JP2004165638A - リソグラフ投影装置およびこの装置用の反射鏡アセンブリ - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ透明性にほとんど影響を及ぼさないデブリ抑制システムを有する放射源を提供すること。
【解決手段】本発明はリソグラフ投影装置であり、本リソグラフ投影装置は、放射源が放出する放射から放射の投影ビームを形成することができる放射システム、並びに、投影ビームで照射されたときにパターンを有する投影ビームを実現するパターン形成手段を保持するように構成された支持構造、基板を保持するように構成された基板テーブル、および、パターン形成手段の放射線照射部分の像を基板の目標部分に形成するように構成され配列された投影システムを備える。放射システムは、さらに、光軸から距離を隔てたところにある開口部、放射源から見たときに開口部の後ろに配置された反射鏡、および、開口部の後ろの低放射強度領域に配置された構造物を備える。
【選択図】図１

Description

本発明はリソグラフ投影装置に関し、このリソグラフ投影装置は、
放射の投影ビームを形成するために放射源を有する照明システムと、
前記投影ビームをパターン形成するように投影ビームで放射線を照射されるパターン形成手段を保持するように組み立てられた支持構造と、
基板を保持するように組み立てられた基板テーブルと、
パターン形成手段の放射線照射部分の像を基板の目標部分に形成するように組み立てられ、かつ配列された投影システムとを備える。

ここで使用されるような「パターン形成手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパターンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビームに与えるために使用することができる手段のことを言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語「光弁」は、この背景で使用することができる。一般に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスのような、目標部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形成手段の例は、次のものを含む。すなわち、
・ マスク。マスクの概念は、リソグラフではよく知られており、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位相シフト、交番位相シフトおよび減衰位相シフトのようなマスクの種類を含む。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じて、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクは、入射放射ビーム内の所望の位置に確実に保持することができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
・ プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用して、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン形成されるようになる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施例では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適切な局部電界を加えることで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわりに個々に傾斜させることができる。再び、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されないミラーに対して異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラーはマトリックス・アドレス指定可能である。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。そのようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，１９３号およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集することができる。これらの特許および出願は、参照によってここに援用される。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
・ プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられている。この特許は、参照によってここに援用される。上記のように、この場合の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。

簡単にするために、本明細書の残りは、ある場所で、特別に、マスクおよびマスク・テーブルを含む実施例に充てられる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理は、上で述べたようなパターン形成手段のより広い背景の中で理解すべきである。

リソグラフ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、放射感応材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハー）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハーは全体として網の目のような隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に放射線を照射される。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成が使用される現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することができる。一方の種類のリソグラフ投影装置では、全マスク・パターンを一括して目標部分に露出させることで、各目標部分が放射線を照射される。そのような装置は、通常、ウェーハー・ステッパまたはステップ・アンド・リピート装置と呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が放射線を照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフ・デバイスに関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照によってここに援用される。

リソグラフ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射感応材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露出後に、基板は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手順を受けることができる。この手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハー）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書）」，Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，ｂｙ Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ，ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本は参照によってここに援用される。

簡単にするために、投影システムを以下で「レンズ」と呼ぶことができる。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカタディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して放射の投影ビームの方向付け、整形、または制御を行う部品を含むことができる。さらに、そのような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レンズ」と呼ぶことができる。さらに、リソグラフ装置は、２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであることができる。そのような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテーブルは、並列に使用することができ、または、１つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１つまたは複数のテーブルで準備ステップを行うことができる。デュアル・ステージ・リソグラフ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。これらの両方が参照によってここに援用される。

リソグラフ装置において、基板に像を形成することができるフィーチャの大きさは、投影放射の波長で制限される。デバイスのより高い密度、したがってより高速の動作速度を有する集積回路を作るために、より小さな特徴の像を形成することができることが望ましい。大抵の現在のリソグラフ投影装置は、水銀ランプまたはエキシマ・レーザで生成される紫外光を使用するが、５から２０ｎｍの範囲、特に約１３ｎｍのより短い波長の放射を使用することが提案されている。そのような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な供給源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射がある。放電プラズマ源を使用する装置は、Ｗ．Ｐａｒｔｌｏ，Ｉ．Ｆｏｍｅｎｋｏｖ，Ｒ．Ｏｌｉｖｅｒ，Ｄ．Ｂｉｒｘ，「Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａｎ ＥＵＶ（１３．５ｎｍ）Ｌｉｇｈｔ Ｓｏｕｒｃｅ Ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ ａ Ｄｅｎｓｅ Ｐｌａｓｍａ Ｆｏｃｕｓ ｉｎ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｖａｐｏｒ」，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ３９９７，ｐｐ．１３６〜１５６（２０００）、Ｍ．Ｗ．ＭｃＧｅｏｃｈ，「Ｐｏｗｅｒ Ｓｃａｌｉｎｇ ｏｆ ａ Ｚ−ｐｉｎｃｈ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｓｏｕｒｃｅ」，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ３９９７，ｐｐ．８６１〜８６６（２０００）、Ｗ．Ｔ．Ｓｉｌｆｖａｓｔ，Ｍ．Ｋｌｏｓｎｅｒ，Ｇ．Ｓｈｉｍｋａｖｅｇ，Ｈ．Ｂｅｎｄｅｒ，Ｇ．Ｋｕｂｉａｋ，Ｎ．Ｆｏｒｎａｃｉａｒｉ，「Ｈｉｇｈ−Ｐｏｗｅｒ Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｓｏｕｒｃｅ ａｔ １３．５ ａｎｄ １１．４ｎｍ ｆｏｒ ＥＵＶ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ３６７６，ｐｐ．２７２〜２７５（１９９９）、およびＫ．Ｂｅｒｇｍａｎｎ ｅｔ ａｌ．，「Ｈｉｇｈｌｙ Ｒｅｐｅｔｉｔｉｖｅ，Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ Ｂａｓｅｄ ｏｎ ａ Ｇａｓ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｌａｓｍａ」，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．３８，ｐｐ．５４１３〜５４１７（１９９９）に説明されている。

上で言及した放電プラズマ放射源のようなＥＵＶ放射源は、ＥＵＶ放射を放出するために、むしろ高い部分圧のガスまたは蒸気の使用を必要とするかもしれない。放電プラズマ源では、例えば、電極間で放電が生じ、その後で結果として得られる部分イオン化プラズマが衝突して、ＥＵＶ範囲の放射を放出する非常に高温のプラズマを生じるようになる。非常に高温のプラズマはＸｅで生成されることが非常に多い。その理由は、約１３．５ｎｍの極端ＵＶ（ＥＵＶ）の範囲でＸｅプラズマが放射されるからである。効率のよいＥＵＶ生成を行うために、放射源の電極近くで０．１ミリバールの一般的な圧力が必要とされる。そのようなむしろ高いＸｅ圧力を有することの欠点は、ＸｅガスがＥＵＶ放射を吸収することである。例えば、０．１ミリバールのＸｅは、１メートルで、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ放射をたったの０．３％だけ透過する。したがって、むしろ高いＸｅ圧力を放射源のまわりの限られた領域に閉じ込めることが必要である。これを達するために、放射源自体の真空チャンバに放射源を閉じ込め、この放射源自体の真空チャンバを、コレクタ・ミラーおよび照明光学系が達成される次の真空チャンバからチャンバ壁で分離することができる。

ＥＵＶ放射を生成するためにプラズマ源を使用することで、結果として、光子および（帯電）粒子いわゆる「デブリ」が放出されることになる。この粒子は、リソグラフ装置の光学部品、特に照明システムの劣化の原因となることがある。プラズマ源の前のガス圧力が十分に高いと、前記のプラズマ源から放出されるデブリの問題は軽減されるが、結果として、リソグラフ・システムおよびＥＵＶ源の中へのガス流入量が大き過ぎるという欠点が生じることが分かった。

照明システムのＥＵＶ透明性を実現するために、照明装置の光学システムの圧力は比較的低く、例えば、放射源の圧力の１／１０００に維持される。これは、０．１ミリバールの放射源圧力のＸｅで構成することができる。ヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−１ ２３３ ４６８およびＥＰ−Ａ−１ ０５７ ０７９では、デブリを阻止するために、および／またはＥＵＶ放射経路を実質的に遮ることなしに放射源チャンバと光学チャンバの間に圧力降下を起こすために、放射源の近傍のいわゆるフォイル・トラップ構造が提案されている。

放射源に比較的近い光学系で、入射放射の一部が吸収されて、光学要素の重大な加熱をもたらす。加熱分布が生じ、その結果光軸に沿ってさらに遠くで温度が下がるかもしれない。安定かつ正確な動作のために、光学部品の冷却は必要であり、さらに、光学システム内での温度誘起変位を減少するために、均一な温度分布が有利である。

放射源の近傍の光学要素は、ＥＵＶ投影ビームの重大な妨害にならないような位置で支持構造を使用して、ＥＵＶ放射ビーム中に支持する必要がある。

したがって、本発明の目的は、ＥＵＶ透明性にほとんど影響を及ぼさないデブリ抑制システムを有する放射源を提供することである。

本発明の他の目的は、ＥＵＶビーム中に配置され、ほとんどＥＵＶの吸収を起こさない、像形成の目的に貢献しない構造部品を備える照明システムを有する放射源を提供することである。

再び、本発明の目的は、ＥＵＶ放射の吸収を実質的にもたらすことなく、光軸に沿って比較的大きな圧力降下を生じさせる光学部品を放射源の近傍に有する放射源を提供することである。

再び、本発明の他の目的は、一般的にＥＵＶ線経路内の光学部品に、実質的なＥＵＶ吸収を起こすことなく取り付けられた熱伝達手段を備える光学部品を有する放射源を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、実質的なＥＵＶ吸収を起こすことなくＥＵＶビーム中に一般的に延びる支持構造で相互接続された光学部品のアセンブリを有する放射源を提供することである。

再び、本発明のさらに他の目的は、実質的なＥＵＶ吸収を起こすことなく温度分布に応じた熱伝達手段を備えることができる光学部品を放射源の近くに有する放射源を提供することである。

なお本発明の目的は、実質的なＥＵＶ吸収を起こすことなく測定信号または制御信号を形成するためにトランスデューサ要素を取り付けることができる光学要素を有する放射源を提供することである。

この目的および他の目的は、本発明に従って電磁放射を反射するための反射鏡アセンブリで達成される。この反射鏡アセンブリは少なくとも第１の反射鏡および第２の反射鏡を備え、前記第１の反射鏡および前記第２の反射鏡が光軸の方向に延びかつ反射面および裏当て面を有し、このアセンブリにおいて、前記反射鏡に交差する光軸に垂直な想像線が光軸から第１の距離で前記第１の反射鏡に交差しさらに光軸から第２の距離で前記第２の反射鏡に交差し、第１の距離が第２の距離よりも大きく、光軸上の点から出ていく放射線が第２の反射鏡で遮られかつ第１の反射鏡の反射面で反射されて、前記反射鏡の間に高放射強度のゾーンと低放射強度のゾーンを画定する。この反射鏡アセンブリは、低強度ゾーンの位置にある第２の反射鏡の裏当て面に構造物が存在することを特徴とする。

反射鏡アセンブリは、放射源で放出されるＥＵＶ放射のコレクタとして機能し、中間焦点に集束されたＥＵＶ放射の平行ビームを光軸に沿ったより遠くの光学部品に向けて送り出して、投影ビームを形成する。光軸からの距離および２つの反射鏡間の相互距離に依存して、中心として放射源を有する投影ビームの特定の空間部分が遮られる。２つの反射鏡の間で、放射は、上の反射鏡の反射面でかすり角で反射されて伝播する。反射鏡間の反射放射線で占有される空間は、放射源から発し反射鏡の入射部分で遮られる放射線で画定される。この放射線が、一般的に、光軸のまわりに回転対称である低放射強度のゾーンの境界となる。この低放射強度のゾーンに、本発明の構造物体が配置され、好ましくは、光軸に最も近くの反射鏡の裏当て面に支持される。

ＥＵＶビーム中の特定の位置に構造物を設けることで、その位置が低強度領域に対応するように選ばれるとき、実質的な放射吸収は生じないことが分かった。

また、本発明は電磁放射を反射する反射鏡アセンブリに関し、この反射鏡アセンブリは少なくとも第１の反射鏡および第２の反射鏡を備え、前記第１の反射鏡および前記第２の反射鏡が光軸の方向に延びかつ反射面および裏当て面を有し、このアセンブリにおいて、前記反射鏡に交差する光軸に垂直な想像線が光軸から第１の距離で前記第１の反射鏡に交差し、さらに、光軸から第２の距離で前記第２の反射鏡に交差し、第１の距離が第２の距離よりも大きく、光軸上の点から出ていく放射線が、第２の反射鏡で遮られ、かつ第１の反射鏡の反射面で反射されて、前記反射鏡の間に高放射強度のゾーンと低放射強度のゾーンを画定する。この反射鏡アセンブリは、反射鏡に流体を向けるためのノズル、反射鏡間を通過する流体の流体抵抗を高くするためのガス障壁部材、熱伝達手段、および信号を形成するためのトランスデューサ部材であって反射鏡から距離を隔てたところにある処理部材にこの信号を供給するための信号リード線に接続されたトランスデューサ部材のうちの少なくとも１つが、低強度ゾーンの位置にある第２の反射鏡の裏当て面に存在することを特徴とする。

本発明のいくつかの実施例と関連して以下で詳しく述べるように、この種の構造物は特に有利であることが分かった。

一実施例では、反射鏡は光軸に対してある角度で延びる。各反射鏡は少なくとも２つの隣り合う反射面を備えることができ、放射源から遠い方の反射面が、放射源により近い反射面よりも光軸に対して小さな角度で配置されている。このようにして、光軸に沿って伝播するＥＵＶ放射のビームを生成するかすり入射コレクタを組み立てることができる。好ましくは、少なくとも２個の反射鏡が実質的に同軸に配置され、光軸のまわりに実質的に回転対称に延びている。この型（Ｗｏｌｔｅｒ型）のかすり入射コレクタは、例えば、ドイツ特許出願第ＤＥ１０１ ３８ ２８４．７に記載されている。この出願は、参照によってここに援用される。

一実施例では、前記のノズルは、放射源の方向に流体を向けるための流体供給手段を少なくとも１つ備える。このようにして、放射源で放出されるデブリを除去するために、比較的高圧力で小ガス量のバッファ・ガスを放射源の方に向けることができる。本発明のシステムを使用して、高圧力低ガス負荷を達成することができる。好ましくは、使用されるガスは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明であり、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２で形成することができる。ガスを除去するために、およびガスがＥＵＶ源に達するのを妨げるために、反射鏡の入射側近くに、ポンプのような流体除去ユニットを置くことができる。反射鏡は、前に言及したフォイル・トラップのような圧力低減部材を備える開口部を有するチャンバ内に配置されることができる。放射源は、近接した放射源ハウジング内に配置されて、圧力低減部材を通して放射を放出する。流体除去ユニットは、圧力低減部材近くの流体を除去するために、チャンバ内に位置付けられ、第２の流体除去ユニットが放射源ハウジングに接続される。

他の実施例では、低強度領域にガス障壁部材を配置して、反射鏡アセンブリの流れ抵抗を高くする。これによって、反射鏡アセンブリは、放射源側と光軸の下流の光学部品との間に有効な真空分離部を形成することができて、比較的小さな排気速度で下流側のガスを除去することができるようになる。ガス障壁は板状部材で形成することができ、この板状部材を低強度領域内で反射鏡の裏当て面に対して垂直に配置して、光軸に沿った反射鏡の両端間の圧力抵抗を高くすることができる。また、圧力低減は、低強度ゾーンの境界に実質的に対応する断面を有する障壁を低強度領域内に配置することで達成することができる。このようにして、コレクタを流れるガス流量を、ほぼ２分の１に減少することができる。

他の実施例では、低強度ゾーン内の構造物は、流体ダクトまたは銅線などの熱伝導要素のような熱伝達手段を備える。このダクトまたは銅線は、反射鏡から低強度領域を通って導き出され、光軸から距離を隔てたところにある熱交換要素、例えば調整可能ヒート・シンクに接続される。熱伝導体の直径を変えることで、または光軸方向で熱伝導体密度を変えることで、光軸に沿って差別加熱または冷却を実現することができる。

再び、本発明の他の実施例に従って、生成されたビームのＥＵＶ強度に影響を及ぼすことなく、測定信号を生成するために、熱電対、圧力センサ、または他の構造物のようなトランスデューサを、低強度領域内に含むことができる。

他の可能性は、光軸に対して反射鏡表面を局部的に調整するための機械アクチュエータまたは電気・機械的アクチュエータを含むことである。

本発明は、また、リソグラフ・プロセスによって集積化構造を製造する方法に関し、この方法は、
・ 放射源が放出する放射から放射の投影ビームを形成する放射システムを供給するステップと、
・ 前記の投影ビームをパターン形成するように投影ビームで放射線を照射されるパターン形成手段を保持するために組み立てられた支持構造を供給するステップと、
・ 基板を保持するように組み立てられた基板テーブルを供給するステップと、
・ パターン形成手段の放射線照射部分の像を基板の目標部分に形成するように組み立てられ、かつ配列された投影システムを供給するステップと、を含み、
開口部が光軸から距離を隔てたところに配置され、放射ビームが、放射源から見たときに開口部の後ろに配置された反射鏡に照射され、さらに、
・ 開口部の後ろの低放射強度領域に構造物を配置するステップを含む。

この明細書では、ＩＣの製造における本発明に従った装置の使用を特に参照するが、そのような装置には多くの他の可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、その他の製造で使用することができる。当業者は理解するであろうが、そのような他の用途の背景で、この明細書における用語「レチクル」、「ウェーハー」、または「ダイ」の使用は全て、より一般的な用語である「マスク」、「基板」、および「目標部分」にそれぞれ置き換えられるものとして考えるべきである。

この文献において、用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍ範囲の波長）、並びに、イオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含するように使用される。

ここで、本発明の実施例を、単に例として、添付の模式的な図面を参照して説明する。この図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。

図１は、本発明の特定の実施例に従ったリソグラフ投影装置１を模式的に示す。この装置は、
・ 波長１１〜１４ｎｍの放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬであって、この特定の場合には放射源ＬＡも備える放射システムＥｘ、ＩＬと、
・ マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
・ 基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハー）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
・ マスクＭＡの放射線照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬとを備える。

ここに示すように、本装置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（例えば、反射マスクを有する）であることもできる。もしくは、本装置は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用することができる。

放射源ＬＡ（例えば、レーザ生成ＥＵＶ放射プラズマ源または放電プラズマＥＵＶ放射源）は、放射のビームを生成する。このビームは、直接か、または、例えばビーム拡大器Ｅｘのようなコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮおよび集光器ＣＯのような様々な他の部品を備える。このようにして、マスクＭＡに当っているビームＰＢは、その断面内に所望の一様性強度分布を持つ。

図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフ投影装置のハウジング内にあることができるが（放射源ＬＡが例えば水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソグラフ投影装置から遠く離れており、それの生成する放射ビームを装置の中に導くことができる（例えば、適切な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。

ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを透過したビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、ビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハー・ステッパ（走査ステップ式装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続するだけでよく、または、固定してもよい。マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２および基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して、マスクＭＡと基板Ｗを位置合せすることができる。

図示の装置は、次の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向に移動される。
２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することができる。

図２は、放射ユニット３の付いた照明システムＩＬ、照明光学系ユニット４、および投影光学システムＰＬを備える投影装置１を示す。放射システム２は、放射源−コレクタ・モジュールすなわち放射ユニット３および照明光学系ユニット４を備える。放射ユニット３は、放電プラズマで形成することができる放射源ＬＡを備える。ＥＵＶ放射源６は、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気のようなガスまたは蒸気を使用することができ、このＥＵＶ放射源６では非常に高温のプラズマが生成されて、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出することができる。この非常に高温のプラズマは、電気放電の部分イオン化プラズマを光軸Ｏ上で衝突させることで生成される。放射を十分に生成するために、０．１ミリバールの部分圧のＸｅ、Ｌｉ蒸気または任意の他の適切なガスまたは蒸気が必要であるかもしれない。放射源ＬＡで放出された放射は、放射源チャンバ７からガス障壁構造すなわち「フォイル・トラップ」９を介してコレクタ・チャンバ８に入る。ガス障壁構造は、例えば、ヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−１ ２３３ ４６８およびＥＰ−Ａ−１ ０５７ ０７９に詳細に説明されているようなチャネル構造を備える。これらの出願は参照によってここに援用される。

コレクタ・チャンバ８は、本発明に従ってかすり入射コレクタで形成された放射コレクタ１０を備える。コレクタ１０を通った放射は、格子分光フィルタ１１で反射されて、コレクタ・チャンバ８の開口部にある仮想放射源点１２に集束する。チャンバ８からの投影ビーム１６は、照明光学系ユニット４の中で直入射反射鏡１３、１４によって、レチクル・テーブルまたはマスク・テーブルＭＴに位置付けされたレチクルまたはマスク上に反射される。パターン形成されたビーム１７が形成され、このビーム１７の像が、投影光学システムＰＬの中で反射要素１８、１９によって、ウェーハー・ステージすなわち基板テーブルＷＴに形成される。図に示すよりも多くの要素が、一般に、照明光学系ユニット４および投影システムＰＬに存在することができる。

図３で理解することができるように、かすり入射コレクタ１０は、いくつかの入れ子になった反射鏡要素２１、２２、２３を備える。この種のかすり入射コレクタは、例えば、ドイツ特許出願ＤＥ１０１ ３８ ２８４．７に示されている。

図４の模式図化された概要において、図３のかすり入射コレクタ１０の２つの（入れ子になった）隣り合う反射鏡２１、２２の細部を拡大して示す。各反射鏡は、裏当て面２４、２５および反射面２６、２７を備える。反射鏡２２は、光軸から距離ｒ１にあり、この距離ｒ１は、反射鏡２１の光軸からの距離ｒ２よりも一般的に小さい。距離ｒ１およびｒ２は、例えば、それぞれ２０ｍｍ、８０ｍｍであってもよい。反射鏡２１、２２は、それぞれｒ１およびｒ２にある光軸Ｏに対してそれぞれ角度α、βになっている。反射鏡２１、２２は湾曲していてもよい。すなわち、光軸Ｏに対する角度αおよびβは、光軸Ｏに沿って変化してもよい。ＥＵＶ放射源６から放出され、かつ反射鏡２１、２２の入射部２９、３０で反射される放射線ｂ１およびｂ２は、上の反射鏡２１の反射面２６で反射され、さらに、反射鏡２１、２２の間の空間の放射強度のゾーンｚｈ、および低放射強度またはゼロ放射強度のゾーンｚｌを画定する。ゾーンｚｌは、実質的に三角形の断面であり、実質的に放射が存在しない。これによって、以下で詳細に説明するような構造物３１を、実質的な放射の吸収を起こすことなく反射鏡２１、２２の間の空間に位置付けるように、反射鏡２２の裏当て面２５に取り付けることができるようになる。

留意すべきことであるが、裏当て面２４、２５は放射に対して吸収性であってもよく、または、望むならば、反射性であってもよい。

図５は、同軸に入れ子になった８個の反射鏡を備えるかすり入射コレクタ１０の透視図を示す。各反射鏡２１、２２は、第１の反射鏡面３２、および反射面３２に対してある角度にある第２の反射鏡面３３を備えることができる。また、第１の反射面３２から第２の反射面３３への滑らかな移行が存在することができる。入射放射線ｂ１は、反射鏡３２で放射線ｂ’１として反射され、さらに反射鏡３３で放射線ｂ”１として反射される。入射放射線ｂ２は、反射鏡３２で放射線ｂ’２として反射されて、ｂ”１およびｂ’２はコレクタから出て行き、光軸Ｏのまわりに位置している環状放射ビームを形成する。放射線ｂ２およびｂ’１は第１の低放射強度ゾーンｚｌ１の境界放射線を形成する。一方で、反射放射線ｂ’１およびｂ’２は、第２の低強度ゾーンｚｌ２の境界放射線を形成する。低強度ゾーンｚｌ１、ｚｌ２は、光軸Ｏのまわりに回転対称である。図５の斜線領域は、反射鏡２１、２２の間の高放射強度ゾーンを画定する。

図６は、低強度ゾーンｚｌ１、ｚｌ２のかすり入射コレクタ１０がガス注入部材３５、３６を備える実施例を示す。ガス注入部材は、反射鏡の裏当て面に配置された管であってもよく、この管は、隣り合う反射鏡の間の空間中にＥＵＶ放射源６の方向にガスを供給するための開口またはノズル３７、３８を備える。このガスは、ガス供給タンク３９から流体ダクト４０およびポンプ・ユニット４１を介して管３５、３６の中に導入されることができる。ガスは、好ましくは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２のようなＥＵＶ透明ガスで構成され、このガスは０から１０００ミリバール・リットル／秒のガス流量で供給される。ガス流は、フォイル・トラップ９で実質的に遮られ、フォイル・トラップの表面に沿って図示のように矢印の方向に進み、そして、ガス除去ダクト４２および排気ポンプ４３を介して除去されることができる。ＥＵＶ放射源６から出てフォイル・トラップ９を通過する粒子および他の不純物は、ガス除去ダクト４２を介したガス流で除去され、かすり入射コレクタ１０を通って投影光学系ユニット５の中に入ることはできない。したがって、投影光学系への損傷は、大幅に減少させることができる。０から１０００ミリバール・リットル／秒の流量のガス流れを使用することで、ＥＵＶ放射源６中へのガス流れを低レベルに維持しながら、除去を達成することができる。かすり入射コレクタ１０を通って伝えられる放射の放射線経路に非常に近接して、ＥＵＶ伝達を実質的に遮ることなくかつデブリの主伝播方向と反対方向に、ガス注入部材３５、３６を配置することができることで、ＥＵＶ光子を遮ることなくガスの流れを実質的にＥＵＶ光子の方向に向けることができる。第２のガス除去ダクト４４は、放射源チャンバ７内に配置されて、ガス注入部材３５、３６から出てくる残留ガスの流れ全てをフォイル・トラップ９の後ろで排気ポンプ４５を介して除去することができる。

図７は、ガス障壁部材５０、５１または５２、５３が低強度ゾーンｚｌ１、ｚｌ２で内側の反射鏡の裏当て面に接続されているかすり入射コレクタ１０の実施例を示す。光軸より上に位置するコレクタ部分に関して、ガス障壁部材５０、５１は、反射鏡に実質的に垂直で、かつ隣り合う反射鏡間の距離の実質的に中間点まですなわち低強度ゾーンｚｌ１、ｚｌ２の上まで延びる環状板状部材で形成されているのが示されている。かすり入射コレクタ１０の下方の部分では、投影光学系の方に向う反射鏡に沿ったガスの流れをいっそう効果的に阻止するために、ガス障壁部材５２、５３は、三角形断面を有する３次元環状ガス障壁部材で構成されているのが示されている。この構造物を使用して、放射源チャンバ７と照明装置光学系チャンバ部分８’の間に高圧力差を生じさせることができる。放射源チャンバ７内の圧力は例えば０．１ミリバールであり、一方で、照明装置光学系チャンバ８’内の圧力は０．００１ミリバールである。チャンバ８’と８の間の圧力差が、障壁手段５０〜５３から見て、増すように、仕切り壁５４がチャンバ８’を照明装置光学系チャンバ８から封止的に閉め切る。例えば、適切なＥＵＶ伝達では、照明光学系チャンバ８内のキセノンの圧力は１０^−３ミリバールよりも低いのが望ましい。この範囲のキセノン圧力で、１３．５ｎｍの放射に対する透過は９４％よりも高くなる。

図８は、光軸と同軸である低放射強度のゾーンｚｌ１、ｚｌ２内に、反射鏡の裏当て面に支持された冷却管６０、６１が配置されたかすり入射コレクタ１０を示す。照明装置光学系チャンバ８の外に配置された熱交換ループ６２、６３で、冷却流体が冷却管６０、６１中を循環する。熱交換器６４、６５を通過した後で、冷却流体は再循環される。一般に、ＥＵＶ放射源６で生成される放射の２５０ワットよりも大きな放射が、かすり入射コレクタ１０で吸収される。ＥＵＶ放射源６に近いかすり入射コレクタ１０の反射鏡の温度は、放射源６に近い位置で１００〜３００℃以上に上昇し、放射源６から距離をおいたコレクタ１０の位置で５０〜１５０℃に及ぶ温度に上昇する可能性がある。コレクタ１０を冷却することで、温度を下げることができる。適切な冷却によって、コレクタの温度は、周囲温度レベルに達することができる。冷却流体として、水またはＮａのような液体金属を使用することができる。

図９の実施例において、いくつかの冷却線７０、７１が反射鏡の裏当て面に配置されている。この線は、例えば、銅線で形成することができる。ＥＵＶ放射源６の近くで、光軸Ｏに沿って冷却線を直ぐ近接して配置することで、冷却線７０の冷却能力を比較的大きくすることができる。光軸に沿って冷却勾配を生成するために、光軸に沿ってより遠い位置で、冷却線７１をより間隔を空けて配置して、冷却特性を減らすことができる。もしくは、冷却線７０、７１の直径を変えることができる。冷却線７０、７１の端をヒート・シンク７２、７２’、７３に接続することができる。放射源のパワーに依存して反射鏡の温度を調整するために、ヒート・シンクの冷却能力を変えることができる。図９に示すように、測定信号をコンピュータ処理ユニット７５に供給するために、測定ユニット７４を低放射強度のゾーンｚｌ２に配置することができる。コンピュータ処理ユニット７５によって例えば温度に依存した放射源６の制御が行われるように、測定ユニット７４は、例えば、熱電対であることができる。もしくは、測定ユニット７４の代わりに、例えば、放射源６のパワーまたは反射鏡の温度に依存してコンピュータ処理ユニット７５を介して反射鏡の位置を調整するために、圧電結晶のような変位ユニットを使用することができる。

最後に、図１０は、低放射強度のゾーンｚｌ１、ｚｌ２を通って延びる支持棒７７、７８を支えるコレクタ支持部材７６、７６’を示す。個々の反射鏡は支持棒７７、７８で支持され、かつ正確に画定された相互関係で固定されている。コレクタは、溶接または蝋付けのような適切な取り付け技法により取り付け点７９、８０で支持棒７７、７８に取り付けられる。反射鏡は、支持棒７７、７８と共に、光軸Ｏに対して平行に見たときに、「くもの巣状ホイール」構造を形成する。この構造は、このシステムの残り部分（この構造の下流）に影部分を作る。「くもの巣状ホイール」構造の上流で、上述の構造の（実際の）影部分に物体を配置することができる。この物体はＥＵＶビームで照射される。しかし、このことで、結果として、上述の構造の下流で光の減少が生じることはない。

コレクタ１０に、低強度ゾーン、および「くもの巣状ホイール」構造の上流の影部分に対応する追加のゾーンがある。上述のような目的のために、この両方のゾーンを使用することができる。この構造の上流の影はコレクタの外に延びるので、この影部分は、ガス入り口、ケーブル入力／出力および、トランスデューサ、ガス・ノズル、排気制限および冷却構造のための追加の支持構造に使用することができる。

本発明の特定の実施例を上で説明したが、本発明は説明とは違った別の方法で実施することができることは理解されるであろう。この説明は、本発明を制限する意図でない。

本発明の実施例に従ったリソグラフ投影装置を模式的に示す図である。 図１に従ったリソグラフ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系を示す側面図である。 本発明の放射源およびかすり入射コレクタの詳細を示す図である。 図３に従ったかすり角反射鏡アセンブリの低放射強度ゾーンを示す模式図である。 図３のかすり入射コレクタを示す透視図である。 図３のかすり入射コレクタに組み込まれたガス注入システムを示す図である。 図３のかすり入射コレクタに関連したガス障壁システムを示す図である。 図３のかすり入射コレクタに関連した冷却ダクトを示す図である。 図３のかすり入射コレクタに関連した伝導性要素およびトランスデューサおよび／またはアクチュエータを示す図である。 本発明に従って図３のかすり入射コレクタの部品の支持フレームを示す図である。

Claims (19)

1. 少なくとも第１の反射鏡（２１）および第２の反射鏡（２２）を備えた電磁放射を反射する反射鏡アセンブリ（１０）であって、前記第１の反射鏡（２１）および前記第２の反射鏡（２２）が光軸（Ｏ）の方向に延びかつ反射面（２６、２７）および裏当て面（２４、２５）を有し、このアセンブリ（１０）において、前記反射鏡（２１、２２）に交差する光軸（Ｏ）に垂直な想像線（Ｌ）が光軸（Ｏ）から第１の距離（ｒ１）で前記第１の反射鏡（２１）に交差しさらに光軸（Ｏ）から第２の距離（ｒ２）で前記第２の反射鏡（２２）に交差し、前記第１の距離（ｒ１）が前記第２の距離（ｒ２）よりも大きく、光軸上の点から出ていく放射線が、前記第２の反射鏡（２２）で遮られ、かつ前記第１の反射鏡（２１）の反射面で反射されて、前記反射鏡（２１、２２）の間に高放射強度のゾーン（ｚｈ）と低放射強度のゾーン（ｚｌ）を画定し、前記低強度ゾーン（ｚｌ）の位置にある前記第２の反射鏡（２２）の前記裏当て面（２５）に構造物（３１）が存在することを特徴とする反射鏡アセンブリ（１０）。
2. 少なくとも第１の反射鏡（２１）および第２の反射鏡（２２）を備えた電磁放射を反射する反射鏡アセンブリ（１０）であって、前記第１の反射鏡（２１）および前記第２の反射鏡（２２）が光軸（Ｏ）の方向に延びかつ反射面（２６、２７）および裏当て面（２４、２５）を有し、このアセンブリ（１０）において、前記反射鏡（２１、２２）に交差する光軸（Ｏ）に垂直な想像線（Ｌ）が光軸（Ｏ）から第１の距離（ｒ１）で前記第１の反射鏡（２１）に交差しさらに光軸（Ｏ）から第２の距離（ｒ２）で前記第２の反射鏡（２２）に交差し、前記第１の距離（ｒ１）が前記第２の距離（ｒ２）よりも大きく、光軸上の点から出ていく放射線が、前記第２の反射鏡（２２）で遮られ、かつ前記第１の反射鏡（２１）の反射面で反射されて、前記反射鏡（２１、２２）の間に高放射強度のゾーン（ｚｈ）と低放射強度のゾーン（ｚｌ）を画定し、前記反射鏡に流体を向けるためのノズル、前記反射鏡間を通過する流体の流体抵抗を高くするためのガス障壁部材（５０、５１、５２、５３）、熱伝達手段（６０、６１、７０、７１）、および、信号を形成しかつ前記反射鏡から距離を隔てたところにある処理部材に前記信号を供給するための信号リード線に接続されたトランスデューサ部材のうちの少なくとも１つが、前記低強度ゾーン（ｚｌ）の位置にある第２の反射鏡（２２）の前記裏当て面（２５）に存在することを特徴とする反射鏡アセンブリ（１０）。
3. リソグラフ投影装置（１）であって、
   放射源（６）が放出する放射から放射の投影ビーム（１６）を形成する放射システム（３、４）と、
   前記投影ビームをパターン形成するように前記投影ビームで放射線を照射されるパターン形成手段を保持するように構成された支持構造（ＭＴ）と、
   基板を保持するように構成された基板テーブル（ＷＴ）と、
   前記パターン形成手段の放射線照射部分の像を前記基板の目標部分に形成するように構成され、かつ配列された投影システム（５）とを備え、さらに、
   光軸（Ｏ）から距離（ｒ２、ｒ１）を隔てたところにある開口部（２９、３０）と、
   前記放射源（６）から見たとき、前記開口部（２９、３０）の後ろに配置されている反射鏡（２１、２２）と、
   前記開口部（２９、３０）の後ろの低放射強度領域（ｚｌ）に配置された構造物（３１）とを備えるリソグラフ投影装置（１）。
4. 前記放射源（６）または前記放射源の像の付近に配置された請求項１または２に記載の反射鏡アセンブリ（１０）を有する放射源（６）であって、前記反射鏡（２１、２２）が光軸（Ｏ）に対して角度（α、β）で延びている放射源（６）。
5. 各反射鏡（２１、２２、２３）が少なくとも２つの隣り合う反射面（３２、３３）を備え、前記放射源（６）から遠い方の前記反射面（３３）が、前記放射源に近い方の前記反射面（３２）よりも光軸（Ｏ）に対して小さな角度で配置されている、請求項４に記載の放射源（６）。
6. 前記少なくとも２つの反射鏡（２１、２２、２３）が実質的に同軸であり、かつ光軸（Ｏ）のまわりに実質的に回転対称で延びている、請求項４から５までのいずれか一項に記載の放射源（６）。
7. 前記ノズルが、前記放射源の方向に流体を向けるために少なくとも１つの流体供給手段（３５、３６）を備える、請求項４から６までのいずれか一項に記載の放射源（６）。
8. 前記流体が、５ｎｍから２０ｎｍの間の波長を有するＥＵＶ放射に対して実質的に透明である、請求項７に記載の放射源（６）。
9. 前記反射鏡が入射側（２９、３０）を有し、流体除去ユニット（４２）が前記反射鏡（２１、２２、２３）の入射側（２９、３０）の近くにある、請求項７または８に記載の放射源（６）。
10. 前記反射鏡（２１、２２、２３）が圧力低減部材（９）を備える開口部を有するチャンバ（８、８’）内に配置され、前記放射源（６）が近接した放射源ハウジング（７）の中に配置され、かつ前記圧力低減部材（９）を通して放射を放出し、前記流体除去ユニット（４２）が前記圧力低減部材（９）の近くの流体を除去するために前記チャンバ（８、８’）と関連付けられ、第２の流体除去ユニット（４４）が前記放射源ハウジング（７）と関連付けられる、請求項９に記載の放射源（６）。
11. 前記ガス障壁部材（５２、５３）が前記低強度ゾーンを実質的に占有する、請求項４から１０のいずれか一項に記載の放射源（６）。
12. 前記ガス障壁部材（５０、５１）が、前記第２の反射鏡（２２、２３）の裏当て面（２５）に対して横向きに向けられた実質的に板状の部材を備える、請求項１１に記載の放射源（６）。
13. 前記熱伝達手段が前記低強度領域中を延びる流体ダクト（６０、６１）を備える、請求項４から１２のいずれか一項に記載の放射源。
14. 前記熱伝達手段が伝導性要素（７０、７１）を備える、請求項１２に記載の放射源（６）。
15. 前記伝達手段の熱伝達能力が光軸に沿って変化する、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の放射源（６）。
16. 前記熱伝達手段が前記反射鏡から距離を隔てたところにある調整可能なヒート・シンク（７２、７２’、７３）に接続されている、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の放射源。
17. 前記アセンブリ（１０）が、前記低強度ゾーン中を延びる前記反射鏡（２１、２２、２３）を半径方向で支える半径方向支持部材（７７、７８）を備える、請求項１から１６のいずれか一項に記載の放射源（６）。
18. リソグラフ・プロセスによって集積化構造を製造する方法であって、
    放射源（６）が放出する放射から放射の投影ビーム（１６）を形成する放射システム（３、４）を供給するステップと、
    前記投影ビームをパターン形成するように前記投影ビームで放射線を照射されるパターン形成手段を保持するように構成された支持構造（ＭＴ）を供給するステップと、
    基板を保持するように構成された基板テーブル（ＷＴ）を供給するステップと、
    前記パターン形成手段の放射線照射部分の像を前記基板の目標部分に形成するように構成され、かつ配列された投影システム（５）を供給するステップとを含み、
    開口部（２９、３０）が光軸（Ｏ）から距離（ｒ２、ｒ１）を隔てたところに配置され、前記放射ビームが、前記放射源（６）から見たときに前記開口部（２９、３０）の後ろに配置されている反射鏡（２１、２２）に照射され、さらに、
    前記開口部（２９、３０）の後ろの低放射強度領域（ｚｌ）に構造物（３１）を配置するステップを含む方法。
19. 前記角度（α、β）が前記光軸（Ｏ）に沿って変化することを特徴とする、請求項４から１７のいずれか一項に記載の放射源（６）。