TW202328798A - 用於微影設備之投影系統之腔室、投影系統、及微影設備 - Google Patents

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Abstract

本發明描述一種用於一微影設備之一投影系統之腔室，該腔室包含： -   一開口，其經組態以在使用期間使一經圖案化輻射光束能夠投影至配置於該腔室外部之一基板上； -   一管道，其具有在該孔口中之一出口，該管道經組態以遞送一氣體至該開口以用於提供該開口之一氣體密封； 一過濾器，其配置在該氣體之一流動路徑中、在該出口處或附近，該過濾器經組態以熱調節該氣體。

Description

用於微影設備之投影系統之腔室、投影系統、及微影設備
本發明係關於一種用於微影設備之投影系統之腔室、一種用於微影設備之投影系統，及一種微影設備。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如光罩)處之圖案投影射至經提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內的波長(例如，6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
由於在使用EUV輻射之微影設備內EUV輻射很大程度上被物質吸收，因此EUV輻射之光學路徑在真空條件下(亦即，在明顯低於大氣壓之壓力下)。詳言之，包含用於投影EUV輻射至基板上的光學元件之系統的投影系統可在真空條件下固持於微影設備之專用隔室中。經由該隔室之開口將EUV輻射投影於基板上。為了避免或減輕污染物經由該開口進入至投影系統中，通常應用氣鎖或氣體密封。然而，已知氣鎖或氣體密封可干擾經圖案化的基板之熱條件及/或在開口附近使用的任何感測器之熱條件。另外，光學元件(例如投影系統中之光學元件)亦可受由氣鎖所引起之熱干擾影響。此類干擾可不利地影響圖案化程序之準確度。
本發明之目標為提供可例如在微影設備中之殼體或腔室中使用的經改良氣鎖。
根據本發明之一態樣，提供一種用於微影設備之投影系統之腔室，該腔室包含： -  一開口，其經組態以在使用期間使一經圖案化輻射光束能夠投影至配置於該腔室外部之一基板上； -  一管道，其具有在該孔口中之一出口，該管道經組態以遞送一氣體至該開口以用於提供該開口之一氣體密封； -  一過濾器，其配置在該氣體之一流動路徑中、在該出口處或附近，該過濾器經組態以熱調節該氣體。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於微影設備之投影系統，該投影系統包含根據本發明之腔室，及配置於該腔室中並經組態以在使用期間投影經圖案化輻射光束至基板上之複數個光學元件。
根據本發明之又一態樣，提供一種包含根據本發明之投影系統的微影設備。
圖1展示根據本發明之微影系統，其包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B及將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。根據本發明之微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，光罩)的支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射光束B。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11之補充或替代，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射射束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將減小因子應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用減小因子4或8。儘管投影系統PS經說明為在圖1中僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。
通常，微影系統之各種子系統可配置於不同隔室或腔室中。詳言之，投影系統PS可配置於腔室或殼體15中以避免或減輕污染諸如圖1中展示之鏡面13、14的光學組件。該腔室或殼體將通常具有開口或孔口16以允許經圖案化輻射光束B'投影至基板W上。為了避免污染物經由開口進入投影系統PS，氣鎖或氣體密封經提供於開口16中。該氣鎖或氣體密封包含具有開口16中之出口並經組態以遞送氣體至開口的管道。根據本發明，氣鎖或氣體密封進一步包含配置在出口處或附近的過濾器，該過濾器經組態以熱調節氣體。下文中提供關於氣鎖及所應用過濾器之其他細節。
如圖1所示之輻射源SO屬於例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源的類型。可例如包括CO 2雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至由例如燃料發射器3提供的燃料(諸如，錫(Sn))中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌道朝向電漿形成區4引導例如呈液滴形式之錫的噴嘴。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生錫電漿7。包括EUV輻射之輻射在電漿之離子之去激發及重組期間自電漿7發射。
藉由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如接近正入射輻射收集器5 (有時稱為更一般正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。如下文所述，該等焦點中之第一者可處於電漿形成區4，且該等焦點中之第二者可處於中間焦點6。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分隔。在此種狀況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可共同地認為係一輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何適合之源可用以產生EUV輻射。
圖2示意性地展示已知投影系統PS之下部部分，詳言之投影系統PS之腔室或殼體200，該下部部分具有由壁部分215界定的一開口210，經由該開口可將經圖案化輻射光束投影於基板W上，基板W藉由基板台WT固持。為了提供用於開口210之氣鎖或氣體密封，管道220經提供以遞送藉由箭頭230指示之氣體至管道220之出口，藉此傳遞該氣體至開口產生氣鎖或氣體密封。在如所展示之配置中，管道220包含供應氣體至腔室220.2的管220.1。此腔室220.2可例如為環形腔室。腔室220.2連接至狹縫220.3，氣體經由該狹縫被供應至開口210。狹縫220.3因此充當氣體之出口。在圖2中，箭頭250示意性地指示氣體自開口210朝向基板W及朝向投影系統PS之內部流動。已觀測到，如圖2中所展示之配置歸因於停滯及膨脹氣體效應而引起基板上之正熱負載。在本發明之含義中，正熱負載為致使接收熱負載的物件(例如基板W)之溫度上升的熱負載或熱負荷。因此已提議冷卻如經供應至開口210的氣體以便減少至基板W之熱負載。此類冷卻可例如包括使用加熱管、熱交換器、帕爾貼元件等。藉此，朝向基板之所得熱負載實際上可經降低或接近零。然而，藉由本發明者設計，儘管所得熱負載可較小或接近零，但熱通量仍可出現在物件上。詳言之，已設計物件(例如配置於基板台WT上的基板或感測器)上之所得接近零熱負載實際上因為接收正熱負載之物件之區域與接收負熱負載之區域的組合而實現。結果，局部冷卻及加熱效應仍然可出現，而不管接近零所得熱負載。在本發明之含義中，熱通量係指例如基板或感測器之物件上的不均勻熱負載分佈，該不均勻熱負載分佈引起已接收不同熱負載的區域之間的熱轉移或熱通量。此熱通量可視為可導致基板或感測器隨時間推移改變之特性的暫態或動態效應。作為實例，可提及配置於基板台WT上的感測器之膨脹。歸因於如藉由感測器感知的熱通量，感測器之膨脹將係時間相依的。結果，如自感測器獲得的量測結果亦可為時間相依的。換言之，自感測器獲得的量測結果可取決於實際上執行量測所在的時刻。由於此量測結果例如依賴於圖案化程序，因此圖案化程序亦可受感測器上之熱通量不利地影響。類似地，基板上之熱通量將引起基板之時間相依變形，其亦可不利地影響圖案化程序的準確度。
根據本發明，因此不同方法經提議以減少靠近微影設備之投影系統之氣鎖的物件上之熱負載。提議根據本發明在氣體之流動路徑中提供過濾器，該過濾器在開口中之氣體出口處或附近提供且經組態以熱調節氣體，而不是冷卻經提供至開口的氣體。藉由導引氣體流動穿過配置在開口中之氣體出口處或附近的過濾器，離開過濾器之氣體流動可視為作為在隨機方向上之規則正態分佈氣體流動的管道。
在一實施例中，過濾器可例如由燒結材料製成。在一實施例中，過濾器係例如由諸如不鏽鋼之金屬或由陶瓷材料製成。此類陶瓷材料之實例包括但不限於矽碳化物，諸如SiC或SiSiC。在一實施例中，過濾器可例如由熱傳導材料製成。
在不限定於任何科學理論的情況下，咸信對於投影系統之氣鎖或氣體密封或投影系統之殼體的給定應用，所應用過濾器之典型孔隙大小將比被供應的氣體之平均自由路徑長度小得多。結果，當氣體藉由過濾器發射時的最後相互作用將為過濾器與氣體分子之間而不是氣體分子之間的相互作用。結果，氣體將獲得過濾器之熱性質。
圖3示意性地展示用於根據本發明之微影設備之投影系統之腔室300之一部分。在圖3中，參考編號315係指腔室300之壁部分，該壁部分315界定壁之開口310，該開口310經組態以在使用期間使經圖案化輻射光束能夠投影至配置於腔室300外部的基板W上。在如所展示之實施例中，界定開口310之壁部分315具有傾斜內部表面315.1。可指出，亦可應用任何其他合適之形狀。內部表面315.1可例如與所指示Z方向對準或可甚至被彎曲。在一實施例中，開口310之橫截面310.1可例如具有環形或矩形形狀。可應用適合於在使用期間允許經圖案化輻射光束傳遞並到達基板W的任何形狀。在如所展示之實施例中，腔室300進一步包含具有開口310中之出口320.3之管道320，該管道320經組態以遞送氣體至開口310以用於提供開口310之氣體密封。在如所展示之實施例中，管道320包含供應氣體至管道之腔室320.2的管或管線320.1。此腔室320.2可例如為環繞開口310之環形腔室。在如所展示之實施例中，腔室320.2經由出口320.3連接至開口310，氣體經由該出口被供應至開口310。在一實施例中，出口320.3可例如為狹縫形狀且可例如環繞腔室300之整個開口310。根據本發明，腔室300進一步包含配置於氣體之流動路徑中在出口320.3處或附近的過濾器340，該流動路徑藉由箭頭330指示，過濾器340經組態以熱調節氣體。
已藉由本發明者設計，藉由添加過濾器340，該過濾器經組態以熱調節氣體，氣體對基板W之不利影響可得以減輕。亦可提及根據本發明之過濾器340的應用有助於避免或減輕供應氣體之自由氣體膨脹，此膨脹將誘發氣體冷卻及氣鎖與氣體之間的熱轉移。
藉由在經供應氣體之流動路徑中(詳言之在氣體之出口320.3處或附近)包括過濾器340，已發現可控制藉由氣體呈現的熱負載。詳言之，在管道320之出口320.3中引入過濾器340能夠使得控制在開口310處或附近應用並受氣體流動影響的基板W上或感測器上之熱負荷或熱負載。已藉助於模擬及量測確認過濾器340之應用能夠使得將熱負載(例如至基板或感測器之熱負載)控制至預定值。在一實施例中，由朝向基板離開開口310的氣體流動所引起的熱負載可經調節至零或實質上零。亦觀察到與熱負載相關聯之熱通量亦可藉由應用過濾器而調節至零或實質上零。結果，出現在感測器或基板上之熱通量的前述不利影響可藉由本發明減輕。
在一實施例中，過濾器包含熱傳導材料，例如多孔材料。藉由導引氣體穿過由熱傳導材料製成的過濾器，氣體將實質上依循過濾器之溫度。換言之，氣體將呈現過濾器之熱性質且將藉由過濾器在隨機分佈方向上輸出。一旦氣體已離開過濾器，冷卻效應將歸因於氣體膨脹及氣體在流動方向上(亦即朝向基板W或朝向腔室300之內部)之對準而出現。因而，當過濾器340經配置成使得面向開口310之其外表面340.1經配置成與開口之內部表面315.1齊平或經配置以在開口310中突出時，負熱負載將朝向基板W出現。然而，藉由改變過濾器340相對於開口310之內部表面315.1的位置，已發現出現的熱負載可經調整，亦即調節至所需值。此在圖4中示意性地說明。
圖4之底部部分示意性地展示根據本發明之腔室之壁的一部分415，該壁部分415界定腔室之壁中之開口。壁部分415進一步包含在相對於至開口中之氣體供應源之出口420的三個不同位置中配置的過濾器440。在配置(a)中，過濾器440經配置以自出口420稍微突出。在配置(b)中，過濾器440經配置成稍微向內至出口420中。在配置(c)中，相較於配置(b)，過濾器440經配置成向內至出口420中稍遠。
圖4之頂部部分示意性地展示對於三個配置，藉由基板W接收的累積熱負載Q[W]隨如圖3所指示的距開口之中心的徑向距離R而變。圖4中之圖表A對應於圖4之底部部分中所展示的配置(a)。如可見，過濾器自壁部分415稍微向外之配置導致基板上之負熱負載。圖4中之圖表B對應於圖4之底部部分中所展示的配置(b)。在此配置中，藉此過濾器自壁部分415稍微向內配置，獲得基板上之接近零熱負載。圖4中之圖表C對應於圖4之底部部分中所展示的配置(c)。如可見，相較於配置(b)，過濾器進一步向內的配置導致基板上之正熱負載。
基於上述，可推斷藉助於在氣鎖或氣體密封中之氣體供應源之出口處或附近所應用的過濾器，可調節由供應的氣體所引起之熱負載。詳言之，強依賴性存在於所產生熱負載與過濾器相對於氣體供應源之出口的位置之間。
基於模擬(其亦藉由量測確認)，亦觀察到亦可實質上降低基板上或靠近腔室開口使用的感測器上之熱通量。
相較於已知配置，藉此應用冷卻配置，可提及本發明以比已知配置極不複雜的被動配置形式提供。然而可指出，在本發明之一實施例中，在至腔室或腔室壁中之開口之出口處或附近的過濾器之使用可與加熱器之使用組合。
在此類實施例中，過濾器(例如圖4中所展示之過濾器440)可例如經配置以便產生基板W上之負熱負載。然而，藉由加熱經供應至腔室或腔室壁之開口的氣體，吾人可將至基板之所得熱負載調整至例如實質上為零的所得熱負載。關於此配置，藉此加熱器用於補償由過濾器所引起的負熱負載，可指出加熱器之應用可視為比冷卻器或冷卻裝置之應用更小複雜。
在本發明的一實施例中，過濾器包含經燒結金屬薄片。燒結材料係藉由壓縮材料粉末及在不熔融材料的情況下使用熱或壓力形成固體塊而製成。實際上，材料粒子或粉末經熔融在一起。燒結材料可例如藉由其孔隙大小或平均孔隙大小表徵。
在本發明之一實施例中，選擇具有與所應用氣體的平均自由路徑長度有關之特定孔隙大小的材料。
如上文已經提及，根據本發明之腔室可有利地在真空環境中。在此類環境中，腔室之管道可例如經組態以自低壓力源接收氣體，藉此低壓力源之壓力例如在1-2 kPa與1-2 Pa之間的範圍內，例如在1 kPa與2 Pa之間的範圍內。對於氣體之給定壓力，可判定氣體分子之平均自由路徑長度。下表說明對於數個壓力之此平均自由路徑：
壓力 平均自由路徑
[Pa] [m]
1 1.1e-2
10 1.1e-3
100 1.1e-4
1000 1.1e-5
基於管道中之所施加壓力，因此可判定氣體之平均自由路徑長度。本發明的一實施例中，選擇用於具有實質上小於平均自由路徑長度之孔隙大小的過濾器之材料或結構，藉此，吾人可確保當橫穿過濾器時氣體分子之相互作用主要為與過濾器材料之相互作用而不是與其他氣體分子之相互作用。在本發明的一實施例中，過濾器經組態以具有比經供應氣體之平均自由路徑長度小至少5倍(較佳地為10倍)的孔隙大小。
為了確保氣體與過濾器之間的充分相互作用，可例如基於所施加氣體之平均自由路徑長度選擇過濾器之合適厚度。詳言之，本發明的一實施例中，如所施加之過濾器具有為經供應氣體之平均自由路徑長度的至少10倍(較佳地為至少20倍)的厚度。在一實施例中，過濾器之厚度可例如在0.1至10 mm之範圍內，較佳地在0.2至5 mm之範圍內。
在本發明之一實施例中，管道之出口(例如圖3中所展示之管道320的出口320.2)沿著整個開口(例如圖3之開口310)延伸。在此類實施例中，氣體因此係自環繞整個開口之出口供應。在此類實施例中，管道可包含一或多個管道(諸如管320.1)，其經組態以供應氣體至腔室(例如腔室320.2)，此可分配氣體以環繞該開口，例如開口310。
在一實施例中，過濾器實質上覆蓋管道之整個出口。在一實施例中，管道之出口的部分可打開或可覆蓋有不同過濾器，例如較薄過濾器或具有不同等級或孔隙大小之過濾器。藉此，亦可調節至基板或感測器之所得熱負載。因此，作為過濾器相對於出口向內定位的替代或補充，可應用此實施例。
在本發明之一實施例中，過濾器配置於出口中。如上文參看圖4所描述，藉由將過濾器配置於出口中，可調節由基板或感測器上之氣鎖或氣體密封所引起的淨熱負載。詳言之，藉由將過濾器稍微向內配置於出口(例如圖3之出口320.3或圖4之出口420)中，所得熱負載可經調節至所需值，例如至淨正熱負載、淨負熱負載或接近零熱負載。值得一提的是可觀察到過濾器之高度與達成特定所得熱負載所需要的向內位置之間的相關度；過濾器之高度愈大，其應在出口中朝內移動愈遠，以達成期望的所得熱負載。可提及之過濾器及位置的典型尺寸係在1 mm與10 mm之間的過濾器高度以及0.1 mm與5 mm之間的向內位置。
如上文所描述之根據本發明之腔室可有利地應用以適應光學元件，例如微影設備之投影系統的鏡面。
因而，根據本發明之一態樣，提供一種投影系統，例如如圖1中所示之投影系統PS，該投影系統包含根據本發明之腔室及配置於該腔室中的複數個光學元件，該等光學元件經組態以在使用期間將經圖案化輻射光束投影至基板上。在一實施例中，如所應用之光學元件可例如為鏡面，例如經組態以反射EUV輻射光束之鏡面。
根據本發明之另一態樣，提供一種包含根據本發明之投影系統的微影設備。此微影設備LA如圖1中示意性地展示。根據本發明，根據本發明之微影設備LA可有利地與用於產生如由微影設備使用之輻射光束的輻射源組合。因而，在一實施例中，本發明提供一種包含根據本發明之微影設備及用於產生輻射光束之輻射源的微影系統。
如上文所論述，本發明能夠使得獲得對由腔室(例如微影設備之投影系統之腔室)之氣鎖或氣體密封所引起之熱負載的經改良控制。此類經改良控制係藉由使用在氣鎖或氣體密封之氣體供應源的出口中或附近的過濾器獲得。值得一提的是過濾器之應用至少部分地防止粒子(例如存在於經供應氣體中的粒子)進入腔室或污染靠近腔室開口之基板或感測器。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部件。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟件、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起，且如此進行可使致動器或其他裝置與實體世界互動。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。由此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 15:腔室/殼體 16:開口 200:腔室/殼體 210:開口 215:壁部分 220:管道 220.1:管 220.2:腔室 220.3:狹縫 230:箭頭 250:箭頭 300:腔室 310:開口 310.1:橫截面 315:壁部分 315.1:傾斜內部表面 320:管道 320.1:管/管線 320.2:腔室 320.3:出口 330:箭頭 340:過濾器 340.1:外表面 415:壁部分 420:出口 440:過濾器 A:圖表 B:EUV輻射光束/圖表 B':經圖案化EUV輻射光束 C:圖表 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 Q:累積熱負載 R:徑向距離 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
現在將參看隨附示意圖作為實例來描述本發明之實施例，在該等示意圖中： 圖1描繪包含根據本發明之微影設備及輻射源的微影系統； -  圖2描繪如此項技術中已知之投影系統的氣鎖。 -  圖3描繪如可在根據本發明之腔室中應用的氣鎖或氣體密封之實施例。 -  圖4描繪針對過濾器之不同位置(a)、(b)及(c)的在基板上之根據本發明之氣鎖或氣體密封的所得熱負載。
300:腔室
310:開口
310.1:橫截面
315:壁部分
315.1:傾斜內部表面
320:管道
320.1:管/管線
320.2:腔室
320.3:出口
330:箭頭
340:過濾器
340.1:外表面
R:徑向距離
W:基板

Claims (15)

  1. 一種用於一微影設備之一投影系統之腔室，該腔室包含： 一開口，其經組態以在使用期間使一經圖案化輻射光束能夠投影至配置於該腔室外部之一基板上； 一管道，其具有在該孔口中之一出口，該管道經組態以遞送一氣體至該開口以用於提供該開口之一氣體密封； 一過濾器，其配置在該氣體之一流動路徑中、在該出口處或附近，該過濾器經組態以熱調節該氣體。
  2. 如請求項1之腔室，其中該過濾器包含一多孔金屬材料或一陶瓷材料。
  3. 如請求項1或2之腔室，其中該過濾器包含一經燒結金屬薄片。
  4. 如請求項1或2之腔室，其中該過濾器經組態以熱調節該氣體以形成用於該基板之一預定熱負載。
  5. 如請求項4之腔室，其中該預定熱負載實質上為零。
  6. 如請求項1或2之腔室，其中該出口沿著該整個開口延伸。
  7. 如請求項6之腔室，其中該過濾器實質上覆蓋該整個出口。
  8. 如請求項6之腔室，其中該過濾器配置於該出口中。
  9. 如請求項6之腔室，其中該過濾器相對於該開口之一表面向內配置。
  10. 如請求項1或2之腔室，其中該腔室經組態以應用於一真空環境中，且其中該管道經組態以自一低壓力源接收該氣體，該低壓力源之一壓力係在約2 kPa至1 Pa之範圍內，較佳地在1 kPa至2 Pa之一範圍內。
  11. 如請求項10之腔室，其中該過濾器經組態以具有比該經供應氣體之一平均自由路徑長度小至少10倍的一孔隙大小，或其中該過濾器具有為該經供應氣體之該平均自由路徑長度的至少10倍，較佳地為至少20倍的一厚度。
  12. 如請求項1或2之腔室，其中該過濾器經組態以至少部分地防止粒子進入該腔室或污染該基板。
  13. 一種用於一微影設備之投影系統，該投影系統包含 一如請求項1至12中任一項之腔室，及 複數個光學元件，其配置於該腔室中且經組態以在使用期間將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。
  14. 一種微影設備，其包含一如請求項13之投影系統。
  15. 一種微影系統，其包含一如請求項14之微影設備及用於產生一輻射光束之一輻射源。
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