CN118056158A - 用于光刻设备的投影系统的腔室、投影系统、和光刻设备 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：开口，所述开口被配置成在使用期间使经图案化的辐射束能够被投影至被布置在所述腔室外的衬底上；管道，所述管道具有在所述孔口中的出口，所述管道被配置成传递气体至所述开口以用于提供对所述开口的气体密封；过滤器，所述过滤器被布置在所述气体的流动路径中、并且布置在所述出口处或附近，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节。

Description

用于光刻设备的投影系统的腔室、投影系统、和光刻设备
技术领域
本发明涉及一种用于光刻设备的投影系统的腔室、一种用于光刻设备的投影系统，和一种光刻设备。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影射至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
由于在使用EUV辐射的光刻设备内EUV辐射很大程度上被物质吸收，则所述EUV辐射的光学路径在真空条件下(即，处于明显低于大气压的压力)。具体地，包括用于投影所述EUV辐射至衬底上的光学元件的系统的所述投影系统可以在真空条件下被保持在所述光刻设备的专用隔室中。经由所述隔室的开口将所述EUV辐射投影在所述衬底上。为了避免或减轻污染物经由所述开口进入至所述投影系统中，通常应用气锁或气体密封。然而，已知气锁或气体密封可能干扰经图案化的所述衬底的热条件和/或在所述开口附近被使用的任何传感器的热条件。另外，光学元件(例如所述投影系统中的光学元件)也可能遭受由所述气锁所引起的热干扰影响。这样的干扰可能不利地影响诉讼图案化过程的准确度。
发明内容
本发明的目标是提供可以例如在光刻设备中的围封件即壳体或腔室中使用的经改善的气锁。
根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：
开口，所述开口被配置成在使用期间使经图案化的辐射束能够被投影至被布置在所述腔室外的衬底上；
管道，所述管道具有在所述孔口中的出口，所述管道被配置成传递气体至所述开口以用于提供对所述开口的气体密封；
过滤器，所述过滤器被布置在所述气体的流动路径中、并且布置在所述出口处或附近，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节。
根据本发明的另一方面，提供一种用于光刻设备的投影系统，所述投影系统包括根据本发明所述的腔室和多个光学元件，所述光学元件布置在所述腔室中并且被配置呈在使用期间将经图案化的辐射束投影到所述衬底上。
根据本发明的又一方面，提供一种包括根据本发明的投影系统的光刻设备。
附图说明
现在将参考随附示意图作为示例来描述本发明的实施例，在示意图中：
-图1描绘包括根据本发明的光刻设备和辐射源的光刻系统；
-图2描绘如本领域中已知的投影系统的气锁。
-图3描绘如可以在根据本发明的腔室中应用的气锁或气体密封的实施例。
-图4描绘针对过滤器的不同位置的在衬底上的根据本发明的气锁或气体密封的所得到的热负载。
具体实施方式
图1示出根据本发明的光刻系统，包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B和将EUV辐射束B供应给光刻设备LA。根据本发明的光刻设备LA包括照射系统IL、配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和配置成支撑衬底W的衬底台WT。
照射系统IL被配置成在EUV辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。另外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11共同提供具有期望的横截面形状和期望的强度分布的EUV辐射束B。作为琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的补充或替代，照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。
在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生经图案化的EUV辐射束B'。投影系统PS被配置成将经图案化的EUV辐射射束B'投影至衬底W上。出于该目的，投影系统PS可以包括配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至由衬底台WT保持的衬底W上的多个反射镜13、14。投影系统PS可以将减小因子应用于经图案化的EUV辐射束B'，因此形成具有小于图案形成装置MA上的相应的特征的特征的图像。例如，可以应用减小因子4或8。虽然投影系统PS被图示是在图1中仅具有两个反射镜13、14，但投影系统PS可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，光刻设备LA使由经图案化的EUV辐射束B'形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。
可以在辐射源SO中、在照射系统IL中和/或在投影系统PS中提供相对真空，即，处于充分地低于大气压力的压力下的少量气体(例如氢气)。
通常，光刻系统的各个子系统可布置在不同隔室或腔室中。具体地，投影系统PS可布置在腔室或壳体15中以避免或减轻污染诸如图1中示出的反射镜13、14的光学部件。所述腔室或壳体将通常具有开口或孔口16以允许经图案化的辐射束B'投影至衬底W上。为了避免污染物经由开口进入投影系统PS，气锁或气体密封被设置在开口16中。所述气锁或气体密封包括具有开口16中的出口并被配置成传递气体至开口的管道。根据本发明，气锁或气体密封还包括布置在出口处或附近的过滤器，所述过滤器被配置成热调节气体。下文中提供关于气锁和所应用过滤器的其它细节。
如图1所示出的辐射源SO属于例如可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。可以例如包括CO2激光器的激光系统1被布置成经由激光束2将能量沉积至由例如燃料发射器3提供的燃料(诸如，锡(Sn))中。虽然在以下描述中提及锡，但可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括配置成沿轨道朝向等离子体形成区4引导例如呈液滴形式的锡的喷嘴。激光束2在等离子体形成区4处入射到锡上。激光能量沉积至锡中在等离子体形成区4处产生锡等离子体7。包括EUV辐射的辐射在等离子体的离子的去激发和重组期间从等离子体7发射。
通过收集器5收集且聚焦来自等离子体的EUV辐射。收集器5包括例如近正入射辐射收集器5(有时称为更一般地正入射辐射收集器)。收集器5可以具有布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm之类的期望的波长的EVU辐射)的多层反射镜结构。收集器5可以具有椭球形配置，所述椭球形配置具有两个焦点。如下文所描述的，所述焦点中的第一个可以处于等离子体形成区4，并且所述焦点中的第二个可以处于中间焦点6。
激光系统1可以在空间上与辐射源SO分隔。在这种情况下，激光束2可以借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器和/或其它光学器件的束传递系统(图中没有示)而从激光系统1传递至辐射源SO。激光系统1、辐射源SO和束传递系统可共同地认为是辐射系统。
由收集器5反射的辐射形成EUV辐射束B。EUV辐射束B聚焦于中间焦点6处，以在存在于等离子体形成区4处的等离子体的中间焦点6处形成图像。中间焦点6处的图像用作用于照射系统IL的虚拟辐射源。辐射源SO被布置使得中间焦点6位于辐射源SO的围封结构9中的开口8处或附近。
虽然图1将辐射源SO描绘为激光产生等离子体(LPP)源，但诸如放电产生等离子体(DPP)源或自由电子激光(FEL)的任何适合的源可以用于产生EUV辐射。
图2示意性地示出已知投影系统PS的下部部分，具体地投影系统PS的腔室或壳体200，所述下部部分具有由壁部分215限定的开口210，经由所述开口可以将经图案化的辐射束投影在衬底W上，所述衬底W通过衬底台WT保持。为了提供用于所述开口210的气锁或气体密封，管道220被提供以传递由箭头230所指示的气体至所述管道220的出口，由此传递所述气体至所述开口并且产生气锁或气体密封。在如所示出的布置中，所述管道220包括供应所述气体至腔室220.2的管220.1。这种腔室220.2可以例如是环形腔室。所述腔室220.2被连接至狭缝220.3，气体经由所述狭缝被供应给所述开口210。所述狭缝220.3因而充当所述气体的出口。在图2中，所述箭头250示意性地指示气体从所述开口210朝向所述衬底W和朝向所述投影系统PS的内部的流动。已观测到，如图2中所示出的布置由于停滞和膨胀气体效应而引起所述衬底上的正的热负载。在本发明的含义中，正的热负载是导致接收热负载的物体(例如衬底W)的温度上升的热负载或热负荷。因此已提出冷却如被供应给所述开口210的气体以便减少至所述衬底W的热负载。这样的冷却可以例如包括使用加热管、热交换器、帕尔贴元件等。由此，朝向衬底的所得到的热负载实际上可以被降低或接近零。然而，本发明人已设计出，虽然得到的热负载可以较小或接近零，但热通量仍可出现在所述物体上。特别地，已设计了，物体(例如布置在衬底台WT上的衬底或传感器)上的所得到的接近零热负载实际上被实现为物体的接收正的热负载的区域与接收负的热负载的区域的组合。结果，局部冷却和加热效应仍然可出现，而不管接近零的所得到的热负载。在本发明的含义中，热通量是指例如衬底或传感器这样的物体上的不均匀的热负载分布，所述不均匀的热负载分布引起已接收不同热负载的区域之间的热传递或热通量。这种热通量可以被视为可能导致衬底或传感器随时间推移改变的特性的瞬时或动态效应。作为示例，可以提及被布置在所述衬底台WT上的传感器的膨胀。由于如由所述传感器所感知的热通量，所述传感器的膨胀将是依赖于时间的即与时间相关的。结果，如从所述传感器获得的测量结果也可以是依赖于时间的即与时间相关的。换句话说，从所述传感器获得的所述测量结果可能取决于实际上执行测量的时刻。由于这种测量结果例如依赖于图案化过程，则所述图案化过程也可能受所述传感器上的热通量不利地影响。类似地，所述衬底上的热通量将引起所述衬底的依赖于时间变形即所述衬底的时间相关的变形，该变形也可以不利地影响所述图案化过程的准确度。
根据本发明，因此不同方法被提出以减少靠近光刻设备的投影系统的气锁的物体上的热负载。提出了根据本发明在气体的流动路径中提供过滤器，所述过滤器在开口中的气体出口处或附近被提供且被配置成对气体进行热调节，而不是冷却被提供至所述开口的气体。通过引导所述气体流动穿过被布置在所述开口中的气体出口处或附近的过滤器，则离开所述过滤器的气体流动可以被视为在随机方向上的规则正态分布的气体流动而流通。
在实施例中，过滤器可以例如由烧结材料制成。在实施例中，所述过滤器是例如由诸如不锈钢之类的金属制成，或由陶瓷材料制成。这样的陶瓷材料的示例包括但不限于硅碳化物，诸如SiC或SiSiC。在实施例中，所述过滤器可以例如由热传导材料制成。
在不限定于任何科学理论的情况下，据信对于投影系统的气锁或气体密封或投影系统的壳体的给定应用，所应用的过滤器的典型孔隙尺寸将比所供应的气体的平均自由路径长度小得多。结果是，当气体由所述过滤器发射时的最后相互作用将是过滤器与气体分子之间而不是气体分子之间的相互作用。结果，气体将获得所述过滤器的热性质。
图3示意性地示出用于根据本发明的光刻设备的投影系统的腔室300的一部分。在图3中，附图标记315是指所述腔室300的壁部分，所述壁部分315限定所述壁的开口310，所述开口310被配置成在使用期间使经图案化的辐射束能够被投影至被布置在所述腔室300外的衬底W上。在如所示出的实施例中，限定所述开口310的所述壁部分315具有倾斜内部表面315.1。可以指出，也可以应用任何其它合适的形状。所述内部表面315.1可以例如与所指示Z方向对准或甚至可以被弯曲。在实施例中，所述开口310的横截面310.1可以例如具有环形或矩形形状。可以应用适于在使用期间允许经图案化的辐射束传递并且到达所述衬底W的任何形状。在如所示出的实施例中，所述腔室300还包括管道320，管道320具有开口310中的出口320.3，所述管道320被配置成传递气体至所述开口310以用于提供对于所述开口310的气体密封。在如所示出的实施例中，所述管道320包括供应所述气体至所述管道的腔室320.2的管或管线320.1。这种腔室320.2可以例如是环绕所述开口310的环形腔室。在如所示出的实施例中，所述腔室320.2经由所述出口320.3而被连接至所述开口310，所述气体经由所述出口被供应给所述开口310。在实施例中，所述出口320.3可以例如是狭缝形状且可以例如环绕所述腔室300的整个所述开口310。根据本发明，所述腔室300还包括被布置在所述气体的流动路径中、在所述出口320.3处或附近的过滤器340，所述流动路径由箭头330指示，所述过滤器340被配置成对所述气体进行热调节。
已由本发明人设计了，通过添加所述过滤器340，所述过滤器被配置成热调节所述气体，所述气体对所述衬底W的不利影响可以被减轻。也可以提及根据本发明的所述过滤器340的应用有助于避免或减轻供应气体的自由气体膨胀，这种膨胀将会引发气体冷却，以及在所述气锁与所述气体之间的热传递。
通过在所供应的气体的流动路径中(具体地在气体的出口320.3处或附近)包括过滤器340，已发现可以控制由所述气体呈现的热负载。特别地，在所述管道320的所述出口320.3中引入所述过滤器340能够使得控制在所述开口310处或附近被应用并且受所述气体流动影响的衬底W上或传感器上的热负荷或热负载。已借助于模拟和测量来确认所述过滤器340的应用能够使得将热负载(例如至衬底或传感器的热负载)控制至预定值。在实施例中，由朝向所述衬底离开所述开口310的气体流动所引起的热负载可以被调节至零或基本上零。也观察到与所述热负载相关联的热通量也可以通过应用所述过滤器而被调节至零或基本上零。结果，可以通过本发明减轻出现在传感器或衬底上的热通量的前述不利影响。
在实施例中，所述过滤器包括热传导材料，例如多孔材料。通过引导所述气体穿过由热传导材料制成的过滤器，所述气体将大致依循所述过滤器的温度。换句话说，所述气体将呈现所述过滤器的热性质且将由所述过滤器在随机分布方向上输出。一旦所述气体已离开所述过滤器，冷却效应将由于气体的膨胀以及所述气体在流动方向上(即朝向所述衬底W、或朝向所述腔室300的内部)的对准而出现。如此，当所述过滤器340被布置成使得面向所述开口310的其外表面340.1被布置成与所述开口的所述内部表面315.1齐平或被布置成在所述开口310中突出时，负的热负载将朝向所述衬底W出现。然而，通过改变所述过滤器340相对于所述开口310的内部表面315.1的位置，则已发现出现的热负载可以被调整，即被调节至期望值。这在图4中示意性地被图示。
图4的底部部分示意性地示出根据本发明的腔室的壁的一部分415，所述壁部分415限定所述腔室的壁中的开口。所述壁部分415还包括在相对于气体供应的通往所述开口中的出口420的三个不同部位中布置的过滤器440。在布置(a)中，所述过滤器440被布置成从所述出口420略微突出。在布置(b)中，所述过滤器440被布置成略微向内至所述出口420中。在布置(c)中，相较于布置(b)，所述过滤器440被布置成略微向内至出口420中。
图4的顶部部分示意性地示出对于三个布置，由衬底W所接收的累积热负载Q[W]随如图3所指示的距开口的中心的径向距离R而变。图4中的图表A对应于图4的底部部分中所示出的布置(a)。如可见，所述过滤器从壁部分415略微向外的布置导致所述衬底上的负的热负载。图4中的图表B对应于图4的底部部分中示出的布置(b)。在由此所述过滤器从壁部分415略微向内布置的这样的布置中，在所述衬底上获得接近零热负载。图4中的图表C对应于图4的底部部分中所示出的布置(c)。如可见，与布置(b)相比，所述过滤器进一步向内的布置导致所述衬底上的正的热负载。
基于上文，可以得出结论，通过在气锁或气体密封中的气体供应的出口处或附近所应用的过滤器，则可以调节由被供应的气体所引起的热负载。具体地，在所产生的热负载与所述过滤器的相对于气体供应的出口的位置之间存在强依赖性即强相关性。
基于模拟(其也通过测量确认)，也已观察到衬底上或靠近所述腔室的开口而被使用的传感器上的热通量也可以显著降低。
相较于由此应用一种冷却装置的已知布置，可以提及的是，本发明提供了呈远不如已知布置复杂的被动布置。然而可以指出的是，在本发明的实施例中，在通往所述腔室或腔室壁中的开口的出口处或附近的所述过滤器的使用可以与加热器的使用相结合。
在这样的实施例中，所述过滤器(例如图4中所示出的过滤器440)可以例如被布置成便在所述衬底W上产生负的热负载。然而，通过加热被供应给所述腔室或腔室壁的开口的所述气体，则可以将到所述衬底的所得到的热负载调整至例如大致为零的所得到的热负载。关于由此加热器被用于补偿由所述过滤器所引起的负的热负载的这种布置，可以指出，加热器的应用可以被视为与冷却器或冷却装置的应用相比更不复杂。
在本发明的实施例中，所述过滤器包括经烧结的金属片。烧结材料是通过压缩所述材料的粉末以及在不熔融所述材料的情况下使用热或压力形成固体块而制成的。实际上，所述材料的颗粒或粉末被熔融在一起。烧结材料可以例如由其孔隙尺寸或平均孔隙尺寸来表征。
在本发明的实施例中，选择具有与所应用的气体的平均自由路径长度有关的特定孔隙尺寸或孔径的材料。
如上文已经提及的，根据本发明的所述腔室可以有利地处于真空环境中。在这样的环境中，所述腔室的管道或导管可以例如被配置成接收来自低压力源的气体，由此所述低压力源的压力例如在1-2kPa与1-2Pa之间的范围内，例如在1kPa与2Pa之间的范围内。对于气体的给定压力，可以确定气体分子的平均自由路径长度。下表图示了对于一定数目压力的这种平均自由路径：
压力 平均自由路径
[Pa] [m]
1 1.1e-2
10 1.1e-3
100 1.1e-4
1000 1.1e-5
基于所述管道中的所施加的压力，因而可以确定所述气体的平均自由路径长度。在本发明的实施例中，选择用于具有基本上小于平均自由路径长度的孔隙尺寸的过滤器的材料或结构。由此，可以确保当穿越所述过滤器时气体分子的相互作用主要是与过滤器材料的相互作用、而不是与其它气体分子的相互作用。在本发明的实施例中，所述过滤器被配置成具有比所供应的气体的平均自由路径长度小至少5倍即小于其1/5(优选地为10倍即小于其1/10)的孔隙尺寸或孔径。
为了确保所述气体与所述过滤器之间的充分相互作用，可以例如基于所施加的气体的平均自由路径长度来选择所述过滤器的合适的厚度。具体地，在本发明的实施例中，如所施加的过滤器的厚度是所供应的气体的平均自由路径长度的至少10倍(优选地为至少20倍)。在实施例中，过滤器的厚度可以例如在0.1mm至10mm的范围内，优选地在0.2mm至5mm的范围内。
在本发明的实施例中，所述管道的所述出口(例如图3中所示出的管道320的出口320.2)沿整个开口(例如图3的开口310)延伸。在这样的实施例中，气体因而从环绕整个开口的出口而被供应。在这样的实施例中，所管道可以包括一个或更多个管道(诸如管320.1)，所述一个或更多个管道被配置成供应所述气体至腔室(例如腔室320.2)，这可以分配所述气体以环绕所述开口，例如开口310。
在实施例中，所述过滤器基本上覆盖所述管道的整个出口。在实施例中，所述管道的所述出口的多个部分可以保持敞开或可以覆盖有不同过滤器，例如较薄过滤器或具有不同等级或孔隙尺寸的过滤器。由此，也可以对到衬底或传感器的所得到的热负载进行调节。因而，作为过滤器相对于所述出口向内定位的替代或补充，可以应用这种实施例。
在本发明的实施例中，所述过滤器被布置在所述出口中。如上文参考图4所描述的，通过将所述过滤器布置在所述出口中，可以调节由衬底或传感器上的气锁或气体密封所引起的净热负载。特别地，通过将所述过滤器略微向内布置在所述出口(例如图3的出口320.3或图4的出口420)中，得到的热负载可以被调节至期望值，例如至净正热负载、净负热负载或接近零热负载。值得一提的是，可以观察到所述过滤器的高度与实现特定的所得到的热负载所需的向内位置之间的相关性；所述过滤器的高度越大，其应在所述出口中朝内移动越远，以实现期望的所得到的热负载。可以提及的位置以及过滤器的典型尺寸是：在1mm与10mm之间的过滤器高度，以及0.1mm与5mm之间的向内位置。
如上文所描述的根据本发明的腔室可以有利地被应用于容纳光学元件，例如光刻设备的投影系统的反射镜。
如此，根据本发明的一方面，提供一种投影系统，例如如图1中所示出的投影系统PS，所述投影系统包括根据本发明的腔室和被布置在所述腔室中的多个光学元件，所述光学元件被配置成在使用期间将经图案化的辐射束投影至衬底上。在实施例中，如所应用的光学元件可以例如为反射镜，例如被配置成反射EUV辐射束的反射镜。
根据本发明的另一方面，提供一种包括根据本发明的投影系统的光刻设备。这种光刻设备LA如图1中示意性地示出。根据本发明，根据本发明的光刻设备LA可以有利地与用于产生如由所述光刻设备使用的辐射束的辐射源相结合。如此，在实施例中，本发明提供一种光刻系统，包括根据本发明的光刻设备和用于产生辐射束的辐射源。
如上文所论述的，本发明能够使得获得对由腔室(例如光刻设备的投影系统的腔室)的气锁或气体密封所引起的热负载的经改善控制。通过使用在所述气锁或气体密封的气体供应的出口中或附近的过滤器来获得这样的经改善的控制。也值得一提的是，所述过滤器的应用至少部分地防止粒子(例如存在于所供应的气体中的粒子)进入所述腔室或污染靠近所述腔室的所述开口的衬底或传感器。
虽然可以在本文中具体地参考在IC制造中光刻设备的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头，等。
虽然可以在本文中具体地参考在光刻设备的情境下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)的物体的任何设备的部分。这些设备一般可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或周围(非真空)条件。
虽然上文可能已经具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻术，并且可以用于其它应用(例如压印光刻术)中。
在情境允许的情况下，可以以硬件、固件、软件或其任何组合实施本发明的实施例。本发明的实施例也可以被实施为储存在机器可读介质上的指令，其可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈可以由机器(例如，计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性储存介质；光学储存介质；闪存装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)和其它。另外，固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应了解，这些描述仅仅是方便起见，并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置引起，并且如此进行可以使致动器或其它装置与实体世界相互作用。
虽然上文已描述本发明的特定实施例，但将了解，可以以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。上方描述旨在是说明性的，而不是限制性的。由此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：
开口，所述开口被配置成在使用期间使经图案化的辐射束能够被投影至被布置在所述腔室外的衬底上；
管道，所述管道具有在所述孔口中的出口，所述管道被配置成传递气体至所述开口以用于提供对所述开口的气体密封；
过滤器，所述过滤器被布置在所述气体的流动路径中、并且布置在所述出口处或附近，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节。
2.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述过滤器包括多孔金属材料或陶瓷材料。
3.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器包括经烧结的金属片。
4.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节以形成用于所述衬底的预定热负载。
5.根据权利要求4所述的腔室，其中，所述预定热负载大致为零。
6.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述出口沿整个所述开口延伸。
7.根据权利要求6所述的腔室，其中，所述过滤器覆盖大致整个所述出口。
8.根据权利要求6或7所述的腔室，其中，所述过滤器布置在所述出口中。
9.根据权利要求6、7或8所述的腔室，其中，所述过滤器相对于所述开口的表面向内布置。
10.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述腔室被配置成应用于真空环境中，并且其中，所述管道被布置成从低压力源接收所述气体，所述低压力源的压力在约2kPa至1Pa的范围内，优选地在1kPa至2Pa的范围内。
11.根据权利要求10所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成具有为所供应的气体的平均自由路径长度的至多1/10的孔隙尺寸，或者其中，所述过滤器的厚度为所供应的气体的所述平均自由路径长度的至少10倍，优选地至少20倍。
12.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成至少部分地防止粒子进入所述腔室或污染所述衬底。
13.一种用于光刻设备的投影系统，所述投影系统包括：
根据权利要求1至12中任一项所述的腔室，和
多个光学元件，所述多个光学元件被布置在所述腔室中且被配置成在使用期间将所述经图案化的辐射束投影至所述衬底上。
14.一种光刻设备，包括根据权利要求13所述的投影系统。
15.一种光刻系统，包括根据权利要求14所述的光刻设备和用于产生辐射束的辐射源。
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