JP2006520107A

JP2006520107A - 放電生成プラズマｅｕｖ光源

Info

Publication number: JP2006520107A
Application number: JP2006509069A
Authority: JP
Inventors: ウィリアムエヌパートロ; ゲリーエムブルーメンストック; ノーバートバウアリング; ケントエイブルッツォーネ; デニスダブリューコブ; ティモシーエスダイアー; ジョンダンロップ; イゴーヴィーフォーメンコフ; ジェイムズクリストファーハイシャム; ロジャーアイオリヴァー; フレデリックエイパレンシャット; シャオジャンジェイパン; カーティスエルレティッグ; ロドニーエスシモンズ; ジョンウォーカー; カイルアールウェブ; トーマスホフマン; オリーコーディキン
Original assignee: サイマーインコーポレイテッド
Priority date: 2003-03-08
Filing date: 2004-03-03
Publication date: 2006-08-31
Anticipated expiration: 2024-03-03
Also published as: TW200425802A; EP1602116A4; WO2004081503A2; WO2004081503A3; EP1602116A2; TWI275325B; JP4638867B2

Abstract

【課題】電極間の放電を利用して発光プラズマを形成するＥＵＶ光源及び軟Ｘ線光源を提供する。
【解決手段】プラズマを出るデブリから金属ハロゲン化物を生成する金属ハロゲンガスを使用するデブリ軽減装置を含むことができるＤＰＰのＥＵＶ光源。ＥＵＶ光源は、焦点に視準した光路によって結合された内面及び外面を有する複数の曲線遮蔽部材を含むことができるデブリ遮蔽体を有することができ、この遮蔽部材は、その間の開放空間を用いて交互させることができ、１つの回転軸で円及び別の回転軸で楕円を形成する表面を有することができる。電極には、放電の軸線方向消滅段階中の中庸な電流と、放電の半径方向圧縮段階中に生じるピークとを生成するように形成された放電パルスを供給することができる。光源は、発生チャンバに接続した入口を有してチャンバから緩衝ガスよりも多くの原料ガスを優先的にポンピングするように作動可能なターボ分子ポンプを含むことができる。光源は、第１の領域で少なくとも選択導電率まで及び第２の領域で少なくとも選択熱伝導率までドープされたドープの異なるセラミック材料を含む調整導電電極を含むことができる。第１の領域は、電極構造体の外面又はその近くにあるとすることができ、セラミック材料は、ＳｉＣ又はアルミナとすることができ、ドーパントは、ＢＮか又はＳｉＯ又はＴｉＯ₂を含む金属酸化物とすることができる。光源は、電極アセンブリ取付台を交換位置から作動位置まで移動するように作動可能な可動電極アセンブリ取付台を含むことができ、可動取付台はベローズ上である。光源は、集光器に作動的に接続されてそれぞれのシェル部材の温度を調節してそれぞれのシェル部材からのかすり入射角の反射を最適化する温度関連幾何学形状を維持するように作動する温度制御機構、又はシェル部材を位置決めするための機械式保定装置を有することができる。シェルには、電圧でバイアスを掛けることができる。デブリ遮蔽体は、焦点外れレーザ放射を用いて作製することができる。アノードは、２つの冷却液通路を形成する中空内部又はこれらの通路を形成する多孔金属を用いて冷却することができる。デブリ遮蔽体は、取付リング又はハブに取り付けられるか、又は均一な分離及び補強をもたらしかつ一切の有意な量の光を妨げない連結タブで互いに取り付けられた、複数の大、中、小のフィンで形成することができる。

Description

本発明は、電極間の放電を利用して発光プラズマを形成するＥＵＶ光源及び軟Ｘ線光源に関する。
関連出願
本出願は、２００３年３月８日出願の米国特許出願出願番号第１０／３８４，９６７号、２００２年７月３日出願の米国特許出願出願番号第１０／１８９，８２４号、２００２年４月１０日出願の米国特許出願出願番号第１０／１２０，６５５号、現在は米国特許第６，５８６，７５７号である２００１年６月６日出願の米国特許出願出願番号第０９／８７４，７１９号、２００１年６月６日出願の米国特許出願出願番号第０９／８７５，７２１号、及び２０００年１０月１６日出願の米国特許出願出願番号第０９／６９０，０８４号の一部継続出願である２００３年４月８日出願の米国特許出願出願番号第１０／４０９，２５４号の一部継続出願である２００３年１２月１８日出願の米国特許出願出願番号第１０／７４２，２３３号に対する優先権を主張し、かつ２００２年１０月３１日出願の米国特許出願出願番号第６０／４２２，８０８号及び２００２年１０月１８日出願の第６０／４１９，８０５号の恩典を請求するものであり、これらの全ては、本明細書において引用により組み込まれている。

例えば高電圧を電極の全体に亘って印加し、活性材料、例えばキセノンを例えば含有する例えばガス媒体において放電を発生させ、例えばキセノンに対して１３．５ｎｍのＥＵＶ波長（軟Ｘ線とも呼ばれる）で光を生成することによって作り出されたプラズマから極紫外線（ＥＵＶ）光を生成することは公知である。このようなＥＵＶ光源は、一般的に放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ（軟Ｘ線）光源と呼ばれる。

２００２年１１月７日公告の公告番号ＵＳ／２００２−０１６３３１３−Ａ１である発明人Ｎｅｓｓ他による２００２年４月１０日出願の「極紫外線及びＸ線光のためのパルス電力システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第０９／７５２，８１８号及び第１０／１２０，６５５号、２００３年１月９日公告の公告番号ＵＳ／２００３−０００６３８３−Ａ１である発明人Ｍｅｌｎｙｃｈｕｋ他による２００２年７月３日出願の「改良型パルス電力システムによるプラズマ焦点光源」という名称の第１０／１８９，８２４号、発明人Ｙａｇｅｒ他による２００３年３月８日出願の「長寿命光学構成部品を有する高電力深紫外線レーザ」という名称の第１０／３８４，９６７号、及び発明人Ｍｅｌｎｙｃｈｕｋ他による２００３年４月８日出願の「極紫外線光源」という名称の第１０／４０９，２５４号と共に、１９９８年６月９日にＰａｒｔｌｏに付与された米国特許第５，７６３，９３０号、２０００年４月１８日にＰａｒｔｌｏ他に付与された第６，０５１，８４１号、２０００年５月１６日にＰａｒｔｌｏ他に付与された第６，０６４，０７２号、２００２年９月１７日にＰａｒｔｌｏ他に付与された第６，４５２，１９９号、２００３年４月１日にＰａｒｔｌｏに付与された第６，５４１，７８６号、及び２００３年７月１日にＭｅｌｙｎｃｈｕｃｋ他に付与された第６，５８６，７５７号は、全て、特にＤＰＰを利用して光を生成するプラズマを作り出すＥＵＶ光源の態様を説明したものであり、これらの各々の開示は、本明細書において引用により組み込まれている。

現在のＥＵＶ集束光学構成部品は、例えばある共通の周囲温度で共通の焦点を有するいくつかの入れ子式シェルから例えば成るものである。一般的に、これらのシェルは、例えばニッケルで形成され、比較的肉薄の例えば約１ｍｍ厚の壁を特徴とする。ＥＵＶ光発生の結果、ＥＵＶ光源点近くの構成要素に高い熱負荷が掛かる。光学構成部品の場合には、これらの熱負荷は、例えば臨界面を歪ませて焦点をずらす可能性がある。

ＥＵＶ光を伝達する非常に効率的方法は、例えば「かすり入射角」反射器を通じたものである。一般的に、入れ子式集光器のシェルは、例えば平面又は曲面の例えば少なくとも２つの異なる反射面を特徴とし、放電生成プラズマからの大きな角度で発せられた光を集光して比較的小さな角度、すなわち開口数で中間焦点又は焦点面に送出することを可能にすることになる。
歪みを回避して焦点面又は焦点を維持することは、何らかの改良点を利用することができるＥＵＶ光源設計の１つの態様である。

電極寿命は、注目する必要があるＥＵＶ光源に関する別の問題である。１０％出力劣化での１００Ｍショットという電極寿命は、ＤＰＰのＥＵＶシステムには最低限の要件であると考えられる。現在の技術は、ほぼ上述の劣化での３０Ｍショット未満程度以上を考慮するものである。ＤＰＰ生成ピンチド・プラズマによるＥＵＶ発光の副産物は、構造体及びピンチ形成部直近の要素に掛かる高い熱負荷である。これは、例えば中心電極の場合には、性能及び構成要素寿命にいくつかの悪影響をもたらす可能性があり、熱負荷は、電極の外面が例えば材料蒸発によって過度に侵食されかねないほど激しい場合がある。侵食は、最終的には、プラズマ形成に与える影響及び電極構造体の内部で循環する冷却水の圧力に耐えることができないことを含むいくつかの理由から電極交換を強いることになる。

現時点では、ＥＵＶ電極の寿命は、リソグラフィ業界によって示された寿命の数値からマグニチュードが一桁離れたものである。従って、交換費用及び電極交換中の機械休止時間は、ＤＰＰのＥＵＶ光源に対する「所有コスト」の大きな部分を占めている。
ＳｉＣ−ＢＮは、防護具メッキとして防衛産業で使用されていることが公知である。ＢＮによるＳｉＣドープは、ＳｉＣ−グラファイトシステム、例えばＢＮによる被覆繊維に対して一般的である。ＴｉＷは、半導体業界で接点に使用されることが公知であり、例えばＰＶＤターゲットに対する一般的な機械加工材料である。

ＤＰＰのＥＵＶ光源に関する別の重要な考慮すべき点は、システム光学構成部品、例えば集光器光学要素に衝突する放電生成プラズマＥＵＶ光源から生じる電極デブリの悪影響を実質的に低減する必要性である。
ＤＰＰのＥＵＶ光源の別の重要な側面は、所定のエネルギ入力に対して光出力を最大にするために、ＤＰＰ装置に注入されるエネルギの可能な限り効率的に利用する必要性である。非常に高いエネルギの光出力が必要とされ、かつ、例えば非常に高いエネルギパルスを所要の繰返し率で放電電極に供給する機能に対して例えばタイミング及び放熱要件のために限界が存在する。

米国特許出願出願番号第１０／３８４，９６７号米国特許出願出願番号第１０／１８９，８２４号米国特許出願出願番号第１０／１２０，６５５号米国特許第６，５８６，７５７号米国特許出願出願番号第０９／８７４，７１９号米国特許出願出願番号第０９／８７５，７２１号米国特許出願出願番号第０９／６９０，０８４号米国特許出願出願番号第１０／４０９，２５４号米国特許出願出願番号第１０／７４２，２３３号米国特許出願出願番号第６０／４２２，８０８号米国特許出願出願番号第６０／４１９，８０５号米国特許第５，７６３，９３０号米国特許第６，０５１，８４１号米国特許第６，０６４，０７２号米国特許第６，４５２，１９９号米国特許第６，５４１，７８６号米国特許出願出願番号第０９／７５２，８１８号ＵＳ／２００２−０１６３３１３−Ａ１ＵＳ／２００３−０００６３８３−Ａ１

プラズマを出るデブリから金属ハロゲン化物を生成する金属ハロゲンガスを使用するデブリ軽減装置を含むことができるＤＰＰのＥＵＶ光源を開示する。ＥＵＶ光源は、焦点に視準した光路によって結合された内面及び外面を有する複数の曲線遮蔽部材を含むことができるデブリ遮蔽体を有することができ、この遮蔽部材は、その間の開放空間を用いて交互させることができ、１つの回転軸で円及び別の回転軸で楕円を形成する表面を有することができる。電極には、放電の軸線方向消滅段階中の中庸な電流と、放電の半径方向圧縮段階中に生じるピークとを生成するように形成された放電パルスを供給することができる。光源は、発生チャンバに接続した入口を有してチャンバから緩衝ガスよりも多くの原料ガスを優先的にポンピングするように作動可能なターボ分子ポンプを含むことができる。光源は、第１の領域で少なくとも選択導電率まで及び第２の領域で少なくとも選択熱伝導率までドープされたドープの異なるセラミック材料を含む調整導電電極を含むことができる。第１の領域は、電極構造体の外面又はその近くにあるとすることができ、セラミック材料は、ＳｉＣ又はアルミナとすることができ、ドーパントは、ＢＮか又はＳｉＯ又はＴｉＯ₂を含む金属酸化物とすることができる。光源は、電極アセンブリ取付台を交換位置から作動位置まで移動するように作動可能な可動電極アセンブリ取付台を含むことができ、可動取付台はベローズ上である。光源は、集光器に作動的に接続されてそれぞれのシェル部材の温度を調節してそれぞれのシェル部材からのかすり入射角の反射を最適化する温度関連幾何学形状を維持するように作動する温度制御機構、又はシェル部材を位置決めするための機械式保定装置を有することができる。シェルには、電圧でバイアスを掛けることができる。デブリ遮蔽体は、焦点外れレーザ放射を用いて作製することができる。アノードは、２つの冷却液通路を形成する中空内部又はこれらの通路を形成する多孔金属を用いて冷却することができる。デブリ遮蔽体は、取付リング又はハブに取り付けられるか、又は均一な分離及び補強をもたらしかつ一切の有意な量の光を妨げない連結タブで互いに取り付けられた、複数の大、中、小のフィンで形成することができる。

ここで図１を参照すると、本発明の実施形態による放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ及び軟Ｘ線光源２０が示されている。ＥＵＶ光源は、例えば放電チャンバ２４を形成するハウジング２２を含むことができる。例えばチャンバ２２の１つの壁の開口部を通じて取り付けることができるのは、例えばカソードとすることができる外側電極２８と例えばアノードとすることができる内側電極３０又はその逆を含む例えばほぼ円筒形電極を含むことができる例えば一対の電極２６とすることができるが、本開示の目的上、前者の指定を使用することにする。内側電極３０は、図２に示すように、例えば絶縁材料７０によって外側電極２８に対して絶縁され、協働して、非常に高い電圧が供給された時に、電気エネルギの非常に速い立ち上がり時間パルスで、例えば図７に示す半導体パルス電力モジュール１３９から例えばヘリウムを含むイオン化ガスを通じて電極２８及び３０間で放電を生成することができる。例えば図１０から図１２ｃに示すように、予備イオン化装置２０６によって初期の放電を容易にすることができる。放電は、例えば図２で８２で示すように、始めは絶縁材料７０及び予備イオン化装置２０６近くの内側電極からほぼ半径方向に延び、その後に図２で８４で概略的に示すように、内側電極（アノード）３０の外面２０８に沿って伝達される時により軸線方向に延びる磁場を形成することができる。軸線方向に延びる磁場８４は、例えば原料送出チューブ６０を通じてピンチサイトに供給されて例えば中心電極３０の先端の中心電極（アノード）先端凹部内に供給された原料物質、例えばキセノンを含む磁場８４により短く閉じ込められた高密度プラズマピンチ３２を形成する。

プラズマピンチから発せられた光は、光生成工程中にプラズマから発せられたデブリ、例えばイオン化キセノン粒子、又は電極から出て集光器４０内の例えば反射面を潜在的に損傷する電極材料、例えばタングステンデブリを捕捉することができる例えばデブリ遮蔽体３６を通過した後で、例えばかすり入射角集光器４０によって例えば集光することができる。また、例えば中間焦点４２という焦点又は焦点面にかすり入射角反射によって至るＥＵＶ光の単一の曲面反射光線とすることができる集光器４０によって集光された光は、例えば１３．５ｎｍ及び相対的に狭い帯域幅約１３．５ｎｍを除き、例えば光の実質的に全てを濾過するように作動可能なスペクトル清浄フィルタを通過することができる。
本発明の実施形態の一態様は、中間焦点４２に供給されたより一貫した高ＥＵＶエネルギを生成するために、集光器４０に対する熱負荷を補正することを考慮したものである。

ここで図３及び図４を参照すると、本発明の実施形態による集光器４０の一部切り欠き斜視図及び本発明の実施形態による集光器４０の作動例の概略図も示されている。図４で分るように、集光器４０のシェル１０２の各々が第１のシェル部分１０２ａと第２のシェル部分１０２ｂとを有する、いくつかの例示的な限定的な光線の光線追跡は、限定的な光線１０４と限定的な光線１０４’を有し、部分１０２ａから部分１０２ｂへかすり入射角で限定的光線１０４及び１０４’を反射するように配置され、この部分１０２ａ及び１０２ｂの各々は、平坦又は湾曲とすることができる。部分１０２ｂでは、かすり入射角反射により、光線１０４及び１０４’内の光は、中間焦点４２に向けて集光される。本出願の目的上、光は広帯域のものとすることができ、かついくつかのフィルタ、例えば図１に示すスペクトル清浄フィルタ４０を通過すべきである。図４から分るように、構成要素部分１０２ａ及び１０２ｂを含む個々のシェル１０２の厚みを支持するために利用可能な場所、すなわち物理的空間は殆どない。これを行うと、隣接する、すなわち隣の外側シェルの伝達を妨げることになる。より厚い壁を可能にするためにシェルの幾何学形状を修正すると、それぞれのかすり角が大きくなり、その結果、この設計の伝達効率が小さくなる。例えば、光１０４’’及び１０４’’’を有するいくつかの光線は、集光器４０入口の円錐部には入らず、つまり、発せられた光の波長λ及び反射面の材料により、妥当なかすり入射角、通常は約２°未満では円錐部には入らないので集光器によっては集光されない。

集光器４０は、図３に示すように、各々が外側から内側に他方よりも直径が小さい複数の入れ子式シェルで形成することができる。シェルは、複数の部分、例えば部分１０２ａがピンチサイト３２に最も近い２つの部分１０２ａ及び１０２ｂで形成することができる。各シェル１０２の部分１０２ａは、例えば集光器４０シェル１０２に入射するプラズマ生成光の入射円錐部分にある光線を反射し、その光を部分１０２ｂに反射するように角度を付けることができる。部分１０２ｂでは、入射反射の更に別のかすり角を発生させることができ、これによって、例えば中間焦点４２で集光される入射ＥＵＶ光を角度を成して反射することができる。

シェル１０２は、例えば集光器４０の軸線方向の長さに沿ってハブ９０から延びる、例えば集光器ハブ延長部９２を有することができる集光器ハブ９０に取り付けることができる。また、複数例えば４つの半径方向の支柱９４をハブ９０に取り付けることができる。シェル１０２の各々は、例えば溶接又はろう付けによって支柱９４に結合することができる。集光器４０の構造体及び柱９４へのシェル１０２の取り付け部は、半径方向集光器フェアリング１００によって補強することができる。

本発明の実施形態の一態様によれば、集光器４０に発生すると予想することができる最大熱負荷を導出することができる。集光器４０、その構成シェル１０２、及びその部分１０２ａ及び１０２ｂの幾何学形状は、例えば、望ましい性能の態様、例えば焦点がその温度でのみ達成されるように作り出すことができる。すなわち、いくつかの公知の予め選択された温度において、望ましい作動パラメータ、例えば中間焦点４２での焦点、特定のλの選択などが得られる集光器の各部の公知の幾何学形状が存在する。加熱要素（図示せず）を集光器４０の個々のシェル１０２に、又は例えばハブ９０及び／又はその延長部２９に取り付けることができ、また、例えば負荷サイクル又は繰返し率に関係なく、理想的な幾何学形状を維持するために利用することができ、理想的な幾何学形状を維持されなければ、集光器４０の温度が経時的に変わる可能性がある。このような変動する温度は、例えば、シェルの部分１０２ａ及び１０２ｂに反りを発生させ、及び／又は互いに対する位置関係を変える可能性がある。本発明の実施形態の別の態様によれば、加熱要素、例えば「Ｋｒｙｏｔｈｅｒｍ」製モデル「Ｄｒｉｆｔ０．８（４０ｍｍ平方）１７２ワット」ではなく「Ｐｅｌｔｉｅｒ」冷却器（図示せず）の介在で、冷却を利用して望ましい固定温度を維持することができるであろう。それにより、シェル幾何学形状を高くない温度で保証することができる。

いずれの場合も、集光器シェル１０２には、例えば、「ＰｈｙｓｉｋＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｅ」製モデル「ＰＬ１２２−１４０」シリーズなどのバイオモーフ圧電アクチュエータを装備することができ、このバイオモーフ圧電アクチュエータは、例えば、例えばろう付けによって各シェル部分１０２ａ及び１０２ｂの外面に結合することができる。電圧を圧電アクチュエータに印加すると、例えばシェル部分１０２ａ及び１０２ｂに歪みを発生させ、例えば中間焦点４２に対するシェル１０２の焦点を効果的に変えることができる。

本発明の実施形態の一態様によれば、各シェル１０２は、例えば、各々が他方及びハブ９０に対して独自の曲率及び／又は角度の関係を有する２つの個別の部分１０２ａ及び１０２ｂを有することができる。焦点は、例えば、例えば光軸に沿って２つの半割部１０２ａ及び１０２ｂ間の関係を変えることによって維持することができる。これは、例えば運動の程度の要件により、保定モータ（図示せず）又は圧電素子（図示せず）を用いて行うことができる。モータ又は圧電素子は、例えばベローズ（図示せず）を通じてシェル１０２と接続したマニピュレータ（図示せず）を有する真空環境の外部に取り付けることができる。シェル１０２は、例えば、先に記したアクチュータの場合と同様に、例えば最外部のシェル１０２上の継手１０６などの操作が同時にシェル１０２の全てを操作する役目を果たすことができるように、集光器に伝達される光の大きな量を妨げない例えば肉薄接続部材により、例えば継手１０６で相互接続することができる。

本発明の実施形態の別の態様によれば、迅速な電極交換を可能にすることで、電極寿命を「所有経費」に関する問題として利用することができる。これは、例えば図５から図７に示すような迅速電極交換アセンブリを利用して達成することができる。
本発明の別の実施形態によれば、シェル１０２をバイアス電圧（図示せず）に接続して、デブリ回収用にバイアス電圧と同じ極性を有する帯電イオンをシェル１０２の例えば反射面から粗い面に向けて偏向させることができる。

現時点では、ＥＵＶ電極の寿命は、リソグラフィ業界が見積もる数値とはマグニチュードが一桁離れている。従って、交換経費及び電極交換中の機器休止時間は、ＤＰＰのＥＵＶ光源では「所有経費」の大きな部分を占めるものである。電極２６は、例えば、集束光学構成部品４０、スペクトル清浄フィルタ５０、デブリ捕捉器３２なども収納することができる大型真空チャンバ内に位置する。例えば電極２６にアクセスするために真空チャンバ２４のシールを破壊すると、例えば真空チャンバ２４の内部環境が周囲の部屋条件、例えば湿度や清浄度の欠如などに露出される可能性がある。真空チャンバ２４の再密封時には、作動真空状態までポンピングする時間は、全体的な性能に悪影響を与える可能性があり（所有経費の一因となる）、外部環境に露出されたためにチャンバの内壁に付着したデブリ及び水蒸気のためにそれが困難なものとなる可能性がある。

完璧な環境においてさえも、ポンプ休止時間は、所要の光学構成部品を収納するのに必要と考えられる容積を有するチャンバ２４を考慮すると５分から１０分台である。例えば、更に別の高真空ポンプを加えることによってポンプ休止時間の短縮を達成することができるが、選択したモデルにより、かなりの経費、一台当たり約＄２０から＄３０Ｋとなる。しかし、休止時間の重大な要素は、場合によっては、ポンプ休止を通じてチャンバ２４内に溜まった水蒸気の除去だと考えられる。

本発明の実施形態の一態様によれば、例えば電極２６近くに密封フランジを加えると、容器の通気及び密封後のその後のポンプ休止を不要とすることができる。しかし、この位置は、このような密封フランジの位置として好ましいものではない。必然的に、集光器光学構成部品４０（及び、そのためのデブリ捕捉器３６）をピンチの地点の近くに設置すべきである。更に、例えばピンチ３２に近い区域は、２０００℃を超える温度を受ける可能性があり、また、例えば発光中に電極２６の表面から蒸発した金属で「メッキ」されやすい可能性がある。本発明の実施形態の一態様によれば、従って、ベローズ１２２の使用を利用すると、例えば電極２６の交換を容易にするために、例えば電極２６先端と第１の光学構成部品、例えばデブリ捕捉器３の間の距離を大きくすることができる。また、このようなベローズ１２２は、ピンチ３２位置の光学的アラインメントに対して何らかの有用性を有することができ、ピンチ３２位置は、例えば繰返し率及びガス混合物及び集光器４０焦点距離に影響を与える集束光学構成部品に与える熱による影響、例えば集光器４０の反りで変わることを本出願人は既に観察している。

ベローズ１２２を倒すことにより、密封機構、例えば「仕切り弁」１３０を考慮するのに十分に大きな、電極２６と第１の光学構成部品、例えばデブリ捕捉器３２の間の間隙を確立することができる。この仕切り弁１３０であれば、電極２６交換中に容器２２を密封する機能を果たすことになる。
例えばピンチ３２位置から始まる大きな熱負荷のために、ベローズ１２２は、例えばこれに耐えるのに十分に大きな直径でなければならない。しかし、通常の作動中に仕切り弁１３０の開口から後退すべきであることから、ベローズ１２２の直径により、例えばチャンバ２４の密封するのに必要な仕切り弁１３０の大きさも決まる。例えば図６に示すように、電極２６から「見えない場所」にベローズ１２２を設置すると、例えばベローズ１２２が受ける熱負荷をかなり小さくすることができる。「遮蔽された」ベローズ１２２がチャンバ２４壁１３２と、ベローズ１２２とピンチ３２位置の間である電極アセンブリ１６０のフランジ１３４との間に位置決めされると、ベローズ１２２の大きさの制限、例えば直径の縮小を容易にすることができ、この直径の縮小は、仕切り弁１３０にも当て嵌めることができる。

仕切り弁１３０は、ＥＵＶ光学構成部品が位置する環境に一般的であるように、エラストマーがないものでなければならない。これは、いかなるこのようなエラストマーから出るガスも光学構成部品の寿命を大きく短くするものであるからである。しかし、エラストマー以外のシールの欠点は、表面仕上げ及び密封面の平坦さに関して要件が厳しい点である。ＥＵＶのＤＰＰ環境内では、これらの表面は、例えば電極表面から排出された蒸発金属によるメッキを最小限に抑えるように設置すべきである。本発明の更に別の実施形態は、現在設けられている表面が損なわれた場合に交換することができる互換的なシール面を含むことができる。本発明の更に別の実施形態は、シールフランジ１２６の付近で乾燥窒素パージ点を含むものとなる。シール面が、真空の完全性が容器内で維持することができないまでに汚れた状態になった場合（電極調整中）、漏れを検出してチャンバに乾燥窒素を充填し、水蒸気の形成及び周囲環境に含まれたデブリの侵入を防止することができる。

ＥＵＶ光源２０の要素は、かなり大きくなる可能性があり、その結果、かなり重量物である可能性がある。真空容器２２の個々の区域は、４００ｌｂを超える重量である可能性がある。本発明の実施形態の一態様によれば、各モジュール、例えば、真空容器２２の区域／ＤＰＰ電極３２／ＤＰＰ整流子１４０を独立して共通の組の直線レール（図示せず）に取り付けると、図７に示すように、修理のためにこれらの区域をボルト止めせずに摺って離れることが可能にすることができる。直線レールは、例えば電極交換中に再組み付け時のモジュールの取扱い及びアラインメントを容易にするという二重の目的に供することができる。

本発明の実施形態の一態様によれば、電極２６の材料は、その製作手法及び特定の構造的な側面と共に、電極が機能すべきである厳しい環境及び特に対応すべきである構造的負荷及び熱的負荷を考慮に入れて慎重に考慮すべきである。炭化珪素ＳｉＣは、ＳｉＣが例えば高い熱伝導率及び導電率が得られるように調節することができるという点で、本発明の実施形態による有用な特性を有する材料の一例である。また、この材料及び耐火金属炭化物セラミックと一般的に称される同様の材料の導電率は、以下により詳細に説明するように、特定の耐火不純物を添加することによって変えることができる。

ＳｉＣ及び同様の材料の調整に加えて、例えば、アルミナ、酸化アルミニウム（ＡｌＯ₂）の導電率も例えばチタニアの添加によって調節することができる。得られる導電性ドープセラミックは、例えばスパッタ損傷及び熱損傷にどの金属よりも耐えることができるものとすることができる。更に、チタンタングステン（ＴｉＷ）とセラミック金属の組合せ（セラミット）もＳｉＣ及び関連材料と同様に機能することができる。ＴｉＷは導電性であり、導電性を得るための金属ドーピングが不要であるが、熱伝導率に対しては限界がある。ＴｉＷは、機械加工が良好であり、真空熱間プレスによって生成された場合は、本発明の実施形態の一態様による使用に最適である。また、アルミニウム酸化チタン酸化物、アルミナ−チタニア（ＡｌＮ−ＴｉＯ₂）システムは、低温システムの場合に機能することができる。

本出願人が見出したところでは、金属電極２６、特に内側電極（アノード）３０は、電極２６の表面、特にピンチ３２の周囲で、すなわちアノード３０上で溶解したり及び／又は熱などで除去される傾向が大きいものである。使用した電極２６の表面の損傷が観察され、従って、本出願人は、ピンチ３２に形成されたプラズマは、電極２６、特にアノード３０の表面上にかなりの熱及びイオンエネルギを与える可能性があると考えている。タングステントリウム合金（Ｗ−Ｔｈ）でさえも、約３５００°Ｋで解けるのが認められ、スパッタリングを受けやすい可能性がある。

共有結合材料は、絶縁されてイオン損傷に対してより良好に抗する傾向がある。ＳｉＣ又はアルミナのようなドープセラミックは、導電率及び熱伝導率が得られるように調節することができる。例えば、ＢＮでドープされたＳｉＣは、２７００°Ｋで分解するので、純粋なアルミニウムの熱伝導率近くの熱伝導率を有するように修正することができる。ＳｉＣにおけるＢＮドープレベルは、３０％ものの高い重量比とすることができる。熱衝撃抵抗は、材料の熱伝導率、強度、及び破壊靭性に比例する傾向があり、また、膨張率に反比例することから、ＳｉＣ−ＢＮ複合材は、非常に高い熱衝撃抵抗を示すことができる。アルミナの熱衝撃抵抗は、２００℃（ΔＴ℃）であり、ＳｉＣ−ＢＮ複合材は、例えば３０％のＢＮドープで６３０℃から１２００℃（ΔＴ℃）を示す。
導電率は、電極２６の表面近くで調節することができ、その理由は、そこでのセラミックのバルク導電率が不適切な場合があるからである。アルミナ材に関しては、アルミナ材の他の有用な特性に対する大きな逆行する変化なしに表面導電率を金属酸化物ドーピング処理（ＳｎＯ、ＴｉＯ₂）によって高めることができる。

ＳｉＣ−ＢＮ又はアルミナ−チタニアシステムは、多くの方法で合成することができる。プラズマ溶射又は液相焼結を混合原料粉体と共に使用することができる。割れたり又は爆発しない電極に極めて重要であると考えられる最適材料密度を得るには、ＫａｕａｉのＴｒｅｘによって使用されたものなどの微粒子によって高められたＣＶＤ成長法を修正することができる。例えば、「ＴｒｅｘＥｎｔｅｒｐｒｉｓｅｓ」のウェブページ「ｗｗｗ．ｔｒｅｘｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅｓ．ｃｏｍ」に見られるような利用可能な文献及び情報に基づいて経済的な超高清浄炭化珪素部品の作製に関するＣＶＣ技術を参照すると、本出願人の理解するところでは、Ｔｒｅｘでは、例えば高い成長率で高い嵩密度を維持しやすくするためにメチルクロロシラン（ＭＣＳ）を用いてＳｉＣ粉体をＳｉＣのＣＶＤ法に添加している。本発明の実施形態の一態様によれば、このＳｉＣ粉体の一部の代わりにＢＮ粉体を使用することにより、ナノ微粒子ＢＮが均一にセラミックに組み込まれることを可能にすることができる。Ｔｒｅｘの方法は、低圧（１００Ｔｏｒｒ）で行われることから、電極は、相対的に低い溶存ガスを有し、高い密度を有することになる。ＴｒｅｘのＳｉＣ材は、１００％の密度に近いものであり、これは理想的なものである。このような工程は図８に概略的に示されており、例えば微粒子によって高められたＣＶＤを通じてのＳｉＣ−ＢＮ複合材の合成、すなわち、例えば還元環境、例えばＨ₂が存在する場合のＭＣＳで１００ｍＴｏｒｒ及び１４００℃においてＳｉＣ表面１４４が存在する場合のＢＮ微粒子１４２上へのメチルクロロシラン１４０の分解を概略的に示している。

他の合成方法は、例えばアルミナ−ＴｉＷの場合には、Ａ）セラミック表面、すなわち、酸素不足かつ導電性である表面で非化学量論酸化物を作り出すために還元環境で焼結させる、Ｂ）アルミナをチタニアに入れて両者を共に焼結／拡散させる、Ｃ）２つの材料の交互層を堆積させて、その後にシステムを１９００℃以上で燃焼する、又はＤ）耐火金属の熱間プレスが高い溶存ガスレベルを含むことができることから、例えば純粋Ｗに使用することができる真空熱間プレスすることとすることができる。溶存ガスレベルが高いと、金属電極において電極点食及び火山型噴出が促進される。

ここで図９を参照すると、例えば未ドーピング処理ＴｉＷとすることができる、例えばドープアルミナ又はＳｉＣ−ＢＮで形成することができる、例えば外面を有することができる電極２６、例えばアノード３０が示されている。
例えばマイクロリソグラフィで使用されるＥＵＶのための放電生成プラズマ焦点光源２０でも、電極２６に関して、特に冷却及び作製要件に関して他の要件が伴うものである。図２に概略的に示すカソード２８とアノード３０から成る同軸電極の組は、例えばパルス操作中に平均熱流束（＞１ｋＷ／ｃｍ²）及び極高一過性熱流束（＞１ＭＷ／ｃｍ²）に露出することができる。これには、最良の利用可能な冷却手法と共に、例えば耐火金属及び例えば上述のように特化合金の使用が必要になる可能性がある。また、熱膨張率の変動がある異種材料間では、真空及び構造上の完全性が高い継手が必要になる可能性がある。

図９から図１６を参照すると、電極アセンブリ１６０を含む本発明の実施形態が示されている。電極アセンブリ１６０は、例えばカソード（外側電極）アセンブリ１６２及びアノードアセンブリ２２０を含むことができる。円筒形アノード３０（内側電極）を様々な外径を有するいくつかの幾何学的な実施形態で本出願人は試験した。最小の冷却要素を０．６２５インチの外径で試験し、別の要素を０．７２５インチの外径で試験した。外径最大１インチまで又はそれ以上の大きな電極が将来的に必要とされると考えられる。しかし、大きな電極の冷却は、熱流束が分布する区域が大きくなるためにそれほど困難ではない可能性がある。しかし、異種材料間の継手は、例えば作製及び操作中には、温度による寸法の変化が相対的に大きくなるために電極の外径が大きいほど困難なものになる。逆に、電極は、直径が小さいほど作製しやすくなるが、操作中は冷却し難くなる。また、設計は、プラズマ源、例えば電極の中心を通って、例えばキセノンであると現在考えられるガスを供給する必要性が存在することにより、一般的に複雑なものになる可能性がある。この供給はまた、固相又は液相の金属であると考えられる。供給されるプラズマ源と共に電極２６は、消耗品であると考えることができ、従って、費用重視でもある。

一般的に、本発明の実施形態で考えられる形式の電極を組み込む際には、ろう付けと溶融の混合による溶接技術を用いることができる。継手の形式及び作製順序は、例えば特定の設計で判断することができる。可能であれば、容易に溶接可能なステンレス鋼、例えば３０４Ｌ又は３１６Ｌを使用して、電極アセンブリ１６０を作製することができる。これによって、例えば製造経費を抑え、機械加工及び組み付けを簡素化し、完成部品の収率を向上させることができる。表面温度遷移が大きいために、適切な電極２６は、例えばタングステン、及びＷ−Ｃｕ、Ｗ−Ｌａ、Ｗ−Ｔｈ、及びＷ−Ｒｅを含むその擬似合金などの耐火金属で作製することができる。しかし、これによって、〜４．５ｐｐｍ／℃という熱膨張率（ＣＴＥ）が低い脆い耐火金属を例えば〜１６．６ｐｐｍ／℃という相対的に高いＣＴＥを有する鋼と接合するという問題が生じる可能性がある。このような継手は、例えば高い真空度に適合して同時に例えば１０００ｐｓｉｇを超える高い内部冷却液圧力に耐えることができるべきであると考えられる。設計は、タングステン内に深い環状冷却チャンネルを機械加工する必要性が存在することによって更に複雑なものになる可能性があり、タングステンは、通常、いわゆる「機械加工可能な」形式の擬似合金の場合でさえも、曲げたり又はフライス加工することはできず、例えば放電加工（ＥＤＭ）及び研削法によって作り上げなければならない。例えば制約条件が厳しい冷却容積に関する要件の追加で電極アセンブリ１６０の適切かつ均一な冷却を確実に行うためには、殆どの部品の高精度機械加工が必要とされる。

本発明の実施形態の一態様によれば、本出願人は、タングステンと鋼の継手は、例えば「ＮＩＯＲＯ（登録商標）」（８２％Ａｕと１８％Ｎｉ）などの金及びニッケル合金を、例えば真空炉において〜１０００℃の温度で、例えば１０Ｔｏｒｒから６Ｔｏｒｒの範囲の圧力で使用することによってろう付けすべきであると現在考えている。金は、例えば、結果的に継手内での残留応力の低減が得られるタングステンを十分に湿潤化することができる点及び延性が高いという点から選択された。本発明の実施形態の一態様による継手の特定の設計は、鋼がタングステンに対して環状の取付スロットをもたらすようなものであるとすることができる。炉内での加熱中に鋼の方が急激に膨張するので、その内径から弾力的にタングステンに歪みが発生する可能性がある。これには、例えば冷却時のタングステン内の残留応力の低減及び鋼製基部で正確に行われるタングステンのセンタリングという二重の利点があるであろう。残留応力の低減は、タングステン割れを回避する上で極めて重要なものである。

本発明の態様による別の考えられる手法は、銅バックキャストを利用することである。本出願人は、例えば耐火金属電極ブランク回りに溶融酸素なしの銅を注入することを含む方法を考慮している。その後、完成部品を得られるアセンブリから機械加工することができる。酸素なしの銅は、１７ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有するが、軟質で延性があり降伏応力は、僅か１０ｋｓｉ（３０４Ｌなどのオーステナイトステンレス鋼の〜２５％）であるので、継手のところで局所的に得ることができ、タングステンに対する圧縮応力を大幅に低減することができる。その後、残留応力を更に低減する希望がある場合は、焼き鈍しすることができる。このような工程の特定の利点は、継手の優れた真空及び構造上の特性である。このような方法によって生成されたこのような継手は、例えば他の場合ではろう付けアセンブリに関して問題になりかねない漏れが発生する可能性が低くなると考えられる。

この手法の大きな欠点は、例えば銅に強度がない点である。銅は、本発明の実施形態の一態様によれば本発明に本質的であると考えることができる、例えばネジ付き細部、又は金属シールによって掛かる高い局所的な耐力に十分に対処するものではない。しかし、このような問題は、例えば入念な設計によって回避することができ、本出願人は、本発明の実施形態の一態様に従ってＤＰＰのＥＵＶ電極を作製する手法の使用において限定的なものではないと考えている。米国の子会社「Ｓｃｈｗａｒｔｚｋｏｆｔ」を含む「Ｐｌａｎｓｅｅ」は、とりわけ、上述の方法に従って商業的に作製した継手の販売元である。

鋼にろう付けされる〜０．７５インチよりも大きいタングステン製電極は、継手接続部での残留応力による割れ発生の危険性が高い可能性がある。これを回避する手法では、例えば継手内に遷移インサートを使用することができる。遷移インサートの材料選択において、例えば、ＣＴＥはタングステンのＣＴＥに近いが、より高い応力をより良好に処理するために良好な延性を有する材料が必要である可能性があり、この良好な延性は、最終的には鋼との境界部でもたらすことができる。良好な機械加工性も有用な特性である。本発明の実施形態の一態様によれば、本出願人は、所要の判断基準を満足することができ、類似の手法でろう付けに良好に役立つことから、５．３５ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有するモリブデンの使用を考慮している。これは、考慮中の直径の大きなタングステン製電極に特に有用であり、この点により、例えば工業設計においてこの概念を利用することが示唆されている。

本発明の実施形態の一態様によれば、電極アセンブリ１６０は、外側電極アセンブリ１６２を含むことができ、外側電極アセンブリ１６２は、電極アセンブリ１６０を取付ネジ１６８でＳＳＰＰＭ１３９に取り付けるための電極アセンブリ取付フランジ１６６に接続した電極アセンブリ側壁１６４を有することができる。ほぼ円筒形側壁１６４は、カソード基部の挿入のための中央開口部及び複数の冷却チャンネル１７２及び１７４と２１４及び２１６を機械加工することができる円形冷却板１７０に接続するか、又は円形冷却板１７０と一体化することができる。

外側電極（カソード）基部２１０には、複数の冷却チャンネル１８４を機械加工することができ、入口チューブ１８２開口部及び出口チューブ１０８開口部は、カソード２８を冷却するための各々が入口チューブ１８２及び出口チューブ１０８を有する４つのチャンネル１８４を形成する。冷却液は、冷却液入口１７３から入口空間１７２に入ることができ、入口空間１７２は、一対の対向する入口空間１７６及び１７８（図１２ｃ及び図１４に図示）に接続される。４つの長いチューブ１８０のうちの２つの各々は、入口空間１７６又は１７８に接続される。４つの短い出口チューブ１８２のうちの２つの各々は、それぞれのチャンネル１８４と出口空間２１４又は２１６とに接続され、出口空間２１４又は２１６の各々は、冷却液出口１７５に接続される。
また、カソード基部２１０は、カソード内壁１６３を形成する中央開口部２１８を含むように機械加工することができる。

外側電極（カソード）アセンブリ１６２及び内側電極（アノード）アセンブリ２２０を含む電極アセンブリ１６０の材料は、アノード３０を除いて、例えばステンレス鋼形式３０４Ｌとすることができ、アノード３０は、焼結タングステン又は上述の材料で作ることができる。臨界寸法は、区画２５６と内壁２５０及び２５４が電極３０の上部で合流する点との間の分離とすることができ、適切な冷却ができるように、区画２５６と電極壁２５０及び２５４との間のこの点を通過する必要がある望ましい量の冷却液流量に基づいて選択すべきである。

本発明の実施形態の一態様によれば、簡単な開放チャンネルによる冷却用配置を利用してアノード３０を冷却することができ、例えば、その場合に冷却液は、内側電極３０の中空内部２５２を有する、内側電極３０によって形成された内側電極（アノード）３０の一方の内壁２５０を上り、その後、内側電極（アノード）３０の他方の内壁２５４を下り、これは、中空内部２５２内の内壁２５０及び２５４間のヒートパイプ区画２５６の設置によって助けることができる。熱伝達は、電極内壁２５０及び２５４間の境界での対流及び内壁２５０及び２５４と区画２５６との間を通過する冷却液によって達成することができる。本出願人は、例えば冷却液が内部内壁２５４を上り外部内壁２５０を下る状態で本出願において最良の熱の結果を達成することができると判断している。

別の考慮事項は、例えば肉薄有壁（０．０１０インチ）区画２５６であり、本発明の実施形態の一態様によれば、区画２５６は、区画２５６と内部内壁２５４の間の通路に至る内側電極（アノード）３０冷却システムの入口３６０を、区画２５６と外部内壁２５０の間の通路を出る内側電極３０の冷却のための熱交換器の排出チャンネル２７０から分離することができる。この区画２５６は、本発明の実施形態の一態様によれば、上述の流路の結果とすることができる例えば座屈を回避するために、圧縮ではなく冷却液圧力により、例えば張力をより良く掛けることができる。また、このような方法は、設計で区画２５６の材料、例えば３０４Ｌの完全な降伏強度を利用することを可能にすることができる。本出願人は、最大３７ｌｐｍまでの流量及び８００ｐｓｉｇを超える入力圧力でこのように冷却される試作電極３０を試験した。本出願人は、このような設計は、１０００ｐｓｉｇを優に超える入口水圧、かつ３ｋＨｚを超えるソースプラズマ放出繰返し率を考慮する熱負荷に耐えることができる可能性があると考えている。

しかし、例えば環状チャンネルでは、高い熱伝達係数が必要されると考えられる。本発明の実施形態の一態様によれば、例えば冷却液に露出された限定された区域は、例えば非常に効率的な熱伝達及び従って単一の熱伝達係数が必要である可能性がある。また、本発明の態様によれば、例えば内壁２５０及び２５４での高い方の温度では、例えば冷却液の沸騰、特に核沸騰とは対照的にシート又はバルク沸騰を抑制するために例えば高い圧力で高い流量の冷却液を供給する必要性がある可能性があり、核沸騰は、実際には内壁２５０及び２５４から冷却液への熱伝達を向上させることができる。

本発明の実施形態の別の態様によれば、本出願人は、電極３０の中空内部内での多孔金属熱交換器の使用を考慮している。このような実施形態（図示せず）においては、例えば多孔金属媒体は、例えばろう付けにより、例えば特に電極３０のピンチ開口部を含む先端部３４の領域において、例えば電極３０の内壁２５０及び２５４に結合することができる。これによって、例えば冷却を目的としたアノード３０上の大型延長フィンに相当するものをもたらすことができる。内壁２５０及び２５４からこの延長多孔表面区域への伝導性熱伝達は、例えば環状チャンネルの単純な壁を超えて冷却液内に至る伝導性熱伝達よりも効率的なものとなり得る。従って、延長多孔表面領域では、例えば熱を冷却液内に排出する区域の方が遥かに大きいものである可能性がある。その結果、例えば、冷却液の量が少なくても熱伝達の向上があり得ることになる。また、このような構造体は、電極３０の中空部分２５２全体を通じて、区画２５６及び内壁２５０及び２５４に取って代わることができる。多孔金属熱交換器に関する考えられる欠点は、例えば多孔媒体に亘って固有の圧力降下が高い可能性があることである。高いソース繰返し率では、これには、例えば高い入口圧力が必要であり、結果的にろう継手及び冷却液のポンピングにのみ関連した流れ区画に大きな機械的応力が発生する可能性があり、この点に対処する必要があると考えられる。別の潜在的な欠点は、例えば冷却液内へのより有効な熱伝達のための電極３０の壁に沿った温度降下とすることができ、この温度降下により、電極３０シェル壁に亘る温度降下が増幅され、これによって高い応力負荷が生じる可能性がある。

応力レベルが高くなるほど、電極のタングステン製シェル壁に構造的な欠陥が発生する可能性がある。別の設計上の判断基準は、例えばバーストモードでの電極３０の作動による電極３０シェル壁での交互応力である可能性があり、この交互応力は、静的応力負荷と異なる結果をもたらす可能性がある。これによって、例えば電極３０の材料には、引張強度がありかつ靭性があるべきであるという要件がもたらされる。また、電極３０に入る熱流束の分布は、繰返し率、ピンチ温度、負荷サイクルなどを含む、例えば異なる運転モードにおける例えば電極寿命を判断する際に考慮すべきである。しかし、本出願人は、例えば「Ｔｈｅｒｍａｃｏｒｅ」から得られた例えば多孔タングステン製電極を不具合なしに負極構成で２ｋＨｚの繰返しまで試験した。本発明の実施形態の一態様による別の可能性は、例えば、例えば「Ｐｏｒｖａｉｒ」から販売されている多孔性銅発泡材を用いて作られた例えば多孔性銅冷却電極３０の使用であり、この多孔性銅発砲材は、本発明の実施形態による用途に向けて、例えば放電加工（ＥＤＭ）によって有用な幾何学形状に機械加工することができる。本発明の実施形態の一態様による別の可能性は、例えば電気メッキ法又はイオン溶融法を用いて、ろう付けのために均一に堆積した銀を選択された最適化したろう付け厚みに使用することである。このような手法により、例えば内側電極（アノード）３０に関して上述したように多孔金属冷却の最大の可能性を達成することができる。

本発明の実施形態の一態様によれば、高い熱流束による冷却は、例えば微小チャンネルを用いることによって達成することができる。本実施形態によれば、例えば冷却液は、一連の小さな通路、つまり微小チャンネルを通じて高い入口圧力でポンピングすることができる。一般的に、これらの通路は、例えば環状又は矩形であり、０．０２０インチ以下の全体寸法を有することができる。このような構成におけるチャンネル表面積と冷却液容積との比率は好ましいものとすることができ、この手法は、レーザダイオード及び他の高熱流束電子装置及びパワー半導体を冷却するために現在使用されるものと類似のものであり、本発明の電極３０を冷却する際に利用することができる。本出願人は、試作微小チャンネル冷却式電極３０を２ｋＨｚの繰返し率まで既に試験しており、この冷却手法で遥かに高い繰返し率が達成可能であると考えている。この技術では、入口から出口にかけて相対的に高い圧力降下は発生しないが、その結果、ソース作動中、例えば相対的に剛性がある微小チャンネルインサートを上述のようにタングステン製シェルアノード３０の中空部分２５２の内側にろう付け中にアセンブリに応力が発生する可能性があり、つまり、更に別の制約が生じてアノードアセンブリ２２０内に応力が生じる可能性があり、これらについて設計全体において対処すべきであることになる。

例えば図１０から図１５に示すように、外側電極（カソード）２８は、例えば形状をほぼ環状とすることができるカソードアセンブリ１６２を含むことができる。カソード２８自体は、カソードアセンブリ１６２内で例えば基部で１９インチから上縁部で０．４６まで変動する例えば間隙を有する例えば内側電極３０に面する１５°の円錐内面１６３の形を有することができる。上縁部は、カソード蓋２１２で覆うことができる。外側電極（カソード）２８は、例えば内側電極（アノード）３０よりもずっと大きなものとすることができ、従って冷却し難さが低減される。本発明の実施形態によれば、外側電極（カソード）２８の侵食はまた、内側電極（アノード）３０の場合よりも問題とはならない可能性があり、従って、材料選択ひいては作製も若干単純なものとなり得る。従って、この外側電極（カソード）２８は、消耗品ではないと考えることができる。

本発明の実施形態の一態様によれば、外側電極（カソード）２８は、例えば「ＯＭＧＭｅｔａｌｓＩｎｃ．」から販売されている同社独自の酸化物分散強化銅である「Ｇｌｉｄｃｏｐ（登録商標）ＡＬ−１５」から例えば作製することができる。本発明の態様によれば、この材料は、例えばその高い熱伝導率及び導電率が得られるように選択したものであり、また、例えば良好な機械的強度及び妥当な機械加工性と組み合わされたものである。このような「Ｇｌｉｄｃｏｐ（登録商標）」外側電極２８は、例えば３０４Ｌステンレス鋼製基部２１０に例えばろう付けすることができる。

基部２１０は、例えば外側電極２８を図７に示すＤＰＰパルス電力装置１３９の各部に接続することができる。本出願人は、例えば任意のニッケルベース合金、例えば「ＭｏｒｇａｎＣｒｕｃｉｂｌｅＣｏｍｐａｎｙｐｌｃ」から販売されている「Ｎｉｂｓｉ（登録商標）」（ニッケル／硼素／珪素）、及びごく最近では「ＭｏｒｇａｎＣｒｕｃｉｂｌｅＣｏｍｐａｎｙｐｌｃ」から販売されている「ＮＩＯＲＯ（登録商標）」ろう付け材料を使用して外側電極２８を基部２１０にろう付けしたが、「ＮＩＯＲＯ（登録商標）」ろう付け材料はまた、上述のように内側電極に関して類似のろう付け準備工程及び炉内工程を用いて、上述のように内側電極３０内でのろう付けにも使用した。

上述のように、外側電極２８を冷却するという作業は、外側電極２８の方が大きくかつ熱伝導率が高い材料を使用するために、内側電極３０よりも簡素化される。相対的に大きな開放冷却チャンネル水廊１８４は、例えば「Ｇｌｉｄｃｏｐ（登録商標）」外側電極２８本体２１０に機械加工することができ、この外側電極２８本体２１０は、例えば本体２１０の開口部にろう付けされ、かつ入口マニホールド２１４及び排出マニホールド２１６に接続した例えば短いチューブ１８２で形成された例えば３１６Ｌ配管を通じて供給及び排出することができる。本発明の実施形態によれば、このような水廊１８４のうち、例えば４つ又はそれ以上を設置して、全ての場所で均一な冷却液流量、従ってより均一な冷却を保証することができる。入口及び排出配管システム、例えば入口空間２１４及び出口空間２１６（図１４により詳細に図示）は、例えば各水廊１８４について類似の流れ抵抗、従って各水廊を通る類似の量の冷却液流量を有するように配置することができる。本発明の態様によれば、本出願人は、冷却液流量が高くかつ上述のように沸騰を防止するのに十分な逆圧を有する回廊チャンネル１８４は、例えば外側電極２８を冷却するのに十分なものとなり得ると予想している。しかし、必要であれば、例えば上述の多孔媒体又は微小チャンネルによる冷却を使用することもできる。

本発明の実施形態の一態様によれば、例えば３０４Ｌカソードアセンブリ１６２の上面に機械加工された一体化冷却板１７０を含めることができる。この冷却板１７０（図１６により詳細に図示）の流路は、電極２８に向けて例えば実際の入口マニホールド２１４及び排出マニホールド２１６を含むことができる。これは、例えばパルス電力出力スイッチＬＳ３（図示せず）を冷却するために行うことができ、このスイッチは、電極アセンブリ１６０の下に、並びに例えば各冷却水廊１８２への流れを均等化するために設置することができる。チャンネル、例えば２１４及び２１６は、例えばカソードアセンブリ１６２の上部にフライス加工することができ、また、例えば融接板で例えば密封することができる。

外側電極２８は、冷却水廊１８４を形成する冷却チャンネルの壁で形成することができ、かつ、冷却水廊１８４の上部と、冷却水廊１８４を密封する役目を果たすカソード基部２１０カソード蓋２１２とにろう付けすることができる。
カソードアセンブリ１６３は、ネジ２３１によってアノードアセンブリ２２０に接合することができ、また、例えば重なり中央絶縁体２２２によって互いに対して絶縁することができ、この絶縁体２２２は、例えば窒化硼素又はアルミナで作ることができ、また、内側電極３０の外壁に沿って、例えばエラストマーなし電極絶縁体２２４によって軸線方向に延びることができ、エラストマーなし電極絶縁体２２４は、例えば熱分解窒化硼素又はアルミナで作ることができ、絶縁体保持クリップ２４２及びその締め付けネジ２４４によって所定の位置に保持することができる。絶縁体２２４、カソード基部２１０、及びアノードアセンブリ２２０間でそれぞれの対向する溝に挿入された、絶縁体２２４とカソード基部２１０の間に１つ及び絶縁体とアノードアセンブリ２２０の間に１つという一対のエラストマーなし金属Ｃ密封リング２３０により密封を行うことができる。

本発明の実施形態の別の態様によれば、デブリ軽減は、作動的長寿命ＤＰＰ／ＥＵＶ光源に関して重要な考慮事項であると考えられる。本発明の実施形態の一態様によれば、放電生成プラズマＥＵＶ光源の中心電極２８は、例えば先に記したように高温の好ましくは耐火性の材料で作製することができ、また、例えば強い透磁性を有することができる。本発明の実施形態の本態様によれば、例えばプラズマ照射、表面溶融又は溶発、表面沸騰などの結果、電極３０から侵食されたデブリは、例えば同様に実質的に磁気を有する可能性がある。本発明の態様によれば、本出願人は、例えばプラズマの位置と例えば集光器光学要素との間の光路において、例えば、少なくとも約５０ｍＴｅｓｌａ（ｍＴ）かつ例えば５０ｍＴから１Ｔの範囲の適切な長さの磁場の生成を考慮している。このようにすると、例えばデブリを偏向させ、その後に例えば光路の周辺部に例えば適切に配置された固定磁場（図示せず）により、例えば半永久的に回収することができる。本発明の本実施形態の態様によれば、この回収磁場は、例えば電磁石によって生成することができ、その場合、デブリは、例えば再生サイクル中に一掃することができ、例えば再生サイクル中に電磁石の通電は断つことができる。適切に冷却される高温耐火磁気金属は、例えばコバルトとすることができる。

本発明の実施形態の別の態様によれば、本出願人は、一般的に、例えば放電の磁気圧縮段階中に電流を最高にすることにより、例えば有効成分（プラズマ源）を圧縮する際に例えば電流を最適に利用するために、電極３０及び２８に対する電流パルスの形成の利用を考慮している。本実施形態の態様によれば、ＳＳＰＰＭは、ＤＰＰ／ＳＳＰＰＭの最終段階において、例えば更に別の可飽和誘導子を含むことができる。考えられる最適波形は、例えば軸線方向消滅段階中に中庸な電流で始まり、その後半径方向圧縮段階中に最高にすることができる。

本出願人は、図２の概略図に多少近い電極幾何学形状を用いてこの放電のシミュレーションを既に行っており、更に、このシミュレーションを例えばＸｅではなくＨｅで行っている。しかし、このシミュレーションでは、本発明の実施形態の態様の作動の力学を理解するためのシミュレーションの十分な詳細が得られている。このシミュレーションにおいて、例えば放電のシミュレーションは、６ｎＨという最終段階での圧縮ヘッド可飽和誘導子向けのインダクタンスを有する本出願人の雇用主のガス放電レーザ製品で現在利用可能なＳＳＰＰＭを用いて行ったが、６ｎＨは、利用可能な材料及び幾何学形状でほぼ現在達成することができるほど低いものであり、かつ、電極に亘って可能な限り最速の放電、すなわち、放電パルスの最速立ち上がり時間が得られるものである。このシミュレーションを図１８Ａに示すが、時間縮尺は、例示用に細長いものとなっている。図１８ａで分るように、まず１２ｎＨインダクタンス使用に関する類似のシミュレーションにおいては、相対的に急速に全体で６ｎＨインダクタンスになる更に別の可飽和誘導子のオンで放電は始めは約２０ｋＡｍｐになり、緩やかに約４０ＫＡまで上昇した後、インダクタンスが例えば６ｎＨになる時点まで数Ｋａｍｐ戻し、この時点になると、約８５Ｋａｍｐまでの急激なスパイクが発生し、続いて、シミュレーションによれば、約２０ｎｓで０まで降下する。電極に亘るピークコンデンサによる放電の軸線方向消滅段階中、すなわち、図１８ａのシミュレーションでは約５０ｎｓから約２４０ｎｓまで、放電は、外側電極２８の内面と内側電極３０の外面の間にほぼ水平に配置され、段々に内側電極３０に沿って若干上向きに角度を成して、時間と共に内側電極３０の先端３４での凹部の最下部の延長部にほぼ隣接して内側電極３０の領域に到達する。従って、例えば８２で、例えば放電を開始して電極２６先端に向けて例えば８０で放電を移動するように作用すると、移動中の放電を持続させるために必要な電流が少なくて済む。図１８ａのシミュレーションにおいて、例えば２４０ｎｓと２６０ｎｓの間の半径方向圧縮段階中に、プラズマが電極２６の先端３４で形成されると、放電は、電極２６への電流の流れが急激に大きくなり、これによって、運動エネルギ量のかなりの増加分が例えばプラズマを抑制する急激に増大中の磁場を通じて例えば急激にプラズマに伝達され、その結果、例えばより良好なピンチ３２が得られる。これは、図１８Ｂに示す更に別のシミュレーションで表されている。このより良好なピンチは、例えばピンチ内の活性原料ガスイオンを長めに保ち、例えばより大きいエネルギ伝達量をイオンに導き、その結果、例えばより大きいＸ線発生量がピンチ３２から得られるなどのいくつかの有用な特性を有する。

供給された電流のこの形状は、圧縮の付帯的な増加により、例えば半径方向消滅において、ピンチ形成中に例えば３倍から５倍もの電流を可能にすることができ、一方、全体的として、電極は、同量のエネルギをＳＳＰＰＭ内のピークコンデンサから分散させ、その結果、パルス全体において図１８ａのシミュレーションで示す従来の放電と全く異ならない熱エネルギ割当量が電極３０及び２８内に維持される。従来の可飽和誘導子は、図１８ａのシミュレーションで示すように、例えば現在の従来的可飽和インダクタンスの２倍、例えば１２ｎＨを有するＳＳＰＰＭ１３９圧縮ヘッド回路に例えば含めて、通常通り飽和させることができる。その後、並列のインダクタンスの方を小さくするために、例えば従来の可飽和誘導子と並列な更に別の可飽和誘導子を、例えば図１８ａのシミュレーションで示すように、例えば放電のちょうど終わりに放電電流を急激に大きくし、例えば図１８Ａのシミュレーションに示すように飽和するようにバイアスを掛けることができる。シミュレーションソフトウエアを利用したプラズマ流体の本出願人のシミュレーションにより、提案されたドライバ構成の利点は確認されている。

本発明の実施形態の別の態様によれば、原料ガス、例えばキセノンは、特定のλ、例えば１３．５ｎｍでのＥＵＶ光の生成のための使用に望ましいものとすることができるが、また、ＥＵＶ光を十分に高い程度まで吸収して全体的な光生成出力を妨げる可能性がある。従って、本出願人は、望ましいλで生成された光を吸収する能力が劣る緩衝ガス、例えばアルゴン及びヘリウムの使用を例えばＥＵＶ光生成容器から原料がス及び緩衝ガスを区別して除去するために考慮している。本発明の実施形態によれば、例えば、アルゴン及びヘリウムに対してポンピング能力を低減しながら、特に原料ガス、例えばキセノンの高い方の分子重量に対してターボポンプ（図示せず）を形成することができる。これは、例えばポンプ作動特性、例えば内部間隙、ブレード角度、及び速度を変え、また、例えばポンプの「Ｈｏｌｗｅｃｋ（分子抵抗）」ステージを排除することによって達成することができる。従って、ターボ分子ポンプの設計は、例えば分子速度に基づいて、分子量が遥かに低い方のガス、例えばヘリウムに対して、原子量（又は、適切な場合は分子量）が高い方のガス、例えばキセノンの優先的ポンピングを示すように設定することができる。

ここで図１５を参照すると、本発明の実施形態によるデブリ遮蔽体３００が示されている。このようなデブリ遮蔽体３００は、デブリ遮蔽体３００の作製の簡素化を可能にすると同時に、尚も光源からのデブリが集光器ミラーに到達するのを防止するという機能的解決策を達成する。本発明の本実施形態によれば、例えばデブリ遮蔽体３００を作製するために作製簡素化手法を使用し、同時にいくつかの他の提案された作成技術、例えば円筒形構造体作製よりもコスト効率が高いものとすることができる。また、この製作構造体及び技術は、このような作製簡素化によるデブリ遮蔽体３００を作ることができる可能な材料のアレイを広げるものである。

本発明の本実施形態によるデブリ遮蔽体３００の設計は、円筒形構造体におけるものと同様に、例えば光子がプラズマ源３２から発せられて集光器に伝達されることを可能にするように配置することができる、これは、例えば同一平面状の層３０２で形成することができる。デブリは、集光器４０のミラーに到達するためにこれらの層３０２を通って移動すべきである。必要とされる層３０２の数は、一番外側の層３０２、すなわちプラズマピンチ３２から一番外側の外面３０６によって形成されたデブリ遮蔽体３００の外層をどのくらいの量のデブリが実際に出ることができるかをモニタすれば判断される。

図１５で分るように、各層３０２は、それぞれの層３０２の外面３０６とそれぞれの層３０２の内面３０８との間に延びる複数の光路３０４から成る。各層３０２のそれぞれの外側曲面３０６は、例えばプラズマの中心に焦点回りに例えば第１の曲率半径を有する例えばアーク３１６を有することができ、この焦点は、電極３０に対して固定点とすることができ、プラズマは、毎回の放電について本質的に実際のプラズマの位置、例えばその重心から例えばパルス間で動的に決められた地点に位置するように制御される。このアーク３１６は、焦点に中央が位置する円のアークとすることができる。それぞれの内面３０８の各々は、曲率半径が小さくなる点を除き、層３０２の厚みにより、同じ焦点に中心が配置された同じか又は類似の同心アークを有することができる。これらの表面は、例えば、２つの回転軸回りの曲率が構造体を通じて、すなわち、層の外面から層の内面まで、更にピンチ３２に向けて配置された次の層の外面まで同じままに留まることができるという意味において同一平面上にある。

それぞれの層３０２の外面３０６の各々は、例えば第１の焦点上に中心が配置された楕円を形成する例えばアーク３１８を有することができ、この楕円は、アーク３１６によって形成された円、つまり円の中心がアーク３１６を形成する同心円の中心と一致することができる。これは、集光器４０に対して利用される集光器ミラーの形状によって判断することができる。
光路３０４の各々は、それぞれの層３０２の各々において外面３０６と内面３０８の間で形状が均一であるか、又はアーク３１６及び３１８を含む形状の中心の一方又は両方に向けてテーパを付けることができる。
これらの層は、例えば金属、例えばチタン又はタングステン、セラミック又は耐火金属、例えばＳｉＯ₂、アルミナＡｌＯ₂、又はチタニアＴｉＯ₂、又は他のセラミックと金属の組合せで形成することができる。

本発明の本実施形態の別の態様によれば、図１５に示すように、各層３０２間に間隙があるとすることができる。それぞれの層３０２は、例えばコネクタポスト３２０により、例えば互いに取り付けることができ、コネクタポスト３２０は、図１５に示すように、それぞれの層又は周期的に離間したコネクタポスト３２０間の接続空間を通じて光路３０４の四隅の各々に対応することができる。また、図１５に示すように、層３０２は、例えばいずれかを図１５に示す大きさの全体を有する区域か、又は図１５に示す区域３３０のような副区域に分割することができる。このようにすると、プラズマピンチ焦点３２の回りに又は実質的にその回りに収まるように、例えば回転体全体を作製することができる。

潜在的に、デブリは、提案された設計の穴の中に溜まるのではなく、遮蔽体３００の底部に落ちる可能性がある。デブリ除去は、例えば交換の間隔を長くすることができる、例えば更に別の特徴とすることができる。
デブリ遮蔽体３００は、例えばアーク３１６又は３１８の一方に沿って対向する側壁のみで形成された開口部３０４を付して形成することができ、アークは、各層３０２内か、又はこのような開口部がある場合には、隣接する層３０２の間の開口部内にあることも理解されるであろう。すなわち、光路３０４は、４つの壁３１２を有する必要はなく、依然として十分なデブリ捕捉を行いかつ構造的に確実なものとすることができるが、円の一部である１つのアーク２＝３１６及び３１８、及び例えば楕円の一部である他方のアークを有するデブリ遮蔽体３００の作製を容易にし、及び／又はデブリ遮蔽体３００を容易にするものである。

ここで図１６を参照すると、デブリ遮蔽体４００の作製及び構造に関する本発明の別の実施形態が示されている。図１６は、例えば光伝達路が焦点に集光されるＤＰＰ又は他のＥＵＶデブリ遮蔽体の製造又は共通の焦点を有するテーパ付アレイ構造体に向けた他の用途に有用な「焦点外れレーザ機械加工」技術の例を示すものである。
このようなデブリ遮蔽体４００では、例えば共通の焦点に向うテーパ付経路が必要である可能性がある。レーザ機械加工は、例えば集光されないレーザビームを利用して十分に高いレーザ強度で実行することができる。従って、本出願人が発見したところでは、デブリ遮蔽体及びその光路の適正な形状は、例えばグリッド状のマスク４０６の背後にある集光レンズ４０４を用いることによって作ることができる。図１８の構成においては、例えば焦点外れでレーザ機械加工を行うための十分に高いレーザ電力及び適切に短いレーザ波長は、例えば本出願人の譲受人製ＸＬＡ二重チャンバＭＯＰＡ構成レーザを利用するともたらすことができる。一般的な設定は、図６に示されており、例えば平行レーザビーム４１０（必ずしも完全に平行である必要はない）を含めることができ、平行レーザビーム４１０は、図１８に示すように、例えば右から入射するとすることができる。レーザビーム４１０は、例えば最初にマスク４０６上に入射することができ、マスク４０６は、例えば正方形又は円形経路４１２を作るためにグリッド又はメッシュとすることができる。マスクは、例えばＷ又はＭｏで作ることができるが、反射率を高めかつレーザビーム４１０によるマスク４０６の劣化を回避するために、レーザビーム４１０に面する側で例えば反射コーティング、例えばアルミニウムの例えば薄膜でコーティングすることができる。また、マスク４０６は、レーザ増幅器／発振器内への後方反射を回避するために、例えばごく僅か傾けることができる。また、メッシュ（図示せず）が円形横断面を有するワイヤで作られた場合、この後方反射の問題を小さくすることができる。レンズ４０４、より一般的に集束光学構成部品は、例えば所要のテーパを既に有する収束ビームレット４１４のアレイを生成することができる。

焦点４０２に中心を有するように作製及び位置決めされた被加工物４２０は、例えば球形固体の一部分とすることができるが、レンズ４０４とレーザ焦点４０２との間で正しい距離に設置することができる。たとえレーザビーム４１０が例えばすぐにデブリ遮蔽体４００全体を機械加工するのに十分な強度を有していないとしても、例えばマスク４０６に亘って例えば走査された集束したレーザビームは、望ましい効果を有することができる。構成全体、すなわち、マスク４０６、レンズ４０４、及び被加工物４２０は、例えば縦方向、つまりレーザビーム４１０の前では図１６に示すように垂直方向に移動させることができ、その後、経路を例えば連続的に機械加工することができる。被加工物の表面全体の走査は、例えば一部仕上げ穿孔によって被加工物の一部分に導入される更に別の応力がないように、例えば経路４１２の穿孔よりも速く制御することができる。走査を再現可能なものとするために、例えば構成全体４０４、４０６、及び４２０の横方向の動きを駆動することができる圧電アクチュエータによりレーザビームに対して走査をモニタ及び／又は制御することができる。代替的に、例えばレーザビームの入射方向及びレーザ焦点位置を維持することができるアクチュエータ制御式偏向光学構成部品（図示せず）により、レンズ４０４の全体に亘ってレーザビームを走査することができる。レーザビーム４１０強度は、焦点外れであってさえも、被加工物を除去するが同時にレンズ４０４や反射マスク４０６を損傷しないように十分に高いものとなるように制御することができる。従って、殆どの場合、例えばレーザビーム４１０の短い（紫外線）波長が最適なものとなる。本出願人は、例えばマスク４０６からのレーザによってスパッタリングされた材料がレンズに入り、レンズを損傷するのを回避するために、例えば図１６に示すように、マスク４０６をレンズ４０４の前に置く方がよいと考えている。スパッタリングされた材料は、レーザビームが入射する方向に向けて放出されることが最も多い。例えば、被加工物４２０でのレーザ強度を増大させるための別の任意選択肢は、例えば７４５ｎｍ又は７７２ｎｍでＴｉ：サファイアレーザを用い、例えばそれぞれその後の周波数が３倍、４倍となり、次に例えばＫｒＦエキシマレーザガス放電増幅器又はＡｒＦエキシマレーザガス放電増幅器を使用してこのパルスを増幅し、例えばフェムト秒のレーザ機械加工を考慮することとすることができる。

本発明の実施形態の別の態様によれば、デブリ除去は、電気化学反応を用いて行うことができる。本出願人は、タングステンがチャンバ温度でフッ素Ｆ₂又はフッ素を含む分子、例えばＮＦ₃と直接に反応するとフッ化タングステンを形成することを利用することを考慮している。本発明の実施形態によれば、例えばタングステン電極３０からの過剰タングステン原子は、例えば光源出力をフッ素又は塩素などのハロゲンガスと結合させて例えば金属ハロゲン化物を形成することにより、光源出力から除去することができる。一例として、例えばＷＦ₆又はＷＣｌ₆などの分子を形成する反応性ハロゲンガスが存在する場合、不要なデブリ分子、例えばタングステン原子、タングステンイオン、及びタングステンクラスターの反応により、例えば揮発性ガスを形成することができる。固形表面（集光器光学構成部品のような）に対して高い付着確率を有する純粋なタングステン粒子とは極めて対照的に、これらの分子化合物は、固形表面に対する付着確率が非常に低く、従って、優先的に取り去られて容器から除去される。従って、例えばＥＵＶプラズマ源から発せられた出力光に挿入されたこの揮発性ガスは、例えば不要なタングステン原子とこの「洗浄」ハロゲンガスとの間で原子衝突の増加が発生する可能性がある環境をもたらすことができる。従って、これが原因となって、例えばタングステン原子は、このガスと結合してフッ化タングステン（ＷＦ₂）又は塩化タングステン（ＷＣｌ₆）などの化合物を形成し、かつ容器から除去される可能性がある。

本発明の実施形態の別の態様によれば、様々な異なる方法で電極の寿命を長くすることができ、及び／又は交換費用を少なくすることができる。内側電極３０は、電極外壁及びアノードアセンブリ２２０上にネジ付き接続部を含めることによってネジ留めされるようにすることができる。電極３０は、例えば外部手段、例えば容器２２の壁を通って延びる取付具によって連続的に電力が供給されるようにすることができ、この取付具は、電極が経時的に磨耗する時に電極が動くように、また、容器を圧力密封するための蛇行経路をもたらすためにネジ留めすることができる。電極３０は、そのようにネジ留めされたスリーブ上に取り付けることができる。電極３０は、例えばアレイ状に配置された複数の電極と交換され、放電パルスを共有するために発火され、又は例えば順番に並べられ、又はしばらく未発火のままにされ、その後、放電回路内に置くことができる。電極３０の形状は、長寿化を助けるように選択することができる。水冷の代わりに熱電気冷却を行うこともできる。

ここで図１７Ａから図１７Ｈを参照すると、本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体が示されている。図１７Ａは、本発明の実施形態の一態様によるデブリ遮蔽体４５０の斜視図を示すものである。デブリ遮蔽体４５０は、焦点にあるプラズマ源から広がり、かつ例えば約１ステラジアンから２ステラジアンを包含する光の球面の一部を例えば覆うように延びる集光開口を形成する開口部を有する取付リング４５２を含むことができる。開口部の中心には、スロット４５５を含み、かつ例えば焦点に向けてテーパ付の側壁を有するハブ４５４があるとすることができる。また、取付リング４５２は、スロット４５３（図１５Ｃに図示）を有することができる。

取付リング４５２又はハブ４５４のスロット４５５及び／又は４５３に、それぞれ、複数の肉薄の例えば約０．２５ｃｍ厚の長いフィン４５６を係合的に取り付けることができる。スロットは、取付リング４５２及びハブ４５４の一方又は他方においてのみ必要とすることができ、及び／又はスロットは、ハブの長さに延びる例えば図１７ａ及び図１７Ｄに示すものとは対照的に、複数の短いスロットとすることができ、例えば特にハブ４５４回りに位置決めされるように、例えば特定の長いフィン４５６に鍵留めすることができ、すなわち、各長いフィン４５６は、特定の長いフィン４５６かつその長いフィン４５６のみが係合することができるハブ４５４テーパ部分の外面の半径に沿って垂直方向に配置された特定の１つ又は複数のスロットを有することができることが理解されるであろう。同じことが取付リング４５２上のスロット４５３にも当て嵌めることができる。

長いフィン４５６の中間には、本発明の実施形態の一態様により、例えば、例えば２つの長いフィン４５６と、例えば隣接する２つの長いフィン４５６との間の中間フィン４５８と、各々が中間フィン４５８と隣接する長いフィン４５６との中間にある２つの短いフィンとで構成された例えば５つフィンのグループが形成される。
図１７Ｅにより詳細に示すように、長いフィン４５６は、中間フィンタブ受けスロット４５７と、短いフィンタブ受けスロット４５９とを有することができる。中間フィンは、図１７Ｆに示すように、例えば隣接する長いフィン４５６上のそれぞれの中間タブ受けスロット４５７と係合することができる長いタブ４６０を有することができる。また、例えば一対の短いフィン４７０を、例えば中間フィン４５８と隣接する長いフィン４５６との中間に取り付けることができる。各短いフィン４７０は、それぞれの隣接する長いフィン４５６のそれぞれの短いフィンタブ受けスロット４５９に例えば係合的に嵌合することができる例えば短いフィンタブを有することができる。また、中間フィン４５８及び短いフィン４７０の各々は、場合によっては、例えばそれぞれの中間フィン４５８又は長いフィン４５４に接触して静止することができる例えば分離／補強フィン、それぞれ４６０ａ及び４７２ａを有することができる。タブ４６０、４６０ａ、４７２、及び４７２ａは、ピンチ３２から発せられてデブリ遮蔽体４５０を通過する光の任意の有意な量を阻止しないように、例えばプラズマピンチ３２の中心部で例えばデブリ遮蔽体の焦点まで半径に沿って延びることができることが分るであろう。図１７Ｂの上面図で分るように、タブ４６０、４６０ａ、４７２、及び４７２ａは、それぞれの半径に沿って焦点まで延びていることが可視である。

デブリ遮蔽体４５０は、例えばスロット４５３が取付リング４５２上に存在するか否かに関係なく、それぞれのフィン４５４、４５６、及び４５７の取付リング対向面を取付リング４５２に保持するために、ネジ４８６及び４９０によって取付リング上でそれぞれ所定の位置に保持された取付リング上部固定リング４８４及び取付リング底部固定リング４８８を有することができる。同様に、ハブ４５４は、例えば固定板ナット４８２及び底部固定ナット４８３によって所定の位置に保持することができる上部固定板４８０を有することができる。

作動において薄い例えば０．２５ｃｍ厚フィン４５６、４５８、及び４７０は、フィン５６、４５８、及び４７０上に被覆するデブリを集める役目を果たすことができ、また、接続タブ４６０及び４７２と分離タブ４６０ａ及び４７７ａは、構造体のグループ内でフィン４５６、４５８、及び４７０を補強しかつ均一に分離させて、例えばデブリ遮蔽体４５０の熱への露出による反りを防止することができることが理解されるであろう。

本発明の実施形態の別の態様によれば、金属化合物を放電生成プラズマのための光源として使用ことができ、また、粉体の形態であるこのような金属化合物、例えば錫は、プラズマ形成のための光源をもたらす確実な方法とすることができることは公知である。しかし、適正な量のこのような材料を供給する確実な方法に関して、本出願人は、このような方法を発見した。本発明の実施形態の一態様により、本出願人は、例えば、一般的に、例えばできるだけ小さい、例えば直径が１μ程度の粒子の粉体の形で金属の粒子を供給することを提案する。粉体化合物、例えば錫をパルスプラズマ放電で使用されるガス原料に入れることにより、粉体をプラズマ形成サイトに供給することができる。原料、すなわち搬送ガスは、例えば担体としてのみの役目をする例えば良性ガス、例えばネオンとすることができ、又は、例えばプラズマ形成及び／又はプラズマ放電の破壊の開始を助けることができる活性ガス、例えばキセノンとすることができる。例えば錫を原料に例えば噴霧する方法は、例えばある一定量の粉体原料、例えば錫を通すか又はその上を通す方法を含むことができ、粉体原料は、例えばその金属の微粒子を生じるか又は原料ガス流内で空気伝達されるように十分に例えば圧電アクチュエータで例えば撹拌されるか又は例えば掻き混ぜることができ、その後に例えば中空アノードを通じてプラズマ形成サイトに向けることができる。

このようにすれば、精密に計られた量の粉体材料を原料ガス流、例えば単位時間あたりある一定の密度の中に挿入することができ、この量は、例えば撹拌量を変えることにより、例えば圧電アクチュエータに印加される電圧を変えることにより、必要に応じて調整することができることが理解されるであろう。また、撹拌粉体材料を通過する原料ガス流量を変えることによって制御を行うことができることも理解されるであろう。例えば、プラズマ内のデブリ形成を制限するように調整を達成することができる。調整はまた、例えば原料ガスの流量を周期的に中断することにより、例えば、例えば一切の挿入材料なしに例えばクロスフロー幾何学形状で純粋原料ガス流量を周期的に注入することにより、達成することができる。また、例えばより大きな粒子が使用される場合は、デブリ軽減は、例えばメッシュの穴がある一定の選択された大きさを超える粒子の原料ガス内の通過を防止するメッシュを使用して達成することができる。
本発明の上述の実施形態は、本出願で開示した本発明の唯一の実施形態とは見なさないものとし、実施形態には、当業者によって理解される多くの変更及び修正及びその均等物が考えられ、依然として特許請求の範囲内にあり、特許請求の範囲のみが、請求する本発明の範囲を規定すると見なすべきである。

放電生成プラズマＥＵＶ（軟Ｘ線）光源及びこのようなシステムの実施形態の主要構成要素の概略図である。ＤＰＰのＥＵＶ光生成のための電極の実施形態の概略図である。例えば光生成プラズマから放射円錐に光を集光するようになったＥＵＶ光源のための集光システムの実施形態を示す図である。図３に示す集光器の実施形態のかすり入射角作動の概略断面図である。本発明の実施形態による電極交換システムを含む本発明の実施形態を示す図である。図４の実施形態の近接図である。電極交換のために仕切り弁密封機構が所定の位置にある図５及び図６の実施形態を示す図である。本発明の実施形態によるＤＰＰのための電極に有用な材料を作製する工程の概略図である。本発明の実施形態による中心電極（アノード）の断面図である。本発明の実施形態による電極アセンブリの一部切り欠き斜視図である。図１０に示す電極アセンブリの一部分及び図９に示す中心電極（アノード）の一部切り欠き近接斜視図である。図１０及び図１１に示す電極アセンブリの上面図である。断面が図１２の線Ａ−Ａに沿って取られた図１０から図１２の電極アセンブリの断面図である。断面が図１２の線Ｂ−Ｂに沿って取られた図１０から図１２の電極アセンブリの断面図である。断面が図１２の線Ｃ−Ｃに沿って取られた図１０から図１２の電極アセンブリの断面図である。中心電極（アノード）アセンブリを含む図１０から図１２ｃの電極アセンブリの断面図である。本発明の実施形態による冷却チャンネルを示す図１０から図１３のアセンブリの冷却板部分を示す図である。本発明の実施形態によるデブリ遮蔽体の斜視図である。本発明の実施形態によるデブリ遮蔽体を作る工程の概略図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態による別のデブリ遮蔽体を示す図である。本発明の実施形態の一態様によるプラズマピンチの発生のシミュレーションを示す図である。本発明の実施形態の一態様によるプラズマピンチの発生のシミュレーションを示す図である。

符号の説明

２０放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ及び軟Ｘ線光源
２２ハウジング
２４放電チャンバ
２８外側電極
３０内側電極

Claims

金属を含む深プラズマピンチ電極を利用して、プラズマ形成から生じる金属デブリを除去するように作動するＥＵＶ光源デブリ軽減装置であって、
ＥＵＶ光源から生成された出力ビームの経路内の電極を含む金属とともに金属ハロゲン化物を生成することになる、ハロゲンガス又はハロゲン含有ガスを含む金属ハロゲン生成ガス、
を含むことを特徴とする装置。
前記電極の前記金属は、タングステンを含み、
前記ハロゲンガス又はハロゲン含有ガスは、フッ素を含み、
前記金属ハロゲン化物は、フッ化タングステンを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
第１のデブリ遮蔽部材であって、
第１の回転軸に対して第１の選択形状を有する第１の曲面と、
前記第１の回転軸に対して前記第１の選択形状を有し、かつ前記第１の曲面と該第１の回転軸の中間に配置された第２の曲面と、
前記第１の曲面と前記第２の曲面を接続し、かつ前記第１の回転軸上の焦点に向けてテーパの付いた内部開口部を有する、前記デブリ遮蔽部材内の複数の位置合せした管状開口部と、
を含む第１のデブリ遮蔽部材、及び
第２のデブリ遮蔽部材であって、
前記第１の回転軸に対して前記第１の選択形状を有し、かつ前記第２の曲面と該回転軸の中間に配置された第３の曲面と、
前記第１の回転軸に対して前記第１の選択形状を有し、かつ前記第３の曲面と該第１の回転軸の中間に配置された第４の曲面と、
前記第３の曲面と前記第４の曲面を接続し、かつ前記第１の回転軸上の焦点に向けてテーパの付いた内部開口部を有する、前記デブリ遮蔽部材内の複数の位置合せした管状開口部と、
を含む第２のデブリ遮蔽部材、
を含むことを特徴とするＥＵＶ光源デブリ遮蔽体。
前記第２及び第３の曲面は、互いに当接している、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
前記第２及び第３の曲面は、離間している、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
前記第１、第２、第３、及び第４の曲面は、第２の回転軸に関して第２の形状を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
前記第１、第２、第３、及び第４の曲面は、第２の回転軸に関して第２の形状を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
前記第１、第２、第３、及び第４の曲面は、第２の回転軸に関して第２の形状を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
前記第１の形状は、前記第２の形状と同じである、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
前記第１の形状は、前記第２の形状と同じである、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
前記第１の形状は、前記第２の形状と同じである、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
前記第２の形状は、前記第１の形状と異なる、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
前記第２の形状は、前記第１の形状と異なる、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
前記第２の形状は、前記第１の形状と異なる、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項５説明の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第１の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第１の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
前記管状開口部は、前記第２の回転軸回りの前記第１、第２、第３、及び第４の曲面の曲率を定める第２の方向に沿った隣接管状開口部の隣接壁部分上の開放有壁構造体を含む、
ことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
電極パルス電源を含む放電生成プラズマＥＵＶ光源であって、
放電電極に供給されるパルスの波形を成形するように作動する、パルス電力モジュールのチャンバステージに収容されたパルス成形可飽和誘導子、
を含み、
前記放電パルスは、該放電の軸線方向消滅段階中の中庸な電流、及び該放電の半径方向圧縮段階中に生じるピークから成る、
ことを特徴とするＥＵＶ光源。
前記放電パルスの前記パルス波形は、前記軸線方向消滅段階中の前記電極への電流の流れの少なくとも３倍の前記半径方向圧縮段階中の電流の流れを含む、
ことを特徴とする請求項３９に記載の装置。
前記放電パルスの前記パルス波形は、前記軸線方向消滅段階中の前記電極への電流の流れの３倍から５倍の前記半径方向圧縮段階中の電流の流れを含む、
ことを特徴とする請求項３９に記載の装置。
前記放電パルスの前記パルス波形は、前記軸線方向消滅段階中の前記電極への電流の流れの３倍から５倍の前記半径方向圧縮段階中の電流の流れを含む、
ことを特徴とする請求項４０に記載の装置。
ＥＵＶ光発生チャンバと、
前記発生チャンバに含まれた原料ガスと、
前記原料ガスよりも低い分子量を有する前記チャンバに含まれた緩衝ガスと、
前記発生チャンバに接続した入口を有し、該チャンバから前記緩衝ガスよりも多くの前記原料ガスを優先的にポンピングするように作動可能なターボ分子ポンプと、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
前記ターボ分子ポンプは、分子量がより高い分子を優先的にポンピングするように選択された内部間隙、ブレード角度、及び速度を有する、
ことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、前記ポンピングされたガスの原子速度に基づいて優先的にポンピングする、
ことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、前記ポンピングされたガスの原子速度に基づいて優先的にポンピングする、
ことを特徴とする請求項４４に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、分子抵抗ステージを含まない、
ことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、分子抵抗ステージを含まない、
ことを特徴とする請求項４４に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、分子抵抗ステージを含まない、
ことを特徴とする請求項４５に記載の装置。
前記ターボ分子ポンプは、分子抵抗ステージを含まない、
ことを特徴とする請求項４６に記載の装置。
第１の領域で少なくとも導電率を選択し、第２の領域で少なくとも熱伝導率を選択するようにドープされた区別してドープしたセラミック材料、
を含む調整導電電極、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
前記第１の領域は、前記電極の構造体の外面にあるか又はその近くにある、
ことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
前記セラミック材料は、ＳｉＣであり、そのドーパントは、ＢＮである、
ことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
前記セラミック材料は、ＳｉＣであり、そのドーパントは、ＢＮである、
ことを特徴とする請求項５２に記載の装置。
前記セラミック材料は、アルミナであり、そのドーパントは、ＢＮである、
ことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
前記セラミック材料は、アルミナであり、そのドーパントは、ＢＮである、
ことを特徴とする請求項５２に記載の装置。
前記セラミックは、アルミナであり、そのドーパントは、金属酸化物である、
ことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
前記セラミックは、アルミナであり、そのドーパントは、金属酸化物である、
ことを特徴とする請求項５２に記載の装置。
前記ドーパントは、ＳｉＯ又はＴｉＯ₂である、
ことを特徴とする請求項５７に記載の装置。
前記ドーパントは、ＳｉＯ又はＴｉＯ₂である、
ことを特徴とする請求項５８に記載の装置。
放電チャンバ内に収容された放電生成プラズマＥＵＶ光源であって、
可動電極アセンブリ取付台内に取り付けられた放電電極を含む電極アセンブリと、
前記可動取付台に結合され、前記電極アセンブリ取付台を交換位置から作動位置に移動するように作動する伸張可能な密封要素と、
密封機構ハウジング内に可動的に取り付けられ、前記可動取付台が前記交換位置に移動された時に収納位置から密封位置への移動により前記放電チャンバを密封するように作動する密封機構と、
を含むことを特徴とする光源。
前記伸張可能な密封要素は、ベローズであり、前記密封機構は、仕切り弁である、
ことを特徴とする請求項６１に記載の装置。
プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光のかすり入射角反射器を形成するために該プラズマピンチ位置に対して配置された複数の入れ子式シェル部材を含む集光器と、
前記集光器に作動的に結合され、前記それぞれのシェル部材からの前記かすり入射角の反射を最適化する温度関連幾何学形状を維持するために該それぞれのシェル部材の温度を調節するように作動する温度制御機構と、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
前記温度制御機構は、加熱器を含む、
ことを特徴とする請求項６３に記載の装置。
前記温度制御部材は、熱除去器を含む、
ことを特徴とする請求項６３に記載の装置。
各入れ子式シェル部材は、
前記プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光を集光する第１のかすり入射角反射器要素と、
前記第１のかすり入射角反射器要素から発せられたＥＵＶ光を集光する第２のかすり入射角反射器要素と、
を含む、
ことを特徴とする請求項６３に記載の装置。
各入れ子式シェル部材は、
前記プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光を集光する第１のかすり入射角反射器要素と、
前記第１のかすり入射角反射器要素から発せられたＥＵＶ光を集光する第２のかすり入射角反射器要素と、
を含む、
ことを特徴とする請求項６４に記載の装置。
各入れ子式シェル部材は、
前記プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光を集光する第１のかすり入射角反射器要素と、
前記第１のかすり入射角反射器要素から発せられたＥＵＶ光を集光する第２のかすり入射角反射器要素と、
を含む、
ことを特徴とする請求項６５に記載の装置。
プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光のかすり入射角反射器を形成するために該プラズマピンチ位置に対して配置された複数の入れ子式シェル部材を含む集光器と、
前記集光器に作動的に結合され、前記それぞれのシェル部材からの前記かすり入射角の反射を最適化する幾何学形状を維持するために該それぞれのシェル部材の少なくとも１つを機械的に調節するように作動する機械的制御機構と、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
各入れ子式シェル部材は、
前記プラズマピンチから発せられたＥＵＶ光を集光する第１のかすり入射角反射器要素と、
前記第１のかすり入射角反射器要素から発せられたＥＵＶ光を集光する第２のかすり入射角反射器要素と、
を含み、
前記機械的制御機構は、前記第１のかすり入射角反射器要素及び第２のかすり入射角反射器要素に作動的に結合した第１の調節装置を含む、
ことを特徴とする請求項６９に記載の装置。
前記機械的制御機構は、圧電アクチュエータを含む、
ことを特徴とする請求項６９に記載の装置。
前記機械的制御機構は、圧電アクチュエータを含む、
ことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
前記圧電アクチュエータは、各それぞれのシェル部材の外面に結合したバイオモーフ圧電アクチュエータを含む、
ことを特徴とする請求項７１に記載の装置。
前記圧電アクチュエータは、各それぞれのシェル部材の外面に結合したバイオモーフ圧電アクチュエータを含む、
ことを特徴とする請求項７２に記載の装置。
各々が背面を有する反射面をそれぞれ含む複数の反射器を有するＥＵＶ光集光器と、
前記複数の反射器の各々に電気的に接続したバイアス電圧供給源と、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
放電は、電気極性を有するプラズマを生成し、
前記バイアス電圧供給源の電圧は、前記プラズマの極性と反対の極性になるように選択される、
ことを特徴とする請求項７５に記載の装置。
各反射器の前記背面は、粗仕上げを有する、
ことを特徴とする請求項７４に記載の装置。
各反射器の前記背面は、粗仕上げを有する、
ことを特徴とする請求項７５に記載の装置。
放電生成プラズマＥＵＶ光源デブリ遮蔽体を生成する方法であって、
加工ビームを含む高エネルギ照射光源と、
前記加工ビームの経路内にあり、該加工ビームを複数の副加工ビームに分割するように作動するマスク部材と、
前記複数の副加工ビームの経路内にあり、該複数の副加工ビームを焦点に集束させるように作動する集束光学構成部品と、
前記集束光学構成部品と焦点の中間にあり、それによって前記複数の副加工ビームの各々が前記焦点を視準して該焦点に向かってテーパの付いた穴を開ける被加工物と、
を含むことを特徴とする方法。
前記被加工物は、前記焦点と同軸の曲率半径を有する少なくとも１つの表面を含む、
ことを特徴とする請求項７９に記載の方法。
中空内部を有するシェルで形成された少なくとも１つのプラズマ生成電極と、
冷却液入口から冷却液出口まで前記中空内部の一対の対向する内壁に沿って冷却液流路を形成する該中空内部内の流れ形成部材と、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
前記流れ形成部材は、前記対向する内壁を相互結合する多孔領域を含む、
ことを特徴とする請求項８１に記載の装置。
前記流れ形成部材は、薄壁円筒部材を含み、該薄肉円筒部材は、該薄壁円筒部材と前記中空内部の内部内壁の間に形成された経路に接続した前記冷却液入口と、該薄壁円筒部材と該中空内部の外部内壁の間の経路に接続した前記冷却液出口とを有する、
ことを特徴とする請求項８１に記載の装置。
電極から除去された材料の形態のデブリが保護システム要素上の堆積から磁気的に偏向されることを可能にするほど十分に高い透磁率を有する材料を含む少なくとも１つの電極、
を含むことを特徴とする放電生成プラズマＥＵＶ光源。
焦点を有する集光開口を形成する集光開口部を有する取付リングと、
ハブと、
前記ハブと前記取付リングに係合的に取り付けられた複数の大型フィンと、
隣接大型フィンの間に取り付けられ、隣接大型フィンの中間の前記ハブ又は前記取付リングに係合的に取り付けられ、前記焦点を通って延びる半径に沿って延びて該隣接大型フィンの少なくとも一方のタブ受けスロットに係合的に取り付けられた少なくとも１つの支持タブを含む少なくとも１つの中間フィンと、
を含むことを特徴とするＥＵＶデブリ遮蔽体。
前記少なくとも１つの中間フィンは、第１の中間フィンと第２の中間フィンを含み、
少なくとも１つの短いフィンが、隣接中間フィンの中間の前記ハブ又は前記取付リングに係合的に取り付けられ、前記焦点を通って延びる半径に沿って延びて該隣接中間フィンの少なくとも一方のタブ受けスロットに係合的に取り付けられた少なくとも１つの支持タブを含む、
ことを特徴とする請求項８５に記載の装置。
放電生成プラズマを形成する方法であって、
撹拌されているある一定量の粉体材料の上に原料ガスを通すことによって粒子が内部に配置された該原料ガスに含まれた該粒子を有する粉体の形の金属の粒子の形態で生成された放電に対する原料としての金属化合物を準備する段階、
を含むことを特徴とする方法。