TWI650044B - 輻射源、輻射系統及微影裝置 - Google Patents

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Abstract

一種輻射源，其包括一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著一小滴路徑朝向一電漿形成部位引導一燃料小滴串流，且該輻射源經組態以接收具有高斯強度分佈、具有一預定波長且沿著一預定軌跡傳播之一高斯輻射光束，且經進一步組態以將該輻射光束聚焦於該電漿形成部位處之一燃料小滴上。該輻射源包括一相位板結構，該相位板結構包括一或多個相位板。該相位板結構具有一第一區及一第二區。該等區經配置成使得傳遞通過該第一區的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區的具有該預定波長之輻射沿著具有不同光學路徑長度之各別光學路徑傳播。該等光學路徑長度之間的一差為該預定波長之一半的奇數倍。

Description

輻射源、輻射系統及微影裝置
本發明係關於一種輻射源及一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k 1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷 特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射源，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之小滴，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡像式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
產生EUV輻射之另一已知方法被稱為雙雷射脈衝(DLP)。在DLP方法中，舉例而言，藉由摻釹釔鋁石榴石(Nd：YAG)雷射來預加熱小滴以造成小滴(例如，錫小滴)分解成蒸汽及小粒子，蒸汽及小粒子接著藉由CO2雷射而加熱至極高溫度。
在諸如LPP及DLP方法之已知方法中，產生小滴串流。小滴可作為連續串流或以脈衝予以產生。
舉例而言，在一種尤其用於LPP方法之已知方法中，將經加熱容器填充有自該容器經由過濾器及壓電致動器而傳遞至毛細管之熔融 錫。連續射流自毛細管之末端退出，連續射流之速度係由壓電致動器調變。在行程期間，此射流分解成小的小滴，且歸因於經調變速度，此等較小的小滴合併成以較大距離而隔開之較大的小滴。
預加熱小滴以造成小滴分解成蒸汽及小粒子之雷射光束可相對於其所預加熱之小滴稍微未對準。當CO2雷射將蒸汽及小粒子加熱至極高溫度時，此稍微未對準可造成進一步未對準。此進一步未對準可有害於由所得電漿發射之EUV輻射之量。
根據本發明之一態樣，提供一種輻射源，其包括一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著一小滴路徑朝向一電漿形成部位引導一燃料小滴串流。該輻射源經組態以接收具有高斯強度分佈、具有一預定波長且沿著一預定軌跡傳播之一高斯輻射光束。該輻射源經進一步組態以將該輻射光束聚焦於該電漿形成部位處之一燃料小滴上。該輻射源包括一相位板結構，該相位板結構包含一或多個相位板。該相位板結構具有一第一區及一第二區。該等區經配置成使得傳遞通過該第一區的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區的具有該預定波長之輻射沿著具有不同光學路徑長度之各別光學路徑傳播。當傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射射中該電漿形成部位處之該等燃料小滴中之一者時，傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差為該預定波長之一半的奇數倍。
此態樣之一效應為：其提供調整該輻射光束之一剖面使得在該電漿形成部位處該剖面較扁平且較寬之可能性。
增加針對該輻射光束相對於該小滴之對準要求之容許度可解決一稍微未對準將有害於所發射之EUV輻射之量的問題。
傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射可為 該高斯輻射光束之不同部分。傳遞通過該第一區之該輻射可包括該強度分佈之至少一頂部。傳遞通過該第二區之該輻射可經定位成與該強度分佈之一頂部相隔一距離，此情形可提供使該高斯分佈之曲線之側之至少部分與該強度分佈之該頂部反相的可能性。
根據本發明之一態樣，該相位板結構包括兩個相位板，該等相位板中之至少一者包括至少一第一區域及一第二區域，其中傳遞通過該第一區域的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區域的具有該預定波長之輻射沿著各別光學路徑傳播，傳遞通過該第一區域之該輻射與傳遞通過該第二區域之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差在相對於該相位板位於下游的該輻射光束之該軌跡上之一部位處為該預定波長之一半的奇數倍。
根據本發明之一態樣，該相位板結構包括兩個相位板，該等相位板中之至少兩者包括至少一第一區域及一第二區域，其中傳遞通過該第一區域的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區域的具有該預定波長之輻射沿著各別光學路徑傳播，傳遞通過該第一區域之該輻射與傳遞通過該第二區域之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差在相對於該相位板位於下游的該輻射光束之該軌跡上之一部位處為該預定波長之一半的奇數倍。
該一或多個相位板可由ZnSe及/或ZnS製成。
下文參看隨附圖式來詳細地描述另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
200‧‧‧燃料小滴串流產生器
205‧‧‧雷射光束
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
211‧‧‧電漿形成部位
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
301a‧‧‧主脈衝雷射源
301b‧‧‧預脈衝雷射源
302a‧‧‧鏡面
302b‧‧‧光束分裂器
303a‧‧‧輻射光束
303b‧‧‧輻射光束
305‧‧‧光束遞送系統
307‧‧‧反射器
309‧‧‧反射器
311‧‧‧光束分裂器
313‧‧‧光束分裂器
315‧‧‧光束分裂器
317‧‧‧預定主軌跡
319‧‧‧預定預脈衝軌跡
320‧‧‧聚焦單元
321‧‧‧相位板結構
322‧‧‧小滴
323‧‧‧第一相位板
325‧‧‧第二相位板
327‧‧‧第一區域
329‧‧‧第一區域
331‧‧‧第二區域
333‧‧‧第二區域
335‧‧‧輻射光束之橫截面
337‧‧‧第一區
339‧‧‧第二區
341‧‧‧致動器系統
343‧‧‧最終聚焦度量衡單元
345‧‧‧資料
347‧‧‧資料處理系統
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧近正入射輻射收集器
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射源/雷射系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測系統
PS2‧‧‧位置感測系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應或功能上相似部件，且在 該等圖式中：圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪包括具有正入射鏡面之源收集器模組的圖1之裝置的更詳細視圖；圖3示意性地描繪圖2所展示之源收集器模組之光束遞送系統；及圖4示意性地描繪圖3之光束遞送系統之相位板結構。
應注意，在本說明書中對「一項實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示出所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但並非每一實施例可必要地包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應認為，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100。該微影裝置包括EUV輻射源。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組 件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個 其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所要譜線發射元素之材料小滴)而產生所要電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射源之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組SO中之輻射收集器予以收集。
舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此等狀況下，輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。雷射及燃料供應器可被認為包含EUV輻射源。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測系統PS2(例如，使用干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同 目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測系統PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性而判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構220中。
雷射源LA經配置以將雷射能量經由雷射光束205而沈積至自燃料小滴串流產生器200提供的諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，燃料小滴串流產生器200具有經組態以沿著一路徑朝向電漿形成部位211引導小滴串流之噴嘴。此情形在電漿形成部位211處產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射輻射收集器CO收集及聚焦。雷射系統LA及燃料小滴串流產生器200可一起被認為包含EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
由輻射收集器CO反射之輻射聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處之輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
雷射系統LA可用以預加熱燃料。圖3中描繪此情形。圖3示意性地揭示雷射系統LA。雷射源LA包含兩個雷射源301a、301b，雷射源301a、301b經建構及配置以產生呈脈衝式形式之輻射光束303a、303b。主脈衝雷射源301a可經組態以產生具有10.59微米之波長之輻射，且預脈衝雷射源301b可經組態以產生具有10.23微米之波長之輻射。鏡面302a及光束分裂器302b反射具有10.23微米之波長之輻射，如圖3所展示。
圖3之實施例經組態成使得在使用中首先觸發雷射源301b以產生脈衝，且在(例如)1微秒以後觸發雷射源301a以產生脈衝。
雷射系統LA包含光束遞送系統305。光束遞送系統305包括反射器307、309及光束分裂器311、313、315。反射器307、309及光束分裂器311、313、315經組態成使得輻射光束沿著預定主軌跡317及預定預脈衝軌跡319傳播。光束分裂器311經組態以反射具有約10.59微米之波長之輻射，且透射具有約10.23微米之波長之輻射。因此，由雷射源301a產生之脈衝沿著軌跡317傳播，且由雷射源301b產生之脈衝沿著軌跡319傳播。軌跡317、319兩者穿過聚焦單元320，聚焦單元320將輻射光束聚焦於電漿形成部位211處以射中小滴322中之一者。
圖3之光束遞送系統305包括相位板結構321，相位板結構321在圖4中予以更詳細地描繪。相位板結構321包括第一相位板323及第二相位板325。相位板323、325中之每一者包括第一區域327、329及第二區域331、333。相位板323、325經定位及定向成使得沿著預定預脈衝軌跡319傳播之雷射光束303之一部分傳播通過第一相位板323及第二相位板325兩者。
相位板323、325中之每一者經建構及配置成使得來自傳遞通過第一區域327、329之輻射光束303之輻射及具有來自傳遞通過第二區域331、333之輻射光束303之輻射的輻射具有光學路徑長度差。此差可為輻射光束303之波長之一半的奇數倍。此波長可為預脈衝雷射源301b之輻射之波長，在此實施例中為約10.23微米。
在圖4中，展示輻射光束303之橫截面335。該輻射光束之一部分傳遞通過第一區337，且該輻射光束之另一部分傳遞通過第二區339。熟習此項技術者將容易確認到，此情形引起相移，若輻射光束303之輻射相對於相位板結構321在上游同相，則相移造成透射通過第一區337之輻射相對於透射通過第二區339之輻射反相。第一區337之大小 係由第一相位板323之位置及第二相位板325之位置判定，該等位置中之一者或兩者係由圖3所展示之致動器系統341判定。
返回至圖3，最終聚焦度量衡單元343提供關於輻射光束303之強度剖面及波前的資料345。資料處理系統347計算聚焦單元320與光束分裂器313、315之組合之焦點附近的光束剖面。此處可為輻射光束傳遞通過相位板結構321之處。資料處理系統347操作致動器系統341，致動器系統341相對於沿著軌跡319傳遞的輻射光束之部分來定位相位板323、325。
相位板323、325之位置經操作成使得電漿形成部位211中沿著預脈衝軌跡319傳播之光束橫截面並非高斯，而是具有較扁平化之剖面。
在操作中，預脈衝雷射源301b首先產生脈衝。該脈衝沿著軌跡319傳播通過相位板結構321。此情形造成脈衝之波前被扁平化，如上文所解釋。脈衝輻照小滴322，小滴322汽化成餅狀雲。接著，觸發主脈衝雷射源301a且其產生脈衝，該脈衝沿著軌跡317傳播且射中該雲以產生EUV發射電漿。
應理解，在不偏離本發明的情況下，許多變化及修改係可能的。代替上文所提及的可為CO2雷射之預脈衝雷射源，可使用摻釹釔鋁石榴石(Nd：YAG)雷射，其產生具有(例如)約1.064微米之波長之輻射。
通常，比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。源收集器模組SO之值得注意的一個特徵為：雷射源成角度，此意謂供應至雷射源LA之燃料小滴串流應實質上水平以避免燃料小滴撞擊收集器CO。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、LED、太陽能電池、光子器件，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (14)

  1. 一種輻射源，其包含：一噴嘴，其經組態以沿著一小滴路徑朝向一電漿形成部位引導一燃料小滴串流；該輻射源經組態以接收具有高斯強度分佈、具有一預定波長且沿著一預定軌跡傳播之一高斯輻射光束，該輻射源經進一步組態以將該輻射光束聚焦於該電漿形成部位處之一燃料小滴上；一相位板結構，其包含一或多個相位板，該相位板結構具有一第一區及一第二區，該等區經配置成使得傳遞通過該第一區的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區的具有該預定波長之輻射沿著具有不同光學路徑長度之各別光學路徑傳播，其中當傳遞通過該第一區(zone)之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射射中該電漿形成部位處之該等燃料小滴中之一者時，傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差為該預定波長之一半的奇數倍，其中該相位板結構包含兩個相位板，該等相位板中之至少一者包含至少一第一區域(area)及一第二區域，其中傳遞通過該第一區域的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區域的具有該預定波長之輻射沿著各別光學路徑傳播，傳遞通過該第一區域之該輻射與傳遞通過該第二區域之該輻射之間的一光學路徑長度差在相對於該相位板下游的該輻射光束之該軌跡上之一部位處為該預定波長之一半的奇數倍。
  2. 如請求項1之輻射源，其中傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通 過該第二區之該輻射為該高斯輻射光束之不同部分。
  3. 如請求項2之輻射源，其中傳遞通過該第一區之該輻射包含該強度分佈之至少一頂部。
  4. 如請求項2之輻射源，其中傳遞通過該第二區之該輻射經定位成與該強度分佈之一頂部相隔一距離。
  5. 如請求項1之輻射源，其中該相位板結構包含至少兩個相位板，該等相位板中之至少兩者包含至少一第一區域及一第二區域，其中傳遞通過該第一區域的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區域的具有該預定波長之輻射沿著各別光學路徑傳播，傳遞通過該第一區域之該輻射與傳遞通過該第二區域之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差在相對於該至少兩個相位板下游的該輻射光束之該軌跡上之一部位處為該預定波長之一半的奇數倍。
  6. 如請求項5之輻射源，其中該至少兩個相位板判定傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的該差。
  7. 如請求項6之輻射源，其中該至少兩個相位板在橫向於該輻射光束之一方向上相對於該輻射光束可移動，使得該第一區之一大小及/或部位及/或該第二區之一大小及/或部位可調整。
  8. 如請求項1之輻射源，其中該預定波長介於9微米與11微米之間。
  9. 如請求項1之輻射源，其中該預定波長介於900奈米與1100奈米之間。
  10. 一種輻射系統，其包含如請求項1之輻射源，經建構及配置以產生極紫外線輻射及一雷射源，以提供具有該預定波長的該高斯輻射光束。
  11. 如請求項10之輻射系統，其中該輻射系統經建構及配置以提供 一預脈衝以射中該電漿形成部位處之該燃料小滴，且在該燃料小滴已由該預脈衝射中之後提供一後續主脈衝以射中該電漿形成部位處之該燃料小滴，以產生一極紫外線輻射產生電漿。
  12. 如請求項11之輻射系統，其中該輻射系統經組態成使得在使用中該雷射源產生該預脈衝及該後續主脈衝。
  13. 如請求項11之輻射系統，其中該輻射系統經組態成使得在使用中該雷射源產生該預脈衝，且其中該輻射系統包含一另外雷射源，該輻射系統經組態成使得在使用中該另外雷射源產生該主脈衝。
  14. 一種微影裝置，其包含：一輻射源包含：一相位板結構，其包含一或多個相位板，該相位板結構具有一第一區及一第二區，該等區經配置成使得具有一高斯強度分布及具有一預定波長傳遞通過該第一區之輻射及具有該高斯強度分布及具有該預定波長傳遞通過該第二區之輻射沿著具有不同光學路徑長度之各別光學路徑傳播，其中當傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射射中該電漿形成部位處之該等燃料小滴中之一者時，傳遞通過該第一區之該輻射與傳遞通過該第二區之該輻射之間的該等光學路徑長度之間的一差為該預定波長之一半的奇數倍，其中該相位板結構包含兩個相位板，該等相位板中之至少一者包含至少一第一區域(area)及一第二區域，其中傳遞通過該第一區域的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區域的具有該預定波長之輻射沿著各別光學路徑傳播，傳遞通過該第一區域之該輻射與傳遞通過該第二區域之該輻射之間的一光學路徑長度差在相對於該相位板下游的該輻射光束之該軌跡上之一部 位處為該預定波長之一半的奇數倍；及一投影系統經組態以接收來自電漿形成部位的輻射，並將該輻射投影至一輻射敏感基板上。
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