TWI644177B - 用於產生輻射之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種產生用於一微影裝置之輻射之方法。該方法包含：將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位處；及將一連續波激發光束引導於該電漿形成部位處，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。

Description

用於產生輻射之方法及裝置
本發明係關於一種用於產生輻射之方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影而製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷 特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射源可包括用於激發燃料以提供電漿之激發光束(諸如，雷射)，及用於含有電漿之圍封體。可(例如)藉由將雷射光束(亦即，提供輻射以用於起始電漿之激發光束)引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫，其當前被視為最有前途且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料之選擇)之小滴(亦即，小滴))處或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流處而創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為自電漿接收輻射且將輻射聚焦成光束之鏡像式正入射輻射收集器(有時被稱作近正入射輻射收集器)。輻射源可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封體或腔室，且通常，輻射收集器將位於該圍封體內。當使用雷射以提供激發輻射光束時，此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。在亦可使用雷射之用途之替代系統中，可藉由使用放電(放電產生電漿(DPP)源)而形成之電漿來產生輻射。
本申請案係關於輻射源，及產生輻射(特別是供微影中使用之EUV輻射)之方法，其中自藉由藉助於激發光束(其通常可為雷射光束 (諸如，紅外線雷射光束))對燃料進行激發而產生之電漿產生輻射。此等輻射源包括LPP輻射源，且出於簡潔起見，此源在下文中被稱作LPP輻射源，但應理解，激發光束未必限於雷射光束，且可使用任何其他合適激發光束(或激發光束之組合)。自電漿，輻射通常產生於輻射收集器之第一焦點處，且由輻射收集器聚焦以在第二焦點處形成影像。第二焦點常常被稱作中間焦點(intermediate focus)。
需要預防或減輕先前技術之至少一問題(無論在本文中抑或在別處予以識別)，或需要提供現有裝置或方法之替代例。詳言之，本發明之一目標尤其係提供用於以高功率自由激發光束激發至電漿之燃料產生輻射(諸如，EUV輻射)的方法及裝置。
LPP源之性質係使得通常需要縮減在電漿產生期間存在及循環於LPP源內之燃料的量，以便控制所產生之碎屑的量。碎屑產生於電漿產生期間，且可包含離子及快速移動顆粒物質。舉例而言，用於LPP源中之類型之正入射收集器特別易受由碎屑造成之損害，但用於LPP源內之其他組件亦易受由碎屑造成之損害。
另外，已需要增加被引導於燃料電漿形成部位處之激發光束之強度，而不增加用以產生該激發光束之功率。因而，激發光束在時間及空間兩者上聚焦。亦即，激發光束聚焦至相對小區域上，且以脈衝形式發射，而非以連續波形式發射。舉例而言，典型激發光束可提供40kHz至80kHz之脈衝，其中脈衝長度為大約100奈秒。
除了增加用於給定功率之輻照以外，經聚焦脈衝式激發光束之使用亦實現小滴燃料目標之使用。燃料小滴之使用允許對用於輻射源內之燃料之量的緊密控制。藉由使用較小量之燃料，可控制及/或縮減在電漿創製期間產生之碎屑的量。因此，脈衝式輻射及小滴燃料目標之同步組合協同地解決LPP源內之數個問題。因而，通常接受的 是，應在LPP輻射源中利用脈衝式激發光束及小滴燃料目標。
在已知LPP輻射源中，燃料小滴串流經配置以在穿過或靠近激發光束脈衝之焦點之軌跡中行進。隨著小滴穿越靠近焦點的激發光束脈衝之路徑，燃料小滴由經聚焦激發光束脈衝加熱至極高溫度，且形成具有燃料材料高能離子及電子之電漿。在該電漿中，燃料材料原子被剝奪其外部電子。隨著電子返回至離子，發射EUV輻射光子。激發光束脈衝入射於燃料上所處之點可被稱作電漿形成部位。
在典型配置中，燃料小滴可為約略球形熔融小滴(例如，錫小滴)，其中直徑為約30微米，其中經聚焦激發源(通常為紅外線雷射光束)之腰部在其焦點處之直徑為60微米至450微米。小滴通常係以介於40kHz至80kHz之頻率而產生，且以通常為自40m/s至120m/s之速度被引導朝向脈衝式激發光束之經聚焦區。
為了增加輻射源之輸出功率，已探索數種途徑：可藉由使用雷射預脈衝將燃料粒子塑形為餅形形狀而增加轉換效率。然而，需要能夠使用呈燃料粒子之存在觸發激發光束以進行脈動之配置的熔融燃料小滴之閃亮表面。此配置可被稱作NoMo配置(無主控振盪器(No Master oscillator))。在此NoMo配置中，相比於球形小滴，餅狀小滴較不適合用作觸發器。又，額外度量衡將為餅形配置所必要，以便維持穿過或靠近輻射收集器之第一焦點之小滴串流軌跡且量測燃料小滴之位置，以便觸發預脈衝雷射及主激發光束兩者。
亦可藉由增加燃料小滴大小而增加輻射輸出。然而，較大燃料小滴可未必被完全地加熱或激發至適當離子化溫度以導致完全汽化及電漿產生，且此情形可導致形成額外碎屑小滴以污染輻射源及輻射收集器光學件之內部。
亦可藉由增加每激發輻射脈衝之能量而增加輻射輸出。然而，能量增加導致燃料小滴之輻照增加，且因此導致電漿過熱。此情形又 導致轉換效率縮減。為了避免過熱，可增加燃料小滴之大小。若燃料小滴增加得過多，則此情形可引起上文所描述之不完全汽化之缺點。另外，燃料小滴之大小增加引起電漿大小增加及對應光展量增加，從而在輻射收集器之中間焦點處造成影像大小之不良增加。若影像大小過大，則影像可不再適合用於微影裝置之剩餘載物台中。
亦可藉由如下方式來潛在地增加輻射輸出；增加燃料串流中之燃料粒子速度及燃料粒子頻率兩者以便增加總燃料消耗率，同時在激發光束焦點處使小滴之間的分離距離維持足夠大以避免經產生電漿使後續燃料小滴偏離其路徑。然而，維持通過噴嘴之流動所需要之壓力係與通過噴嘴之速度的平方成比例，因此，使燃料串流速度加倍將會需要四倍之壓力。此等高壓力可導致燃料串流產生裝置之壽命縮短或發生故障。
較高射流速度亦引起發生聚結所遍及之區之長度增加，且此情形可在串流中引起較大數目個未聚結附屬小滴，從而造成經產生輻射光束之非均質性。
在空間上天生自由之燃料小滴特別易受與自先前燃料小滴創製之電漿及碎屑之相互作用。此等相互作用可導致燃料小滴計時變化。另外，由各別雷射脈衝及各別燃料小滴產生之電漿可以不可預測之方式而變化，從而導致不可預測之燃料小滴計時變化。燃料小滴計時變化可導致在準確地計時各別雷射脈衝方面之困難。為了改良各別激發光束脈衝射中各別小滴之準確度，已提議複合小滴及脈衝計時機制。
雖然以上途徑已引起由LPP輻射源輸出之功率增加，但需要提供用於在功率仍較高之情況下但在與此增加功率產生相關聯之先前問題縮減之情況下(例如，相比於增加經產生輻射功率之先前技術方式)產生諸如EUV輻射之輻射的方法及裝置。
貫穿本說明書，術語「包含」意謂包括所指定之組份，但不應 排除其他組份之存在。術語「基本上由......組成」意謂包括所指定之組份，但排除其他組份，惟作為雜質而存在之材料、由於用以提供該等組份之程序而存在之不可避免材料及出於除了達成本發明之技術效應以外之目的而添加之組份除外。只要適當，術語「包含」之使用就亦可被視為包括「基本上由......組成」之涵義，且亦可被視為包括「由......組成」之涵義。
如本文所闡明之選用及/或較佳特徵可在適當時個別地抑或彼此組合地且特別是以如隨附申請專利範圍所闡明之組合而使用。用於本文所闡明之本發明之每一態樣的選用及/或較佳特徵亦在適當時適用於本發明之任何其他態樣。
根據本發明之一第一態樣，提供一種產生用於一微影裝置之輻射之方法，該方法包含：將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位處；將一連續波激發光束引導於該電漿形成部位處，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
藉由組合地提供一連續波激發光束及一連續再生燃料目標兩者，已認識到，可克服先前技術中遭遇之許多問題。舉例而言，可克服在嘗試增加小滴燃料目標及脈衝式激發光束輻射產生器中產生之輻射強度時遭遇之問題。另外，已意外地發現，當組合地提供一連續波激發光束及一連續再生燃料目標兩者時，會預防及/或減輕長久以來據信為需要小滴燃料目標及脈衝式激發光束之問題。
提供一連續再生燃料目標可包含將一射流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續，該射流包含用於產生該輻射產生電漿之一燃料，且該射流與該電漿形成部位至少部分地相交。
該連續再生燃料目標可由一旋轉本體提供，該旋轉本體經配置 以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
該旋轉本體可為一旋轉圓盤。
該燃料儲集器可為一液體燃料浴槽。該旋轉本體可旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該旋轉本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
該連續激發光束可為由一連續波雷射提供之一連續波雷射光束。
該連續波雷射可經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
該第二反射器可由該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面提供。該連續再生燃料目標之該表面可為一實質上平面表面及/或實質上反射表面。
該連續波雷射可為包含至少一放大腔室之一氣體雷射。若該氣體雷射包含複數個放大腔室，則該等放大腔室中每一者可維持於實質上相同壓力。此情形相比於包含複數個放大腔室的先前技術之脈衝式雷射特別有利，此係因為需要使每一放大腔室維持於一不同壓力。
自該輻射產生電漿產生之輻射可由呈一掠入射收集器或一正入射收集器之形式之一輻射收集器收集。
自該輻射產生電漿產生之碎屑可由一旋轉箔片截留器減輕。更通常，輻射源可包含呈一或多個污染物截留器之形式之一碎屑減輕器件，以便縮減碎屑在該輻射源內及/或至該微影裝置之其他部件之傳播。此等污染物截留器可包含一旋轉箔片截留器、一靜態箔片截留器或一氣體障壁中之一或多者。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影方法，該微影方法包含：根據如前述技術方案中任一項之方法而產生輻射；及使用該經產生輻射以將一圖案施加至一基板。
根據本發明之一第三態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生燃料目標提供於電漿形成部位處；一激發光束源，其經配置以將一連續波激發光束引導至該電漿形成部位，使得在使用時該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
該燃料目標產生器可包含一噴嘴以用於將一射流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續且包含用於產生該輻射產生電漿之燃料。該連續再生燃料目標可為該電漿形成部位處之該射流之一部分。
該燃料目標產生器可包含一本體，該本體經配置以旋轉以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
該本體可為一圓盤。
該燃料儲集器可包含一液體燃料浴槽，且該本體可經配置以旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
該激發光束源可包含一連續波雷射，該連續波雷射經配置以提供呈一連續波雷射光束之形式之該連續激發光束。
該連續波雷射可經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
該連續波雷射可包含該第一反射器，且可經配置以使用該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面作為該第二反射器。舉例而言，若該連續波雷射被認為是該輻射源之一隔離式組件，則該連續波雷射可包含用於創製一光學諧振器之一單一反射器。該燃料可為諸如熔融錫之一熔融金屬。熔融錫提供對於產生EUV輻射高度地有效率之一燃料源，且提供一反射表面以允許該連續再生燃料目標充當該第二反射器。
該輻射源可進一步包含一輻射收集器以用於收集由該輻射產生電漿產生之輻射。舉例而言，該輻射收集器可為一掠入射收集器或一正入射收集器。該輻射收集器可採取任何其他適當形式。
該輻射源可進一步包含碎屑減輕構件。舉例而言，該碎屑減輕構件可包含一旋轉箔片截留器。或者或另外，該碎屑減輕構件包含諸如一靜態箔片截留器或一氣體障壁之其他組件。
根據本發明之一第四態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含或結合該第三態樣之輻射源。
該微影裝置可進一步包含：一照明系統，其經組態以調節由該輻射產生電漿產生之該輻射以形成一經調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
根據本發明之一第五態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：使用該第一態樣之方法來產生輻射；及使用該第四態樣之微影裝置以圖案化一基板。該輻射較佳地為EUV輻射。
就連續再生燃料目標而言，應理解，燃料不以離散封包形式提供至電漿形成部位。舉例而言，不以小滴或離散粒子形式提供燃料。舉例而言，連續再生燃料目標係使得對於連續激發光束之操作持續時間，燃料在電漿形成部位處再生而無破裂。應瞭解，在連續激發光束未操作時(例如，在輻射源之清潔或維護期間)，連續再生燃料目標亦可停止。在本發明之一些實施例中，當連續激發光束停止時，可繼續提供連續再生燃料目標(例如，在燃料為諸如熔融錫之熔融金屬時)，以便防止燃料之凝固。
根據本發明之一第六態樣，提供一種裝置，該裝置包含：一激 發光束源，其經配置以將複數個激發光束引導於一目標部位處以在該目標部位處形成一第一合併激發光束；其中該激發光束源包含至少一相位調整器以用於調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
此情形具有如下優點：可經由控制該相位調整器而控制該第一合併激發光束之品質。
該裝置可為一輻射源。
該複數個激發光束可包含具有相同波長之複數個雷射光束。
該激發光束源可包含一第一感測器配置，該第一感測器配置經組態以量測一第一屬性，該第一屬性為輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性。該第一屬性可由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位至少部分地判定。以此方式，可基於由該第一感測器配置提供之回饋而更準確地調整該至少一激發光束之該相位。
該第一感測器配置可包含一第一光學元件，該第一光學元件經配置以引導該複數個激發光束中至少兩者之各別部分以形成一第二合併激發光束。輻射之該第一部分可為該第二合併激發光束。該第一屬性可指示該第一合併激發光束之一強度、該第一合併激發光束之一位置、該合併激發光束之一焦點及該合併激發光束之一干涉圖案中至少一者。此情形具有如下優點：該第一部分針對該第一合併激發光束之該等屬性提供一代理。
該裝置可進一步包含一控制器，其中該第一感測器配置將一第一感測器信號提供至該控制器；且其中該控制器經組態以至少部分地基於該第一感測器信號而控制該至少一相位調整器。
該裝置可進一步包含一第二感測器配置，該第二感測器配置經 組態以量測一第二屬性，該第二屬性為輻射之至少一第二部分之一屬性，該第二屬性指示一第三屬性，該第三屬性為該複數個激發光束中至少一者之一屬性。一第二感測器之佈建可提供該相位調整器之更準確控制。
該第二感測器配置可經組態以量測用於該複數個激發光束中每一者之一第二屬性。以此方式，可使該第二感測器且因此使該等激發光束之一相位之控制更準確。
該第三屬性可為該複數個激發光束中該至少一者之一相位。
該裝置可進一步包含一第二控制器；其中該第二感測器配置將一第二感測器信號提供至該第二控制器；且其中該第二控制器經組態以至少部分地基於該第二感測器信號而控制該至少一相位調整器。該第二控制器可由該第一控制器提供。
該第一感測器配置及/或該第二感測器配置可包含一光電二極體、一分裂光電二極體、一電荷耦合器件陣列及一主動式像素感測器中至少一者。
該至少一相位調整器可包含用於該複數個激發光束中每一者之一各別相位調整器。
該激發光束源可包含至少一聚焦元件，該至少一聚焦元件經組態以將該複數個激發光束引導至該電漿形成部位。該至少一相位調整器可包含用於使該複數個激發光束中至少一者之一源與該至少一聚焦元件之間的一路徑長度變化之構件。
該裝置可進一步包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一燃料目標提供於該目標部位處，使得在使用時該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿。以此方式，以上態樣之有利裝置可用以提供可用於一微影裝置內之一輻射源(諸如，一EUV輻射源)。
根據一第七態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含或結合該等以上態樣中之一或多者。
該微影裝置可包含：一照明系統，其經組態以調節由該輻射產生電漿產生之該輻射以形成一經調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
根據本發明之一第八態樣，提供一種產生用於一微影裝置之輻射之方法，該方法包含：將一燃料目標提供於一電漿形成部位處；將複數個激發光束引導於一電漿形成部位處以在該電漿形成部位處形成一第一合併激發光束，使得該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿；調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
調整該複數個激發光束中至少一者之一相位可包含調整該複數個激發光束中至少一者之一相位，使得該複數個激發光束中每一者相干地合併於該第一合併激發光束中。
該方法可進一步包含在一第一感測器配置處量測一第一屬性，該第一屬性為輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性；其中由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位至少部分地判定該第一屬性。
該方法可進一步包含引導該複數個激發光束中至少兩者之各別部分以形成一第二合併激發光束，其中輻射之該第一部分為該第二合併激發光束。
該第一屬性可指示該第一合併激發光束之一強度、該第一合併 激發光束之一位置、該第一合併激發光束之一焦點及該合併激發光束之一干涉圖案中至少一者。
該方法可進一步包含：自該第一感測器配置接收一第一感測器信號；及基於該第一感測器信號而調整該至少一相位調整器。
該方法可進一步包含在一第二感測器配置處量測一第三屬性，該第三屬性為輻射之至少一第二部分之一屬性，該第三屬性指示一第四屬性，該第四屬性為該複數個激發光束中至少一者之一屬性。
在一第二感測器配置處量測可包含針對該複數個激發光束中每一者量測輻射之一各別第二部分之一第三屬性。
該第三屬性可指示該複數個激發光束中該至少一者之一相位。
調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發中至少一其他者之一相位可包含調整用於該複數個激發光束中每一者之一各別相位調整器之一相位。
調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位可包含使該複數個激發光束中至少一者之一源與至少一聚焦元件之間的一路徑長度變化，該至少一聚焦元件經配置以將該複數個激發光束引導至該電漿形成部位。
根據本發明之一第九態樣，提供一種微影方法，該微影方法包含：根據上文所描述之方法態樣中任一者而產生輻射；及使用該經產生輻射以將一圖案施加至一基板。
在對於熟習此項技術者適當時，本發明之一或多個態樣可與本文所描述之任何一或多個其他態樣進行組合，及/或與本文所描述之任何一或多個特徵進行組合。
2‧‧‧圍封結構
4‧‧‧連續波雷射
6‧‧‧連續波雷射光束
8‧‧‧燃料射流產生器/燃料串流產生器
9‧‧‧燃料射流截留器
10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
12‧‧‧電漿形成部位
14‧‧‧近正入射輻射收集器
16‧‧‧第二焦點/中間焦點
18‧‧‧開口
20‧‧‧琢面化場鏡面器件
22‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
24‧‧‧經圖案化光束
26‧‧‧反射元件
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧CO2雷射/脈衝式雷射
31‧‧‧窗口
32‧‧‧窗口
33‧‧‧窗口
34‧‧‧種子雷射光束脈衝
35‧‧‧聚焦光學件
36‧‧‧燃料目標
37‧‧‧路徑
41‧‧‧鏡面
42‧‧‧部分反射輸出耦合器/窗口
43‧‧‧傳播方向
44‧‧‧傳播方向
46‧‧‧傳播方向
50‧‧‧燃料射流
51‧‧‧噴嘴
53‧‧‧燃料泵
60‧‧‧燃料浴槽
61‧‧‧圓盤
62‧‧‧軸線
63‧‧‧掠入射收集器
64‧‧‧碎屑減輕器件/反射器
65‧‧‧鏡面
70‧‧‧雷射配置
70'‧‧‧雷射配置
71‧‧‧種子雷射
72‧‧‧種子雷射光束
73‧‧‧光束分裂器
74‧‧‧雷射光束
75‧‧‧相位調整器
76‧‧‧經調變雷射光束
77‧‧‧放大器
78‧‧‧控制器
79‧‧‧雷射調節組件
80‧‧‧聚焦元件
81‧‧‧目標點
82‧‧‧光束分裂器
83‧‧‧輻射之第一部分
84‧‧‧第二聚焦元件
85‧‧‧第一感測器
86‧‧‧信號
91‧‧‧象限
92‧‧‧象限
93‧‧‧象限
94‧‧‧象限
95‧‧‧雷射光點
201‧‧‧多層鏡面
202‧‧‧第一部分
203‧‧‧第二部分
204‧‧‧矽層
205‧‧‧類金剛石碳層/碳化硼層
206‧‧‧鉬層
207‧‧‧氮化矽層
208‧‧‧基板
212‧‧‧罩蓋層
400‧‧‧光束分裂器
401‧‧‧輻射之第二部分/光束
402‧‧‧第二感測器
403‧‧‧信號
500‧‧‧雷射配置
511‧‧‧種子雷射
512‧‧‧光束分裂器
513‧‧‧放大腔室
514‧‧‧雷射光束
515‧‧‧光學元件
516‧‧‧平台
517‧‧‧光學元件
518‧‧‧聚焦元件
519‧‧‧光學元件
520‧‧‧雷射光束之部分
521‧‧‧傾斜感測器
522‧‧‧光學元件
523‧‧‧相對波前感測器
524‧‧‧參考雷射
525‧‧‧光學元件
526‧‧‧準直感測器
B‧‧‧輻射光束/輻射
C‧‧‧目標部分
IL‧‧‧照明系統/照明器
LAP‧‧‧微影裝置
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PA1‧‧‧放大器腔室
PA2‧‧‧放大器腔室
PA3‧‧‧放大器腔室
PA4‧‧‧放大器腔室
PA5‧‧‧放大器腔室
PA6‧‧‧放大器腔室
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中： 圖1為根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性說明；圖2為根據本發明之一實施例的圖1之裝置的更詳細示意性說明，該裝置包括包含正入射輻射收集器之LPP輻射源；圖3為用於先前技術LPP輻射源中之脈衝式雷射的示意性說明；圖4為根據本發明之一實施例的供LPP輻射源中使用之連續波雷射的示意性說明；圖5為根據本發明之一實施例的供LPP輻射源中使用之替代連續波雷射的示意性說明；圖6為更詳細地展示圖5之LPP輻射源之部件的示意性說明；圖7為根據本發明之不同實施例的圖1之裝置的示意性說明，該裝置包括包含掠入射輻射收集器之LPP輻射源；圖8為圖7之裝置之替代組態的示意性說明；圖9示意性地描繪根據本發明之另一實施例之雷射配置；圖10A、圖10B示意性地描繪供圖9之雷射配置中使用之第一感測器的使用；圖11示意性地描繪根據本發明之另一實施例之雷射配置；圖12示意性地描繪根據本發明之另一實施例之雷射配置；圖13示意性地描繪圖1之微影裝置之多層鏡面；圖14為展示在頂部上具有Si3N4層之多層鏡面之反射率的曲線圖；圖15為展示圖13之多層鏡面之實施例之反射率的曲線圖；圖16描繪圖13之多層鏡面之實施例；及圖17描繪圖16之多層鏡面之實施例的修改。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時闡述之【實施方式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或 結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。
本說明書揭示併入本發明之特徵之實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括輻射源SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經配置以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經配置以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經配置以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經配置以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及 其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收極紫外輻射光束。用以產生 EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流、叢集或射流)而產生所需電漿。
輻射源SO可為EUV輻射系統之部件，EUV輻射系統包括用於產生燃料串流之燃料串流產生器，及/或用於提供雷射光束以用於激發燃料之雷射(該兩者皆未在圖1中被展示)。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於輻射源中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及/或燃料串流產生器以及收集器模組(常常被稱作輻射源)可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至輻射源。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為輻射源之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定 位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性而判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示根據本發明之一態樣之微影裝置LAP，其包括 輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS。輻射源SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於輻射源之圍封結構2中。
雷射4經配置以經由雷射光束6而將雷射能量沈積至自呈燃料射流產生器8之形式之燃料串流產生器提供的燃料(諸如，錫(Sn)或鋰(Li))中。液體(亦即，熔融)錫或呈液體形式之另一金屬當前被視為最有前途，且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料之選擇。燃料射流截留器9經配置以收納在電漿創製期間未消耗之燃料。雷射能量至燃料中之沈積在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿10發射、由近正入射輻射收集器14(有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器14可具有多層結構，例如，經調諧以使特定波長之輻射(例如，特定EUV波長之輻射)反射、更易於反射或優先地反射之多層結構。收集器14可具有橢圓形組態，該橢圓形組態具有兩個自然橢圓焦點。一個焦點將處於電漿形成部位12，且另一焦點將處於下文所論述之中間焦點。
雷射4及/或輻射源及/或收集器14可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。圍封結構2中之收集器14可形成輻射源之部件(在此實例中)。
儘管圖中未繪示，但燃料射流產生器8將包含或結合經配置以沿著朝向電漿形成部位12之軌跡引導燃料之噴嘴。
由輻射收集器14反射之輻射B經聚焦以在輻射收集器之第二焦點16處形成影像。第二焦點16通常被稱作中間焦點，且輻射源SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。輻射發射電漿10之影像形成於中間焦點16處。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳 鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束B之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
通常，比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如上文所描述，雖然已對脈衝式雷射及小滴燃料目標之組合進行眾多改良，且對脈衝式雷射及小滴燃料目標之組合之研究繼續，但本發明之實施例係關於連續波雷射及在電漿形成部位處連續地再生之燃料目標的使用。因而，在本發明之實施例中，圖2之雷射4為經配置成使得雷射光束6為連續光束之連續波雷射。亦即，雷射4未經配置成提供脈衝式雷射光束。雖然此情形為與脈衝式雷射在用於EUV微影機器之輻射源中之可接受使用的意外脫離，但本發明之發明人已認識到，連續波雷射之使用提供數個優點。通常，在用於供微影裝置使用之EUV輻射源中之先前技術脈衝式雷射中，將「種子(seed)」雷射光束發射至串聯地連接之第一複數個放大器腔室中。該等放大器腔室中每一者含有一光學增益介質(optical gain medium)，種子雷射光束行進通過該光學增益介質以按所要量循序地增加雷射光束之脈衝之輸出功率。隨著雷射光束之功率在每一載物台處增加，每一放大器腔室具有不同輸入及輸出要求，且因此必須含有包含維持於不同壓力之不同氣體混合物之光學增益介質。
圖3示意性地說明經配置以提供脈衝式雷射光束之先前技術CO2雷射30。雷射30包含三個放大器腔室PA1、PA2、PA3。如上文所論 述，放大器腔室PA1、PA2、PA3中每一者包含一不同光學增益介質且需要維持於各別壓力。為了使每一放大器腔室PA1、PA2、PA3維持於其各別壓力，使每一放大器腔室彼此分離且與周圍環境分離。詳言之，放大器腔室PA1及PA2係藉由窗口31而分離，而放大器腔室PA2及PA3係藉由窗口32而分離。放大器腔室PA3係藉由窗口33而與其周圍環境(例如，輻射源SO)分離。
在操作中，將種子雷射光束脈衝34提供至放大器腔室PA1中，其中種子雷射光束脈衝34與放大器腔室PA1內之光學增益介質相互作用，藉此藉由受激發射而增加功率。藉由控制腔室PA1、PA2、PA3中每一者內之光學增益介質以及雷射光束脈衝34之路徑，雷射光束脈衝34前進通過放大器腔室PA1、PA2及PA3而以所要功率通過窗口33而射出。由聚焦光學件35引導雷射光束脈衝34至燃料目標36上。對於具有40kW之最大功率之雷射，每一雷射光束脈衝聚焦至大約300微米之區域上以達成大約2×1010W/cm2之所要輻照度。圖3中之箭頭37說明由每一離散雷射光束脈衝通過雷射30至燃料目標36而採取之路徑。
雷射30內之高量輻射可引起窗口31、32、33變形及劣化。因而，雷射30之壽命可縮減，而成本(由於對進行修復之需要，且由於在從事此等修復時的微影機器之「停機時間(downtime)」)增加。另外，因為脈衝式雷射30經配置以在單一方向上引導激發脈衝(亦即，該等脈衝在單一方向上於放大器腔室內傳播)，所以背向反射(其可發生於(例如)放大腔室與窗口31、32、33之間的界面處，或自燃料目標36之反射表面發生)在可被稱作「增益剝奪(gain stripping)」之程序中引起關於光學增益介質之額外非想要行為。此情形引起可用於後續脈衝之光學增益介質的量縮減。
圖4示意性地說明根據本發明之一實施例的圖2之雷射4之實例組態。在圖4之組態中，雷射4包含CO2雷射，CO2雷射在鏡面41與部分 反射輸出耦合器42之間包含三個放大器腔室PA4、PA5、PA6(但應瞭解，可提供任何數目個額外或更少放大器腔室)，鏡面41及部分反射輸出耦合器42一起形成一光學諧振器。腔室PA4、PA5、PA6中每一者可包含由相同氣體混合物構成之光學增益介質，且因此可維持於相同壓力。單一窗口42使雷射4與輻射源SO之剩餘部分分離。在使用時，在雷射4內發射之光子在鏡面41、42之間行進通過放大器腔室PA4、PA5、PA6，從而增加功率(經由與光學增益介質之相互作用)直至達到所要臨限功率為止，在此臨限功率下，雷射光之部分通過窗口41而射出雷射4。箭頭43說明光子在雷射光束6內於鏡面41與輸出耦合器42之間的傳播。箭頭44說明雷射4之輸出光束朝向聚焦光學件35及燃料目標36的傳播。
圖5示意性地描繪供圖1及圖2之輻射源SO使用的雷射4之替代實例。在圖5之組態中，雷射4係相似於圖4之雷射4而配置，其中類似組件具備相同元件符號。然而，在圖5之雷射4中，燃料目標36之反射表面充當第二鏡面，以代替部分反射輸出耦合器42。亦即，燃料目標36及鏡面41一起提供光學諧振器。以此方式，避免對提供分離輸出耦合器之需要，類似於窗口42，該分離輸出耦合器經受相對高輻射位準且因此可隨著時間推移而劣化。箭頭46說明雷射在鏡面41與燃料目標36之間及再次返回的傳播。
在圖4及圖5兩者之組態中，無需使腔室PA4、PA5、PA6彼此分離，此係因為其可維持於相同壓力。因為腔室PA4、PA5、PA6無需藉由可劣化及變形之窗口而分離，所以雷射4之壽命相比於雷射30可被改良。另外，相比於雷射30，不存在使放大器腔室分離之窗口會使雷射4之修復更直接。相比於雷射30，雷射4亦較不易受來自背向反射之妨礙，且尤其較不易受增益剝奪。
因為參看圖4及圖5所描述之雷射為連續波雷射，所以連續雷射 光束相比於由圖3之雷射產生之雷射脈衝更窄地聚焦，以便在電漿形成部位處達到所需輻照。舉例而言，對於具有100kW之功率之連續波雷射4，雷射光束6可聚焦至具有大約100微米之直徑之區域以達成大約2×1010W/cm2之輻照度。雖然有必要相比於通常為針對脈衝式雷射光束之狀況更窄地聚焦連續波雷射光束6，但此情形提供較小電漿直徑10且因此在中間焦點16處提供有益較小光展量。
圖6更詳細地示意性地說明根據本發明之一實施例的圖2之輻射源SO。在圖6之實施例中，燃料串流產生器8經配置以自噴嘴51提供射流50，而非提供呈小滴形式之燃料，射流50在噴嘴51與燃料射流截留器9之間連續(亦即，不由複數個小滴形成)。舉例而言，噴嘴51可包含鎢、鉬，或其合金。噴嘴可抵抗由錫碎屑造成之損害，且可允許高操作溫度(例如，高達1000℃)。可需要高操作溫度之容許度以防止可由在電漿形成部位附近經歷之高溫引起的噴嘴51之降級。或者或另外，噴嘴51可經塗佈有諸如錫塗層之拋棄式塗層。此外，電漿形成部位可經選擇成與噴嘴51相隔最小距離。舉例而言，電漿形成部位可與噴嘴51相隔10毫米之最小值，使得來自在電漿形成部位處產生之電漿之熱以及錫碎屑之能量在某種程度上已耗散於噴嘴51之部位處。
燃料射流截留器9經配置以收納未消耗燃料(亦即，未由雷射光束6轉換成電漿狀態之燃料)。到達燃料射流截留器9之未消耗燃料可經由燃料泵53而再循環至燃料射流產生器8。在替代實施例中，由燃料射流截留器9俘獲之燃料可在輻射源SO外部被處理，之後在輻射源SO內再循環。收集器14被展示為正入射收集器，但在其他實施例中可為掠入射收集器或任何其他合適形式之收集器。
射流50係以足以將新燃料連續地供應於電漿形成部位處之速率而自噴嘴51噴出。通常，射流速率通常可在25m/s與100m/s之範圍內，但確切射流速率將取決於電漿形成部位處之燃料射流之所要大 小。為了維持射流50之連續性質，可使該射流形成有確保經產生電漿不會燒穿射流50之尺寸。
另外，藉由使用諸如燃料射流50之連續再生燃料目標，藉由未消耗燃料至燃料射流截留器9之輸送而有效率地移除由連續波雷射光束6連續地產生之熱。因此，連續波雷射光束6與連續再生燃料目標之組合協同地解決在提供用於微影機器之經產生EUV輻射之功率增加方面的數個問題，且此外，藉由在改良脈衝式雷射之品質、小滴串流產生器之品質及/或脈衝式雷射被引導朝向小滴燃料目標之準確度的領域中偏離先前所接受途徑而解決該等問題。
圖7更詳細地示意性地描繪根據不同於圖2所展示之實施例之替代實施例的微影裝置LAP。惟輻射源SO除外，圖7之微影裝置LAP皆對應於圖2所展示之微影裝置LAP，且類似組件已具備類似元件符號。不同於圖2之實施例，連續再生燃料目標未由燃料射流目標提供。在圖7之實施例中，輻射源SO包含含有液體燃料(例如，液體錫)之燃料浴槽60。圓盤61經配置以圍繞軸線62而旋轉，其中圓盤61之邊緣之部分浸沒於燃料浴槽60中。隨著圓盤61旋轉，薄液體燃料層圍繞圓盤61之邊緣而沈積，藉此在電漿形成部位12處圍繞圓盤61之邊緣創製連續再生燃料目標。
雷射4經配置以將雷射能量經由雷射光束6而在電漿形成部位12處沈積至連續再生燃料目標上。雷射能量圍繞圓盤61之邊緣至液體燃料層中的沈積在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿10發射，且由定位於電漿形成部位12前方之掠入射收集器63收集及聚焦。掠入射收集器63為具有複數個掠入射反射器之巢套式收集器，該複數個掠入射反射器經安置成圍繞光軸O軸向地對稱。
碎屑減輕器件64提供於電漿形成部位與掠入射收集器63之間。在所說明實施例中，碎屑減輕器件採取旋轉箔片截留器之形式。該旋轉箔片截留器包含複數個葉片，該複數個葉片係圍繞實質上平行於由電漿10處之電漿產生之EUV輻射之光軸O的中心軸線而配置。該等葉片可藉由馬達(圖中未繪示)以足以俘獲藉由電漿10之創製而產生之粒子碎屑的速率圍繞軸線而旋轉，藉此防止經俘獲碎屑衝擊輻射源SO之掠入射收集器63及其他組件以及微影裝置LAP之其他下游組件。由於該旋轉，經俘獲碎屑可噴向碎屑捕捉器(圖中未繪示)。
由反射器64將由輻射收集器14反射之輻射B反射及聚焦至中間焦點16。
如上文參看圖2所論述，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束B之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
應瞭解，雖然雷射4在圖7之實施例中被描繪為直接地處於電漿形成部位12上方，但雷射4可置放於任何方便部位中。舉例而言，圖8說明一替代實施例，其中雷射4經配置以將連續波雷射光束6引導於定位於掠入射收集器與鏡面64之間的鏡面處，鏡面65經調適以將雷射引導及聚焦回至圓盤61。因而，雷射光束6之傳播方向平行於圓盤61之旋轉軸線，而非垂直於圓盤61之旋轉軸線62，使得雷射光束6在垂直於該旋轉軸線之平面中入射於圓盤61上。在此組態中，經產生電漿在與EUV輻射之所要傳播方向相對的方向上受到雷射光束6所入射的圓 盤61之面至少部分地約束。
雖然諸如旋轉箔片截留器之碎屑減輕器件可吸收由電漿10產生之EUV輻射之部分，但容許較大量之碎屑之能力允許使用較大量之燃料及更強大之雷射。舉例而言，可經組態以提供40kW脈衝式雷射光束之雷射可經組態以在無實質修改的情況下提供80kW連續波雷射光束。連續再生燃料目標(諸如，射流或旋轉圓盤)之使用允許雷射更有效地用於連續波模式中，且藉此提供由該雷射輸出之功率相比於脈衝式光束等效雷射之此增加。已發現，諸如旋轉箔片截留器之碎屑減輕器件不吸收藉由將連續波雷射與連續再生燃料目標進行組合而達成之EUV輻射增加之全部。因而，可經由使用入射於連續再生燃料目標上之連續波雷射而提供EUV輻射之淨增加，即使在使用碎屑減輕器件之實施例中亦如此。
上文參考一實施例所描述之組件可與參看另一實施例所描述之組件進行組合。舉例而言，雖然上文未參考圖2之實施例來描述碎屑減輕器件，但應瞭解，可結合圖2所展示之組件而提供任何合適碎屑減輕器件。舉例而言，可提供旋轉箔片截留器、靜態箔片截留器或氣體障壁。相似地，雖然圖2之實施例利用正入射收集器14，但應理解，包括掠入射收集器之任何合適收集器可與圖2之實施例一起使用。
亦即，儘管提供連續再生燃料目標(無論藉由連續射流、旋轉圓盤抑或其他)，但可使用輻射收集器、碎屑減輕器件及光學組件之任何組合。
應進一步瞭解，雖然在上文所描述之實施例中雷射4為CO2雷射，但可使用任何適當雷射。舉例而言，在本發明之一些實施例中，可使用其他氣體雷射，但在本發明之其他實施例中，可使用諸如YAG雷射之固態雷射。
相比於包含經配置以提供小滴目標之燃料串流產生器之輻射源，射流目標之使用要求遍及給定週期而抽汲顯著較大體積之液體燃料。因而，在可縮減諸如燃料射流產生器8、燃料射流截留器9及燃料泵53之組件之操作溫度的情況下對此等組件之操作及耐久性可有益。因此，可針對較低溫度操作而選擇用以形成射流之燃料之組合物。舉例而言，燃料可為共晶合金。舉例而言，包含錫及鎵之合金或錫及銦之合金的燃料可允許室溫操作。
在本發明之一些實施例中，複數個雷射光束可被引導於燃料目標處，以便增加入射於燃料目標上之輻射之功率。藉由增加入射於燃料目標上之輻射之功率，可提供具有較大功率之EUV輻射。作為一實例，為了在燃料目標處提供300kW之雷射功率，可將各自具有10kW之各別功率的三十個雷射進行組合。然而，若每一雷射具有相同波長，則所得光束腰部經受干涉。詳言之，每一各別雷射之間的相互作用係使得簡單地使由每一各別雷射產生之光束重疊會引起燃料上之入射區域太大而不能獲得入射於燃料目標處的具有所要功率密度之輻射。
參看圖9，示意性地說明適合於將複數個雷射光束引導於燃料目標處之替代雷射配置70。種子雷射71(其可為(例如)CO2雷射)將種子雷射光束72提供至光束分裂器73，光束分裂器73將種子雷射光束72分離成複數個雷射光束74，每一雷射光束74具有相同頻率。雖然圖9說明種子雷射光束72被分裂成四個雷射光束，但應理解，可使用任何數目個雷射光束，如由特殊應用要求所判定。種子雷射71可為連續波雷射，或可在通常被稱為「準連續波(quasi-continuous wave)」模式之模式中操作，在該模式中，雷射僅針對某些時間間隔而操作，其中該等時間間隔足夠長以使雷射在該等操作時間間隔期間實質上處於連續波模式。
雷射光束74各自提供至複數個相位調整器75中之一各別相位調整器，每一相位調整器75經組態以調變一各別雷射光束74以提供一各別經調變雷射光束76。詳言之，每一相位調整器75經組態以根據由控制器78提供之指令而調變各別雷射光束74之相位。下文更詳細地描述控制器78之操作。然而，一般而言，控制器78可操作以控制相位調整器75以獲得入射於燃料目標處之雷射輻射之所要屬性。
每一經調變雷射光束76提供至複數個放大器77中之一各別放大器。雖然在圖9所說明之實施例中每一經調變雷射光束76提供至單一放大器77，但應理解，可結合每一各別經調變雷射光束76而使用任何數目個放大器。在本發明之一些實施例中，該等放大器可為光纖放大器。
自放大器77，每一經調變雷射光束76被引導至複數個雷射調節組件79中之一各別雷射調節組件。各別雷射調節組件79可包含進一步調節經調變雷射光束76所需要之任何適當組件。舉例而言，雷射調節組件79可包含經組態以將每一經調變雷射光束76引導至一聚焦元件80之遞送光學件。或者或另外，雷射調節組件79可包含諸如放大器、光學隔離器及/或相位旋轉器之組件。
聚焦元件80經組態以將個別經調變雷射光束76進行組合且將其引導於目標點81(其可為供遞送燃料以用於EUV輻射產生之處，在本文中有時被稱作電漿形成部位)處。常常，目標點81在聚焦元件80之焦點處或附近。聚焦元件80可採取任何適當形式，且可為(例如)複數個聚焦元件。舉例而言，聚焦元件80可針對經調變雷射光束76中每一者包含一各別聚焦元件。在其他實施例中，各別聚焦元件子集可用來將各別雷射光束子集聚焦朝向目標點81。
圖9之雷射配置進一步包含第一感測器配置。第一感測器配置包含複數個光束分裂器82，每一光束分裂器82在雷射調節組件79與聚焦 元件80之間定位於經調變雷射光束76中之一各別經調變雷射光束之路徑中。第一感測器配置進一步包含第二聚焦元件84及第一感測器85。
光束分裂器82中每一者經組態以將經調變雷射光束76中之一各別經調變雷射光束之各別第一部分83引導朝向第二聚焦元件84。第二聚焦元件84經組態以將個別第一部分進行組合且將其引導於第一感測器85上之一點處。第一感測器85經組態以判定入射於第一感測器85上之組合雷射輻射之一或多個屬性。關於入射於第一感測器85上之組合雷射輻射的由第一感測器85判定之資訊提供針對入射於目標點81處之組合經調變雷射光束76之類比。舉例而言，感測器85可經組態以判定入射於其上之組合雷射輻射之強度，以提供入射於目標點81處之組合雷射輻射之代理。第一感測器85可以任何適當方式予以實施，且在一些例示性實施例中可包含光電偵測器，諸如，單一光電二極體、分裂光電二極體、主動式像素感測器(APS)及/或電荷耦合器件(CCD)影像感測器。第一感測器85可以等效於或小於入射於其上之輻射之頻率的頻率量測該輻射。在一些實施例中，第一感測器85允許雷射光束76之相對相位之偵測。
第一感測器85經組態以將信號86提供至控制器78，信號86包含可由控制器78使用以控制相位調整器75之資訊。舉例而言，第一感測器85可經組態以將強度資訊提供至控制器78。藉由分析隨著時間推移之強度，控制器78可判定輻射之第一部分83中之各別第一部分之間的相位差，且按延伸，判定經調變雷射光束76中之對應各別經調變雷射光束之間的相位差。控制器78接著可使用關於經調變雷射光束76中之各別經調變雷射光束之間的相位差之資訊，以控制相位調整器75以獲得入射於目標點81處之組合雷射輻射之一或多個所要屬性。
經調變雷射光束76中之各別經調變雷射光束之間的相位差之調整允許目標點81處接收之組合雷射輻射之波前的調整。控制經調變雷 射光束76中之各別經調變雷射光束之相位的結果可被視為控制目標點81處之合併雷射光束之干涉圖案。換言之，藉由調整雷射光束76之相對相位，可控制建設性及破壞性干涉圖案以獲得所要輻射分佈。以此方式，雷射配置70能夠控制遍及燃料目標之表面之輻射分佈以達成所要效應。
在圖9之配置之一有利用途中，藉由控制相位調整器75，經調變雷射光束76中每一者可相干地耦合，藉此相比於在經調變雷射光束76不相干地空間上合併之情況下可能存在的情形，允許經調變雷射光束76以較高功率密度將更穩定之合併光束提供於目標點81處。詳言之，藉由控制相位調整器75以產生具有實質上相同相位(亦即，在預定可接受容許度內之零相位差)之各別經調變雷射光束76，可將最大功率密度提供於目標點81處。將較高功率密度提供於目標點81處之燃料目標上會允許產生較高功率之EUV輻射。提供具有實質上零相位差之經調變雷射光束76可被認為是提供「平坦(flat)」干涉圖案。亦可使用本發明之實施例來產生其他干涉圖案。作為一另外實例，藉由控制相位調整器75而使得在經調變光束76中之每一相鄰經調變光束之間存在相等相位差，可將「梯度(gradient)」干涉圖案提供於目標點81處。
入射於燃料目標上之輻射分佈之剖面的調整允許碎屑傳播方向之控制，及對自燃料目標反射之雷射輻射之角度分佈的控制。舉例而言，經調變光束76之間的相位差可經組態以將偶極或四重圖案提供於目標點81處。此等圖案可用以縮減雷射輻射在基板之方向上自目標點81之反射。
作為另一實例，雖然上文描述出可使用「平坦」圖案來提供具有最大功率之EUV輻射，但藉由經由控制相位調整器75而使燃料目標81處之雷射輻射之功率密度變化，可控制EUV功率之量以引起具有所要非最大功率之所要EUV輻射。舉例而言，在需要縮減經產生EUV輻 射之量的情況下，可控制相位調整器75以減低在燃料目標之焦點平面中的經調變雷射光束76之相干。在本發明之一些實施例中，可由適當感測器量測經產生EUV輻射之功率密度且將彼資訊提供至控制器78。控制器78接著可控制相位調整器75以在目標點處之合併雷射光束中獲得合適相干位準，以產生具有所要功率密度之EUV輻射。因此，可達成EUV輻射強度之縮減，而不改變被引導通過聚焦元件81(或配置70之任何其他載物台)之雷射光束之功率，且因此不改變由可由變化之輻射強度引起之熱膨脹/失真造成的最終聚焦。
雷射配置70之一另外有利用途係校正(例如)由聚焦元件80之熱改變造成的聚焦移位。對經調變雷射光束76中之一或多者之相位的調整可用以補償此等聚焦移位，而無需聚焦元件80之機械重新定位，且比聚焦元件80之機械重新定位更快。
在本發明之一些實施例中，第一感測器85可經組態以提供關於入射於第一感測器85上之組合第一部分83之聚焦位置的資訊，且因而提供關於入射於目標點年81處之組合經調變雷射光束76之焦點的資訊。參看圖10A、圖10B，在一些實施例中，感測器85包含具有四個象限91、92、93、94之分裂光電二極體。在圖10A中，雷射光點95(亦即，由合併第一部分83照明的分裂光電二極體之表面之部分)處於分裂光電二極體之中心。亦即，在圖10A之配置中，每一象限91、92、93、94自組合第一部分83接收實質上相同量之輻射。可藉由在光學元件80不經受熱膨脹/收縮時使經調變雷射光束76中每一者相位匹配而達成圖10A之配置。
可經由調整經調變雷射光束76之各別相位而調整雷射光點95相對於中心部位之位置(及因此，合併經調變雷射光束76相對於目標點81之位置)，如圖10B所說明。相似地，若偵測出雷射光點95移動遠離中心光點(由於(例如)光學元件80、84之熱誘發性改變)，則可將適當 信號提供至控制器78以調整經調變雷射光束76中之一或多者之相位。
圖11中示意性地說明本發明之一替代實施例。圖11展示相似於圖9所說明之雷射配置70而組態之雷射配置70'。與雷射配置70之組件相同的雷射配置70'之組件已具備類似元件符號。雷射配置70'不同於雷射配置70之處在於：在各別光束分裂器82與聚焦元件84之間，在第一部分83中每一者之路徑中提供各別光束分裂器400。光束分裂器400中每一者經配置以將輻射之各別第二部分401引導至第二感測器402。
第一感測器85經組態以判定入射於第一感測器85處之合併光束之強度，而第二感測器402經組態以判定第二部分401中之各別第二部分之屬性。第二感測器可以任何適當方式予以實施，且可為(例如)CCD陣列。在一些實施例中，第二感測器402操作以判定光束401中之任何兩個光束之間的相位差，或光束401中之一特定參考光束與光束401中之任何其他光束之間的相位差。如同感測器85一樣，感測器402經組態以將信號403提供至控制器78。
儘管第二感測器402在圖11中被描繪為經由光束分裂器82及光束分裂器400而接收輻射，但可使用其他組態。舉例而言，在一些實施例中，第二感測器402可定位於雷射調節組件79與聚焦元件80之間。在此等實施例中，第二感測器402至少部分地透射，使得雷射光束76之至少一部分通過第二感測器402而傳遞至聚焦元件80。
現在描述如下實例：其中經調變雷射光束76係以矩形或正方形陣列而配置，使得經調變雷射光束76之M×N二維陣列入射於由圖11中之線S-S界定之平面上。入射於平面S-S上之經調變雷射光束76可在彼此實質上平行之方向上傳播，且經調變雷射光束76之中心可彼此實質上等距。平面S-S可實質上垂直於雷射光束76之傳播方向。然而，應理解，此配置僅僅係例示性的，且可使用經調變雷射光束76之其他組態。
入射於平面S-S上之雷射光束76之間的相位差可由第二感測器402量測。由第二感測器402提供的在雷射光束76之間的相位差之量測可被認為是形成二維相位矩陣P，其具有尺寸M×N且由方程式(2)給出。
相位矩陣P之每一元素對應於入射於平面S-S上之雷射光束76中之單一雷射光束，其中相位矩陣P之每一元素的索引(i,j)表示入射於平面S-S上之每一雷射光束76的相對定位。每一元素P i,j 之值等於位置(i,j)處之雷射光束與位置(1,1)處之雷射光束之相位之間的相位差。因此，元素P 1,1 之值等於「0」。
相位矩陣P可由第二感測器402量測且經由信號403而提供至控制器78。控制器78接著可調整經調變雷射光束76中之一或多者之相位，以便提供所要相位矩陣P。可控制相位矩陣P，以便控制入射於目標點81處或附近之合併輻射之一或多個所要屬性。如上文所描述，經調變雷射光束76係由聚焦元件80聚焦，使得雷射光束76合併於目標點81處。該等合併光束在z=0處之x-y平面中提供在目標點81處之強度分佈。如上文參看圖10所描述，雷射光束76可相干地組合於目標點81處。可藉由如下方式來達成雷射光束76之相干組合：控制雷射光束76之相位，使得所有雷射光束76之相位彼此實質上相等，且因此，相位矩陣P之所有元素實質上等於P 1,1 。此情形在x-y平面中提供以目標點81為中心之最緊密強度分佈。
可控制相位矩陣P，以便相對於聚焦元件80之焦點來控制強度分佈之中心點。可藉由根據方程式(3)來控制相位矩陣P而在x及y方向上控制強度分佈之中心點。
P i,j =P 1,1+ai+bj (3)
組合雷射光束76可經模型化為與x軸成角度β且與y軸成角度α而自聚焦元件80傳播之單一高斯光束(Gaussian beam)。根據方程式(3)而控制之相位矩陣具有一強度分佈，該強度分佈之中心位於x-y平面中之一位置處，使得β=aλN/(2πY)且α=bλM/(2πX)，其中X為最外部雷射光束76之間的在x方向上之距離，Y為最外部雷射光束76之間的在y方向上之距離，且λ為雷射光束76之波長。因此，可藉由如下方式來控制強度分佈之中心點之位置：藉由控制方程式(3)中之係數a及b以便控制角度α及β而根據方程式(3)來控制相位矩陣P。
雷射光束76可在傳遞通過聚焦元件80之後相互干涉。因此，高斯強度分佈之寬度可減低且隨後增加，此係因為合併光束實質上在z方向上傳播。可藉由控制相位矩陣P而控制z軸上之位置，在該位置處，合併光束中之功率通量處於最大值，且對應地，強度分佈處於最小值，且因此，單一光束最大程度上聚焦。詳言之，可控制相位矩陣P，使得相位矩陣P之中心元素為像素矩陣P之最大值或最小值。可根據由方程式(4)給出之拋物線函數而進一步控制相位矩陣P。
P i,j =P 1,1+ci 2+dj 2+ei+fj (4)
其中c、d、e及f為以弧度為單位之固定角，且可採取正值或負值。角度e、f判定聚焦元件81處之合併雷射光束76之最大功率密度在x-y平面中的位置。角度c、d判定組合雷射光束76之會聚/發散量。若M=N且c=d，則可達成球形波前之近似。
可控制相位矩陣P，以便補償聚焦元件80之熱膨脹或減縮。為了校正聚焦元件80之聚焦屬性改變，可將由方程式(5)定義之型樣施加至相位矩陣P。
P i,j =P N-i+1,M-j+1 (5)
可控制相位矩陣P，以便控制聚焦元件80之焦點處或附近的輻射 之強度分佈之形狀。舉例而言，可藉由針對i<K<N/2且j<L<M/2的相位矩陣中之部位根據方程式(6)來控制P i,j 處之元素之相位而提供焦點處或附近的輻射之強度分佈，包含圍繞中心暗點之輻射環。
P i,j =P N-i+1,M-j+1=P 1,1 (6)
對於N/2>i>K且M/2>j>L的相位矩陣P中之部位，可根據方程式7而控制相位矩陣P。
P i,j =P N-i+1,M-nj1-π (7)
其中K及L為控制輻射環之直徑及暗點之大小的值。聚焦元件80之焦點處或附近的輻射之強度分佈(包含圍繞中心暗點之輻射環)可用以控制由電漿發射之碎屑之方向及組合物(離子、蒸汽或小滴)。
在本發明之單一實施例中，可將控制上文所描述之相位矩陣P之實例中任一者組合在一起。在本發明之其他實施例中，可使用雷射光束76及相位矩陣P之替代配置。通常，雷射光束76中之任意相位延遲之引入可被認為是類似於自由形式透鏡之使用。應瞭解，可得到目標點81處之功率分佈及焦點之位置的額外組態。
在本發明之一些實施例中，雷射調節組件79可包含可回應於來自第二感測器402之信號403而調整之組件，諸如，相位旋轉器。以此方式，可提供對經調變雷射光束76中之各別經調變雷射光束之間的相位差之額外控制。
在本發明之一些實施例中，提供第一感測器85及第二感測器402中僅一者，而在本發明之其他實施例中，提供感測器85及感測器402兩者。另外，在本發明之其他實施例中，既不提供感測器85又不提供感測器402。舉例而言，在本發明之一些實施例中，可提供量測在合併光束入射於燃料目標上時產生之EUV輻射之量的感測器，且彼感測器可將回饋提供至控制器78。
圖12說明替代雷射配置500，其中可調整複數個雷射之相對相 位，以達成上文參看圖9及圖11所描述之益處。圖12之配置包含種子雷射511、光束分裂器512及複數個放大腔室513。由光束分裂器512將由種子雷射511產生之種子雷射光束分裂成三個雷射光束514(應瞭解，可提供任何數目個雷射光束)，且雷射光束514中每一者提供至放大腔室513中之一各別放大腔室。
雷射配置500進一步包含經組態以將各別雷射光束514引導至光學元件517之三個光學元件515。又，光學元件517經組態以將各別光束引導至聚焦元件518，聚焦元件518經配置以將雷射光束514引導及合併於目標點81處。舉例而言，目標點81可為燃料目標。
光學元件515中每一者提供於一平台516上，且可相對於平台516而移動，以便實現雷射光束514之相對相位改變。舉例而言，藉由縮短或延長雷射光束514中之一者之源與光學元件518之間的路徑，可動態地調整彼雷射光束514相對於其他雷射光束514之相位。可藉由各別光學元件515之移動針對所有雷射光束514而相對於其他雷射光束514來實現相似改變。
光學元件515中每一者亦可個別地傾斜以沿著不同路徑引導各別雷射光束514，藉此調整所得合併雷射光束被引導所處的點81之位置。
光學元件519在光學元件515與光學元件517之間提供於雷射光束514中每一者之路徑中。光學元件519經配置以將每一各別雷射光束514之部分520引導至另外光學元件525之傾斜感測器。光學元件519可以任何適當方式予以實施，且可包含(例如)一鏡像式元件，該鏡像式元件經配置以使入射輻射之部分反射，同時允許剩餘輻射傳遞通過。光學元件525經配置以將部分520之第一分率引導至傾斜感測器521且將部分520之第二分率引導至準直感測器526。舉例而言，光學元件525可為使部分520之第一分率反射且使部分520之第二分率透射的鏡 面。舉例而言，傾斜感測器521可為電荷耦合器件(CCD)，但再次可以任何適當方式予以實施，此對於熟習此項技術者將顯而易見。傾斜感測器521經組態以判定每一各別雷射光束514傾斜之量且將回饋資訊提供至一控制器(圖中未繪示)，該控制器經組態以控制光學元件515之致動以隨後調整雷射光束514之傾斜。
另外光學元件522亦在光學元件515與光學元件517之間提供於雷射光束514中每一者之路徑中。光學元件522經配置以將每一各別雷射光束514之部分引導至相對波前感測器523。波前感測器523可以任何適當方式予以實施。在本發明之一些實施例中，波前感測器523可自參考雷射524接收參考信號，藉此比較雷射光束514之波前。
在上文參看圖10至圖12所描述之實施例中，由種子雷射提供之雷射光束分裂以提供隨後合併之複數個雷射光束。在本發明之其他實施例中，複數個雷射可提供隨後合併之雷射光束。舉例而言，複數個光纖雷射可提供隨後合併之雷射光束。實際上，應瞭解，隨後合併之複數個雷射光束可由任何適當雷射或複數個雷射提供。
圖13描繪多層鏡面201之實施例。多層鏡面201經建構及配置以使具有在2奈米至20奈米之範圍內之波長的輻射反射。該多層鏡面包含第一部分202，第一部分202具有由基板208支撐之交替層204、206。多層鏡面201進一步包括第二部分203，第二部分203包含交替層205、207。第二部分203在第一部分202之頂部上形成罩蓋層。
交替層204、206通常為矽層204及鉬層206。第二部分203之交替層205、207可分別為類金剛石碳層205及矽層207、碳化硼層205及氮化矽層207、類金剛石碳層205及氮化矽層207，及/或碳化硼層205及氮化矽層207。碳化硼之一實例為B4C。另一實例為B9C。氮化矽之一實例為Si3Ni4。
在過去，已提議使用Si3Ni4層以代替圖13所揭示之第二部分 203。圖14為展示反射比R作為層厚度之函數的曲線圖。可看出，即使在Si3Ni4層厚度達到40奈米之厚度之前，反射率亦下降至低於40%。
圖15為展示具有前述第一部分202及第二部分203之多層鏡面201之實施例之反射率的曲線圖。更具體言之，第二部分203包括類金剛石碳層205及矽層207。當比較圖14與圖15時可看出，針對類金剛石碳/矽多層之反射率並不如針對Si3Ni4層之反射率一樣受到不利地影響。
圖16中展示多層鏡面201之實施例。此實施例為反射光罩。除了圖3之多層鏡面之特徵以外，圖16之實施例亦可具備結構10，結構10具有經配置以界定其表面之圖案之吸收性材料。待用作吸收性材料之合適材料可為鉻、鈦、矽、釕、鉬、鉭、鋁或其任何組合。
通常，鏡面201之第一部分202係藉由數目為30個至200個週期之交替層(亦即，總數介於60個與400個之間的層)而形成。舉例而言，第二部分203可由約10個週期(亦即，總數為約20個的層)形成。在彼方面，應注意，諸圖為僅僅充當說明之示意圖，且其不為縮尺圖。
圖17中描繪另一實施例。圖17之實施例相似於圖16之實施例。然而，在圖17之實施例中，鏡面201具備罩蓋層212。罩蓋層212可包含釕、鉭、鈦、銠或其任何組合。此罩蓋層可經合適地配置以保護多層鏡面201之層化結構免於化學攻擊。用於罩蓋層之合適厚度可大概在0.5奈米至10奈米之範圍內。
對於熟習此項技術者將顯而易見，本發明不限於上文所揭示之實施例。舉例而言，多層鏡面可為正入射收集器鏡面。通常，此等鏡面具有橢球表面，以及第一焦點及第二焦點。自第一焦點發射且由鏡面反射之輻射接著被引導朝向第二焦點。若在自第一焦點發射之輻射垂直於表面而入射的鏡面上之部位處的兩個後續輻射對向表面之間的距離為d，則在自第一焦點發射之輻射相對於表面之法線以角度α而入 射的鏡面上之部位處的兩個後續輻射對向表面之間的距離等於約d/cos α。舉例而言，在自第一焦點發射之輻射相對於表面之法線以0度之角度而入射的鏡面上之部位處的兩個後續輻射對向表面之間的距離d可為6.9奈米。接著，在自第一焦點發射之輻射相對於表面之法線以30度之角度而入射的鏡面上之部位處，此距離為6.9奈米/cos(30度)8奈米。
又，抗擴散層可提供於(例如)第一部分與第二部分之間，或第一部分之後續鉬層與矽層之間。此等層可包含碳化硼或由碳化硼組成。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1.一種多層鏡面，其經建構及配置以使具有在2奈米至20奈米之範圍內之一波長的輻射反射，該多層鏡面具有一第一部分及一第二 部分，該等部分中每一者具有交替層，該第一部分之該等交替層由第一層及第二層組成，該等第一層為鉬層且該等第二層為矽層，該第二部分之該等交替層由藉由一或多種介電材料而形成之層以及矽及/或氮化矽層組成。
2.如條項1之多層鏡面，其中該等介電材料中至少一者係選自由類金剛石碳及碳化硼組成之群組。
3.如條項1或2之多層鏡面，其中該第二部分位於該第一部分之頂部上，藉由一或多種介電材料而形成之該等層中之一者鄰接於該第一部分之一矽層，或該等氮化矽層中之一者鄰接於該等鉬層中之一者。
4.如條項1、2或3之多層鏡面，其中該第一部分具備在一或多對毗連矽及鉬層之間的一抗擴散層。
5.如前述條項中任一項之多層鏡面，其中該鏡面具備在該第一部分與該第二部分之間的一抗擴散層。
6.如前述條項中任一項之多層鏡面，其中藉由該介電材料而形成之該等層中每一者具有一輻射對向表面、一向內對向表面及一厚度，該厚度介於兩個後續輻射對向表面之間的距離之約0.4倍與0.6倍之間。
7.如條項1至5中任一項之多層鏡面，其中藉由該介電材料而形成之該等層中每一者具有一輻射對向表面及一向內對向表面，且其中兩個後續輻射對向表面之間的距離為約6.9奈米或更高。
8.如條項1至5中任一項之多層鏡面，其中該鏡面具有一第一焦點及一第二焦點，該鏡面經建構及配置以將自該第一焦點發射之輻射反射至該第二焦點上，其中藉由該介電材料而形成之該等層中每一者具有一輻射對向表面及一向內對向表面。
9.如條項8之多層鏡面，其中兩個後續輻射對向表面之間的距 離d在自該第一焦點發射之輻射相對於該表面之法線以0度之一角度而入射的該鏡面上之一部位處介於約6.9奈米與約7.0奈米之間。
10.如條項8或9之多層鏡面，其中在自該第一焦點發射之輻射相對於該表面之法線以一角度α而入射的該鏡面上之一部位處的兩個後 續輻射對向表面之間的距離等於約，d為在自該第一焦點發射之輻射相對於該表面之法線以0度之一角度而入射的該鏡面上之一部位處的兩個後續輻射對向表面之間的距離。
11.一種輻射源，其經建構及配置以產生具有在2奈米至20奈米之範圍內之一波長的輻射，該輻射源包含一如前述條項中任一項之多層鏡面。
12.一種投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上，該投影系統包含一如條項1至10中任一項之多層鏡面。
13.一種照明系統，其經組態以調節一輻射光束，該照明系統包含一如條項1至10中任一項之多層鏡面。
14.一種微影投影裝置，其經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上，其中該微影裝置包含一如條項1至10中任一項之多層鏡面。
15.如條項14之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以固持一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板 之一目標部分上。
16.一種產生(例如)用於一微影裝置之輻射之方法，該方法包含：將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位處；將一連續波激發光束引導於該電漿形成部位處，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
17.如條項16之方法，其中提供一連續再生燃料目標包含將一射流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續，該射流包含用於產生該輻射產生電漿之一燃料，且該射流與該電漿形成部位至少部分地相交。
18.如條項16之方法，其中由一旋轉本體提供該連續再生燃料目標，該旋轉本體經配置以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
19.如條項18之方法，其中該旋轉本體為一旋轉圓盤。
20.如條項18或19之方法，其中該燃料儲集器為一液體燃料浴槽，且該旋轉本體旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該旋轉本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
21.如條項16至20中任一項之方法，其中該連續激發光束為由一連續波雷射提供之一連續波雷射光束。
22.如條項21之方法，其中該雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
23.如條項22之方法，其中由該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面提供該第二反射器。
24.如條項21至23中任一項之方法，其中該雷射為包含至少一放大腔室之一氣體雷射，其中若該氣體雷射包含複數個放大腔室，則該等放大腔室中每一者維持於實質上相同壓力。
25.如條項16至24中任一項之方法，其中由呈一掠入射收集器或一正入射收集器之形式之一輻射收集器收集自該輻射產生電漿產生之輻射。
26.如條項16至25中任一項之方法，其中由一旋轉箔片截留器減輕自該輻射產生電漿產生之碎屑。
27.一種微影方法，其包含：根據如條項16至25中任一項之方法而產生輻射；及使用該經產生輻射以將一圖案施加至一基板。
28.一種輻射源，其包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生燃料目標提供於電漿形成部位處；一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生燃料目標提供於電漿形成部位處；一激發光束源，其經配置以將一連續波激發光束引導至該電漿形成部位，使得在使用時該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
29.如條項28之輻射源，其中該燃料目標產生器包含一噴嘴以用於將一射流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續且包含用於產生該輻射產生電漿之燃料，其中該連續再生燃料目標為該電漿形成部位處之該射流之一部分。
30.如條項28之輻射源，其中該燃料目標產生器包含一本體，該本體經配置以旋轉以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
31.如條項30之輻射源，其中該本體為一圓盤。
32.如條項30或31之輻射源，其中該燃料儲集器包含一液體燃料浴槽，且該本體經配置以旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
33.如條項28至32中任一項之輻射源，其中該激發光束源包含一連續波雷射，該連續波雷射經配置以提供呈一連續波雷射光束之形式 之該連續激發光束。
34.如條項33之輻射源，其中該連續波雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
35.如條項34之輻射源，其中該連續波雷射包含該第一反射器，且經配置以使用該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面作為該第二反射器。
36.如條項28至35中任一項之輻射源，其進一步包含一輻射收集器以用於收集由該輻射產生電漿產生之輻射，其中該輻射收集器為一掠入射收集器或一正入射收集器。
37.如條項28至36中任一項之輻射源，其進一步包含碎屑減輕構件，該碎屑減輕構件包含一旋轉箔片截留器。
38.一種微影裝置，其包含或結合如條項28至37中任一項之輻射源。
39.如條項38之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節由該輻射產生電漿產生之該輻射以形成一經調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
40.一種器件製造方法，其包含：使用如條項16至27中任一項之方法來產生輻射；及使用如條項38或39之微影裝置以圖案化一基板。
41.一種產生用於一微影裝置之輻射之方法，該方法包含：將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位處；及將一連續波激發光束引導於該電漿形成部位處，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
42.如條項41之方法，其中提供一連續再生燃料目標包含將一射 流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續，該射流包含用於產生該輻射產生電漿之一燃料，且該射流與該電漿形成部位至少部分地相交。
43.如條項41之方法，其中由一旋轉本體提供該連續再生燃料目標，該旋轉本體經配置以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
44.如條項43之方法，其中該旋轉本體為一旋轉圓盤。
45.如條項43之方法，其中該燃料儲集器為一液體燃料浴槽，且該旋轉本體旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該旋轉本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
46.如條項41之方法，其中該連續激發光束為由一連續波雷射提供之一連續波雷射光束。
47.如條項46之方法，其中該雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
48.如條項47之方法，其中由該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面提供該第二反射器。
49.如條項48之方法，其中該雷射為包含至少一放大腔室之一氣體雷射，其中若該氣體雷射包含複數個放大腔室，則該等放大腔室中每一者維持於實質上相同壓力。
50.如條項41之方法，其中由呈一掠入射收集器或一正入射收集器之形式之一輻射收集器收集自該輻射產生電漿產生之輻射。
51.如條項50之方法，其中由一旋轉箔片截留器減輕自該輻射產生電漿產生之碎屑。
52.一種微影方法，其包含：將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位處；將一連續波激發光束引導於該電漿形成部位處，使得 該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿；及使用該經產生輻射電漿以將一圖案施加至一基板。
53.一種輻射源，其包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生燃料目標提供於電漿形成部位處；及一激發光束源，其經配置以將一連續波激發光束引導至該電漿形成部位，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿。
54.如條項53之輻射源，其中該燃料目標產生器包含一噴嘴以用於將一射流自一第一部位引導至一第二部位，該射流在該第一部位與該第二部位之間連續且包含用於產生該輻射產生電漿之燃料，其中該連續再生燃料目標為該電漿形成部位處之該射流之一部分。
55.如條項53之輻射源，其中該燃料目標產生器包含一本體，該本體經配置以旋轉以將燃料自一燃料儲集器輸送至該電漿形成部位。
56.如條項55之輻射源，其中該本體為一圓盤。
57.如條項55之輻射源，其中該燃料儲集器包含一液體燃料浴槽，且該本體經配置以旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，使得該本體收納一液體燃料塗層且將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
58.如條項53之輻射源，其中該激發光束源包含一連續波雷射，該連續波雷射經配置以提供呈一連續波雷射光束之形式之該連續激發光束。
59.如條項58之輻射源，其中該連續波雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
60.如條項59之輻射源，其中該連續波雷射包含該第一反射器，且經配置以使用該電漿形成部位處之該連續再生燃料目標之一表面作為該第二反射器。
61.如條項53之輻射源，其進一步包含一輻射收集器以用於收集 由該輻射產生電漿產生之輻射，其中該輻射收集器為一掠入射收集器或一正入射收集器。
62.如條項53之輻射源，其進一步包含碎屑減輕構件，該碎屑減輕構件包含一旋轉箔片截留器。
63.一種微影裝置，其包含：一輻射源，該輻射源包含一燃料目標產生器，該燃料目標產生器經配置以將一連續再生燃料目標提供於電漿形成部位處，且該輻射源包含一激發光束源，該激發光束源經配置以將一連續波激發光束引導至該電漿形成部位，使得該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿；一照明系統，其經組態以調節由該輻射產生電漿產生之該輻射以形成一經調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
64.一種器件製造方法，其包含使用如條項63之微影裝置來產生輻射以圖案化一基板。
65.一種輻射源，其包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一燃料目標提供於目標部位處；一激發光束源，其經配置以將複數個激發光束引導於一目標部位處以在該目標部位處形成一第一合併激發光束，使得在使用時該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿，其中該激發光束源包含至少一相位調整器以用於調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
66.如條項65之輻射源，其中該激發光束源進一步包含一第一感測器配置，該第一感測器配置經組態以量測一第一屬性，該第一屬性 為激發輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性，其中由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位至少部分地判定該第一屬性。
67.如條項66之輻射源，其中該第一感測器配置包含一第一光學元件，該第一光學元件經配置以引導該複數個激發光束中至少兩者之各別部分以形成一第二合併激發光束，且其中激發輻射之該第一部分為該第二合併激發光束。
68.如條項66或67之輻射源，其中該第一屬性指示該第一合併激發光束之一強度、該第一合併激發光束之一位置、該合併激發光束之一焦點及該合併激發光束之一干涉圖案中至少一者。
69.如條項65至68中任一項之輻射源，其進一步包含一控制器，其中該第一感測器配置將一第一感測器信號提供至該控制器，且其中該控制器經組態以至少部分地基於該第一感測器信號而控制該至少一相位調整器。
70.如條項65至69中任一項之輻射源，其進一步包含一第二感測器配置，該第二感測器配置經組態以量測一第二屬性，該第二屬性為激發輻射之至少一第二部分之一屬性，該第二屬性指示一第三屬性，該第三屬性為該複數個激發光束中至少一者之一屬性。
71.如條項65至70中任一項之輻射源，其中該第二感測器配置經組態以量測用於該複數個激發光束中每一者之一第二屬性。
72.如條項65至71中任一項之輻射源，其中該第三屬性為該複數個激發光束中該至少一者之一相位。
73.如條項65至72中任一項之輻射源，其進一步包含一第二控制器，其中該第二感測器配置將一第二感測器信號提供至該第二控制器，且其中該第二控制器經組態以至少部分地基於該第二感測器信 號而控制該至少一相位調整器。
74.如條項65至73中任一項之輻射源，其中該第一感測器配置及/或該第二感測器配置包含一光電二極體、一分裂光電二極體、一電荷耦合器件陣列及一主動式像素感測器中至少一者。
75.如條項65至74中任一項之輻射源，其中該至少一相位調整器包含用於該複數個激發光束中每一者之一各別相位調整器。
76.如條項65至75中任一項之輻射源，其中該激發光束源包含至少一聚焦元件，該至少一聚焦元件經組態以將該複數個激發光束引導至該電漿形成部位，且其中該至少一相位調整器包含用於使該複數個激發光束中至少一者之一源與該至少一聚焦元件之間的一路徑長度變化之構件。
77.一種微影裝置，其包含或結合如條項65至76中任一項之輻射源。
78.如條項77之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節由該輻射產生電漿產生之該輻射以形成一經調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
79.一種產生用於一微影裝置之輻射之方法，其包含：將一燃料目標提供於一電漿形成部位處；將複數個激發光束引導於一電漿形成部位處以在該電漿形成部位處形成一第一合併激發光束，使得該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿；調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
80.如條項79之方法，其中調整該複數個激發光束中至少一者之 一相位包含調整該複數個激發光束中至少一者之一相位，使得該複數個激發光束中每一者相干地合併於該第一合併激發光束中。
81.如條項79或80之方法，其進一步包含在一第一感測器配置處量測一第一屬性，該第一屬性為激發輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性，其中由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位至少部分地判定該第一屬性。
82.如條項81之方法，其進一步包含引導該複數個激發光束中至少兩者之各別部分以形成一第二合併激發光束，其中激發輻射之該第一部分為該第二合併激發光束。
83.如條項82之方法，其中該第一屬性指示該第一合併激發光束之一強度、該第一合併激發光束之一位置、該第一合併激發光束之一焦點及該合併激發光束之一干涉圖案中至少一者。
84.如條項81至83中任一項之方法，其進一步包含：自該第一感測器配置接收一第一感測器信號；及基於該第一感測器信號而調整該至少一相位調整器。
85.如條項70至84中任一項之方法，其進一步包含在一第二感測器配置處量測一第三屬性，該第三屬性為激發輻射之至少一第二部分之一屬性，該第三屬性指示一第四屬性，該第四屬性為該複數個激發光束中至少一者之一屬性。
86.如條項79至85中任一項之方法，其中在一第二感測器配置處量測包含針對該複數個激發光束中每一者量測激發輻射之一各別第二部分之一第三屬性。
87.如條項79至86中任一項之方法，其中該第三屬性指示該複數個激發光束中該至少一者之一相位。
88.如條項79至87中任一項之方法，其中調整該複數個激發光束 中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位包含調整用於該複數個激發光束中每一者之一各別相位調整器之一相位。
89.如條項79至88中任一項之方法，其中調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位包含使該複數個激發光束中至少一者之一源與至少一聚焦元件之間的一路徑長度變化，該至少一聚焦元件經配置以將該複數個激發光束引導至該電漿形成部位。
90.一種微影方法，其包含：根據如條項79至89中任一項之方法而產生輻射，及使用該經產生輻射以將一圖案施加至一基板。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、LED、太陽能電池，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
當描述微影裝置時，術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的而 非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (17)

  1. 一種輻射源，其經組態以用於一微影裝置中，該輻射源包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生(renewing)燃料目標提供於一電漿形成部位(location)處；一激發光束源，其經配置以將一連續波激發光束引導至該電漿形成部位，使得在使用時該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿；及一感測器，其經組態以接收該連續波激發光束之一部分，並判定該電漿形成部位之一位置，其中該燃料目標產生器包含一噴嘴以將一液體射流(liquid jet)自一第一部位引導至一第二部位，該液體射流在該第一部位與該第二部位之間係連續的，且包含用於產生該輻射產生電漿之燃料，其中該連續的液體射流與該電漿形成部位至少部分地相交(intersect)。
  2. 如請求項1之輻射源，其中該激發光束源包含一連續波雷射，該連續波雷射經配置以提供呈一連續波雷射光束之形式之該連續波激發光束，且其中該連續波雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器(resonator)內產生該連續波雷射光束。
  3. 如請求項1之輻射源，其中從該輻射產生電漿產生的碎屑(debris)由一旋轉箔片截留器(rotating foil trap)減輕(mitigated)。
  4. 一種輻射源，其經組態以用於一微影裝置中，該輻射源包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一連續再生燃料目標提供於一電漿形成部位(location)處；及一激發光束源，其經配置以將一連續波激發光束引導至該電 漿形成部位，使得在使用時該連續再生燃料目標內之燃料由該連續波激發光束激發以產生一輻射產生電漿，其中該燃料目標產生器包含一本體(body)，該本體經配置以旋轉以將燃料自一燃料儲集器輸送(transport)至該電漿形成部位，俾使在該電漿形成部位處在旋轉的該本體上有燃料。
  5. 如請求項4之輻射源，其中該激發光束源包含一連續波雷射，且其中該雷射經配置以在包含一第一反射器及一第二反射器之一光學諧振器內產生該連續波雷射光束。
  6. 如請求項4之輻射源，其中該旋轉本體係一旋轉碟片(disk)。
  7. 如請求項4之輻射源，其中該本體經組態以在該電漿形成部位處圍繞(around)該本體的一邊緣(edge)提供該連續再生燃料目標。
  8. 如請求項4之輻射源，其中該燃料儲集器係一液體燃料浴槽(bath)，及該旋轉本體旋轉通過該液體燃料浴槽及該電漿形成部位，俾使該旋轉本體容納(receive)一液體燃料塗層並將該液體燃料塗層輸送至該電漿形成部位。
  9. 如請求項5之輻射源，其中：該雷射係包含至少一放大腔室之一氣體雷射，及該氣體雷射包含複數個放大腔室，其中該等放大腔室之每一者維持於實質上相同的壓力。
  10. 一種輻射源，其包含：一燃料目標產生器，其經配置以將一燃料目標提供於目標部位處；及一激發光束源，其經配置以將複數個激發光束引導於一目標部位處以在該目標部位處形成一第一合併(merged)激發光束，使得在使用時該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿； 其中該激發光束源包含至少一相位調整器以用於調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
  11. 如請求項10之輻射源，其中：該激發光束源進一步包含一第一感測器配置，該第一感測器配置經組態以量測一第一屬性(property)，該第一屬性為激發輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示(indicative of)一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性；及其中該第一屬性係至少部分地由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位判定。
  12. 如請求項11之輻射源，其中該第一感測器配置包含一第一光學元件，該第一光學元件經配置以引導該複數個激發光束中至少兩者之各別部分以形成一第二合併激發光束，且其中激發輻射之該第一部分為該第二合併激發光束。
  13. 如請求項10之輻射源，其中該複數個激發光束之每一者具有一相同波長。
  14. 一種產生用於一微影裝置之輻射之方法，其包含：將一燃料目標提供於一電漿形成部位處；將複數個激發光束引導於一電漿形成部位處以在該電漿形成部位處形成一第一合併激發光束，使得該燃料目標內之燃料由該第一合併激發光束激發以產生一輻射產生電漿；及調整該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位。
  15. 如請求項14之方法，其中調整該複數個激發光束中至少一者之一相位包含：調整該複數個激發光束中至少一者之一相位，使得該複數個激發光束中每一者相干地(coherently)合併於該第一 合併激發光束中。
  16. 如請求項14之方法，其進一步包含：在一第一感測器配置處量測一第一屬性，該第一屬性為激發輻射之一第一部分之一屬性，該第一屬性指示一第二屬性，該第二屬性為該第一合併激發光束之一屬性；其中該第一屬性至少部分地由該複數個激發光束中至少一者相對於該複數個激發光束中至少一其他者之一相位判定。
  17. 如請求項14之方法，其中該複數個激發光束之每一者具有一相同的波長。
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