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Die
Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für
die Halbleiterlithographie mit einer Kühlvorrichtung zur
Kühlung von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage.
Bei den Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie werden
integrierte Schaltkreise auf einem Halbleitersubstrat, einem sog.
Wafer, dadurch erzeugt, dass die gewünschten Strukturen
zunächst auf einer Maske, einem sog. Reticle erzeugt werden.
Nachfolgend werden die Strukturen mittels einer Abbildungsoptik, einem
sog. Projektionsobjektiv auf dem Wafer in der Regel verkleinert
abgebildet. Zu der genannten Abbildung wird üblicherweise
Strahlung aus dem sichtbaren, dem ultravioletten oder auch dem extrem
ultravioletten Wellenlängenbereich verwendet. Die vergleichsweise
hohen Intensitäten der verwendeten Strahlung führen
dazu, dass die optischen Komponenten, die in der Projektionsbelichtungsanlage
zur Abbildung bzw. Strahlformung eingesetzt werden, sich erheblich
erwärmen. Dies ist insbesondere in den Fällen
gegeben, in denen die zur Abbildung verwendete Strahlung im ultravioletten
oder extrem ultravioletten Wellenlängenbereich bewegt.
Insbesondere im extremen ultravioletten Wellenlängenbereich,
dem sog. EUV-Wellenlängenbereich, können zur Abbildung
keine transmissiven optischen Elemente, wie beispielsweise Linsen
o. ä. verwendet werden, sondern es müssen reflektive
optische Elemente, üblicherweise sog. Multilager-Spiegel
verwendet werden, so dass für den angesprochenen Wellenlängenbereich
die Strahlformung bzw. Strahlführung oder auch die Abbildung
ausschließlich zur Reflektion erfolgt. Die verwendeten
Spiegel zeigen jedoch für die zur Anwendung kommenden Wellenlängen
einen hohen Absorptionsgrad, so dass sie sich unter Einwirkung der
genannten elektromagnetischen Strahlung stark erwärmen.
Da die genannte Erwärmung zu einer thermischen Ausdehnung
des Spiegelmaterials führt, kann ohne zusätzliche
Maßnahmen die Abbildungsqualität der Projektionsbelichtungsanlage
nicht aufrecht erhalten werden. Aus diesem Grund ist es erforderlich,
insbesondere Spiegel für ein EUV-Projektionsobjektiv zu
kühlen. Hierzu kann beispielsweise ein Gasstrom oder auch
eine konventionelle Wasserkühlung verwendet werden, wobei
jedoch die verwendeten Kühlkonzepte regelmäßig
konstruktive Herausforderungen im Hinblick auf den beanspruchten
Bauraum und im Hinblick auf die durch das Kühlsystem in
das Projektionsobjektiv eingetragenen Schwingungen und damit Störungen verursachen.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, eine Projektionsbelichtungsanlage
für die Halbleiterlithographie anzugeben, die über
eine Kühlvorrichtung für ihre optische Elemente
mit gesteigerter Effizienz verfügt.
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Diese
Aufgabe wird durch die Projektionsbelichtungsanlage mit den in Anspruch
1 aufgeführten Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche
betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungsformen der
Erfindung.
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Die
erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage
für die Halbleiterlithographie zeigt eine Kühlvorrichtung
zur Kühlung von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage.
Dabei enthält die Kühlvorrichtung ein flüssiges
Kühlmedium, das eine Wärmeleitfähigkeit
von größer als 5 W/mK aufweist.
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Die
oben genannte Wahl der Wärmeleitfähigkeit des
Kühlmediums hat den Vorteil, dass der Wärmeübergang
von der zu kühlenden Komponente auf das Kühlmedium
erheblich effizienter erfolgt, als es bei der Verwendung von bspw.
Wasser als Kühlmedium der Fall wäre. Dieser gegenüber
dem Stand der Technik verbesserter Wärmeübergang
der abzuführenden Wärme in das Kühlmedium
kann konstruktiv dadurch ausgenutzt werden, dass beispielsweise
die Strömungsgeschwindigkeit, mit welcher das Kühlmedium
an einem zu kühlenden Bereich der Komponente vorbeiströmt,
gegenüber konventionellen Lösungen reduziert werden
kann. Die Reduktion der Strömungsgeschwindigkeit hat dann
die Folge, dass der störende Eintrag mechanischer Schwingungen,
die aus Bewegungen wie bspw. aus Turbulenzen im Kühlmedium
herrühren können, reduziert wird. Im Extremfall
können die Strömungsparameter des Kühlmediums
so gewählt werden, dass im Bereich der zu kühlenden
Komponente eine im Wesentlichen laminare Strömung, d. h.
eine weitgehend turbulenzfreie Strömung vorliegt. Ferner
eröffnet sich die Möglichkeit, mit geringeren
Drücken des Kühlmediums zu arbeiten, so dass die
Verformungen der zu kühlenden optischen Elemente aufgrund
des Drucks des Kühlmediums vermindert werden können.
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Daneben
gestattet die hohe Wärmeleitfähigkeit des Kühlmediums
auch einen effizienten Abtransport der aus der Komponenten aufgenommenen Wärme
in einer externen Kühleinheit; mit anderen Worten lässt
sich auch das Kühlmedium selbst besser kühlen.
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Zusätzlich
oder alternativ ermöglicht es die Erfindung, die Leitungen,
durch welche die Kühlflüssigkeit gefördert
wird, gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten
Lösungen kleiner zu dimensionieren und insbesondere auch
Wärmeübergangsflächen, über
welche die Wärme aus der zu kühlenden Komponente
abgeführt wird, mit einer einfacheren Geometrie zu gestalten.
Im Ergebnis führen diese Maßnahmen dazu, dass
der für die Kühlvorrichtung benötigte
Bauraum reduziert wird.
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Umgekehrt
führt die Verwendung der Kühlflüssigkeit
mit den erfindungsgemäßen Eigenschaften in einer
konventionell dimensionierten bzw. ausgelegten Kühlvorrichtung
zu einer erheblichen Leistungssteigerung gegenüber dem
Betrieb der Kühlvorrichtung beispielsweise mit Wasser.
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Die
oben beschriebene Effizienzsteigerung der Kühlvorrichtung
hat den Vorteil, dass durch den schnellen Abtransport der Wärme
aus der zu kühlenden Komponente thermisch verursachte mechanische
Deformationen und damit eine Beeinträchtigung der zugehörigen
Projektionsbelichtungsanlage vermieden werden können.
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Bei
dem Kühlmedium kann es sich um ein Flüssigmetall
oder eine Flüssigmetalllegierung, insbesondere enthaltend
die Elemente Gallium, Indium und Zinn oder eines dieser Elemente,
handeln.
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Eine
vorteilhafte Wahl der Legierung besteht dabei darin, dass der Anteil
von Gallium zwischen 55% und 75%, der Anteil von Indium zwischen
18% und 24% und der Anteil von Zinn zwischen 14% und 18% beträgt.
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Unter
dem Handelsnamen Galinstan ist eine Legierung verfügbar,
die 68,5% Gallium, 21,5% Indium und 10% Zinn enthält. Die
genannte Legierung hat ihren Schmelzpunkt bei –19°C
und ihren Siedepunkt bei einer Temperatur > 1300°C. Damit befindet sie sich
praktisch über den gesamten Arbeitstemperaturbereich einer
Projektionsbelichtungsanlage stabil in der flüssigen Phase,
was die Handhabbarkeit der Kühlvorrichtung erheblich verbessert.
Auch für den Einsatz im Hochvakuum ist sie gut geeignet.
Mit Abweichungen von der genannten prozentualen Zusammensetzung
verschieben sich die genannten Parameter entsprechend, so dass die
Legierung optimal auf das vorgesehene Einsatzgebiet hin angepasst werden
kann. Mit Einschränkungen gelten die vorstehend genannten
Vorteile für praktisch alle Flüssigmetalle bzw.
Flüssigmetalllegierungen.
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Zur
Förderung des Kühlmediums kann in vorteilhafter
Weise eine elektromagnetische Pumpe zur Anwendung kommen. Derartige
Pumpen nutzen ein starkes Magnetfeld zur Förderung flüssiger
Metalle und zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass sie weitgehend
ohne bewegte Teile betrieben werden können. Nähere
Ausführungen zu derartigen Pumpen und ihren Konstruktionsprinzipien
finden sich in der Zeitschrift „Electrical Engineering
(Archiv für Elektrotechnik)", Springer Berlin/Heidelberg,
Volume 70, Number 2/März 1987, Seiten 129–135.
Die Verwendung der genannten Pumpen gewährleistet dabei
die effektive Reduzierung von mechanischen Störungen durch
Einflüsse der verwendeten Pumpen. Daneben zeichnen sich
die genannten Pumpen dadurch aus, dass sie einen geringen Bauraum
beanspruchen. Die genannten Eigenschaften führen dazu,
dass die konstruktiven Möglichkeiten bei der Realisierung
eine erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung
dadurch erweitert werden, dass sich für den Einbauort der
Pumpe eine Vielzahl von Möglichkeiten ergeben, da die mit
der Pumpe verbundenen Restriktionen im Hinblick auf mechanische
Störungen und beanspruchten Bauraum erheblich geringer
sind als bei der Verwendung konventioneller mechanischer Pumpen.
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Die
erfindungsgemäße Lösung kann praktisch
zur Kühlung beliebiger Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage
verwendet werden, insbesondere für optische Elemente wie
Linsen oder Spiegel, aber auch für Fassungen von optischen
Elementen, Teile einer Beleuchtungseinrichtung, Teile des Projektionsobjektives,
Aktuatoren oder Sensoren.
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Aufgrund
der hohen Thermallasten bietet sich die erfindungsgemäße
Lösung insbesondere zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
an, wo ihre gesteigerte Effizienz besonders vorteilhaft zum Tragen
kommt.
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Hier
kann die Erfindung bspw. dazu verwendet werden, von einander räumlich
getrennte Bereiche/Volumina eines Projektionsobjektives, sogenannte
Compartments, neben der Abschirmung von Kontaminationen auch thermisch
gegenüber einander zu isolieren. Die Compartments können
mehrere oder auch nur ein einziges optisches Element enthalten.
Im letztgenannten Fall werden die Compartments – insbesondere
dann, wenn durch das Compartment ein minimierter Raumbereich um
den von einem Projektionsstrahl durchtretenen Raumbereich begrenzt
wird – auch als „Mini-Environment” bezeichnet.
Die Abschirmung kann mittels einer als Wandung realisierten Trennstruktur
erreicht werden, welche auch als Tragstruktur für weitere
Komponenten der Anlage verwendet werden kann. Diese Trennstruktur
kann dann durch die erfindungsgemäße Kühlvorrichtung
gekühlt bzw. temperiert werden. Die thermische Isolation
von Compartments gegeneinander kann auch für Projektionsbelichtungsanlagen
für höhere Wellenlängenbereiche als EUV,
die transmissive optische Elemente verwenden, zur Anwendung kommen.
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Nachfolgend
wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen
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1 eine
erste exemplarische Ausführungsform der Erfindung.
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2 eine
Prinzipskizze, anhand derer das der Erfindung zugrundeliegende physikalische
Prinzip erläutert wird,
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3 eine
Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie,
in welcher die Erfindung zur Anwendung kommt,
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4 eine
erste Variante zur Temperierung einer Trennstruktur; und
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5 eine
weitere Möglichkeit zur Temperierung einer Trennstruktur.
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1 zeigt
eine exemplarische Ausführungsform der Erfindung, bei welcher
die zu kühlende Komponente 2 als optisches Element,
insbesondere als Spiegel auf einer Trägerstruktur 4 realisiert
ist. Bei dem Spiegel 2 kann es sich insbesondere um einen Spiegel
in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
handeln. In der Trägerstruktur 4 ist der abschnittsweise
mäanderförmig verlaufende Kühlkanal 3 eingebracht,
welcher von dem Kühlmedium 1 durchströmt
wird. Das Kühlmedium 1 ist als Legierung aus Gallium,
Indium und Zinn ausgebildet. Es wird durch die Pumpe 5,
die als elektromagnetische Pumpe ausgebildet ist, durch die Kühlkanäle 3 gefördert.
Dabei sind die Kühlkanäle 3 in der Trägerstruktur 4 in
der Weise ausgebildet, dass in demjenigen Bereich, welcher an den
zu kühlenden Bereich des optischen Elements 2 angrenzt,
zwei Zuflüsse des kühlenden Kühlmediums 1 realisiert
sind, wie anhand der mittels der Pfeile angedeuteten Strömungsrichtung
erkennbar wird. Die gezeigte Führung des Kühlmediums 1 führt
dazu, dass in der dargestellten 2 von links
nach rechts der Temperaturgradient aufgrund der Erwärmung
des Kühlmediums 1 wirksam begrenzt wird, so dass
auf den Temperaturgradienten zurückgehende mechanische
Deformationen der Trägerstruktur 4 und damit des
optischen Elements 2 wirksam verringert werden. Im dargestellten Beispiel
ist eine Kühleinheit 6 im Bereich der Pumpe 5 vorgesehen,
die als konventionelle Wasserkühlung ausgebildet sein kann;
selbstverständlich sind auch andere Arten der Kühlung
des Kühlmediums 1 denkbar. Alternativ zu der dargestellten
Ausführungsform der Erfindung kann auch das optische Element 2 auch
direkt mit Kühlmittelkanälen versehen sein, durch
welche das Kühlmedium 1 strömt.
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Das
der Erfindung zugrunde liegende physikalische Prinzip soll nachfolgend
anhand der 2 erläutert werden. 2 zeigt
eine schematisierte Darstellung der erfindungsgemäßen
Vorrichtung. Sie zeigt im Wesentlichen das in der Tragstruktur 24 in tegrierte
optische Element 22, wobei die Tragstruktur 24 von
dem Kühlmedium 21 in Pfeilrichtung durchströmt
wird. Die Tragstruktur 24 zeigt dabei den als zusammenhängenden
beispielsweise quaderförmigen Raum ausgebildeten Kühlkanal 23.
Das Kühlmedium 21 tritt in den Kühlkanal 23 ein,
erwärmt sich an der Grenzfläche zwischen Kühlkanal 23 und
den dem optischen Element 22 benachbarten Bereichen der Tragstruktur 24 und
strömt nachfolgend durch die Kühleinheit 26,
wo die aus dem optischen Element 22 aufgenommene Wärme
dem Kühlmedium 21 wieder entzogen wird. Die Förderung
des Kühlmediums 21 erfolgt dabei über
die Pumpe 25. Grundsätzlich teilt sich der auf
das optische Element 22 einfallende Wärmestrom
Q1 in die beiden Teilwärmeströme
Qrefl und Qabs auf,
wobei Qrefl der am optischen Element 22 reflektierte
Wärmestrom ist und Qabs den von
dem optischen Element 22 absorbierten Wärmestrom
darstellt, der nachfolgend an das Kühlmedium 21 abgegeben
werden soll. Die Kühleinheit 26 muss dabei in der
Weise gestaltet sein, dass Qabs aus dem
Kühlmedium 21 abgeführt werden kann.
Grundsätzlich bemisst sich die Effizienz des Kühlsystems
danach, in welchem Ausmaß Qabs durch
das Kühlmedium 21 aufgenommen und aus dem kritischen
Bereich in der Umgebung des optischen Elements 22 abgeführt werden
kann. Im Hinblick auf das Kühlmedium 21 sind dabei
die spezifische Wärmekapazität c sowie die thermische
Leitfähigkeit λ des Kühlmediums 21 wesentliche
physikalische Größen.
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Die
Wärmemenge, die während der Zeit t von dem optischen
Element 22 in das Kühlmedium 21 übergeht,
berechnet sich hierbei nach der Formel Q = α·A·t·ΔT
mit
- Q: Wärmemenge, welche die Grenzfläche
mit dem Flächeninhalt A in der Zeit t durchtritt;
- als lokalem Wärmeübergangskoeffizienten
mit λ als spezifischer Wärmeleitfähigkeit
und δT als Dicke der thermischen
Grenzschicht. Der angegebene Zusammenhang gilt für die
Annahme einer laminaren Strömung des Kühlmediums 21 entlang
der Grenzfläche.
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In
diesem Fall beruht der Wärmeübergang primär
auf Wärmeleitung durch die thermische Grenzschicht hindurch.
Die thermische Grenzschicht verläuft dabei von den Bereich
der Grenzfläche in Richtung des vorbeiströmenden
Kühlmediums bis zu demjenigen Abstand von der Grenzfläche
ab dem die Temperatur in Richtung zum Inneren des Kühlmediums
konstant bleibt.
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Aus
dem oben dargestellten Zusammenhang wird unmittelbar deutlich, dass
die Wärmemenge, die pro Zeiteinheit durch die Grenzfläche
hindurchtritt, linear von der thermischen Leitfähigkeit λ des
Kühlmediums 21 abhängt. Kühlmedien
mit großem λ gestatten es damit, in einer vorgegebenen
Zeit eine höhere Wärmemenge Q zu übertragen
bzw. bei vorgegebener Wärmemenge die Zeit t, die zur Kühlung
erforderlich ist, zu verkürzen. Dies führt dazu, dass
für eine effiziente Kühlung nicht zwingend ΔT, also
der Temperaturunterschied zwischen optischem Element 22 und
Kühlmedium 21 vergrößert werden muss,
sondern dass es als alternative Lösung genügt,
ein Kühlmedium mit großem λ zu wählen.
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Aufgrund
der guten Wärmeleitfähigkeit des verwendeten Kühlmediums
kann in realen Anordnungen durchaus die in 2 dargestellte
einfache Geometrie des Kühlkanals 23 zur Anwendung
kommen. Vorteilhaft hierbei ist, dass die genannte einfache Geometrie
die Gefahr von Turbulenzen und damit des Eintrags störender
mechanischer Schwingungen in das optische Element reduziert.
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In 3 ist
eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 dargestellt,
in welcher die Erfindung zur Anwendung kommen kann. Sie enthält
eine Lichtquelle 102, ein EUV-Beleuchtungssystem 103 zur Ausleuchtung
eines Feldes in einer Objektebene 104, in welcher eine
nicht dargestellte strukturtragende Maske angeordnet ist, sowie
ein Projektionsobjektiv 105 mit einem Gehäuse 106 und
einen Strahlenverlauf zur Abbildung der in der Objektebene 104 angeordneten
Maske auf ein lichtempfindliches Substrat 107 zur Herstellung
von Halbleiterbauelementen. Das Projektionsobjektiv 105 weist
zur Strahlformung als Spiegel 108 ausgebildete optische
Elemente auf. Die Spiegel 108 können in Fassungen
oder dergleichen in dem Gehäuse 106 des Projektionsobjektivs 105 angeordnet
bzw. gelagert sein. Auch das Beleuchtungssystem 103 weist entsprechende
optische Elemente bzw. Baugruppen zur Strahlformung bzw. Strahlleitung
auf. Diese sowie das Gehäuse des Beleuchtungssystems 103 sind
jedoch nicht näher dargestellt.
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In
dem in 3 gezeigten Beispiel ist in dem Projektionsobjektiv 105 eine
Trennstruktur 110 eingefügt wird, durch welche
innerhalb des Projektionsobjektives ein Compartment 111 gebildet
wird, das räumlich weitgehend gegenüber den übrigen
Bereichen des Projektionsobjektives 105 abgeschlossen ist
und die optischen Elemente 108' enthält. Die Größe
der Durchtrittsöffnung 112, durch welche der Projektionsstrahl
hindurchtritt, ist dabei minimal gehalten. Es kann wünschenswert
sein, das Compartment 111 thermisch von den übrigen
Bereichen des Projektionsobjektives zu isolieren bzw. die Trennstruktur 110 zu
temperieren, insbesondere zu kühlen.
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4 zeigt
in einer ersten Schnittdarstellung eine erste Variante zur Temperierung
der Trennstruktur 110. Die Trennstruktur 110 ist
hierzu mit der rohrförmigen Kühlschlange 31 versehen,
welche auf einer Oberfläche der Trennstruktur 110 angeordnet
ist; auch eine beidseitige Anordnung der Kühlschlange 31 auf
der Trennstruktur 110 ist denkbar. Die erfindungsgemäße
Wahl des (in der Figur nicht dargestellten) Kühlmediums,
welches die Kühlschlange 110 durchströmt,
und die damit verbundene Effizienzsteigerung der Kühlung
wird es möglich, einerseits die Abmessungen der Kühlschlange 31 und
den benötigten Bauraum gering zu halten und andererseits die
mechanischen Störungen, die durch die Kühlung in
dem Gesamtsystem verursacht werden, zu verringern.
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4a zeigt
eine gegenüber der Darstellung in 4 um 90° gedrehte
Ansicht der Trennstruktur 110 mit einem exemplarischen
mäanderförmigen Verlauf der Kühlschlange 31 um
die Durchtrittsöffnung 112 herum mit Zufluss 120 und
Abfluss 121. Der in der Figur gezeigte Verlauf der Kühlschlange 31 gewährleistet
eine räumlich möglichst gleichmäßige Temperierung,
insbesondere Kühlung der Trennstruktur 110.
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5 zeigt
eine weitere Möglichkeit zur Temperierung der Trennstruktur 110.
Dabei wird das Kühlmedium nicht in einer auf einer Oberfläche
der Trennstruktur 110 angeordneten Kühlschlange
geführt, sondern vielmehr durch in die Trennstruktur 110 integrierte
Hohlräume 32 geleitet. Mit anderen Worten wird
die Trennstruktur 110 zum Einen zur räumlichen
Abtrennung des Compartments 111 und zum anderen zur Führung
des Kühlmediums verwendet.
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Die 5a und 5b zeigen
Varianten zur Ausbildung des Hohlraumes 32. In der gegenüber 5 um
90° gedrehten Darstellung in 5a ist
der Hohlraum 32 als flächiger Hohlraum 32a mit
dem Zufluss 130 und dem Abfluss 131 ausgebildet,
wobei der Hohlraum 32a in seiner Gesamtheit von dem Kühlmedium
durchströmbar ist. Diese Maßnahme hat die Wirkung,
dass eine sehr homogene Temperierung der Trennstruktur 110 möglich
wird. Aufgrund der Effizienz der erfindungsgemäßen
Kühlvorrichtung kann der Volumeninhalt des Hohlraumes 32a so klein
gewählt werden, dass die mechanische Stabilität
der Trennstruktur 110 durch den Hohlraum 32a nicht
wesentlich beeinträchtigt wird. Daneben wird durch die
im wesentlichen hohle Ausbildung der Trennstruktur 110 der
zusätzliche Effekt erzielt, dass auch in denjenigen Fällen,
in denen der Hohlraum 32a nicht von einem flüssigen
Kühlmedium ausgefüllt ist, die thermische Isolation
des Compartments 111 gegenüber den übrigen
Bereichen des Projektionsobjektives verbessert ist.
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5b zeigt
in einer zu 5a analogen Darstellung eine
zweite Variante zur Ausbildung des Hohlraumes 32, bei welcher
der Hohlraum 32 als in das Trennelement 110 integrierter,
mäanderförmig verlaufender Kanal 32b mit
dem Zufluss 132 und dem Abfluss 133 realisiert
ist. Durch diese Wahl der Geometrie des Hohlraumes 32 wird
die mechanische Destabilisierung der Trennstruktur 110 aufgrund
der Anwesenheit des Hohlraumes 32b weiter verringert.
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In
allen gezeigten und angesprochenen Fällen kann die gewünschte
lokale Temperier- bzw. Kühlleistung dadurch angepasst werden,
dass die Geometrie der mediumführenden Strukturen wie bspw.
der Kühlschlange 31 oder des Hohlraumes 32 entsprechend
gewählt wird.
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Die
anhand der Temperierung einer Trennstruktur 110 gezeigten
Varianten der Gestaltung der mediumführenden Strukturen
können auch für die Kühlung sonstiger
Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage Verwendung finden.
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Die
Erfindung kann insbesondere auch dazu verwendet werden, einen oder
mehrere der Spiegel 108 oder auch das Gehäuse 106 oder
Bereiche des Gehäuses 106 zu temperieren, insbesondere
zu kühlen.
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Die
Erfindung wurde vorstehend anhand einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
näher beschrieben. Daneben kann die Erfindung auch in Projektionsbelichtungsanlagen,
welche in anderen Wellenlängenbereichen arbeiten, zur Anwendung
kommen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - „Electrical
Engineering (Archiv für Elektrotechnik)”, Springer
Berlin/Heidelberg, Volume 70, Number 2/März 1987, Seiten
129–135 [0013]
