JP2007180531A - 清浄中にコレクタを通る流れの制御 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィ装置内の清浄において、清浄用のガス供給システムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射線源からの放射線を収集するように構成され、分離したコンパートメント５０，５１，５２，５３を形成する複数のシェル２０，２１，２２，２３を有するコレクタＣＯと、ガス注入口３０およびガス排出口３２を有し、ガス流を注入口３０からコンパートメント５０，５１，５２，５３を経由して排出口３２に導くことによって、複数のシェル２０，２１，２２，２３の表面を清浄するように構成された清浄装置とを有する。清浄装置は、ガス流を複数の副流４０，４１，４２，４３に分流するように構成された分流システムと、副流４０，４１，４２，４３の相対量を制御するように構成された制御システムとを有し、各副流４０，４１，４２，４３は、コンパートメント５０，５１，５２，５３のうちの１つまたは複数に対応する。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置および該リソグラフィ装置に含まれるコレクタを清浄する方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを加える機械であり、通常は基板のターゲット部分に加える。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合に、別名としてマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成するべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイあるいはダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）層上における結像を介して行われる。一般的に、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網（ネットワークnetwork）を含む。公知のリソグラフィ装置には、ターゲット部分にパターン全体を一度に露光することで各ターゲット部分が照射されるステッパと、照射ビームによって所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に対して平行にまたは非平行に基板をスキャンすることで各ターゲット部分が照射されるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることで、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。

リソグラフィ装置に対する現行の設計には、（一般的には波長が５ｎｍ〜２０ｎｍの）ＥＵＶ領域の放射線を使用してパターンをマスクから基板に転写するものがある。ＥＵＶ光源によって生成された放射線は、ＥＵＶコレクタによって収集され、次いで照明システムに向けられる。ＳｎベースのＥＵＶ源を使用する場合、そのＥＵＶ源は、ＥＵＶコレクタを汚染するおそれのあるＳｎ粒子も生成する。リソグラフィ装置に寿命を十分に全うさせるためには、これらのＳｎ粒子がＥＵＶコレクタミラーから取り除かれる（これを「清浄」と呼ぶことにする）ことが必要である。

現在のところ、これらＳｎ汚染物を取り除くために利用できる方法が２つある。最近の実験では、水素ラジカル（あるいは水素と他のガスの混合物）を用いて基板からＳｎ汚染物を除去できることが証明された。他の可能な方法にはハロゲン清浄がある。この方法では、ハロゲンは揮発性のＳｎ−ハロゲン分子を形成し、その分子は蒸発し、ガス流とともにコレクタから移送される。コレクタは、Ｓｎ汚染物に加えてＳｎ酸化物で汚染されることもある。Ｓｎ酸化物を同様にうまく除去するためには、まず、Ｓｎ酸化物をＳｎに還元することが必要である。これは水素ラジカルを使用して行われる。

これらの清浄方法はともに水素ラジカルを必要とし、したがって、ＥＵＶコレクタに水素ラジカルを導入することが非常に重要である。コレクタ表面を効率的に清浄するための必要条件の１つは、コレクタ表面の水素ラジカルの流束を十分に大きくすることである。大きな流束は比較的高い圧力で達成できるが、非常に高い圧力では、水素ラジカルが三体再結合により急速に失われる。低い圧力では、ラジカルが壁面での再結合により急速に失われる。十分な高流束が達成でき、かつ、ラジカルの再結合が制限される可能圧力範囲とは、圧力が１０ｋＰａを超えるものである。これらの圧力において、コレクタ全体を清浄するためには、コレクタに高速流を流す必要がある。しかしながら、達成可能な速度は、システムの最大ポンプ容量によって制限される。

ＥＵＶリソグラフィ装置のコレクタを水素ラジカルを使用して清浄し、制限されたポンプ容量で水素ラジカルの速度を十分高いものとする方法を提供することが望ましい。

上記に鑑み、放射線源からの放射線を収集するように構成されたコレクタとガス注入口およびガス排出口を含む清浄装置とを有するリソグラフィ装置が提供され、コレクタは、分離したコンパートメントを形成する複数のシェルを有し、清浄装置は、ガス流を注入口からコンパートメントを経由して排出口に導くことによって、複数のシェルの表面を清浄するように構成される。清浄装置は、ガス流を複数の副流に分流するように構成された分流システムと副流の相対量を制御するように構成された制御システムとを有し、各副流は、１つまたは複数のコンパートメントに対応する。

さらに別の態様によれば、ガス注入口およびガス排出口を有する清浄装置が提供され、その装置は、ガス流を注入口から前記コレクタのコンパートメントを経由して排出口に導くことによって、リソグラフィ装置のコレクタのシェル表面を清浄するように構成される。清浄装置は、ガス流を複数の副流に分流するように構成された分流システムと副流の相対量を制御するように構成された制御システムとを有し、各副流は、１つまたは複数のコンパートメントに対応する。

本発明の別の態様によれば、リソグラフィ装置のコレクタを清浄する方法が提供され、そのコレクタは、コレクタの第１の開口端で放射線を受け入れ、コレクタの第２の開口端で放射線を送出するように構成された分離コンパートメントを形成する複数のコレクタシェルを有しており、その方法には、複数のシェルの表面を清浄するためにコンパートメントを経由してガスを導き、ガス流をそれぞれがコンパートメントの１つに対応する複数の副流に分流し、副流の相対量を制御することが含まれる。

本発明の別の態様によれば、リソグラフィ用のコレクタが提供され、そのコレクタは、分離コンパートメントを形成する複数の管状シェルと、放射状に延在し、コンパートメントを細分する隔壁とを有する。

別途に指摘がない限り、本文を通して「水素」および「水素ラジカル」という用語は、さらにそれらの同位体、特に重水素および三重水素を含む。

同じ参照符号が対応する部品を示す添付の概略図を参照して、本発明の実施形態を単なる例示として以下に説明する。

図１は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射線源ＳＯからの放射線を収集するように構成されたコレクタＣＯを有する。照明システム（イルミネータ）ＩＬは、照射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射線またはＥＵＶ放射線）を調整するように構成されている。支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）を支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジスト被覆ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折式投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって照射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば、１つまたはそれ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影する。

照明システムは、放射光の向きを決めるか、放射光を成形するか、または放射光を制御するための、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電式もしくは他のタイプの光学部材、またはそれらの組み合わせなどの種々のタイプの光学部材を含むことができる。

支持体はパターニングデバイスを支持し、例えば、その重量を支える。支持体は、パターニングデバイスの配置、リソグラフィ装置の設計、およびパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に従った態様でパターニングデバイスを保持する。支持体はパターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式または他の様式による固定技術を使用することができる。支持体は、例えば、必要に応じて固定できるか、または移動可能であるフレームまたはテーブルであってよい。支持体は、パターニングデバイスが、例えば、投影システムに対して所望の位置を確実に確保することができるようにする。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用する場合はすべて、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義語をなすとみなしてよい。

本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、その横断面で照射ビームにパターンを付与して、基板のターゲット部分にパターンを形成するために使用できる手段を示すものと広く解釈すべきである。照射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフト特性、すなわち、いわゆるアシスト特性を有している場合に、基板のターゲット部分に望まれるパターンと必ずしも同じではないことに留意すべきである。一般に照射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路のようなデバイスの特定の機能層に一致する。

パターニングデバイスは透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでは公知であり、バイナリ、alternating位相シフト（alternating phase-shift）、減衰型位相シフト（attenuated phase-shift）、ならびに各種のハイブリッドマスクタイプのようなマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの例では小型ミラーのマトリックス配列が使用されており、個々のミラーは入射する照射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾斜させることができる。ミラーを傾斜させることで、ミラーマトリックスによって反射された照射ビームにパターンが付与される。

本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば使用される露光放射線や、他の因子、例えば液浸液の使用や真空の使用に適当とされる屈折型、反射型、屈折反射型、磁気型、電磁気型、静電型光学システムまたはそれらの任意の組み合わせを含む任意の型の投影システムを包含するものと広く解釈されるべきである。本明細書で「投射レンズ」という用語を使用する場合はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義語と考えることができる。

本明細書に記載するように、この装置は（例えば、反射型マスクを使用する）反射型のものである。これに代えて、この装置は（例えば、透過型マスクを使用する）透過型とすることもできる。

このリソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプとすることができる。そのような「マルチステージ」機構において、追加されるテーブルは並行して使用されるか、１つ以上のテーブルが露光に使用されている間に他の１つ以上のテーブルで準備段階を遂行することができる。

このリソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的高い屈折率の液体、例えば、水で覆われて、投影システムと基板との間の空間を満たすことができるタイプとすることもできる。液浸液はリソグラフィ装置の他の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に加えることもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすことを目的として本技術分野では公知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体が液体中に沈められなければならないことを意味するのではなく、単に、液体が露光中に投影システムと基板との間に配置されることを意味する。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線を受け取ったコレクタＣＯから放射線を受入れる。放射線源ＳＯおよびリソグラフィ装置は、例えば放射線源が励起レーザである場合に分離した構成要素とすることができる。そのような場合、照射ビームは、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて放射線源ＳＯからコレクタＣＯを経由してイルミネータＩＬへ送ることができる。他の例では、例えば放射線源が水銀ランプであるときは、放射線源はリソグラフィ装置の一体部分とされる。放射線源ＳＯ、コレクタＣＯ、およびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムとみなすことができる。

イルミネータＩＬは、照射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面の強度分布における少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（一般にそれぞれσ−アウターおよびσ−インナーと称される）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサのような他のさまざまな構成要素を含むことができる。イルミネータＩＬは、その横断面で所望の均一性および強度分布を有するように照射ビームを調整するために使用することができる。

照射ビームＢは、支持体（例えば、マスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを横断すると、照射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、その投影システムはビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に結ぶ。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉装置、リニアエンコーダ、または容量センサ）により、基板テーブルＷＴは正確に移動することができ、例えば照射ビームＢの光路内に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするようになされる。同様に、例えばマスクライブラリからマスクが機械的に取り出された後またはスキャン時に、第１の位置決め装置ＰＭおよび他の位置センサＩＦ１（例えば干渉装置、リニアエンコーダ、または容量センサ）は照射ビームＢの光路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗い位置決め）およびショートストロークモジュール（微細な位置決め）によって実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動きは、第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャン装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結するか、固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２および基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせできる。基板位置合わせマークは、図示するように、専用のターゲット部分に設けられているが、ターゲット部分間の空間に配置してもよい（これらは、けがき線位置合わせマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡに設けられている場合には、マスク位置合わせマークはダイの間に配置することができる。

図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できる。

１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保持される一方、照射ビームに与えられたパターン全体は一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後Ｘおよび／またはＹ方向へ移動され、別のターゲット部分Ｃが露光できるようにする。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を限定する。

２．スキャンモードでは、照射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、倍率（縮小率）および投影システムＰＳの画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法は単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限するのに対して、スキャン動作の長さはターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決める。

３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、照射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間に基板テーブルＷＴが移動すなわちスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射線源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは基板テーブルＷＴの各移動の後、またはスキャン時の連続する放射線パルスの間において、要求に応じてアップデートされる。この動作モードは、上述で引用したタイプのプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィにも容易に適用できる。

本実施形態は、上述した使用モードまたは全く異なる使用モードの組合せおよび／または変更形態にも使用することができる。

図２を参照すると、コレクタＣＯは、分離コンパートメント（separate compartments）５０、５１、５２、５３を形成する複数の同軸シェル２０、２１、２２、２３を有する。清浄装置はガス注入口３０およびガス排出口３２を有し、ガス流を注入口３０からコンパートメント５０、５１、５２、５３を経由して排出口３２に導くことによって、複数のシェル２０〜２３の表面を清浄するように構成されている。清浄装置は、さらに、ガス流を複数の副流４０、４１、４２、４３に分流するように構成された分流システムを有し、各副流は、コンパートメント５０、５１、５２、５３のうちの１つに対応している。実施形態では、シェル２０〜２３は実質的に管状の同心壁をなしており、実質的に管状のコンパートメント５０、５１、５２、５３を形成している（図２参照）。図２では、分流システムが各副流４０、４１、４２、４３を異なるコンパートメント５０、５１、５２、５３にそれぞれ向けるように構成されたチューブ６０、６１、６２、６３を有する実施形態を示している。この実施形態では、分流システムは、さらに、コレクタＣＯの入り口を閉じるように構成されたキャップ７５を有する。チューブ６０〜６３は、図３および図４を参照した下記記載の方法でキャップ７５に連結されている。図２から理解できるように、キャップ７５は、シェル２０〜２３の円形外側端部に合致するリング７６、７７、７８、７９を有する。

リソグラフィ装置は、副流４０、４１、４２、４３の相対量を制御するように構成された制御システムを有する。制御システムは、副流４０、４１、４２、４３をそれぞれ制御する複数のバルブ７０、７１、７２、７３を有する。制御システムは、さらに、所定の条件に従ってバルブ７０、７１、７２、７３を制御するように構成された制御ユニット７４を有する。制御ユニット７４は、例えば、命令を格納するメモリと命令を実行するプロセッサとを有するコンピュータであってもよい。バルブ７０、７１、７２、７３を制御することによって、例えば、コレクタＣＯの各コンパートメント５０、５１、５２、５３を個別に清浄することができる。図２に示すように、バルブ７３は開いており、他のバルブ、すなわちバルブ７０、７１、７２は閉じている。

これらのコンパートメントは、コレクタの全容積よりも小さいので、清浄ガスの速度を十分なものとするのに比較的低い流量でもよく、したがって、ポンプ容量を大きくする必要はない。

図３はキャップ７５の概略的な正面図である。簡素化のために、チューブ６２、６３の２つだけが示されている。上述したように、チューブ６２を流れる副流４２はバルブ７２によって制御され、チューブ６３を流れる副流４３はバルブ７３によって制御される。チューブ６２および６３はともに、４つの終端チューブに分割されている。この例では、チューブ６２は終端チューブ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、および６２Ｄに分割され、チューブ６３は終端チューブ６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ、および６３Ｄに分割されている。図３は、終端チューブ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、６２Ｄ、６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ、６３Ｄをキャップ７５に連結できる方法に関する可能な構成を示している。終端チューブ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、６２Ｄ、６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ、６３Ｄの排出口は、円６２Ａ’、６２Ｂ’、６２Ｃ’、６２Ｄ’、６３Ａ’、６３Ｂ’、６３Ｃ’、６３Ｄ’で示されている。図３は、さらに、キャップ７５のリング７６、７７、７８を示している。このように副流４２、４３を４つの副流にさらに分流すると、それぞれのコンパートメント５２、５３内の副流の分散がより良好になる。図４は、分流システムの可能な構成の斜視図であり、チューブ６２、６３とキャップ７５に連結された終端チューブ６２Ａ〜６２Ｄ、６３Ａ〜６３Ｄを示している。

図５を参照すると、制御システムは、ダイヤフラムブレード８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７を含むダイヤフラム８０を有する。ダイヤフラム８０は、コレクタＣＯの入り口に配置され、コンパートメント５０、５１、５２、５３のうちの少なくともいくつかの開口の少なくとも一部を塞ぐ。ダイヤフラム８０は、コンパートメント５０、５１、５２、５３を通る副流の相対量を制御するように定義できる制御パラメータに従って開閉することができる。図５では、コレクタＣＯのシェル２２および２３が視認でき、円として描かれている。ダイヤフラム８０の特有の絞りのために、図５ではシェル２０、２１が視認できない。図５では、シェル２０、２１が点線の円で示されている。ダイヤフラム８０は、例えば、外側コンパートメント５３だけを塞いで、清浄ガスをコンパートメント５０、５１、５２に流すこともできる。当然ながら他の構成も可能である。コレクタＣＯの清浄中に、ダイヤフラム８０は動的に制御されて、適時の様々な瞬間にコレクタ開口の異なる部分を塞ぐことができる。

図６を参照すると、制御システムは、コレクタＣＯの入り口あるいは出口の正面において移動可能であるリング８８を有する。図６は、非遮断状態から遮断状態へ移動中のリング８８を示しており、遮断状態では、リング８８はコンパートメント５３の入り口の一部を塞ぐことになる。リング８８は、コンパートメント５３を通る副流の相対量を制御するように定義できる制御パラメータに従って移動することができる。最も大きい入り口（すなわちコンパートメント５３の入り口）の開口を小さくすることによって、コンパートメント５３の流れ抵抗は増大する。これにより、他のコンパートメント５０、５１、５２と比べてコンパートメント５３の流れ抵抗が相対的に大きくなる。言い換えると、これにより、コレクタＣＯのすべてのコンパートメント５０、５１、５２、５３を通るガス流の分散がより良好になる。リング８８は、当然ながら、１つまたはそれ以上のコンパートメントの正面に置かれた静的リングであってもよい。リング８８が放射線を遮断するのを防止するために、リング８８を外側コンパートメント５３の正面でかつ放射線源ＳＯから入る照射ビームの外側に配置することができる。

コレクタＣＯは、Ｈラジカルを含む清浄ガスを使用して清浄することができる。リソグラフィ装置は、各コンパートメント５０、５１、５２、５３の入り口にＨラジカル源を有することができる。図７を参照すると、フィラメント９０がキャップ７５に配置されている。フィラメントは電流で加熱され、Ｈ_２を含むガスがキャップ７５を通って送り込まれたときにＨラジカルを発生させる。Ｈラジカルをコンパートメント５０、５１、５２、５３の入り口で発生させると、Ｈラジカルが局所的に発生することになり、したがって、チューブ内でのＨラジカルの損失が回避される。

図８を参照すると、コレクタＣＯは、分離コンパートメント５０、５１、５２、５３を形成する実質的に管状の複数のシェル２０、２１、２２、２３を有する。コレクタＣＯは、放射状に延在し、コンパートメント５０、５１、５２、５３を細分する隔壁１００、１０１、１０２、１０３を有する。コンパートメント５０、５１、５２、５３を細分することによって、さらに小さいサブコンパートメントを流れるより多くの副流を画定することができる。サブコンパートメントのうちのいくつかだけを一度に清浄すると、必要とされるポンプ容量をさらに小さくすることができる。

なお、分流システムおよび制御システムをコレクタＣＯの上流側（すなわち放射線源ＳＯに対向する側）に配置する代わりに、分流システムおよび制御システムをコレクタの下流側（すなわちイルミネータＩＬに対向する側）に配置することも可能である。当然ながら、キャップ７５およびチューブ６０、６１、６２、６３を有する分流システムは、ダイヤフラム８０を有する制御システムと組み合わせることができる。さらに当然のことであるが、図２を参照して説明した分流システムをコレクタＣＯの上流側に配置し、図５に示したダイヤフラム８０をコレクタの下流側に配置することも可能である。

本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の用途を有することは明らかである。このような別の用途では、本明細書で任意に使用されている用語「ウェーハ」または「ダイ」を、それぞれより一般的な用語の「基板」または「ターゲット部分」の同義語とみなせばよいことは明らかである。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に例えばトラック（基板に対してレジスト層を典型的に付与し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書による開示内容は上記およびその他の基板処理ツールに適用できる。さらに、基板は、例えば複層ＩＣを製造するために複数回処理することができ、これにより本明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理された層を含む基板を表すこともできる。

本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射線および（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射線、ならびにイオンビームや電子ビームのような粒子ビームを含む全てのタイプの電磁放射線を包含する。

「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、および静電式の各光学部材を含む種々のタイプの光学部材の任意の１つまたはそれらの組み合わせを指すことができる。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、当然ながら、本発明は記載した以外の方法で実現することもできる。例えば、本発明は上記に開示した方法を記述した機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態をとってもよいし、または保存したそのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態をとってもよい。

上記の記載は説明することを意図しており、限定されるものではない。例えば、ダイヤフラム８０またはリング８８は、コレクタの入り口または出口ではなく、その内部（例えば、中間位置）に置かれてもよい。添付の請求項の範囲を逸脱することなく、説明した本発明に対して上記のような変更を行うことができるのは当業者には明らかである。

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。 ２つのチューブに連結されたキャップの正面図を示す。 分流システムの斜視図を示す。 ダイヤフラムを含む制御システムを有する本発明の実施形態を示す。 リングを含む制御システムを有する本発明の実施形態を示す。 フィラメントをキャップに配置した構成を示す。 管状シェルと隔壁を備えたコレクタの断面図を示す。

Claims (15)

1. 放射線源からの放射線を収集するように構成され、分離したコンパートメントを形成する複数のシェルを有するコレクタと、
   ガス注入口およびガス排出口を有し、ガス流を前記注入口から前記コンパートメントを経由して前記排出口に導くことによって、前記複数のシェルの表面を清浄するように構成された清浄装置と、を備え、
   前記清浄装置は、
   前記ガス流を複数の副流に分流するように構成され、前記副流のそれぞれが前記コンパートメントのうちの１つまたは複数に対応する分流システムと、
   前記副流の相対量を制御するように構成された制御システムと、を有するリソグラフィ装置。
2. 前記制御システムは、前記副流を制御するように構成されたバルブをさらに有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記制御システムは、前記副流のうちの１つを制御するように構成されたダイヤフラムをさらに有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記制御システムは、前記副流のうちの１つの少なくとも一部を制御するように構成されたリングをさらに有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記分流システムは、前記副流を前記コンパートメントに向けるように構成されたチューブを有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記ガスは、Ｈラジカルを有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記清浄装置は、各コンパートメントの入り口にＨラジカル源を有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記コレクタは、分離したコンパートメントを形成する実質的に管状の複数のシェルを有し、放射状に延在するとともに前記コンパートメントを細分する隔壁をさらに有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 放射線源からの放射線を収集するように構成されたコレクタと、
   照射ビームを調整するように構成された照明システムと、
   照射ビームにその横断面でパターンを付与してパターン照射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
   基板を保持するように構成された基板テーブルと、
   パターン照射ビームを基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、
   ガス注入口およびガス排出口を有し、ガス流を前記注入口からコンパートメントを経由して前記排出口に導くことによって、前記複数のシェルの表面を清浄するように構成された清浄装置と、を備え、
   前記清浄装置は、
   前記ガス流を複数の副流に分流するように構成され、前記副流のそれぞれが前記コンパートメントのうちの１つまたは複数に対応する分流システムと、
   前記副流の相対量を制御するように構成された制御システムと、をさらに有するリソグラフィ装置。
10. ＥＵＶ放射線源をさらに有する請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記ＥＵＶ源は、Ｓｎ源である請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 分離したコンパートメントを形成する実質的に管状の複数のシェルを有し、放射状に延在するとともに前記コンパートメントを細分する隔壁をさらに有するリソグラフィ装置用のコレクタ。
13. ガス注入口およびガス排出口を有する清浄装置であって、
    ガス流を前記注入口からリソグラフィ装置のコレクタのコンパートメントを経由して前記排出口に導くことによって、リソグラフィ装置を構成する前記コレクタのシェルの表面を清浄するように構成され、
    前記清浄装置は、
    前記ガス流を複数の副流に分流するように構成され、前記副流のそれぞれが前記コンパートメントのうちの１つまたは複数に対応する分流システムと、
    前記副流の相対量を制御するように構成された制御システムと、をさらに有する清浄装置。
14. リソグラフィ装置のコレクタを清浄する方法であって、
    前記コレクタは、前記コレクタの第１の開口端で放射線を受け入れ、前記コレクタの第２の開口端で放射線を送出するように構成された分離コンパートメントを形成する複数のコレクタシェルを有しており、
    前記方法は、
    前記複数のシェルの表面を清浄するために、前記コンパートメントにガス流を導くこと、
    前記ガス流を前記コンパートメントのうちの１つにそれぞれが対応する複数の副流に分流すること、および、
    前記副流の相対量を制御することを含む、リソグラフィ装置のコレクタを清浄する方法。
15. 前記コンパートメントは、放射状に延在するとともに前記シェルと交差する隔壁によってサブコンパートメントに分割される請求項１４に記載のコレクタを清浄する方法。

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