JP2023506424A - コレクタ流リング - Google Patents

Abstract

極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するように構成されたコレクタ流リング（ＣＦＲ）ハウジングのためのシステム、装置、及び方法が提供される。例示的なＣＦＲハウジングが、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口を備える可能性がある。例示的なＣＦＲハウジングは、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面に出力するように構成された溝パージ流路出口を更に備える可能性がある。例示的なＣＦＲハウジングは、シュラウドアセンブリを支持するように構成されたシュラウド取付構造、流体を輸送するように構成された冷却流路、及び複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポートを更に備える可能性がある。【選択図】 図５

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０１９年１２月２３日に出願されたCOLLECTOR FLOW RINGと題する米国出願第６２／９５３，０６７号の優先権を主張し、また２０２０年２月５日に出願されたCOLLECTOR FLOW RINGと題する米国出願第６２／９７０，４９７号の優先権を主張するものであり、両出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、極端紫外線（ＥＵＶ）放射システム用のコレクタ及びコレクタ流リングに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、交換可能にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（例えばレジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に、すなわち反対に、同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 極端紫外（ＥＵＶ）光、例えば、およそ５０ナノメートル（ｎｍ）以下の波長を有し（軟ｘ線と呼ばれることもある）、約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射が、基板、例えばシリコンウェーハの中又は上に極めて小さいフィーチャを生成するために使用される可能性がある。ＥＵＶ光を生成するための方法は、例えばキセノン（Ｘｅ）、リチウム（Ｌｉ）、又はスズ（Ｓｎ）などの元素を有し、ＥＵＶ範囲内に輝線を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれるこうした一方法において、プラズマは、ＬＰＰ源との関連で燃料と交換可能に呼ばれる、例えば、材料の液滴、プレート、テープ、ストリーム、又はクラスタの形のターゲット材料に、ドライブレーザと呼ばれ得る増幅光ビームを照射することによって生成可能である。このプロセスの場合、プラズマは、典型的には、密閉容器、例えば真空チャンバ内で生成され、様々なタイプの計測機器を使用して監視される。

[0005] 伝統的なスズベースの放射源容器の内側では、保護水素（Ｈ２）ガス、熱遮蔽、及び正確なシュラウド取り付けなどの多くの機能は、スズの蓄積を防止しながら計測視野（ＦＯＶ）や液滴路クリアランスも考慮に入れなければならない。現在、これらの問題のそれぞれに個別に対処するのに使用される多くの別個のモジュールが存在する。例えば、アクティブな熱シールドが望ましくない熱流束を吸収し、周辺流リングコレクタモジュールがシュラウド取り付けを行い、周辺Ｈ２流を与え、これらのモジュール内の切欠きが計測ＦＯＶを考慮し、迷光を屈折させる。しかしながら、この伝統的な放射源容器には、流れ羽根の下にシャワーヘッド流を提供するハードウェアはない。更に、シャワーヘッド流保護の追加を可能にする（ｉ）単一モジュール又は（ｉｉ）現在のモジュールの変更のいずれかを追加する方法はない。

[0006] 本開示は、燃料デブリの蓄積を軽減し、熱を除去し、光計測を提供するように構成されたコレクタ流リング（ＣＦＲ）ハウジングを製造及び使用するためのシステム、装置、及び方法の様々な態様、及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける様々な他の態様を説明する。

[0007] 一部の態様では、本開示は、ＥＵＶ放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するように構成されたＣＦＲハウジングを説明する。ＣＦＲハウジングは、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口を備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面に出力するように構成された溝パージ流路出口を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、シュラウドアセンブリを支持するように構成されたシュラウド取付構造を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジングの少なくとも一部から熱を除去するように構成された流体を輸送するように構成された冷却流路を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポートを更に備える可能性がある。

[0008] 一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口、溝パージ流路出口、及び複数の光計測ポートは、単体の材料であり得る、コレクタ流リングハウジングの本体に配設される、すなわち形成される。

[0009] 一部の態様では、本開示はＥＵＶ放射源を説明する。ＥＵＶ放射源は、燃料材料を、ＥＵＶ放射を放出するように構成されているプラズマを発生させるように構成されている照射場所で照明するように構成されている光パルスを発生させるように構成されたレーザ源を備える可能性がある。ＥＵＶ放射源は、燃料材料を照射場所に送出するように構成された燃料源を更に備える可能性がある。ＥＵＶ放射源は、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口を備えるＣＦＲハウジングを更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面に出力するように構成された溝パージ流路出口を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、シュラウドアセンブリを支持するように構成されたシュラウド取付構造を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジングの少なくとも一部から熱を除去するように構成された液体流体を輸送するように構成された冷却流路を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポートを更に備える可能性がある。ＥＵＶ放射源は、レーザ源に光パルスの発生を指示するように構成された第１の制御信号を発生させるように構成されたコントローラを更に備える可能性がある。コントローラは、燃料源に燃料材料の送出を指示するように構成された第２の制御信号を発生させるように更に構成されている可能性がある。コントローラは、ガス流体源に複数のシャワーヘッド流路出口からの複数の第１のガス流体流の出力の制御を指示するように構成された第３の制御信号を発生させるように更に構成されている可能性がある。第３の制御信号は、ガス流体源に溝パージ流路出口からの第２のガス流体流の出力の制御を指示するように更に構成されている可能性がある。コントローラは、液体流体源に冷却流路における液体流体の輸送の制御を指示するように構成された第４の制御信号を発生させるように更に構成されている可能性がある。

[0010] 一部の態様では、本開示は、極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するように構成されたＣＦＲハウジングを製造する方法を説明する。方法は、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口を形成することを含む可能性がある。方法は、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面に出力するように構成された溝パージ流路出口を形成することを更に含む可能性がある。方法は、シュラウドアセンブリを支持するように構成されたシュラウド取付構造を形成することを更に含む可能性がある。方法は、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジングの少なくとも一部から熱を除去するように構成された流体を輸送するように構成された冷却流路を形成することを更に含む可能性がある。方法は、複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポートを形成することを更に含む可能性がある。

[0011] 更なる特徴及び様々な態様の構造及び作用が、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本開示が本明細書に記載する特定の態様に限定されないことに留意されたい。このような態様は、例示のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて更なる態様が当業者に明らかになるであろう。

[0012] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に本開示の態様の原理を説明し、当業者が本開示の態様を作成して使用できるようにする働きをする。

[0013] 本開示の一部の態様に係る例示的な反射型リソグラフィ装置の概略図である。 [0014] 本開示の一部の態様に係る例示的な透過型リソグラフィ装置の概略図である。 [0015] 本開示の一部の態様に係る図１Ａに示した反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 [0016] 本開示の一部の態様に係る例示的なリソグラフィセルの概略図である。 [0017] 本開示の一部の態様に係る例示的な反射型リソグラフィ装置の例示的な放射源の概略図である。 [0018] 本開示の一部の態様に係る例示的なコレクタ流リングの概略図である。 [0019] 本開示の一部の態様に係る例示的なコレクタ流リングの例示的な領域の各部分の概略図である。 [0019] 本開示の一部の態様に係る例示的なコレクタ流リングの例示的な領域の各部分の概略図である。 [0019] 本開示の一部の態様に係る例示的なコレクタ流リングの例示的な領域の各部分の概略図である。 [0019] 本開示の一部の態様に係る例示的なコレクタ流リングの例示的な領域の各部分の概略図である。 [0020] 本開示の一部の態様に係る装置又はその（１つ以上の）部分を製造する方法のある例を示すフローチャートである。

[0021] 本発明の特徴及び利点は、図面と併せて解釈すると、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面では、一般に、他に示されない限り、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。さらに、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0022] 本明細書は、本開示の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示された１つ又は複数の実施形態は、単に本開示を説明するだけである。本開示の範囲は、開示された１つ又は複数の実施形態に限定されない。本開示の幅及び範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲及びそれらの均等物によって定義される。

[0023] 記載された１つ又は複数の実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」、「例示的な実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0024] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

[0025] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

概説
[0026] 従来の放射源容器とは対照的に、本開示は、多くの個別のモジュールを単一の装置に統合するコレクタ流リング（ＣＦＲ）を有する放射源容器を提供し、多くの場合、多くの特徴が放射源容器をモジュール化する単一の機械加工部品の一部を形成する。例えば、本明細書に開示される放射源容器は、周辺流機能を放射コレクタからＣＦＲに移動し、シュラウド取付機能を放射コレクタからＣＦＲに移動し、パージ流機能をＣＦＲに追加する。更に、本明細書に開示される放射源容器は、プラズマ対向面をきれいにしておくためのシャワーヘッド流機能と、スズが流れ羽根の下方の加熱溝からオーバーフローするのを防ぐためのパージ流機能とをＣＦＲに追加する。一部の態様では、周辺流リングを放射コレクタからＣＦＲに移動することによって、且つこれらの機能を単一の装置に統合することによって、本明細書に開示される放射源容器は、保守性及びアップグレード性を向上させ、ハードウェアコストを削減する。

[0027] 一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、熱遮蔽、シュラウド取り付け、迷光の偏向、液滴の通過、計測ＦＯＶ、プラズマ対向面の防ガス、オーバーフローを防ぐための溝への流れの誘導の機能、及び本明細書に開示される他の機能の全てを単一の装置に統合する。一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、計測流の排出経路を提供する。一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、スズ書込みをきれいにするための取り外し可能なインサート（本明細書ではスズ書込みインサートと呼ばれる）のためのスペースを確保する。一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、従来の放射源容器の電力（例えば２５０Ｗ）よりも高い電力（例えば３５０Ｗ）を扱うことができる。一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、７年の寿命について約２時間未満の保守性を有する可能性がある。一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、干渉を避け、放射コレクタを正確に位置決めするように放射コレクタを導く。

[0028] 一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは、以下の機能を単一のアセンブリに統合する。すなわち、分かれた周辺流のための周辺流リング形状、表面をスズのない状態に保つためにプラズマ対向面に加えられるシャワーヘッド流、スズが流れ羽根の溝からオーバーフロー流出するのを防ぐために加えられる溝パージ流、シャワーヘッド流及び溝流を供給し、約３％未満の不均一性を与えること、複数の計測ポート（例えば１３個の計測ポート）についての計測ＦＯＶ、熱を逃がすための能動冷却、シュラウド取り付け、迷光偏向、スズ書込みインサート設計のためのプレースホルダ（例えばスズ書込みインサートをアップグレードする能力を提供する）、可撓性シールが計測流排出手段を含み、ＣＦＲ位置のずれに適応できること、及び放射コレクタに設置用の経路及び約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロン以内のアライメントを与えるための精密に製造されたガイドレール。

[0029] 一部の態様では、本明細書に開示されるＣＦＲは以下の特徴を統合する。
[0030] １．上述のモジュールの機能を統合し、シャワーヘッド流の新しい機能を備えることによって、熱冷却、ガス流、及び精密アライメントを単一の装置に統合可能な単一の装置。
[0031] ２．シャワーヘッド流：スズのない状態に保つためのプラズマ対向面のＨ２流保護（ペクレ）。
[0032] ３．溝パージ流：流れ羽根溝の内部を流れるスズがあふれるのを防ぐのに使用される流れ。
[0033] ４．シャワーヘッド流及び溝流の共有プレナム：受動的手段によるＨ２の共有されたプレナム及び単一の入口源からの予測可能且つ均一な流れ出口。
[0034] ５．熱シールド、精密取り付け、コレクタ誘導、流れ供給、液滴通過、及び光学ＦＯＶ通過を統合する単一装置設計。
[0035] ６．コレクタ誘導：放射コレクタを安全経路に沿って正確に位置決めされた取付位置に（例えば、約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロンの許容範囲内で）誘導するガイドレール。
[0036] ７．計測流シール：放射源容器内壁とＣＦＲの計測管の間のギャップをＣＦＲの位置許容範囲内（例えば、約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロンの許容範囲内）に縮めることができる抵抗シール。
[0037] ８．熱経路が従来の設計よりも短くなることを可能にするＯリングとガスケットシールの結合構造を有するＨ２プレナム内の冷却水路。
[0038] ９．自己センタリングする精密なシュラウド取り付け。シュラウドは燃料ターゲット（例えば液滴）を保護するように構成されている可能性がある。
[0039] １０．チューブ（例えばプレナム間の流れをシールするための締まりばめチューブ）をはめ込む穿孔操作によって発生し得るブレイクスルーをシールするために挿入計測管を使用する締まりばめ計測管シーリング
[0040] １１．１つの入口及び共有プレナムを用いて低い不均一性を与えるチョーク／制限流れ構造。
[0041] １２．カスタムねじ切りを有する計測管内で散乱する迷光。

[0042] 本明細書に開示される放射源容器及びＣＦＲには多くの利点及び利益がある。例えば、本開示の様々な態様は、モジュール性（例えば、改善された保守性、高いアップグレード性）、改善された性能（例えば、単一装置に含まれたより多くの機能）、可用性の向上（例えば、従来の放射源容器よりもスズの堆積が減少し、保守性が迅速である）、及びコスト削減（例えば、周辺流機能をＣＦＲに組み込むことは、従来の設計のように周辺流機能を放射コレクタに組み込むことよりも安価である可能性がある）を提供する。

[0043] このような態様を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

例示的なリソグラフィシステム
[0044] 図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の態様が実施され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’それぞれの概略図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、リソグラフィ装置１００及び１００’は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｚ軸が上を指す）に垂直な視点から示される（例えば側面図）が、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｙ軸が上を指す）に垂直な別の視点から示される（例えば上面図）。

[0045] リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は、それぞれ以下のものを備える。放射ビームＢ（例えば、深紫外線（ＤＵＶ）放射ビーム又は極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビーム）を調節するように構成された照明システムＩＬ（例えばイルミネータ）、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）を支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）、及び基板Ｗ（例えばレジストコートウェーハ）を保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブルＷＴ（例えばウェーハテーブル）などの基板ホルダ。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む部分）に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0046] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0047] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

[0048] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0049] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0050] 本明細書において使用する「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含んでいてもよい。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0051] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

[0052] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプであり得る。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために提供される。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0053] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームＢを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂに示される）を介して照明システムＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0054] 照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（例えば図１Ｂに示す）を備える可能性がある。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及び放射コレクタＣＯ（例えば、コンデンサ又はコレクタ系）などの他の様々なコンポーネント（例えば図１Ｂに示す）を備える可能性がある。照明システムＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用される可能性がある。

[0055] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に保持されるパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡから反射される。パターニングデバイスＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦＤ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦＤ１（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１及びＭ２並びに基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使用して、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0056] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。パターニングデバイスＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。

[0057] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマスクパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（例えば、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は実質的に平面に配置される。

[0058] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズグループＬを用いて、ゼロ次回折ビームのみならず、１次又は１次以上の回折ビーム（図示せず）も、キャプチャするように配置される。一部の態様では、ダイポール照明の解像度向上効果を利用するために、ラインと垂直な方向に延在するラインパターンを結像するためのダイポール照明を使用することができる。例えば、１次回折ビームは、基板Ｗのレベルで対応するゼロ次回折ビームに干渉して、可能な最高解像度及びプロセスウィンドウ（例えば、許容露光ドーズ偏差と組み合わせて使用可能な焦点の深度）において、マスクパターンＭＰの像を作成する。一部の態様では、照明システム瞳ＩＰＵの対向する象限に放射極（図示せず）を提供することによって非点収差を低減することができる。更に、一部の態様では、対向する象限の放射極に関連付けられた投影システムの共役な瞳ＰＰＵでゼロ次ビームを遮断することによって非点収差を低減することができる。このことは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２００９年３月３１日発行の米国特許第７，５１１，７９９号により詳細に説明されている。

[0059] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦＤ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0060] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークポジショナ（粗動位置決め）及びショートストロークポジショナ（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークポジショナ及びショートストロークポジショナを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（例えばスクライブラインアライメントマーク）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0061] 支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。場合によっては真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

[0062] 図示のリソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0063] １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
[0064] ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
[0065] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスＭＡを保持して実質的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスＭＡは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0066] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0067] 更なる態様では、リソグラフィ装置１００はＥＵＶ源を備える。ＥＵＶ源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるように構成されている。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム内に構成されており、対応する照明システムが、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。

[0068] 図２は、放射源ＳＯ（例えばソースコレクタ装置）、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを備えるリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。図２に示すように、リソグラフィ装置１００は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸が右を指し、Ｚ軸が上を指す）に垂直な視点から示される（例えば側面図）。

[0069] 放射源ＳＯは、閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。放射源ＳＯは、ソースチャンバ２１１及びコレクタチャンバ２１２を備え、ＥＵＶ放射を生成して透過させるように構成されている。ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために生成される、ガス又は蒸気、例えばキセノン（Ｘｅ）ガス、リチウム（Ｌｉ）蒸気、又はスズ（Ｓｎ）蒸気によって生成される可能性がある。少なくとも部分的に電離したＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、例えば放電又はレーザビームによって生成される可能性がある。効率的な放射発生のため、例えば分圧が約１０．０パスカル（Ｐａ）のＸｅガス、Ｌｉ蒸気、Ｓｎ蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が使用される可能性がある。一部の態様では、励起したスズのプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0070] ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が放出した放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、ソースチャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに配置される任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（例えば、場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含む可能性がある。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含む可能性もある。本明細書で更に示す汚染物質トラップ２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

[0071] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタであり得る放射コレクタＣＯ（例えば、コンデンサ又はコレクタ系）を備える可能性がある。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。放射コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想光源点ＩＦに集束される可能性がある。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置されている。仮想光源点ＩＦは、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

[0072] 続いて放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えるとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備える可能性がある。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳによって反射要素２２８、２２９を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0073] 一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在する可能性がある。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在する可能性がある。更に、図２に示したものよりも多くのミラーが存在する可能性がある。例えば投影システムＰＳには、図２に示したものに比べて１から６個の追加の反射要素が存在する可能性がある。

[0074] 図２に示すような放射コレクタＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称に配設され、このタイプの放射コレクタＣＯは、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と組み合わせて好適に用いられる。

例示的なリソグラフィセル
[0075] 図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を構成する可能性がある。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を備える可能性がある。例えば、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫを備える可能性がある。基板ハンドラＲＯ（例えばロボット）が、入力／出力ポートＩ／Ｏ１及びＩ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように操作される可能性がある。

例示的な放射源
[0076] 例示的な反射型リソグラフィ装置用の放射源ＳＯのある例が図４に示されている。図４に示すように、放射源ＳＯは、下記のＸＹ平面に垂直である視点から示されている（例えば上面図）。

[0077] 図４に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザを備え得るレーザシステム４０１が、燃料ターゲット発生器４０３（例えば、燃料放出器、液滴発生器）から提供される１つ以上の個別のスズ（Ｓｎ）液滴などの燃料ターゲット４０３’に１つ以上のレーザビーム４０２を介してエネルギーを付与するように配置されている。一部の態様によれば、レーザシステム４０１は、パルス連続発振又は準連続発振レーザである可能性があるか、パルス連続発振又は準連続発振レーザのように動作する可能性がある。燃料ターゲット発生器４０３から放出された燃料ターゲット４０３’（例えば、液滴）の軌道はＸ軸と平行である可能性がある。一部の態様によれば、１つ以上のレーザビーム４０２は、Ｘ軸に対して垂直なＹ軸に平行な方向に伝搬する。Ｚ軸は、Ｘ軸とＹ軸の両方に対して垂直であり、概ね紙面のの奥に（又は手前に）延びるが、他の態様では、他の構成が使用される。一部の実施形態では、レーザビーム４０２は、Ｙ軸に平行以外の方向に、すなわち燃料ターゲットの軌道のＸ軸方向に直交以外の方向に伝搬することがある。

[0078] 以下の説明ではスズについて言及しているが、任意の適切なターゲット材料を使用することができる。ターゲット材料は、例えば液状である可能性があり、また、例えば金属又は合金である可能性がある。燃料ターゲット発生器４０３は、例えば燃料ターゲット４０３’（例えば個別の液滴）の形態のスズを軌道に沿ってプラズマ形成領域４０４に向けるように構成されたノズルを備える可能性がある。説明の残りの部分を通して、「燃料」、「燃料ターゲット」又は「燃料液滴」についての言及は、燃料ターゲット発生器４０３が放出したターゲット材料（例えば液滴）について言及しているものと理解すべきである。燃料ターゲット発生器４０３は燃料放出器を含む可能性がある。１つ以上のレーザビーム４０２は、プラズマ形成領域４０４においてターゲット材料（例えばスズ）に入射する。レーザエネルギーのターゲット材料内への蓄積は、プラズマ形成領域４０４においてプラズマ４０７を生成する。ＥＵＶ放射を含む放射が、脱励起及びプラズマのイオンと電子の再結合の間にプラズマ４０７から放出される。

[0079] ＥＵＶ放射はコレクタ４０５（例えば放射コレクタＣＯ）によって収集及び集束される。一部の態様では、コレクタ４０５は、近法線入射放射コレクタ（より一般的には法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）を含む可能性がある。コレクタ４０５は、ＥＵＶ放射（例えば、約１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置される多層ミラー構造である可能性がある。一部の態様によれば、コレクタ４０５は、２つの焦点を有する楕円構成を有する可能性がある。本明細書で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域４０４にある可能性があり、第２の焦点は中間焦点４０６にある可能性がある。

[0080] 一部の態様では、レーザシステム４０１は、放射源ＳＯから比較的遠く離れたところに位置する可能性がある。このような場合、１つ以上のレーザビーム４０２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備えるビームデリバリシステム（図示せず）の助けを借りて、レーザシステム４０１から放射源ＳＯへ渡される可能性がある。レーザシステム４０１及び放射源ＳＯは、全体で放射システムと見なされる可能性がある。

[0081] コレクタ４０５で反射される放射が放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、照明システムＩＬ（図２参照）のための仮想放射源の役割を果たす、プラズマ形成領域４０４の像を形成するための点（例えば中間焦点４０６）に集束される。放射ビームＢが集束される点は、中間焦点（例えば中間焦点４０６）と呼ばれる可能性がある。放射源ＳＯは、中間焦点４０６が放射源ＳＯの閉鎖構造４０９の開口４０８に、又は開口４０８の近くに位置するように配置されている。

[0082] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから照明システムＩＬ内に通過する。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節するように構成されている。放射ビームＢは照明システムＩＬから移動し、支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、これにパターン付与する。パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成されている複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば縮小係数４を適用することができる。図２では投影システムＰＳが２つのミラーを有するものとして示されているが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を備える可能性がある。

[0083] 放射源ＳＯは、図４に示されていないコンポーネントも備える可能性がある。例えば、放射源ＳＯにスペクトルフィルタが設けられる可能性がある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過的であるが、赤外線放射などの他の放射波長を実質的にブロックするものである可能性がある。

[0084] 放射源ＳＯ（又は放射システム）は、プラズマ形成領域４０４における燃料ターゲット（例えば液滴）の像を得るための、より具体的には、燃料ターゲットの影の像を得るための燃料ターゲット撮像システムを更に備えることがある。燃料ターゲット撮像システムは、燃料ターゲットの縁部から回折された光を検出することができる。以下の記述における燃料ターゲットの像についての言及は、燃料ターゲットの影の像、又は燃料ターゲットが生じさせる回折パターンにも言及するものと理解すべきである。

[0085] 燃料ターゲット撮像システムは、ＣＣＤアレイ又はＣＭＯＳセンサなどの光検出器を備える可能性があるが、燃料ターゲットの像を得るのに適したいずれの撮像デバイスも使用され得ることが理解されるであろう。燃料ターゲット撮像システムが光検出器に加えて、１つ以上のレンズなどの光学コンポーネントを備え得ることが理解されるであろう。例えば、燃料ターゲット撮像システムは、カメラ４１０、例えば光センサ（すなわち光検出器）と１つ以上のレンズとの組み合わせを備える可能性がある。光学コンポーネントは、光センサ又はカメラ４１０が近視野像及び／又は遠視野像を得るように選択される可能性がある。カメラ４１０は、放射源ＳＯ内の、カメラがプラズマ形成領域４０４及びコレクタ４０５上に設けられた１つ以上のマーカ（図４には示されていない）を見通す任意の適切な場所に配置される可能性がある。ただし、カメラ４１０の損傷を回避するために、１つ以上のレーザビーム４０２の伝搬経路及び燃料ターゲット発生器４０３から放出される燃料ターゲットの軌道から離れた位置にカメラ４１０を配置することが必要な場合がある。一部の態様によれば、カメラ４１０は、燃料ターゲットの像を接続４１２を介してコントローラ４１１に提供するように構成されている。接続４１２は有線接続として示されているが、接続４１２（及び本明細書で言及される他の接続）は、有線接続、無線接続、又はこれらの組み合わせとして実施され得ることが理解されるであろう。

[0086] 図４に示すように、放射源ＳＯは、燃料ターゲット４０３’（例えば個別のスズ液滴）を発生させプラズマ形成領域４０４に向けて放出するように構成された燃料ターゲット発生器４０３を備える可能性がある。放射源ＳＯは、プラズマ形成領域４０４にプラズマ４０７を発生させるために１つ以上のレーザビーム４０２で燃料ターゲット４０３’の１つ以上に衝突するように構成されたレーザシステム４０１を更に備える可能性がある。放射源ＳＯは、プラズマ４０７が放出した放射を収集するように構成されたコレクタ４０５（例えば放射コレクタＣＯ）を更に備える可能性がある。一部の態様では、いくつかある特徴の中で特に、放射源ＳＯにおける燃料デブリ（例えばスズ）の蓄積を軽減するために、コレクタ４０５に隣接してコレクタ流リングＣＦＲ（図４には示されていない）を配設することができる。コレクタ流リングＣＦＲは、Ｘ軸に平行な軸に沿って（例えば、燃料ターゲット発生器４０３から放出された燃料ターゲット４０３’の軌道の近くに）配設される可能性がある。

例示的なコレクタ流リング
[0087] 図５は、放射源ＳＯにおける燃料デブリ（例えばスズ）の蓄積を軽減するために、例示的な反射型リソグラフィ装置の放射源ＳＯの放射コレクタＣＯ（例えば、図４に示すコレクタ４０５）に隣接して配設され得る例示的なコレクタ流リング（ＣＦＲ）５００の分解組立図を示している。ＣＦＲ５００は、流れをコレクタ４０５内に向けるように配置されることがあり、放射源ＳＯにおける燃料デブリ（例えばスズデブリ）の蓄積を軽減することがある。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００の総重量は、約２００キログラム（ｋｇ）未満又は約１５０ｋｇ未満である可能性がある。一部の態様では、冷却流体供給５０６及びガス供給５２４がない場合、例示的なＣＦＲ５００の合計サイズは、約１．２ｍ×１．０ｍ×９０ｍｍ（例えばＣＦＲハウジング５０２の厚さ）である可能性がある。一部の態様では、冷却流体供給５０６及びガス供給５２４を含む場合、例示的なＣＦＲ５００の合計サイズは、約１．２ｍ×１．０ｍ×８００ｍｍである可能性があるが、他の実施形態では他のサイズが使用される。

[0088] 一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、ＥＵＶ放射システム（例えば、図１Ａ及び図４に示した放射源ＳＯ）における燃料デブリ（例えばスズ）の蓄積を軽減するように構成されたＣＦＲハウジング５０２を備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、アルミニウム（Ａｌ）で形成される可能性がある、又はアルミニウム（Ａｌ）を含む場合がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、窒化チタン（ＴｉＮ）、スズ（Ｓｎ）、及びニッケル（Ｎｉ）から構成されるグループから選択された少なくとも１つの材料のコーティングを含む可能性がある。

[0089] 一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、複数の第１のガス流体流（例えばＨ２流）をＣＦＲハウジング５０２のプラズマ対向面の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口を備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、第２のガス流体流（例えばＨ２流）をＣＦＲハウジング５０２の燃料デブリ受取面に出力するように構成された溝パージ流路出口を備える可能性がある。一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口及び溝パージ流路出口は、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間の約５パーセント未満、約３パーセント未満、又は約１パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらすように構成されたガス流体チャンバに流体結合されるように構成されている可能性がある。

[0090] 一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、例えば、燃料ターゲット（例えば燃料ターゲット４０３’）を保護するように構成され得る、限定的ではないがセラミックシュラウドを含むシュラウドアセンブリ５２０を支持するように構成されたシュラウド取付構造を備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジング５０２の少なくとも一部分から熱を除去するように構成された流体（例えば、水、脱イオン水、冷媒、ナノ粒子を含むナノ流体、又は他の任意の適切な流体）を輸送するように構成された冷却流路を備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポートを備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、複数の熱計測デバイス（例えば熱電対ベースのデバイス）を支持するように構成された複数の熱計測チャネルを備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、ＣＦＲハウジング５０２の総質量を減らし、（例えばＣＦＲハウジング５０２のバランスを取るために）ＣＦＲハウジング５０２の重心を変更するように構成された重量軽減キャビティ５２２を備える可能性がある。

[0091] 一部の態様では、ＣＦＲハウジング５０２は、複数のコレクタガイドレール５４２に結合するように構成された複数のコレクタガイドレール取付構造５４０を備える可能性がある。一部の態様では、複数のコレクタガイドレール５４２は、放射コレクタＣＯを安全経路に沿って図４のコレクタ４０５などのコレクタに対して正確に位置決めされた取付位置に（例えば、約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロンの許容範囲内で）誘導するように構成されている可能性がある。例えば、複数のコレクタガイドレール５４２は、放射コレクタＣＯに設置用の経路、及び約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロン以内のアライメントを与える精密に製造された一対のガイドレールである可能性がある。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、複数のコレクタガイドレール５４２に結合し、例示的なＣＦＲ５００を放射コレクタＣＯに取り付けるように構成された複数のＣＦＲマウント５４４を備える可能性がある（図２参照）。

[0092] 一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、冷却流体チャネルアセンブリ５０４（限定的ではないが、冷却流体チャネル及び冷却流体接続、バルブ、又は両方を含む）、冷却流体供給５０６（例えば水供給）、及び冷却流体チャネルカバー５０８を備える可能性がある。一部の態様では、冷却流体チャネルアセンブリ５０４は、熱経路が従来の設計よりも短くなることを可能にするＯリングとガスケットシールの結合構造を有するガスプレナム内に冷却流体チャネルを備える可能性がある。一部の態様では、冷却流体チャネルアセンブリ５０４は、例示的なＣＦＲ５００、ＣＦＲハウジング５０２、又はこれらの中に含まれるもしくはこれらに機械的に接続された任意のコンポーネントから熱を逃がすための能動冷却を行う。一部の態様では、冷却流体チャネルアセンブリ５０４は、ＣＦＲハウジング５０２の平らなインターフェイス面上にボルトで固定される可能性がある。一部の態様では、水路底面の底面は、熱伝達効果を高めるためにスズでコーティングされる可能性もある。

[0093] 一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００はスズと親和性のないシート５１０を備える可能性がある。任意選択で、例示的なＣＦＲ５００は、スズ書込みインサート５１２、又はスズ書込みインサート５１２をアップグレードする能力を提供するスズ書込みインサート設計のためのプレースホルダを備える可能性がある。

[0094] 一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、自己センタリングするように構成された精密なシュラウド取付物であり得るシュラウドアセンブリ５２０を備える可能性がある。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、ガス供給５２４（例えばＨ２供給）などのガス流体源を備える可能性がある。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、ＣＦＲハウジング５０２に取り外し可能に取り付けられ、ＣＦＲハウジング５０２の複数の熱計測チャネルに配設された複数の熱計測デバイスにアクセスできるように構成され得る熱電対アクセスパネル５２６を備える可能性がある。例えば、例示的なＣＦＲ５００は４個の熱電対デバイス（例えば、例示的なＣＦＲ５００の各側に２個の熱電対デバイス）を備える可能性がある。

[0095] 一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、ＣＦＲハウジング５０２を介して配設された複数の光計測ポート（例えば１３個の計測ポート）についての計測ＦＯＶを提供するように構成された複数の光計測管５２８を備える可能性がある。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、ＣＦＲハウジング５０２の内面と光計測管５２８の間のギャップを例示的なＣＦＲ５００の位置許容範囲内（例えば、約１ｍｍ、１００ミクロン、約１０ミクロン、又は約１ミクロンの許容範囲内）に縮めるように構成された抵抗シールであり得る複数の光計測面シール５３０を備える可能性がある。一部の態様では、複数の光計測面シール５３０は、計測流排出手段を含む可撓性シールである可能性があり、例示的なＣＦＲ５００の位置のミスアライメントに適応することができる。一部の態様では、例示的なＣＦＲ５００は、光計測管５２８（例えばプレナム間の流れをシールするための締まりばめチューブ）をはめ込む穿孔操作によって発生し得るブレイクスルーをシールするために挿入された光計測管５２８を使用する締まりばめ光計測管シーリングを提供することができる。

[0096] 図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び図６Ｄは、本開示の一部の態様に係る例示的なＣＦＲ６００の例示的な領域の各部分の概略図である。

[0097] 図６Ａは、本開示の一部の態様に係るＣＦＲハウジング６０２を備える例示的なＣＦＲ６００の第１の例示的な領域の切欠部分を示している。一部の態様では、ＣＦＲハウジング６０２の全体のサイズは、約１．２ｍ×１．０ｍ×９０ｍｍである可能性があるが、他の実施形態では、他の様々な適切なサイズが使用される。

[0098] ＣＦＲハウジング６０２は、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジング６０２のプラズマ対向面６０２ａの複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口６０４を備える可能性がある。ＣＦＲハウジング６０２は、第２のガス流体流をＣＦＲハウジング６０２の燃料デブリ受取面６０２ｂに出力するように構成された溝パージ流路出口６０６を備える可能性がある。

[0099] ＣＦＲハウジング６０２は、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジング６０２の少なくとも一部分から熱を除去するように構成された液体流体を輸送するように構成された冷却流路６１２を備える可能性がある。ＣＦＲハウジング６０２は、冷却流路６１２を（例えば、少なくとも部分的に）シールするように構成された冷却流体チャネルカバー６１４を備える可能性がある。

[0100] ＣＦＲハウジング６０２は、複数の光計測管６１８を受け入れ、支持するように構成された複数の光計測ポート６１６を備える可能性がある。一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口６０４、溝パージ流路出口６０６、及び複数の光計測ポート６１６は、単一のコンポーネント又は部品であり得るＣＦＲハウジング６０２の本体上に配設される可能性がある。

[0101] ＣＦＲハウジング６０２は、周辺ガス流体流をＣＦＲハウジング６０２の周辺流リング６２２の表面に出力するように構成された周辺流路出口６２０を備える可能性がある。周辺流リング６２２は、周辺ガス流体流を規制して均一性を促進するための穴の篩リングを含む可能性がある。周辺ガス流体流が十分に発達し均一になるように、剛性及び一定のギャップ厚を与えるエアロ突起によって、周辺スキンプレート６２４がＣＦＲハウジング６０２の底部に溶着される可能性がある。

[0102] 一部の態様では、ＣＦＲハウジング６０２は、コレクタガイドレール６２６などの複数のコレクタガイドレールに結合するように構成された複数のコレクタガイドレール取付構造を備える可能性がある。

[0103] 図６Ｂは、本開示の一部の態様に係る例示的なＣＦＲ６００の第２の例示的な領域の切欠部分を示している。図６Ｂに示すように、ＣＦＲハウジング６０２はガス供給６２８（例えばＨ２供給などのガス流体源）を備える可能性がある。

[0104] 図６Ｃは、本開示の一部の態様に係る例示的なＣＦＲ６００の第３の例示的な領域の切欠部分を示している。図６Ｃに示すように、ＣＦＲハウジング６０２は、複数の光計測管６１８の１つをＣＦＲハウジング６０２に取り付けるように構成された光計測面シール６３０を備える可能性がある。

[0105] 図６Ｄは、本開示の一部の態様に係る例示的なＣＦＲ６００の第４の例示的な領域のある部分を示している。図６Ｄに示すように、ＣＦＲハウジング６０２は、ガス供給６２８に流体接続された１つの入口を受け入れ、流れをＣＦＲの周囲にできるだけ広げるように構成された第１のチャンバであり得るシャワーヘッド流分配プレナム６８０を備える可能性がある。ＣＦＲハウジング６０２は、流れを遅くし、出口流れのための蓄圧を行い、最も遠い流れ位置に対する分配を支援するように構成され得るシャワーヘッド流拡張プレナム６８２を備える可能性がある。図６Ｄには示されていないが、シャワーヘッド流分配プレナム６８０は、シャワーヘッド流拡張プレナム６８２に流体結合されることがある。ＣＦＲハウジング６０２は、１つの入口から流れを受け、その流れをできる限り広げるように構成され得る周辺流分配プレナム６８４を備える可能性がある。周辺流分配プレナム６８４は、機械加工され、底部からアルミニウムスキンプレートでシールされる可能性がある。ＣＦＲハウジング６０２は、（例えば、ガスを減速し、一定の蓄圧を行うためにガスを拡張し、分配を支援するために）シャワーヘッド流拡張プレナム６８２と実質的に同様の機能を有し得る周辺流拡張プレナム６８６を備える可能性がある。周辺流拡張プレナム６８６は、機械加工され、ＣＦＲハウジング６０２の底部が周辺スキンプレート６２４（例えばアルミニウムスキンプレート）でシールされる可能性がある。

[0106] 図６Ｄに更に示すように、複数のシャワーヘッド流路出口６０４及び溝パージ流路出口６０６は、座ぐり穴を正確な角度で機械加工するなど、様々な適切な方法のいずれかによって製造される可能性がある。各穴角度は、流れが均一となるように全ての穴を通じて等しくなければならない制限長さを決定する。座ぐりは、流れが十分発達して出るような発達長さを提供する。

[0107] 一部の態様では、（ａ）シャワーヘッド流分配プレナム６８０、シャワーヘッド流拡張プレナム６８２、複数のシャワーヘッド流路出口６０４、及び溝パージ流路出口６０６、並びに（ｂ）周辺流分配プレナム６８４、周辺流拡張プレナム６８６、及び周辺流路出口６２０を通過するガス流体流（例えば、ガス流体源が発生させた約０．５バールのＨ２）は、複数の第１のガス流体流（例えば、毎分約１５～５０標準リットル（ｓｌｍ）で複数のシャワーヘッド流路出口６０４から出力される）、第２のガス流体流（例えば、約１５～５０ｓｌｍで溝パージ流路出口６０６から出力される）、及び第３のガス流体流（例えば、約５０～１３０ｓｌｍで周辺流路出口６２０から出力される）の間に約５パーセント未満、約３パーセント未満、又は約１パーセント未満のガス流の集合不均一性をもたらすように構成されている可能性がある。一部の態様では、ガス流体流は、複数の第１のガス流体流、第２のガス流体流、及び第３のガス流体流の間に約１５キロパスカル（ｋＰａ）、１０ｋＰａ、又は５ｋＰａ未満の集合的な圧力低下をもたらすように構成されている可能性がある。一部の態様では、ガス流体流は、それぞれ約７０パーセント及び約３０パーセントの複数の第１のガス流体流及び第２のガス流体流の流れ分布をもたらすように構成されている可能性がある。一部の態様では、ガス流体流は、（例えば、プラズマ対向面６０２ａを横切る）約５０パーセントの上昇流及び放射コレクタＣＯに向かう５０パーセントの流れの第３のガス流体流の流れ分布をもたらすように構成されている可能性がある。他の実施形態では、他の様々な流量及び相対流量が使用されることがある。

ＣＦＲハウジングを製造するための例示的なプロセス
[0108] 図７は、本開示の一部の態様に係る、ＥＵＶ放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するように構成されたＣＦＲハウジング（例えば、ＣＦＲハウジング５０２又は６０２）又はその（１つ以上の）部分を製造する例示的な方法７００である。例示的な方法７００を参照して説明される操作は、図１から図６を参照して説明されたものなどの、本明細書に記載のシステム、装置、コンポーネント、技術、又はこれらの組み合わせのいずれかによって、又は従って実行される可能性がある。

[0109] 操作７０２において、方法は、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面（例えばプラズマ対向面６０２ａ）の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口（例えば複数のシャワーヘッド流路出口６０４）を形成することを含む可能性がある。一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口の形成は、適切な機械的又は他の方法を用いて達成される可能性があり、図１から図６を参照して説明したいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って複数のシャワーヘッド流路出口を形成することを含む可能性がある。

[0110] 操作７０４において、方法は、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面（例えば燃料デブリ受取面６０２ｂ）に出力するように構成された溝パージ流路出口（例えば溝パージ流路出口６０６）を形成することを含む可能性がある。一部の態様では、溝パージ流路出口の形成は、適切な機械的又は他の方法を用いて達成される可能性があり、図１から図６を参照して説明したいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って溝パージ流路出口を形成することを含む可能性がある。

[0111] 操作７０６において、方法は、シュラウドアセンブリ（例えばシュラウドアセンブリ５２０）を支持するように構成されたシュラウド取付構造を形成することを含む可能性がある。一部の態様では、シュラウド取付構造の形成は、適切な機械的又は他の方法を用いて達成され、図１から図６を参照して説明したいずれかの態様又は態様の組み合わせに従ってシュラウド取付構造を形成することを含む可能性がある。

[0112] 操作７０８において、方法は、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジングの少なくとも一部分から熱を除去するように構成された流体を輸送するように構成された冷却流路（例えば冷却流路６１２）を形成することを含む可能性がある。一部の態様では、冷却流路の形成は、適切な機械的又は他の方法を用いて達成され、図１から図６を参照して説明したいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って冷却流路を形成することを含む可能性がある。

[0113] 操作７１０において、方法は、複数の光計測管を受け入れるように構成された複数の光計測ポート（例えば複数の光計測ポート６１６）を形成することを含む可能性がある。一部の態様では、複数の光計測ポートの形成は、適切な機械的又は他の方法を用いて達成される可能性があり、図１から図６を参照して説明したいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って複数の光計測ポートを形成することを含む場合がある。

[0114] 任意選択で、方法は、複数のシャワーヘッド流路出口及び溝パージ流路出口に流体結合されるように構成された第１のガス流体チャンバ（例えばシャワーヘッド流拡張プレナム６８２）を形成することを含む可能性がある。任意選択で、方法は、第１のガス流体チャンバに流体結合されるように構成された第２のガス流体チャンバ（例えばシャワーヘッド流分配プレナム６８０）を形成することを更に含む可能性がある。一部の態様では、ガス流体源は、（ｉ）第１のガス流体チャンバ、次に（ｉｉ）第２のガス流体チャンバ、最後に（ｉｉｉ）複数のシャワーヘッド流路出口及び溝パージ流路出口を流れて、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間に約５パーセント未満、約３パーセント未満、又は約１パーセント未満のガス流の集合不均一性をもたらすように構成され得るガス流体（例えばＨ２）を出力するように構成されている可能性がある。

[0115] 任意選択で、方法は、ＣＦＲハウジングの総質量を減らす、ＣＦＲハウジングの重心を変更する、又はその両方を行うように構成された重量軽減キャビティ（例えば、図５の重量軽減キャビティ５２２）を形成することを含む可能性がある。任意選択で、方法は、複数の熱計測デバイス（例えば熱電対ベースのデバイス）を支持するように構成された複数の熱計測チャネルを形成することを含む可能性がある。任意選択で、方法は、複数のコレクタガイドレール（例えば複数のコレクタガイドレール５４２）に結合するように構成された複数のコレクタガイドレール取付構造（例えば複数のコレクタガイドレール取付構造５４０）を形成することを含む可能性がある。任意選択で、方法は、ＡｌのＣＦＲハウジングを形成することを含む可能性がある。任意選択で、方法は、ＴｉＮ、Ｓｎ、又はＮｉから構成されるグループから選択された少なくとも１つの材料のコーティングを形成することを更に含む可能性がある。

ＣＦＲハウジングを有する例示的なＥＵＶ放射源
[0116] 一部の態様では、本開示は、燃料材料（例えば燃料ターゲット４０３’の１つ以上）を、ＥＵＶ放射を放出するように構成されたプラズマ（例えばプラズマ４０７）を発生させるように構成された照射場所（例えばプラズマ形成領域４０４）で照明するように構成された光パルス（例えば１つ以上のレーザビーム４０２）を発生させるように構成されたレーザ源（例えばレーザシステム４０１）を含むＥＵＶ放射源（例えば放射源ＳＯ）を提供する。

[0117] ＥＵＶ放射源は、燃料材料を照射場所に送出するように構成された燃料源（例えば燃料ターゲット発生器４０３）を更に備える可能性がある。

[0118] ＥＵＶ放射源は、ＣＦＲハウジング（例えばＣＦＲハウジング５０２、６０２）を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、複数の第１のガス流体流をＣＦＲハウジングのプラズマ対向面（例えばプラズマ対向面６０２ａ）の複数の部分に出力するように構成された複数のシャワーヘッド流路出口（例えば複数のシャワーヘッド流路出口６０４）を備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、第２のガス流体流をＣＦＲハウジングの燃料デブリ受取面（例えば燃料デブリ受取面６０２ｂ）に出力するように構成された溝パージ流路出口（例えば溝パージ流路出口６０６）を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、シュラウドアセンブリ（例えばシュラウドアセンブリ５２０）を支持するように構成されたシュラウド取付構造を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にＣＦＲハウジングの少なくとも一部分から熱を除去するように構成された液体流体を輸送するように構成された冷却流路（例えば冷却流路６１２）を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、複数の光計測管（例えば複数の光計測管６１８）を受け入れるように構成された複数の光計測ポート（例えば複数の光計測ポート６１６）を更に備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジングは、ＣＦＲハウジングの総質量を減らし、ＣＦＲハウジングの重心を変更するように構成された重量軽減キャビティ（例えば、重量軽減キャビティ５２２）を更に備える可能性がある。一部の態様では、ＣＦＲハウジングは、複数のコレクタガイドレール（例えば複数のコレクタガイドレール５４２）に結合するように構成された複数のコレクタガイドレール取付構造（例えば複数のコレクタガイドレール取付構造５４０）を更に備える可能性がある。

[0119] 一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口は、ガス流体源に流体結合されるように構成されているガス流体チャンバ（例えば、シャワーヘッド流分配プレナム６８０、シャワーヘッド流拡張プレナム６８２）に流体結合されるように構成されている可能性がある。一部の態様では、溝パージ流路は、ガス流体チャンバに流体結合されるように構成されている。一部の態様では、ＥＵＶ放射源は、ガス流体源にガス流体チャンバを流れる第３のガス流体流の制御を指示するように構成されている第３の制御信号を含む可能性がある。一部の態様では、ガス流体チャンバを流れる第３のガス流体流は、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらすように構成されている可能性がある。

[0120] 一部の態様では、複数のシャワーヘッド流路出口、溝パージ流路出口、及び複数の光計測ポートは、コレクタ流リングハウジングの本体（例えば単体の材料）上に配設される。一部の態様では、図５の重量軽減キャビティ５２２も本体、例えば単体の材料に形成される。一部の態様では、コレクタ流リングハウジングはアルミニウム（Ａｌ）を含む可能性がある。一部の態様では、コレクタ流リングハウジングは、窒化チタン（ＴｉＮ）、スズ（Ｓｎ）、又はニッケル（Ｎｉ）から構成されるグループから選択された少なくとも１つの材料のコーティングを含む可能性がある。

[0121] ＥＵＶ放射源は、レーザ源に光パルスの発生を指示するように構成された第１の制御信号を生成するように構成されたコントローラ（例えばコントローラ４１１）を更に備える可能性がある。コントローラは、燃料源に燃料材料の送出を指示するように構成された第２の制御信号を生成するように更に構成されている可能性がある。コントローラは、ガス流体源（例えばガス供給５２４、６２８）に複数のシャワーヘッド流路出口からの複数の第１のガス流体流の出力の制御を指示するように構成された第３の制御信号を生成するように更に構成されている可能性がある。第３の制御信号は、ガス流体源に溝パージ流路出口からの第２のガス流体流の出力の制御を指示するように更に構成されている可能性がある。コントローラは、液体流体源（例えば冷却流体供給５０６）に冷却流路における液体流体の輸送の制御を指示するように構成された第４の制御信号を生成するように更に構成されている可能性がある。

[0122] ＥＵＶ放射源は、ＣＦＲハウジングに関連する複数の熱測定信号を生成し、複数の熱測定信号をコントローラに送信するように構成された複数の熱計測デバイス（例えば熱電対ベースのデバイス）を更に備える可能性がある。ＣＦＲハウジングは、複数の熱計測デバイスを支持するように構成された複数の熱計測チャネルを更に備える可能性がある。コントローラは、複数の熱計測デバイスから複数の熱測定信号を受信し、受信した複数の熱測定信号に基づいて、ＣＦＲハウジングと関連する複数の熱測定値（例えば、温度値、温度勾配、熱流束、及び他の適切な値）を生成するように更に構成されている可能性がある。

[0123] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラックユニット（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジユニット及び／又はインスペクションユニットで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0124] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0125] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の態様では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである可能性がある。

[0126] 本明細書に開示された例は、この開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。

[0127] 本開示の特定の態様が以上に記載されているが、これらの態様は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この記載は、本開示の実施形態を限定することを意図するものではない。

[0128] 背景、概要、及び要約のセクションではなく、詳細な説明のセクションが、特許請求の範囲を解釈するために使用されることが意図されていることを理解されたい。概要及び要約のセクションは、発明者によって企図される例示的な実施形態の全てではなく、１つ以上を説明することがあり、したがって、決して本発明の実施形態及び添付の特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。

[0129] 以上、特定の機能及びそれらの関係の実施を示す機能ビルディングブロックを使用して本開示の一部の態様について説明してきた。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することもできる。

[0130] 本開示の特定の態様の前述の説明は、態様の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本開示の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の態様を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された態様の均等物の意味及び範囲内にあることが意図される。

[0131] 本開示の実施例は、以下の条項を用いて更に説明されることがある。
１．極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するコレクタ流リングハウジングであって、
複数の第１のガス流体流をコレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口、
第２のガス流体流をコレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口、
シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造、
ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にコレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する流体を輸送する冷却流路、及び
複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポート、を備えたコレクタ流リングハウジング。
２．複数のシャワーヘッド流路出口がガス流体チャンバに流体結合されており、
溝パージ流路がガス流体チャンバに流体結合されており、
ガス流体チャンバが、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらす、条項１のコレクタ流リングハウジング。
３．複数のシャワーヘッド流路出口、溝パージ流路出口、及び複数の光計測ポートが、コレクタ流リングハウジングの本体を形成する単体の材料に配設される、条項１のコレクタ流リングハウジング。
４．コレクタ流リングハウジングの本体に形成され、
コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティを更に備えた、条項３のコレクタ流リングハウジング。
５．複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを更に備えた、条項１のコレクタ流リングハウジング。
６．複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を更に備えた、条項１のコレクタ流リングハウジング。
７．コレクタ流リングハウジングがアルミニウム（Ａｌ）を含む、条項１のコレクタ流リングハウジング。
８．窒化チタン（ＴｉＮ）、スズ（Ｓｎ）、及びニッケル（Ｎｉ）から構成されるグループから選択された少なくとも１つの材料のコーティングを更に含む、条項１のコレクタ流リングハウジング。
９．燃料材料を、ＥＵＶ放射を放出するプラズマを発生させる照射場所で照射する光パルスを発生させるレーザ源、
燃料材料を照射場所に送出する燃料源、
コレクタ流リングハウジング、を備えた極端紫外線（ＥＵＶ）放射源であって、
コレクタ流リングハウジングが、
複数の第１のガス流体流をコレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口、
第２のガス流体流をコレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口、
シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造、及び
ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にコレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する液体流体を輸送する冷却流路、を備える極端紫外線（ＥＵＶ）放射源。
１０．複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポート、及び
レーザ源に光パルスの発生を指示する第１の制御信号を発生させ、
燃料源に燃料材料の送出を指示する第２の制御信号を発生させ、
ガス流体源に複数のシャワーヘッド流路出口からの複数の第１のガス流体流の出力の制御を指示する第３の制御信号であって、ガス流体源に溝パージ流路出口からの第２のガス流体流の出力の制御を更に指示する第３の制御信号を発生させ、
液体流体源に冷却流路における液体流体の輸送の制御を指示する第４の制御信号を発生させるコントローラを備えた、条項９のＥＵＶ放射源。
１１．複数のシャワーヘッド流路出口が、ガス流体源に流体結合されるガス流体チャンバに流体結合されており、
溝パージ流路がガス流体チャンバに流体結合されており、
第３の制御信号が、ガス流体源にガス流体チャンバを通過する第３のガス流体流の制御を指示し、
ガス流体チャンバを通過する第３のガス流体流が、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらす、条項１０のＥＵＶ放射源。
１２．複数のシャワーヘッド流路出口、溝パージ流路出口、及び複数の光計測ポートが、コレクタ流リングハウジングの本体を形成する単体の材料に配設される、条項１０のＥＵＶ放射源。
１３．コレクタ流リングハウジングが、コレクタ流リングハウジングの本体に形成され、
コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティを更に備える、条項１２のＥＵＶ放射源。
１４．コレクタ流リングハウジングと関連する複数の熱測定信号を発生させ、複数の熱測定信号をコントローラに送信する複数の熱計測デバイスを更に備え、
コレクタ流リングハウジングが、複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを更に備え、
コントローラが更に、複数の熱計測デバイスから複数の熱測定信号を受信し、受信した複数の熱測定信号に基づいてコレクタ流リングハウジングと関連する複数の熱測定値を生成する、条項１０のＥＵＶ放射源。
１５．コレクタ流リングハウジングが、複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を更に備える、条項１０のＥＵＶ放射源。
１６．極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するコレクタ流リングハウジングを製造する方法であって、
コレクタ流リングハウジングの本体に、複数の第１のガス流体流をコレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口を形成すること、
コレクタ流リングハウジングの本体に、第２のガス流体流をコレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口を形成すること、
シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造を形成すること、
ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中にコレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する流体を輸送する冷却流路を形成すること、及び
コレクタ流リングハウジングの本体に、複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポートを形成すること、を含む方法。
１７．複数のシャワーヘッド流路出口及び溝パージ流路出口に流体結合される第１のガス流体チャンバを設けること、
第１のガス流体チャンバに流体結合される第２のガス流体チャンバを設けること、を含み
第１のガス流体チャンバ及び第２のガス流体チャンバが、複数の第１のガス流体流と第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流の集合不均一性をもたらす、条項１６の方法。
１８．コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティをコレクタ流リングハウジングの本体に形成することを更に含む、条項１６の方法。
１９．複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを形成することを更に含む、条項１６の方法。
２０．複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を形成することを更に含み、コレクタ流リングハウジングがアルミニウム（Ａｌ）で形成されている、条項１６の方法。

[0132] 本開示の幅及び範囲は、上記の例示的な態様又は実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。

Claims (20)

1. 極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するコレクタ流リングハウジングであって、
   複数の第１のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口、
   第２のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口、
   シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造、
   前記ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中に前記コレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する流体を輸送する冷却流路、及び
   複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポート、を備えたコレクタ流リングハウジング。
2. 前記複数のシャワーヘッド流路出口がガス流体チャンバに流体結合されており、
   前記溝パージ流路が前記ガス流体チャンバに流体結合されており、
   前記ガス流体チャンバが、前記複数の第１のガス流体流と前記第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらす、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
3. 前記複数のシャワーヘッド流路出口、前記溝パージ流路出口、及び前記複数の光計測ポートが、前記コレクタ流リングハウジングの本体を形成する単体の材料に配設される、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
4. 前記コレクタ流リングハウジングの前記本体に形成され、
   前記コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
   前記コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティを更に備えた、請求項３のコレクタ流リングハウジング。
5. 複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを更に備えた、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
6. 複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を更に備えた、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
7. 前記コレクタ流リングハウジングがアルミニウム（Ａｌ）を含む、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
8. 窒化チタン（ＴｉＮ）、スズ（Ｓｎ）、及びニッケル（Ｎｉ）から構成されるグループから選択された少なくとも１つの材料のコーティングを更に含む、請求項１のコレクタ流リングハウジング。
9. 燃料材料を、ＥＵＶ放射を放出するプラズマを発生させる照射場所で照射する光パルスを発生させるレーザ源、
   前記燃料材料を前記照射場所に送出する燃料源、
   コレクタ流リングハウジング、を備えた極端紫外線（ＥＵＶ）放射源であって、
   前記コレクタ流リングハウジングが、
   複数の第１のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口、
   第２のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口、
   シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造、及び
   ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中に前記コレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する液体流体を輸送する冷却流路、を備える極端紫外線（ＥＵＶ）放射源。
10. 複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポート、及び
    前記レーザ源に前記光パルスの発生を指示する第１の制御信号を発生させ、
    前記燃料源に前記燃料材料の送出を指示する第２の制御信号を発生させ、
    ガス流体源に前記複数のシャワーヘッド流路出口からの前記複数の第１のガス流体流の出力の制御を指示する第３の制御信号であって、前記ガス流体源に前記溝パージ流路出口からの前記第２のガス流体流の出力の制御を更に指示する第３の制御信号を発生させ、
    液体流体源に前記冷却流路における前記液体流体の輸送の制御を指示する第４の制御信号を発生させるコントローラを備えた、請求項９のＥＵＶ放射源。
11. 前記複数のシャワーヘッド流路出口が、前記ガス流体源に流体結合されるガス流体チャンバに流体結合されており、
    前記溝パージ流路が前記ガス流体チャンバに流体結合されており、
    前記第３の制御信号が、前記ガス流体源に前記ガス流体チャンバを通過する第３のガス流体流の制御を指示し、
    前記ガス流体チャンバを通過する前記第３のガス流体流が、前記複数の第１のガス流体流と前記第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流体流の集合不均一性をもたらす、請求項１０のＥＵＶ放射源。
12. 前記複数のシャワーヘッド流路出口、前記溝パージ流路出口、及び前記複数の光計測ポートが、前記コレクタ流リングハウジングの本体を形成する単体の材料に配設される、請求項１０のＥＵＶ放射源。
13. 前記コレクタ流リングハウジングが、前記コレクタ流リングハウジングの前記本体に形成され、
    前記コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
    前記コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティを更に備える、請求項１２のＥＵＶ放射源。
14. 前記コレクタ流リングハウジングと関連する複数の熱測定信号を発生させ、前記複数の熱測定信号を前記コントローラに送信する複数の熱計測デバイスを更に備え、
    前記コレクタ流リングハウジングが、前記複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを更に備え、
    前記コントローラが更に、前記複数の熱計測デバイスから前記複数の熱測定信号を受信し、前記受信した複数の熱測定信号に基づいて前記コレクタ流リングハウジングと関連する複数の熱測定値を生成する、請求項１０のＥＵＶ放射源。
15. 前記コレクタ流リングハウジングが、複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を更に備える、請求項１０のＥＵＶ放射源。
16. 極端紫外線（ＥＵＶ）放射システムにおける燃料デブリの蓄積を軽減するコレクタ流リングハウジングを製造する方法であって、
    前記コレクタ流リングハウジングの本体に、複数の第１のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングのプラズマ対向面の複数の部分に出力する複数のシャワーヘッド流路出口を形成すること、
    前記コレクタ流リングハウジングの前記本体に、第２のガス流体流を前記コレクタ流リングハウジングの燃料デブリ受取面に出力する溝パージ流路出口を形成すること、
    シュラウドアセンブリを支持するシュラウド取付構造を形成すること、
    前記ＥＵＶ放射システムのＥＵＶ放射発生動作中に前記コレクタ流リングハウジングの少なくとも一部から熱を除去する流体を輸送する冷却流路を形成すること、及び
    前記コレクタ流リングハウジングの前記本体に、複数の光計測管を受け入れる複数の光計測ポートを形成すること、を含む方法。
17. 前記複数のシャワーヘッド流路出口及び前記溝パージ流路出口に流体結合される第１のガス流体チャンバを設けること、
    前記第１のガス流体チャンバに流体結合される第２のガス流体チャンバを設けること、を含み
    前記第１のガス流体チャンバ及び前記第２のガス流体チャンバが、前記複数の第１のガス流体流と前記第２のガス流体流の間の約５パーセント未満のガス流の集合不均一性をもたらす、請求項１６の方法。
18. 前記コレクタ流リングハウジングの総質量を減らし、
    前記コレクタ流リングハウジングの重心を変更する重量軽減キャビティを前記コレクタ流リングハウジングの前記本体に形成することを更に含む、請求項１６の方法。
19. 複数の熱計測デバイスを支持する複数の熱計測チャネルを形成することを更に含む、請求項１６の方法。
20. 複数のコレクタガイドレールに結合する複数のコレクタガイドレール取付構造を形成することを更に含み、前記コレクタ流リングハウジングがアルミニウム（Ａｌ）で形成されている、請求項１６の方法。

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