KR20110055621A - 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

스펙트럼 퓨리티 필터는 극자외(EUV) 방사선을 투과시키고, 비-EUV 2차 방사선을 편향시키거나 흡수하도록 구성된다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선에 대해 매우 투과성인 물질의 몸체, 및 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 위치된 비-EUV 2차 방사선에 대해 매우 반사성인 물질의 층을 포함한다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선에 대해 매우 투과성인 물질의 몸체, 및 상기 몸체의 단부 상에 고 방사율 물질의 층을 포함한다.

Description

방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{RADIATION SOURCE, LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 출원은 2008년 8월 14일에 출원된 미국 가출원 61/136,152, 및 2008년 11월 26일에 출원된 미국 가출원 61/193,420의 이익을 주장한다. 미국 가출원 61/136,152 및 미국 가출원 61/193,420은 본 명세서에서 인용 참조된다.
본 발명은 극자외(EUV) 방사선 리소그래피 장치용 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너들을 포함한다.
기판들 상에 더 작은 구조들을 투영할 수 있도록 하기 위해서, 10 내지 20 ㎚ 범위, 예를 들어 13 내지 14 ㎚ 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선인 EUV 방사선을 사용하는 것이 제안되었다. 또한, 10 ㎚ 미만의, 예를 들어 6.7 ㎚ 또는 6.8 ㎚와 같이 5 내지 10 ㎚ 범위의 파장을 갖는 EUV 방사선이 사용될 수 있다는 것이 제안되었다.
방사선은 플라즈마를 이용하여 생성될 수 있다. 상기 플라즈마는, 예를 들어 적합한 물질(예를 들어, 주석)로 된 입자들에 레이저를 지향시킴으로써, 또는 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 적합한 가스 또는 증기의 기류(stream)에 레이저를 지향시킴으로써 생성될 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 상기 방사선을 수용하고 상기 방사선을 빔 내에 포커스하는 거울반사 수직 입사 컬렉터(mirrored normal incidence collector)와 같은 컬렉터를 이용하여 수집된다. 이러한 방사선 소스는 통상적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 칭해진다.
방사선 이외에도, 플라즈마 방사선 소스의 플라즈마는 열성화된(thermalized) 원자들, 이온들, 나노클러스터(nanocluster)들, 및/또는 마이크로입자들과 같은 입자들의 형태로 오염을 생성한다. 상기 오염은 원하는 방사선과 함께, 방사선 소스로부터 컬렉터를 향해 출력되며, 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector) 및/또는 다른 부분들에 손상을 초래할 수 있다.
또한, 방사선 소스는 원하는 방사선 이외에도 2차 방사선을 출력할 수 있다. 예를 들어, EUV 플라즈마 방사선 소스는 원하는 EUV 방사선 이외에도 20 내지 400 ㎚ 범위, 가장 두드러지게는 DUV(deep ultraviolet) 범위(100 내지 400 ㎚)로부터 선택된 파장을 갖는 2차 방사선을 출력할 수 있다. 더욱이, 2차 방사선은 EUV 방사선의 소정의 원하는 파장 또는 파장들의 범위를 갖는 EUV 방사선과, EUV 방사선의 원하는 파장을 갖지 않거나 EUV 방사선의 원하는 파장들의 범위에 있지 않은 다른 EUV 방사선을 포함할 수 있다. 이러한 2차 방사선은 플라즈마를 생성하는데 사용된 레이저로 인해 LPP 방사선 소스에서 발생할 수 있으며, 레이저 방사선은 EUV 방사선보다 긴 파장을 갖는다(흔히, CO2 레이저로부터의 10.6 ㎛ 파장 방사선).
리소그래피에서, 스펙트럼 순도를 개선하는 것이, 즉 원하는 방사선의 더 높은 비율을 산출하기 위해 출력 빔으로부터 2차 방사선을 제거하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레지스트는 2차 방사선의 파장에 민감함에 따라, 이미지 품질이 저하될 수 있다. EUV 리소그래피 장치의 광학기는 (예를 들어, LPP 소스로부터의 10.6 ㎛ 파장 2차 방사선에 대해) 높은 반사율을 갖기 때문에, 2차 방사선은 상당한 전력(power)을 갖고 기판에 도달할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 2차 방사선, 특히 LPP 소스의 레이저 방사선은 패터닝 디바이스, 기판, 및/또는 광학기의 원하지 않는 가열을 야기할 수 있다.
따라서, 예를 들어 방사선 소스에서 또는 방사선 소스와 함께 사용하기 위한 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공하는 것이 바람직하며, 2차 방사선은 완전히 또는 부분적으로 제거될 수 있고, 및/또는 오염 완화가 효과적으로 개선된다. 특히, 방사선 소스에서 또는 방사선 소스와 함께 사용하기 위한 몸체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공하는 것이 바람직하며, 이는 상기 몸체 상에 입사되는 전자기 방사선의 전력 부하(power load)를 실질적으로 제거하도록 구축된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 극자외(EUV) 방사선을 투과시키고, DUV 방사선 및/또는 플라즈마 소스의 2차 방사선, 예를 들어 CO2 레이저의 10.6 ㎛ 방사선과 같은 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터(spectral purity filter)가 제공되고, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선에 투과성인 물질의 몸체 및 비-EUV 2차 방사선에 대해 반사성인 물질의 층을 포함하며, 상기 층은 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 위치된다. 선택적으로, 상기 물질의 몸체의 EUV 방사선에 대한 투과율은 적어도 20 %일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상기 몸체는 층들 간의 물질 확산을 방지하도록 배치된 비-확산 층을 포함할 수 있는 다층 구조체를 포함할 수 있다. 이러한 비-확산 층은 실리사이드 또는 붕소-탄화물 조성물을 포함할 수 있다. 상기 물질의 층은 비-EUV 2차 전자기 방사선에 대해 적어도 50 %의 반사율을 가질 수 있다.
상기 몸체의 적합한 물질은 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄소(C), 루테늄(Ru), 및 실리콘(Si)을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 하지만, 특히 지르코늄(Zr)이 상기 몸체에 적합한 물질이라고 밝혀졌다.
비-EUV 2차 전자기 방사선에 대해 반사율을 갖는 물질의 층은 선택적으로 몰리브덴, 루테늄, 금, 구리 및 탄소를 포함하는 그룹으로부터 선택된다.
상기 물질의 층은 선택적으로, 서브-마이크로미터(sub-micrometer) 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선에 대해 적어도 10 % 흡수율, 바람직하게는 적어도 50 % 흡수율을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 극자외(EUV) 방사선을 투과시키고, 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공되고, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 물질의 몸체 및 고 방사율 물질(high emissivity material)의 층을 포함하며, 상기 층은 상기 몸체의 방사선 출구 표면 상에 배치된다. 상기 물질의 층은 EUV 방사선에 대해 매우 투과성일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상기 몸체는 비-확산 층을 포함할 수 있다. 이러한 비-확산 층은 실리사이드 또는 붕소-탄화물 조성물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에서 또는 리소그래피 장치와 함께 사용하기 위한 소스 모듈이 제공되고, 상기 소스 모듈은 극자외(EUV) 방사선을 생성하고, 상기 EUV 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 출력하도록 구축되며, 상기 소스 모듈은 앞서 설명된 바와 같은 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 장치가 제공되며, 앞서 설명된 바와 같은 스펙트럼 퓨리티 필터 및/또는 앞서 설명된 소스 모듈을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 극자외(EUV) 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 EUV 방사선은 앞서 설명된 바와 같은 스펙트럼 퓨리티 필터에 의해 필터링되거나, 앞서 설명된 바와 같은 소스 모듈에 의해 생성되거나, 또는 앞서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치에 의해 투영된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 소스를 이용하여, 극자외(EUV) 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 포함하는 방사선을 생성하는 단계; EUV 방사선에 대해 매우 투과성인 물질의 몸체, 및 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 위치된 비-EUV 2차 방사선에 대해 매우 반사성인 물질의 층을 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 이용하여, EUV 방사선을 투과시키고, 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 상기 방사선을 필터링하는 단계; 및 상기 투과된 EUV 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 소스를 이용하여, 극자외(EUV) 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 포함하는 방사선을 생성하는 단계; 상기 EUV 방사선에 대해 매우 투과성인 물질의 몸체, 및 상기 EUV 방사선과 관련하여 상기 몸체의 방사선 출구 표면 상에 고 방사율 물질의 층을 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 이용하여, 상기 EUV 방사선을 투과시키고, 상기 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 상기 방사선을 필터링하는 단계; 및 상기 투과된 EUV 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
이전에 설명된 바와 같은 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선의 적어도 20 %를 투과시키고, 입사하는 비-EUV 2차 전자기 방사선의 적어도 50 %를 편향시키도록 구축되는 것이 바람직하다. 고 방사율 물질의 층은, 예를 들어 적어도 0.3의 방사율을 가질 수 있다.
상기 몸체에 적합한 물질은 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄소(C), 루테늄(Ru), 및 실리콘(Si)을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 하지만, 특히 지르코늄(Zr)이 상기 몸체에 적합한 물질이라고 밝혀졌다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 세부 개략도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시한 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 평면도를 개략적으로 도시한 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 개략적 단면도;
도 6은 높은 EUV 방사선 투과율을 갖는 물질들의 비교 그래프; 및
도 7은 높은 방사율을 갖는 물질들의 비교 그래프이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 또한, 상기 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구축되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구축되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 또는 반사 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 이의 여하한의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응될 것이다.
패터닝 디바이스는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입뿐만 아니라, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 CO2 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 이들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부(C)의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부(C)의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 방사선 소스(SO), 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PL)을 포함하는 상기 장치(1)를 더 자세히 나타낸다. 상기 방사선 소스(SO)는 방전 플라즈마를 포함할 수 있는 방사선 방출기(radiation emitter: 2)를 포함한다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 방사선 범위 내의 방사선을 방출하기 위해 매우 고온의 플라즈마(very hot plasma)가 생성되는 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 가스 또는 증기에 의해 생성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마는 전기 방전의 부분적으로 이온화된 플라즈마가 광축(O) 상에서 붕괴하도록 유도함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해, Xe 또는 Li 증기 또는 여하한의 다른 적합한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압이 요구될 수 있다. 몇몇 실시예들에서는 주석이 사용될 수도 있다. 방사선 방출기(2)에 의해 방출된 방사선은 소스 챔버(3)로부터 컬렉터 챔버(4) 내로 통과된다. 일 실시예에서, 방사선 소스(SO)는 소스 챔버(3) 및 컬렉터 챔버(4)를 포함한다.
컬렉터 챔버(4)는 오염 트랩(contamination trap: 5) 및 스침 입사 컬렉터(6)(개략적으로 직사각형으로 도시됨)를 포함한다. 상기 컬렉터(6)를 통과하도록 허용된 방사선은 격자 스펙트럼 필터(7)에서 반사되어 컬렉터 챔버(4) 내의 일 어퍼처에서 가상 소스 지점(virtual source point: 8)에 포커스된다. 컬렉터 챔버(4)로부터, 방사선 빔(9)이 조명 광학기 유닛(IL) 내에서 제 1 및 제 2 수직 입사 반사기들(10, 11)을 통해 지지 구조체(MT) 상에 위치된 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크) 상으로 반사된다. 투영 시스템(PL)에서 제 1 및 제 2 반사 요소들(13, 14)을 통해 기판 테이블(WT) 상에 유지된 기판(도시되지 않음) 상으로 이미징되는 패터닝된 빔(12)이 형성된다. 일반적으로, 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PL) 내에는 도시된 것보다 많은 요소들이 존재할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시한다. 방사선 소스 모듈(SO)은 액화된 표적 물질(liquefied target material: 22), 예를 들어 Sn 또는 Gd와 함께 배치된 컨테이너(20)를 포함할 수 있다. 상기 컨테이너(20)는 Sn 또는 Gd로 된 액체 액적들(24a, 24b, 24c, 24d)을 영역 26으로 전달하기에 적합한 기구 또는 개구부(도시되지 않음)와 함께 배치될 수 있으며, 레이저(30)에 의해 제공된 레이저 빔(28)에 의해 액적이 조준(impinge)되도록 구성된다. 상기 레이저 빔(28)은 10.6 ㎛의 파장을 갖는 CO2 레이저에 관한 것일 수 있다. 대안적으로, 1 내지 11 ㎛ 범위의 각각의 파장들을 갖는 다른 적합한 레이저들이 사용될 수 있다. 상기 레이저 빔은 적합한 광학 시스템(도시되지 않음)을 이용하여 영역 26에 바람직하게 포커스된다. 레이저 빔과의 상호작용 시, 상기 액적들(24a, 24b, 24c, 24d)은 6.7 ㎚ 방사선, 또는 5 내지 20 ㎚ 범위의 여하한의 다른 EUV 방사선을 방출할 수 있는 플라즈마 상태로 전이될 수 있다.
발산된 EUV 빔(32)은 영역 26으로부터 발산된 입자 잔해(particle debris)를 수집 또는 편향시키도록 구성된, 도 2에 개략적으로 도시된 오염 트랩(5)과 같은 적합한 잔해 경감 시스템(34)에 의해 가로막힐(intercepted) 수 있다. 그 후, 실질적으로 잔해 없는 EUV 빔(32a)이 상기 빔(32a)을 적절히 컨디셔닝하도록 구성된 리소그래피 장치의 조명 시스템(IL)과 같은, 리소그래피 장치 또는 방사선 소스의 후속 광학 시스템(36)에 들어갈 수 있다. 방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마 소스와 상호작동하는 버퍼 가스를 포함할 수 있다. 상기 버퍼 가스는 EUV 방사선에 대해 적어도 50 % 투과율을 가질 수 있으며, 2차 방사선에 대해 적어도 70 % 흡수율을 가질 수 있다. 상기 버퍼 가스는 EUV 방사선에 대해 적어도 90 % 또는 적어도 95 % 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 버퍼 가스는 2차 방사선에 대해 적어도 90 % 흡수율을 갖는 것이 바람직하다.
스펙트럼 순도를 개선하기 위해, EUV 소스에서 또는 이와 함께 사용하기 위한 스펙트럼 퓨리티 필터가 사용될 수 있다. 문제는, 거의 모든 물질들이 EUV 방사선을 흡수하기 때문에, [예를 들어, 10 배(factor) 이상으로] 2차 전자기 방사선의 높은 억제를 갖고 EUV 방사선에 대해 높은 투과율을 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터를 어떻게 생성하느냐 하는 것이다. 추가적으로 또는 대안적으로, 스펙트럼 퓨리티 필터가 2차 방사선의 흡수 원리에 기초한다면, 스펙트럼 퓨리티 필터 상의 열 부하를 어떻게 감소시킬 것인지에 관한 문제가 발생한다.
적외선 2차 방사선(예를 들어, 10.6 ㎛ 파장 방사선)에 대해 비-반사성(anti-reflective: AR) 코팅과 EUV 방사선 반사 최상부 층을 조합한 순수 반사 스펙트럼 퓨리티 필터가 사용될 수 있다. 하지만, EUV 방사선을 효율적으로 반사시키고 이와 동시에 충분히 넓은 각도 범위에서 2차 방사선을 효율적으로 투과 또는 흡수시키는 물질 조합을 찾는 것은 어렵다.
EUV 방사선이 투과되고 2차 전자기 방사선(예를 들어, 10.6 ㎛ 파장 방사선)이 편향되는 투과 스펙트럼 퓨리티 필터가 사용될 수 있다. 예를 들어, EUV와 2차 전자기 방사선을 모두 투과시키고 위상 격자를 통한 회절에 의해 2차 전자기 방사선의 방향을 변화시키는 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공될 수 있다. 그 후, 2차 전자기 방사선은 어퍼처를 갖는 몸체에 의해 차단될 수 있으며, EUV 방사선은 상기 어퍼처를 통과함에 따라, 스펙트럼 퓨리티 필터와 관련된 열적 문제들을 회피한다. 하지만, 이는 파장에 대해 지오메트리의 매우 정밀한 조정을 수반함에 따라, 이러한 위상 격자로 매우 높은 회절 효율성을 달성하기는 어려울 수 있다. 또한, 이는 매우 좁은 범위의 파장들 및 입사각들에 대해서만 효과적일 수 있다. 또한, 이러한 해결책은 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체 상에 입사되는 방사선의 전력 부하를 감소시키지 않는다.
또 다른 예시로서, 복수의 어퍼처들을 갖는 구조화된(structured) 금속 막이 사용될 수 있다. 상기 어퍼처들이 적어도 부분적으로 가로막힐 것이라고 여겨지는 전자기 방사선의 파장보다 상당히 더 작은 경우, 방사선 투과율은 낮을 것이다. 상기 어퍼처들이 방사선의 파장보다 훨씬 더 큰 경우, 투과율은 개방된 면적에 비례할 것이다. 예를 들어, 1 내지 5 ㎛ 횡-치수(cross-dimension)(예를 들어, 직경)의 어퍼처들은 10.6 ㎛ 방사선을 실질적으로 차단하기에 충분히 작은 한편, EUV 방사선을 투과시키기에 충분히 크다. 홀들을 갖는 2-차원 구조체 대신에, 1-차원 와이어-그리드(wire-grid)가 사용될 수도 있다. 이러한 그리드는 전자기 방사선의 편광들 중 하나만을 편향시키지만, 이들 중 2 개를 차례로 사용함으로써 교차된 구성으로 전자기 방사선의 두 편광들이 편향될 수 있다. 하지만, 충분한 EUV 방사선 투과율을 갖기 위해서는, 상기 구조체가 많이 개방되어야 할 필요가 있으며, 어퍼처들(또는 와이어-그리드의 와이어들) 간의 벽들이 매우 좁아야 한다. 금속 부분들이 너무 좁으면, 10.6 ㎛ 방사선은 더 이상 효과적으로 억제되지 않을 것이며, 상기 구조체는 잘 깨지고 열 관련 문제들이 발생하기 쉬울 수 있다.
투과 스펙트럼 퓨리티 필터는 대부분이 물질들이 EUV 방사선에 대해 투명하지 않음에 따라, 통상적으로 박막으로 만들어진다. 일 실시예에서, 상기 막은 지르코늄 - EUV 방사선에 가장 투명한 물질들 중 하나 - 을 포함할 수 있다. 하지만, 2차 전자기 방사선에 대한 반사율 및 이러한 막의 방사율이 낮음에 따라, Zr 스펙트럼 퓨리티 필터는 과열을 겪을 수 있으며, 이는 필터의 수명을 제한할 수 있다. 예를 들어, Si/Zr 박막 스펙트럼 퓨리티 필터의 광학 특성들은 이것이 400 ℃ 이상의 온도로 가열될 때 저하될 수 있다.
그러므로, 5 내지 20 nm 범위, 바람직하게는 약 6.7 또는 13.5 nm의 파장을 갖는 EUV 방사선에 대해 높은 투과율 특성들을 갖고, 또한 EUV 방사선 빔으로부터, 예를 들어 약 10.6 ㎛의 파장을 갖는 2차 전자기 방사선을 효율적으로 제거할 수 있는 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공하는 것이 관건이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 개선된 기능성을 갖는 투과 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공된다. 특히, 개선된 또는 최적화된 냉각을 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공된다. 투과 박막 스펙트럼 퓨리티 필터의 성능은 필터의 작동 온도를 감소시킴에 따라 필터의 수명을 연장함으로써 개선될 수 있다. 이러한 감소는 몸체를 포함하는 구조체를 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공함으로써 달성될 수 있으며, 상기 구조체는 방사선이 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체에 도달하기 이전에 EUV 빔으로부터 2차 전자기 방사선의 적어도 50 %를 반사시키거나 편향시키도록 구축된다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터에 관한 상세한 내용은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명될 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(40)의 평면도를 개략적으로 도시한다. 스펙트럼 퓨리티 필터(40)는, 예를 들어 50 개의 교번 Zr/Si 층들을 포함하는 다층화된 구조체(42)를 갖도록 배치될 수 있다. 일 실시예는 2 내지 200 개의 교번 Zr/Si 층들을 가질 수도 있다.
일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터(40)는 메시(mesh)(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 메시는 다층화된 구조체(42)의 한쪽 측면 상에만 인접할 수 있거나, 다층화된 구조체(42)의 양쪽 측면 상에 존재할 수 있거나, 다층화된 구조체(42) 안으로 일부 관통될 수 있거나, 또는 다층화된 구조체(42)의 한쪽 측면으로부터 다른 쪽 측면으로 관통될 수 있다. 메시는 다층화된 구조체(42)의 전체 강도를 향상시킨다. 다층화된 구조체(42)는 베이스(44) 내에 장착된다. 일 실시예에서, 상기 형상은 실질적으로 환형일 수 있으나, 여하한의 형상일 수 있다. 베이스(44)는 리소그래피 장치 내로 스펙트럼 퓨리티 필터(40)의 통합을 용이하게 한다.
도 5는 도 4에 도시된 스펙트럼 퓨리티 필터(40)의 일부분의 단면도를 개략적으로 도시한다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 스펙트럼 퓨리티 필터(40)는 다층화된 구조체(42)를 포함한다. 다층화된 구조체(42)는 나타낸 바와 같이 앞면 및 뒷면을 갖는다. 상기 앞면은 입사 방사선을 수용하며, 2차 전자기 방사선의 최대 반사율에 대해 최적화된다. 다층화된 구조체(42) 상에 입사되는 방사선의 전력 부하의 실질적인 감소를 가능하게 하기 위해, 2차 전자기 방사선의 적어도 50 %의 편향이면 충분함을 이해할 것이다. 간명함을 위해, 몇몇 층들[요소들 (c) 및 (d)]이 다른 층들로부터 떨어져 도시되어 있지만, 실제로는 모든 층들이 서로 접촉해 있거나 매우 가깝게 인접해 있다.
다층화된 구조체(42)의 요소 (b)는 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체에 해당한다. 상기 몸체는 EUV 방사선에 투명한 물질로 된 단일 층 또는 다층을 포함한다. 다층은 단일 층[요소 (a)](몸체 내에서 N 번째까지 반복됨) 또는 다층 스택[요소 (a)](몸체 내에서 N 번째까지 반복됨)을 포함할 수 있다. 다층 스택[요소 (a)]은 최대 n 개의 층들을 포함할 수 있다. 복수의 단일 층들이 동일한 물질 층들로 이루어질 필요는 없다. 다층 스택은 동일한 물질 층들로 또는 동일한 순서로 이루어질 필요는 없다. 상기 물질들 및 층들의 순서는 최대 EUV 방사선 투명도, 및/또는 2차 전자기 방사선의 최대 반사도, 및/또는 최소 작동 온도를 제공하기 위해 재배치될 수 있다.
다층화된 구조체(42)의 요소 (c)는 2차 전자기 방사선(예를 들어, 10.6 ㎛ 파장 방사선)에 대해 매우 반사성인 물질의 층이다. 이 층은 2차 전자기 방사선을 반사시키거나 편향시킴으로써 필터 몸체 상의 전력 부하를 감소시킴에 따라, 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체의 작동 온도를 감소시킨다. 적합한 물질들로는 몰리브덴, 루테늄, 금, 구리 및 탄소를 포함한다. 특히, 몰리브덴은 양호한 EUV 방사선 투과율을 유지하면서도 적합한 전도 특성들을 갖는다. 10.6 ㎛ 방사선을 참조하여 스펙트럼 퓨리티 필터의 기능이 설명되었지만, 이러한 예시는 제한적이지 않음을 이해할 것이다.
다층화된 구조체(42)의 요소 (d)는 높은 방사율을 갖는 물질의 층일 수 있다. 요소 (d)는 스펙트럼 퓨리티 필터의 앞면에서는 선택이지만, 몸체(b)의 방사선 출구 표면에 있는 몸체(b)의 뒷면에 항상 배치되는 것이 바람직함을 이해할 것이다. 방사선이 일 표면으로부터 방출될 때, 전력(P)이 방사율(ε)에 의한 온도(T)에 관계되는, 공식: P=const*εT4이 성립되는 사실로 인해, 이 층은 스펙트럼 퓨리티 필터의 냉각을 증가시키는데 도움을 준다. 일 실시예에서, 이 층의 물질은 탄화물, 산화물 및/또는 질화물이다. 탄화물들 및 산화물들은 0.9 이상의 매우 높은 방사율(ε)을 갖는다. 적어도 0.3의 방사율이면 실제 적용들에 충분할 수 있음을 이해할 것이다. 상기 층은 스펙트럼 퓨리티 필터의 뒷면 및/또는 앞면 상에 구현될 수 있다. 상기 층은 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체에 사용된 것과 상이한 물질로 만들어질 수 있다. 상기 층은 몸체 물질 (a) 및/또는 (b), 또는 반사 층 물질 (c)의 표면 처리에 의해 실현될 수 있다.
층 (d)가 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체 (b)의 앞면(즉, 방사선 입사 표면)에 배치될 때, 서브-마이크로미터 범위의 파장들을 갖는 2차 방사선의, 적어도 10 %, 더 바람직하게는 적어도 50 % 흡수율을 가능하게 하도록 구축되는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체 (b)는 상기 몸체 내로 들어간 2차 방사선의 적어도 90 % 흡수율을 가능하게 하도록 구축된다. 그 결과, EUV 빔에 존재하는, 예를 들어 DUV 방사선이 실질적으로 필터링됨에 따라, 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체 (b) 상에 전자기 방사선의 전력 부하를 더욱 감소시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터에 사용될 수 있는 물질들의 예시로는: 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄소(C), 루테늄(Ru), 실리콘(Si)과, 이들의 산화물들, 탄화물들 및 질화물들을 포함한다. 이러한 물질들의 특성 비교를 위해 도 6 및 도 7을 참조한다. 실리콘은 통상적으로 DUV 방사선을 억제하는데 사용된다.
도 6은 높은 EUV 방사선 투과율을 갖는 물질들[루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄소(C) 및 루테늄(Ru)]의 비교 그래프이다. 용융 온도, EUV 투과율 및 컨덕턴스(conductance)가 최대값으로 정규화된 상대 비교(relative scale)로 나타나 있다. 최대 값들은: 용융 온도 = 3800 K; EUV 투과율 = 0.967; 컨덕턴스 = 0.187ㆍ106 Ohm-1cm-1. 모든 물질들에 대한 EUV 투과율은 50 nm의 두께에 대해 주어졌다.
도 7은 높은 방사율을 갖는 물질들[실리콘 탄화물(SiC), 붕소 탄화물(B4C), 지르코늄 탄화물(ZrC), 이트륨 산화물(Y2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 몰리브덴 이산화물(MoO2) 및 니오브 이산화물(NbO2)]의 비교 그래프이다. 용융 온도, EUV 투과율 및 방사율이 최대값으로 정규화된 비교 스케일로 나타나 있다. 최대 값들은: 용융 온도 = 3803 K; EUV 투과율 = 0.956; 방사율 = 0.95. 모든 물질들에 대한 EUV 투과율은 10 nm의 두께에 대해 주어졌다.
일 실시예에서, 상기 몸체[요소 (b)]는 각각이 약 1 nm 두께인 Zr 층들, 및 각각이 약 3 nm 두께인 Si 층들을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 층들의 각각의 두께들은 상이한 물질들 또는 동일한 물질인지에 따라 변동가능할 수 있으며, 다시 말해 모든 층들이 동일한 두께를 갖는 것은 아니다.
Si 및 Zr 층들을 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터가 고온으로 가열될 때, Si 층은 Zr 층을 통해 확산될 수 있으며, DUV 방사선에 투명한 실리사이드를 형성할 수 있다. Si의 확산 및 Zr의 실리사이드화(silicidation)를 방지하는 것을 돕기 위해, 도 5에 나타낸 스펙트럼 퓨리티 필터의 몸체[요소 (a) 및/또는 요소 (b)]는 다음의 층 구조체[Zr/ZrSi2/Si/ZrSi2/Zr]로 만들어진다. 지르코늄 실리사이드(ZrSi2)의 층은 확산 배리어(diffusion barrier)로서 기능한다. 대안적으로 또는 추가적으로, 확산 배리어 층은 붕소-탄화물 조성물을 포함할 수 있다. 각각의 물질 층들의 통상적인 두께는 0.2 내지 10 nm 범위로부터 선택된다. 예를 들어, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)에 의해 ZrSi2 층이 도포될 수 있다. 도 6으로부터 이트륨 또는 여타의 적합한 물질이 Zr 대신 사용될 수 있다. 따라서, 이트륨 또는 다른 적합한 물질에 적합한 실리사이드가 확산 배리어로서 사용될 수 있다.
따라서, 높은 EUV 방사선 투과율, 연장된 수명 및 낮은 작동 온도를 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 CO2 레이저 방사선의 최대 반사율 및 최대 방사율에 대해 최적화된다. 일 실시예에서는, 작동 온도를 낮춤에 따라 이러한 스펙트럼 퓨리티 필터의 수명을 연장함으로써 Si/Zr 박막 스펙트럼 퓨리티 필터의 성능이 개선된다. 일 실시예에서는, 스펙트럼 퓨리티 필터 상의 CO2 레이저 방사선의 전력 부하가 적어도 5 배 감소될 수 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터의 작동 온도는 200 ℃ 이상 감소될 수 있다.
일 실시예에서는, 2차 전자기 방사선으로 인해 리소그래피 장치의 일부분 및/또는 기판으로 전달된 전력, 및 2차 전자기 방사선의 존재로 인한 콘트라스트 손실(contrast loss)이 상당히 감소될 수 있다. EUV 방사선 빔 포커스의 열적 안정성이 개선될 수 있으며, 오버레이 불확실성이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 방전 생성 플라즈마 소스(DPP 소스) 또는 레이저 생성 플라즈마 소스(LPP 소스)를 포함하나 이로 제한되지 않는 여하한의 타입의 EUV 소스에 사용될 수 있음을 이해할 것이다. 하지만, 본 발명의 일 실시예는 레이저 소스로부터 방사선을 억제하기에 특히 적합하게 되어 있을 수 있으며, 이는 통상적으로 레이저 생성 플라즈마 소스의 일부분을 형성한다. 이는 이러한 플라즈마 소스가 흔히 레이저로부터 발생한 2차 전자기 방사선을 출력하기 때문이다.
실제로, 스펙트럼 퓨리티 필터는 방사선 경로 내의 어느 곳에도 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선 소스로부터 EUV-함유 방사선을 수용하고 하류의 적합한 EUV 방사선 광학 시스템으로 EUV 방사선을 전달하는 영역 내에 위치되며, EUV 방사선 소스로부터의 방사선은 광학 시스템에 들어가기 이전에 스펙트럼 퓨리티 필터를 통과하도록 배치된다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선 소스 내에 존재한다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 리소그래피 장치 내에 존재한다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 플라즈마 다음에, 하지만 컬렉터 앞에서 방사선 경로 내에 위치된다. 일 실시예에서, 본 명세서의 개념들은 리소그래피 장치 또는 다른 툴의 윈도우들 또는 가스 록(gas lock)들 내에 통합될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 이의 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 극자외(EUV) 방사선을 투과시키고, 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터(spectral purity filter)에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 상기 EUV 방사선에 대해 적어도 20 %의 투과율을 갖는 물질의 몸체, 및 상기 비-EUV 2차 전자기 방사선에 대해 적어도 50 %의 반사율을 갖는 물질의 층을 포함하고, 상기 층은 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 위치되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체의 방사선 출구 표면에서 고 방사율 물질(high emissivity material)의 층을 더 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 물질의 방사율은 0.3보다 큰 스펙트럼 퓨리티 필터.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 고 방사율 물질의 층은 상기 물질의 층의 방사선 입사 측면 상에 위치되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비-EUV 2차 전자기 방사선에 대해 반사율을 갖는 상기 물질의 층은 몰리브덴, 루테늄, 금, 구리 및 탄소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물질의 층은 서브-마이크로미터(sub-micrometer) 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선에 대해 적어도 10 % 흡수율, 바람직하게는 적어도 50 % 흡수율을 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  7. 극자외(EUV) 방사선의 적어도 20 %를 투과시키고, 비-EUV 2차 전자기 방사선의 적어도 50 %를 편향시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터에 있어서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 물질의 몸체, 및 적어도 0.3의 방사율을 갖는 고 방사율 물질(high emissivity material)의 층을 포함하고, 상기 고 방사율 물질의 층은 상기 몸체의 방사선 출구 표면 상에 배치되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 고 방사율 물질의 층은 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 배치되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체는 EUV 방사선의 투과성 물질, 및 비-EUV 2차 전자기 방사선의 억제 물질로 된 다층 구조체를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 물질은 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄소(C), 루테늄(Ru), 및 실리콘(Si)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 스펙트럼 퓨리티 필터.
  11. 리소그래피 장치에서 또는 리소그래피 장치와 함께 사용하기 위한 소스 모듈에 있어서,
    상기 소스 모듈은 극자외(EUV) 방사선을 생성하고, 상기 EUV 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 출력하도록 구성되며, 상기 소스 모듈은 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 소스 모듈.
  12. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 장치로서, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터 및/또는 제 11 항에 따른 소스 모듈을 포함하는 리소그래피 장치.
  13. 극자외(EUV) 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법에 있어서,
    상기 EUV 방사선은 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터에 의해 필터링되거나, 제 11 항에 따른 소스 모듈에 의해 생성되거나, 또는 제 12 항에 따른 리소그래피 장치에 의해 투영되는 디바이스 제조 방법.
  14. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    방사선 소스를 이용하여, 극자외(EUV) 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 포함하는 방사선을 생성하는 단계;
    상기 EUV 방사선에 대해 적어도 50 %의 투과율을 갖는 물질의 몸체, 및 상기 몸체의 방사선 입사 측면 상에 위치된 상기 비-EUV 2차 방사선에 대해 적어도 50 %의 반사율을 갖는 물질의 층을 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 이용하여, 상기 EUV 방사선을 투과시키고, 상기 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 상기 방사선을 필터링하는 단계; 및
    상기 투과된 EUV 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  15. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    방사선 소스를 이용하여, 극자외(EUV) 방사선 및 비-EUV 2차 전자기 방사선을 포함하는 방사선을 생성하는 단계;
    상기 EUV 방사선에 대해 적어도 20 %의 투과율을 갖는 물질의 몸체, 및 상기 몸체의 방사선 출구 표면에서 적어도 0.3의 방사율을 갖는 물질 층을 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터를 이용하여, 상기 EUV 방사선을 투과시키고, 상기 비-EUV 2차 전자기 방사선을 편향시키도록 상기 방사선을 필터링하는 단계; 및
    상기 투과된 EUV 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170029556A (ko) * 2014-07-04 2017-03-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2326990B1 (en) * 2008-07-11 2013-03-13 ASML Netherlands BV Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
CN102725697B (zh) 2010-02-12 2015-08-05 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片
US9726989B2 (en) 2010-04-27 2017-08-08 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter
US8916831B2 (en) * 2011-03-16 2014-12-23 Kla-Tencor Corporation EUV actinic reticle inspection system using imaging sensor with thin film spectral purity filter coating
NL2013700A (en) * 2013-11-25 2015-05-27 Asml Netherlands Bv An apparatus, a device and a device manufacturing method.
EP3444675A1 (en) * 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Optical detector

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3118933B2 (ja) * 1992-02-04 2000-12-18 株式会社ニコン Ｘ線露光装置
JPH08236425A (ja) * 1995-02-27 1996-09-13 Canon Inc 放射線取出窓およびこれを有する露光装置
JP2000352612A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Stanley Electric Co Ltd 多層膜フィルタ
JP2004524524A (ja) * 2001-01-26 2004-08-12 カール ツァイス エスエムテー アーゲー 狭周波数帯分光フィルタおよびその用途
EP1426824A1 (en) * 2002-12-04 2004-06-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1515188A1 (en) * 2003-09-10 2005-03-16 ASML Netherlands B.V. Method for protecting an optical element, and optical element
US7196343B2 (en) * 2004-12-30 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7372623B2 (en) * 2005-03-29 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7336416B2 (en) 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
US20070170379A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Nikon Corporation Cooled optical filters and optical systems comprising same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170029556A (ko) * 2014-07-04 2017-03-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치
KR20220123482A (ko) * 2014-07-04 2022-09-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치
KR20230116956A (ko) * 2014-07-04 2023-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한멤브레인을 포함한 리소그래피 장치
KR20230160962A (ko) * 2014-07-04 2023-11-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치

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