CN103733735B - 辐射源 - Google Patents
辐射源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103733735B CN103733735B CN201180072807.0A CN201180072807A CN103733735B CN 103733735 B CN103733735 B CN 103733735B CN 201180072807 A CN201180072807 A CN 201180072807A CN 103733735 B CN103733735 B CN 103733735B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluid
- radiation source
- fuel droplet
- radiation
- trap setting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
一种辐射源包括:喷嘴,配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴(30)的流;激光器,配置成输出激光辐射,所述激光辐射在等离子体形成位置处被引导到燃料液滴上以在使用中生成用于产生辐射的等离子体;和捕捉装置,配置成捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴,所述捕捉装置包括:容器(40),被配置成容纳流体(42);驱动器(44),被配置成驱动所述流体以使得流体移动;所述捕捉装置被配置成使得燃料液滴入射到移动的流体上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年8月12日申请的美国临时申请61/522,928的权益,并且通过引用将其全部内容并入到本文中。
技术领域
本发明涉及辐射源,该辐射源适合于与光刻设备一起使用或形成光刻设备的一部分。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常,图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常,单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而,随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小,光刻术成为了使微型的IC或其它器件和/或结构能够被制造的更加关键的因素。
通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计:
其中,λ是所使用的辐射的波长,NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径,k1是依赖于工艺的调整因子,也称为瑞利常数,以及CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)可以得出,可以以三种方式实现减小特征的最小可印刷尺寸:通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长,并因此使最小可印刷尺寸减小,已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm的范围内的波长的电磁辐射,例如在13-14nm的范围内。还提出可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射,例如在5-10nm的范围内,诸如6.7nm或6.8nm。这样的辐射用术语“极紫外辐射”或“软x射线辐射”来表示。可能的源例如包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射的源。
可以使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激励燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过将激光束引导到燃料(诸如合适的燃料材料(例如锡)的颗粒(即液滴))或适合的气体或蒸汽(诸如Xe气体或Li蒸汽)的流来产生。所形成的等离子体发射输出辐射,例如EUV辐射,其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式的正入射辐射收集器,其接收辐射并且将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包封结构或腔,被布置以提供用于支持等离子体的真空环境。这样的辐射系统典型地用术语“激光产生等离子体(LPP)源”来表示。在可替代的也可以采用使用激光器的系统中,辐射可以由通过使用放电所形成的等离子体来产生——放电产生等离子体(DPP)源。
所提出的LPP辐射源产生连续的燃料液滴流。如上所述,激光束可以被引导到这些燃料液滴以生成用于产生辐射的等离子体。然而,在所述流中,并不是所有液滴都被激光束击中,因此一些液滴可能穿过和超出等离子体形成位置,而没有例如被激光束蒸发等等。这些燃料液滴需要被捕捉,且优选地被捕捉成使得最小化或避免溅落,该溅落可能污染辐射源(例如用于形成辐射源的一部分的收集器)。
已提出的用于捕捉燃料液滴的设备涉及使用端部开口的管,例如在公开的国际(PCT)专利申请WO2010/117858所显示的。所述液滴被引导到这个管中,使得液滴以掠入射角入射到管的内表面上,因此导致很少的回溅或不导致回溅(back-splashing)。然而,所述管的所需要的或期望的尺寸与液滴的速度相关联,且还与液滴到管中的输送精度相关联。如果所述液滴较快,那么入射角需要更加趋于掠入射,所述管通常需要增大长度。可替代地或另外地,如果液滴的传输精度不是一致的,那么所述管的开口可能需要更宽,以便能够以所需要的掠入射角捕捉每一个液滴。这些问题中的一个或两个可能导致需要在管的长度和/或宽度方面上更大的管。在辐射源内的空间是非常珍贵的,仅为了容纳这样的基于管的捕捉装置而使得辐射源更大在空间限制、设计限制以及成本方面上是不期望的。
发明内容
期望避免或减轻不论是在此处所指出的或在其他地方所指出的现有技术中的至少一个问题,或用于提供对现有的设备或方法的替代物。
根据一个方面,提供了一种辐射源,包括:喷嘴,配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的流;激光器,配置成输出激光辐射,所述激光辐射被在等离子体形成位置处引导到燃料液滴上以在使用中生成用于产生辐射的等离子体;和捕捉装置,布置成捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴,所述捕捉装置包括:容器,被构造成容纳流体;驱动器,被构造且布置成驱动所述流体以使得流体移动;所述捕捉装置被配置成使得燃料液滴入射到所述移动的流体上。
所述捕捉装置可以还包括一表面,所述驱动器被布置成沿着所述表面、在所述表面上或经过所述表面驱动流体(其包括所述表面的下侧),所述捕捉装置被布置成使得在使用中燃料液滴入射到沿着所述表面、在所述表面上或经过所述表面被驱动的流体上。
所述沿着所述表面、在所述表面上或经过所述表面被驱动的流体可以被相对于液滴的轨迹倾斜(例如垂直于液滴的轨迹或相对于液滴的轨迹成在0(但不包括0)和180度之间的角度)。
所述表面可以被相对于液滴的轨迹倾斜,所述驱动器可以被配置成至少帮助向下且沿着所述表面(其包括所述表面的下侧)驱动流体,以在所述表面上形成流体的膜,所述捕捉装置被布置成使得在使用中燃料的液滴入射到所述流体的膜上。
所述表面和驱动器可以布置成确保流体大体上流动离开液滴的轨迹。
所述驱动器可以被配置成在所述表面上驱动流体以形成流体的波,所述捕捉装置被布置成使得在使用中所述燃料液滴入射到所述流体的波上。
所述驱动器可以包括泵。所述泵可以通过一个或更多的管道泵送流体,从而以所述的方式移动流体。
所述容器可以是具有布置成接纳液滴的开口的大致管状形状。
所述驱动器可以是被构造以旋转所述管状容器的旋转机构。
所述旋转机构可以被构造以足够快速地旋转所述管,以确保流体驻留在所述管状容器的内表面上和/或在内表面上经过,所述捕捉装置被布置成使得在使用中所述燃料液滴入射到所述流体上,所述流体驻留在所述管状容器的内表面上和/或经过所述内表面。
所述喷嘴可以被配置成沿着轨迹引导燃料液滴的流,所述轨迹是大致水平的或大致竖直的,或沿着具有水平分量的轨迹引导燃料液滴的流或沿着具有竖直的分量的轨迹引导燃料液滴的流。
所述流体可以是与形成燃料液滴的材料相同的材料或包括与形成燃料液滴的材料相同的材料,或所述流体可以是燃料的载体。
所述捕捉装置可以包括加热器或可以热连接至加热器。所述加热器可以配置成加热所述流体和/或被捕捉的液滴以将流体和/或被捕获的液滴保持成流体形式。
所述捕捉装置可以与喷嘴流体连接,使得被捕捉的液滴可以被引导至喷嘴和通过喷嘴被引导返回(例如使得所述被捕捉的液滴可以被再循环或再次使用)。
所述流体可以是液体(例如其包括成至少部分地融熔状态的固体)。
所述表面可以是辐射源的壁或类似物。所述表面可以配置成(例如被成形或被纹理化)以将流体引导至容器。
根据另一方面,提供了一种光刻设备,包括:照射系统,构造成提供辐射束;图案形成装置,用于在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束;衬底保持器,构造且布置成保持衬底;投影系统,构造且布置成将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上,其中所述光刻设备还包括根据本发明的第一方面的辐射源或与根据本发明的第一方面的辐射源相连接。
所述表面可以是光刻设备或辐射源的壁或类似物。所述表面可以配置成(例如被成形或被纹理化)以将流体引导至容器。
根据还一方面,提供了一种捕捉在辐射源中所使用的燃料液滴的方法,所述辐射源包括:喷嘴,配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的流;激光器,配置成输出激光辐射,所述激光辐射在等离子体形成位置处引导到燃料液滴上以在使用中生成用于产生辐射的等离子体;且所述方法包括:驱动流体以导致在所述流体中的移动;和朝向该移动的流体引导所述燃料的液滴。
根据本发明的又一方面,提供了一种被布置成捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴的捕捉装置,所述捕捉装置包括:容器,被构造成容纳流体;驱动器,被构造且布置成驱动所述流体以使得流体移动;所述捕捉装置被配置成使得燃料液滴入射到该移动的流体。所述捕捉装置可以与辐射源一起使用或形成辐射源的一部分,例如辐射源形成光刻设备的一部分或能够与光刻设备连接。
应当理解,关于第一方面所描述的特征可以在合适的情况下可适用于第二、第三和/或第四方面。
附图说明
现在参考示意性附图仅通过举例的方式描述了本发明的实施例,其中相应的参考符号表示对应的部件,在附图中:
图1示出了根据本发明实施例的光刻设备;
图2是图1的设备的更详细的视图,包括根据本发明实施例的LPP源收集器模块;
图3示意性地示出了根据所提出的辐射源的用于捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴的捕捉装置;
图4示意性地示出了根据本发明实施例的用于捕捉穿过等离子体形成位置的液滴的捕捉装置;
图5示意性地示出了根据本发明实施例的用于捕捉穿过等离子体形成位置的液滴的捕捉装置;
图6示意性地示出了根据本发明实施例的用于捕捉穿过等离子体形成位置的液滴的捕捉装置;
图7和8分别示意性地示出了在图4和5中显示且描述的实施例的微妙的变化;和
图9示意性地示出了在图4中显示的实施例的变化。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备LAP。所述光刻设备包括:照射系统(照射器)IL,其配置用于调节辐射束B(例如,EUV辐射);支撑结构(例如掩模台)MT,构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA,并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连;衬底台(例如晶片台)WT,被构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连;和投影系统(例如反射式投影系统)PS,配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,每一个小反射镜可以独立地倾斜,以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
如同照射系统,“投影系统”可以包括各种类型的光学部件,诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空等其它因素所适合的。可能期望对于EUV辐射使用真空,这是因为气体可能吸收太多的辐射。因此,可以在真空壁和真空泵的帮助下给整个束路径提供真空环境。
如这里所示的,所述设备是反射型的(例如,采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中,可以并行地使用附加的台,或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时,将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1,所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换成等离子体状态,所述材料具有至少一种元素,例如氙、锂或锡,所述元素的一个或更多的发射线在EUV范围内。在一种通常用术语“激光产生等离子体”(“LPP”)表示的这样的方法中,所需要的等离子体可以通过用激光束辐照燃料来产生,所述燃料例如是具有所需要的发射线元素的材料的液滴、流或簇。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分,包括未在图1中显示的激光器,用于提供激励燃料的激光束。所获得的等离子体发射输出辐射,例如EUV辐射,其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器来收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO2激光器用于提供用于燃料激励的激光束时)。
在这种情况下,不将该激光器考虑成形成光刻设备的一部分,并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助,将所述辐射束从所述激光器传到源收集器模块。在其它情况下,所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生等离子体EUV生成器(通常用术语“DPP源”表示)时)。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整装置。通常,可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述照射器IL可以包括各种其它部件,例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过所述图案形成装置来形成图案。在从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后,所述辐射束B通过投影系统PS,所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台WT,例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地,可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中:
1.在步进模式中,在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时,将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即,单一的静态曝光)。然后,将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动,使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中,在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即,单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。
3.在另一模式中,将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止,并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体,或完全不同的使用模式。
图2更加详细地示出了根据一个实施例的光刻设备LAP,包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO被构造且布置成使得真空环境可以在源收集器模块的包封结构2中被保持。
激光器4被布置成经由激光束6将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)等燃料中,该燃料从燃料供给装置8提供。其在等离子体形成位置12处产生了高度电离的等离子体10,其具有几十电子伏特(eV)的电子温度。在这些离子的去激励和复合期间所产生的高能辐射被从等离子体10射出、由近正入射辐射收集器14收集和聚焦。激光器4和燃料供给装置8(和/或收集器14)可以一起被认为包括辐射源,尤其是EUV辐射源。EUV辐射源可以被称为激光产生等离子体(LPP)辐射源。
第二激光器(未显示)可以被提供,第二激光器配置成在激光束6入射到其上之前预先加热燃料。使用这种方法的LPP源可以称为双激光器脉冲(DLP)源。
虽然未示出,但是燃料供给装置可以包括喷嘴或与喷嘴相连接,所述喷嘴配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置12引导燃料液滴的流。
由辐射收集器14反射的辐射B被聚焦到虚源点16。虚源点16通常称为中间焦点,源收集器模块SO被布置成使得中间焦点16位于包封结构2中的开口18处或其附近。虚源点16是用于发射辐射的等离子体10的像。
随后,辐射B穿过照射系统IL,该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置20和琢面光瞳反射镜装置22,它们布置成在图案形成装置MA处提供辐射束B的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性。当在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束时,被图案化的束24被形成且被图案化的束24经由反射元件26、28通过投影系统PS成像到由晶片平台或衬底台WT所保持的衬底W上。
通常可以将比图示出的元件更多的元件设置在照射系统IL和投影系统PS中。另外,可以设置比图中所显示的反射镜更多的反射镜,例如可以在投影系统PS中设置比图2中显示的多1-6个额外的反射元件。
图3更详细地示意性地显示已提出的根据一个实施例的辐射源的一部分。燃料液滴30的流被显示为已经穿过等离子体形成位置(所述位置在该附图中是不可见的)。由于穿过等离子体形成位置,液滴30需要被捕捉以防止污染辐射源。如已经在上文所论述的,在已经提出的辐射源中,液滴被一端部敞开的管状容器32捕捉。该管状容器32配置成(例如被构造、成形或定向等等)以确保通入管状容器32且入射到该容器32的内表面上的液滴30以大致掠入射角度34入射。这种配置最小化了入射的液滴30产生回溅的机会,该回溅可能会污染辐射源(例如形成辐射源的一部分的收集器)或整个光刻设备。燃料液滴30可以产生和/或最终入射到燃料36的池上。可以例如在公开的国际(PCT)专利申请WO2010/117858中找到图4中显示的布置的更加详细的描述。
应当理解,图3中显示的布置用作捕捉装置,用于捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴。所述捕捉装置还可以被称为液滴收集器。虽然在图3中显示的捕捉装置可以如所预期的那样起作用和运作,但是所述捕捉装置的设计使得如果增大燃料液滴30的速度或液滴30的轨迹不准确,那么可能需要改变设计。这样的变化可能分别是管的长度的增大和管的开口的宽度的增大。这些增大中的两者或任一个导致了容纳所述捕捉装置所需要的空间的增大,其可能在光刻设备内和周围的空间宝贵时是不被期望的。另外,液滴速度可能需要根据需要以及在需要时被改变,但是因此可能不能或不易改变管的长度。因此,期望提供被布置以捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴的捕捉装置,该等离子体形成位置不涉及如在图3中的捕捉装置中所显示且参考其所描述的相同的设计问题。
根据本发明的一个实施例,被布置成捕捉穿过辐射源的等离子体形成位置的燃料液滴的已有的和已提出的捕捉装置的一个或更多的问题可以被消除或减轻。在一种情形中,本发明的一个实施例提供了一种辐射源。所述辐射源包括配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的流的喷嘴。激光器也被提供,其被配置成在等离子体形成位置处将激光辐射引导到燃料液滴,以在使用中产生用于生成辐射的等离子体。捕捉装置也被提供以捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴。本发明的实施例可以被描述成与已有的和已提出的捕捉装置的区别之处在于所述捕捉装置包括用于容纳流体(燃料液滴将在使用中入射到该流体上)的容器。驱动器被提供以驱动流体,使得该流体移动。捕捉装置整体上被配置(例如成形、定向或定位等)成使得燃料液滴入射到所述移动的流体上。
虽然将描述各种不同的实施例,但是在这些实施例之间的共同的构思在于,燃料液滴被朝向移动的流体引导且引导到移动的流体上或移动的流体中。这被期望用于减少回溅。在下文将更加详细地论述额外的可选的特征和相关的益处。
现在将参考图4-9仅通过示例的方式描述本发明的实施例,其中为了清楚和一致,相同的特征被给予相同的参考标号。附图是示意性的且未被描绘成任何特定的尺度。
图4示意性地示出了根据本发明的实施例的用在辐射源中的捕捉装置。如图3的布置,燃料液滴30的流被显示为具有大致水平的轨迹,液滴30以这一大致水平的轨迹入射到捕捉装置上。捕捉装置包括被构造成容纳流体42的容器40。流体42可能是与形成燃料液滴30的材料(例如锡)相同的材料或可能包括与形成燃料液滴30的材料(例如锡)相同的材料。可替代地,流体42可以是燃料液滴的载体(例如至少在理论上能使用另外的处理等来提取燃料的载体)。在这一实施例中,容器40是大致浴器状形式。捕捉装置还包括布置成驱动流体42的移动(例如至少流体42的表面的移动或跨过该表面的移动)的驱动器44。在这一实施例中,驱动器44包括泵。泵44可以与用于引导流动的流体的一个或更多的管道等一起使用。
当燃料液滴30的流具有大致水平的轨迹时,要被克服的问题是如何将在捕捉这些液滴时使用的流体的主体赋予燃料液滴30的流。为了实现该目的,所述捕捉装置还包括表面46。通常,驱动器44被布置以沿着表面46驱动流体、在表面46上驱动流体或驱动流体越过表面46。所述捕捉装置被布置使得在使用中燃料液滴30入射到流体上,该流体被沿着表面46驱动、被在表面46上驱动或被驱动越过表面46。被沿着表面46驱动、被在表面46上驱动或被驱动越过表面46的流体42优选地相对于液滴30的轨迹倾斜(即提供流体42的主体,液滴30可以被引导到流体42中或引导到流体42上)。在这一特定的实施例中,表面46本身被相对于液滴30的轨迹倾斜。驱动器44被配置成至少帮助从容器40驱动流体42并且随后向下且沿着表面46驱动流体以在所述表面46上形成流体48的膜。所述捕捉装置在整体上之后被布置(其包括被定位)成使得在使用中燃料液滴30入射到所述流体48的膜上。术语“膜”的使用不是要对表面46上的流体的厚度或深度强加任何特定限制。替代地,术语“膜”的使用至少是表明在使用中沿着表面46的流体的流不产生任何量或实质上的量的溅落等。
图4的捕捉装置可以被认为是对于诸多原因是有利的。至少一种原因是所述捕捉装置提供了移动的流体的主体,燃料液滴可以被引导至其中或其上,即使燃料液滴被沿着水平的轨迹引导(如与竖直的轨迹相对,对于其,液滴可能会被用简单的静止的流体池捕捉)也是如此。另外,所述捕捉装置提供了流体的移动的主体,其被认为是进一步促进了液滴的捕捉并同时防止或限制回溅。另外仍然,液滴被引导至其中或其上的流体相对于液滴的轨迹不是垂直的,其也可能减少回溅。
图5显示图4中的实施例的替代的实施例。在图5中与在图4中显示的且参考图4描述的许多相同的原理仍然适用。然而,与图4相比,驱动器44(其又可以是泵或包括泵)现在被配置成在表面52上驱动流体42。表面52可以以相对于流体42的流动方向以非垂直的方向倾斜,以帮助形成流体的波54。然后,整个捕捉装置被布置成使得在使用中燃料液滴30入射到流体54的波上,以实现关于图4的捕捉装置已经描述的即使不是全部的优点也是大多数优点。
图6示出了在图4和5中显示的且参考图4和5描述的略微不同的实施例,和可能更加密切地与图3中显示的已有的或已提出的捕捉装置相关的实施例。参考图6,捕捉装置现在包括容器,该容器是具有布置成容纳液滴30的开口的大致管状形状60。该捕捉装置与已有的捕捉装置或已经提出的捕捉装置的区别在于设置了驱动器,该驱动器是被构造以旋转62管状容器60的旋转机构或包括被构造以旋转62管状容器60的旋转机构。旋转机构被构造以足够快速地旋转管(即在使用中)以确保流体54(例如预先载入到容器60中)驻留在管状容器的内表面上和/或在该内表面上经过。
在以所述的方式旋转管60时,对于图6的实施例也设置和实现了参照图4和5的实施例已经显示的且描述的益处。具体地,图6的捕捉装置可以被认为是对于诸多原因是有利的。至少一个原因在于捕捉装置提供了燃料液滴可以被引导至其中或其上的移动的流体,即使燃料液滴被沿着水平的轨迹引导也是如此。另外,捕捉装置提供了流体的移动的主体,其的移动被认为进一步促进了对液滴的捕捉并同时防止或限制了回溅。另外仍然,液滴被引导至其中或其上的流体相对于液滴的轨迹是不垂直的,其也可以减少回溅。
在图4和5中,液滴的轨迹已经显示为大致水平或至少具有水平的分量,否则其将使得难以使用流体的静止的池来捕捉这些液滴,所述静止的池具有大致水平的表面。然而,在图4和5中显示的实施例也适用于液滴具有大致竖直的轨迹(或至少竖直的分量)的情形。图7和8的捕捉装置被显示为分别与图4和5中显示的捕捉装置相对应。然而,在此附图显示了液滴30具有大致竖直的轨迹。然而,上述的所有益处同样适应于图7和8的捕捉装置。
已经在上文显示了根据本发明的实施例的各种不同的捕捉装置。虽然未示出,但是更加简单的捕捉装置也可以被提供用于捕捉具有大致竖直的轨迹的或至少具有在竖直方向上的分量的液滴。流体的池可以被提供用于捕捉这些液滴。本发明的区别之处可以在于驱动流体,以使得流体移动(例如至少其表面移动),所述捕捉装置被配置成使得燃料的液滴入射到所述移动的流体上。移动流体可能导致了回溅的减少,甚至在该相对简单的实施例中也是如此。
虽然未在附图中示出,但是本发明的实施例可以另外包括形成捕捉装置的一部分的或能够热连接至捕捉装置的加热器。“能够热连接”可以在功能上被定义为能够加热容纳在捕捉装置的容器中的流体。加热器可以被配置成加热流体和/或被捕捉至所述流体中的液滴,以将流体和/或被捕捉的液滴保持成流体形式。加热器可以通过诸多方式中的任一种(例如传导、对流或辐射)来加热流体。
在相关的实施例中或上文所述的实施例的拓展例中,捕捉装置可以与喷嘴流体连接,所述喷嘴用于提供液滴的流(其包括用于所述喷嘴的燃料贮存器)。这允许被捕捉的液滴被引导至喷嘴和通过喷嘴引导回来,例如允许再循环或再次使用被捕捉的液滴。燃料的被捕捉的液滴可能需要在返回至喷嘴和穿过喷嘴之前被处理,例如经历一个或更多的过滤步骤或其他形式的污染物移除。
在燃料液滴的轨迹是大致水平的或包括水平分量的实施例中,所述的实施例显示了相对于液滴的轨迹倾斜的流体。在未显示的或上文未描述的实施例中,流体可以被驱动以形成瀑布,例如沿着表面和在表面上或经过表面流动,以产生瀑布效应或(可能更加一般性地)产生“流体下落”效应('fluid-fall'effect)。然后捕捉装置可以被布置成使得液滴入射到流体的下落流上和流体的下落流中。
从前述的段落之后,流体可以相对于液滴的轨迹以不同于图4-8中显示的角度倾斜。例如,图9显示了关于在图4中显示的且参考图4描述的实施例,但是在其中相对于图4的实施例,流体48被沿着表面46的下侧驱动。这可以通过翻转表面46的方向来实现(相对于图4中的其方向),使得流体48向下流动且移动离开液滴30的大致水平的轨迹。由于表面张力,流体48保留在所述表面上。移动的流体48也防止或限制液滴30的溅落等,例如防止或限制位于流体承载表面46下方的辐射收集器表面70上的这样的溅落等。流体48现在移动远离液滴30的大致水平的轨迹的事实可能与如果流体48朝向液滴30的大致水平的轨迹(如图4中所显示的)的情形相比减少了溅落。
如图9所示,在其上、流体被沿着其或经过其驱动的整个表面不需要定位在容器的上方。替代地,仅一部分可能需要定位在容器的上方,例如端部的上方,流体可能从所述端部流入到容器中。另一部分可能在从被保护以避免污染的物体上延伸或延伸超过所述物体,例如辐射源的收集器。
流体被在其上、沿着其或经过其驱动的表面已经显示为独立的表面。在其他的实施例中,所述表面可以是辐射源的表面或光刻设备的表面(例如其壁、或设备的所述源的另一结构的壁)。所述表面可以配置成确保流动的流体被沿着特定的方向引导,例如引导至一个或更多的容器。
可能需要在任何时间定位在所述表面上的流体的体积可能依赖于诸多因素,例如流体的期望深度(例如膜厚度)和表面的尺寸。
应当理解,上述的辐射源(具有上述的实施例中的任一个所述的捕捉装置)可能对于分离的或独立的设备是特别有利的,且可以被单独地作为辐射单元制造、销售、船运等。然而,还将理解,辐射源可以形成其他设备的一部分,例如诸如上文显示的和参考图1和2所描述的光刻设备。本发明的实施例还可以被描述成用于辐射源中的捕捉装置,所述捕捉装置具有如上所述的一个或更多的特征,例如至少:用于容纳流体的容器;用于驱动流体的驱动器,以导致流体移动;所述捕捉装置被配置成使得燃料液滴入射到所述移动的流体上。所述捕捉装置可以被加装到已有的辐射源,或装配为新构造的辐射源的组成部分。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路),但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其它的应用,例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到,在这种替代应用的情况中,可以将此处使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理,例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上,并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可以应用的情形中,此处公开的内容可应用于这样的和其它的衬底处理工具。另外,所述衬底可以处理一次以上,例如为产生多层IC,使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在允许的情况下,术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一个或组合,包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例,但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。以上描述旨在进行解释,而不是限制性的。因而,本领域普通技术人员可以理解,在不偏离所附权利要求的保护范围的情况下可以对所描述的发明进行修改。
Claims (15)
1.一种辐射源,包括:
喷嘴,配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的流;
激光器,配置成输出激光辐射,所述激光辐射在等离子体形成位置处被引导到燃料液滴上以在使用中生成用于产生辐射的等离子体;和
捕捉装置,布置成捕捉穿过等离子体形成位置的燃料液滴,所述捕捉装置包括:
容器,被构造成容纳流体;
驱动器,被构造且布置成驱动所述流体以使得流体移动;
所述捕捉装置被配置成使得在使用中燃料液滴入射到由所述驱动器移动的流体的倾斜的表面上。
2.根据权利要求1所述的辐射源,其中所述捕捉装置还包括一倾斜的表面,所述驱动器被布置成沿着所述倾斜的表面、在所述倾斜的表面上或经过所述倾斜的表面驱动流体,所述捕捉装置被布置成使得在使用中燃料液滴入射到沿着所述倾斜的表面、在所述倾斜的表面上或经过所述倾斜的表面被驱动的流体上。
3.根据权利要求2所述的辐射源,其中所述沿着所述倾斜的表面、在所述倾斜的表面上或经过所述倾斜的表面被驱动的流体相对于液滴的轨迹倾斜。
4.根据权利要求3所述的辐射源,其中捕捉装置的所述表面相对于液滴的轨迹倾斜,所述驱动器被配置成至少帮助向下且沿着所述倾斜的表面驱动流体,以在所述倾斜的表面上形成流体的膜,所述捕捉装置被布置成使得在使用中燃料液滴入射到所述流体的膜上。
5.根据权利要求3所述的辐射源,其中所述驱动器被配置成在所述倾斜的表面上驱动流体以形成流体的波,所述捕捉装置被布置成使得在使用中所述燃料液滴入射到所述流体的波上。
6.根据前述权利要求中任一项所述的辐射源,其中所述驱动器包括泵。
7.根据权利要求1所述的辐射源,其中所述容器为具有容纳液滴的开口的大致管状形状。
8.根据权利要求7所述的辐射源,其中所述驱动器是被构造以旋转管状容器的旋转机构。
9.根据权利要求8所述的辐射源,其中所述旋转机构被构造成快速地旋转所述管状容器,足以确保流体驻留在所述管状容器的倾斜的内表面上和/或在倾斜的内表面上经过,所述捕捉装置被布置成使得在使用中所述燃料液滴入射到所述流体上,所述流体驻留在所述管状容器的倾斜的内表面上和/或经过所述倾斜的内表面。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射源,其中所述喷嘴被配置成沿着轨迹引导燃料液滴的流,所述轨迹是大致水平的或大致竖直的,或所述喷嘴被配置成沿着具有水平分量的轨迹引导燃料液滴的流或沿着具有竖直的分量的轨迹引导燃料液滴的流。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射源,其中所述流体的材料与形成燃料液滴的材料相同或包括与形成燃料液滴的材料相同的材料,或其中所述流体是燃料的载体。
12.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射源,其中所述捕捉装置包括加热器或能够热连接至加热器,所述加热器配置成加热所述流体和/或被捕捉的液滴以将流体和/或被捕获的液滴保持成流体形式。
13.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射源,其中所述捕捉装置与喷嘴流体连接,使得被捕捉的液滴能够被引导至喷嘴和通过喷嘴被引导返回。
14.一种光刻设备,包括:
照射系统,构造成提供辐射束;
图案形成装置,构造成在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束;
衬底保持器,构造且布置成保持衬底;
投影系统,构造且布置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;和
其中所述光刻设备还包括根据前述权利要求中任一项所述的辐射源或与根据前述权利要求中任一项所述的辐射源相连接。
15.一种捕捉在辐射源中所使用的燃料液滴的方法,所述辐射源包括:
喷嘴,配置成沿着轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的流;
激光器,配置成输出激光辐射,所述激光辐射在等离子体形成位置处被引导到燃料液滴上以在使用中生成用于产生辐射的等离子体;以及
所述方法包括:
驱动流体以导致在所述流体中的移动;和
朝向由所述驱动器移动的流体的倾斜的表面引导所述燃料液滴。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161522928P | 2011-08-12 | 2011-08-12 | |
US61/522,928 | 2011-08-12 | ||
PCT/EP2011/072633 WO2013023710A1 (en) | 2011-08-12 | 2011-12-13 | Radiation source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103733735A CN103733735A (zh) | 2014-04-16 |
CN103733735B true CN103733735B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=45406714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180072807.0A Active CN103733735B (zh) | 2011-08-12 | 2011-12-13 | 辐射源 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9119280B2 (zh) |
EP (1) | EP2742780B1 (zh) |
JP (1) | JP5973567B2 (zh) |
KR (1) | KR101959369B1 (zh) |
CN (1) | CN103733735B (zh) |
TW (1) | TWI548951B (zh) |
WO (1) | WO2013023710A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2745648B1 (en) * | 2011-08-05 | 2016-01-20 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and method for lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20150264791A1 (en) * | 2012-08-01 | 2015-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Method and Apparatus for Generating Radiation |
WO2016135932A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びターゲット回収器 |
KR102269695B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2021-06-25 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광 생성 장치 |
US10880979B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618259A (zh) * | 2001-04-18 | 2005-05-18 | 法国原子能委员会 | 特别是用于平版印刷的远紫外光的发生方法和装置 |
DE10357412A1 (de) * | 2003-12-03 | 2005-07-07 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Vorrichtung zum Auffangen und zum Abtransport von insbesondere großvolumigen und/oder salzhaltigen Flüssigkeitstargets sowie Verfahren zu deren Anwendung |
CN1973357A (zh) * | 2004-06-24 | 2007-05-30 | 株式会社尼康 | Euv光源、evu曝光装置、及半导体元件的制造方法 |
CN101584255A (zh) * | 2006-12-13 | 2009-11-18 | Asml荷兰有限公司 | 辐射系统和光刻设备 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4953191A (en) * | 1989-07-24 | 1990-08-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High intensity x-ray source using liquid gallium target |
DE10147454A1 (de) | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Univ Schiller Jena | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets |
US8173975B2 (en) * | 2004-03-31 | 2012-05-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation |
JP4517147B2 (ja) | 2004-11-26 | 2010-08-04 | 国立大学法人 宮崎大学 | 極端紫外光源装置 |
JP5156192B2 (ja) | 2006-01-24 | 2013-03-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5149520B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2013-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5133740B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-01-30 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US7872245B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
JP5455661B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8837679B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-09-16 | Excillum Ab | Supply of a liquid-metal target in X-ray generation |
US8138487B2 (en) * | 2009-04-09 | 2012-03-20 | Cymer, Inc. | System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber |
US8263953B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-09-11 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source |
-
2011
- 2011-12-13 US US14/234,982 patent/US9119280B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-13 KR KR1020147006489A patent/KR101959369B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-13 WO PCT/EP2011/072633 patent/WO2013023710A1/en active Application Filing
- 2011-12-13 CN CN201180072807.0A patent/CN103733735B/zh active Active
- 2011-12-13 EP EP11801681.5A patent/EP2742780B1/en not_active Not-in-force
- 2011-12-13 JP JP2014524280A patent/JP5973567B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-14 TW TW100146321A patent/TWI548951B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618259A (zh) * | 2001-04-18 | 2005-05-18 | 法国原子能委员会 | 特别是用于平版印刷的远紫外光的发生方法和装置 |
DE10357412A1 (de) * | 2003-12-03 | 2005-07-07 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Vorrichtung zum Auffangen und zum Abtransport von insbesondere großvolumigen und/oder salzhaltigen Flüssigkeitstargets sowie Verfahren zu deren Anwendung |
CN1973357A (zh) * | 2004-06-24 | 2007-05-30 | 株式会社尼康 | Euv光源、evu曝光装置、及半导体元件的制造方法 |
CN101584255A (zh) * | 2006-12-13 | 2009-11-18 | Asml荷兰有限公司 | 辐射系统和光刻设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5973567B2 (ja) | 2016-08-23 |
US9119280B2 (en) | 2015-08-25 |
EP2742780B1 (en) | 2017-03-15 |
EP2742780A1 (en) | 2014-06-18 |
KR101959369B1 (ko) | 2019-03-18 |
US20140160453A1 (en) | 2014-06-12 |
CN103733735A (zh) | 2014-04-16 |
WO2013023710A1 (en) | 2013-02-21 |
KR20140052024A (ko) | 2014-05-02 |
TWI548951B (zh) | 2016-09-11 |
JP2014523147A (ja) | 2014-09-08 |
TW201308020A (zh) | 2013-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI510864B (zh) | 遠紫外線輻射源及微影裝置 | |
TWI534553B (zh) | 收集器鏡總成及產生極紫外光輻射之方法 | |
JP6549123B2 (ja) | 放射源装置およびリソグラフィ装置 | |
TWI596384B (zh) | 光源收集器元件、微影裝置及元件製造方法 | |
KR102072064B1 (ko) | 방사선 소스 | |
CN103733735B (zh) | 辐射源 | |
CN102576195B (zh) | 源收集器设备、光刻设备以及器件制造方法 | |
CN102736442B (zh) | 光刻设备和方法 | |
CN101785369A (zh) | 用于产生极紫外辐射的模块和方法 | |
JP6209217B2 (ja) | 放射を発生させるための方法及び装置 | |
CN102890424A (zh) | 辐射源及其控制方法、光刻设备以及器件制造方法 | |
JP2015528994A (ja) | 放射を発生させるための方法及び装置 | |
CN105074577A (zh) | 源收集器设备、光刻设备和方法 | |
TW201313075A (zh) | 輻射源及微影裝置 | |
JP6410723B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
TW202105069A (zh) | 雷射聚焦模組 | |
TW202202946A (zh) | 度量衡輻射系統中之高壓及真空位準感測器 | |
NL2007859A (en) | Radiation source. | |
NL2010217A (en) | Source collector apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. | |
WO2013127587A2 (en) | Source collector apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
NL2004977A (en) | Euv radiation source and lithographic apparatus. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |