TW201313075A - 輻射源及微影裝置 - Google Patents

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Abstract

一種輻射源，其包含：一噴嘴，其經組態以沿著一軌跡引導一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位；及一雷射，其經組態以將雷射輻射引導至該電漿形成部位以將該電漿形成部位處之該等燃料小滴轉換成一電漿。該雷射包含一放大器及一光學器件，該光學器件經組態以界定用於傳遞通過該放大器之輻射之一發散光束路徑。

Description

輻射源及微影裝置
本發明係關於一種輻射源且係關於一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他元件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k 1為程序相依調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方 程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之小滴，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
可難以用脈衝式雷射光束來一致地且準確地命中一系列移動小滴。舉例而言，一些高體積EUV輻射源可需要輻照具有約20微米至50微米之直徑且以約50公尺/秒至100公尺/秒之速度移動的小滴。
基於上述考慮，已提議用於將雷射光束有效地遞送及聚焦至EUV輻射源中之選定部位之系統及方法。
US7491954描述一種包含光學增益介質及透鏡之EUV輻射源，透鏡經配置以將藉由光學增益介質產生之輻射引導至燃料材料小滴上。光學增益介質及透鏡經配置成使得當燃料材料小滴處於預定部位時光學增益介質產生雷射輻射，藉此造成燃料材料小滴產生EUV輻射發射電漿。因為光學增益介質係藉由燃料材料小滴在預定部位處之存在而觸發，所以無需種子雷射來觸發光學增益介質之操作。
與US7491954所描述之系統類型相關聯之問題在於：因為雷射作用程序始於藉由燃料材料小滴來反射光子，使得將射線反射至其自身中，所以累積之模式強烈地取決於初始觸發程序且限制於初始觸發程序周圍。此情形又誘發以下問題：空腔僅被局域地使用，結果，增益介質中之飽和效應限制可獲得之絕對功率；且移動燃料材料小滴飛越雷射反撞至之初始觸發點，結果，下一反射不及最佳，此情形可導致逐漸形成不良之不對稱模式。
需要提供一種相比於已知輻射源為新穎且具創造性之輻射源及微影裝置。
根據本發明之一第一態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著一軌跡引導一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位；及一雷射，其經組態以將雷射輻射引導至該電漿形成部位以將該電漿形成部位處之該等燃 料小滴轉換成一電漿，其中該雷射包含一放大器及一光學器件，該光學器件經組態以界定用於傳遞通過該放大器之輻射之一發散光束路徑。
該雷射可經組態以當自該放大器所發射之光子藉由一燃料小滴沿著該發散光束路徑而反射時產生一雷射輻射脈衝。該雷射可包含經配置以反射藉由燃料小滴反射之光子之一空腔鏡，且該光學器件可提供於該放大器與該空腔鏡之間。
該放大器可包含複數個放大器腔室。該光學器件可提供於該空腔鏡與最接近於該空腔鏡之該放大器腔室之間。
在一第一實施例中，該光學器件包含一相位光柵。
在一第二實施例中，該光學器件包含一散射板。
該輻射源可進一步包含一收集器鏡，該收集器鏡經組態以收集及聚焦藉由用該等燃料小滴形成之該電漿產生之輻射。
藉由該等燃料小滴之轉換產生之該電漿較佳地為EUV輻射發射電漿。
該雷射輻射可具有介於約9微米與約11微米之間的一波長。
該噴嘴可經組態以發射燃料小滴以作為單小滴。或者，該噴嘴可經組態以發射燃料小滴以作為隨後聚結成小滴之燃料雲。
該等燃料小滴可包含Xe、Li或Sn，或由Xe、Li或Sn組成。
該雷射較佳地為一CO2雷射。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含本發明之前述態樣之輻射源，且該微影裝置進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
根據本發明之一第三態樣，提供一種方法，該方法包含自一噴嘴沿著一軌跡發射一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位，且使用一雷射以將雷射輻射引導至該電漿形成部位以將該電漿形成部位處之該等燃料小滴轉換成一電漿，其中該雷射包含一放大器及一光學器件，且該方法進一步包含使用該光學器件以界定用於傳遞通過該放大器之輻射之一發散光束路徑。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
根據下文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，類似 元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位進行指示。
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由此處所附加之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。
可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可藉由機器(例如，計算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體 (RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他元件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置100。該微影裝置包括根據本發明之一實施例的EUV輻射源。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡陣列之一實例使用小鏡之矩陣配置，該等小鏡中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡在藉由鏡矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉 真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射源之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。
舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此等狀況下，輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。可認為雷射及燃料供應物包含EUV輻射源。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整 器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡元件及琢面化光瞳鏡元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上，憑藉第二定位器PW及位置感測系統PS2(例如，使用干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測系統PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組之圍封結構220中。
雷射LA經配置以經由雷射光束205將雷射能量沈積至自燃料供應物200提供的諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中。此情形在電漿形成部位211處創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射輻射收集器CO收集及聚焦。雷射LA及燃料供應物200 可一起被認為包含EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
可提供第二雷射(圖中未繪示)，第二雷射經組態以在雷射光束205入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(DLP)源。
藉由輻射收集器CO反射之輻射聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡元件22及琢面化光瞳鏡元件24，琢面化場鏡元件22及琢面化光瞳鏡元件24經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射器件28、30而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
燃料小滴串流包含具有(例如)19微米之直徑、(例如)100公尺/秒之速度及(例如)1毫米之分離度的燃料小滴。此例示性速度及分離度與100千赫茲之頻率對應。因此，在此特定實例中，將具有19微米之直徑的燃料小滴以100千赫茲之頻率遞送至電漿形成部位。根據經由藉由雷射光束205(參見圖2)將燃料小滴轉換成電漿而有效率地產生EUV輻射之觀點，此情形可理想。
在此例示性實施例中，燃料小滴大小與燃料小滴頻率係相互聯繫的，且將均與小滴被排出所通過之噴嘴之直徑相聯繫。舉例而言，噴嘴之直徑可為3微米或更大。噴嘴之直徑可經選擇以提供具有所要直徑之燃料小滴(且因此提供所要體積之燃料材料)。可需要提供具有約20微米之直徑的燃料小滴。具有此直徑之燃料小滴足夠大以使得雷射光束205沒命中燃料小滴之風險極小，且足夠小以使得大多數燃料藉由該雷射光束轉換成電漿且歸因於未經汽化燃料材料之污染低。舉例而言，噴嘴可具有高達10微米之直徑。
舉例而言，噴嘴可具有一直徑，該直徑經由瑞立碎裂(Rayleigh break-up)而引起具有所要直徑之燃料小滴。或者，噴嘴可具有一直徑，該直徑引起較小燃料小滴，該等較小燃料小滴隨後聚結在一起以形成具有所要直徑之燃料小滴。
圖3示意性地描繪一先前技術雷射，該雷射可用作雷射LA以產生圖2所示之雷射輻射205。圖3之先前技術雷射LA包含具有兩個放大器腔室310及320之放大器300。放大器腔室310、320可各自包含沿著光束路徑330而定位之光學增益介質。雷射LA進一步包含波長選擇性空腔鏡340，例如，利特羅光柵(Littrov grating)，波長選擇性空腔鏡340經建構及配置以反射入射於空腔鏡340上之輻射而在相反方向上自光束路徑330上之一位置返回。舉例而言，空腔鏡340可為利特羅光柵、平坦鏡、彎曲鏡、相位共軛鏡或 角形反射體。
參看圖4，當燃料小滴400到達電漿形成位置時，來自放大器腔室310、320中之光學增益介質的自發發射光子410藉由小滴400散射。此等散射光子420中之一些被引導返回至放大器300中。此等光子420係藉由放大器300放大、藉由空腔鏡340反射(430)，且接著再次藉由放大器300放大，藉此產生雷射輻射光束205，雷射輻射光束205接著可與燃料小滴400相互作用以產生EUV輻射發射電漿。
雷射光束205可具有介於約9微米與約11微米之間的波長。可使用約10.6微米之波長，此係因為具有彼波長之輻射已被證明在產生EUV輻射發射電漿方面特別有效。舉例而言，放大器腔室310、320之光學增益介質可包含氦氣、氮氣與CO2氣體之混合物，或任何其他合適氣體組合。
與圖3及圖4所描繪之先前技術雷射相關聯之問題在於：累積之模式強烈地取決於初始觸發程序且限制於初始觸發程序周圍，此情形引起空腔僅被局域地使用(參見圖4中之卵圓形區段440)。此情形引起增益介質之飽和，其限制可獲得之絕對功率。另外，移動燃料材料小滴飛越雷射反撞至之初始觸發點，結果，下一反射不及最佳，此情形可導致逐漸形成不良之不對稱模式。
可藉由使用根據本發明之一態樣之實施例的輻射源LA來處理前述問題。圖5中描繪第一實施例，且圖6中描繪第二實施例。
圖5展示輻射源LA，其具有與圖3及圖4所示之先前技術 輻射源LA之配置相似的一般配置，但其中呈相位光柵500之形式之光學器件提供於「增益」放大器腔室310與空腔鏡340之間。相位光柵500經組態以便造成來自燃料小滴400之入射射線420自其另外線性路徑(圖中未繪示)發散(510)朝向空腔鏡340。發散射線510接著藉由空腔鏡340反射，以便遵循線性路徑520而返回朝向相位光柵500，於是發散射線510自其另外線性路徑進一步發散，以便遵循通過放大器300之複數個發散路徑450、460。由於相位光柵500造成射線遵循通過放大器之發散路徑，故雷射光束有效地加寬，以便在放大器300之腔室310、320中之一或多者中使用較大體積之增益介質(在圖5中被示意性地描繪為加寬卵圓形440')。以此方式，圖5所描繪的根據本發明之一態樣之第一實施例的雷射LA較不取決於初始雷射觸發脈衝，其提供具有較高輸出功率之更穩定光束。使用相位光柵亦會提供藉由控制光柵間距及其與雷射LA中之其他組件之分離度來最佳化光束加寬的機會。雖然光束之發散可引起某一位準之功率損失，但設想到，此功率損失將藉由顯著增加之功率增益充分地補償，該功率增益係藉由至少單獨地在腔室310中使用較大體積之增益介質而獲得。
圖6展示輻射源LA，其具有與圖5所示之輻射源LA之配置相似的配置，但其中相位光柵500已用呈散射板600之形式之光學器件予以替換。散射板600再次提供於「增益」放大器腔室310與空腔鏡340之間。相比於相位光柵500，散射板600經組態以便造成來自燃料小滴400之入射射線 420在較大程度上自其另外線性路徑(圖中未繪示)發散(510)朝向空腔鏡340。此外，吾人希望，相比於相位光柵，散射板600造成反射射線520返回朝向散射板600而行進以在較大程度上自反射射線520之另外線性路徑發散，使得該等射線遵循通過放大器300之較大數目個發散路徑450、460、610。結果，雷射光束再次有效地加寬，以便在放大器300之腔室310、320中之一或多者中使用較大體積之增益介質(在圖6中被示意性地描繪為加寬卵圓形440")，此情形提供與上文關於圖5所示之實施例所闡明之優點相似的優點。
在本發明之上述實施例中，燃料小滴之速度為100公尺/秒。燃料小滴可具備任何所要速度。可需要使燃料小滴具有高速度。此係因為：速度愈高，則燃料小滴之間的分離距離愈大(對於電漿形成部位處之給定燃料小滴遞送頻率)。較大分離度係理想的，此係因為其縮減如下風險：藉由前一燃料小滴產生之電漿與下一燃料小滴相互作用，從而(例如)造成彼燃料小滴之軌跡之修改。遞送至電漿形成部位之小滴之間的1毫米或更大之分離度可理想(但可使用任何分離度)。
小滴形成之時序可受到藉由壓電致動器對噴嘴之致動控制。因此，可藉由調整供應至壓電致動器之驅動信號之相位來調整小滴形成之時序。一控制器可經組態以調整燃料小滴之速度及/或小滴形成之時序。
燃料小滴速度、燃料小滴大小、燃料小滴分離度、儲集 器中之燃料壓力、藉由壓電致動器施加之調變頻率、噴嘴之直徑及開口之寬度的值僅僅為實例。可使用任何其他合適值。
在本發明之上述實施例中，燃料小滴為液體錫。然而，燃料小滴可由一或多種其他材料(例如，呈液體形式)形成。
舉例而言，藉由輻射源產生之輻射可為EUV輻射。舉例而言，EUV輻射可具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、LED、太陽能電池、光子元件，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質以使得，在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效者的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書 之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡元件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡元件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射器件
30‧‧‧反射器件
100‧‧‧微影裝置
200‧‧‧燃料供應物
205‧‧‧雷射光束/雷射輻射
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
211‧‧‧電漿形成部位
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
300‧‧‧放大器
310‧‧‧放大器腔室
320‧‧‧放大器腔室
330‧‧‧光束路徑
340‧‧‧波長選擇性空腔鏡
400‧‧‧燃料小滴
410‧‧‧自發發射光子
420‧‧‧散射光子/入射射線
430‧‧‧反射
440‧‧‧卵圓形區段
440'‧‧‧加寬卵圓形
440"‧‧‧加寬卵圓形
450‧‧‧發散路徑
460‧‧‧發散路徑
500‧‧‧相位光柵
510‧‧‧發散/發散射線
520‧‧‧線性路徑/反射射線
600‧‧‧散射板
610‧‧‧發散路徑
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧近正入射輻射收集器
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射/輻射源
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測系統
PS2‧‧‧位置感測系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一態樣的微影裝置。
圖2為包括LPP源收集器模組的圖1之裝置的更詳細視圖。
圖3示意性地描繪根據先前技術之輻射源。
圖4示意性地描繪圖3之輻射源之操作中的步驟。
圖5示意性地描繪根據本發明之一態樣之第一實施例的輻射源，及圖6示意性地描繪根據本發明之一態樣之第二實施例的輻射源。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡元件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡元件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射器件
30‧‧‧反射器件
100‧‧‧微影裝置
200‧‧‧燃料供應物
205‧‧‧雷射光束/雷射輻射
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
211‧‧‧電漿形成部位
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
CO‧‧‧近正入射輻射收集器
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射/輻射源
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種輻射源，其包含：一噴嘴，其經組態以沿著一軌跡引導一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位；及一雷射，其經組態以將雷射輻射引導至該電漿形成部位以將該電漿形成部位處之該等燃料小滴轉換成一電漿，該雷射輻射是例如具有介於約9微米與約11微米之間的一波長之輻射，其中該雷射包含一放大器及一光學器件，該光學器件經組態以界定用於傳遞通過該放大器之輻射之一發散光束路徑。
  2. 如請求項1之輻射源，其中該雷射經組態以當自該放大器所發射之光子藉由一燃料小滴沿著該發散光束路徑而反射時產生一雷射輻射脈衝。
  3. 如請求項2之輻射源，其中該雷射包含經配置以反射藉由燃料小滴反射之光子之一空腔鏡，且該光學器件提供於該放大器與該空腔鏡之間。
  4. 如前述請求項中任一項之輻射源，其中該放大器包含複數個放大器腔室。
  5. 如請求項4之輻射源，其中該光學器件提供於該空腔鏡與最接近於該空腔鏡之該放大器腔室之間。
  6. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該光學器件包含一相位光柵。
  7. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該光學器件包含 一散射板。
  8. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該輻射源進一步包含一收集器鏡，該收集器鏡經組態以收集及聚焦藉由用該等燃料小滴形成之該電漿產生之輻射。
  9. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中藉由該等燃料小滴之轉換產生之該電漿為極紫外線(EUV)輻射發射電漿。
  10. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該噴嘴經組態以發射燃料小滴以作為單小滴。
  11. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該噴嘴經組態以發射燃料小滴以作為隨後聚結成小滴之燃料雲。
  12. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該等燃料小滴包含Xe、Li或Sn，或由Xe、Li或Sn組成。
  13. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該雷射為一CO2雷射。
  14. 一種微影裝置，其包含：如前述請求項中任一項之輻射源；一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
  15. 一種方法，其包含：自一噴嘴沿著一軌跡發射一燃料小滴串流朝向一電漿形成部位，且使用一雷射以將雷射輻射引導至該電漿形成部位以將該電漿形成部位處之該等燃料小滴轉換成一電漿，其中該雷射包含一放大器及一光學器件；及使用該光學器件以界定用於傳遞通過該放大器之輻射之一發散光束路徑。
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