TW202202946A - 度量衡輻射系統中之高壓及真空位準感測器 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之位準的系統、設備及方法。在一個實例中，一種用於量測該燃料位準的方法包括以一預定入射角導引一檢測射束穿過在該輻射燃料之一頂表面處的一燃料貯槽視窗。該方法可進一步包括在定位成鄰近於該視窗之一感測器處接收被該輻射燃料之該頂表面反射的該檢測射束之一部分。又，該方法可包括量測至該輻射燃料之該頂表面的一距離，及基於該所量測距離計算該燃料貯槽中該輻射燃料的一充填位準。

Description

度量衡輻射系統中之高壓及真空位準感測器

本發明係關於用於在微影製程中使用以製造半導體裝置的極紫外線(EUV)輻射系統內遞送源材料的饋入機構。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，可為光罩或倍縮光罩的圖案化裝置可用以產生待形成於正形成之IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(掃描方向)上經由輻射射束掃描圖案，同時在平行於此掃描方向之方向上或平行於掃描方向且與此掃描方向相反的方向上同步地掃描目標部分來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。

極紫外線(EUV)光，例如，具有大約50奈米(nm)或以下之波長(有時亦被稱作軟x射線)且包括約13 nm之波長的光的電磁輻射可用於微影設備中或與該微影設備一起使用以在諸如矽晶圓的基板中產生極小特徵。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之發射線而將具有一元素(例如，氙(Xe)、鋰(Li)或錫(Sn))之材料轉換成電漿狀態。舉例而言，在被稱為雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大射束來照射例如呈材料之小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生電漿，該目標材料在LPP源之內容背景中可互換地被稱作燃料。對於此製程，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡裝備來監視電漿。

在傳統的基於錫之輻射源容器內部，諸如保護氫(H2)氣體、熱屏蔽及精確護罩安裝之許多功能亦必須允許度量視場(FOV)及小滴路徑間隙，同時防止Sn堆積。此外，當前系統並不恰當地監視可用於供應源材料至EUV小滴產生器的源。因此，需要改良源可用性且消除與缺少高品質源供應器(例如，Sn supply)至小滴產生器(DGen)相關聯的停用時間。

本發明描述用以提供用於光學度量衡之系統、設備及方法的各種態樣，及極紫外線(EUV)輻射系統中的各種其他態樣。更特定言之，本發明描述聯機再充填(IR)系統，該系統允許高純度Sn至小滴產生器總成(DGA)中的連續監視及連續供應。

根據一個態樣，一種用於量測一燃料饋入位準的方法包括以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的一燃料貯槽視窗。該方法可進一步包括在定位成鄰近於該視窗之一感測器處接收該被該輻射燃料之該頂表面反射的檢測射束之一部分。在其他態樣中，該方法包括量測自感測器至輻射燃料之頂表面的距離，及基於所量測距離計算燃料貯槽中輻射燃料的充填位準。

根據一個態樣，揭示一種用於量測燃料充填位準的量測裝置及方法。根據一些實施例，揭示用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之燃料充填位準的量測裝置，該量測裝置定位於一燃料貯槽內。根據一些態樣，量測裝置包括複數個探針，該複數個探針在燃料貯槽內延伸，且複數個探針中之每一者回應於與該輻射燃料接觸而產生一信號。根據一些態樣，複數個探針經由複數個密閉高壓密封件連接至燃料貯槽。根據一些態樣，量測裝置可進一步包括控制器，該控制器包括處理電路。根據一些態樣，控制器回應於接收一或多個產生之信號計算燃料貯槽內的燃料充填位準，產生指示所計算之充填位準的輸出信號，且傳輸輸出信號至至少一個其他控制器。

根據一些實施例，可提供一種微影輻射系統。在一些態樣中，微影輻射系統可包括耦接至第一感測器裝置及第一控制器的第一燃料貯槽。在一些態樣中，微影輻射系統可包括耦接至第二感測器裝置及第二控制器的第二燃料貯槽。在一些態樣中，該第二燃料貯槽位於一燃料充填系統中的該第一燃料貯槽上游且提供輻射燃料至該微影輻射系統。根據一些態樣，第一控制器計算第一燃料貯槽內之燃料充填位準，產生指示所計算之充填位準的輸出信號，且傳輸輸出信號至第二控制器。

下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵以及各種態樣之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述或說明之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將為顯而易見。

本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範疇由隨附在此之申請專利範圍及其等效者界定。

所描述之實施例及說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一例示性實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代相同實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性係在熟習此項技術者之認識範圍內。

為易於描述，可在本文中使用諸如「在……之下」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「在……上」、「上部」及其類似者的空間相對術語來描述如圖式中所說明之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述符可同樣相應地進行解譯。

如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在該值之10%至30%內(例如，該值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。

本文中所揭示之輻射源容器及CFR存在許多優勢及益處。舉例而言，本發明之各種態樣提供：模組化(例如，經改良之可維護性、經改良之可更新性)；經改良之效能(例如，單個設備中所包括之更多功能)；經改良之可用性(例如，比習知的輻射源容器更少的Sn沈積及更快的可維護性)；及降低的成本(例如，將周邊流動功能建構至CFR中可能比在習知的設計中將周邊流動功能建構至輻射收集器中更低廉)。

然而，在更詳細地描述此類態樣之前，有指導性的是呈現可實施本發明之態樣之實例環境。

實例微影系統

圖1A及圖1B分別為可實施本發明之態樣的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。如圖1A及圖1B中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視點(例如，側視圖)說明微影設備100及100'，而自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側且Y軸指向上方)之額外視點(例如，俯視圖)呈現圖案化裝置MA及基板W。

微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者： 照明系統IL (例如，照明器)，其經組態以調節輻射射束B (例如，深紫外線(DUV)輻射射束或極紫外線(EUV)輻射射束)；支撐結構MT (例如，光罩台)，其經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置)並連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA的第一定位器PM；及基板固持器(諸如基板台WT (例如，晶圓台))，其經組態以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈晶圓)並連接至經組態以準確地定位基板W的第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化裝置MA賦予輻射射束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒之部分)上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射性的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS係透射式的。

照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射射束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。

術語「圖案化裝置」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射射束B之橫截面中向輻射射束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射射束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之裝置中的特定功能層。

圖案化裝置MA可為透射的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，或可程式化LCD面板。光罩包括諸如二元、交變相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使傳入輻射射束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射射束B中賦予圖案。

術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，該任何類型之投影系統包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，如適於所使用之曝光輻射或適於其他因素，諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個射束路徑。

微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可並非基板台WT。

微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便充填投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術提供用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1A及圖1B，照明系統IL自輻射源SO接收輻射射束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射器時，輻射源SO及微影設備100或100'可為單獨的物理實體。在此類情況下，不認為輻射源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射射束B藉助於包括例如適合的引導鏡面及/或射束擴展器之射束遞送系統BD (例如，圖1B中所展示)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備100或100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同射束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。

照明系統IL可包括用於調整輻射射束之角強度分佈的調整器AD (例如，圖1B中所展示)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件(例如，圖1B中所展示)，諸如積光器IN及輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。照明系統IL可用以調節輻射射束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

參考圖1A，輻射射束B入射於被固持於支撐結構MT (例如，光罩台)上之圖案化裝置MA (例如，光罩)上，且由圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置MA反射輻射射束B。在自圖案化裝置MA反射之後，輻射射束B穿過投影系統PS，該投影系統將該輻射射束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IFD2 (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射射束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IFD1 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)可用於相對於輻射射束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。

參看圖1B，輻射射束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化裝置MA上，且係由該圖案化裝置MA圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射射束B穿過投影系統PS，該投影系統將該射束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛物PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈的圖像。

投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由自光罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射而產生之繞射射束而形成。舉例而言，光罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射射束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。非繞射射束(例如，所謂的零階繞射射束)橫穿圖案，而無傳播方向的任何改變。零階繞射射束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物PPU。在光瞳共軛物PPU之平面中且與零階繞射射束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈的影像。孔徑裝置PD例如在包括投影系統PS之光瞳共軛物PPU之平面處或實質上在該平面處安置。

憑藉第二定位器PW及位置感測器IFD (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便在輻射射束B之路徑中定位不同目標部分C)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用於(例如，在自光罩庫機械取回之後或在掃描期間)相對於輻射射束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。

一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程定位器(粗略定位)及短衝程定位器(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程定位器及短衝程定位器來實現基板台WT的移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可經固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分 (例如，切割道對準標記) 之間的空間中。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化裝置MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

支撐結構MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化裝置MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人IVR類似，真空外機器人可用於各種輸送操作。在一些情況下，需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如，光罩)平滑地轉移至轉移站之固定運動安裝台。

微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：

1.  在步進模式中，在將被賦予至輻射射束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。

2.  在掃描模式中，支撐結構MT及基板台WT經同步地掃描，同時賦予至輻射射束B之圖案投影於目標部分C上(例如，單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT (例如，光罩台)之速度及方向。

3.  在另一模式中，在將被賦予至輻射射束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置MA，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用關於所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

在另一態樣中，微影設備100包括EUV源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射射束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射射束。

圖2A更詳細地展示微影設備100，其包括輻射源SO (例如，源收集器設備)、照明系統IL及投影系統PS。如圖2A中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視點(例如，側視圖)說明微影設備100。

輻射源SO經建構及配置，使得可將真空環境維持於圍封結構220中。輻射源SO包括源腔室211及收集器腔室212，且經組態以產生及透射EUV輻射。EUV輻射可由氣體或蒸氣產生，例如氙(Xe)氣體、鋰(Li)蒸氣或錫(Sn)蒸氣，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。至少部分地電離之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射射束產生。Xe氣體、Li蒸氣、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣之例如約10.0帕斯卡(pa)之分壓可用於輻射的有效產生。在一些態樣中，提供受激Sn之電漿以產生EUV輻射。

由EUV輻射發射電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的可選氣體障壁或污染物截留器230 (例如，在一些情況下，亦被稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。

收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側部251及下游輻射收集器側部252。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器設備經配置，使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為EUV輻射發射電漿210之影像。光柵光譜濾光器240特別用於抑制紅外線(IR)輻射。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224，該琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224經配置以提供在圖案化裝置MA處輻射射束221之所期望角度分佈，以及在圖案化裝置MA處之輻射強度之所期望均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射射束221後，形成圖案化射束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化射束226成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

照明系統IL及投影系統PS中通常可存在比所展示更多之元件。視情況，取決於微影設備之類型，可存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比圖2所展示之鏡面更多之鏡面。舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2A中所展示之反射元件多一至六個的額外反射元件。

如圖2A中所說明之輻射收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱安置，且此類型之輻射收集器CO較佳地與放電產生電漿(DPP)源結合使用。

圖2B展示根據一些實施例的微影設備100 (例如，圖1)之所選擇部分的示意圖，但在源收集器設備SO中具有替代收集光學件。應瞭解，圖2A中所展示的並未出現於圖2B中(為了圖式清楚起見)之結構仍可包括於參看圖2B之實施例中。圖2B中具有與圖2A中之元件符號相同之元件符號的元件具有與參考圖2A所描述相同或實質上相似的結構及功能。

在一些實施例中，微影設備100可用以例如運用經圖案化EUV射束曝光諸如抗蝕劑塗佈晶圓之基板W。在圖2B中，照明系統IL及投影系統PS被表示為組合為使用來自源收集器設備SO之EUV光之曝光裝置256 (例如，積體電路微影工具，諸如步進器、掃描器、步進及掃描系統、直寫系統、使用接觸及/或近接光罩之裝置等)。微影設備100亦可包括收集器光學件258，該收集器光學件將來自熱電漿210之EUV光沿著一路徑反射至曝光裝置256中以照射基板W。收集器光學件258可包含近正入射收集器鏡面，該近正入射收集器鏡面具有呈長橢球體(亦即，圍繞其長軸旋轉之橢圓)之形式的反射表面，該長橢球體具有例如具鉬及矽之交替層之分級多層塗層，且在一些狀況下具有一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、罩蓋層及/或蝕刻終止層。

圖3展示根據一或多個實施例的微影設備100 (例如，圖1、圖2A及圖2B)之一部分的詳細視圖。圖3中具有與圖1、圖2A及圖2B中之元件符號相同之元件符號的元件具有與參考圖1、圖2A及圖2B所描述相同或實質上相似的結構及功能。在一些實施例中，微影設備100可包括源收集器設備SO，該源收集器設備具有LPP EUV光輻射器。如所展示，源收集器設備SO可包括雷射系統302，該雷射系統用於產生光脈衝串且將光脈衝遞送至光源腔室212中。對於微影設備100，光脈衝可自雷射系統302沿著一或多個射束路徑行進且行進至腔室212中以照明照射區304處之源材料，從而產生電漿(例如，熱電漿210在圖2B中之電漿區)，該電漿產生EUV光以供在曝光裝置256中進行基板曝光。

在一些實施例中，用於雷射系統302中之合適雷射器可包括脈衝式雷射裝置，例如脈衝式氣體放電CO2雷射裝置，其例如運用DC或RF激發而產生處於9.3 pm或10.6 pm之輻射，該雷射裝置在相對較高功率(例如，10 kW或更高)及高脈衝重複率(例如，50 kHz或更大)下操作。在一些實施例中，雷射可為軸向流RF泵浦之CO2雷射，其具有具多個放大級之振盪器放大器組態(例如，主控振盪器/功率放大器(MOPA)或功率振盪器/功率放大器(POPA))且具有種子脈衝，種子脈衝係由Q切換式振盪器以相對較低能量及較高重複率(例如，能夠進行100 kHz操作)起始。自該振盪器，雷射脈衝到可接著在達照射區304之前經放大、塑形及/或聚焦雷射脈衝。連續泵浦之CO2放大器可用於雷射系統302。替代地，雷射可經組態為所謂的「自定目標」雷射系統，其中小滴充當雷射之光學空腔的一個鏡面。

在一些實施例中，取決於應用，其他類型之雷射亦可係合適的，例如在高功率及高脈衝重複率下操作之準分子或分子氟雷射。一些實例包括例如具有光纖、桿、平板或圓盤形作用媒體之固態雷射器，具有一或多個腔室(例如，振盪器腔室及一或多個放大腔室(其中放大腔室並聯或串聯))、主控振盪器/功率振盪器(MOPO)配置、主控振盪器/功率環放大器(MOPRA)配置，或將一或多個準分子、分子氟接種之固態雷射或CO2放大器或振盪器腔室的其他雷射架構可為合適的。可設想其他合適設計。

在一些實施例中，源材料可首先藉由預脈衝照射，且此後藉由主脈衝照射。預脈衝及主脈衝種子可由單一振盪器或兩個單獨振盪器產生。一或多個共同放大器可用以放大預脈衝種子及主脈衝種子兩者。在一些實施例中，單獨的放大器可用以放大預脈衝及主脈衝種子。

在一些實施例中，微影設備100可包括射束調節單元306，該射束調節單元具有用於射束調節之一或多個光學件，射束調節係諸如在雷射系統302與照射區304之間擴展、轉向及/或聚焦射束。舉例而言，可提供可包括一或多個鏡面、稜鏡、透鏡等之轉向系統，且該轉向系統經配置以使雷射焦斑轉向至腔室212中之不同位置。舉例而言，轉向系統可包括：第一平面鏡，其安裝於可在兩個維度中獨立移動該第一鏡之頂傾(tip-tilt)致動器上；及第二平面鏡，其安裝於可在兩個維度中獨立移動該第二鏡面之頂傾致動器上。藉由所描述配置，轉向系統可以可控制地使焦斑在與射束傳播方向(射束軸線或光軸)實質上正交的方向上移動。

射束調節單元306可包括聚焦總成，該聚焦總成用以將射束聚焦至照射區304且調整焦斑沿著射束軸線之位置。對於聚焦總成，可使用諸如聚焦透鏡或鏡面之光學件，其耦接至致動器以在沿著射束軸線之方向上移動以使焦斑沿著射束軸線移動。

在一些實施例中，源收集器設備SO亦可包括源材料遞送系統308，該源材料遞送系統例如將諸如Sn小滴之源材料在腔室212之內部輸送至照射區304，其中小滴將與來自雷射系統302之光脈衝相互作用，以最終產生電漿且產生EUV發射以在曝光裝置256中曝光諸如抗蝕劑塗佈晶圓之基板。可在例如2011年1月18日發佈之標題為「Systems and Methods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV Light Source」的美國專利第7,872,245號、2008年7月29日發佈之標題為「Method and Apparatus For EUV Plasma Source Target Delivery」的美國專利第7,405,416號、2008年5月13日發佈之標題為「LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System」的美國專利第7,372,056號，及2019年7月18日公佈之標題為「Apparatus for and Method of Controlling Coalescence of Droplets In a Droplet Stream」的國際申請案第WO 2019/137846號中發現關於各種小滴施配器組態之更多細節，該等專利及申請案中每一者之內容全文係以引用方式併入本文中。

在一些實施例中，用於產生EUV光輸出以用於基板曝光之源材料可包括(但未必限於)包括錫、鋰、氙或其組合之材料。例如錫、鋰、氙等EUV發射元素可呈液體小滴及/或液體小滴內含有之固體粒子之形式。舉例而言，元素錫可作純錫、用作錫化合物，例如，SnBr4、SnBr2、SnH4；用作錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金，或其組合。取決於所使用之材料，可在包括室溫或近室溫之各種溫度下將源材料呈現給照射區(例如，錫合金、SnBr4)、在升高溫度下將源材料呈現給照射區(例如，純錫)或在低於室溫之溫度下將源材料呈現給照射區 (例如，SnH4)，且在一些狀況下，源材料可為相對揮發性的，例如，SnBr4。

在一些實施例中，微影設備100亦可包括控制器310，該控制器亦可包括驅動雷射控制系統312，該驅動雷射控制系統用於控制雷射系統302中之裝置以藉此產生光脈衝以遞送至腔室212中，及/或用於控制射束調節單元306中之光學件之移動。微影設備100亦可包括小滴位置偵測系統，該小滴位置偵測系統可包括一或多個小滴成像器314，該一或多個小滴成像器提供指示一或多個小滴例如相對於照射區304之位置的輸出信號。小滴成像器314可將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統316，該小滴位置偵測回饋系統可例如計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可例如在逐小滴基礎上或按平均值計算小滴誤差。可接著將小滴誤差作為輸入提供至控制器310，該控制器可例如將位置、方向及/或時序校正信號提供至雷射系統302以控制雷射觸發時序及/或控制射束調節單元306中之光學件之移動，例如以改變遞送至腔室212中之照射區304的光脈衝之位置及/或焦度。亦針對源收集器設備SO，源材料遞送系統308可具有控制系統，該控制系統回應於來自控制器310之信號(其在一些實施中可包括以上所描述之小滴誤差，或自其導出之某量)而可操作，以例如修改釋放點、初始小滴串流方向、小滴釋放時序及/或小滴調變從而校正到達照射區304的小滴之誤差。

在一些實施例中，微影設備100亦可包括收集器光學件、氣體施配器裝置320。氣體施配器裝置320可在來自源材料遞送系統308之源材料之路徑(例如，照射區304)中施配氣體。氣體施配器裝置320可包含噴嘴，所施配氣體可通過該噴嘴射出。氣體施配器裝置320可經結構化(例如，具有一孔隙)，使得當被置放於雷射系統302之光學路徑附近時，來自雷射系統302之光並未由氣體施配器裝置320阻擋且被允許到達照射區304。諸如氫、氦、氬或其組合之緩衝氣體可被引入至腔室212中、被補給及/或自腔室212被移除。緩衝氣體在電漿放電期間可存在於腔室212中且可用以減慢電漿產生之離子，以減少光學件之降級及/或增大電漿效率。替代地，磁場及/或電場(圖中未繪示)可單獨使用或與緩衝氣體組合使用，以減少快速的離子損害。

在一些實施例中，微影設備100亦可包括收集器光學件258，諸如近正入射收集器鏡面，其具有呈長橢球體(亦即，圍繞其長軸旋轉之橢圓)之形式之反射表面，該長橢球體具有例如具鉬及矽之交替層之分級多層塗層，且在一些狀況下具有一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、罩蓋層及/或蝕刻終止層。收集器光學件258可形成為具有一孔徑以允許由雷射系統302產生之光脈衝穿過並到達照射區304。相同或另一相似的孔徑可用以允許來自氣體施配器裝置320之氣體流入腔室212中。如所展示，收集器光學件258可為例如長橢球體鏡面，其在照射區304內或附近具有第一焦點且在所謂的中間區318處具有第二焦點，其中可自源收集器設備SO輸出EUV光且將EUV光輸入至利用EUV光之曝光裝置256，例如積體電路微影工具。應瞭解，可替代長橢球體鏡面使用其他光學件，以用於收集光且將光引導至中間位置以供後續遞送至利用EUV光之裝置。亦可設想使用具有參考圖3所描述之結構及功能的收集器光學件CO (圖2A)之實施例。

實例微影單元

圖4展示微影單元400，其有時亦稱作微影製造單元(lithocell)或微影製造叢集。微影設備100或100'可形成微影單元400之部分。微影單元400亦可包括一或多個設備以在基板上執行曝光前製程及曝光後製程。舉例而言，此等設備可包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器RO (例如，機器人)自輸入/輸出埠I/O1及I/O2拾取基板，在不同處理設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以使產出率及處理效率最大化。

實例輻射源

實例反射微影設備之輻射源SO (諸如，圖3中所展示)的實例展示於圖5中。如圖5中所展示，自垂直於XY平面之視點(例如，俯視圖)說明輻射源SO，如下文所描述。

圖5中所展示之輻射源SO屬於可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。雷射系統501 (其可例如包括二氧化碳(CO₂ )雷射)經配置以經由一或多個雷射射束502將能量沈積至燃料目標503' (諸如一或多個離散Sn小滴)中，該等燃料目標503'由燃料目標產生器503 (例如，實例，燃料發射器、小滴產生器)提供。根據一些態樣，雷射系統401可係脈衝式連續波或凖連續波雷射或可以前述各者之方式操作。自燃料目標產生器503發射之燃料目標503' (例如，實例，小滴)之軌跡可平行於X軸。根據一些態樣，一或多個雷射射束502在平行於Y軸之方向上傳播。Z軸垂直於X軸及Y軸兩者，且通常延伸至頁面之平面中(或之外)，但在其他態樣中，使用其他組態。

儘管在以下描述中提及Sn，但可使用任何適合之目標材料。目標材料可例如呈液體形式且可例如為金屬或合金。燃料目標產生器503可包括噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區504之軌跡而例如以燃料目標503' (例如，離散小滴)之形式引導錫。貫穿描述之剩餘部分，提及「燃料」、「燃料目標」或「燃料小滴」應理解為係指由燃料目標產生器503發射之目標材料(例如，小滴)。燃料目標產生器503可包括燃料發射器。一或多個雷射射束502在電漿形成區504處入射於目標材料(例如，錫)上。雷射能量在目標材料中之沈積在電漿形成區404處產生電漿507。在電漿之離子與電子之去激發及再結合期間，自電漿507發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射由收集器505 (例如，輻射收集器CO)收集及聚焦。在一些態樣中，收集器505可包括近正入射輻射收集器(有時更通常地稱為正入射輻射收集器)。收集器505可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如約13.5 nm之所要波長的EUV輻射)之多層結構。根據一些態樣，收集器505可具有橢球形組態，其具有兩個焦點。如本文所論述，第一焦點可係在電漿形成區504處，且第二焦點可係在中間焦點506處。

在一些態樣中，雷射系統501可位於距輻射源SO相對長之距離處。在此情況下，一或多個雷射射束502可藉助於包括例如適合的引導鏡面及/或射束擴展器及/或其他光學件之射束遞送系統(未展示)自雷射系統501傳遞至輻射源SO。雷射系統501及輻射源SO可一起被視為輻射系統。

由收集器505反射之輻射形成輻射射束B。輻射射束B聚焦於點(例如，中間焦點506)以形成電漿形成區504的影像，該影像充當照明系統IL的虛擬輻射源(參見圖2A及圖2B)。輻射射束B聚焦之點可稱為中間焦點(例如，中間焦點506)。輻射源SO經配置，使得中間焦點506位於輻射源SO之圍封結構509中之開口508處或附近。

類似於圖2A及圖2B，輻射射束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射射束B。輻射射束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA反射圖案化輻射射束B。在自圖案化裝置MA反射之後，經圖案化輻射射束B進入投影系統PS。投影系統包括經組態以將輻射射束B投影至由基板台WT固持之基板W上之複數個鏡面。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射射束，從而形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為四之縮減因數。儘管在圖2A及圖2B中將投影系統PS展示為具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

輻射源SO可包括在圖5中未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源SO中。光譜濾光器對於EUV輻射可實質上透射的，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

輻射源SO (或輻射系統)進一步包括燃料目標成像系統以獲得電漿形成區504中之燃料目標(例如，小滴)的影像，或者更特定言之，以獲得燃料目標之陰影的影像。燃料目標成像系統可偵測自燃料目標之邊緣繞射的光。下文中對燃料目標之影像的參考亦應被理解為係指燃料目標之陰影的影像或由燃料目標所引起之繞射圖案。

燃料目標成像系統可包括諸如CCD陣列或CMOS感測器之光偵測器，但應瞭解，可使用適合用於獲得燃料目標之影像的任何成像裝置。應瞭解，除了光偵測器以外，燃料目標成像系統亦可包括光學組件，諸如一或多個透鏡。舉例而言，燃料目標成像系統可包括攝影機510，例如光感測器(或：光偵測器)與一或多個透鏡的組合。可選擇光學組件，以使得光感測器或攝影機510獲得近場影像及/或遠場影像。攝影機510可定位於輻射源SO內之任何適合的位置處，自該位置，攝影機具有至電漿形成區504之視線及設置於收集器505上之一或多個標記物(圖5中未展示)。然而，可能有必要將攝影機510定位成遠離一或多個雷射射束502之傳播路徑及遠離自燃料目標產生器503發射之燃料目標的軌跡，以便避免對攝影機510的損壞。根據一些態樣，攝影機510經組態以經由連接件512向控制器511提供燃料目標之影像。連接件512展示為有線連接，但應瞭解，連接件512 (及本文中所提及之其他連接件)可實施為有線連接或無線連接或其組合。

如圖5中所展示，輻射源SO可包括經組態以產生燃料目標503' (例如，離散Sn小滴)且朝電漿形成區504發射燃料目標503'之燃料目標產生器503。輻射源SO可進一步包括經組態以使用一或多個雷射射束502衝擊燃料目標503'中之一或多者以在電漿形成區504處產生電漿507之雷射系統501。輻射源SO可進一步包括經組態以收集由電漿507發射之輻射的收集器505 (例如，輻射收集器CO)。在一些態樣中，收集器流動環CFR (圖5中未展示)可鄰近於收集器505而安置以減少在輻射源SO中燃料碎片(例如，錫)以及其他特徵之堆積。收集器流動環CFR可沿著平行於X軸之軸線(例如，在自燃料目標產生器503發射之燃料目標503'之軌跡附近)而安置。

對於輻射源，為了正確地起作用，燃料之連續供應被要求。此意謂，量測、監視及維護被要求以確保燃料的連續聯機供應。

如本文中關於圖6至圖11將進一步描述，可提供聯機再充填系統。根據一些態樣，在聯機再充填系統中，Sn位準可藉由經由已知大小之噴嘴自加壓貯器釋放某些量的氣體來間接地量測。壓力在貯器內部下降的速率可接著針對加壓氣體之體積予以量測。Sn體積可接著藉由自總貯器容積減去氣體體積來判定。此方法可與貯器中之壓力波動一起使用以便判定貯器內部的Sn體積。本發明提供用於當壓力容器將Sn供應至小滴產生器(DG)時量測Sn體積的其他實施例，使得避免與Sn變乾燥且歸因於乾燥在輸送管線中獲得氣泡相關聯的任何問題。有用的是準確地監視加壓貯器中Sn的體積以避免氣體容積到達冷凍閥，在該條件下，系統可變得不可控制，此係由於將難以閉合經氣體充填的冷凍閥。

圖6A及圖6B說明根據一些實施例之貯槽內位準感測器的示意性架構600。架構600可包括被動位準感測器，該等被動位準感測器並不要求Sn貯器中的壓力波動，如本文中將進一步描述。

架構600可包括複數個鉬棒602，該等鉬棒可收容於燃料貯槽604內且運用玻璃/陶瓷密封件606緊固。燃料貯槽604可由各種金屬、陶瓷、聚合物或其他合適剛性材料構建。在一些態樣中，密封件可使用短長度的硼矽酸鹽導管來構建。硼矽酸鹽導管關於鉬可提供有利的線膨脹係數(CTE)，且因此可提供鉬棒的更好固持及密封。根據一些態樣，化學鍵可設置於硼矽酸鹽與鉬之間用於添加密封。以非限制性方式，可理解，可利用其他接合材料，包括例如矽酸鋁(Al₂ SiO₅ )。

根據一些態樣，複數個鉬棒602可基於偵測方法之組合來偵測充滿狀態608或空虛狀態610。在一些態樣中，兩個鉬棒(A及B)可用以判定貯槽604中之Sn的低位準。在此方面，閉路狀態可經監視，且當Sn位準降低至最小臨限值以下(其中鉬棒不再與Sn接觸)時，開路產生，且指示貯槽中Sn的低位準之信號可經傳輸至控制器/處理器(諸如，控制器310)。

根據圖6B中說明的一些實施例，鉬棒612可經水平地配置。在此實施中，鉬棒E可指定為Sn位準降低至以下的低位準臨限值，可提供空虛指示。在一個實例中，在棒A與E之間的連續性偵測到(例如，閉路)時，充滿信號可經中繼回，從而指示「充滿」狀態。當未偵測到D與E之間的連續性時，「空虛」狀態可予以指示。此外，當E與B、C或D之間存在連續性時，可提供比例位準指示。

圖6A及圖6B中所描述的實施例消除壓力波動作為量測Sn位準之構件的需要。此外，位準指示，例如充滿、空虛、50%或類似者可就在達成位準之後予以提供。此情形允許更簡單且因此更快速的控制系統，此係因為與需要某些系統狀態的主動量測相對，此為發送至控制系統的被動信號。另外，圖6A及圖6B中說明之本實施啟用聯機再充填系統的另一簡化。

圖7說明根據一些實施例之聯機再充填系統700的示意性架構。為了改良EUV微影系統中的源可用性，存在驅動以減小或甚至消除與至小滴產生器(DG)之高品質Sn供應之缺少相關聯的停工時間。根據本發明實施例的態樣，所描述之聯機再充填系統(IR)允許高純度Sn至小滴產生器總成(DGA)的連續供應。此外，在不知曉Sn供應之狀態(例如，Sn (例如，液體或固態)的剩餘量、清潔度及狀態)情況下，操作聯機再充填系統將為非生產性的。

為了允許IR的實施，可需要越過兩個或兩個以上IR子模組判定Sn的狀態，如本文中將進一步描述。系統700可包括固持固態Sn之初始位準的Sn充裝貯槽(TPT) 702。TPT 702可經組態以接收及充裝Sn固體並熔融Sn。TPT 702可進一步經組態以將熔融Sn饋入至Sn再充填貯槽(TRT) 704中。TRT 704可經組態以供應新的清潔液態Sn至再充填貯器(RR) 708。根據一些態樣，RR 708接著可供應液態Sn至主貯器(PR)714及/或DGA 722。液態Sn之轉移可經由包括流閥及管道(710a至710e)之組合的流動系統進行。應理解，流動系統710a至710e在系統700內可包含實體性質，該等實體性質可耐受安全、恆定且均一的熔融Sn轉移。

根據一些態樣，RR 708可供應Sn用於小滴，且供應更多Sn至PR 714，且PR 714可將液態Sn供應至DGA 722。收容於RR 708及PR 714中的液態Sn可說明為液態Sn 712。應注意，本文中所描述之貯槽及貯器的數目為說明性的，且其不同組合及數目可為了較大效率及成本量測而實施。

根據一些態樣，系統700中貯槽/貯器中的一或多者可耦接至光學感測器716、718或720，該光學感測器經組態以量測含有於每一貯槽/貯器中的Sn性質。在一個實例中，TPT 702、TRT 704、RR 708及PR 714可各自耦接至關聯光學感測器(例如，耦接至光學感測器716的TPT 702)，該關聯光學感測器可量測位於每一貯槽/貯器內部之Sn的性質。在性質當中，光學感測器可量測之性質為Sn位準、Sn污染位準之處，視鏡污染及類似者，如本文中將進一步描述。應理解，光學感測器在本文中亦可被稱作感測器、光學裝置、量測裝置或光學量測裝置。

根據一些實施例，TPT 702、感測器716可經組態以偵測固態Sn經裝載的時間，且監視至TRT 704中的熔融操作。根據一些實施例，TRT 704處之感測器718可監視TRT 704中的Sn位準，且在需要時提供對來自TPT 702之更多Sn的請求。根據一些態樣，對Sn之此需要可基於藉由感測器718進行的量測來判定，或可係基於接受自其他感測器(例如，RR 708上的感測器720或光學感測器，未展示)的請求信號。感測器718亦可監視推動/供應至RR 708之Sn的量。根據一些態樣，感測器720可監視PR 714中的Sn位準，且請求更多Sn自TRT 704遞送至708且隨後遞送至PR 714。

根據一些態樣，Sn可經由在TRT 704處施加之加壓氣體混合物(例如，≈98%的Ar (氬)、2%的H (氫氣))推動，從而經由流動閥710a及管道710b將Sn遞送至RR 708，該RR固持於低壓(非深度真空)。根據一些態樣，TRT 704可經由TPT 702充填。另外，PR 714可在高壓下操作整個時間以供應DGA 722。在一個實例中，一旦RR 708為充滿的，流動閥710c便可封閉；壓力接著可供應至RR 708以與PR 714中的壓力匹配。舉例而言，當PR 714幾乎為空虛時，一旦壓力處於與PR 714匹配的位準，則流動閥710c可開啟，使得燃料可自RR 708流動至PR 714。因此，藉由感測器720進行的位準量測可指示諸如流動閥724的流動閥可開啟並關閉時間。感測器720亦可稱為光學裝置720，且此等術語可在本文中互換使用。如先前所述，每一感測器可經組態以監視Sn位準改變(及連續體積改變)、Sn純度位準及Sn狀態狀況(例如，液體或固體)。

根據一些態樣，貯器貫穿系統的壓力操縱可提供不同功能。舉例而言，根據一些態樣，可使用深度真空及低壓氣體，此情形被稱為循環清洗。根據一些態樣，Sn可保持於深度真空下，同時高壓可用以維持噴嘴(例如，DGA 722)處的Sn小滴速度。可在DGA 722之前直接定位的PR 714或任何其他貯器/貯槽可維持高壓以使得能夠供應Sn以產生EUV。另外，TRT 704及TPT 702可維持用於純淨Sn的環境。舉例而言，自固態Sn切換至液態Sn歸因於Sn及TPT 702在TPT 702密封之前暴露於的環境而引入Sn污染的機會。根據一些態樣，Sn經加熱之方式對Sn清潔度可具有效應。另外，Sn清潔度在準確小滴定位情況下被需要用於長壽命小滴產生。

根據一些態樣，RR 708可使用自低壓至高壓的轉變，且因此自低壓切換以自TRT 704接收Sn，且在供應Sn至PR 714時切換回至高壓。根據一些態樣，光學裝置720可包括處理器，該處理器可產生控制信號以控制Sn通過貯器的流動。另外或在替代方案中，光學裝置720可傳輸主動量測值至控制器(例如，圖3中之控制器310)以供Sn流的進一步處理及控制。類似操作可藉由系統700中之其他光學裝置來進行。舉例而言，光學裝置716、718及720中的每一者可包括其自身的處理能力從而監視且報告上述性質且基於監視採取動作。採取動作在此情形下可意謂提供控制信號以促進用於例如Sn之傳送或饋入的動作。根據一些態樣，每一感測器可監視且報告資料至中央處理器(例如，控制器310)，或報告資料至一個或至另一感測器(例如，依據哪些感測器可經組態以提供指令/控制信號在報告上游或下游的感測器)。

在一個實例中，感測器720可經組態以判定PR 714內的Sn性質。另外，基於所判定之性質且處理感測器716及718已關於Sn的上游可用性已報告的內容，感測器720可提供用於其他貯槽的指令以採取某些動作。舉例而言，感測器720可發送指令至TPT 702、TRT 704及/或RR 708中之任一者或每一者以採取動作。此類動作可包括熔融更多Sn，或將某些位準的Sn自一個貯器提供至另一貯器。此類指令可考慮關於Sn之加熱及傳送、管道性質、貯槽性質及類似者的熱力學考量。應瞭解，感測器720可發送動作命令至一或多個貯槽、一或多個感測器及一或多個處理器，該一或多個處理器可執行必要動作以確保Sn的連續供應。根據其他態樣，感測器720可為報告至中央處理器(例如，控制器310)之複數個感測器中的一者，且控制器310可將其他指令提供至系統700中的任一及所有感測器/貯槽。

根據一些態樣，PR 714可為Sn至DGA 722的主供應器。因此，監視PR 714中之Sn位準可為用以達成Sn至DGA 722之恆定供應的有益態樣。根據一些態樣，感測器720 (或控制器310)可對PR 714之讀數給予較大加權因數。舉例而言，歸因於至饋入DGA 722之Sn需要的直接性，PR 714處之低Sn位準相較於TPT 702或TRT 704處之低Sn位準可為更致命的。相似地，不同貯槽/貯器處的污染讀數可基於聯機總成的方位被指派有不同加權。

圖8A至圖8B說明根據一些實施例的系統700內之非侵入三角量測感測器總成800部署，從而偵測系統700中之諸如主貯器714及再充填貯器708的真空貯槽中之源位準。根據一些實施例，總成800可包括光學裝置802，該光學裝置既傳輸且接收至貯槽806中的光信號804以量測Sn 808的位準及其他性質。如本文中將進一步描述，光學裝置802亦可稱為光學感測器、光學量測裝置、感測器裝置、量測裝置及其類似物。根據一些態樣，光學裝置802可包括光傳輸器816及光學接收器818。光傳輸器816可經組態以傳輸光束804。光束804可為雷射光束。在一些態樣中，所傳輸及所接收之光804可經由包括一或多個視窗的凸緣810進入並脫離貯槽806。

根據一些態樣，光學裝置802可經組態以藉由使用三角量測來判定中Sn的Sn位準、質量及狀態。根據一些態樣，光學裝置802可包括：包括光源之光傳輸器816及包括偵測器陣列的光學接收器818。根據一些態樣，光學傳輸器816傳輸入射光束(例如，雷射射束或類似者)，且光學接收器818經組態以接收經反射的光束。在經反射之光束接收到之後，光學裝置802可執行三角量測計算以判定與Sn相關聯的性質及光學裝置802安裝至的貯槽。

根據一些實施例，光學傳輸器816可以已知角θ透射射束。基於貯槽中之Sn位準，透射射束在某點處反射且反射回至光學接收器818中。根據一些態樣，Sn位準的高度可在光學接收器818上判定在何處接收到反射光束。因此，為了判定Sn位準814，光學裝置802量測自光學接收器818上經反射光束經接收的點至光學傳輸器816內之照射點的水平距離812。根據一些態樣，可量測自光被透射至之點至偵測器陣列上接收反射光之點(例如，預定像素方位或陣列中的預定感測器)的距離812。根據一些態樣，經反射光可在偵測器陣列上之多個方位處接收到。因此，出於量測水平距離812的目的，可利用陣列內接收最強信號(例如，具有最高幅度之信號)的方位。給定量測值812及已知入射角θ情況下，可計算位準814。

根據一些態樣，來自感測器之回饋允許Sn位準及品質之量測上的多功能性，而不會不利地影響高壓、高真空及高純度環境。根據一些態樣，光學裝置802可量測越過光學接收器818上之感測器陣列的光強度。使用來自光學接收器818的原始資料，光強度曲線可依據光學接收器818之位置來產生(例如，方位對強度，如圖10中所展示)。此光強度曲線可包括多個波峰，如本文中將進一步描述。根據一些態樣，當光學裝置802與Sn一起使用且貯器係處於垂直組態時，如圖8A中所例示，額外峰值可為可忽略的，且主功能可用以監視Sn位準及Sn相改變(例如，固態、液態)。

根據一些態樣，光學裝置802可用作單機裝置來偵測相變。根據一些態樣，光學裝置802與可產生熱電偶讀數之熱電偶裝置(例如，探針-未圖示)之間的配對可進一步增強Sn的相移讀取。

圖8C為運用所量測溫度標繪的圖示藉由光學裝置802量測之平均Sn位準之移位及雜訊位準的溫度-時間曲線。在一個實例中，移位可發生於Sn熔融之預定溫度範圍(例如，大約232℃)處，如藉由820所描繪。基於固態Sn及液態Sn的光學特性，判定Sn之相變可包括(factor in) Sn之供應的計算(例如，多少Sn經熔融對多少Sn為固態)考慮在內。舉例而言，熔融Sn可更容易獲得，而固態Sn可要求額外時間以被熔融且經由系統700饋入。

根據一些態樣，光學裝置802可偵測曲線上之最大尖峰，且判定為大部分主導反射被接收到，其接著與Sn位準的距離量測相關，如本文所描述。其他資訊可自次級及第三光強度尖峰導出。當貯器806為直立或處於成角組態時，可為此狀況。

根據一個實例，Sn純度位準可基於說明於曲線中的一或多個資料點來偵測。根據一個態樣，就在偵測器點(亦即，經反射光在光學接收器818接收到之方位)與照明點(亦即，光信號自光學傳輸器816傳輸的方位)之間的距離量測值之前發現的光尖峰依據Sn純度來改變。此情形歸因於光脫離Sn之減小的反射而引起，此係由於Sn表面變得更大程度地被污染(例如，光點在Sn自身上變得更加主控)。根據一些態樣，當貯器係處於角形組態時，污染物及類似者之效應可經放大，如圖9中所圖示。

圖9A說明根據一些實施例的用於偵測系統700內真空貯槽中之源位準的非侵入三角量測感測器部署900的另一實例。在部署900中，光學裝置802可傳輸並接收光束且基於如本文進一步描述的某些參數來產生Sn的Sn位準及其他物理屬性的讀數。根據一些態樣，進入及脫離位點902可係在位於貯槽/貯器之末端處的檢視視窗810內的玻璃埠處。根據一些態樣，清潔玻璃埠將展示入射光進入且脫離所在之進入及出口點處的最小光強度。相反，此等進入及出口點處光強度的增大指示，視鏡變髒，或變得更大程度被污染，且需要進一步注意/維護。光學裝置802處所接收光/強度的描繪進一步說明於本文中在下文描述的圖9B至圖9D中。

根據一些態樣，在904處量測之光強度指示Sn位準偵測。根據一些實施例，如例如圖8A及圖8B中所說明，液態Sn可充當鏡子，且Sn處於一角度，距離可自反射自貯器壁的經反射點904來計算。根據其他態樣，點906可指示Sn純度偵測方位。在904處，隨著此方位變得更可見，Sn被反射較少，此情形意謂錫-氧化堆積正在增大。

圖9B至圖9D說明感測器(例如，光學裝置802)處接收並量測的強度。舉例而言，圖9B說明在視口及Sn兩者為清潔的情形下在光學裝置802處接收的光信號。圖9C說明在視口為髒的且Sn為清潔的情形下在光學裝置802處接收的光信號。圖9D說明在視口為清潔的且Sn為髒的情形下在光學裝置802處接收的光信號。可瞭解，「清潔」及「髒的」指定可反映所偵測污染物的位準，在該污染物位準以上，視口/Sn可被視為「髒的」且在該位準以下，視口/Sn可被視為「清潔的」。

根據一些態樣，所接收信號/光的大體方位可知曉。舉例而言，視窗入口點902及回流點908可為固定方位。變化對於經反射斑點904及點906可發生。此等兩個信號之間的關係係關於Sn位準與純度位準的判定。舉例而言，反射斑點904可為最高強度點，從而指示脫離Sn (Sn表面或貯器壁)的反射且因此其方位係與Sn位準相關。然而，隨著Sn污染位準增大，906處之強度增大，而參考斑點904處的強度減低。此情形可繼續，直至點906處之強度大於反射斑點904處的強度。在此狀況下，光學裝置802可使用反射斑點906作為對應於Sn位準而非反射斑點904的方位。此外，光學裝置802可進一步產生指示高污染物位準的警告。可瞭解，指示Sn之經偵測污染物的警告可經由圖形使用者介面(GUI)或其他方法傳輸至操作人員。

圖10為根據一些實施例的感測器之接收器陣列處偵測到之信號的圖形表示。根據一些態樣，光接收器818之接收器陣列例如可接收在不同方位處具有不同強度剖面的光，該等強度剖面指示為峰值(在接收器陣列內的不同方位處)。根據一些實施例，峰值1002可指示視窗清潔度偵測的光強度。峰值1004可指示Sn純度偵測的光強度，其中此強度隨著Sn變得更髒而生長。峰值1006可指示Sn位準偵測的光強度，且峰值1008可指示視窗傳回射束的光強度。根據一些態樣，尖峰之方位及彼此之關係並非任意的。如圖9B至圖9D中所描述，例如，主信號輸出(最高峰值至峰值1006)可指定為指示Sn位準偵測的峰值。進一步判定，就在最高峰值1006之前(或就在如圖9B至圖9D中所說明的之後)的峰值(峰值1004)可指示Sn純度的光強度。此外，根據一些態樣，第一及最後強度尖峰可判定為與視窗之光強度相關聯的峰值，且因此視窗清潔度偵測可予以判定。

根據一些態樣，接收器818之偵測器陣列可基於已知θ與接收之信號的距離量測相關。舉例而言，由於系統幾何佈置為吾人所知(例如，光學裝置802的方位、視窗入口及傳回點，以及貯器尺寸)，相對峰值的預期方位可預期為係在某方位範圍內。因此，偵測器陣列讀數可集中於904及906上以判定深度及污染位準。在一些態樣中，當光強度自904切換至906 (例如，圖9C至圖9D)時，光學裝置802可包括另一程式化，該另一程式化可切換至使用906量測值作為與Sn之深度相關聯的量測值。另外，光學裝置802 (經由其自己的控制器或控制器310)可傳輸訊息至操作者，從而使操作者知曉高污染物位準偵測到該保證調查。

圖11說明根據一些實施例的展示聯機再充填系統中源位準之偵測方法1100之實例的流程圖。

根據一些態樣，方法1100可為用於量測極紫外線(EUV)輻射系統中之輻射燃料之聯機饋入的方法。方法1100可包括以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的燃料貯槽視窗，如步驟1102中所說明。方法1100亦可包括在定位成鄰近於視窗之一感測器處接收藉由輻射燃料之頂表面反射的檢測射束之一部分，如步驟1104中所說明。方法1100亦可包括量測至輻射燃料之頂表面的距離，如步驟1106中所說明。此外，方法1100亦可包括基於所量測距離計算燃料貯槽中輻射燃料的充填位準，如步驟1108中所說明。

儘管圖11中未說明，但方法1100可進一步包括檢測射束被導向複數個照射點，且該計算係基於具有最高信號強度的一或多個反射。此外，方法1100可進一步包括傳輸指示所計算充填位準的信號至第一上游貯槽(例如，RR 708)，從而供應輻射燃料至燃料貯槽(例如，PR 714)。根據一些態樣，所傳輸信號進一步包括維持動作過程命令至第一上游貯槽(例如，RR 708)以回應於充填位準系在預定臨限值內維持動作過程。舉例而言，若PR 714之充填位準係在貯槽並未充滿且並非幾乎空虛的預定充填範圍內，則感測器720可傳輸指示動作過程應予以保持的與RR 708或控制器310相關聯的信號至感測器。

根據一些態樣，方法1100可進一步包括傳輸指示所計算之充填位準的第二信號至第二上游貯槽(例如，TPT 702)從而供應Sn至第一上游貯槽(例如，RR 708)，第二上游貯槽為經組態以收集並加熱輻射燃料至預定溫度的貯槽。根據一些態樣，TPT 702可直接提供Sn至RR 708或初始地提供Sn至TRT 704。如本文提及，系統中的任何數目個貯槽及貯器/貯槽及貯器的組合可基於DGA 722之系統要求及所要求需要予以部署。根據一些態樣，方法1100可進一步包括傳輸用於供應Sn的時間參數，將用於加熱Sn的要求時間考慮在內。在一個實例中，在TPT 702處接收到之信號(亦即，經由控制器310或感測器716)可包括時序參數。時序參數可將包括例如以下各者的系統因數考慮在內：可要求多少時間來加熱並熔融Sn，流動系統710a至710e中的管道之長度，及系統中貯槽的數目(例如，RR 708、TRT 704)。此外，第二信號可進一步指導第二上游貯槽(例如，TPT 702)供應所收集並加熱輻射燃料至第一上游貯槽(例如，TRT 704或RR 708)的時間。另外，方法1100可進一步包括藉由感測器716量測正經加熱之Sn的量且傳輸所量測量至感測器720，該所量測量指示進入EUV輻射系統之聯機饋入的Sn量。

根據一些態樣，方法1100可進一步包括處理來自一或多個反射(例如，1002、1004或1008)的一個其他反射信號，具有比具有最高信號強度之一或多個反射低之強度的一個其他反射信號；及產生操作者訊息，該訊息指示與視窗相關聯的污染位準(例如，視窗太髒)。在另一態樣中，訊息可指示與Sn相關聯的污染位準(例如，Sn污染物過高)。

儘管在本文中可特定參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統，用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢驗單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。

應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。

本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適係在本發明之精神及範疇內。

雖然上文已描述了本發明之特定態樣，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐該等態樣。該描述不意欲限制本發明之實施例。

應瞭解，[實施方式章]節而非[先前技術]、[發明內容]及[摘要]章節意欲用於解譯申請專利範圍。[發明內容]及[發明摘要]章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有實例實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明之一些態樣。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

對本發明之特定態樣之前述描述將如此充分地揭露態樣之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定態樣而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效者的涵義及範圍內。

在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。 1.           一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之一燃料充填位準的方法，該方法包含： 以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的一燃料貯槽視窗； 在定位成鄰近於該視窗之一感測器處接收被該輻射燃料之該頂表面反射的該檢測射束之一部分； 判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標； 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標； 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離；及 基於該所量測距離計算該燃料貯槽中該輻射燃料的該充填位準。 2.      如條項1之方法，其中該檢測射束被導向複數個照射點，且該計算係基於具有最高信號強度的一或多個反射。 3.      如條項1之方法，其進一步包含： 將指示該所計算之充填位準的一信號傳輸至一第一上游貯槽，該第一上游貯槽將該輻射燃料供應至該燃料貯槽。 4.      如條項3之方法，其中該所傳輸信號進一步包括至該第一上游貯槽之一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一動作過程。 5.      如條項3之方法，其進一步包含： 將指示該所計算充填位準之一第二信號傳輸至一第二上游貯槽，該第二上游貯槽將該輻射燃料供應至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的貯槽。 6.      如條項5之方法，其中該輻射燃料為錫(Sn)，且其中該傳輸該第二信號進一步包含傳輸用於供應該錫的一時間參數，將用於對該錫進行加熱的一要求時間考慮在內。 7.      如條項5之方法，其中該第二信號進一步指導該第二上游貯槽供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。 8.      如條項7之方法，其進一步包含： 量測正經加熱之一輻射燃料量；及 將指示一輻射燃料量之該所量測量傳輸至該感測器，從而達到該EUV輻射系統的燃料饋入位準。 9.      如條項3之方法，其進一步包含： 處理來自該一或多個反射的一個其他反射信號，該一個其他反射信號相較於具有該最高信號強度的該一或多個反射具有一較低強度；及 產生一操作者訊息，該訊息指示與該視窗相關聯的一污染等級。 10.    如條項1之方法，其進一步包含： 回應於該燃料貯槽定位於距一立式位置的一角度偏差處而量測該檢測射束之該所接收部分自一貯槽壁的一貯槽光強度反射，該貯槽光強度反射指示該貯槽中的燃料位準；及 量測來自該燃料貯槽中之該燃料的一燃料光強度反射，該燃料光強度反射指示該燃料的一純度位準。 11.    一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之燃料充填位準的量測裝置，該量測裝置定位成鄰近於一燃料貯槽視窗，該量測裝置包含： 一傳輸器，該傳輸器經組態而以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的該燃料貯槽視窗； 一接收器，該接收器經組態以接收藉由該輻射燃料之該頂表面反射的該檢測射束之一部分；及 處理電路，其經組態以 判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標， 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標， 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離，及 基於該所量測距離計算該燃料貯槽中該輻射燃料的一充填位準。 12.    如條項11之量測裝置，其中該檢測射束被導向複數個照射點，且該計算係基於具有最高信號強度的一或多個反射。 13.    如條項11之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以傳輸指示該所計算充填位準的一信號至一第一上游貯槽，該第一上游貯槽將該輻射燃料供應至該燃料貯槽。 14.    如條項13之量測裝置，其中所傳輸信號進一步包括至該第一上游貯槽的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一動作過程。 15.    如條項13之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以傳輸指示該所計算之充填位準的一第二信號至一第二上游貯槽，該第二上游貯槽供應該輻射燃料至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的一貯槽。 16.    如條項15之量測裝置，其中 該輻射燃料為錫(Sn)，且 該處理電路進一步經組態以在該第二信號內傳輸用於供應該錫的一時間參數，將用於加熱該錫的一要求時間考慮在內。 17.    如條項15之量測裝置，其中該第二信號進一步指導該第二上游貯槽來供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。 18.    如條項17之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 自與該第二上游貯槽相關聯之一感測器接收一所量測量的輻射燃料，該所量測量的輻射燃料經加熱且供應至該第一上游貯槽； 更新指示一輻射燃料量的一量測值，從而達到該EUV輻射系統之該燃料充填位準；及 計算該經加熱輻射燃料預期到達該燃料貯槽的一時間間隔。 19.    如條項13之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 處理來自該一或多個反射的一個其他反射信號，該一個其他反射信號相較於具有最高信號強度的該一或多個反射具有一較低強度；及 產生一操作者訊息，該訊息指示與該視窗相關聯的一污染等級。 20.    如條項11之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 回應於該燃料貯槽定位於距一立式位置的一角度偏差處而量測自一貯槽壁的一貯槽光強度反射，該貯槽光強度反射指示該燃料貯槽中的燃料位準；及 量測來自該燃料貯槽中之該燃料的一燃料光強度反射，該燃料光強度反射指示該燃料的一純度位準。 21.    一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之燃料充填位準的量測裝置，該量測裝置定位於一燃料貯槽內，該量測裝置包含： 一量測感測器，其包含 在該燃料貯槽內延伸之複數個探針，該複數個探針中之每一者經組態以回應於與該輻射燃料接觸而產生一信號， 其中該複數個探針經由複數個密閉高壓密封件連接至該燃料貯槽；及 包括處理電路的一控制器，該控制器經組態以 回應於接收到一或多個產生之信號來計算該燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 將該輸出信號傳輸至至少一個其他控制器。 22.    如條項21之量測裝置，其中該至少一個其他控制器為與一第一上游貯槽相關聯的一第一上游控制器，該第一上游貯槽供應該輻射燃料至該燃料貯槽。 23.    如條項22之量測裝置，其中該傳輸輸出信號包括至該第一上游控制器的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一饋入動作過程。 24.    如條項22之量測裝置，其中該控制器進一步經組態以傳輸指示該所計算之充填位準的一第二信號至與一第二上游貯槽相關聯的一第二上游控制器，該第二上游貯槽供應該輻射燃料至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的一貯槽。 25.    如條項24之量測裝置，其中 該輻射燃料為錫(Sn)，且 該控制器進一步經組態以在該第二信號內傳輸一時間參數，該時間參數用於基於用於加熱該Sn的一要求時間供應該Sn。 26.    如條項24之量測裝置，其中該第二信號進一步指導該第二上游控制器來供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。 27.    如條項26之量測裝置，其中該控制器進一步經組態以： 自該第二上游控制器接收一所量測量的輻射燃料，該所量測量的輻射燃料經加熱且供應至該第一上游貯槽； 更新指示一輻射燃料量的一量測值，從而達到該EUV輻射系統之該燃料充填位準；及 計算該經加熱輻射燃料預期到達該燃料貯槽的一時間間隔。 28.    如條項21之量測裝置，其中該複數個探針向下延伸至該燃料貯槽內的不同深度。 29.    如條項21之量測裝置，其中該複數個探針在不同垂直方位處側向延伸至該貯槽中。 30.    一種微影輻射系統，其包含： 一第一燃料貯槽，該第一燃料貯槽耦接至一第一感測器裝置及一第一控制器；及 一第二燃料貯槽，該第二燃料貯槽耦接至一第二感測器裝置及一第二控制器， 該第二燃料貯槽位於一燃料充填系統中的該第一燃料貯槽上游且提供輻射燃料至該微影輻射系統， 該第一控制器經組態以 計算該第一燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 傳輸該輸出信號至該第二控制器。 31.    如條項30之微影輻射系統，其中該第一感測器裝置為一光學感測器。 32.    如條項31之微影輻射系統，其中該光學感測器經組態以： 以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的一第一貯槽視窗，且 接收被該輻射之該頂表面反射的該檢測射束之一部分。 33.    如條項32之微影輻射系統，其中該光學感測器進一步經組態以： 判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標， 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標，且 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離。 34.    如條項33之微影輻射系統，其中該光學感測器進一步經組態以基於該所量測距離來計算該燃料貯槽中該輻射燃料的該充填位準。 35.    如條項30之微影輻射系統，其中該第一感測器裝置定位於一燃料貯槽內。 36.    如條項35之微影輻射系統，其中該量測感測器包含： 在該燃料貯槽內延伸之複數個探針，該複數個探針中之每一者經組態以回應於與該輻射燃料接觸而產生一信號。 37.    如條項36之微影輻射系統，其中該複數個探針經由複數個密閉高壓密封件連接至該燃料貯槽。 38.    如條項35之微影輻射系統，其進一步包含 包括處理電路的一控制器，該控制器經組態以 回應於接收到一或多個產生之信號來計算該燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 將該輸出信號傳輸至至少一個其他控制器。 39.    如條項38之微影輻射系統，其中該至少一個其他控制器為與一第一上游貯槽相關聯的一第一上游控制器，該第一上游貯槽供應該輻射燃料至該燃料貯槽。 40.    如條項39之微影輻射系統，其中該所傳輸信號包括至該第一上游控制器的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一饋入動作過程。 41.    如條項37之微影輻射系統，其中該複數個探針向下延伸至該燃料貯槽內的不同深度。 42.    如條項37之微影輻射系統，其中該複數個探針在不同垂直方位處側向延伸至該貯槽中。

本發明之廣度及範疇不應受上述實例態樣或實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物來界定。

100:微影設備 100':微影設備 210:極紫外線(EUV)輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射射束 222:琢面化場鏡面裝置 224:琢面化光瞳鏡面裝置 226:圖案化射束 228:反射元件 229:反射元件 230:可選氣體障壁或污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側部 252:下游輻射收集器側部 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 256:曝光裝置 258:收集器光學件 302:雷射系統 304:照射區 306:射束調節單元 308:源材料遞送系統 310:控制器 312:雷射控制系統 314:小滴成像器 316:小滴位置偵測回饋系統 318:中間區 320:氣體施配器裝置 400:微影單元 501:雷射系統 502:雷射射束 503':燃料目標 503:燃料目標產生器 504:電漿形成區 505:收集器 506:中間焦點 507:電漿 508:開口 509:圍封結構 510:攝影機/光偵測器 511:控制器 512:連接件 600:示意性架構 602:鉬棒 604:燃料貯槽 606:玻璃/陶瓷密封件 608:充滿狀態 610:空虛狀態 612:鉬棒 700:聯機再充填系統 702:Sn充裝貯槽(TPT) 704:Sn再充填貯槽(TRT) 708:再充填貯器(RR) 710a～710e:流閥及管道 712:液態Sn 714:主貯器(PR) 716:光學感測器 718:光學感測器 720:光學感測器 722:小滴產生器總成(DGA) 724:流動閥 800:非侵入三角量測感測器總成 802:光學裝置 804:光信號 806:貯槽 808:Sn 810:凸緣/檢視視窗 812:水平距離/量測值 814:Sn位準 816:光傳輸器 818:光學接收器 820:預定溫度範圍 900:非侵入三角量測感測器部署 902:視窗入口點 904:經反射點/經反射斑點 906:點 908:回流點 1002:峰值/反射 1004:反射 1006:最高峰值至峰值 1008:反射 1100:聯機再充填系統中源位準之偵測方法 1102:步驟 1104:步驟 1106:步驟 1108:步驟 A:鉬棒 AD:調整器 B:輻射射束/鉬棒 BD:射束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CO:輻射收集器/收集器光學件 CH:冷卻板 DE:顯影器 E:鉬棒 IFD:位置感測器 IFD1:位置感測器 IFD2:位置感測器 IF:虛擬源點 IL:照明系統 IN:積光器 IPU:照明系統光瞳 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IVR:真空內機器人 LB:裝載匣 LACU:微影控制單元 MT:支撐結構 MA:圖案化裝置 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MP:光罩圖案 MP':光罩圖案之影像 O:光軸 PM:第一定位器 PW:第二定位器 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑裝置 PPU:光瞳共軛物 PS:投影系統 RO:基板處置器 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:脈衝式輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台

併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之態樣的原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。

圖1A為根據本發明之一些態樣的實例反射微影設備的示意性說明。

圖1B為根據本發明之一些態樣的實例透射性微影設備的示意性說明。

圖2A、圖2B及圖3展示根據一些實施例之反射微影設備之更詳細示意圖。

圖4展示根據一些實施例之微影製造單元之示意圖。

圖5為根據本發明之一些態樣的用於實例反射微影設備之實例輻射源的示意性說明。

圖6A及圖6B說明根據一些實施例之貯槽內位準感測器的示意性架構；

圖7說明根據一些實施例之聯機再充填系統的示意性架構；

圖8A至圖8B說明根據一些實施例之用於偵測真空貯槽中之源位準的非侵入性三角量測感測器；

圖8C為說明藉由光學裝置量測之平均Sn位準及雜訊位準中之移位的溫度-時間曲線；

圖9A至圖9D說明根據一些實施例的用於偵測在真空貯槽中之源位準的非侵入三角量測感測器部署的另一實例；

圖10為根據一些實施例的感測器之接收器陣列處偵測到之信號的圖形表示；且

圖11為根據一些實施例的展示聯機再充填系統中源位準之偵測方法之實例的流程圖。

根據下文結合圖式所闡述之具體實施方式，本發明之特徵及優勢將變得更顯而易見，在該等圖式中相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，除非另外指示，否則相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。

802:光學裝置

900:非侵入三角量測感測器部署

902:視窗入口點

904:經反射點/經反射斑點

906:點

908:回流點

Claims (42)

1. 一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之一燃料充填位準的方法，該方法包含： 以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的一燃料貯槽視窗； 在定位成鄰近於該視窗之一感測器處接收被該輻射燃料之該頂表面反射的該檢測射束之一部分； 判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標； 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標； 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離；及 基於該所量測距離計算該燃料貯槽中該輻射燃料的該充填位準。
2. 如請求項1之方法，其中該檢測射束被導向複數個照射點，且該計算係基於具有最高信號強度的一或多個反射。
3. 如請求項1之方法，其進一步包含： 將指示該所計算之充填位準的一信號傳輸至一第一上游貯槽，該第一上游貯槽將該輻射燃料供應至該燃料貯槽。
4. 如請求項3之方法，其中該所傳輸信號進一步包括至該第一上游貯槽之一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一動作過程。
5. 如請求項3之方法，其進一步包含： 將指示該所計算充填位準之一第二信號傳輸至一第二上游貯槽，該第二上游貯槽將該輻射燃料供應至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的貯槽。
6. 如請求項5之方法，其中該輻射燃料為錫(Sn)，且其中該傳輸該第二信號進一步包含傳輸用於供應該錫的一時間參數，將用於對該錫進行加熱的一要求時間考慮在內。
7. 如請求項5之方法，其中該第二信號進一步指導該第二上游貯槽供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。
8. 如請求項7之方法，其進一步包含： 量測正經加熱之輻射燃料的一量；及 將指示一輻射燃料量之該所量測量傳輸至該感測器，從而達到該EUV輻射系統的燃料饋入位準。
9. 如請求項3之方法，其進一步包含： 處理來自該一或多個反射的一個其他反射信號，該一個其他反射信號相較於具有該最高信號強度的該一或多個反射具有一較低強度；及 產生一操作者訊息，該訊息指示與該視窗相關聯的一污染等級。
10. 如請求項1之方法，其進一步包含： 回應於該燃料貯槽定位於距一立式位置的一角度偏差處而量測該檢測射束之該所接收部分自一貯槽壁的一貯槽光強度反射，該貯槽光強度反射指示該貯槽中的燃料位準；及 量測來自該燃料貯槽中之該燃料的一燃料光強度反射，該燃料光強度反射指示該燃料的一純度位準。
11. 一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之燃料充填位準的量測裝置，該量測裝置定位成鄰近於一燃料貯槽視窗，該量測裝置包含： 一傳輸器，該傳輸器經組態而以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的該燃料貯槽視窗； 一接收器，該接收器經組態以接收該檢測射束之藉由該輻射燃料之該頂表面反射的一部分；及 處理電路，該處理電路經組態以判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標； 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標； 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離；及 基於該所量測距離計算該燃料貯槽中該輻射燃料的一充填位準。
12. 如請求項11之量測裝置，其中該檢測射束被導向複數個照射點，且該計算係基於具有最高信號強度的一或多個反射。
13. 如請求項11之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以傳輸指示該所計算充填位準的一信號至一第一上游貯槽，該第一上游貯槽將該輻射燃料供應至該燃料貯槽。
14. 如請求項13之量測裝置，其中該所傳輸信號進一步包括至該第一上游貯槽的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一動作過程。
15. 如請求項13之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以傳輸指示該所計算之充填位準的一第二信號至一第二上游貯槽，該第二上游貯槽供應該輻射燃料至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的一貯槽。
16. 如請求項15之量測裝置，其中 該輻射燃料為錫(Sn)，且 該處理電路進一步經組態以在該第二信號內傳輸用於供應該錫的一時間參數，將用於加熱該錫的一要求時間考慮在內。
17. 如請求項15之量測裝置，其中該第二信號進一步指導該第二上游貯槽來供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。
18. 如請求項17之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 自與該第二上游貯槽相關聯之一感測器接收一所量測量的輻射燃料，該所量測量的輻射燃料經加熱且供應至該第一上游貯槽； 更新指示一輻射燃料量的一量測值，從而達到該EUV輻射系統之該燃料充填位準；及 計算該經加熱輻射燃料預期到達該燃料貯槽的一時間間隔。
19. 如請求項13之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 處理來自該一或多個反射的一個其他反射信號，該一個其他反射信號相較於具有該最高信號強度的該一或多個反射具有一較低強度；及 產生一操作者訊息，該訊息指示與該視窗相關聯的一污染等級。
20. 如請求項11之量測裝置，其中該處理電路進一步經組態以： 回應於該燃料貯槽定位於距一立式位置的一角度偏差處而量測自一貯槽壁的一貯槽光強度反射，該貯槽光強度反射指示該燃料貯槽中的燃料位準；及 量測來自該燃料貯槽中之該燃料的一燃料光強度反射，該燃料光強度反射指示該燃料的一純度位準。
21. 一種用於量測一極紫外線(EUV)輻射系統中一輻射燃料之燃料充填位準的量測裝置，該量測裝置定位於一燃料貯槽內，該量測裝置包含： 一量測感測器，其包含 在該燃料貯槽內延伸之複數個探針，該複數個探針中之每一者經組態以回應於與該輻射燃料接觸而產生一信號， 其中該複數個探針經由複數個密閉高壓密封件連接至該燃料貯槽；及 包括處理電路的一控制器，該控制器經組態以 回應於接收到一或多個產生之信號來計算該燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 將該輸出信號傳輸至至少一個其他控制器。
22. 如請求項21之量測裝置，其中該至少一個其他控制器為與一第一上游貯槽相關聯的一第一上游控制器，該第一上游貯槽供應該輻射燃料至該燃料貯槽。
23. 如請求項22之量測裝置，其中該傳輸輸出信號包括至該第一上游控制器的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一饋入動作過程。
24. 如請求項22之量測裝置，其中該控制器進一步經組態以傳輸指示該所計算之充填位準的一第二信號至與一第二上游貯槽相關聯的一第二上游控制器，該第二上游貯槽供應該輻射燃料至該第一上游貯槽，該第二上游貯槽為經組態以收集並加熱該輻射燃料至一預定溫度的一貯槽。
25. 如請求項24之量測裝置，其中 該輻射燃料為錫(Sn)，且 該控制器進一步經組態以在該第二信號內傳輸一時間參數，該時間參數用於基於用於加熱該Sn的一要求時間供應該Sn。
26. 如請求項24之量測裝置，其中該第二信號進一步指導該第二上游控制器來供應該所收集並加熱的輻射燃料至該第一上游貯槽。
27. 如請求項26之量測裝置，其中該控制器進一步經組態以： 自該第二上游控制器接收一所量測量的輻射燃料，該所量測量的輻射燃料經加熱且供應至該第一上游貯槽； 更新指示一輻射燃料量的一量測值，從而達到該EUV輻射系統之該燃料充填位準；及 計算該經加熱輻射燃料預期到達該燃料貯槽的一時間間隔。
28. 如請求項21之量測裝置，其中該複數個探針向下延伸至該燃料貯槽內的不同深度。
29. 如請求項21之量測裝置，其中該複數個探針在不同垂直方位處側向延伸至該貯槽中。
30. 一種微影輻射系統，其包含： 一第一燃料貯槽，該第一燃料貯槽耦接至一第一感測器裝置及一第一控制器；及 一第二燃料貯槽，該第二燃料貯槽耦接至一第二感測器裝置及一第二控制器， 該第二燃料貯槽位於一燃料充填系統中的該第一燃料貯槽上游且提供輻射燃料至該微影輻射系統， 該第一控制器經組態以 計算該第一燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 傳輸該輸出信號至該第二控制器。
31. 如請求項30之微影輻射系統，其中該第一感測器裝置為一光學感測器。
32. 如請求項31之微影輻射系統，其中該光學感測器經組態以： 以一預定入射角導引一檢測射束穿過該輻射燃料之一頂表面處的一第一貯槽視窗，且 接收該被該輻射之該頂表面反射的檢測射束之一部分。
33. 如請求項32之微影輻射系統，其中該光學感測器進一步經組態以： 判定該檢測射束之一透射方位的一透射座標， 判定該檢測射束之該所接收部分之一接收方位的一接收座標，且 量測該接收座標與該透射座標之間的一距離。
34. 如請求項33之微影輻射系統，其中該光學感測器進一步經組態以基於該所量測距離來計算該燃料貯槽中該輻射燃料的該充填位準。
35. 如請求項30之微影輻射系統，其中該第一感測器裝置定位於一燃料貯槽內。
36. 如請求項35之微影輻射系統，其中該量測感測器包含： 在該燃料貯槽內延伸之複數個探針，該複數個探針中之每一者經組態以回應於與該輻射燃料接觸而產生一信號。
37. 如請求項36之微影輻射系統，其中該複數個探針經由複數個密閉高壓密封件連接至該燃料貯槽。
38. 如請求項35之微影輻射系統，其進一步包含 包括處理電路的一控制器，該控制器經組態以 回應於接收到一或多個產生之信號來計算該燃料貯槽內的一燃料充填位準， 產生指示該所計算之充填位準的一輸出信號，且 將該輸出信號傳輸至至少一個其他控制器。
39. 如請求項38之微影輻射系統，其中該至少一個其他控制器為與一第一上游貯槽相關聯的一第一上游控制器，該第一上游貯槽供應該輻射燃料至該燃料貯槽。
40. 如請求項39之微影輻射系統，其中該所傳輸信號包括至該第一上游控制器的一維持動作過程命令，以回應於該充填位準係在一預定臨限值內而維持一饋入動作過程。
41. 如請求項37之微影輻射系統，其中該複數個探針向下延伸至該燃料貯槽內的不同深度。
42. 如請求項37之微影輻射系統，其中該複數個探針在不同垂直方位處側向延伸至該貯槽中。

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