TWI548951B - 輻射源 - Google Patents

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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

輻射源
本發明係關於一種適於結合微影裝置而使用或形成微影裝置之部件的輻射源。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影被廣泛地認為在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷限度之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射的波長，NA為用以印刷圖案之投影系統的數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立 常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小的縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由降低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內(諸如，6.7奈米或6.8奈米))之波長的EUV輻射。此輻射被稱作極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫)之粒子(亦即，小滴)，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱作雷射產生電漿(LPP)源。在亦可使用雷射之使用之替代系統中，可藉由使用放電(放電產生電漿(DPP)源)所形成之電漿來產生輻射。
所提議之LPP輻射源產生連續燃料小滴串流。如上文所論述，可將雷射光束引導於此等燃料小滴處以產生輻射產生電漿。然而，該串流中之所有小滴可能不被雷射光束作為目標，且因此，一些小滴可能傳遞通過及超出電漿形成部位，而未(例如)藉由雷射光束汽化或其類似者。需要捕獲此等燃料小滴，且較佳地以使得最小化或避免飛濺之方式捕獲此等燃料小滴，該飛濺可污染輻射源(例如，形成輻射源之部件的收集器)。
用於捕獲燃料小滴之所提議裝置涉及開端式管件之使用，如(例如)公開國際(PCT)專利申請案WO 2010/117858所示。將小滴引導至此管件中，使得小滴以掠入射角入射於該管件之內部表面上，因此造成幾乎沒有回濺。然而，管件之所需或所要尺寸係與小滴之速率有聯繫，且亦與小滴至管件中之遞送之準確度有聯繫。若小滴較快速，則入射角需要為較掠射的，且一般而言，管件之長度需要增加。或者或另外，若小滴遞送之準確度不一致，則管件開口可能需要較寬，以便能夠捕獲每一小滴且處於所需掠入射角。此等問題中之一者或其兩者可導致需要較大管件(在管件之長度及/或寬度方面)。輻射源內之空間非常寶貴，且在空間限定、設計限定及成本方面不需要使輻射源簡單地較大以容納此以管件為基礎之捕獲器件。
需要預防或減輕先前技術之至少一問題(無論是在本文中或是在別處予以識別)，或需要提供現有裝置或方法之替代例。
根據一態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌道引導一燃料小滴串流；一雷射，其經組態以輸出雷射輻射，該雷射輻射在該電漿形成部位處經引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；及一捕獲器，其經配置以捕獲通過該電漿形成部位之燃料小滴，該捕獲器包含：一容器，其經建構以含有一流體；一驅動器，其經建構及配置以驅動該流體以造成該流體移動；該捕獲器經組態成使得該等燃料小滴入射於該移動流體上。
該捕獲器可進一步包含一表面，該驅動器經配置以沿著、遍及或越過該表面(其包括該表面之一下側)驅動流體，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於沿著、遍及或越過該表面驅動之流體上。
沿著、遍及或越過該表面驅動之流體可相對於該等小滴之該軌道而傾斜(例如，垂直於該小滴軌道，或與該小滴軌道成介於(但不包括)0度與180度之間的角度)。
該表面可相對於該等小滴之該軌道而傾斜，且該驅動器可經組態以至少輔助向下且沿著該表面(其包括該表面之一下側)驅動流體以在該表面上形成一流體膜，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於該流體膜上。
該表面及該驅動器可經配置以確保流體大體上離開該等小滴之一軌道而流動。
該驅動器可經組態以遍及該表面驅動流體以形成一流體波，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於該流體波上。
該驅動器可包含一泵。該泵可以所描述方式通過一或多個導管而抽汲流體以移動該流體。
該容器可為實質上管件狀，其中一開口經配置以收納該等小滴。
該驅動器可為經建構以旋轉該管件狀容器之一旋轉機構。
該旋轉機構可經建構以足夠快速地旋轉該管件以確保流體駐留於該管件狀容器之一內部表面上及/或傳遞遍及該管件狀容器之一內部表面，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於駐留於該管件狀容器之該內部表面上及/或傳遞遍及該管件狀容器之該內部表面的流體上。
該噴嘴可經組態以沿著為實質上水平或為實質上垂直之一軌道或在具有一水平分量之一軌道中或在具有一垂直分量之一軌道中引導該燃料小滴串流。
該流體可為或可包含與形成該等燃料小滴之材料相同的材料，或該流體可為用於該燃料之一載體。
該捕獲器可包含一加熱器，或可熱連接至一加熱器。該加熱器可經組態以加熱該流體及/或該等經捕獲小滴，以使該流體及/或該等經捕獲小滴維持於一流體形式。
該捕獲器可與該噴嘴進行流體連接，使得經捕獲小滴可經引導至及返回通過該噴嘴(例如，使得該等經捕獲小滴可被再循環或再使用)。
該流體可為一液體(例如，其包括處於一至少部分熔融狀態之一固體)。
該表面可為該輻射源之一壁或其類似者。該表面可經組態(例如，經塑形或經紋理化)以將流體引導至該容器。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其經建構以提供一輻射光束；一圖案化器件，其用於在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其經建構及配置以固持一基板；一投影系統，其經建構及配置以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；且其中該微影裝置進一步包含本發明之第一態樣之輻射源，或與本發明之第一態樣之輻射源連接。
該表面可為該微影裝置或輻射源之一壁或其類似者。該表面可經組態(例如，經塑形或經紋理化)以將流體引導至該容器。
根據又一態樣，提供一種捕獲用於一輻射源中之燃料小滴之方法，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌道引導一燃料小滴串流；一雷射，其經組態以輸出雷射輻射，該雷射輻射在該電漿形成部位處經引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；且該方法包含：驅動一流體以造成該流體之移動；及朝向該移動流體引導該等燃料小滴。
根據再一態樣，提供一種經配置以捕獲通過電漿形成部位之燃料小滴之捕獲器，該捕獲器包含：一容器，其經建構以含有一流體；一驅動器，其經建構及配置以驅動該流體以造成該流體移動；該捕獲器經組態成使得該等燃料小滴入射於該移動流體上。該捕獲器可結合一輻射源而使用，或形成一輻射源之一部件，例如，形成一微影裝置之部件或可連接至一微影裝置的一輻射源。
應瞭解，在適當時，關於第一態樣所描述之特徵可適用於第二態樣、第三態樣及/或第四態樣。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射輻射光束B之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2更詳細地展示根據一實施例之微影裝置LAP，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構2中。
雷射4經配置以經由雷射光束6而將雷射能量沈積至自燃料供應件8所提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中。此情形在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度的高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間所產生的高能輻射係自電漿10發射、藉由近正入射輻射收集器14收集及聚焦。雷射4及燃料供應件8(及/或收集器14)可一起被認為包含輻射源(尤其是EUV輻射源)。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。
可提供第二雷射(圖中未繪示)，第二雷射經組態以在雷射光束6入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(DLP)源。
儘管圖中未繪示，但燃料供應件可能包含經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌道引導燃料小滴串流的噴嘴，或與經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌道引導燃料小滴串流的噴嘴連接。
藉由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於虛擬源點16處。虛擬源點16通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。虛擬源點16為輻射發射電漿10之影像。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束B之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且藉由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
圖3示意性地更詳細地描繪根據一實施例之所提議輻射源之部件。燃料小滴串流30經展示為已通過電漿形成部位(該部位在此圖中係不可見的)。由於通過電漿形成部位，需要捕獲小滴30以防止污染輻射源。如上文已經論述，在所提議輻射源中，藉由開端式似管件容器32捕獲小滴。似管件容器32經組態(例如，經建構、經塑形、經定向或其類似者)以確保傳遞至似管件容器32中且入射於該容器32之內部表面上之小滴30以實質上掠入射角34而入射。此組態最小化入射小滴30產生回濺之機會，回濺可總體上污染輻射源(例如，形成輻射源之部件的收集器)或微影裝置。燃料小滴30可創製燃料池36及/或最終入射於燃料池36上。可(例如)在公開國際(PCT)專利申請案WO 2010/117858中找到圖3所示之配置的更詳細描述。
應理解，圖3所示之配置充當用於捕獲通過電漿形成部位之燃料小滴之捕獲器。捕獲器亦可被稱作小滴收集器。雖然圖3所示之捕獲器可根據吾人所欲而伺服及起作用，但捕獲器之設計係使得若燃料小滴30之速率增加或小滴30之軌道不準確，則可能需要設計改變。此等改變可能分別為管件之長度增加，及管件之開口之寬度增加。此等增加兩者或其中任一者皆引起容納捕獲器所需要之空間增加，此情形在微影裝置內及圍繞微影裝置之空間非常寶貴時可能不為理想的。此外，可能需要根據需要及在需要時改變小滴速率，但也許沒有可能或不易於相應地改變管件之長度。因此，需要提供一種經配置以捕獲通過電漿形成部位之燃料小滴之捕獲器，其不經受與圖3之捕獲器所示且參看圖3之捕獲器所描述之設計問題相同的設計問題。
根據本發明之一實施例，可預防或減輕經配置以捕獲通過輻射源之電漿形成部位之燃料小滴之現有及所提議捕獲器的一或多個問題。在一情況下，本發明之一實施例提供一種輻射源。該輻射源包含經組態以沿著朝向電漿形成部位之軌道引導燃料小滴串流之噴嘴。亦提供雷射，其經組態以在電漿形成部位處將雷射輻射引導於燃料小滴處以在使用時產生輻射產生電漿。亦提供捕獲器以捕獲通過電漿形成部位之燃料小滴。本發明之實施例可經描述為區別於現有及所提議捕獲器之處在於：捕獲器包含用於含有流體(在使用時，燃料小滴將入射至流體上)之容器。提供驅動器以驅動流體以造成流體移動。捕獲器總體上經組態(例如，經塑形、經定向、經定位或其類似者)成使得燃料小滴入射於該移動流體上。
儘管將描述各種不同實施例，但該等實施例當中之共同概念為：將燃料小滴引導朝向移動流體且引導至移動流體上或引導至移動流體中。此情形被預期縮減回濺。下文將更詳細地論述額外選用特徵及關聯益處。
現在將參看圖4至圖9而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在圖4至圖9中，出於清晰性及一致性起見，已向相同特徵給出相同元件符號。該等圖係示意性的，且尚未按任何特定比例繪製。
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的供輻射源中使用之捕獲器。如同圖3之配置一樣，燃料小滴串流30經展示為具有實質上水平軌道，且小滴30係以此實質上水平軌道入射於捕獲器上。捕獲器包含經建構以含有流體42之容器40。流體42可能為或可能包含與形成燃料小滴30之材料相同的材料(例如，錫)。或者，流體42可為用於燃料小滴之載體(例如，至少理論上可供使用進一步處理或其類似者來萃取燃料的載體)。在此實施例中，容器40為實質上類浴槽形式。捕獲器進一步包含經配置以驅動流體42之移動(例如，流體42之至少移動，或橫越流體42之表面之至少移動)的驅動器44。在此實施例中，驅動器44包含泵。泵44可結合一或多個導管或其類似者而用於引導流動流體。
當燃料小滴串流30具有實質上水平軌道時，待克服之問題為如何向燃料小滴串流30呈現用於捕獲該等小滴之流體本體。為了達成此情形，捕獲器進一步包含表面46。一般而言，驅動器44經配置以沿著、遍及或越過表面46驅動流體。捕獲器經配置成使得在使用時，燃料小滴30入射於沿著、遍及或越過該表面46驅動之流體上。沿著、遍及或越過表面46驅動之流體42較佳地相對於小滴30之軌道而傾斜(亦即，以呈現其中或其上可經引導有小滴30的流體本體42)。在此特定實施例中，表面46自身相對於小滴30之軌道而傾斜。驅動器44經組態以至少輔助驅動來自容器40之流體42且接著向下且沿著表面46驅動流體42以在該表面46上形成流體膜48。接著，捕獲器總體上經配置(其包括經定位)成使得在使用時，燃料小滴30入射於該流體膜48上。術語「膜」之使用並不強加對表面46上之流體之厚度或深度的任何特定限制。取而代之，術語「膜」之使用至少暗示：在使用時，流體沿著表面46之流動不產生任何飛濺或實質量之飛濺或其類似者。
出於數種原因，可認為圖4之捕獲器係有益的。至少一原因為：該捕獲器提供其中或其上可經引導有燃料小滴的移動流體本體(即使燃料小滴被引導於水平軌道中(相對於垂直軌道，在垂直軌道的情況下，或許可用簡單靜止的流體池來捕獲該等小滴))。此外，捕獲器提供移動流體本體，其被視為進一步增進小滴之捕獲，同時防止或限制回濺。又另外，其中或其上經引導有小滴的流體相對於小滴之軌道係非垂直的，此情形亦可能縮減回濺。
圖5展示圖4所示之實施例的替代實施例。在圖5中，與圖4所示且參看圖4所描述之原理相同的許多原理仍適用。然而，且與圖4對比，驅動器44(其再次可能為或包含泵)現在經組態以遍及表面52驅動流體42。表面52可能以相對於流體42之流動方向之非垂直方向而傾斜，以輔助流體波54之形成。接著，捕獲器總體上經配置成使得在使用時，燃料小滴30入射於流體波54上，以實現已經關於圖4之捕獲器所描述的大多數(若非全部)益處。
圖6描繪稍微不同於圖4及圖5所示且參看圖4及圖5所描述之實施例的實施例，及或許與圖3所示之現有或所提議捕獲器更緊密地有關的實施例。參看圖6，捕獲器現在包含為實質上管件狀之容器60，其中開口經配置以收納小滴30。使該捕獲器區別於已經存在或已經提議之捕獲器是提供為或包含經建構以旋轉(62)管件狀容器60之旋轉機構的驅動器。該旋轉機構經建構以足夠快速地旋轉管件(亦即，在使用時)以確保流體54(例如，經預裝載至容器60中)駐留於管件狀容器之內部表面上及/或傳遞遍及管件狀容器之內部表面。
在以所描述方式旋轉管件60時，亦存在圖4及圖5之實施例已經展示且參看圖4及圖5之實施例已經描述的益處，且該等益處係用圖6之實施例予以實現。具體言之，出於數種原因，可認為圖6之捕獲器係有益的。至少一原因為：該捕獲器提供其中或其上可經引導有燃料小滴的移動流體(即使燃料小滴被引導於水平軌道中)。此外，捕獲器提供移動流體本體，該移動被視為進一步增進小滴之捕獲，同時防止或限制回濺。又另外，其中或其上經引導有小滴的流體相對於小滴之軌道係非垂直的，此情形亦可能縮減回濺。
在圖4及圖5中，小滴之軌道已經展示為實質上水平，或至少具有水平分量，此情形否則將使難以使用具有實質上水平表面之靜止流體池來捕獲該等小滴。然而，圖4及圖5所示之實施例亦適用於小滴具有實質上垂直軌道(或至少具有垂直分量)之情形。圖7及圖8之捕獲器經展示為分別與圖4及圖5所示之捕獲器對應。然而，該等圖現在展示出，小滴30具有實質上垂直軌道。然而，上文所論述之所有益處同樣地適用於圖7及圖8之捕獲器。
上文已展示根據本發明之實施例的各種不同捕獲器。儘管圖中未繪示，但亦可提供較簡單捕獲器以用於捕獲具有實質上垂直軌道或至少具有在垂直方向上之分量的小滴。可提供流體池以用於捕獲此等小滴。本發明之區別之處可為驅動流體以造成流體(例如，至少其表面)之移動，捕獲器經組態成使得燃料小滴入射於該移動流體上。移動該流體可引起回濺之縮減(甚至在此相對簡單實施例中)。
儘管諸圖中未繪示，但本發明之實施例可另外包括形成捕獲器之部件或可熱連接至捕獲器的加熱器。「可熱連接」可在功能上被定義為加熱器能夠加熱捕獲器之容器中所含有的流體。加熱器可經組態以加熱流體及/或該流體中所捕獲之小滴，以使流體及/或經捕獲小滴維持於流體形式。加熱器可藉由數種手段(例如，藉由傳導、對流或輻射)中任一者來加熱流體。
在一有關實施例中，或在上文所描述之實施例之開發中，捕獲器可與用以提供小滴串流之噴嘴(其包括用於該噴嘴之燃料儲集器)進行流體連接。此情形允許將經捕獲小滴引導至及返回通過噴嘴，從而(例如)允許經捕獲小滴之再循環或再使用。在將經捕獲燃料小滴傳遞回至及通過噴嘴之前，可能需要處理經捕獲燃料小滴，例如，經歷一或多個過濾步驟，或其他形式之污染移除。
在燃料小滴之軌道實質上水平或包含水平分量的實施例中，所描述實施例展示相對於小滴之軌道傾斜的流體。在上文未繪示或未描述之實施例中，流體可經驅動以便形成瀑布(waterfall)，例如，沿著且遍及或越過表面流動以產生瀑布效應或(或許更一般化地)「流體瀑布(fluid-fall)」效應。捕獲器可接著經配置成使得小滴入射於及入射至該流體瀑布中。
自前述段落繼續，流體可以除了圖4至圖8所示之角度以外的角度相對於小滴之軌道而傾斜。舉例而言，圖9展示與圖4所示且參看圖4所描述之實施例有關的實施例，但其中，與圖4之實施例對比，流體48係沿著表面46之下側被驅動。此情形係藉由如下方式達成：倒轉表面46之定向(相比於表面46在圖4中之定向)，使得流體48向下且離開小滴30之實質上水平軌道而移動。流體48歸因於表面張力而遺留於表面上。移動流體48再次防止或限制小滴30之飛濺及其類似者，例如，防止或限制至位於流體攜載表面46下方之輻射收集器表面70上的此飛濺或其類似者。舉例而言，相比於流體48朝向小滴30之實質上水平軌道而移動(如圖4所示)的情況，流體48現在離開小滴30之實質上水平軌道而移動的事實可縮減飛濺。
如圖9所示，流體被驅動所遍及、沿著或越過之整個表面不需要位於容器之上。取而代之，僅一部分可能需要位於容器之上，例如，末端部分(流體可自末端部分流動至容器中)。另一部分可延伸遍及或超出被保護免於污染之物件(例如，輻射源之收集器)。
流體被驅動所遍及、沿著或越過之表面已經展示為分離表面。在其他實施例中，表面可為輻射源之表面，或微影裝置之表面(例如，其壁，或裝置源之另一結構之壁)。該表面可經組態以確保流動流體在某些方向上被引導(例如)至一或多個容器。
可能需要在任何時間皆位於表面上之流體體積可取決於數個因素，例如，流體之所要深度(例如，膜厚度)，及表面之尺寸。
應瞭解，具有上文所描述之實施例中任一者之捕獲器的上文所描述之輻射源可作為隔離型或獨立裝置為特別有益的，且可作為以隔離形式之輻射單元予以製造、銷售、裝運或其類似者。然而，亦應瞭解，輻射源可形成其他裝置(例如，諸如上文所示且參看圖1及圖2所描述之微影裝置的微影裝置)之部件。本發明之一實施例亦可經描述為供輻射源中使用之捕獲器，捕獲器具有如上文所論述之一或多個特徵，例如，至少為：用於含有流體之容器；用於驅動流體以造成流體移動之驅動器；捕獲器經組態成使得燃料小滴入射於該移動流體上。可將捕獲器修整至現有輻射源，或將捕獲器配合為新建構之輻射源之整體部件。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
2．．．圍封結構
4．．．雷射
6．．．雷射光束
8．．．燃料供應件
10．．．高度離子化電漿/輻射發射電漿
12．．．電漿形成部位
14．．．輻射收集器
16．．．虛擬源點/中間焦點
18．．．開口
20．．．琢面化場鏡面器件
22．．．琢面化光瞳鏡面器件
24．．．經圖案化光束
26．．．反射元件
28．．．反射元件
30．．．燃料小滴串流/燃料小滴/入射小滴
32．．．開端式似管件容器
34．．．掠入射角
36．．．燃料池
40．．．容器
42．．．流體/流體本體
44．．．驅動器/泵
46．．．表面
48．．．流體膜/流體
52．．．表面
54．．．流體波/流體
60．．．管件狀容器/管件
62．．．旋轉
70．．．輻射收集器表面
B．．．輻射光束/輻射
C．．．目標部分
IL．．．照明系統/照明器
LAP．．．微影裝置
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．位置感測器
PS2．．．位置感測器
PW．．．第二定位器
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為根據本發明之一實施例的圖1之裝置之更詳細視圖，其包括LPP源收集器模組；
圖3示意性地描繪根據所提議輻射源的用於捕獲通過電漿形成部位之燃料小滴之捕獲器；
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於捕獲通過電漿形成部位之小滴之捕獲器；
圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於捕獲通過電漿形成部位之小滴之捕獲器；
圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於捕獲通過電漿形成部位之小滴之捕獲器；
圖7及圖8分別示意性地描繪對圖4及圖5所示且參看圖4及圖5所描述之實施例之微細變化；及
圖9示意性地描繪對圖4所示之實施例之變化。
30．．．燃料小滴串流/燃料小滴/入射小滴
40．．．容器
42．．．流體/流體本體
44．．．驅動器/泵
46．．．表面
48．．．流體膜/流體

Claims (15)

  1. 一種輻射源，其包含：一噴嘴(nozzle)，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌道(trajectory)引導(direct)一燃料小滴(droplets)串流；一雷射，其經組態以輸出雷射輻射，該雷射輻射在該電漿形成部位處經引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；及一捕獲器(catch)，其經配置以捕獲通過該電漿形成部位之燃料小滴，該捕獲器包含：一容器，其經建構以含有一流體；及一驅動器，其經建構及配置以驅動該流體以致使(cause)該流體移動；該捕獲器經組態成使得在使用時，該等燃料小滴入射於由該驅動器所移動之該流體之一傾斜表面上。
  2. 如請求項1之輻射源，其中該捕獲器進一步包含一傾斜表面，該驅動器經配置以沿著、遍及或越過該表面驅動流體，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於沿著、遍及或越過該傾斜表面驅動之流體上。
  3. 如請求項2之輻射源，其中沿著、遍及或越過該傾斜表面驅動之流體相對於該等小滴之一軌道而傾斜。
  4. 如請求項3之輻射源，其中該表面相對於該等小滴之該軌道而傾斜，且該驅動器經組態以至少輔助向下且沿著該傾斜表面驅動流體以在該表面上形成一流體膜，該捕 獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於該流體膜上。
  5. 如請求項3之輻射源，其中該驅動器經組態以驅動流體遍及該傾斜表面以形成一流體波，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於該流體波上。
  6. 如請求項1至5中任一項之輻射源，其中該驅動器包含一泵。
  7. 如請求項1之輻射源，其中該容器為實質上管件狀，其中一開口經配置以收納該等小滴。
  8. 如請求項7之輻射源，其中該驅動器為經建構以旋轉該管件狀容器之一旋轉機構。
  9. 如請求項8之輻射源，其中該旋轉機構經建構以足夠快速地旋轉該管件以確保流體駐留於該管件狀容器之一內部傾斜表面上及/或傳遞遍及該管件狀容器之一內部傾斜表面，該捕獲器經配置成使得在使用時，該等燃料小滴入射於駐留於該管件狀容器之該內部傾斜表面上及/或傳遞遍及該管件狀容器之該內部傾斜表面的流體上。
  10. 如請求項1至5中任一項之輻射源，其中該噴嘴經組態以沿著為實質上水平或為實質上垂直之一軌道或在具有一水平分量之一軌道中或在具有一垂直分量之一軌道中引導該燃料小滴串流。
  11. 如請求項1至5中任一項之輻射源，其中該流體為或包含與形成該等燃料小滴之材料相同的材料，或其中該流體為用於該燃料之一載體。
  12. 如請求項1至5中任一項之輻射源，其中該捕獲器包含一加熱器，或可熱連接至一加熱器，該加熱器經組態以加熱該流體及/或該等經捕獲小滴，以使該流體及/或該等經捕獲小滴維持於一流體形式。
  13. 如請求項1至5中任一項之輻射源，其中該捕獲器係與該噴嘴進行流體連接，使得經捕獲小滴可經引導至及返回通過該噴嘴。
  14. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經建構以提供一輻射光束；一圖案化器件，其經建構以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其經建構及配置以固持一基板；一投影系統，其經建構及配置以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；且其中該微影裝置進一步包含一輻射源，或與該輻射源連接，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌道引導一燃料小滴串流；一雷射，其經組態以輸出雷射輻射，該雷射輻射在該電漿形成部位處經引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；及一捕獲器，其經配置以捕獲通過該電漿形成部位之燃料小滴，該捕獲器包含：一容器，其經建構以含有一流體；及一驅動器，其經建構及配置以驅動該流體以致使 該流體移動；該捕獲器經組態成使得在使用時，該等燃料小滴入射於由該驅動器所移動之該流體之一傾斜表面上。
  15. 一種捕獲用於一輻射源中之燃料小滴之方法，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌道引導一燃料小滴串流；一雷射，其經組態以輸出雷射輻射，該雷射輻射在該電漿形成部位處經引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；且該方法包含：驅動一流體以致使該流體之移動；及朝向由該驅動器所移動之該流體之一傾斜表面引導該等燃料小滴。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2009117A (en) * 2011-08-05 2013-02-06 Asml Netherlands Bv Radiation source and method for lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2015528994A (ja) * 2012-08-01 2015-10-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射を発生させるための方法及び装置
JPWO2016135932A1 (ja) * 2015-02-26 2017-12-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及びターゲット回収器
KR102269695B1 (ko) * 2015-03-19 2021-06-25 삼성전자주식회사 극자외선 광 생성 장치
US10880979B2 (en) * 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI324281B (en) * 2004-03-31 2010-05-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation
US20100258748A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Vaschenko Georgiy O System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a euv generation chamber

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4953191A (en) 1989-07-24 1990-08-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High intensity x-ray source using liquid gallium target
FR2823949A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
DE10147454A1 (de) 2001-09-20 2003-04-17 Univ Schiller Jena Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets
DE10357412A1 (de) * 2003-12-03 2005-07-07 Friedrich-Schiller-Universität Jena Vorrichtung zum Auffangen und zum Abtransport von insbesondere großvolumigen und/oder salzhaltigen Flüssigkeitstargets sowie Verfahren zu deren Anwendung
JP4337648B2 (ja) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
JP4517147B2 (ja) 2004-11-26 2010-08-04 国立大学法人 宮崎大学 極端紫外光源装置
JP5156192B2 (ja) * 2006-01-24 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US7696493B2 (en) * 2006-12-13 2010-04-13 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
JP5149520B2 (ja) * 2007-03-08 2013-02-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5133740B2 (ja) 2008-03-10 2013-01-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JP5455661B2 (ja) 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
EP2415065A1 (en) 2009-04-03 2012-02-08 Excillum AB Supply of a liquid-metal target in x-ray generation
US8263953B2 (en) 2010-04-09 2012-09-11 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI324281B (en) * 2004-03-31 2010-05-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation
US20100258748A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Vaschenko Georgiy O System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a euv generation chamber

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KR101959369B1 (ko) 2019-03-18
EP2742780A1 (en) 2014-06-18
CN103733735B (zh) 2016-05-11
KR20140052024A (ko) 2014-05-02
JP5973567B2 (ja) 2016-08-23

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