TW202318112A - 用於主動加熱在euv光源中之基板的設備及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種保護設備，其包括一緩衝劑產生器及一加熱設備。該緩衝劑產生器經組態以將一緩衝劑與定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板之一表面相互作用。該加熱設備與該基板熱連通並經組態以增加該基板及該基板表面之一溫度。

Description

用於主動加熱在EUV光源中之基板的設備及方法

所揭示主題係關於用於加熱與極紫外線(EUV)光源之腔室內的緩衝劑流體相關聯之基板的保護設備及方法。

極紫外線(EUV)光(例如，具有大約50 nm或更小之波長的電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13 nm之波長的光)可用於光微影程序中以在基板(例如，矽晶圓)中產生極小特徵。

用以產生EUV光之方法包括但未必限於轉換在電漿狀態中具有EUV範圍內之發射譜線的具有元素(例如，氙、鋰或錫)之材料。在常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束輻照例如呈材料小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡裝備來監視電漿。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，諸如光罩或倍縮光罩之圖案化裝置可用以產生待形成於正形成的IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常經由成像至經提供於基板上的輻射敏感材料(例如抗蝕劑)之層上。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(掃描方向)上經由輻射光束掃描圖案，同時平行或反平行於此掃描方向同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。

極紫外線(EUV)輻射，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長之電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13 nm之波長的光，可用於微影設備中或與微影設備一起使用以在例如矽晶圓之基板中或上產生極小特徵。產生EUV光之方法包括但未必限於將具有EUV範圍內之發射譜線的具有元素(例如，氙(Xe)、鋰(Li)、鋱(Tb)、釓(Gd)或錫(Sn))之材料轉換至電漿狀態。舉例而言，在被稱為雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料之小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生電漿，該目標材料在LPP源之內容背景中可互換地被稱作燃料。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡裝備來監視電漿。

在一些一般態樣中，一種保護設備包括一緩衝劑產生器及一加熱設備。該保護設備可保護極紫外線(EUV)光源中之一緩衝劑流動導引件且提供EUV光源之腔室內的緩衝氣體之經改良流動穩定性。該緩衝劑產生器經組態以將一緩衝劑與定位於該極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板之一表面(一基板表面)相互作用。該加熱設備與該基板熱連通並經組態以增加該基板及該基板表面之一溫度。

實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，加熱設備可經組態以將基板及基板表面之溫度增加至一值，在該值下，在基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於基板之平均溫度的10%。加熱設備可經組態以將基板及基板表面之溫度增加至一值，該值大於行進穿過EUV光源腔室之目標材料之熔點。

基板可為鄰近於與EUV光源之腔室內之光相互作用的光學元件定位的緩衝劑流動導引件。光學元件可為EUV收集器鏡面且緩衝劑流動導引件可定位在該EUV收集器鏡面之開口處。緩衝劑流動導引件可包括自EUV收集器鏡面朝向EUV收集器鏡面之焦點區延伸的圓錐形部分。光學元件可與EUV光源腔室內之光相互作用。光學元件可為經組態以反射EUV光的鏡面或經組態以使EUV光通過之窗口。

保護設備可進一步包括與加熱設備通信之控制設備，該控制設備經組態以調整加熱設備以主動地維持基板及基板表面之溫度。保護設備亦可包括經組態以量測基板之溫度的溫度度量衡裝置。該控制設備可與溫度度量衡裝置通信使得其藉由比較量測溫度與目標溫度而主動地維持基板及基板表面之溫度。溫度度量衡裝置可包括熱電偶、紅外線攝影機、溫度計或雷射讀數中之一或多者。

緩衝劑產生器可包括緩衝劑流動產生器且該緩衝劑可包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越基板表面傳遞緩衝劑流體。緩衝劑流體可為包括氫之氣體。緩衝劑流動產生器可藉由橫越基板表面對流地輸送緩衝劑流體而橫越基板表面傳遞緩衝劑流體。緩衝劑流動產生器可藉由減小沈積於基板表面上之目標材料碎屑之量而橫越基板表面傳遞緩衝劑流體。且，加熱設備可經組態以維持緩衝劑流動產生器減小沈積於該基板表面上之目標材料碎屑之量的有效性。

加熱設備可經組態以將基板及基板表面之溫度增加至一值，該值大於緩衝劑流體中之至少一些解離時的溫度。加熱設備可經組態以將基板及基板表面之溫度增加至大於600℃之值。加熱設備可包括與基板熱連通之電阻加熱元件、光源、摩擦裝置或熱電裝置。

保護設備亦可包括與基板相關聯且經組態以將基板與EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的絕緣裝置。

在其他一般態樣中，保護設備包括：一緩衝劑產生器，其經組態以將緩衝劑與定位於極紫外線(EUV)光源之腔室內部之光學元件之表面相互作用且經組態以與EUV光相互作用；一緩衝劑導引件，其鄰近於該光學元件而定位且經組態以相對於該光學元件導引緩衝劑；及一加熱設備，其與緩衝劑導引件熱連通且經組態以增加緩衝劑導引件之溫度。

實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，加熱設備可經組態以將緩衝劑導引件之溫度增加至一值，在該值下，在緩衝劑導引件之任何位置處之任何溫度梯度保持低於緩衝劑導引件之平均溫度的10%。加熱設備可經組態以將緩衝劑導引件之溫度增加至一值，該其大於行進穿過EUV光源腔室之目標材料之熔點。

光學元件可為經組態以收集EUV光之收集器鏡面。緩衝劑導引件可包括自EUV收集器鏡面朝向EUV收集器鏡面之焦點區延伸的圓錐形部分。

保護設備可進一步包括與加熱設備通信之控制設備，該控制設備經組態以調整加熱設備以主動地維持緩衝劑導引件之溫度。保護設備亦可包括經組態以量測緩衝劑導引件之溫度的溫度度量衡裝置。該控制設備可與溫度度量衡裝置通信使得其藉由比較量測溫度與目標溫度而主動地維持緩衝劑導引件之溫度。

緩衝劑產生器可包括緩衝劑流動產生器且該緩衝劑可包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越緩衝劑導引件之表面傳遞緩衝劑流體。緩衝劑流體可為包括氫之氣體。加熱設備可經組態以將緩衝劑導引件之溫度增加至一值，該值大於緩衝劑流體中之至少一些解離時的溫度。緩衝劑流動產生器可藉由橫越光學元件之表面對流地輸送緩衝劑流體而橫越光學元件之表面傳遞緩衝劑流體。緩衝劑流動產生器可藉由橫越緩衝劑導引件之表面對流地輸送緩衝劑流體而橫越緩衝劑導引件之表面傳遞緩衝劑流體。緩衝劑導引件可由鋁、鎢或鉬製成。

加熱設備可經組態以將緩衝劑流動導引件之溫度增加至大於600℃之值。加熱設備可包括與緩衝劑導引件熱連通之電阻加熱元件、光源、摩擦裝置或熱電裝置。

保護設備可包括與緩衝劑導引件相關聯且經組態以將緩衝劑導引件與EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的絕緣裝置。

在其他一般態樣中，一種方法經執行以用於保護定位於極紫外線(EUV)光源之腔室內部之基板。該方法包括：橫越基板之表面傳遞緩衝劑流體；及主動地增加基板及基板表面之溫度。

實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，主動地增加基板及基板表面之溫度可包括將基板及基板表面之溫度增加至一值，在該值下，在基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於基板之平均溫度的10%。主動地增加基板及基板表面之溫度可包括將基板及基板表面之溫度增加至一值，該值大於行進穿過EUV光源腔室之目標材料之熔點。主動地增加基板及基板表面之溫度可包括將基板及基板表面之溫度增加至一值，該值大於緩衝劑流體中之至少一些解離時的溫度。

緩衝劑流體可藉由橫越基板表面對流地輸送緩衝劑流體而橫越基板表面傳遞。緩衝劑流體可藉由減小沈積於基板表面上之目標材料之量而橫越基板表面傳遞；且該方法亦可包括維持緩衝劑流動產生器減小沈積於基板表面上之目標材料之量的有效性。

該方法可進一步包括將基板與EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣。

該方法亦可包括將基板及基板表面之溫度主動地維持至一目標溫度或一目標溫度函數。該方法可進一步包括量測基板之溫度，其中主動地維持基板及基板表面之溫度包含比較量測溫度與目標溫度或目標溫度函數。

參看圖1A及圖1B，保護設備100相對於定位於由極紫外線(EUV)光源之容器145界定的腔室140內之基板130而配置及組態。保護設備100經組態以保護基板130免遭在EUV光之生產期間產生的碎屑影響，如下文所論述。在圖7中展示EUV光源之實例。EUV光源包括朝向腔室140內之相互作用區141引導的目標151之串流150。每一目標151包括目標物質，當其轉換成電漿153時發射EUV光152。在一些實施中，目標151藉由運用經放大光束(圖1A中未展示，但在下文中參考圖7論述)之脈衝輻照目標151而轉換成電漿153。來自經放大光束的光中之一些可作為散射光輻射154自目標151散射。在創建電漿153及EUV光152之程序中，產生不需要的碎屑110。碎屑110可由於在每一經放大光束脈衝中承載之能量而非常熱。

碎屑110大多自離子化目標物質產生且亦至少部分自腔室140中之殘餘或剩餘目標物質產生。殘餘或剩餘目標物質可為未在相互作用區141中轉換成電漿153的目標物質及/或殘餘或剩餘目標物質可自往回恢復至目標物質中的電漿153產生(在不產生EUV光152的情況下)。產生EUV光152之程序依賴於將許多目標151中之目標物質轉換成電漿153，且因此大量離子化或剩餘目標物質可在該程序中產生。目標物質之不同相往往會沈積在腔室140內部的各種物件之表面上。經離子化目標物質係極高能的且快速行進穿過腔室140。當離子化碎屑與緩衝氣體(下文論述)相互作用時，此能量經轉移至緩衝氣體中，且在充分相互作用之後，離子化目標物質變為熱碎屑110，熱碎屑藉由緩衝氣體承載穿過腔室140。且，經由擴散輸送，熱碎屑110可塗佈諸如壁、光學元件及組件(及基板130)的物件之各種表面。形成在基板表面131上之碎屑110可包括由目標物質形成的物質之蒸氣殘餘物、離子、粒子及/或叢集。

碎屑110可藉由阻擋EUV光152或藉由污染腔室140內之物件嚴重損害EUV光源之效能。因此，碎屑110可在基板表面131上形成有效地阻擋表面131之塗層。舉例而言，若表面131為意謂與腔室140中之光相互作用的光學表面，則其效率將在其變得以碎屑110塗佈時下降。作為另一實例，若表面131為非光學表面(不與光相互作用)，則塗佈表面131之碎屑110可對腔室141內附近其他物件造成其他嚴重問題。碎屑110可致使表面131及基板130變熱，其可導致碎屑110自表面131射出並至腔室140內之其他物件上。碎屑110可造成導致EUV光152之產生降低的其他問題。舉例而言，碎屑110可脫離、掉離、吐離或滴離表面131。概言之，此類碎屑110之存在可降低腔室140內之表面之效能並降低EUV光源之總效率及EUV光152之產生。如下文所論述，若目標151包括錫之熔融金屬，則錫粒子、錫之叢集、錫殘餘物或錫離子可累積(或塗佈)在腔室140內之一或多個結構上。

在EUV光源之操作期間，基板130及基板之面向相互作用區141的表面131潛在地經曝光至EUV光152、散射光輻射154及碎屑110。如圖1B中所展示，為了保護基板130及基板表面131免遭在EUV光152之產生期間產生的碎屑110影響，保護設備100包括經組態以將緩衝劑105 (其可為氣體)與基板表面131相互作用的緩衝劑產生器115。在一些實施中，如本文所論述，緩衝劑產生器115為緩衝劑流動產生器且緩衝劑105為諸如緩衝氣體之緩衝劑流體。在此等實施中，緩衝劑流動產生器115經組態以橫越基板表面131使緩衝劑流體105 (其可呈一或多個緩衝劑流體串流之形式)流動。緩衝劑流體105可為任何合適之氣體，諸如分子氫。緩衝劑流體105執行兩個任務。首先，緩衝劑流體105之組分(諸如分子或原子)與碎屑110反覆地碰撞，從而致使碎屑減速並被熱化(亦即，其到達熱平衡)。第二，緩衝劑流體105使用對流輸送或對流將碎屑110 (其可經熱化)遠離基板表面131推送或輸送。因此，其為遠離基板表面131輸送此碎屑110的緩衝劑流體105之整體運動。

碎屑110遠離基板表面131的對流輸送應借助於擴散輸送充分快速地發生以防止碎屑110沈積在基板表面131上。擴散輸送為碎屑110自較高濃度區(亦即，更接近於在相互作用區141中之目標151)至較低濃度區(亦即，遠離相互作用區141)的移動。此擴散輸送因此由碎屑110之濃度的梯度驅動。另外，來自散射光輻射154、EUV光152及甚至碎屑110的能量可加熱緩衝劑流體105及基板表面131，且此致使緩衝劑流體105之該或該等流動重新排序並潛在地損害對流輸送之效率。緩衝劑流體105之流場的不需要重新排序可引入諸如不利地在基板表面131及鄰近或接近於基板表面131之其他表面(圖1A及圖1B中未展示)上產生增加之污染物的流動再循環之效應。且，歸因於此增加之污染物的暫態效應甚至可在相互作用區141處引入，因此致使EUV光152之產生的效率下降。除此等問題外，基板130可定位於腔室140內之一位置處，在該位置處充分冷卻基板130以潛在地偏移基板表面131之加熱係一挑戰。

碎屑110遠離基板表面131的對流輸送之重新排序歸因於產生電漿153之程序而發生。由於經放大光束之每一脈衝在有限時段中與相互作用區141中之一個目標151相互作用，因此以週期性方式產生或生成電漿153。因此，自碎屑110、EUV光152及散射光輻射154施加至基板表面131之熱負載自接近於無波動至某一最大功率(例如，在目標151與相互作用區141內的經放大光束之脈衝相互作用之後不久)。因此，溫度在基板表面131處相當大波動。舉例而言，溫度可偏離標稱溫度Td直至+50℃。因此，若標稱溫度Td為20℃，則溫度可自20℃波動至70℃。此意謂溫度自標稱溫度Td波動至為大於標稱溫度Td 250%的值。

為此目的，保護設備100經進一步設計以在存在橫越基板表面131傳遞的緩衝劑流體105情況下保護基板130免於歸因於溫度波動之此快速降級。特定言之，保護設備100包括與基板130熱連通之加熱設備120。加熱設備120經組態以將基板130及基板表面131之標稱溫度Td增加至新的標稱溫度Td'。標稱溫度經增加至一層級或值，在該層級或值下，上文提及之溫度波動不大顯著或對EUV光源之操作及EUV光152之產生具有非常小影響。使用上述實例，加熱設備120可將溫度升高至800℃之新標稱溫度Td'。在此實例中，基板表面131之溫度在800℃與850℃之間波動。因此，溫度自新的標稱溫度Td'波動至為大於新的標稱溫度Td' 6.25%的值。因此，藉由將標稱溫度Td增加至新的標稱溫度Td'，溫度波動經中和，此係由於波動之大小比新的及增加之標稱溫度Td'小得多。

存在與主動地加熱基板130及基板表面131相關聯的若干益處。首先，加熱設備120內之主動加熱技術相比於主動冷卻技術一般更易於工程化及實施。第二，如上文所提及，由輻射加熱所引起的相對溫度波動顯著降低，因此允許考慮指定輻射加熱之緩衝劑流體105及緩衝劑流動產生器115的工程化。

第三，取決於在緩衝劑流體105中使用的材料，若新的標稱溫度Td'大於緩衝劑流體105之解離溫度，則自由基可自緩衝劑流體105產生，且此等自由基可增強在基板表面131上之清潔程序。舉例而言，若緩衝劑流體105包括氫氣或若氫氣存在於腔室140內，目標物質包括錫(Sn)，且新的標稱溫度Td'大於氫之解離溫度，則分子氫H ₂之所產生游離基可與錫粒子接合，如接下來論述。氫之簡單游離基為具有未配對價電子(H*)之單氫元素。歸因於氫之解離得知的化學過程由以下化學式表示： H ₂(g) ↔ 2 H* (g)，其中g指示化學物質處於氣態。 氫之所產生游離基H*與碎屑110中之錫粒子接合且形成新的化學物質，新的化學物質稱作氫化錫(SnH ₄)，其接著自基板表面131釋放。化學過程由以下化學式表示： 4 H* (g) + Sn (s) ↔ SnH ₄(g)，其中s指示化學物質處於固態。 另一化學過程由3個H* (g)及1個Sn (s)產生SnH ₃(g)且SnH ₃(g)可進一步與1個H* (g)結合以產生SnH ₄(g)。存在許多其他游離基及離子，其可歸因於來自加熱設備120之加熱由分子氫H ₂形成。舉例而言，氘H ₂ ⁺及氚H ₃ ⁺亦可與錫反應並形成氣態氫化錫，但其可不如氫化錫SnH ₄占主導。

第四，充分熱基板表面131可防止碎屑110沈積在基板表面131上(與緩衝劑流體105之對流流動無關)，藉此經由清潔及再沈積程序降低附近物件之污染風險。

保護設備100經組態以藉由加熱基板130及基板表面131同時確保鄰近於或接近於基板之任何元件最低限度地受發生在基板130及基板表面131處的溫度改變影響而操作(亦即，防止碎屑110黏著至基板表面131)。

保護設備100可經組態以即使其經曝露至分子氫(其存在於腔室140中)仍操作(亦即自基板表面130移除碎屑110)。此外，保護設備100可經組態以在不使用氧氣或不存在氧氣的情況下操作；亦即，氧氣並不需要或必需以便保護設備100操作及/或執行其功能。保護設備100經設計以防止碎屑110沈積在基板表面131上而不需要自腔室140移除基板130。其次，保護設備100亦增強天然存在之移除程序，藉此氫H* (g)之游離基與碎屑110中之錫粒子化學反應或接合並形成新的化學物質氫化錫(SnH ₄)。促成EUV光152之產生及/或維持腔室140之操作的腔室140內之基板130的操作不需要停止以便清潔基板表面131。因此，EUV光源之操作不需要停止或中斷以便保護設備100清潔基板表面131。

在一些實施中，腔室140經維持處於真空，亦即，處於低於大氣壓力之壓力下。舉例而言，腔室140可處於約0.5 Torr (T)至約1.5 T之間的低壓(例如處於1 T)。特定壓力可適合於EUV光152之最有效產生。保護設備100經組態以在腔室140之環境中操作，且因此若腔室140經維持處於1 T，則保護設備100能夠在彼壓力下操作。在其他實施中，腔室140維持在大氣壓下。

加熱設備120可經組態以將基板130及基板表面131之溫度增加至一值(新的標稱溫度Td')，在該值下，在基板表面131之任何位置處之任何溫度梯度保持低於基板130之平均溫度的10%。加熱設備120可經組態以將基板130及基板表面131之溫度增加至一值(新的標稱溫度Td')，該值大於形成目標151的目標物質之熔點。如上文所論述，加熱設備120可經組態以將基板130及基板表面131之溫度增加至一值(新的標稱溫度Td')，該值大於緩衝劑流體105中之至少一些解離時的溫度。鑒於上述，在一些實施中，加熱設備120經組態以將基板130及基板表面131之溫度增加至大於600℃之值(新的標稱溫度Td')。

如所論述，目標151由目標物質或材料製成。目標151可為(例如)液體或熔融金屬之小滴、液體流之一部分、固體粒子或叢集、液滴內所含有之固體粒子、目標材料之一種形式，或液體流之一部分內所含有之固體粒子。目標151可為當處於電漿狀態中時發射EUV光152的任何材料。亦即，目標151為當處於電漿狀態中時具有在EUV範圍中之發射譜線之物質。舉例而言，目標151可包括水、錫、鋰及/或氙。目標151可為包括目標物質以及諸如非目標粒子之雜質(其不促成EUV光152之產生)的目標混合物。作為一實例，目標151可為元素錫，其可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，諸如，SnBr ₄、SnBr ₂、SnH ₄；用作錫合金，諸如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金；或此等合金之任何組合。在不存在雜質之情形下，目標151僅包括目標物質。

在一些實施中，如下文參看圖3A至圖3C所論述，基板130為鄰近於與腔室140內之光(諸如EUV光152或其他光)相互作用之光學元件而定位的緩衝劑流動導引件。在此等實施中，光學元件可為用於俘獲及再引導EUV光152的收集器鏡面。緩衝劑流動導引件可定位於EUV收集器鏡面之開口處。光學元件可為經組態以反射EUV光152的鏡面，但不必為EUV收集器鏡面。光學元件可為經組態以使EUV光152通過之窗口。

在一些實施中，加熱設備120包括與基板130熱連通之電阻加熱元件。電阻加熱元件可為電阻線、陶瓷或半導體、厚膜加熱器、導電聚矽氧橡膠材料或複合材料。在其他實施中，加熱設備120包括朝向基板130引導光束以加熱基板130的光源。在另其他實施中，加熱裝置120包括與基板130熱連通之熱電裝置。在其他實施中，加熱設備120包括摩擦裝置或磁裝置。

總之，加熱設備120維持緩衝劑流動產生器115減小沈積於基板表面131上的碎屑110之量的有效性，而不管上文提及之溫度波動。

參看圖2，保護設備100之實施200包括與加熱設備120通信的控制設備225。控制設備225經組態以調整加熱設備120以主動地維持基板130及/或基板表面131之新的標稱溫度Td'。為此目的，保護設備200亦包括與控制設備225通信的溫度度量衡裝置226。溫度度量衡裝置226經組態以量測基板130及/或基板表面131之溫度，並提供量測溫度至控制設備225。溫度度量衡裝置226可例如包括來自EUV腔室140中之度量衡埠的熱電偶裝置、紅外線攝影機、溫度計或雷射讀數。以此方式，控制設備225可藉由例如比較量測溫度(來自溫度度量衡裝置226)與目標溫度Tt主動地維持基板130及/或基板表面131之新的標稱溫度Td'。

在一些實施中，控制設備225包括為該控制設備內之模組中之一或多者可存取的記憶體。記憶體經組態以儲存自此等模組中之每一者輸出的資訊或自溫度度量衡裝置226接收到之資訊以供其他模組在控制設備225之操作期間各種使用。記憶體可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體，且可提供適合於有形地體現電腦程式指令及資料的儲存裝置。控制設備225可包括一或多個輸入及/或輸出裝置(諸如鍵盤、具觸摸功能之裝置、作為輸入之音訊輸入裝置及用於輸出之音訊或視訊)及一或多個處理器。控制設備225可包括用於輸入來自溫度度量衡裝置226之資訊的模組、經組態用於處理來自溫度度量衡裝置226之資訊的模組，及用於輸出指令至加熱設備120的模組。控制設備225可包括未描述之其他模組。

模組中之任一者與控制設備225內之記憶體之間或控制設備225與加熱設備120及溫度度量衡裝置226之間的通信可藉由直接或物理連接(例如有線)或藉由無線連接以使得資訊可在控制設備225之模組之間及控制設備225與加熱設備及溫度度量衡裝置226之間自由傳遞。儘管控制設備225表示為其中全部組件看起來共置的方框，但有可能控制設備225由彼此實體遠離的組件或模組構成。模組中之每一者可為用於接收資料及分析資料的專用處理系統，或模組中之一或多者可組合成單一處理系統。模組中之每一者可包括或能夠存取一或多個可程式化處理器且可各自執行指令之程式以藉由對輸入資料進行操作及產生適當輸出而執行所要功能。模組可以數位電子電路、電腦硬體、韌體或軟體中之任一者來實施。

參看圖3A至圖3C，保護設備100之實施300相對於緩衝劑流動導引件330配置，該緩衝劑流動導引件為基板130之實施。緩衝劑流動導引件330鄰近於EUV收集器鏡面332而定位。保護設備300包括經組態以將緩衝劑305 (其可為氣體)與緩衝劑流動導引件330之表面331相互作用的緩衝劑產生器315。緩衝劑產生器315亦經組態以將緩衝劑305與EUV收集器鏡面332之光學表面333相互作用。如上文所提及，保護設備300經組態以藉由加熱緩衝劑流動導引件330及表面331同時確保EUV收集器鏡面332 (其鄰近於及接近於緩衝劑流動導引件330)最低限度地受在緩衝劑流動導引件330及其表面331處發生的溫度改變影響而操作(亦即，防止碎屑310免於黏著至表面331)。

參看圖4A至圖4D，EUV收集器鏡面332包括面向相互作用區341之光學表面333。EUV收集器鏡面332包括一開口334；一旦安裝在腔室140中及在EUV光源操作期間，穿過開口334及朝向相互作用區341引導(沿著-Y方向)經放大光束之脈衝。EUV收集器鏡面332可為例如一橢球形鏡面，其具有在相互作用區341處之主焦點及在次級焦平面處之一次級或中間焦點IF (在圖7中展示)以供輸出裝置使用。此意謂平面區段(諸如平面區段C-C)呈橢圓形或圓形之形狀。因此，平面區段C-C切割穿過反射光學表面333，且其由橢圓形之一部分形成。以此方式，在相互作用區341中產生且自EUV收集器鏡面332之光學表面333反射的EUV光152經引導至EUV收集器鏡面332之中間焦點，如圖7中所展示。EUV收集器鏡面333之平面圖(圖4D)展示反射光學表面333之邊緣形成圓形形狀。

如下文所論述，為了產生EUV光152，沿著-Y方向穿過EUV收集器鏡面332之開口334並朝向相互作用區341引導經放大光束之脈衝。EUV收集器鏡面332係在距相互作用區341之一距離處置放以使得其主焦點能夠重疊相互作用區341。由於此，因此EUV收集器鏡面332之反射光學表面333接近於碎屑110，且光學表面333可經曝光至碎屑110。緩衝劑流動導引件330定位於此開口334內以提供對光學表面333之某一層級保護並導引緩衝劑流體305自EUV收集器鏡面332之中心(開口334)朝向主焦點(及相互作用區341)及遠離光學表面333流動。緩衝劑流動導引件330為硬體之相對薄壁件，其自光學表面333朝向相互作用區341沿著-Y方向伸出。由於此，因此緩衝劑流動導引件330可對充分冷卻具有挑戰性。另一方面，緩衝劑流動導引件330及其表面331歸因於曝光於散射光輻射154、EUV光152及當電漿353形成時產生的任何其他輻射而被加熱。此加熱對在緩衝劑流動導引件330附近之流場具有顯著影響，且引入諸如可不利地產生在光學表面333上的碎屑310之增加之污染物的流動再循環之效應。與此加熱相關的若干因素引入上文提及之暫態效應，且此使設計複雜化。首先，緩衝劑流動導引件330與EUV收集器鏡面332之主焦點之間的短距離(沿著-Y方向)意謂暫態效應更可能出現(此係由於緩衝劑流動導引件330及其表面331更可能被加熱)。第二，不穩定操作(在「叢發」中)(在該不穩定操作下EUV源對於晶圓上之晶粒曝光進行操作(包括劑量控制))可致使收集器鏡面332曝光至的熱負載之波動。因此，如上文所論述，保護設備300包括與緩衝劑流動導引件330熱連通且經組態以增加緩衝劑流動導引件330以及表面331之溫度的加熱設備320。緩衝劑流動導引件330及其表面331之溫度可增加至一值(新的標稱溫度Td')，在該值下，在表面331之任何位置處的任何溫度梯度保持低於緩衝劑流動導引件330之平均溫度的10%。緩衝劑流動導引件330及其基板表面331之溫度可增加至一值(新的標稱溫度Td')，該值大於形成目標351的目標物質(其可包括錫)之熔點。如上文所論述，緩衝劑流動導引件330及其表面331之溫度可增加至一值(新的標稱溫度Td')，該值大於緩衝劑流體305中之至少一些解離時的溫度。鑒於此等導引件，在一些實施中，加熱設備320經組態以將緩衝劑流動導引件330及其表面331之溫度增加至大於250℃、大於600℃、大於800℃或大於1200℃的一值(新的標稱溫度Td')。

參看圖5A及圖5B，緩衝劑流動導引件330為固體材料之圓錐形件。緩衝劑流動導引件330由對形成目標351之目標物質無化學反應且亦對緩衝劑流體305無化學反應的材料製成。在一些實施中，諸如在目標材料包括錫且緩衝劑流體305包括氫的情況下，緩衝劑流動導引件330由鋁、鎢或鉬製成。緩衝劑流動導引件330包括中心開口335，且一旦緩衝劑流動導引件330安裝在EUV收集器鏡面332之開口334中，經放大光束(圖7)之脈衝便可傳遞通過開口335。緩衝劑流動導引件330包括當安裝時面向EUV收集器鏡面332的外部圓錐形壁336。緩衝劑流動導引件330包括當緩衝劑流動導引件330定位於EUV收集器鏡面332之開口334內時面向相互作用區341並朝向光學表面333向外延伸的環形邊沿337。

如上文所論述，加熱設備320可為經組態以加熱基板130以及基板表面131的任何合適設備。加熱設備320應具有不阻擋腔室140內之EUV光源之組件的操作的幾何形狀及置放。因此，舉例而言，加熱設備320應遠離緩衝劑流動導引件330之開口335以免阻擋經放大光束之脈衝沿著-Y方向朝向相互作用區341行進。

參看圖6A至圖6D，展示加熱設備320之不同實施620A、620B、620C、620D。舉例而言，加熱設備620A嵌入於緩衝劑流動導引件330之大塊材料內。此加熱設備620A可為諸如電阻線之電阻加熱元件、陶瓷或半導體材料、厚膜加熱器、導電聚矽氧橡膠材料、或複合材料、或熱電裝置。加熱設備620B及620C固定至緩衝劑流動導引件330之外部圓錐形壁336或形成於該外部圓錐形壁周圍。此等加熱設備620B、620C應具有一足夠小剖面，其不干擾緩衝劑流體305在緩衝劑流動導引件330與EUV收集器鏡面332之間的流動。加熱設備620B及620C可為諸如電阻線之電阻加熱元件、陶瓷或半導體材料、厚膜加熱器、導電聚矽氧橡膠材料、或複合材料、或熱電裝置。加熱設備620D包括朝向緩衝劑流動導引件330引導光束620D-2以將其熱至新的標稱溫度Td'的光源620D-1。

參看圖7，保護設備700經展示在EUV光源760之實施中。在此實施中，保護設備700經展示鄰近於一通用基板730，該通用基板接近EUV收集器鏡面332以藉此保護基板表面731免遭碎屑710影響。雖然僅僅一個保護設備700經明確地展示在圖7之EUV腔室740中，但有可能在整個EUV腔室740中組態複數個保護設備700。用於保護設備700之其他可能及例示性(但非限制性)位置係藉由圖7中展示的十字圖標768標記。

接下來論述EUV光源760之其他組件。EUV光源760包括朝向腔室740中之相互作用區741引導目標751之串流750的目標傳遞系統761。相互作用區741接收經放大光束762，其可為經放大光脈衝列。如上文所論述，目標751包括當其轉換成發光電漿753時發射EUV光752的物質。在相互作用區741處目標751內之物質與經放大光束762之脈衝之間的相互作用將目標751中之物質中之至少一些轉換成發光電漿753，且彼發光電漿753發射EUV光752。發光電漿753具有在EUV波長範圍中之發射譜線的元素。發光電漿753具有取決於目標751之組成物的某些特性。此等特性包括藉由發光電漿753產生的EUV光752之波長。

發光電漿753可視為具有幾十電子伏特(eV)之電子溫度的高度離子化電漿。較高能量EUV光752可運用除錫以外的燃料材料(目標751)(諸如鋱(Tb)及釓(Gd))產生。在離子之去激發及再結合期間產生的高能輻射(EUV光752)係自發光電漿753發射，且此EUV光752之至少一部分係藉由EUV收集器鏡面332收集。光學表面333與所發射EUV光752之至少一部分相互作用。光學表面333為經定位以接收發射EUV光752之部分並引導此所收集EUV光752以供在EUV光源760外使用的反射表面。反射光學表面333引導所收集EUV光752至次級焦平面，其中EUV光752接著經俘獲以供在EUV光源760外之工具763 (諸如光微影曝光設備)使用。參看圖10及圖11論述例示性微影設備。

反射光學表面333經組態以反射在EUV波長範圍中之光且可吸收、擴散或阻擋在EUV波長範圍外的光。EUV收集器鏡面332亦包括准許經放大光束762之脈衝朝向相互作用區741傳遞通過EUV收集器鏡面332的開口(或孔徑) 334。

EUV光源760包括光學系統765，該光學系統歸因於光學系統765之一或多個增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束762之脈衝。光學系統765可包括產生光束之至少一個光學源，及操縱並修改光束且亦將光束聚焦至相互作用區741的光束遞送系統。光學系統765內之光學源包括一或多個光學放大器、雷射器及/或燈以用於提供形成經放大光束762的一或多個主脈衝。且，在一些情況下，光學系統765亦可提供形成在經放大光束762與目標751之間的相互作用之前與目標751相互作用的前驅體放大器光束(圖中未示)的一或多個預脈衝。在與預脈衝相互作用後，目標751便形成經修改目標。在圖3A中展示經修改目標(目標351)之實例。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋裝置。因此，光學系統765即使在不存在雷射空腔的情況下歸因於放大器之增益介質中之粒子數反轉亦會產生經放大光束762。此外，光學系統765可在存在用以提供對光學系統765之足夠回饋之雷射空腔的情況下產生為相干雷射光束之經放大光束762。因此，術語「經放大光束」涵蓋以下各者中的一或多者：來自光學系統765之僅經放大但不必為相干雷射振盪的光，及來自光學系統765之經放大且亦為相干雷射振盪的光。

用於光學系統765中之光學放大器可包括作為增益介質的包括二氧化碳(CO ₂)之氣體且可以大於或等於100之增益放大在約9100奈米與11000奈米(nm)之間的波長下及例如在約10600 nm下的光。供光學系統765中使用的合適之放大器及雷射器包括脈衝雷射裝置，例如運用例如DC或RF激勵產生在約9300 nm或約10600 nm下之輻射，在相對高功率(例如10 kW或更高)下及以高脈衝重複率(例如40 kHz或更大)操作的脈衝式氣體放電CO ₂雷射裝置。

EUV光源760亦包括與EUV光源760之一或多個可控制組件或系統通信的控制設備766。該控制設備766與光學系統765及目標傳遞系統761通信。此外，該控制設備766可包括保護設備200之控制設備225或可與其通信。目標傳遞系統761可回應於來自控制設備766內的一或多個模組之信號而操作。舉例而言，控制設備766可發送信號至目標傳遞系統761以修改目標751之釋放點以校正到達相互作用區741的目標751中之錯誤。光學系統765可回應於來自控制設備766內之一或多個模組之信號而操作。控制設備766內的模組中之一或多者可彼此共置。或控制設備766內的模組中之一或多者可彼此實體地分隔。舉例而言，控制目標傳遞系統761之模組可與目標傳遞系統761共置而控制光學系統765之模組可與光學系統765共置。

EUV系統760亦可包括經組態以移除來自EUV腔室740之碎屑710以及可在EUV腔室740內形成之其他氣態副產物的移除或排放設備767。移除設備767可為自EUV腔室740移除碎屑710的泵。移除設備767可包括與EUV腔室740流體連通之一氣體埠，以使得碎屑710自接近基板130之區朝向氣體埠並穿過該氣體埠輸送並輸送出EUV腔室740。

未展示EUV光源760之其他組件(包括例如用於量測與所產生EUV光752相關聯之參數的偵測器)。偵測器可用以量測經放大光束762之能量或能量分佈。偵測器可用以量測EUV光752之強度的角度分佈。偵測器可量測經放大光束762之脈衝的時序或焦點之誤差。來自此等偵測器之輸出經提供至控制設備766，其包括分析該輸出並調整EUV光源760之其他組件(諸如光學系統765及目標傳遞系統761)之態樣的模組。

概言之，經放大光束762藉由光學系統765產生並沿著光束路徑而引導以輻照在相互作用區741處之目標751以將目標751內之材料或物質轉換成發射在EUV波長範圍中之光的電漿753。經放大光束762在基於光學系統765之設計及性質以及目標751之性質而判定的特定波長(源波長)下操作。

如上文所提及，用於保護設備700之其他可能及例示性(但非限制性)位置係藉由圖7中展示的十字圖標768標記。舉例而言，保護設備700可緊鄰包括可與目標物質或碎屑710潛在地相互作用之表面的任何元件而定位。因此，一或多個保護設備700可緊鄰EUV收集器鏡面332；緊鄰緩衝劑流動導引件330 (如上文參看圖3A至圖6D所論述)；緊鄰EUV腔室740內之任何壁；或緊鄰目標傳遞系統761或沿著目標傳遞系統761與相互作用區741之間的路徑而定位。一或多個保護設備700可接近移除設備767而定位以清潔移除設備767之埠的表面。

在一些實施中，保護設備100亦包括與基板130相關聯且經組態以將基板130與EUV腔室140內之其他組件熱絕緣的絕緣裝置。舉例而言，如圖8中所展示，絕緣裝置801可置放於緩衝劑流動導引件330與EUV收集器鏡面332之間以防止在緩衝劑流動導引件330被加熱時EUV收集器鏡面332被加熱。

參看圖9，工序970藉由保護設備100 (其可對應於保護設備200或保護設備300)執行。緩衝劑流體105橫越基板130之表面131而傳遞(971)且主動地增加基板130及基板表面131之標稱溫度Td' (972)。舉例而言，緩衝劑流動產生器115可橫越基板表面131引導並傳遞緩衝劑流體105 (971)。此外，加熱設備120可主動地增加基板130及基板表面131之溫度(972)。此溫度增加(歸因於加熱設備120之操作)發生在緩衝劑流體105橫越基板表面131傳遞時。

加熱設備120可藉由例如將基板130及基板表面131之溫度增加至一值而主動地增加基板130及基板表面131之溫度(972)，在該值下，在基板表面131之任何位置處之任何溫度梯度保持低於基板130之一平均溫度的10%。加熱設備120可藉由例如將基板130及基板表面131之溫度增加至一值而主動地增加基板130及基板表面131之溫度(972)，該值大於目標151內之目標物質的熔點。加熱設備120可藉由例如將基板130及基板表面131之溫度增加至一值主動地增加基板130及基板表面131之溫度(972)，該值大於緩衝劑流體105中之至少一些解離時的一溫度。

緩衝劑流體105可藉由橫越基板表面131對流地輸送緩衝劑流體105而橫越基板表面131傳遞。

藉由橫越基板表面131傳遞緩衝劑流體105而降低沈積於基板表面131上的碎屑110之量。此外，由於加熱設備120主動地增加基板130及基板表面131之溫度(972)，因此維持緩衝劑流動產生器115減小沈積於基板表面上的碎屑110之量的有效性，如上文所論述。

工序970亦可包括執行基板130及基板表面131之標稱溫度Td'之主動溫度控制的子程序970a，如接下來所論述。子程序970a可藉由控制設備225及保護設備200之溫度度量衡裝置226執行。子程序970a包括量測基板130 (及/或基板表面131)之溫度(973)。舉例而言，溫度度量衡裝置226量測基板130及/或基板表面131之溫度，並提供量測溫度至控制設備225。接下來，將量測溫度與目標溫度(或目標溫度範圍)相比較且判定量測溫度係在目標溫度處抑或在目標溫度之範圍內(974)。舉例而言，控制設備225可比較量測溫度(來自溫度度量衡裝置226)與目標溫度Tt。若量測溫度(來自溫度度量衡裝置226)在目標溫度之範圍內(974)，則保護設備200維持基板130及/或基板表面131之溫度(975)。舉例而言，控制設備225可指導加熱設備120停止加熱基板130直至量測溫度在目標溫度之範圍外為止(974)。彼時，當判定量測溫度在目標溫度之範圍外(974)時，則保護設備200可調整基板130之溫度(976)。舉例而言，控制設備225可指導加熱設備120開始加熱基板130 (976)。

參看圖10，在一些實施中，保護設備100實施於供應EUV光1052至光微影曝光設備1063的EUV光源1060內。光微影曝光設備1063包括：一照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如EUV光1052)；一支撐結構(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如光罩或倍縮光罩) MA並連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之一第一定位器PM；一基板台(例如晶圓台) WT，其經建構以固持正經圖案化之基板W (例如抗蝕劑塗佈晶圓)並連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW；及一投影系統(例如反射投影系統) PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包括一或多個晶粒)上。

照射系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。支撐結構MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如圖案化裝置是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置。舉例而言，支撐結構MT可為框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統PS而處於所要位置。

術語「圖案化裝置」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創建圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創建之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統IL之投影系統PS可包括按需要用於正使用之曝光輻射或用於諸如真空之使用的其他因數的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，設備屬於反射類型(例如使用反射光罩)。

光微影曝光設備1063可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化裝置台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上實施預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

亦參考圖11，照明器IL接收來自EUV光源1060之極紫外線輻射光束(EUV光1052)。用以產生EUV光之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。EUV光源1060可類似於EUV光源760而設計。如上文所論述，所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用EUV收集器鏡面332 (或輻射收集器)予以收集。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且係由圖案化裝置圖案化。在自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如光罩) MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩) MA與基板W。

所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中： 1.  在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。 2.  在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如光罩台) MT之速度及方向。 3.  在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可採用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖11更詳細地展示光微影曝光設備1063之實施，包括EUV光源1060、照明系統IL及投影系統PS。EUV光源1060如上文在描述EUV光源760時所論述而建構及配置。

系統IL及PS同樣地含於其自有真空環境內。EUV光源1060之中間焦點(IF)經配置以使得中間焦點位於圍封結構中之孔徑處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿(例如EUV光1052)之影像。

自中間焦點IF處之孔徑，輻射光束橫穿照明系統IL，該照明系統IL在此實例中包括琢面化場鏡面裝置1080及琢面化光瞳鏡面裝置1081。此等裝置形成所謂的「蠅眼」照明器，其經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束1082 (其由EUV光1052形成)之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處的輻射強度之所要均勻性。在由支撐結構(光罩台) MT固持之圖案化裝置MA處反射光束1082之後，形成經圖案化光束1083，且投影系統PS經由反射元件1084、1085將經圖案化光束1083成像至由基板台WT固持之基板W上。為了曝光基板W上之目標部分C，在基板台WT及圖案化裝置台MT執行經同步移動以經由照明隙縫掃描圖案化裝置MA上之圖案的同時產生輻射之脈衝。

每一系統IL及PS配置於其自有真空或近真空環境內，該環境係由類似於EUV腔室740之圍封結構界定。比所展示元件更多之元件大體上可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比所展示鏡面更多的鏡面。舉例而言，除了圖11中所展示之反射元件以外，在照明系統IL及/或投影系統PS中亦可存在一至六個額外反射元件。

如上文所提及，在一些實施中，及參考圖7，來自經放大光束762之能量係在至少兩個脈衝中遞送：亦即，具有有限能量之預先脈衝在其到達相互作用區741之前遞送至目標751，以便將燃料材料汽化成小雲，且接著能量之主脈衝經遞送至相互作用區741處之雲，以產生發光電漿753。

目標傳遞系統761中之小滴產生器包括含有液體燃料(例如熔融之錫)之儲集器及一過濾器及一噴嘴。該噴嘴經組態以朝向相互作用區741射出液體燃料之小滴(目標751)。目標751可自噴嘴藉由儲集器內之壓力與由壓電致動器(圖中未示)施加至噴嘴之振動之組合而射出。

可使用以下條項進一步描述實施及/或實施例： 1. 一種用於定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板的保護設備，該保護設備包含： 一緩衝劑產生器，其經組態以將一緩衝劑與該基板之一基板表面相互作用；及 一加熱設備，其與該基板熱連通並經組態以增加該基板及該基板表面之一溫度。 2. 如條項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，在該值下，在該基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該基板之一平均溫度的10%。 3. 如條項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。 4. 如條項1之保護設備，其中該基板為鄰近於與該EUV光源之該腔室內的光相互作用的一光學元件而定位的一緩衝劑流動導引件。 5. 如條項4之保護設備，其中該光學元件為一EUV收集器鏡面且該緩衝劑流動導引件定位於該EUV收集器鏡面之一開口處。 6. 如條項5之保護設備，其中該緩衝劑流動導引件包括自該EUV收集器鏡面朝向該EUV收集器鏡面之一焦點區延伸的一圓錐形部分。 7. 如條項4之保護設備，其中該光學元件與該EUV光源腔室內之光相互作用。 8. 如條項7之保護設備，其中該光學元件為經組態以反射EUV光之一鏡面或經組態以使EUV光通過之一窗口。 9. 如條項1之保護設備，其進一步包含與該加熱設備通信之一控制設備，該控制設備經組態以調整該加熱設備以主動地維持該基板及該基板表面之該溫度。 10. 如條項9之保護設備，其進一步包含經組態以量測該基板之一溫度的一溫度度量衡裝置，其中該控制設備與該溫度度量衡裝置通信，使得其藉由比較量測溫度與一目標溫度主動地維持該基板及該基板表面之該溫度。 11. 如條項10之保護設備，其中該溫度度量衡裝置包含一熱電偶、一紅外線攝影機、一溫度計及一雷射讀數中之一或多者。 12. 如條項1之保護設備，其中該緩衝劑產生器包含一緩衝劑流動產生器且該緩衝劑包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體。 13. 如條項12之保護設備，其中該緩衝劑流體為包括氫之一氣體。 14. 如條項13之保護設備，其中經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體的緩衝劑流動產生器包含橫越該基板表面對流地輸送該緩衝劑流體。 15. 如條項13之保護設備，其中該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含減小沈積於該基板表面上之目標材料碎屑之一量；且該加熱設備經組態以維持該緩衝劑流動產生器減小沈積於該基板表面上之目標材料碎屑之該量的一有效性。 16. 如條項12之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。 17. 如條項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至大於600℃之一值。 18. 如條項1之保護設備，其進一步包含與該基板相關聯且經組態以將該基板與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的一絕緣裝置。 19. 如條項1之保護設備，其中該加熱設備包含與該基板熱連通之一電阻加熱元件、一光源、一摩擦裝置或一熱電裝置。 20. 一種保護設備，其包含： 一緩衝劑產生器，其經組態以將一緩衝劑與定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一光學元件之一表面相互作用且經組態以與EUV光相互作用； 一緩衝劑導引件，其鄰近於該光學元件而定位且經組態以相對於該光學元件導引該緩衝劑；及 一加熱設備，其與該緩衝劑導引件熱連通並經組態以增加該緩衝劑導引件之一溫度。 21. 如條項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，在該值下，在該緩衝劑導引件之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該緩衝劑導引件之一平均溫度的10%。 22. 如條項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。 23. 如條項20之保護設備，其中該光學元件為經組態以收集EUV光之一收集器鏡面。 24. 如條項23之保護設備，其中該緩衝劑導引件包括自該EUV收集器鏡面朝向該EUV收集器鏡面之一焦點區延伸的一圓錐形部分。 25. 如條項20之保護設備，其進一步包含與該加熱設備通信之一控制設備，該控制設備經組態以調整該加熱設備以主動地維持該緩衝劑導引件之該溫度。 26. 如條項25之保護設備，其進一步包含經組態以量測該緩衝劑導引件之一溫度的一溫度度量衡裝置，其中該控制設備與該溫度度量衡裝置通信，使得該控制設備藉由比較該量測溫度與一目標溫度主動地維持該緩衝劑導引件之該溫度。 27. 如條項20之保護設備，其中該緩衝劑產生器包含一緩衝劑流動產生器且該緩衝劑包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該緩衝劑導引件之一表面傳遞該緩衝劑流體。 28. 如條項27之保護設備，其中該緩衝劑流體為包括氫之一氣體。 29. 如條項27之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。 30. 如條項27之保護設備，其中該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該緩衝劑導引件之該表面傳遞該緩衝劑流體包含橫越該緩衝劑導引件之該表面對流地輸送該緩衝劑流體。 31. 如條項20之保護設備，其中該緩衝劑導引件包含鋁、鎢或鉬。 32. 如條項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑流動導引件之該溫度增加至大於600℃之一值。 33. 如條項20之保護設備，其進一步包含與該緩衝劑導引件相關聯且經組態以將該緩衝劑導引件與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的一絕緣裝置。 34. 如條項20之保護設備，其中該加熱設備包含與該緩衝劑導引件熱連通之一電阻加熱元件、一光源、一摩擦裝置或一熱電裝置。 35. 一種用於保護定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板的方法，該方法包含： 橫越該基板之一基板表面傳遞一緩衝劑流體；及 主動地增加該基板及該基板表面之一溫度。 36. 如條項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，在該值下，在該基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該基板之一平均溫度的10%。 37. 如條項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。 38. 如條項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。 39. 如條項35之方法，其中橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含橫越該基板表面對流地輸送該緩衝劑流體。 40. 如條項35之方法，其進一步包含將該基板與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣。 41. 如條項35之方法，其中橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含減小沈積於該基板表面上之目標材料之一量；該方法進一步包含維持緩衝劑流動產生器減小沈積於該基板表面上之目標材料之該量的一有效性。 42. 如條項35之方法，其進一步包含將該基板及該基板表面之該溫度主動地維持至一目標溫度或一目標溫度函數。 43. 如條項42之方法，其進一步包含量測該基板之一溫度，其中主動地維持該基板及該基板表面之該溫度包含比較該量測溫度與該目標溫度或該目標溫度函數。

其他實施係在以下申請專利範圍之範疇內。

100:保護設備 105:緩衝劑 110:碎屑 115:緩衝劑產生器 120:加熱設備 130:基板 131:基板表面 140:腔室 141:相互作用區 145:容器 150:串流 151:目標 152:EUV光 153:電漿 154:散射光輻射 200:保護設備 225:控制設備 226:溫度度量衡裝置 305:緩衝劑 310:碎屑 315:緩衝劑產生器 320:加熱設備 330:緩衝劑流動導引件 331:表面 332:EUV收集器鏡面 333:光學表面 334:開口 335:中心開口 336:外部圓錐形壁 337:環形邊沿 341:相互作用區 351:目標 353:電漿 620A:加熱設備 620B:加熱設備 620C:加熱設備 620D:加熱設備 700:保護設備 710:碎屑 730:通用基板 731:基板表面 740:腔室 741:相互作用區 750:串流 751:目標 752:EUV光 753:發光電漿 760:EUV光源 761:目標傳遞系統 762:經放大光束 763:工具 765:光學系統 766:控制設備 767:移除或排放設備 768:十字圖標 801:絕緣裝置 970:工序 970a:子程序 971:步驟 972:步驟 973:步驟 974:步驟 975:步驟 976:步驟 1052:EUV光 1060:EUV光源 1063:光微影曝光設備 1080:琢面化場鏡面裝置 1081:琢面化光瞳鏡面裝置 1082:輻射光束 1083:經圖案化光束 1084:反射元件 1085:反射元件 B:輻射光束 C:目標部分 C-C:平面區段 IF:中間焦點/虛擬源點 IL:照明系統 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 W:基板 WT:基板台

圖1A為相對於定位於極紫外線(EUV)光源之腔室內之基板而配置及組態的保護設備之示意圖；

圖1B為圖1A之保護設備之示意圖，該保護設備包括經組態以將緩衝劑與基板之表面相互作用的緩衝劑流動產生器及與基板熱連通並經組態以增加基板之預設標稱溫度的加熱設備；

圖2為圖1B之保護設備之示意圖，該保護設備包括與加熱設備通信並經組態以調整加熱設備的控制設備；

圖3A為相對於緩衝劑流動導引件配置的圖1A及圖1B之保護設備的實施之示意圖，緩衝劑流動導引件為基板之實施，該緩衝劑流動導引件鄰近於EUV收集器鏡面而定位；

圖3B為圖3A之保護設備、緩衝劑流動導引件及EUV收集器鏡面之透視圖；

圖3C為圖3A之保護設備、緩衝劑流動導引件及EUV收集器鏡面之平面圖；

圖4A及圖4B為圖3A至圖3C之EUV收集器鏡面的後方及前方透視圖；

圖4C為圖4A及圖4B之EUV收集器鏡面的側橫截面圖；

圖4D為圖4A及圖4B之EUV收集器鏡面之平面圖；

圖5A為圖3A至圖3C之緩衝劑流動導引件的透視圖；

圖5B為圖5A之緩衝劑流動導引件之側橫截面圖；

圖6A至圖6D為圖5A及圖5B之緩衝劑流動導引件之側橫截面圖，展示加熱設備之不同實施；

圖7為在EUV光源之實施中的保護設備之示意圖；

圖8為圖3A之EUV收集器鏡面、緩衝劑流動導引件、保護設備及置放於緩衝劑流動導引件與EUV收集器鏡面之間以防止當緩衝劑流動導引件經加熱時EUV收集器鏡面被加熱的絕緣裝置之側橫截面圖；

圖9為由圖1A、圖1B、圖2、圖3A至圖3C及圖7之保護設備執行的工序之流程圖；

圖10為供應EUV光至光微影曝光設備的一EUV光源之示意圖，該保護設備實施於該EUV光源內；且

圖11為圖10之光微影曝光設備之更詳細地實施的示意圖，該光微影曝光設備包括EUV光源、照明系統IL及投影系統PS。

100:保護設備

110:碎屑

130:基板

131:基板表面

140:腔室

141:相互作用區

145:容器

150:串流

151:目標

152:EUV光

153:電漿

154:散射光輻射

Claims (43)

1. 一種用於定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板的保護設備，該保護設備包含： 一緩衝劑產生器，其經組態以將一緩衝劑與該基板之一基板表面相互作用；及 一加熱設備，其與該基板熱連通並經組態以增加該基板及該基板表面之一溫度。
2. 如請求項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，在該值下，在該基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該基板之一平均溫度的10%。
3. 如請求項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。
4. 如請求項1之保護設備，其中該基板為鄰近於與該EUV光源之該腔室內之光相互作用的一光學元件而定位的一緩衝劑流動導引件。
5. 如請求項4之保護設備，其中該光學元件為一EUV收集器鏡面且該緩衝劑流動導引件定位於該EUV收集器鏡面之一開口處。
6. 如請求項5之保護設備，其中該緩衝劑流動導引件包括自該EUV收集器鏡面朝向該EUV收集器鏡面之一焦點區延伸的一圓錐形部分。
7. 如請求項4之保護設備，其中該光學元件與該EUV光源腔室內之光相互作用。
8. 如請求項7之保護設備，其中該光學元件為經組態以反射EUV光之一鏡面或經組態以使EUV光通過之一窗口。
9. 如請求項1之保護設備，其進一步包含與該加熱設備通信之一控制設備，該控制設備經組態以調整該加熱設備以主動地維持該基板及該基板表面之該溫度。
10. 如請求項9之保護設備，其進一步包含經組態以量測該基板之一溫度的一溫度度量衡裝置，其中該控制設備與該溫度度量衡裝置通信，使得其藉由比較該量測溫度與一目標溫度主動地維持該基板及該基板表面之該溫度。
11. 如請求項10之保護設備，其中該溫度度量衡裝置包含一熱電偶、一紅外線攝影機、一溫度計及一雷射讀數中之一或多者。
12. 如請求項1之保護設備，其中該緩衝劑產生器包含一緩衝劑流動產生器且該緩衝劑包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體。
13. 如請求項12之保護設備，其中該緩衝劑流體為包括氫之一氣體。
14. 如請求項13之保護設備，其中緩衝劑流動產生器經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含橫越該基板表面對流地輸送該緩衝劑流體。
15. 如請求項13之保護設備，其中該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含減小沈積於該基板表面上之目標材料碎屑之一量；且該加熱設備經組態以維持該緩衝劑流動產生器減小沈積於該基板表面上之目標材料碎屑之該量的一有效性。
16. 如請求項12之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。
17. 如請求項1之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該基板及該基板表面之該溫度增加至大於600℃之一值。
18. 如請求項1之保護設備，其進一步包含與該基板相關聯且經組態以將該基板與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的一絕緣裝置。
19. 如請求項1之保護設備，其中該加熱設備包含與該基板熱連通之一電阻加熱元件、一光源、一摩擦裝置或一熱電裝置。
20. 一種保護設備，其包含： 一緩衝劑產生器，其經組態以將一緩衝劑與定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一光學元件之一表面相互作用且經組態以與EUV光相互作用； 一緩衝劑導引件，其鄰近於該光學元件而定位且經組態以相對於該光學元件導引該緩衝劑；及 一加熱設備，其與該緩衝劑導引件熱連通並經組態以增加該緩衝劑導引件之一溫度。
21. 如請求項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，在該值下，在該緩衝劑導引件之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該緩衝劑導引件之一平均溫度的10%。
22. 如請求項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。
23. 如請求項20之保護設備，其中該光學元件為經組態以收集EUV光之一收集器鏡面。
24. 如請求項23之保護設備，其中該緩衝劑導引件包括自該EUV收集器鏡面朝向該EUV收集器鏡面之一焦點區延伸的一圓錐形部分。
25. 如請求項20之保護設備，其進一步包含與該加熱設備通信之一控制設備，該控制設備經組態以調整該加熱設備以主動地維持該緩衝劑導引件之該溫度。
26. 如請求項25之保護設備，其進一步包含經組態以量測該緩衝劑導引件之一溫度的一溫度度量衡裝置，其中該控制設備與該溫度度量衡裝置通信，使得該控制設備藉由比較該量測溫度與一目標溫度主動地維持該緩衝劑導引件之該溫度。
27. 如請求項20之保護設備，其中該緩衝劑產生器包含一緩衝劑流動產生器且該緩衝劑包括一緩衝劑流體，使得該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該緩衝劑導引件之一表面傳遞該緩衝劑流體。
28. 如請求項27之保護設備，其中該緩衝劑流體為包括氫之一氣體。
29. 如請求項27之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑導引件之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。
30. 如請求項27之保護設備，其中該緩衝劑流動產生器經組態以橫越該緩衝劑導引件之該表面傳遞該緩衝劑流體包含橫越該緩衝劑導引件之該表面對流地輸送該緩衝劑流體。
31. 如請求項20之保護設備，其中該緩衝劑導引件包含鋁、鎢或鉬。
32. 如請求項20之保護設備，其中該加熱設備經組態以將該緩衝劑流動導引件之該溫度增加至大於600℃之一值。
33. 如請求項20之保護設備，其進一步包含與該緩衝劑導引件相關聯且經組態以將該緩衝劑導引件與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣的一絕緣裝置。
34. 如請求項20之保護設備，其中該加熱設備包含與該緩衝劑導引件熱連通之一電阻加熱元件、一光源、一摩擦裝置或一熱電裝置。
35. 一種用於保護定位於一極紫外線(EUV)光源之一腔室內部之一基板的方法，該方法包含： 橫越該基板之一基板表面傳遞一緩衝劑流體；及 主動地增加該基板及該基板表面之一溫度。
36. 如請求項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，在該值下，在該基板表面之任何位置處之任何溫度梯度保持低於該基板之一平均溫度的10%。
37. 如請求項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於行進穿過該EUV光源腔室之一目標材料之一熔點。
38. 如請求項35之方法，其中主動地增加該基板及該基板表面之該溫度包含將該基板及該基板表面之該溫度增加至一值，該值大於該緩衝劑流體中之至少一些解離時的一溫度。
39. 如請求項35之方法，其中橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含橫越該基板表面對流地輸送該緩衝劑流體。
40. 如請求項35之方法，其進一步包含將該基板與該EUV光源腔室內之其他組件熱絕緣。
41. 如請求項35之方法，其中橫越該基板表面傳遞該緩衝劑流體包含減小沈積於該基板表面上之目標材料之一量；該方法進一步包含維持緩衝劑流動產生器減小沈積於該基板表面上之目標材料之該量的一有效性。
42. 如請求項35之方法，其進一步包含將該基板及該基板表面之該溫度主動地維持至一目標溫度或一目標溫度函數。
43. 如請求項42之方法，其進一步包含量測該基板之一溫度，其中主動地維持該基板及該基板表面之該溫度包含比較該量測溫度與該目標溫度或該目標溫度函數。

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