JP2023526901A - メトロロジ放射システムにおける高圧及び真空レベルセンサ - Google Patents

Abstract

極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料のレベルを測定するためのシステム、装置、及び方法が提供される。一例では、燃料レベルを測定する方法が、燃料タンクビューポートを介して検査ビームを放射燃料の上面に所定の入射角で指向させることを含む。方法は、放射燃料の上面で反射された検査ビームの部分を、ビューポートに隣接して配置されたセンサで受信することを更に含む可能性がある。また、方法は、放射燃料の上面までの距離を測定することと、測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算することと、を含む可能性がある。【選択図】図９Ａ

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２０年５月２９日に出願されたHIGH PRESSURE AND VACUUM LEVEL SENSOR IN METROLOGY RADIATIONと題する米国出願第６３／０３２，１８７号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、半導体デバイスを製造するためのリソグラフィプロセスで使用される極端紫外線（ＥＵＶ）放射システム内でソース材料を送出するための供給機構に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、形成されるＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 極端紫外（ＥＵＶ）光、例えば、およそ５０ナノメートル（ｎｍ）以下の波長を有し（軟ｘ線と呼ばれることもある）、約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射が、基板、例えばシリコンウェーハの中又は上に極めて小さいフィーチャを生成するために使用される可能性がある。ＥＵＶ光を生成するための方法は、例えばキセノン（Ｘｅ）、リチウム（Ｌｉ）、又はスズ（Ｓｎ）などの元素を有し、ＥＵＶ範囲内に輝線を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれるこうした一方法において、プラズマは、ＬＰＰ源との関連で燃料と交換可能に呼ばれる、例えば、材料の液滴、プレート、テープ、ストリーム、又はクラスタの形のターゲット材料に、ドライブレーザと呼ばれ得る増幅光ビームを照射することによって生成可能である。このプロセスの場合、プラズマは、典型的には、密閉容器、例えば真空チャンバ内で生成され、様々なタイプの計測機器を使用して監視される。

[0005] 伝統的なスズベースの放射源容器の内側では、保護水素（Ｈ２）ガス、熱遮蔽、及び正確なシュラウド取り付けなどの多くの機能は、スズの蓄積を防止しながら計測視野（ＦＯＶ）や液滴路クリアランスも考慮に入れなければならない。更に、現在のシステムは、ソース材料をＥＵＶ液滴発生器に供給するのに利用できるソースを正確にモニタしない。したがって、ソースの可用性を改善し、液滴発生器（ＤＧｅｎ）への高品質のソース供給（例えばＳｎ供給）の不足と関連するダウンタイムをなくす必要がある。

[0006] 本開示は、光計測を行うためのシステム、装置、及び方法の様々な態様並びに極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける他の様々な態様について説明する。より具体的には、本開示は、高純度Ｓｎの連続モニタリング及び液滴発生器アセンブリ（ＤＧＡ）への連続供給を可能にするインライン補充（ＩＲ）システムについて説明する。

[0007] 一態様によれば、燃料供給レベルを測定する方法が、検査ビームを燃料タンクビューポートを介して放射燃料の上面に所定の入射角で指向させることを含む。方法は、放射燃料の上面で反射された検査ビームの一部分をビューポートに隣接して配置されたセンサで受信することを更に含む可能性がある。他の態様では、方法はセンサから放射燃料の上面までの距離を測定すること、及び測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算することを含む。

[0008] 一態様によれば、燃料充填レベルを測定するための測定デバイス及び方法が開示される。一部の実施形態によれば、極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定するための、燃料タンク内に位置する測定デバイスが開示されている。一部の態様によれば、測定デバイスは、燃料タンク内に延びる複数のプローブを備え、複数のプローブのそれぞれ１つは放射燃料と接触したことに応答して信号を発生させる。一部の態様によれば、複数のプローブは複数の気密高圧シールを介して燃料タンクに接続する。一部の態様によれば、測定デバイスは処理回路を備えたコントローラを更に備えることがある。一部の態様によれば、コントローラは、発生した１つ以上の信号を受信したことに応答して燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、出力信号を少なくとも１つの他のコントローラに送信する。

[0009] 一部の実施形態によれば、リソグラフィ放射システムが提供されることがある。一部の態様では、リソグラフィ放射システムは、第１のセンサデバイス及び第１のコントローラに結合された第１の燃料タンクを備えることがある。一部の態様では、リソグラフィ放射システムは、第２のセンサデバイス及び第２のコントローラに結合された第２の燃料タンクを備えることがある。一部の態様では、第２の燃料タンクは燃料充填システム内の第１の燃料タンクの上流に位置し、放射燃料をリソグラフィ放射システムに提供する。一部の態様によれば、第１のコントローラは、第１の燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、出力信号を第２のコントローラに送信する。

[0010] 更なる特徴及び様々な態様の構造及び作用が、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本開示が本明細書に記載する又は図示する特定の態様に限定されないことに留意されたい。このような態様は、例示のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて更なる態様が当業者に明らかになるであろう。

[0011] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に本開示の態様の原理を説明し、当業者が本開示の態様を作成して使用できるようにする働きをする。

[0012] 本開示の一部の態様に係る例示的な反射型リソグラフィ装置の概略図である。 [0013] 本開示の一部の態様に係る例示的な透過型リソグラフィ装置の概略図である。 [0014] 一部の実施形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略を示す。 [0014] 一部の実施形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略を示す。 [0014] 一部の実施形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略を示す。 [0015] 一部の実施形態に係るリソグラフィセルの概略を示す。 [0016] 本開示の一部の態様に係る例示的な反射型リソグラフィ装置のための例示的な放射源の概略図である。 [0017] 一部の実施形態に係るインタンクレベルセンサの概略アーキテクチャを示す。 [0017] 一部の実施形態に係るインタンクレベルセンサの概略アーキテクチャを示す。 [0018] 一部の実施形態に係るインライン補充システムの概略アーキテクチャを示す。 [0019] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開を示す。 [0019] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開を示す。 [0020] 光デバイスにより測定された平均Ｓｎレベル及びノイズレベルの変化を示す温度時間プロットである。 [0021] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開の別の例を示す。 [0021] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開の別の例を示す。 [0021] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開の別の例を示す。 [0021] 一部の実施形態に係る真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開の別の例を示す。 [0022] 一部の実施形態に係るセンサの受信器アレイで検出された信号のグラフ表示である。 [0023] 一部の実施形態に係るインライン補充システムにおけるソースレベルの検出方法の例を示すフローチャートである。

[0024] 本発明の特徴及び利点は、図面と併せて解釈すると、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面では、一般に、他に示されない限り、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。さらに、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0025] 本明細書は、本開示の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示された１つ又は複数の実施形態は、単に本開示を説明するのみである。本開示の範囲は、開示された１つ又は複数の実施形態に限定されない。本開示の幅及び範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲及びそれらの均等物によって定義される。

[0026] 記載された１つ又は複数の実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」、「例示的な実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0027] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

[0028] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

[0029] 本明細書に開示される放射源容器及びＣＦＲには多くの利点及び利益がある。例えば、本開示の様々な態様は、モジュール性（例えば、改善された保守性、高いアップグレード性）、改善された性能（例えば、単一装置に含まれたより多くの機能）、可用性の向上（例えば、従来の放射源容器よりもスズの堆積が減少し、保守性が迅速である）、及びコスト削減（例えば、周辺流機能をＣＦＲに組み込むことは、従来の設計のように周辺流機能を放射コレクタに組み込むことよりも安価である可能性がある）を提供する。

[0030] このような態様を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

[0031] 例示的なリソグラフィシステム
[0032] 図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の態様が実施され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’それぞれの概略図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、リソグラフィ装置１００及び１００’は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｚ軸が上を指す）に垂直な視点から示される（例えば側面図）が、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｙ軸が上を指す）に垂直な別の視点から示される（例えば上面図）。

[0033] リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は、それぞれ以下のものを備える。放射ビームＢ（例えば、深紫外線（ＤＵＶ）放射ビーム又は極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビーム）を調節するように構成された照明システムＩＬ（例えばイルミネータ）、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）を支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）、及び基板Ｗ（例えばレジストコートウェーハ）を保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブルＷＴ（例えばウェーハテーブル）などの基板ホルダ。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む部分）に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0034] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0035] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

[0036] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0037] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0038] 本明細書において使用する「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含んでいてもよい。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0039] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

[0040] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプであり得る。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために提供される。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0041] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームＢを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂに示される）を介して照明システムＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0042] 照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（例えば図１Ｂに示す）を備える可能性がある。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及び放射コレクタＣＯ（例えば、コンデンサ又はコレクタ系）などの他の様々なコンポーネント（例えば図１Ｂに示す）を備える可能性がある。照明システムＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用される可能性がある。

[0043] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に保持されるパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡから反射される。パターニングデバイスＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦＤ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦＤ１（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１及びＭ２並びに基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使用して、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0044] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。パターニングデバイスＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。

[0045] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマスクパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（例えば、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は実質的に平面に配置される。

[0046] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦＤ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0047] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークポジショナ（粗動位置決め）及びショートストロークポジショナ（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークポジショナ及びショートストロークポジショナを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（例えばスクライブラインアライメントマーク）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0048] 支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。場合によっては真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

[0049] 図示のリソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0050] １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
[0051] ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
[0052] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスＭＡを保持して実質的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスＭＡは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0053] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0054] 更なる態様では、リソグラフィ装置１００はＥＵＶ源を備える。ＥＵＶ源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるように構成されている。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム内に構成されており、対応する照明システムが、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。

[0055] 図２Ａは、放射源ＳＯ（例えばソースコレクタ装置）、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを備えるリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。図２Ａに示すように、リソグラフィ装置１００は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｚ軸が上を指す）に垂直な視点から示される（例えば側面図）。

[0056] 放射源ＳＯは、閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。放射源ＳＯは、ソースチャンバ２１１及びコレクタチャンバ２１２を備え、ＥＵＶ放射を生成して透過させるように構成されている。ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために生成される、ガス又は蒸気、例えばキセノン（Ｘｅ）ガス、リチウム（Ｌｉ）蒸気、又はスズ（Ｓｎ）蒸気によって生成される可能性がある。少なくとも部分的に電離したＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、例えば放電又はレーザビームによって生成される可能性がある。効率的な放射発生のため、例えば分圧が約１０．０パスカル（Ｐａ）のＸｅガス、Ｌｉ蒸気、Ｓｎ蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が使用される可能性がある。一部の態様では、励起したスズのプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0057] ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が放出した放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、ソースチャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに配置される任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（例えば、場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含む可能性がある。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含む可能性もある。本明細書で更に示す汚染物質トラップ２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

[0058] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタであり得る放射コレクタＣＯ（例えば、コンデンサ又はコレクタ系）を備える可能性がある。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。放射コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想光源点ＩＦに集束される可能性がある。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置されている。仮想光源点ＩＦは、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

[0059] 続いて放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えるとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備える可能性がある。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳによって反射要素２２８、２２９を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0060] 一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在する可能性がある。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在する可能性がある。更に、図２に示したものよりも多くのミラーが存在する可能性がある。例えば投影システムＰＳには、図２Ａに示したものに比べて１から６個の追加の反射要素が存在する可能性がある。

[0061] 図２Ａに示すような放射コレクタＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称に配設され、このタイプの放射コレクタＣＯは、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と組み合わせて好適に用いられる。

[0062] 図２Ｂは、一部の実施形態に係る、代替的な収集光学系をソースコレクタ装置ＳＯに備えたリソグラフィ装置１００（例えば図１）の選択された部分の概略図を示している。（図面の明確さのために）図２Ｂには現れない図２Ａに示された構造が依然として図２Ｂを参照する実施形態に含まれ得ることが理解されるべきである。図２Ａの要素と同じ参照番号を有する図２Ｂの要素は、図２Ａを参照して説明されたものと同じ又は実質的に同様の構造及び機能を有する。

[0063] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、例えばレジストコートウェーハなどの基板ＷをＥＵＶ光のパターン付きビームで露光するのに使用される可能性がある。図２Ｂでは、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳは、ソースコレクタ装置ＳＯからのＥＵＶ光を使用する露光デバイス２５６（例えば、ステッパ、スキャナ、ステップアンドスキャンシステム、直接書込みシステム、接触及び／又は近接マスクを使用するデバイスなどの集積回路リソグラフィツール）として組み合わせて表されている。リソグラフィ装置１００は、基板Ｗを照射するためにホットプラズマ２１０からのＥＵＶ光を露光デバイス２５６へのパスに沿って反射するコレクタ光学系２５８を備える可能性もある。コレクタ光学系２５８は、例えばモリブデン及びシリコンの交互層、場合によっては１つ以上の高温拡散バリア層、平滑層、キャッピング層及び／又はエッチストップ層を含む漸変多層コーティングを有する長球（すなわち、その長軸周りに回転させた楕円）の形をした反射面を有する近法線入射コレクタミラーを含む可能性がある。

[0064] 図３は、１つ以上の実施形態に係るリソグラフィ装置１００（例えば図１、図２Ａ、及び図２Ｂ）の一部分の詳細図を示している。図１、図２Ａ、及び図２Ｂの要素と同じ参照番号を有する図３の要素は、図１、図２Ａ、及び図２Ｂを参照して説明されたものと同じ又は実質的に同様の構造及び機能を有する。一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ＬＰＰ ＥＵＶ光放射装置を有するソースコレクタ装置ＳＯを備える可能性がある。図示されているように、ソースコレクタ装置ＳＯは、一連の光パルスを発生させ光パルスを光源チャンバ２１２内に送出するためのレーザシステム３０２を備えることがある。リソグラフィ装置１００では、光パルスは、露光デバイス２５６における基板露光のためにＥＵＶ光を生成するプラズマを発生させるための照射領域３０４（例えば図２Ｂのホットプラズマ２１０があるプラズマ領域）でソース材料を照明するために、レーザシステム３０２から１つ以上のビームパスに沿ってチャンバ２１２内に進むことがある。

[0065] 一部の実施形態では、レーザシステム３０２での使用に適したレーザが、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって９．３ｐｍ又は１０．６ｐｍの放射を生成する、比較的高出力（例えば、１０ｋＷ以上）かつ高パルス繰り返し数（例えば、５０ｋＨｚ以上）で動作するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスなどのパルスレーザデバイスを含む可能性がある。一部の実施形態では、レーザは、複数の増幅段を有する発振器増幅器構成（例えば、主発振器／出力増幅器（ＭＯＰＡ）又は出力発振器／出力増幅器（ＰＯＰＡ））を有し、比較的低エネルギーかつ高繰り返し数、例えば、１００ｋＨｚでの動作が可能なＱスイッチ式発振器により開始されるシードパルスを有する軸流ＲＦポンプ式ＣＯ２レーザである場合がある。発振器を出た後、レーザパルスは、照射領域３０４に到達する前に増幅、整形及び／又は集束されることがある。連続ポンプ式ＣＯ２増幅器がレーザシステム３０２に使用されることがある。代替的に、レーザは液滴がレーザの光キャビティの１つのミラーとして機能する、いわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成されることがある。

[0066] 一部の実施形態では、用途に応じて、その他のタイプのレーザ、例えば、高出力かつ高パルス繰り返し数で動作するエキシマレーザ又はフッ素分子レーザが好適である場合もある。一部の例には、例えば、ファイバ状、ロッド状、スラブ状又はディスク状の活性媒体を有する固体レーザや、例えば、１つの発振器チャンバと１つ以上の（並列又は直列に配置された）増幅チャンバといった、１つ以上のチャンバを有するその他のレーザアーキテクチャ、主発振器／出力発振器（ＭＯＰＯ）配置、主発振器／出力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）配置が含まれ、又は１つ以上のエキシマ、フッ素分子又はＣＯ２増幅器もしくは発振器チャンバにシードを与える固体レーザが好適である場合がある。その他の適切な設計が想定されることもある。

[0067] 一部の実施形態では、ソース材料が初めにプリパルスによって照射された後にメインパルスによって照射されることがある。プリパルスシード及びメインパルスシードが単一の発振器又は２つの別個の発振器によって発生されることがある。１つ以上の共通の増幅器を使用してプリパルスシード及びメインパルスシードの両方を増幅させることがある。一部の実施形態では、別個の増幅器を使用してプリパルスシード及びメインパルスシードを増幅させることがある。

[0068] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、レーザシステム３０２と照射領域３０４との間にビームの拡大、操向、及び／又は集束などのビーム調節のための１つ以上の光学部品を有するビーム調節ユニット３０６を備える可能性がある。例えば、１つ以上のミラー、プリズム、レンズなどを含み得るステアリングシステムが、レーザ焦点スポットをチャンバ２１２内の異なる位置に操向するように提供及び配置されることがある。例えば、ステアリングシステムは、第１の平面ミラーであって、第１のミラーを２次元で独立に動かし得るチップチルトアクチュエータに搭載された第１の平面ミラーと、第２の平面ミラーであって、第２のミラーを２次元で独立に動かし得るチップチルトアクチュエータに搭載された第２の平面ミラーとを備えることがある。上記の構成によって、ステアリングシステムは、ビーム伝搬方向（ビーム軸又は光軸）に実質的に直交する方向に焦点スポットを制御可能に移動させることがある。

[0069] ビーム調節ユニット３０６は、ビームを照射領域３０４に集束させ、焦点スポットの位置をビーム軸に沿って調整するための集束アセンブリを備える可能性がある。集束アセンブリでは、焦点スポットをビーム軸に沿って移動させるためにビーム軸に沿った方向に移動するアクチュエータに結合されている集束レンズ又はミラーなどの光学部品が使用されることがある。

[0070] 一部の実施形態では、ソースコレクタ装置ＳＯは、例えばＳｎ液滴などのソース材料を、チャンバ２１２内部の照射領域３０４であって、液滴がレーザシステム３０２からの光パルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成し、露光デバイス２５６でレジストコートウェーハなどの基板を露光するためのＥＵＶ放出を発生させることになる照射領域３０４に送出するソース材料送出システム３０８を備えることもある。様々な液滴ディスペンサ構成に関する更なる詳細は、それぞれの内容が全体として参照により本明細書に組み込まれる、例えば２０１１年１月１８日発行の「Systems and Methods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV Light Source」と題する米国特許第７，８７２，２４５号、２００８年７月２９日発行の「Method and Apparatus For EUV Plasma Source Target Delivery」と題する米国特許第７，４０５，４１６号、２００８年５月１３日発行の「LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System」と題する米国特許第７，３７２，０５６号、及び２０１９年７月１８日公開の「Apparatus for and Method of Controlling Coalescence of Droplets In a Droplet Stream」と題する国際出願第ＷＯ２０１９／１３７８４６号に見られることがある。

[0071] 一部の実施形態では、基板露光のためのＥＵＶ光出力を生成するためのソース材料は、スズ、リチウム、キセノン又はこれらの組み合わせを含む材料を含むことがあるが、必ずしもこれらに限定されない。ＥＵＶ放出元素、例えばスズ、リチウム、キセノンなどは、液滴及び／又は液滴内に含まれた固体粒子の形をとる場合がある。例えば、元素スズは、純スズとして、スズ化合物、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４として、スズ合金、例えばスズ－ガリウム合金、スズ－インジウム合金、スズ－インジウム－ガリウム合金、又はこれらの組み合わせとして使用されることがある。使用される材料によって、ソース材料は照射領域に、室温又は室温に近い温度（例えばスズ合金、ＳｎＢｒ４）を含む様々な温度、高温（例えば純スズ）又は室温未満の温度（例えばＳｎＨ４）で提示されることがあり、場合によっては、例えばＳｎＢｒ４のように比較的揮発性である可能性がある。

[0072] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、レーザシステム３０２内のデバイスを制御することによってチャンバ２１２内への送出のための光パルスを発生させるための、及び／又はビーム調節ユニット３０６内の光学部品の動きを制御するためのドライブレーザ制御システム３１２も備え得るコントローラ３１０を備える可能性もある。リソグラフィ装置１００は、例えば照射領域３０４に対する１つ以上の液滴の位置を示す出力信号を提供する１つ以上の液滴撮像装置３１４を備え得る液滴位置検出システムを備える可能性もある。液滴撮像装置３１４は、この出力を液滴位置検出フィードバックシステム３１６に提供することができ、液滴位置検出フィードバックシステム３１６は、液滴エラーを、例えば液滴単位で又は平均して計算することができる液滴位置及び軌道を計算することができる。次いで液滴エラーはコントローラ３１０への入力として提供されることがあり、コントローラ３１０は、例えば、位置、方向及び／又はタイミング補正信号をレーザシステム３０２に提供して、例えばチャンバ２１２内の照射領域３０４に送出される光パルスの位置及び／又は集光力を変更するように、レーザトリガタイミングを制御する及び／又はビーム調節ユニット３０６内の光学部品の移動を制御することができる。また、ソースコレクタ装置ＳＯに関しては、ソース材料送出システム３０８は、例えば、照射領域３０４に到達する液滴のエラーを補正するように放出点、初期の液滴流の方向、液滴放出タイミング及び／又は液滴変調を修正するべくコントローラ３１０からの信号（一部の実装形態では上記の液滴エラー、又はそこから導き出される何らかの量を含み得る）に応答して動作可能な制御システムを有する可能性がある。

[0073] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、コレクタ光学系、ガスディスペンサデバイス３２０も備える可能性がある。ガスディスペンサデバイス３２０は、ソース材料送出システム３０８からのソース材料のパス（例えば照射領域３０４）にガスを分配することができる。ガスディスペンサデバイス３２０は、分配されたガスが通って出て行くノズルを備える可能性がある。ガスディスペンサデバイス３２０は、レーザシステム３０２の光路の近くに配置された場合に、レーザシステム３０２からの光がガスディスペンサデバイス３２０によって遮断されず、照射領域３０４に到達することが許可されるように（例えば開口を有して）構成される可能性がある。水素、ヘリウム、アルゴン又はこれらの組み合わせなどの緩衝ガスが、チャンバ２１２内に導入され、チャンバ２１２から補給及び／又は除去されることがある。緩衝ガスは、プラズマ放電の間チャンバ２１２内に存在することがあり、プラズマによって生成されたイオンを遅くして光学部品の劣化を低減する及び／又はプラズマ効率を高める役割を果たすことがある。代替的には、高速イオン損傷を低減するために、（図示しない）磁界及び／又は電界が単独で又は緩衝ガスと組み合わせて用いられることがある。

[0074] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、例えばモリブデン及びシリコンの交互層、場合によっては１つ以上の高温拡散バリア層、平滑層、キャッピング層及び／又はエッチストップ層を含む漸変多層コーティングを有する長球（すなわち、その長軸周りに回転させた楕円）の形をした反射面を有する近法線入射コレクタミラーなどのコレクタ光学系２５８も備える可能性がある。コレクタ光学系２５８には、レーザシステム３０２が発生させた光パルスが通過し、照射領域３０４に到達することを可能にする開口が形成されている可能性がある。ガスディスペンサデバイス３２０からのガスがチャンバ２１２に流入することを可能にするのに同じ又は別の類似の開口が使用されることがある。図示されているように、コレクタ光学系２５８は、例えば、照射領域３０４内又はその近くに第１の焦点、及びいわゆる中間領域３１８に第２の焦点を有する長球ミラーである可能性があり、ＥＵＶ光は、ソースコレクタ装置ＳＯから出力され、ＥＵＶ光を利用する露光デバイス２５６、例えば集積回路リソグラフィツールに入力されることがある。長球ミラーの代わりに、ＥＵＶ光を利用するデバイスへのその後の送出のために光を集光して中間位置に誘導するために他の光学部品が使用され得ることが理解されるべきである。図３を参照して説明された構造及び機能を備えたコレクタ光学系ＣＯ（図２Ａ）を使用した実施形態も想定されることがある。

[0075]例示的なリソグラフィセル
[0076] 図４は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル４００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル４００の一部を構成する可能性がある。また、リソグラフィセル４００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を備える可能性がある。例えば、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫを備える可能性がある。基板ハンドラＲＯ（例えばロボット）が、入力／出力ポートＩ／Ｏ１及びＩ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように操作される可能性がある。

[0077]例示的な放射源
[0078] 例示的な反射型リソグラフィ装置用の（図３に示すような）放射源ＳＯのある例が図５に示されている。図５に示すように、放射源ＳＯは、下記のＸＹ平面に垂直である視点から示されている（例えば上面図）。

[0079] 図５に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザを備え得るレーザシステム５０１は、燃料ターゲット発生器５０３（例えば、燃料放出器、液滴発生器）から提供される１つ以上の個別のＳｎ液滴などの燃料ターゲット５０３’に１つ以上のレーザビーム５０２を介してエネルギーを付与するように配置されている。一部の態様によれば、レーザシステム４０１は、パルス連続波又は準連続波レーザである場合があるか、又はパルス連続波又は準連続波レーザのように動作する可能性がある。燃料ターゲット発生器５０３から放出された燃料ターゲット５０３’（例えば液滴）の軌道はＸ軸に平行である可能性がある。一部の態様によれば、１つ以上のレーザビーム５０２はＹ軸に平行な方向に伝搬する。Ｚ軸はＸ軸及びＹ軸の両方に垂直であり、概ね紙面の奥（又は手前）に延びているが、他の態様では他の構成が用いられる。

[0080] 以下の説明ではスズについて言及しているが、任意の適切なターゲット材料を使用することができる。ターゲット材料は、例えば液状である可能性があり、また、例えば金属又は合金である可能性がある。燃料ターゲット発生器５０３は、例えば燃料ターゲット５０３’（例えば個別の液滴）の形態のスズを軌道に沿ってプラズマ形成領域５０４に向けるように構成されたノズルを備える可能性がある。説明の残りの部分を通して、「燃料」、「燃料ターゲット」又は「燃料液滴」についての言及は、燃料ターゲット発生器５０３が放出したターゲット材料（例えば液滴）について言及しているものと理解すべきである。燃料ターゲット発生器５０３は燃料放出器を含む可能性がある。１つ以上のレーザビーム５０２は、プラズマ形成領域５０４においてターゲット材料（例えばスズ）に入射する。レーザエネルギーのターゲット材料内への蓄積は、プラズマ形成領域４０４においてプラズマ５０７を生成する。ＥＵＶ放射を含む放射が、脱励起及びプラズマのイオンと電子の再結合の間にプラズマ５０７から放出される。

[0081] ＥＵＶ放射はコレクタ５０５（例えば放射コレクタＣＯ）によって収集及び集束される。一部の態様では、コレクタ５０５は、近法線入射放射コレクタ（より一般的には法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）を含む可能性がある。コレクタ５０５は、ＥＵＶ放射（例えば、約１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置される多層ミラー構造である可能性がある。一部の態様によれば、コレクタ５０５は、２つの焦点を有する楕円構成を有する可能性がある。本明細書で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域５０４にある可能性があり、第２の焦点は中間焦点５０６にある可能性がある。

[0082] 一部の態様では、レーザシステム５０１は、放射源ＳＯから比較的遠く離れたところに位置する可能性がある。このような場合、１つ以上のレーザビーム５０２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備えるビームデリバリシステム（図示せず）の助けを借りて、レーザシステム５０１から放射源ＳＯへ渡される可能性がある。レーザシステム５０１及び放射源ＳＯは、全体で放射システムと見なされる可能性がある。

[0083] コレクタ５０５で反射される放射が放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、照明システムＩＬ（図２Ａ及び図２Ｂ参照）のための仮想放射源の役割を果たす、プラズマ形成領域５０４の像を形成するための点（例えば中間焦点５０６）に集束される。放射ビームＢが集束される点は、中間焦点（例えば中間焦点５０６）と呼ばれる可能性がある。放射源ＳＯは、中間焦点５０６が放射源ＳＯの閉鎖構造５０９の開口５０８に、又は開口５０８の近くに位置するように配置されている。

[0084] 図２Ａ及び図２Ｂと同様に、放射ビームＢは、放射源ＳＯから照明システムＩＬ内に通過する。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節するように構成されている。放射ビームＢは照明システムＩＬから移動し、支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、これにパターン付与する。パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成されている複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば縮小係数４を適用することができる。図２Ａ及び図２Ｂでは投影システムＰＳが２つのミラーを有するものとして示されているが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を備える可能性がある。

[0085] 放射源ＳＯは、図５に示されていないコンポーネントを備える可能性がある。例えば、放射源ＳＯにスペクトルフィルタが設けられる可能性がある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過的であるが、赤外線放射などの他の放射波長を実質的にブロックするものである可能性がある。

[0086] 放射源ＳＯ（又は放射システム）は、プラズマ形成領域５０４における燃料ターゲット（例えば液滴）の像を得るための、より具体的には、燃料ターゲットの影の像を得るための燃料ターゲット撮像システムを更に備える。燃料ターゲット撮像システムは、燃料ターゲットの縁部から回折された光を検出することができる。以下の記述における燃料ターゲットの像についての言及は、燃料ターゲットの影の像、又は燃料ターゲットが生じさせる回折パターンにも言及するものと理解すべきである。

[0087] 燃料ターゲット撮像システムは、ＣＣＤアレイ又はＣＭＯＳセンサなどの光検出器を備える可能性があるが、燃料ターゲットの像を得るのに適したいずれの撮像デバイスも使用され得ることが理解されるであろう。燃料ターゲット撮像システムが光検出器に加えて、１つ以上のレンズなどの光学コンポーネントを備え得ることが理解されるであろう。例えば、燃料ターゲット撮像システムは、カメラ５１０、例えば光センサ（すなわち光検出器）と１つ以上のレンズとの組み合わせを備える可能性がある。光学コンポーネントは、光センサ又はカメラ５１０が近視野像及び／又は遠視野像を得るように選択される可能性がある。カメラ５１０は、放射源ＳＯ内の、カメラがプラズマ形成領域５０４及びコレクタ５０５上に設けられた１つ以上のマーカ（図５には示されていない）を見通す任意の適切な場所に配置される可能性がある。ただし、カメラ５１０の損傷を回避するために、１つ以上のレーザビーム５０２の伝搬経路及び燃料ターゲット発生器５０３から放出される燃料ターゲットの軌道から離れた位置にカメラ５１０を配置することが必要な場合がある。一部の態様によれば、カメラ５１０は、燃料ターゲットの像を接続５１２を介してコントローラ５１１に提供するように構成されている。接続５１２は有線接続として示されているが、接続５１２（及び本明細書で言及される他の接続）は、有線接続、無線接続、又はこれらの組み合わせとして実施され得ることが理解されるであろう。

[0088] 図５に示すように、放射源ＳＯは、燃料ターゲット５０３’（例えば個別のスズ液滴）を発生させプラズマ形成領域５０４に向けて放出するように構成された燃料ターゲット発生器５０３を備える可能性がある。放射源ＳＯは、プラズマ形成領域５０４にプラズマ５０７を発生させるために１つ以上のレーザビーム５０２で燃料ターゲット５０３’の１つ以上に衝突するように構成されたレーザシステム５０１を更に備える可能性がある。放射源ＳＯは、プラズマ５０７が放出した放射を収集するように構成されたコレクタ５０５（例えば放射コレクタＣＯ）を更に備える可能性がある。一部の態様では、いくつかある特徴の中で特に、放射源ＳＯにおける燃料デブリ（例えばスズ）の蓄積を軽減するために、コレクタ５０５に隣接してコレクタ流リングＣＦＲ（図５には示されていない）を配設することができる。コレクタ流リングＣＦＲは、Ｘ軸に平行な軸に沿って（例えば、燃料ターゲット発生器５０３から放出された燃料ターゲット５０３’の軌道の近くに）配設される可能性がある。

[0089] 放射源が適切に機能するためには、燃料の連続供給が必要である。これは、燃料の連続したインライン供給を確保するために測定、モニタリング、及び保守が必要であることを意味する。

[0090] 図６から図１１に関して本明細書で更に説明するように、インライン補充システムが提供されることがある。一部の態様によれば、インライン補充システムでは、一定量のガスを圧力リザーバから既知のサイズの開口部を介して放出することによって間接的にＳｎレベルが測定されることがある。このとき圧力がリザーバ内で低下する割合が加圧ガスの量について測定されることがある。そしてＳｎ量は、ガス量をリザーバの総容量から引くことによって決定される可能性がある。かかる方法は、リザーバ内のＳｎ量を決定するためにリザーバの圧力変動とともに用いられることがある。本開示は、圧力容器がＳｎを液滴発生器（ＤＧ）に供給しているときにＳｎが乾燥して水がなくなり、乾燥のために移送ラインで気泡になることに関連する問題を回避するＳｎ量の測定についての他の実施形態を提供する。ガス充填フリーズバルブを閉じることは困難であるため、システムが制御不能になり得る、ガス量がフリーズバルブに到達する状況を回避するために、圧力リザーバ内のＳｎの量を高精度にモニタすることは有用である。

[0091] 図６Ａ及び図６Ｂは、一部の実施形態に係るインタンクレベルセンサの概略アーキテクチャ６００を示している。アーキテクチャ６００は、本明細書で更に説明されるように、Ｓｎリザーバ内の圧力変動を必要としないパッシブレベルセンサを備える可能性がある。

[0092] アーキテクチャ６００は、燃料タンク６０４内に収容されガラス／セラミックシール６０６で固定され得る複数のモリブデンロッド６０２を備える可能性がある。燃料タンク６０４は、様々な金属、セラミック、ポリマー、又は他の適切な硬質材料で構築されることがある。一部の態様では、シールは短いホウケイ酸塩チューブを使用して構築されることがある。ホウケイ酸塩チューブは、モリブデンに対して良好な線膨張係数（ＣＴＥ）を提供する可能性があるため、モリブデンロッドをより良好に保持及びシールすることがある。一部の態様によれば、追加のシールのためにホウケイ酸塩とモリブデンとの間に化学結合がもたらされることがある。非限定的に、例えばケイ酸アルミニウム（Ａｌ_２ＳｉＯ_５）を含む他の結合材料が用いられ得ることが理解される可能性がある。

[0093] 一部の態様によれば、複数のモリブデンロッド６０２は、検知方法の組み合わせに基づいて満杯状態６０８又は空状態６１０を検知することができる。一部の態様では、タンク６０４内のＳｎの低レベルを測定するのに２つのモリブデンロッド（Ａ及びＢ）が使用される可能性がある。これに関連して、閉回路状態がモニタされることがあり、Ｓｎレベルが最小閾値を下回る（モリブデンロッドがもはやＳｎと接触していない）とき、開回路が生じ、タンク内のＳｎの低レベルを示す信号がコントローラ／プロセッサ（例えばコントローラ３１０）に送信されることがある。

[0094] 図６Ｂに示す一部の実施形態によれば、モリブデンロッド６１２は水平に配置される可能性がある。この実装形態では、モリブデンロッドＥは、Ｓｎレベルが下回るときに空の表示が示され得る低レベル閾値に指定される可能性がある。一例では、ロッドＡとＥとの間の連続性が検出される場合（例えば閉回路）、「満杯」状態を示すフル信号が中継されて送り返されることがある。ＤとＥとの間の連続性が検出されない場合、「空」状態が表示されることがある。更に、ＥとＢ、Ｃ、又はＤとの間の連続性があるとき、比例レベル表示が行われることがある。

[0095] 図６Ａ及び図６Ｂに記載の実施形態は、Ｓｎレベルを測定する手段としての圧力変動の必要性をなくす。更に、レベル表示、例えば満杯、空、５０％などはそのレベルに達した直後に示されることがある。これは、いくつかのシステム状態を必要とするアクティブ計測とは対照的に、制御システムに送信されるパッシブ信号であるため、より簡単な、ひいてはより高速な制御システムを可能にする。また、図６Ａ及び図６Ｂに示す本実装形態はインライン補充システムの更なる単純化を可能にする。

[0096] 図７は、一部の実施形態に係るインライン補充システム７００の概略アーキテクチャを示している。ＥＵＶリソグラフィシステムにおけるソースの可用性を改善するために、液滴発生器（ＤＧ）への高品質Ｓｎ供給の不足と関連するダウンタイムを短縮するあるいはなくす動機がある。本実施形態の態様によれば、上記のインライン補充システム（ＩＲ）は、高純度Ｓｎの液滴発生器アセンブリ（ＤＧＡ）への連続供給を可能にする。更に、Ｓｎ供給の状態（例えば、残量、清浄度、及びＳｎの状態（例えば、液体又は固体））を知らずに、インライン補充システムを動作させることは非生産的となる。

[0097] ＩＲの実装を可能にするために、本明細書で更に説明されるように、２つ以上のＩＲサブモジュールにわたってＳｎの状態を判定する必要がある場合がある。システム７００は、固体Ｓｎの初期レベルを維持するＳｎプライミングタンク（ＴＰＴ）７０２を備えることがある。ＴＰＴ７０２は、Ｓｎ固体を受け取ってプライミングし、Ｓｎを溶解するように構成されることがある。ＴＰＴ７０２は更に、溶解したＳｎをＳｎ補充タンク（ＴＲＴ）７０４に送り込むように構成されることがある。ＴＲＴ７０４は、新しく清浄な液体Ｓｎを補充リザーバ（ＲＲ）７０８に供給するように構成されることがある。一部の態様によれば、次いでＲＲ７０８は、液体Ｓｎを一次リザーバ（ＰＲ）７１４及び／又はＤＧＡ７２２に供給することがある。液体Ｓｎの移送は、フローバルブ及び導管（７１０ａ～ｅ）の組み合わせを含むフローシステムを介して行われることがある。フローシステム７１０ａ～ｅがシステム７００内において溶解したＳｎの安全で絶え間ない均一な移送に耐え得る物理的特性を備え得ることが理解されるべきである。

[0098] 一部の態様によれば、ＲＲ７０８は液滴としてＳｎを供給することがあり、より多くのＳｎをＰＲ７１４に供給し、ＰＲ７１４は液体ＳｎをＤＧＡ７２２に供給することがある。ＲＲ７０８及びＰＲ７１４に収容されている液体Ｓｎは、液体Ｓｎ７１２として示されることがある。本明細書に記載のタンク及びリザーバの数が例示であり、これらの様々な組み合わせ及び数が効率性の向上及びコスト対策のために実装され得ることに留意すべきである。

[0099] 一部の態様によれば、システム７００のタンク／リザーバの１つ以上が、各タンク／リザーバ内に含まれているＳｎの特性を測定するように構成された光センサ７１６、７１８、又は７２０に結合されることがある。一例では、ＴＰＴ７０２、ＴＲＴ７０４、ＲＲ７０８及びＰＲ７１４はそれぞれ、各タンク／リザーバ内に位置するＳｎの特性を測定し得る関連光センサに結合される（例えばＴＰＴ７０２が光センサ７１６に結合される）可能性がある。光センサが測定し得る特性は、本明細書で更に説明されるように、Ｓｎレベル、Ｓｎ汚染レベル、サイトグラス汚れなどである。光センサが本明細書においてセンサ、光デバイス、測定デバイス、又は光学測定デバイスとも呼ばれ得ることが理解されるべきである。

[0100] 一部の実施形態によれば、ＴＰＴ７０２センサ７１６は、固体Ｓｎがロードされるタイミングを検出するように構成される可能性があり、ＴＲＴ７０４への溶解作用をモニタする。一部の実施形態によれば、ＴＲＴ７０４にあるセンサ７１８がＴＲＴ７０４内のＳｎレベルをモニタし、必要なときにＴＰＴ７０２により多くのＳｎを要求することができる。一部の態様によれば、かかるＳｎの必要性は、センサ７１８が行った測定に基づいて決定されることがあるか、又は他のセンサ（例えば、センサ７２０又はＲＲ７０８上の図示されていない光センサ）から受信した要求信号に基づく場合がある。センサ７１８は、ＲＲ７０８に押し出される／供給されるＳｎの量をモニタすることもできる。一部の態様によれば、センサ７２０はＰＲ７１４内のＳｎレベルをモニタし、より多くのＳｎがＴＲＴ７０４からＲＲ７０８、ひいてはＰＲ７１４に送出されるように要求することができる。

[0101] 一部の態様によれば、Ｓｎは、ＴＲＴ７０４で適用されてＳｎをフローバルブ７１０ａ及び導管７１０ｂを介して、低圧（深真空でない）に保持されているＲＲ７０８に送出する加圧されたガス混合物（例えば、約９８％のＡｒ（アルゴン）、２％のＨ（水素））を介して押し出されることがある。一部の態様によれば、ＴＲＴ７０４はＴＰＴ７０２を介して充填される可能性がある。また、ＰＲ７１４は、ＤＧＡ７２２に供給するためにその間中高圧下で動作することができる。一例では、ＲＲ７０８が満杯になると、フローバルブ７１０ｃが閉鎖される可能性があり、次いでＰＲ７１４内の圧力と一致するようにＲＲ７０８に圧力が印加される可能性がある。圧力がＰＲ７１４と一致するレベルになると、フローバルブ７１０ｃは、例えばＰＲ７１４がほぼ空であるときに燃料がＲＲ７０８からＰＲ７１４に流れることができるように開かれる可能性がある。したがって、センサ７２０により行われるレベル測定によって、フローバルブ７２４などのフローバルブが開閉し得るタイミングを指示することができる。センサ７２０は光デバイス７２０と呼ばれることもあり、これらの用語は本明細書において交換可能に用いられることがある。前述のとおり各センサは、Ｓｎレベル変化（及び後続の体積変化）、Ｓｎ純度レベル、及びＳｎ状態ステータス（例えば、液体又は固体）をモニタするように構成されることがある。

[0102] 一部の態様によれば、システム全体にわたるリザーバの圧力操作が様々な機能を提供する可能性がある。例えば、一部の態様によれば、深真空及び低圧ガスが用いられる可能性があり、サイクルパージとして知られている。一部の態様によれば、Ｓｎを深真空下に保持しながら、高圧を使用してノズル（例えばＤＧＡ７２２）におけるＳｎ液滴速度を維持することができる。ＰＲ７１４、又はＤＧＡ７２２の直前に配置され得る任意の他のリザーバ／タンクは、ＥＵＶを生成するためにＳｎを供給することができる高圧を維持することができる。また、ＴＲＴ７０４及びＴＰＴ７０２は、清浄なＳｎのための環境を維持することができる。例えば、固体Ｓｎから液体Ｓｎへの転換は、ＴＰＴ７０２が密閉される前にＳｎ及びＴＰＴ７０２がさらされた環境によるＳｎ汚染の機会をもたらすことがある。一部の態様によれば、Ｓｎを加熱する方法はＳｎ清浄度に影響を及ぼすことがある。また、Ｓｎが清浄であることは、液滴位置決めが正確な長い耐用期間にわたる液滴発生に望まれている。

[0103] 一部の態様によれば、ＲＲ７０８は、低圧から高圧への転移を用いる、すなわちＴＲＴ７０４からＳｎを受け取るために低圧に切り替わり、ＳｎをＰＲ７１４に供給するときに高圧に再度切り替わることができる。一部の態様によれば、光デバイス７２０は、リザーバを通るＳｎの流れを制御する制御信号を発生させ得るプロセッサを備えることがある。付加的に又は代替的に、光デバイス７２０は、Ｓｎ流れの更なる処理及び制御のためにアクティブ計測結果をコントローラ（例えば図３のコントローラ３１０）に送信することがある。同様の動作はシステム７００の他の光デバイスによって実行される可能性がある。例えば、光デバイス７１６、７１８、及び７２０のそれぞれは、上記の特性をモニタ及び報告し、モニタリングに基づいて動作を取る独自の処理能力を備えることがある。ここでいう動作を取ることは、例えばＳｎの移動又は供給の動作を促進するための制御信号を提供することを意味することがある。一部の態様によれば、各センサは、データをモニタし、中央処理装置（例えばコントローラ３１０）に、又は１つのもしくは別のセンサ（例えば、どのセンサが指示／制御信号を提供するように構成されているかに応じて上流又は下流に報告するセンサ）に報告することができる。

[0104] 一例では、センサ７２０はＰＲ７１４内でＳｎ特性を測定するように構成されることがある。また、測定した特性に基づいて、そしてセンサ７１６及び７１８がＳｎの上流可用性について報告したことを処理して、センサ７２０は他のタンクに一定の動作を取るように指示することができる。例えば、センサ７２０は、ある動作を取るようにＴＰＴ７０２、ＴＲＴ７０４及び／又はＲＲ７０８のいずれか又はそれぞれに指示を送信することがある。かかる動作には、もっとＳｎを溶解すること、又は一定レベルのＳｎを１つのリザーバから別のリザーバに提供することが含まれることがある。かかる指示は、Ｓｎの加熱及び移動、導管特性、タンク特性などに関連する熱力学的考察を考慮することがある。センサ７２０が、Ｓｎの連続供給を確保するのに必要な動作を実行し得る動作コマンドを１つ以上のタンク、１つ以上のセンサ、及び１つ以上のプロセッサに送信することができる。他の態様によれば、センサ７２０は中央処理装置（例えばコントローラ３１０）に報告する複数のセンサの１つである場合があり、コントローラ３１０は、システム７００内のありとあらゆるセンサ／タンクに更なる指示を提供することができる。

[0105] 一部の態様によれば、ＰＲ７１４はＳｎのＤＧＡ７２２への一次供給元である可能性がある。したがって、ＰＲ７１４のＳｎレベルをモニタすることは、ＳｎのＤＧＡ７２２への安定供給を達成するための有利な面である場合がある。一部の態様によれば、センサ７２０（又はコントローラ３１０）は、ＰＲ７１４の測定値により大きい重み係数を置くことがある。例えばＰＲ７１４における低いＳｎレベルは、ＳｎをＤＧＡ７２２に送り出す必要性の即時性に起因して、ＴＰＴ７０２又はＴＲＴ７０４における低いＳｎレベルよりも危機的である場合がある。同様に、様々なタンク／リザーバにおける汚染測定値は、そのインラインアセンブリ内の位置に基づいて様々な重み付けが割り当てられることがある。

[0106] 図８Ａから図８Ｂは、一部の実施形態に係る、システム７００の一次及び補充リザーバ７１４、７０８などの真空タンク内のソースレベルを検出するための、システム７００の非侵襲性の三角測量センサアセンブリ８００展開を示している。一部の実施形態によれば、アセンブリ８００は、Ｓｎ８０８のレベル及び他の特性を測定するために光信号８０４の受信及びタンク８０６内への送信の両方を行う光デバイス８０２を備える可能性がある。本明細書で更に説明されるように、光デバイス８０２は、光センサ、光学測定デバイス、センサデバイス、測定デバイスなどと呼ばれることもある。一部の態様によれば、光デバイス８０２は光送信器８１６及び光受信器８１８を備える可能性がある。光送信器８１６は光ビーム８０４を送信するように構成される可能性がある。光ビーム８０４はレーザ光ビームである可能性がある。一部の態様では、送受される光８０４は、１つ以上のビューポートを備えるフランジ８１０を介してタンク８０６に出入りすることができる。

[0107] 一部の態様によれば、光デバイス８０２は、三角測量を使用することによって缶内のＳｎレベル、品質、Ｓｎの状態を測定するように構成される可能性がある。一部の態様によれば、光デバイス８０２は、光源を備えた光送信器８１６と、検出器アレイを備えた光受信器８１８とを備える可能性がある。一部の態様によれば、光送信器８１６は入射光ビーム（例えばレーザビームなど）を送信し、光受信器８１８は反射した光ビームを受信するように構成されている。反射した光ビームが受信された後、光デバイス８０２は、三角測量計算を実行してＳｎ及び光デバイス８０２が取り付けられているタンクに関連する特性を測定することができる。

[0108] 一部の実施形態によれば、光送信器８１６は既知の角度θでビームを送信することができる。タンク内のＳｎレベルに基づいて、送信されたビームはある点で反射され、反射されて光受信器８１８内に戻る。一部の態様によれば、Ｓｎレベルの高さは、反射した光ビームが光受信器８１８上のどこで受信されるかを決定することができる。したがって、Ｓｎレベル８１４を決定するために、光デバイス８０２は、反射した光ビームが受信された光受信器８１８上のある点から光送信器８１６内の照射点までの水平距離８１２を測定する。一部の態様によれば、光が送信される点から反射した光を受信する検出器アレイ上の点（例えば、所定の画素位置、又はアレイ内の所定のセンサ）までの距離８１２が測定される可能性がある。一部の態様によれば、反射した光は検出器アレイ上の複数の位置で受信されることがある。したがって、水平距離８１２を測定するために、アレイ内の最強信号（例えば最高振幅を有する信号）を受信する位置が用いられることがある。測定値８１２、及び既知の入射角θを所与として、レベル８１４が計算される可能性がある。

[0109] 一部の態様によれば、センサのフィードバック形式は、高圧、高真空、及び高純度環境に悪影響を及ぼすことなく、Ｓｎレベル及び品質の測定における多機能性を可能にする。一部の態様によれば、光デバイス８０２は、光受信器８１８上のセンサのアレイに広がる光強度を測定することができる。光受信器８１８からの生データを使用して、光強度グラフが光受信器８１８上の位置の関数として生成される可能性がある（例えば、図１０に示す位置対強度）。この光強度グラフは、本明細書で更に説明されるように複数のピークを含む可能性がある。一部の態様によれば、光デバイス８０２がＳｎとともに使用され、リザーバが図８Ａに示すように垂直構成である場合、余分なピークは無視できる可能性があり、主たる機能は、Ｓｎレベル、及びＳｎ相変化（例えば、固体、液体）をモニタすることである可能性がある。

[0110] 一部の態様によれば、光デバイス８０２は、相変化を検出するためのスタンドアロンデバイスとして使用される可能性がある。一部の態様によれば、光デバイス８０２と、熱電対測定値を生成し得る熱電対デバイス（例えばプローブ（図示せず））とのペアリングは、Ｓｎの位相シフト測定値を更に改善することができる。

[0111] 図８Ｃは、測定温度がプロットされた、光デバイス８０２により測定された平均Ｓｎレベル及びノイズレベルの変化を示す温度時間プロットである。一例では、変化は８２０によって示されるように、Ｓｎ溶解の所定の温度範囲（例えば約２３２℃）で起こる可能性がある。固体Ｓｎ及び液体Ｓｎの光学特性に基づいて、Ｓｎの相変化を決定することは、Ｓｎの供給量の計算（例えば、Ｓｎの溶解量対Ｓｎの固体量）を考慮に入れることができる。例えば、溶解したＳｎはすぐに利用できるのに対し、固体Ｓｎはシステム７００を介して溶解及び供給するのに追加の時間を必要とすることがある。

[0112] 一部の態様によれば、光デバイス８０２は、グラフ上の最大のスパイクを検出し、これを本明細書で説明されるように、Ｓｎレベルの距離測定に相関される受信された最も支配的な反射と決定することができる。他の情報は二次及び三次の光強度スパイクから得られる可能性がある。これはリザーバ８０６が直立しているか又は角度が付いた構成である場合に当てはまる可能性がある。

[0113] 一例によれば、Ｓｎ純度レベルは、グラフに示された１つ以上のデータ点に基づいて検出される可能性がある。一態様によれば、検出器点（すなわち、反射した光が光受信器８１８で受信される位置）と照明点（すなわち、光信号が光送信器８１６から送信される位置）との間の距離測定の直前に見つかった光スパイクがＳｎ純度の関数として変化する。これは、Ｓｎ表面がより汚染される（例えば光スポットがＳｎ自体の上でより支配的になる）につれてＳｎからの光の反射が減少することによって引き起こされる。一部の態様によれば、汚染などの影響は、リザーバが図９に示すような角度構成である場合に増幅される可能性がある。

[0114] 図９Ａは、一部の実施形態に係るシステム７００内の真空タンク内のソースレベルを検出するための非侵襲性の三角測量センサ展開９００の別の例を示している。展開９００では、光デバイス８０２は、光ビームを送受信し、本明細書で更に説明されるいくつかのパラメータに基づいてＳｎレベルの測定値及びＳｎの他の物理的特性を生成することができる。一部の態様によれば、出入部位９０２がタンク／リザーバの端部に位置する覗き窓８１０内のガラスポートにある可能性がある。一部の態様によれば、クリーンなガラスポートが、入射光が出入りする出入点で最小光強度を示すことになる。反対に、これらの出入点における光強度の増加は、サイトグラスが汚れつつあるか、又はますます汚染されつつあり、更なる注意／保守が必要であることを示す。光デバイス８０２で受信された光／強度の描写は、本明細書の以下で説明される図９Ｂから図９Ｄに更に詳しく示されている。

[0115] 一部の態様によれば、９０４で測定された光強度はＳｎレベル検出を示す。一部の実施形態によれば、例えば図８Ａ及び図８Ｂに示すように、液体Ｓｎがミラーとして機能する可能性があり、Ｓｎが傾斜した状態で、距離はリザーバ壁から反射した反射ドット９０４から計算される可能性がある。他の態様によれば、点９０６はＳｎ純度検出位置を示す可能性がある。９０４ではこの位置がより目に見えるようになるにつれて、Ｓｎは反射が小さくなり、したがって、酸化スズの蓄積が増加している。

[0116] 図９Ｂから図９Ｄは、センサ（例えば光デバイス８０２）で受信及び測定した強度を示している。例えば、図９Ｂは、ビューポートとＳｎの両方が清浄である状況で光デバイス８０２が受信した光信号を示す。図９Ｃは、ビューポートが汚れており、Ｓｎが清浄である状況で光デバイス８０２が受信した光信号を示す。図９Ｄは、ビューポートが清浄であり、Ｓｎが汚れている状況で光デバイス８０２が受信した光信号を示す。「清浄である」及び「汚れている」の指定が検出された汚染のレベルを反映し、このレベルを上回る場合にビューポート／Ｓｎが「汚れている」と見なされ、このレベルを下回る場合にビューポート／Ｓｎが「清浄である」と見なされることが理解される可能性がある。

[0117] 一部の態様によれば、受信された信号／光のおおよその位置は知られている場合がある。例えば、ビューポート侵入点９０２及び戻り点９０８は固定位置である可能性がある。反射ドット９０４及び点９０６には変化が生じる可能性がある。これらの２つの信号間の相関関係は、Ｓｎレベル及び純度レベルの決定に関連している。例えば反射ドット９０４は、Ｓｎの（Ｓｎ表面又はリザーバ壁における）反射を示す最高強度点である場合があるため、その位置はＳｎレベルと相関している。しかしながら、Ｓｎ汚染レベルが高くなるにつれて、９０６における強度が上昇する一方、反射ドット９０４における強度が低下する。これは、点９０６における強度が反射ドット９０４における強度より大きくなるまで続く可能性がある。この場合、光デバイス８０２は、反射ドット９０４ではなく反射ドット９０６をＳｎレベルに対応する位置として使用する可能性がある。また光デバイス８０２は更に、高い汚染レベルを示す警告を発生させることがある。かかる警告が、グラフィカルユーザインターフェイス（ＧＵＩ）、又は検出されたＳｎの汚染を示す他の方法を介してオペレータに送信されることがある。

[0118] 図１０は、一部の実施形態に係るセンサの受信器アレイで検出された信号のグラフ表示である。一部の態様によれば、光受信器８１８の受信器アレイは、例えば（受信器アレイ内の様々な位置にある）ピークとして示された、様々な位置に様々な強度プロファイルを有する光を受信することができる。一部の実施形態によれば、ピーク１００２はビューポートの清浄度検出の光強度を示す可能性がある。ピーク１００４は、Ｓｎ純度検出の光強度を示す可能性があり、この強度はＳｎが汚れていくにつれて大きくなる。ピーク１００６はＳｎレベル検出の光強度を示す可能性があり、ピーク１００８はビューポート戻りビームの光強度を示す可能性がある。一部の態様によれば、ピークの位置及び相互の関係は任意ではない。例えば図９Ｂから図９Ｄに記載されるように、主信号出力（最高ピーク－ピーク１００６）はＳｎレベル検出を示すピークとして指定される可能性がある。最高ピーク１００６の直前（又は図９Ｂから図９Ｄに示す直後）のピーク（ピーク１００４）がＳｎ純度の光強度を示し得ると更に判定される。更に一部の態様によれば、最初と最後の強度ピークは、ビューポートの光強度と関連するピークと判定される可能性があり、したがって、ビューポートの清浄度検出が測定される可能性がある。

[0119] 一部の態様によれば、受信器８１８の検出器アレイは、既知のθに基づいて受信信号の距離測定を相互に関連付けることができる。例えば、システム配置（例えば、光デバイス８０２の位置、ビューポート侵入及び戻り点、及びリザーバ寸法）が知られているため、相対ピークの予想位置は一定の位置範囲内にあると予想される可能性がある。したがって、検出器アレイ測定値は、深さ及び汚染レベルを決定するために９０４及び９０６を重視することがある。一部の態様では、光強度が９０４から９０６（例えば図９Ｃから図９Ｄ）に切り替わるときに、光デバイス８０２は、Ｓｎの深さと関連付けられたものとして９０６測定を用いることに切り替わり得る更なるプログラミングを含むことがある。また、光デバイス８０２は（それ自身のコントローラすなわちコントローラ３１０を介して）メッセージをオペレータに送信することがあり、調査を必要とする高い汚染レベルが検出されたことをオペレータに知らせる。

[0120] 図１１は、一部の実施形態に係るインライン補充システムにおけるソースレベルの検出方法１１００の例を示すフローチャートを示している。

[0121] 一部の態様によれば、方法１１００は、極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料のインライン供給を測定する方法である可能性がある。方法１１００は、ステップ１１０２に示すように、検査ビームを燃料タンクビューポートを介して放射燃料の上面に所定の入射角で指向させることを含む可能性がある。方法１１００はまた、ステップ１１０４に示すように、放射燃料の上面で反射された検査ビームの一部を、ビューポートに隣接して配置されたセンサで受信することを含む可能性がある。方法１１００はまた、ステップ１１０６に示すように、放射燃料の上面までの距離を測定することを含む可能性がある。更に方法１１００はまた、ステップ１１０８に示すように、測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算することを含む可能性がある。

[0122] 図１１には示されていないが、方法１１００は更に、検査ビームが複数の照射点に指向されること、及び計算が最高信号強度を有する１つ以上の反射に基づくことを含む可能性がある。また方法１１００は更に、計算された充填レベルを示す信号を、放射燃料を燃料タンク（例えばＰＲ７１４）に供給する第１の上流タンク（例えばＲＲ７０８）に送信することを含む可能性がある。一部の態様によれば、送信された信号は更に、充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して動作方針を維持するための第１の上流タンク（例えばＲＲ７０８）に対する動作方針維持コマンドを含む。例えば、ＰＲ７１４の充填レベルが、タンクが満杯でも空に近づいてもいない所定の充填範囲内にある場合に、センサ７２０は、ＲＲ７０８又はコントローラ３１０に関連付けられたセンサに動作方針を維持すべきである旨を送信することがある。

[0123] 一部の態様によれば、方法１１００は、計算された充填レベルを示す第２の信号を、Ｓｎを第１の上流タンク（例えばＲＲ７０８）に供給する第２の上流タンク（例えばＴＰＴ７０２）に送信することを更に含み、第２の上流タンクは放射燃料を収集し所定の温度に加熱するように構成されたタンクである可能性がある。一部の態様によれば、ＴＰＴ７０２は、Ｓｎを直接ＲＲ７０８に提供するか、又はＳｎを初めにＴＲＴ７０４に提供することがある。本明細書で指摘されているように、システム内のタンク及びリザーバの数／組み合わせは、システム要件及び求められるＤＧＡ７２２の必要性に基づいて展開される可能性がある。一部の態様によれば、方法１１００は更に、Ｓｎを加熱するのに必要な時間を考慮してＳｎを供給するための時間パラメータを送信することを含む可能性がある。一例では、ＴＰＴ７０２で（すなわち、コントローラ３１０又はセンサ７１６を介して）受信された信号はタイミングパラメータを含む可能性がある。タイミングパラメータは、例えばどれくらいの時間Ｓｎを加熱し溶解する必要があり得るか、フローシステム７１０ａ～ｅの導管の長さ、及びシステム内のタンク（例えばＲＲ７０８、ＴＲＴ７０４）の数を含むシステム要因を考慮する可能性がある。また第２の信号は更に、第２の上流タンク（例えばＴＰＴ７０２）に、収集し加熱した放射燃料を第１の上流タンク（例えば、ＴＲＴ７０４又はＲＲ７０８）に供給するタイミングを指示する可能性がある。また方法１１００は更に、加熱されるＳｎの量をセンサ７１６によって測定すること、及びＥＵＶ放射システムのインライン供給に入るＳｎの量を示す測定量をセンサ７２０に送信することを含む可能性がある。

[0124] 一部の態様によれば、方法１１００は、１つ以上の反射からの１つの他の反射信号（例えば、１００２、１００４、又は１００８）であって、最高信号強度を有する１つ以上の反射より低い強度を有する１つの他の反射信号を処理すること、及びビューポートに関連する汚染レベル（例えばビューポートの汚れがひどいこと）を示すオペレータメッセージを生成することを含む可能性がある。更に別の態様では、メッセージはＳｎに関連する汚染レベル（例えばＳｎ汚染が高すぎること）を示すことがある。

[0125] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラックユニット（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジユニット及び／又はインスペクションユニットで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0126] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0127] 本明細書に開示された例は、この開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。

[0128] 本開示の特定の態様が以上に記載されているが、これらの態様は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この記載は、本開示の実施形態を限定することを意図するものではない。

[0129] 背景、概要、及び要約のセクションではなく、詳細な説明のセクションが、特許請求の範囲を解釈するために使用されることが意図されていることを理解されたい。概要及び要約のセクションは、発明者によって企図される例示的な実施形態の全てではなく、１つ以上を説明することがあり、したがって、決して本発明の実施形態及び添付の特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。

[0130] 以上、特定の機能及びそれらの関係の実施を示す機能ビルディングブロックを使用して本開示の一部の態様について説明してきた。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することもできる。

[0131] 本開示の特定の態様の前述の説明は、態様の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本開示の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の態様を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された態様の均等物の意味及び範囲内にあることが意図される。

[0132] 本発明の他の態様を以下の番号付けされた条項に記載する。
１．極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定する方法であって、 検査ビームを燃料タンクビューポートを介して放射燃料の上面に所定の入射角で指向させること、
放射燃料の上面で反射された検査ビームの一部分をビューポートに隣接して配置されたセンサで受信すること、
検査ビームの送信位置の送信座標を決定すること、
検査ビームの受信した一部分の受信位置の受信座標を決定すること、
受信座標と送信座標との間の距離を測定すること、及び
測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算すること、
を含む、方法。
２．検査ビームが複数の照射点に指向され、計算が最高信号強度を有する１つ以上の反射に基づいている、条項１の方法。
３．計算した充填レベルを示す信号を、放射燃料を燃料タンクに供給する第１の上流タンクに送信することを更に含む、条項１の方法。
４．送信した信号が、充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して動作方針を維持するための第１の上流タンクに対する動作方針維持コマンドを更に含む、条項３の方法。
５．計算した充填レベルを示す第２の信号を、放射燃料を第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに送信することを更に含み、第２の上流タンクが放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、条項３の方法。
６．放射燃料が、スズ（Ｓｎ）であり、第２の信号を送信することが、スズを加熱するのに必要な時間を考慮して、スズを供給するための時間パラメータを送信することを更に含む、条項５の方法。
７．第２の信号が更に、第２の上流タンクに、収集し加熱した放射燃料を第１の上流タンクに供給するように指示する、条項５の方法。
８．加熱される放射燃料の量を測定すること、及び、
ＥＵＶ放射システムの燃料供給レベルに入る放射燃料の量を示す測定した量をセンサに送信すること、
を更に含む、条項７の方法。
９．１つ以上の反射からの１つの他の反射信号であって、最高信号強度を有する１つ以上の反射より低い強度を有する１つの他の反射信号を処理すること、及び、
ビューポートに関連する汚染レベルを示すオペレータメッセージを生成すること、
を更に含む、条項３の方法。
１０．燃料タンクが直立姿勢からずれた角度で配置されていることに応答して、タンク内の燃料レベルを示す、タンク壁からの検査ビームの受信した一部分のタンク光強度反射を測定すること、及び、
燃料の純度レベルを示す、燃料タンク内の燃料からの燃料光強度反射を測定すること、
を更に含む、条項１の方法。
１１．極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定するための、燃料タンクビューポートに隣接して配置された測定デバイスであって、
検査ビームを燃料タンクビューポートを介して放射燃料の上面に所定の入射角で指向させる送信器と、
放射燃料の上面で反射された検査ビームの一部分を受信する受信器と、
検査ビームの送信位置の送信座標を決定し、検査ビームの受信した一部分の受信位置の受信座標を決定し、受信座標と送信座標との間の距離を測定し、測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算する、処理回路と、
を備えた、測定デバイス。
１２．検査ビームが複数の照射点に指向され、計算が最高信号強度を有する１つ以上の反射に基づいている、条項１１の測定デバイス。
１３．処理回路が更に、計算した充填レベルを示す信号を、放射燃料を燃料タンクに供給する第１の上流タンクに送信する、条項１１の測定デバイス。
１４．送信した信号が、充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して動作方針を維持するための第１の上流タンクに対する動作方針維持コマンドを更に含む、条項１３の測定デバイス。
１５．処理回路が更に、計算した充填レベルを示す第２の信号を、放射燃料を第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに送信し、第２の上流タンクが放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、条項１３の測定デバイス。
１６．放射燃料が、スズ（Ｓｎ）であり、
処理回路が更に、スズを加熱するのに必要な時間を考慮して、スズを供給するための時間パラメータを第２の信号に含めて送信する、条項１５の測定デバイス。
１７．第２の信号が更に、第２の上流タンクに、収集し加熱した放射燃料を第１の上流タンクに供給するように指示する、条項１５の測定デバイス。
１８．処理回路が更に、
加熱され第１の上流タンクに供給される測定された量の放射燃料を、第２の上流タンクに関連付けられたセンサから受け取り、
ＥＵＶ放射システムの燃料充填レベルに入る放射燃料の量を示す測定値を更新し、
加熱した放射燃料が燃料タンクに到達すると予想される時間間隔を計算する、条項１７の測定デバイス。
１９．処理回路が更に、
１つ以上の反射からの１つの他の反射信号であって、最高信号強度を有する１つ以上の反射より低い強度を有する１つの他の反射信号を処理し、
ビューポートに関連する汚染レベルを示すオペレータメッセージを生成する、条項１３の測定デバイス。
２０．処理回路が更に、
燃料タンクが直立姿勢からずれた角度で配置されていることに応答して、タンク内の燃料レベルを示す、タンク壁からのタンク光強度反射を測定し、
燃料の純度レベルを示す、燃料タンク内の燃料からの燃料光強度反射を測定する、条項１１の測定デバイス。
２１．極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定するための、燃料タンク内に位置する測定デバイスであって、測定センサと、処理回路を備えたコントローラと、を備え、
測定センサが、それぞれ１つが放射燃料と接触したことに応答して信号を発生させ、燃料タンク内に延在し、複数の気密高圧シールを介して燃料タンクに接続する複数のプローブを備え、
コントローラが、１つ以上の発生された信号を受信することに応答して燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、出力信号を少なくとも１つの他のコントローラに送信する、測定デバイス。
２２．少なくとも１つの他のコントローラが、放射燃料を燃料タンクに供給する第１の上流タンクに関連付けられた第１の上流コントローラである、条項２１の測定デバイス。
２３．送信した出力信号が、充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して供給動作方針を維持するための第１の上流コントローラに対する動作方針維持コマンドを含む、条項２２の測定デバイス。
２４．コントローラが更に、計算した充填レベルを示す第２の信号を、放射燃料を第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに関連付けられた第２の上流コントローラに送信し、第２の上流タンクが放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、条項２２の測定デバイス。
２５．放射燃料が、スズ（Ｓｎ）であり、
コントローラが更に、スズを加熱するのに必要な時間に基づいて、スズを供給するための時間パラメータを第２の信号に含めて送信する、条項２４の測定デバイス。
２６．第２の信号が更に、第２の上流コントローラに、収集し加熱した放射燃料を第１の上流タンクに供給するように指示する、条項２４の測定デバイス。
２７．コントローラが更に、
加熱され第１の上流タンクに供給される測定された量の放射燃料を、第２の上流コントローラから受け取り、
ＥＵＶ放射システムの燃料充填レベルに入る放射燃料の量を示す測定値を更新し、
加熱した放射燃料が燃料タンクに到達すると予想される時間間隔を計算する、条項２６の測定デバイス。
２８．複数のプローブが、燃料タンク内の異なる深さまで下方に延在する、条項２１の測定デバイス。
２９．複数のプローブが、異なる垂直位置でタンク内に横方向に延在する、条項２１の測定デバイス。
３０．第１のセンサデバイス及び第１のコントローラに結合された第１の燃料タンクと、第２のセンサデバイス及び第２のコントローラに結合された第２の燃料タンクと、を備えたリソグラフィ放射システムであって、
第２の燃料タンクが、燃料充填システム内の第１の燃料タンクの上流に位置し、放射燃料をリソグラフィ放射システムに提供し、
第１のコントローラが、第１の燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、出力信号を第２のコントローラに送信する、
リソグラフィ放射システム。
３１．第１のセンサデバイスが、光センサである、条項３０のリソグラフィ放射システム。
３２．光センサが、
検査ビームを第１のタンクビューポートを介して放射燃料の上面に所定の入射角で指向させ、
放射の上面で反射された検査ビームの一部分を受信する、条項３１のリソグラフィ放射システム。
３３．光センサが更に、
検査ビームの送信位置の送信座標を決定し、
検査ビームの受信した一部分の受信位置の受信座標を決定し、
受信座標と送信座標との間の距離を測定する、条項３２のリソグラフィ放射システム。
３４．光センサが更に、測定した距離に基づいて燃料タンク内の放射燃料の充填レベルを計算する、条項３３のリソグラフィ放射システム。
３５．第１のセンサデバイスが燃料タンク内に位置する、条項３０のリソグラフィ放射システム。
３６．測定センサが、それぞれ１つが放射燃料と接触したことに応答して信号を発生させて燃料タンク内に延在する複数のプローブを備える、条項３５のリソグラフィ放射システム。
３７．複数のプローブが複数の気密高圧シールを介して燃料タンクに接続する、条項３６のリソグラフィ放射システム。
３８．処理回路を備えたコントローラを更に備え、
コントローラが、
１つ以上の発生された信号を受信することに応答して燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、
計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、
出力信号を少なくとも１つの他のコントローラに送信する、条項３５のリソグラフィ放射システム。
３９．少なくとも１つの他のコントローラが、放射燃料を燃料タンクに供給する第１の上流タンクに関連付けられた第１の上流コントローラである、条項３８のリソグラフィ放射システム。
４０．送信した信号が、充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して供給動作方針を維持するための第１の上流コントローラに対する動作方針維持コマンドを含む、条項３９のリソグラフィ放射システム。
４１．複数のプローブが燃料タンク内の異なる深さまで下方に延在する、条項３７のリソグラフィ放射システム。
４２．複数のプローブが異なる垂直位置でタンク内に横方向に延在する、条項３７のリソグラフィ放射システム。

[0133] 本開示の幅及び範囲は、上記の例示的な態様又は実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。

Claims (42)

1. 極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定する方法であって、
   燃料タンクビューポートを介して検査ビームを前記放射燃料の上面に所定の入射角で指向させることと、
   前記放射燃料の前記上面で反射された前記検査ビームの一部分を前記ビューポートに隣接して配置されたセンサで受信することと、
   前記検査ビームの送信位置の送信座標を決定することと、
   前記検査ビームの前記受信した一部分の受信位置の受信座標を決定することと、
   前記受信座標と前記送信座標との間の距離を測定することと、
   前記測定した距離に基づいて前記燃料タンク内の前記放射燃料の前記充填レベルを計算することと、
   を含む、方法。
2. 前記検査ビームは、複数の照射点に指向され、
   前記計算は、最高信号強度を有する１つ以上の反射に基づいている、請求項１の方法。
3. 前記計算した充填レベルを示す信号を、前記放射燃料を前記燃料タンクに供給する第１の上流タンクに送信することを更に含む、請求項１の方法。
4. 前記送信した信号は、前記充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して動作方針を維持するための前記第１の上流タンクに対する動作方針維持コマンドを更に含む、請求項３の方法。
5. 前記計算した充填レベルを示す第２の信号を、前記放射燃料を前記第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに送信することを更に含み、
   前記第２の上流タンクは、前記放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、請求項３の方法。
6. 前記放射燃料は、スズ（Ｓｎ）であり、
   前記第２の信号を送信することは、前記スズを加熱するのに必要な時間を考慮して、前記スズを供給するための時間パラメータを送信することを更に含む、請求項５の方法。
7. 前記第２の信号は更に、前記第２の上流タンクに、前記収集し加熱した放射燃料を前記第１の上流タンクに供給するように指示する、請求項５の方法。
8. 加熱される放射燃料の量を測定することと、
   前記ＥＵＶ放射システムの燃料供給レベルに入る放射燃料の量を示す測定した前記量を前記センサに送信することと、
   を更に含む、請求項７の方法。
9. 前記１つ以上の反射からの１つの他の反射信号であって、前記最高信号強度を有する前記１つ以上の反射より低い強度を有する１つの他の反射信号を処理することと、
   前記ビューポートに関連する汚染レベルを示すオペレータメッセージを生成することと、
   を更に含む、請求項３の方法。
10. 前記燃料タンクが直立姿勢からずれた角度で配置されていることに応答して、前記タンク内の燃料レベルを示す、タンク壁からの前記検査ビームの前記受信した一部分のタンク光強度反射を測定することと、
    前記燃料の純度レベルを示す、前記燃料タンク内の前記燃料からの燃料光強度反射を測定することと、
    を更に含む、請求項１の方法。
11. 極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定するための、燃料タンクビューポートに隣接して配置された測定デバイスであって、
    前記燃料タンクビューポートを介して検査ビームを前記放射燃料の上面に所定の入射角で指向させる送信器と、
    前記放射燃料の前記上面で反射された前記検査ビームの一部分を受信する受信器と、
    前記検査ビームの送信位置の送信座標を決定し、前記検査ビームの前記受信した一部分の受信位置の受信座標を決定し、前記受信座標と前記送信座標との間の距離を測定し、前記測定した距離に基づいて前記燃料タンク内の前記放射燃料の充填レベルを計算する、処理回路と、
    を備えた、測定デバイス。
12. 前記検査ビームは、複数の照射点に指向され、
    前記計算は、最高信号強度を有する１つ以上の反射に基づいている、請求項１１の測定デバイス。
13. 前記処理回路は更に、前記計算した充填レベルを示す信号を、前記放射燃料を前記燃料タンクに供給する第１の上流タンクに送信する、請求項１１の測定デバイス。
14. 前記送信した信号は、前記充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して動作方針を維持するための前記第１の上流タンクに対する動作方針維持コマンドを更に含む、請求項１３の測定デバイス。
15. 前記処理回路は更に、前記計算した充填レベルを示す第２の信号を、前記放射燃料を前記第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに送信し、
    前記第２の上流タンクは、前記放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、請求項１３の測定デバイス。
16. 前記放射燃料は、スズ（Ｓｎ）であり、
    前記処理回路は更に、前記スズを加熱するのに必要な時間を考慮して、前記スズを供給するための時間パラメータを前記第２の信号に含めて送信する、請求項１５の測定デバイス。
17. 前記第２の信号は更に、前記第２の上流タンクに、前記収集し加熱した放射燃料を前記第１の上流タンクに供給するように指示する、請求項１５の測定デバイス。
18. 前記処理回路は更に、
    加熱され前記第１の上流タンクに供給される測定された量の放射燃料を、前記第２の上流タンクに関連付けられたセンサから受け取り、
    前記ＥＵＶ放射システムの前記燃料充填レベルに入る放射燃料の量を示す測定値を更新し、
    前記加熱した放射燃料が前記燃料タンクに到達すると予想される時間間隔を計算する、請求項１７の測定デバイス。
19. 前記処理回路は更に、
    前記１つ以上の反射からの１つの他の反射信号であって、前記最高信号強度を有する前記１つ以上の反射より低い強度を有する１つの他の反射信号を処理し、
    前記ビューポートに関連する汚染レベルを示すオペレータメッセージを生成する、請求項１３の測定デバイス。
20. 前記処理回路は更に、
    前記燃料タンクが直立姿勢からずれた角度で配置されていることに応答して、前記タンク内の燃料レベルを示す、タンク壁からのタンク光強度反射を測定し、
    前記燃料の純度レベルを示す、前記燃料タンク内の前記燃料からの燃料光強度反射を測定する、請求項１１の測定デバイス。
21. 極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおいて放射燃料の燃料充填レベルを測定するための、燃料タンク内に位置する測定デバイスであって、測定センサと、処理回路を備えたコントローラと、を備え、
    前記測定センサは、それぞれ１つが前記放射燃料と接触したことに応答して信号を発生させ、前記燃料タンク内に延在し、複数の気密高圧シールを介して前記燃料タンクに接続する複数のプローブを備え、
    前記コントローラは、１つ以上の発生された信号を受信することに応答して前記燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、前記計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、前記出力信号を少なくとも１つの他のコントローラに送信する、
    測定デバイス。
22. 前記少なくとも１つの他のコントローラは、前記放射燃料を前記燃料タンクに供給する第１の上流タンクに関連付けられた第１の上流コントローラである、請求項２１の測定デバイス。
23. 前記送信した出力信号は、前記充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して供給動作方針を維持するための前記第１の上流コントローラに対する動作方針維持コマンドを含む、請求項２２の測定デバイス。
24. 前記コントローラは更に、前記計算した充填レベルを示す第２の信号を、前記放射燃料を前記第１の上流タンクに供給する第２の上流タンクに関連付けられた第２の上流コントローラに送信し、
    前記第２の上流タンクは、前記放射燃料を収集し所定の温度に加熱するタンクである、請求項２２の測定デバイス。
25. 前記放射燃料は、スズ（Ｓｎ）であり、
    前記コントローラは更に、前記スズを加熱するのに必要な時間に基づいて、前記スズを供給するための時間パラメータを前記第２の信号に含めて送信する、請求項２４の測定デバイス。
26. 前記第２の信号は更に、前記第２の上流コントローラに、前記収集し加熱した放射燃料を前記第１の上流タンクに供給するように指示する、請求項２４の測定デバイス。
27. 前記コントローラは更に、
    加熱され前記第１の上流タンクに供給される測定された量の放射燃料を、前記第２の上流コントローラから受け取り、
    前記ＥＵＶ放射システムの前記燃料充填レベルに入る放射燃料の量を示す測定値を更新し、
    前記加熱した放射燃料が前記燃料タンクに到達すると予想される時間間隔を計算する、請求項２６の測定デバイス。
28. 前記複数のプローブは、前記燃料タンク内の異なる深さまで下方に延在する、請求項２１の測定デバイス。
29. 前記複数のプローブは、異なる垂直位置で前記タンク内に横方向に延在する、請求項２１の測定デバイス。
30. 第１のセンサデバイス及び第１のコントローラに結合された第１の燃料タンクと、第２のセンサデバイス及び第２のコントローラに結合された第２の燃料タンクと、を備えたリソグラフィ放射システムであって、
    前記第２の燃料タンクは、燃料充填システム内の前記第１の燃料タンクの上流に位置し、放射燃料を前記リソグラフィ放射システムに提供し、
    前記第１のコントローラは、前記第１の燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、前記計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、前記出力信号を前記第２のコントローラに送信する、
    リソグラフィ放射システム。
31. 前記第１のセンサデバイスは、光センサである、請求項３０のリソグラフィ放射システム。
32. 前記光センサは、
    検査ビームを第１のタンクビューポートを介して前記放射燃料の上面に所定の入射角で指向させ、
    前記放射の前記上面で反射された前記検査ビームの一部分を受信する、請求項３１のリソグラフィ放射システム。
33. 前記光センサは更に、
    前記検査ビームの送信位置の送信座標を決定し、
    前記検査ビームの前記受信した一部分の受信位置の受信座標を決定し、
    前記受信座標と前記送信座標との間の距離を測定する、請求項３２のリソグラフィ放射システム。
34. 前記光センサは更に、前記測定した距離に基づいて前記燃料タンク内の前記放射燃料の充填レベルを計算する、請求項３３のリソグラフィ放射システム。
35. 前記第１のセンサデバイスは、燃料タンク内に位置する、請求項３０のリソグラフィ放射システム。
36. 前記測定センサは、それぞれ１つが前記放射燃料と接触したことに応答して信号を発生させて前記燃料タンク内に延在する複数のプローブを備える、請求項３５のリソグラフィ放射システム。
37. 前記複数のプローブは、複数の気密高圧シールを介して前記燃料タンクに接続する、請求項３６のリソグラフィ放射システム。
38. 処理回路を備えたコントローラを更に備え、
    前記コントローラは、
    １つ以上の発生された信号を受信することに応答して前記燃料タンク内の燃料充填レベルを計算し、
    前記計算した充填レベルを示す出力信号を発生させ、
    前記出力信号を少なくとも１つの他のコントローラに送信する、請求項３５のリソグラフィ放射システム。
39. 前記少なくとも１つの他のコントローラは、前記放射燃料を前記燃料タンクに供給する第１の上流タンクに関連付けられた第１の上流コントローラである、請求項３８のリソグラフィ放射システム。
40. 前記送信した信号は、前記充填レベルが所定の閾値内にあることに応答して供給動作方針を維持するための前記第１の上流コントローラに対する動作方針維持コマンドを含む、請求項３９のリソグラフィ放射システム。
41. 前記複数のプローブは、前記燃料タンク内の異なる深さまで下方に延在する、請求項３７のリソグラフィ放射システム。
42. 前記複数のプローブは、異なる垂直位置で前記タンク内に横方向に延在する、請求項３７のリソグラフィ放射システム。

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