
藉由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於虛擬源點16處。虛擬源點16通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。虛擬源點16為輻射發射電漿10之影像。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡元件20及琢面化光瞳鏡元件22，琢面化場鏡元件20及琢面化光瞳鏡元件22經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束B之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且投影系統PS將經圖案化光束24經由反射器件26、28而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
通常，比所示器件多之器件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所示之鏡多的鏡，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
圖3示意性地描繪適合用作上文所描述之輻射源之部件的雷射(例如，圖2之雷射4)。返回參看圖3，雷射包含用於提供種子雷射光束32之種子雷射30。種子雷射光束32被引導朝向且通過一或多個光學放大器34、36、38(例如，前置放大器或高增益放大器34，及一或多個功率放大器36、38)。在傳遞通過光學放大器34、36、38之後，經放大種子雷射光束32入射於燃料小滴40上。可發生燃料小滴40之 至少部分汽化，以便產生EUV輻射，如上文所描述。
所有經產生雷射輻射可能不均用以汽化燃料小滴40。取而代之，雷射輻射42之一部分可反射離開小滴40，且沿著實質上相同初始雷射光束路徑而返回，返回朝向光學放大器34、36、38及種子雷射30自身。當以此方式進行引導時，經反射且因此返回之光束可在入射於種子雷射30上之前再次被放大。詳言之，可在高增益放大器或前置放大器34中發生顯著放大。此係因為：當種子雷射光束42進行通過此放大器34之第一傳遞時，放大器34之實質上僅退出口部分被排空呈受激或升高狀態之電子，此係歸因於突崩效應(亦即，僅彼等電子返回至較低或最低能量位準)。此情形使放大器之其他(或進入口)部分實質上充滿此等受激或升高電子，且因此能夠在種子雷射光束通過彼放大器但自相反方向而返回時進行另外放大。入射於種子雷射30上之經放大(種子)雷射光束可造成對種子雷射30之損壞。需要最小化入射於種子雷射上之任何雷射光束之放大，以最小化或避免對該雷射之任何損壞。
可根據本發明來預防或減輕上文所提及之問題。根據本發明，提供一種雷射。該雷射包含用於提供種子雷射光束之種子雷射。根據本發明，提供一種光束分裂器，該光束分裂器用於自種子雷射接收種子雷射光束。光束分裂器引導(例如，在適當時藉由透射或反射)種子雷射光束朝向光學放大器以用於光學放大(例如，高增益放大器或前置放大器，如上文所描述)。第一反射體(例如，鏡或稜鏡或其 類似者)位於光學放大器下游。在種子雷射光束已傳遞通過放大器之後，反射體經組態以引導種子雷射光束返回通過光學放大器且到達光束分裂器。藉由確保種子雷射光束在兩個實質上相反方向上傳遞通過光學放大器，使該放大器實質上「排空」受激或升高電子，且因此，該放大器可不提供(例如)返回光束之另外增益或放大，此將在下文予以更詳細地描述。然而，且同時，歸因於此排空，種子雷射光束相比於在先前技術中被放大得甚至更多--歸因於放大器之部分之兩個末端的排空，放大為大約兩倍。種子雷射光束接著被引導朝向且通過光束分裂器，且到達第二反射體。第二反射體可能為燃料小滴，其可轉換成輻射產生電漿。第二反射體經組態以自光束分裂器接收種子雷射光束，且引導種子雷射光束之至少一部分(種子雷射光束包括其至少一部分)返回朝向光束分裂器。即使此返回光束傳遞通過光束分裂器，此返回光束此後仍不能藉由上文所提及之光學放大器放大，此係因為此放大器已被排空受激電子且可不提供另外放大。若彼光束被引導返回朝向種子雷射自身，則此放大可能以其他方式引起對種子雷射之損壞。
現在將參看圖4至圖6而僅藉由實例來描述本發明之一實施例，在圖4至圖6中，已出於一致性及清晰性起見而向類似特徵給出相同元件符號。該等圖尚未按任何特定比例繪製。
圖4示意性地描繪適合用作上文所描述之輻射源之部件 的雷射(例如，圖2之雷射4)。返回參看圖4，雷射包含用於提供種子雷射光束52之種子雷射50。提供光束分裂器54以用於接收種子雷射光束52且用於引導該種子雷射光束之至少一部分56朝向主要光學放大器58(例如，高增益放大器或前置放大器(如上文所論述)，或至少為雷射中具有最高增益之放大器)。在光學放大器58內發生光學放大。第一反射體60(例如，鏡或稜鏡或其類似者)位於光學放大器58下游。第一反射體60經組態以在與種子雷射光束之部分最初被引導之方向實質上相反的方向上引導種子雷射光束之部分返回通過光學放大器58。藉由使種子雷射光束在此兩個實質上相反方向上傳遞通過放大器58，可使該光學放大器「排空」受激電子，此意謂不能在光學放大器58內發生(例如)返回光束之另外增益或放大(在下文予以更詳細地描述)。
在傳遞通過光學放大器58之後，種子雷射光束62繼續朝向光束分裂器54。如下文將更詳細地所論述，光束分裂器(可能地結合一或多個額外組件)經組態成使得幾乎無經放大輻射被引導返回朝向種子雷射50，而是在一不同下游方向上傳遞。此方向通向(例如)另外光學放大器64、66(例如，較低增益功率放大器)，其中在經放大雷射光束68入射於目標化燃料小滴70上之前可發生另外放大。現在可發生燃料小滴70之至少部分汽化，從而允許產生及收集EUV輻射以用作微影裝置中之輻射光束，例如，如上文所描述。然而，並非所有雷射光束輻射68均用以至少部分地汽 化燃料小滴70。取而代之，雷射光束輻射之部分72可藉由反射或其類似者而返回沿著實質上相同初始光束路徑被引導、通過放大器64、66且朝向光束分裂器54。取決於光束分裂器54如何被組態，返回光束可被實質上防止傳遞通過光束分裂器54，或可經組態成使得返回光束72之僅一部分可傳遞通過光束分裂器54。即使一部分確實傳遞通過光束分裂器54且到達且通過高增益放大器或前置放大器58，且最終及/或可能地到達種子雷射50自身，但歸因於在種子光束56通過彼放大器58之先前所描述之「雙重傳遞」中放大器58被「排空」受激電子，在該部分中仍可不發生另外放大。因此，對種子雷射之損壞得以預防或減輕。
如上文簡要地所論述，光束分裂器(及可能地，其他組件)可經適當地組態或提供以確保幾乎無返回輻射(亦即，被反射離開小滴或一般而言被反射離開第二反射體之輻射)傳遞返回至種子雷射50。根據本發明之實施例，此情形可以圖5及圖6分離地且各別地所描述之兩種方式中之一者而達成。
參看圖5，光束分裂器現在特定地為偏振式光束分裂器80，其可偏振種子雷射光束52或至少能夠反射具有第一偏振之輻射，且實質上透射具有第二偏振方向之輻射。在光束分裂器80下游提供波片82，波片82位於光束分裂器80與第一反射體60之間的光束路徑中。舉例而言，波片82可為四分之一波片。
在使用時，再次引導種子雷射光束52朝向光束分裂器80 且朝向放大器58(用於放大)及第一反射體60。然而，根據此實施例，種子雷射光束52(或至少其部分56)傳遞通過波片82，其中偏振狀態改變(例如，自線性偏振至圓形偏振)。在藉由第一反射體60反射且傳遞通過放大器58之後，種子雷射光束之部分再次使其偏振狀態改變(例如，自圓形偏振至線性偏振)，但現在，線性偏振具有與藉由光束分裂器80最初提供至自種子雷射50所接收之輻射之定向不同的定向(例如，達90°)。在具有此新的不同定向的情況下，偏振係使得種子雷射光束實質上筆直地傳遞通過光束分裂器80，且(例如)在入射於用於產生EUV輻射之燃料小滴70上之前傳遞至另外(及(例如)較低增益)光學放大器64、66上，如上文所論述。
任何經反射且因此返回之輻射68應具有與入射於小滴70上之輻射相同的偏振狀態。此意謂返回輻射68可經引導至且通過放大器64、66，且筆直地通過光束分裂器80。偏振方向接著將在再次入射於光束分裂器80上之前於反射離開第一反射體60之後傳遞通過波片82兩次之後再次改變(例如，達90°)。既然偏振狀態已改變(例如，達90°)，則輻射光束不能夠傳遞通過光束分裂器80，且代替地藉由光束分裂器80反射朝向種子雷射50。歸因於離開小滴70之少量反射，現在經引導返回至種子雷射50的種子雷射光束之任何部分將小。此外，且如上文所描述，在主要放大器58中將不發生種子雷射光束之放大，此係歸因於彼放大器已經被「排空」受激電子，因此防止放大。因此，對種子雷射50 之損壞得以預防或減輕。
應理解，當返回光束部分傳遞通過另外放大器64、66時，可發生最小放大。然而，此等放大器將具有較低增益(一般而言)，且因此將具有對放大之最小效應。又，在具有較低增益的情況下，更可能的是，此等放大器將已藉由種子雷射光束之單次傳遞通過而排空，從而引起返回光束之任何放大係最小的。
圖6示意性地描繪無需使用偏振式光束分裂器之替代實施例。取而代之，在此實施例中，使用一般光束分裂器，且尤其是光束分裂器90，光束分裂器90能夠將種子雷射光束52之僅一微小部分56引導至光學放大器58，且(例如)允許種子雷射光束92之大部分傳遞通過該光束分裂器(且(例如)傳遞至光束截止器或其類似者上)。在此實施例中，一優點為：歸因於放大器58先前以如上文所描述之方式被「排空」受激電子，在放大器58內可能無返回光束68之放大。另一優點為：種子雷射光束之僅一微小部分56傳遞返回至光束分裂器90，且歸因於光束分裂器90之透射屬性，此微小部分之僅甚至較小部分可被引導返回朝向種子雷射50。舉例而言，若光束分裂器90透射初始種子雷射光束之90%且僅反射10%以用於放大，則任何返回光束(經放大或以其他方式)之僅10%可一直傳遞返回至種子雷射50，因此最小化原本可對種子雷射50造成之任何損壞。
應再次理解，當返回光束部分傳遞通過另外放大器64、66時，可發生最小放大。然而，此等放大器將具有較低增 益(一般而言)，且因此將具有對放大之最小效應。又，在具有較低增益的情況下，更可能的是，此等放大器將已藉由種子雷射光束之單次傳遞通過而排空，從而引起返回光束之任何放大係最小的。
在上文所描述之實施例中，已關於燃料小滴或其類似者之汽化而描述雷射，彼等燃料小滴中之一者形成雷射之第二反射體。在其他實施例中，可無需將燃料小滴用作第二反射體，且鏡或稜鏡或其類似者可為第二反射體。
在上文所描述之實施例中，已將在不同方向上行進之光束展示為彼此分離，或彼此偏移--此情形僅係出於清晰性目的。實際上，該等光束將共用相同光束路徑，或實質上相同光束路徑。
歸因於使用種子雷射以產生主要經放大雷射光束，可將本文所描述之雷射描述為主振盪器功率放大器(master oscillator power amplifier,MOPA)雷射。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢 測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離隨後申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
2‧‧‧圍封結構
4‧‧‧雷射
6‧‧‧雷射光束
8‧‧‧燃料供應物
10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
12‧‧‧電漿形成部位
14‧‧‧近正入射輻射收集器
16‧‧‧虛擬源點/中間焦點
18‧‧‧開口
20‧‧‧琢面化場鏡元件
22‧‧‧琢面化光瞳鏡元件
24‧‧‧經圖案化光束
26‧‧‧反射器件
28‧‧‧反射器件
30‧‧‧種子雷射
32‧‧‧種子雷射光束
34‧‧‧光學放大器/前置放大器/高增益放大器
36‧‧‧光學放大器/功率放大器
38‧‧‧光學放大器/功率放大器
40‧‧‧燃料小滴
42‧‧‧雷射輻射
50‧‧‧種子雷射
52‧‧‧種子雷射光束
54‧‧‧光束分裂器
56‧‧‧種子雷射光束之至少一部分/種子光束
58‧‧‧光學放大器/高增益放大器/前置放大器
60‧‧‧第一反射體
62‧‧‧種子雷射光束
64‧‧‧光學放大器
66‧‧‧光學放大器
68‧‧‧經放大雷射光束/雷射光束輻射
70‧‧‧目標化燃料小滴
72‧‧‧雷射光束輻射之部分/返回光束
80‧‧‧偏振式光束分裂器
82‧‧‧波片
90‧‧‧光束分裂器
92‧‧‧種子雷射光束
B‧‧‧輻射光束/輻射
C‧‧‧目標部分
IL‧‧‧照明系統/照明器
LAP‧‧‧微影裝置
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2為包括LPP源收集器模組的圖1之裝置的更詳細視圖；圖3示意性地描繪適合用作圖1及圖2所示且參看圖1及圖2所描述之輻射源之部件的雷射；圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例之雷射的概述，該雷射適合用作如圖1及圖2所示且參看圖1及圖2所描述之輻射源之部件；圖5示意性地描繪根據本發明之第一實施例的雷射；及圖6示意性地描繪根據本發明之第二實施例的雷射。
根據上文在結合該等圖式時所闡述之【實施方式】，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位進行指示。
2‧‧‧圍封結構
4‧‧‧雷射
6‧‧‧雷射光束
8‧‧‧燃料供應物
10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
12‧‧‧電漿形成部位
14‧‧‧近正入射輻射收集器
16‧‧‧虛擬源點/中間焦點
18‧‧‧開口
20‧‧‧琢面化場鏡元件
22‧‧‧琢面化光瞳鏡元件
24‧‧‧經圖案化光束
26‧‧‧反射器件
28‧‧‧反射器件
B‧‧‧輻射光束/輻射
IL‧‧‧照明系統/照明器
LAP‧‧‧微影裝置
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (9)

  1. 一種輻射源，其包含：一噴嘴(nozzle)，其經組態以沿著一軌跡(trajectory)引導一燃料小滴串流(a stream of fuel droplets)朝向一電漿形成部位；及一雷射系統，其經組態以將一雷射光束引導於該電漿形成部位處之一燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；其中該雷射系統包含：一種子雷射(seed laser)，其經組態以提供一種子雷射光束；一光束分裂器，其經組態以自該種子雷射接收該種子雷射光束；一光學前置放大器，其經組態以自該光束分裂器接收該種子雷射光束及提供一經放大種子雷射光束；一第一反射體，其經組態以接收該經放大種子雷射光束及引導該經放大種子雷射光束通過該光學前置放大器至該光束分裂器以提供兩倍經放大種子雷射光束；及一更遠的(further)光學放大器，其經組態以接收通過該光束分裂器的該兩倍經放大種子雷射光束及進一步在一單次傳遞(single pass)中通過該更遠的光學放大器來放大該兩倍經放大種子雷射光束以產生該雷射光束。
  2. 如請求項1之輻射源，其中該光束分裂器為一偏振式光束分裂器。
  3. 如請求項1之輻射源，其中一波片位於該光束分裂器與該第一反射體之間的一光束路徑中。
  4. 如請求項3之輻射源，其中該波片為一四分之一波片。
  5. 如請求項1之輻射源，其中該光束分裂器經配置以將該種子雷射光束之約10%引導至該光學放大器。
  6. 一種用於產生一雷射光束的一雷射系統，其包含：一種子雷射，其經組態以提供一種子雷射光束；一光束分裂器，其經組態以自該種子雷射接收該種子雷射光束；一光學前置放大器，其經組態以自該光束分裂器接收該種子雷射光束及提供一經放大種子雷射光束；一第一反射體，其經組態以接收該經放大種子雷射光束及引導該經放大種子雷射光束通過該光學前置放大器至該光束分裂器以提供兩倍經放大種子雷射光束；及一更遠的光學放大器，其經組態以接收通過該光束分裂器的該兩倍經放大種子雷射光束及進一步在一單次傳遞中通過該更遠的光學放大器來放大該兩倍經放大種子雷射光束以產生該雷射光束。
  7. 一種產生一雷射光束之方法，該方法包含：引導一種子雷射光束朝向一光束分裂器；使用該光束分裂器來引導該種子雷射光束至一光學前置放大器以提供一經放大種子雷射光束；在該種子雷射光束已傳遞通過該光學前置放大器之後，引導該經放大種子雷射光束離開一第一反射體及經 由該光學前置放大器而再次到達該光束分裂器以提供兩倍經放大種子雷射光束；及進一步在一單次傳遞中通過一更遠的光學放大器來放大該兩倍經放大種子雷射光束以產生該雷射光束。
  8. 一種微影裝置，其包含用於產生一雷射光束的一雷射系統，該雷射系統包含：一種子雷射，其經組態以提供一種子雷射光束；一光束分裂器，其經組態以自該種子雷射接收該種子雷射光束；一光學前置放大器，其經組態以自該光束分裂器接收該種子雷射光束及提供一經放大種子雷射光束；一第一反射體，其經組態以接收該經放大種子雷射光束及引導該經放大種子雷射光束通過該光學前置放大器至該光束分裂器以提供兩倍經放大種子雷射光束；及一更遠的光學放大器，其經組態以接收通過該光束分裂器的該兩倍經放大種子雷射光束及進一步在一單次傳遞中通過該更遠的光學放大器來放大該兩倍經放大種子雷射光束以產生該雷射光束。
  9. 如請求項8之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一圖案化元件，其用於在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其用於固持一基板；及一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
TW101129772A 2011-09-02 2012-08-16 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法 TWI586222B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161530782P 2011-09-02 2011-09-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201313074A TW201313074A (zh) 2013-03-16
TWI586222B true TWI586222B (zh) 2017-06-01

Family

ID=46640658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101129772A TWI586222B (zh) 2011-09-02 2012-08-16 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9516732B2 (zh)
JP (1) JP6047573B2 (zh)
TW (1) TWI586222B (zh)
WO (1) WO2013029895A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000501033A (ja) 1995-11-30 2000-02-02 ヴァーチャル テクノロジーズ インコーポレイテッド 触覚をフィードバックする人間／機械インターフェース
CN104577685B (zh) * 2015-01-04 2017-10-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 光纤激光双程泵浦1.2μm波段范围激光器
JP2018512723A (ja) * 2015-02-19 2018-05-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源
US10048199B1 (en) * 2017-03-20 2018-08-14 Asml Netherlands B.V. Metrology system for an extreme ultraviolet light source
US10524345B2 (en) 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
JP7239491B2 (ja) * 2017-05-30 2023-03-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5790574A (en) * 1994-08-24 1998-08-04 Imar Technology Company Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US20020018288A1 (en) * 1999-10-15 2002-02-14 Jmar Research, Inc. High intensity and high power solid state laser amplifying system and method
US20080165337A1 (en) * 2005-11-01 2008-07-10 Cymer, Inc. Laser system
TW200934308A (en) * 2007-12-19 2009-08-01 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201028049A (en) * 2008-11-24 2010-07-16 Cymer Inc Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4194813A (en) 1978-10-13 1980-03-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vacuum aperture isolator for retroreflection from laser-irradiated target
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
FR2871622B1 (fr) 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
JP2006172898A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 National Institute Of Advanced Industrial & Technology レーザープラズマｘ線発生装置
US7308007B2 (en) 2004-12-23 2007-12-11 Colorado State University Research Foundation Increased laser output energy and average power at wavelengths below 35 nm
JPWO2006075535A1 (ja) 2005-01-12 2008-06-12 株式会社ニコン レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置
JP2006228998A (ja) 2005-02-18 2006-08-31 Komatsu Ltd 極端紫外線光源装置
US7289263B1 (en) 2006-08-02 2007-10-30 Coherent, Inc. Double-pass fiber amplifier
US20080181266A1 (en) 2007-01-26 2008-07-31 Institut National D'optique Enhanced seeded pulsed fiber laser source
US7903697B2 (en) 2008-01-16 2011-03-08 Pyrophotonics Lasers Inc. Method and system for tunable pulsed laser source
EP2504892A1 (en) 2009-11-24 2012-10-03 Applied Energetics Inc. Axial and off axis walk off multi-pass amplifiers
US9113540B2 (en) 2010-02-19 2015-08-18 Gigaphoton Inc. System and method for generating extreme ultraviolet light
JP5722061B2 (ja) 2010-02-19 2015-05-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及び極端紫外光の発生方法
US8587768B2 (en) * 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5790574A (en) * 1994-08-24 1998-08-04 Imar Technology Company Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US20020018288A1 (en) * 1999-10-15 2002-02-14 Jmar Research, Inc. High intensity and high power solid state laser amplifying system and method
US20080165337A1 (en) * 2005-11-01 2008-07-10 Cymer, Inc. Laser system
TW200934308A (en) * 2007-12-19 2009-08-01 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201028049A (en) * 2008-11-24 2010-07-16 Cymer Inc Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013029895A1 (en) 2013-03-07
US20140211184A1 (en) 2014-07-31
US9516732B2 (en) 2016-12-06
JP2014531704A (ja) 2014-11-27
JP6047573B2 (ja) 2016-12-21
TW201313074A (zh) 2013-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5717761B2 (ja) Ｅｕｖ放射源およびリソグラフィ装置
TWI534553B (zh) 收集器鏡總成及產生極紫外光輻射之方法
JP5732392B2 (ja) 放射源およびリソグラフィ装置
US8749756B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8507882B2 (en) Radiation source and lithographic apparatus
TWI586222B (zh) 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法
KR20100063082A (ko) 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈
US20120280148A1 (en) Euv radiation source and lithographic apparatus
CN108617070B (zh) 源收集器设备、光刻设备和方法
JP2013524525A (ja) Ｅｕｖ放射源およびｅｕｖ放射生成方法
JP2011018903A (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2010161364A (ja) レーザデバイス
WO2014044670A1 (en) Lithographic method and apparatus
JP5689059B2 (ja) スペクトル純度フィルタ、放射源モジュール、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI534555B (zh) 微影裝置、極紫外線（ｅｕｖ）輻射產生裝置及器件製造方法
JP2016509363A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ装置用ビーム搬送装置
TW201313075A (zh) 輻射源及微影裝置
US20110020752A1 (en) Extreme ultraviolet radiation source and method for producing extreme ultraviolet radiation
JP2010522953A (ja) 電磁放射を発生させるための放射源及び電磁放射の発生方法
JP6434515B2 (ja) 放射システム及びリソグラフィ装置
TW201337470A (zh) 輻射源與用於微影裝置及元件製造之方法
NL2007863A (en) Radiation source.
NL2004978A (en) Euv radiation source and lithographic apparatus.