JP2007005542A - 極端紫外光光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リング状の支持体内により多くの枚数のプレートを配置することを可能にした極端紫外光光源装置のホイルトラップを提供する。
【解決手段】極端紫外光光源装置のホイルトラップ15を、支持体であるリング18と、このリング18の内側で支持される放射状に配置された複数のプレート19とから構成し、更に複数のプレート19を、両側をリング18により支持され、十字型に組み合わされた2枚の第1のプレート(A)19と、第1のプレート(A)19により分割された空間に配置され、一端はリング18により支持され、他端は第1のプレート(A)19の交点付近で互いに突き当てられて位置決めされる複数の第2のプレート(B)19とから構成される。
【選択図】 図2
【解決手段】極端紫外光光源装置のホイルトラップ15を、支持体であるリング18と、このリング18の内側で支持される放射状に配置された複数のプレート19とから構成し、更に複数のプレート19を、両側をリング18により支持され、十字型に組み合わされた2枚の第1のプレート(A)19と、第1のプレート(A)19により分割された空間に配置され、一端はリング18により支持され、他端は第1のプレート(A)19の交点付近で互いに突き当てられて位置決めされる複数の第2のプレート(B)19とから構成される。
【選択図】 図2
Description
本発明は、極端紫外光を放出する極端紫外光光源装置のホイルトラップに関する。
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、その製造用の投影露光装置において解像力の向上が要請されている。その要請に応えるために、露光用光源の短波長化が進められており、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長13〜14nm、特に波長13.5nmの極端紫外(以下、EUV(Extreme Ultra Violet)光という)を放出する極端紫外光光源装置(以下、EUV光源装置という)が開発されている。
EUV光源装置には、EUV光を発生させる方法がいくつか知られているが、そのうちの1つにEUV放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるEUV光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するEUV光源装置には、高密度高温プラズマの生成方式により、LPP(Laser Produced Plasma:レーザ生成プラズマ)方式EUV光源装置とDPP(Discharge Proudced Plasma:放電生成プラズマ)方式EUV光源装置とに大きく分けられる。
LPP方式EUV光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットにパルスレーザを照射することによって発生する高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
一方、DPP方式EUV光源装置は、電流駆動によって生成された高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
このような方法を採用するEUV光源装置には、高密度高温プラズマの生成方式により、LPP(Laser Produced Plasma:レーザ生成プラズマ)方式EUV光源装置とDPP(Discharge Proudced Plasma:放電生成プラズマ)方式EUV光源装置とに大きく分けられる。
LPP方式EUV光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットにパルスレーザを照射することによって発生する高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
一方、DPP方式EUV光源装置は、電流駆動によって生成された高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
DPP方式EUV光源における放電方式には、非特許文献1に記載されているように、Zピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーZピンチ方式等がある。DPP方式EUV光源は、LPP方式EUV光源と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
上記した両方式のEUV光源装置において、波長13.5nmのEUV光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料としては、現在10価前後のキセノン(Xe)イオンが知られているが、より強い放射強度を得るための原料としては、リチウム(Li)イオンと錫(Sn)イオンが注目されている。例えば、錫(Sn)は、高密度高温プラズマを発生させるための入力エネルギーに対する波長13.5nmのEUV光放射強度の比である変換効率がキセノン(Xe)より数倍大きい。
図6に、従来技術に係るDPP方式EUV光源装置の構成例を示す。
このDPP方式EUV光源装置は、放電容器である容器内に、リング状の第1の主放電電極(カソード)と第2の主放電電極(アノード)とがリング状の絶縁材を挟んで配置されている。この容器は、導電材で形成された第1の主放電電極側の第1の容器と、同じく導電材で形成された第2の主放電電極側の第2の容器とから構成されている。これらの第1の容器と第2の容器とは、絶縁材により分離、絶縁されている。ここで、第2の容器と第2の主放電電極は接地されている。
このDPP方式EUV光源装置は、放電容器である容器内に、リング状の第1の主放電電極(カソード)と第2の主放電電極(アノード)とがリング状の絶縁材を挟んで配置されている。この容器は、導電材で形成された第1の主放電電極側の第1の容器と、同じく導電材で形成された第2の主放電電極側の第2の容器とから構成されている。これらの第1の容器と第2の容器とは、絶縁材により分離、絶縁されている。ここで、第2の容器と第2の主放電電極は接地されている。
リング状の第1の主放電電極、第2の主放電電極、および絶縁材は、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置され、連通穴を構成している。第1の主放電電極および第2の主放電電極間への電力は、第1の主放電電極および第2の主放電電極間に接続された高電圧パルス発生部により供給され、第1の主放電電極および第2の主放電電極間に電力が供給されると、絶縁材表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極と第2の主放電電極間は実質、短絡状態になり、第1の主放電電極と第2の主放電電極間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって、この連通穴または連通穴近傍にて高密度高温プラズマが生成され、このプラズマからEUV光が放射される。
なお、DPP方式EUV光源装置は、図6に示すもの以外にも、非特許文献1にも記載されているように、様々な構成例がある。
なお、DPP方式EUV光源装置は、図6に示すもの以外にも、非特許文献1にも記載されているように、様々な構成例がある。
また、第1の容器側には、EUV放射種である原料ガスを供給するガス供給ユニットに接続されるガス導入口が設けられており、原料ガスは、ガス導入口を介して、高密度高温プラズマ発生部に供給される。第2の容器側には、容器内圧力をモニタする圧力モニタ(不図示)が設けられている。また、高密度高温プラズマ発生部における圧力の調整や、容器内を排気するための真空ポンプ等のガス排気手段を有するガス排気ユニット(不図示)は、第2の容器側に設けられたガス排出口に接続されている。また、第2の容器内には、EUV集光鏡が設けられている。
また、EUV光源装置は、制御部(不図示)を有しており、この制御部は、露光機の制御部(不図示)からのEUV光発光指令等に基づき、高電圧パルス発生部、ガス供給ユニット、ガス排気ユニットを制御している。例えば、制御部は、露光機の制御部からのEUV光発光指令を受信すると、ガス供給ユニットを制御して、高密度高温プラズマ発生部に原料ガスを供給する。また、圧力モニタからの圧力データに基づき、容器内の高密度高温プラズマ発生部が所定の圧力となるよう、ガス供給ユニットからの原料ガス供給量を制御するとともに、ガス排気ユニットによる排気量を制御する。その後、EUV光を放射する高密度高温プラズマを発生させるため、高電圧パルス発生部を制御して、第1の主放電電極および第2の主放電電極間に電力を供給する。
また、このDPP方式EUV光源装置には、EUV集光鏡のダメージを防ぐために、高密度高温プラズマとEUV集光鏡との間に、高密度高温プラズマと接する金属(第1および第2の主放電電極)が、高密度高温プラズマによってスパッタされて生成される金属粉等のデブリや、放射種に起因するデブリ(例えば、原料ガスとしてスタナン(SnH4)を使用する場合は錫(Sn)やその化合物)等を捕捉して、EUV光のみを通過させるためのデブリトラップが設置されている。
デブリトラップとしては、ガスカーテンと呼ばれるガスを流す方法や、ホイルトラップと呼ばれる構造体を設ける方法、その両者を組み合わせる方法等が提案されているが、ホイルトラップとしては、例えば、特許文献1に「フォイル・トラップ」として記載されている。図6に示すDPP方式EUV光源装置の構成例においては、デブリトラップとしてホイルトラップを用いている。
デブリトラップとしては、ガスカーテンと呼ばれるガスを流す方法や、ホイルトラップと呼ばれる構造体を設ける方法、その両者を組み合わせる方法等が提案されているが、ホイルトラップとしては、例えば、特許文献1に「フォイル・トラップ」として記載されている。図6に示すDPP方式EUV光源装置の構成例においては、デブリトラップとしてホイルトラップを用いている。
次に、このDPP方式EUV光源装置におけるEUV光の放射について説明する。
ガス供給ユニットより第1の容器側に設けられたガス導入口を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、高密度高温プラズマ発生部でEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、錫(Sn)を放射種として用いる場合、スタナン(SnH4)が用いられる。導入されたスタナン(SnH4)は容器内を流れて、第2の容器側に設けられたガス排出口に到達する。ガス排出口に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
ガス供給ユニットより第1の容器側に設けられたガス導入口を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、高密度高温プラズマ発生部でEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、錫(Sn)を放射種として用いる場合、スタナン(SnH4)が用いられる。導入されたスタナン(SnH4)は容器内を流れて、第2の容器側に設けられたガス排出口に到達する。ガス排出口に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
ここで、高密度高温プラズマ発生部の圧力は1〜20Paに調節される。この圧力調節は、まず、制御部(不図示)が容器に備えられた圧力モニタ(不図示)より出力される圧力データを受信し、制御部は受信した圧力データに基づき、ガス供給ユニットおよびガス排気ユニットを制御して、容器内へのスタナン(SnH4)の供給量および排気量を調節することにより、高密度高温プラズマ発生部の圧力を所定の圧力に調節する。
接地されている第2の容器および第2の主放電電極と、第1の容器および第1の主放電電極間に、高電圧パルス発生部からおよそ+20kV〜−20kVの高電圧パルス電圧が印加されると、絶縁材表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極と第2の主放電電極間は実質上、短絡状態となり、第1の主放電電極と第2の主放電電極間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってリング状の第1、第2の各主放電電極間の高密度高温プラズマ発生部に、高密度高温プラズマが発生し、このプラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、第2の容器内に設けられたEUV集光鏡により反射され、例えば、波長13.5nmのEUV光を選択する波長選択手段(光学フィルタ)を備える光出射部より露光機側光学系である照射部(不図示)に出射される。
接地されている第2の容器および第2の主放電電極と、第1の容器および第1の主放電電極間に、高電圧パルス発生部からおよそ+20kV〜−20kVの高電圧パルス電圧が印加されると、絶縁材表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極と第2の主放電電極間は実質上、短絡状態となり、第1の主放電電極と第2の主放電電極間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってリング状の第1、第2の各主放電電極間の高密度高温プラズマ発生部に、高密度高温プラズマが発生し、このプラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、第2の容器内に設けられたEUV集光鏡により反射され、例えば、波長13.5nmのEUV光を選択する波長選択手段(光学フィルタ)を備える光出射部より露光機側光学系である照射部(不図示)に出射される。
次に、図7に、図6に示したDPP方式EUV光源装置のホイルトラップの具体的構成を示す。
図7(a)は光軸に沿った面でのホイルトラップの断面図、図7(b)はEUV集光鏡側から見たホイルトラップの平面図、図7(c)はホイルトラップの内側リングの平面図、図7(d)はホイルトラップのプレートの斜視図である。なお、図7(b)においては、後述する押え板と水冷配管を省いた状態を示している。
図7(a)は光軸に沿った面でのホイルトラップの断面図、図7(b)はEUV集光鏡側から見たホイルトラップの平面図、図7(c)はホイルトラップの内側リングの平面図、図7(d)はホイルトラップのプレートの斜視図である。なお、図7(b)においては、後述する押え板と水冷配管を省いた状態を示している。
これらの図に示すように、ホイルトラップは、同心円状に配置された、内側リングと外側リングの2個のリングと、この2つのリングにより両側を支持され、放射状に配置された複数の薄い平面状のプレートとから構成されている。
内側リングとプレートは、高密度高温プラズマにさらされ1000℃以上の高温になるため、例えば、モリブデンやタングステンといった高融点材料により作られる。一方、外側リングは、プラズマから離れているので、高融点材料を用いる必要がなく、例えば、ステンレス製である。
内側リングとプレートは、高密度高温プラズマにさらされ1000℃以上の高温になるため、例えば、モリブデンやタングステンといった高融点材料により作られる。一方、外側リングは、プラズマから離れているので、高融点材料を用いる必要がなく、例えば、ステンレス製である。
プレートは、図7(d)に示すように、厚さが約0.2mmの薄い板状の部材であり、高密度高温プラズマからのEUV光を遮らないように、その平面が光軸に平行になるように設けられている。
内側リングと外側リングには、プレートが挿入される溝が放射状に形成されており、溝は、内側リングの場合は、図7(c)に示すように、外側に形成され、外側リングの場合は内側に形成される。
溝は、内側リングおよび外側リングの厚さ方向(光軸に沿った方向)に形成されており、プレートを挿入した後、溝から抜け落ちることがないように、内側リングと外側リングのそれぞれについて、リング状の押え板が、ねじ止めにより取り付けられている。
内側リングと外側リングには、プレートが挿入される溝が放射状に形成されており、溝は、内側リングの場合は、図7(c)に示すように、外側に形成され、外側リングの場合は内側に形成される。
溝は、内側リングおよび外側リングの厚さ方向(光軸に沿った方向)に形成されており、プレートを挿入した後、溝から抜け落ちることがないように、内側リングと外側リングのそれぞれについて、リング状の押え板が、ねじ止めにより取り付けられている。
また、外側リングは、高密度高温プラズマから放射されるEUV光の拡がりに合せて、高温高密度プラズマ側の内径に対して、EUV光集光鏡側の内径が広くなっている。
また、内側リングと外側リングには、冷却水が通過する冷却水通路が設けられており、水冷配管に接続されている。この水冷配管に、外部に設けられる水冷装置から冷却媒体である冷却水が供給されることにより、両リングは水冷される。なお、この水冷配管は、2つのリングを支持する役目も果たしている。
また、内側リングと外側リングには、冷却水が通過する冷却水通路が設けられており、水冷配管に接続されている。この水冷配管に、外部に設けられる水冷装置から冷却媒体である冷却水が供給されることにより、両リングは水冷される。なお、この水冷配管は、2つのリングを支持する役目も果たしている。
次に、ホイルトラップの作用について簡単に説明すると、上記のような複数のプレートを備えたホイルトラップを、高密度高温プラズマとEUV集光鏡との間に設けることにより、高密度高温プラズマとホイルトラップ間の圧力が上がる。圧力が上がるとその場にあるガス(原料ガスおよびガスカーテンを用いている場合はガスカーテンのガス)の密度が上がり、ガスの原子とデブリとの衝突が増加する。デブリは衝突を繰り返すことにより、運動エネルギーが減少する。これにより、EUV集光鏡にぶつかるエネルギーが減少し、EUV集光鏡の損傷を減らすことができる。
しかし、上記に示したホイルトラップには、以下に示すような問題点がある。
上記したように、内側リングは、EUV光を放射する高密度高温プラズマにさらされるため、タングステンやモリブデンといった耐熱性の材料を使用して作られる。しかし、上記のような耐熱性の材料は、硬くて加工しにくいものが多く、また粉末冶金のため欠けが生じ易い。そのため、プレートを支持するための溝の加工が難しく、形成できる溝の数に限界があり、配置できるプレートの数も限られたものになる。現状ではプレートは32枚までしか設けることができない。なお、図7(b)では、図が煩雑にならないように、プレートは8枚設けた状態を示している。
上記したように、内側リングは、EUV光を放射する高密度高温プラズマにさらされるため、タングステンやモリブデンといった耐熱性の材料を使用して作られる。しかし、上記のような耐熱性の材料は、硬くて加工しにくいものが多く、また粉末冶金のため欠けが生じ易い。そのため、プレートを支持するための溝の加工が難しく、形成できる溝の数に限界があり、配置できるプレートの数も限られたものになる。現状ではプレートは32枚までしか設けることができない。なお、図7(b)では、図が煩雑にならないように、プレートは8枚設けた状態を示している。
一方、上記のごとく、ホイルトラップは、高密度高温プラズマとホイルトラップ間の圧力を上げてEUV集光鏡の損傷を低減するために設けるものであるから、ホイルトラップの効果を上げるためには、所望の光の透過率(例えば90%)が得られる範囲であれば、プレートの数は多ければ多いほど良い。
現状の32枚というプレートの数ではホイルトラップの効果が不十分であることや、また、プレートの数をさらに増やしても、90%の光透過率を維持できることが分かっている。したがって、ホイルトラップの効果を上げるために、プレートの数を増やしたいという要望がある。しかしながら、上記のごとく、内側リングの溝の加工限界でプレートの枚数を増やすことができない。
また、内側リングの径を大きくすれば、加工できる溝の数を増やすことができるが、そうすると内部リングがプラズマからのEUV光を遮ってしまい、所望の透過率が得られなくなる。
現状の32枚というプレートの数ではホイルトラップの効果が不十分であることや、また、プレートの数をさらに増やしても、90%の光透過率を維持できることが分かっている。したがって、ホイルトラップの効果を上げるために、プレートの数を増やしたいという要望がある。しかしながら、上記のごとく、内側リングの溝の加工限界でプレートの枚数を増やすことができない。
また、内側リングの径を大きくすれば、加工できる溝の数を増やすことができるが、そうすると内部リングがプラズマからのEUV光を遮ってしまい、所望の透過率が得られなくなる。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑みて、1個のリング状の支持体内により多くの枚数のプレートを配置することを可能にした極端紫外光光源装置のホイルトラップを提供することにある。
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
容器と、この容器内に極端紫外光を放射する原料を供給する原料供給手段と、上記容器内に供給された原料を加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記プラズマから放射される極端紫外光を集光するように上記容器内に配置された集光光学手段と、上記集光された極端紫外光を取り出す光出射部と、上記加熱・励起手段と上記集光光学手段との間に設けられるホイルトラップとを備えた極端紫外光光源装置において、上記ホイルトラップは、リング状の支持体と、この支持体の内側にこの支持体により支持される放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記プレートは、両端を上記支持体により支持され、十字型に組み合わされた2枚の第1のプレートと、この第1のプレートにより分割された空間に配置され、一端は上記支持体により支持され、他端は上記第1のプレートの交点付近で互いに突き当てられて位置決めされる複数の第2のプレートとからなることを特徴とする極端紫外光光源装置である。
容器と、この容器内に極端紫外光を放射する原料を供給する原料供給手段と、上記容器内に供給された原料を加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記プラズマから放射される極端紫外光を集光するように上記容器内に配置された集光光学手段と、上記集光された極端紫外光を取り出す光出射部と、上記加熱・励起手段と上記集光光学手段との間に設けられるホイルトラップとを備えた極端紫外光光源装置において、上記ホイルトラップは、リング状の支持体と、この支持体の内側にこの支持体により支持される放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記プレートは、両端を上記支持体により支持され、十字型に組み合わされた2枚の第1のプレートと、この第1のプレートにより分割された空間に配置され、一端は上記支持体により支持され、他端は上記第1のプレートの交点付近で互いに突き当てられて位置決めされる複数の第2のプレートとからなることを特徴とする極端紫外光光源装置である。
請求項1に記載の発明によれば、極端紫外光光源装置のホイルトラップにおいて、リング状の支持体の内側に多数のプレートを容易に配置することができる。また、従来必要とされていた内側リングが不要となるので、内側リングの加工限界の問題を解消することができる。
本発明の一実施形態を図1乃至図5を用いて説明する。
図1は、本実施形態の発明に係るDPP方式EUV光源装置の構成を示す図である。
同図において、1は容器、2は容器1の一部を構成する第1の容器、3は容器1の一部を構成する第2の容器、4はリング状の第1の主放電電極(カソード)、5はリング状の第2の主放電電極(アノード)、6はリング状の絶縁材、7はEUV光を放射するプラズマを発生させる高密度高温プラズマ発生部、8は高密度高温プラズマ、9は第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間に接続された高圧パルス発生部、10は(錫)Snおよび/または(錫)Sn化合物、またはリチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を供給するガス供給ユニット、11はガス導入口、12はガス排出口、13はEUV集光鏡、14は光出射部、15はホイルトラップ、16はホイルトラップ15を冷却する水冷装置、17は水冷配管である。
図1は、本実施形態の発明に係るDPP方式EUV光源装置の構成を示す図である。
同図において、1は容器、2は容器1の一部を構成する第1の容器、3は容器1の一部を構成する第2の容器、4はリング状の第1の主放電電極(カソード)、5はリング状の第2の主放電電極(アノード)、6はリング状の絶縁材、7はEUV光を放射するプラズマを発生させる高密度高温プラズマ発生部、8は高密度高温プラズマ、9は第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間に接続された高圧パルス発生部、10は(錫)Snおよび/または(錫)Sn化合物、またはリチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を供給するガス供給ユニット、11はガス導入口、12はガス排出口、13はEUV集光鏡、14は光出射部、15はホイルトラップ、16はホイルトラップ15を冷却する水冷装置、17は水冷配管である。
同図に示すように、このDPP方式EUV光源装置は、容器1内に、リング状の第1の主放電電極(カソード)4と第2の主放電電極(アノード)5とがリング状の絶縁材6を挟んで配置されている。第1の主放電電極4と第2の主放電電極5は、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から構成されている。また、絶縁材6は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等から構成されている。
容器1は、導電材で形成された第1の主放電電極4側の第1の容器2と、同じく導電材で形成された第2の主放電電極5側の第2の容器3とから構成されている。これらの第1の容器2と第2の容器3とは、絶縁材6により分離、絶縁されている。ここで、第2の容器3と第2の主放電電極5とは接地されている。
リング状の第1の主放電電極4、第2の主放電電極5、および絶縁材6は、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置され、連通穴を構成している。第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間への電力は高電圧パルス発生部9より供給される。第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間に電力が供給されると、絶縁材6表面に沿面放電が発生して第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間は実質、短絡状態になり、第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってこの連通穴または連通穴近傍にて高密度高温プラズマ8が生成される。ここで高密度高温プラズマ発生部7は、第1の主放電電極4、第2の主放電電極5、および絶縁材6に包囲された空間内またはその空間近傍に位置している。
第1の容器2側には、EUV放射種である原料ガスを供給するガス供給ユニット10に接続されるガス導入口11が設けられる。原料ガスは、ガス導入口11を介して、高電圧高温プラズマ発生部7に供給される。第2の容器3側には、容器内圧力(高密度高温プラズマ発生部圧力)をモニタする圧力モニタ(不図示)が設けられている。また、高密度高温プラズマ発生部7の圧力の調整や、容器1内を排気するための真空ポンプ等のガス排気手段(不図示)を有するガス排気ユニット(不図示)が第2の容器3側に設けられたガス排出口13に接続されている。
また、第2の容器3内には、EUV集光鏡14が設けられており、EUV集光鏡14は、例えば、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚備え、これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このミラーは、例えば、ニッケル(Ni)等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、およびロジウム(Rh)等の金属を緻密にコーティングすることにより、0°〜25°の斜入射角度のEUV光を良好に反射できるようにしたものである。
また、このDPP方式EUV光源装置は、高密度高温プラズマ8とEUV集光鏡13との間にホイルトラップ15が設置されている。ホイルトラップ15は、高密度高温プラズマ8と接する金属(第1および第2の主放電電極4,5)が、高密度高温プラズマ8によってスパッタされて生成される金属粉等のデブリや、放射種に起因するデブリ(原料ガスとしてスタナン(SnH4)を使用する場合は錫(Sn)やその化合物)等を捕捉して、EUV光のみを通過させ、EUV集光鏡13の損傷を防いでいる。このホイルトラップ15は、水冷装置16の水冷配管17に接続され、水冷されている。
また、このDPP方式EUV光源装置は、制御部(不図示)を有しており、この制御部は、露光機の制御部(不図示)からのEUV発光指令等に基づき、高電圧パルス発生部9、ガス供給ユニット10、ガス排気ユニットを制御している。例えば、制御部は、露光機の制御部からのEUV光発光指令を受信すると、ガス供給ユニット10を制御して、容器1内の高密度高温プラズマ発生部7に原料ガスを供給する。また、圧力モニタからの圧力データに基づき、容器1内の高密度高温プラズマ発生部7が所定の圧力となるよう、ガス供給ユニット10からの原料ガス供給量を制御するとともに、ガス排気ユニットによる排気量を制御する。その後、EUV光を放射する高密度高温プラズマ8を発生させるため、高電圧パルス発生部9を制御して、第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間に電力を供給する。
このDPP方式EUV光源装置におけるEUV光の放射は以下のように行われる。
ガス供給ユニット10より第1の容器2側に設けられたガス導入口11を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、高密度高温プラズマ発生部7で波長13.5nmのEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、スタナン(SnH4)が用いられる。導入されたスタナン(SnH4)は第1の容器2側から第2の容器3側に流れて、ガス排出口12に到達する。ガス排出口12に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
ガス供給ユニット10より第1の容器2側に設けられたガス導入口11を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、高密度高温プラズマ発生部7で波長13.5nmのEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、スタナン(SnH4)が用いられる。導入されたスタナン(SnH4)は第1の容器2側から第2の容器3側に流れて、ガス排出口12に到達する。ガス排出口12に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
ここで、高密度高温プラズマ発生部7の圧力は1〜20Paに調節される。この圧力調節は、まず、制御部が容器1に備えられた圧力モニタより出力される圧力データを受信する。制御部は受信した圧力データに基づき、ガス供給ユニット10およびガス排気ユニットを制御して、容器1内へのスタナン(SnH4)の供給量および排気量を調節することにより、高密度高温プラズマ発生部7の圧力を所定の圧力に調節する。
接地されている第2の容器3および第2の主放電電極5と、第1の容器2および第1の主放電電極4間に、高電圧パルス発生部9からおよそ+20kV〜−20kVの高電圧パルス電圧を印加する。その結果、絶縁材6表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間が実質上、短絡状態となり、第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって第1、第2の各主放電電極4,5間の高密度高温プラズマ発生部7には、高密度高温プラズマ8が発生し、このプラズマからEUV光が放射される。
接地されている第2の容器3および第2の主放電電極5と、第1の容器2および第1の主放電電極4間に、高電圧パルス発生部9からおよそ+20kV〜−20kVの高電圧パルス電圧を印加する。その結果、絶縁材6表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間が実質上、短絡状態となり、第1の主放電電極4と第2の主放電電極5間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって第1、第2の各主放電電極4,5間の高密度高温プラズマ発生部7には、高密度高温プラズマ8が発生し、このプラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、EUV集光鏡13により反射され、例えば、波長13.5nmのEUV光を選択する波長選択手段(光学フィルタ)を備える光出射部14より露光機側光学系である照射部(不図示)に出射される。すなわち、波長選択手段により選択された、波長13.5nmのEUV光が露光機側光学系に向けて出射される。
また、ホイルトラップ15が高密度高温プラズマ8とEUV集光鏡13との間に設けられていることにより、高密度高温プラズマ8とホイルトラップ15との間の圧力が上がり、圧力が上がるとその場にあるガスの密度が上がり、ガスの原子とデブリとの衝突が増加する。デブリは衝突を繰り返すことにより、運動エネルギーが減少し、これによりEUV集光鏡13にぶつかるエネルギーが減少して、EUV集光鏡13の損傷を減少させることができる。
図2は、図1に示したDPP方式EUV光源装置のホイルトラップ15の具体的構成を示す図であり、図2(a)は光軸に沿った面でのホイルトラップ15の断面図、図2(b)はEUV集光鏡13側から見たホイルトラップ15の平面図、図2(c)はホイルトラップの2種類のプレートを示す図である。なお、図2(b)においては、後述する押え板22および冷却水通路21を省いた状態を示している。
これらの図において、18はリング状の支持体(以下、リングという)、19は厚さが約0.2mmの薄い板状のプレートAおよびプレートB、20はリング18の内側に放射状に設けられた溝、21は冷却水通路、22,23は押え板、24,25は止めねじである。なお、その他の構成は図1に示す同符号の構成に対応する。
これらの図において、18はリング状の支持体(以下、リングという)、19は厚さが約0.2mmの薄い板状のプレートAおよびプレートB、20はリング18の内側に放射状に設けられた溝、21は冷却水通路、22,23は押え板、24,25は止めねじである。なお、その他の構成は図1に示す同符号の構成に対応する。
これらの図に示すように、ホイルトラップ15は、図7に示した従来技術に係るホイルトラップの構成に比べると、内側リングに相当するリングが不要となり、外側リングに相当する1個のリング18と、リング18の内側に配置された複数の薄い平面状のプレート(A)19およびプレート(B)19とから構成される。
プレート(A)19およびプレート(B)19は、高密度高温プラズマ8にさらされ高温になるため、従来技術と同様に、例えば、モリブデンやタングステンのような高融点材料により作られる。一方、リング18は、プラズマから離れて配置されるので、高融点材料を用いる必要がなく、例えば、ステンレス製であり、モリブデンやタングステンに比べて加工が容易である。
プレート(A)19およびプレート(B)19は、高密度高温プラズマ8にさらされ高温になるため、従来技術と同様に、例えば、モリブデンやタングステンのような高融点材料により作られる。一方、リング18は、プラズマから離れて配置されるので、高融点材料を用いる必要がなく、例えば、ステンレス製であり、モリブデンやタングステンに比べて加工が容易である。
リング18は、高密度高温プラズマ8から放射されるEUV光の拡がりに合せて、高温高密度プラズマ8側の内径に対して、EUV集光鏡13側の内径が広くなっている。リング18には、冷却水が通過する冷却水通路21が設けられており、水冷配管17に接続されている。リング18は水冷配管17に水冷装置16から供給される冷却媒体である冷却水により冷却される。
リング18の内側には、プレート(A)19およびプレート(B)19が挿入される溝20が放射状に形成されており、プレート(A)19およびプレート(B)19は、高密度高温プラズマ8からのEUV光を遮らないように、その平面が光軸に平行になるように設けられている。
リング18の内側には、プレート(A)19およびプレート(B)19が挿入される溝20が放射状に形成されており、プレート(A)19およびプレート(B)19は、高密度高温プラズマ8からのEUV光を遮らないように、その平面が光軸に平行になるように設けられている。
図2(a)に示すように、溝20はリング18の厚さ方向(光軸に沿った方向)に貫通している。したがって、プレート(A)19およびプレート(B)19を溝20に挿入した後、リング18の両側からリング状の押え板22,23を止めねじ24,25で取り付けて溝20を塞ぎ、プレート(A)19およびプレート(B)19が溝20から抜け落ちるのを防いでいる。
なお、図3に示すように、リング18に形成する溝20を貫通させず、途中で止めておき、一方からのみリング状の押え板23でプレート(A)19およびプレート(B)19の抜け落ちを防ぐようにしても良い。
さらに、プレート19とリング18の構成を詳細に説明すると、まず、プレート19は、図2(c)に示すように、リング18の内径に対応する2枚の長い第1のプレート(A)19と、第1のプレート(A)19のほぼ半分の長さを有する多数の第2のプレート(B)19から構成される。
第1のプレート(A)19には、中央部に切り込みが形成されており、2枚の第1のプレート(A)19を互いの切り込みに差し込むことにより十字に組み合わせ、図2(b)に示すように、第1のプレート(A)19の両端をリング19の溝20に挿入する。これにより、2枚の第1のプレート(A)19は、リング18により支持される。なお、図2(b)においては、プレート(A)19およびプレート(B)19が溝20に挿入されていることが分かりやすいように、プレート(A)19およびプレート(B)19と溝20との隙間を誇張して示している。
2枚の第1のプレート(A)19がリング18に支持されると、リング18の内側の空間は、この十字に組み合わされた第1のプレート(A)19により、4つに分割される。この分割された領域に、リング18の内半径に対応する長さを有する第2のプレート(B)19を配置する。第2のプレート(B)19の一方の端は、リング18に形成された溝20に挿入されて支持され、他端は、第1のプレート(A)19の交点付近で、他の第2のプレート(B)19の端と互いに突き当たるようにして配置される。十字に組み合わされた第1のプレート(A)19の交点が形成する角の部分が、第2のプレート(B)19の、リング18の径方向の可動を制限するため、第2のプレート(B)19はリング18の径方向の位置が決まり、片持ちではあるが、抜け落ちることなく支持される。
図2(b)においては、14枚のプレート19を設けた状態を示しているが、第1のプレート(A)19は、2枚で実質的に4枚の第2のプレート(B)19に相当する。よって、図2(b)においては、実質的に16枚のプレート(B)19を設けた状態を示している。
図4は、図2に示したホイルトラップ15の組み立てた状態を示す斜視図である。
図2(b)においては、14枚のプレート19を設けた状態を示しているが、第1のプレート(A)19は、2枚で実質的に4枚の第2のプレート(B)19に相当する。よって、図2(b)においては、実質的に16枚のプレート(B)19を設けた状態を示している。
図4は、図2に示したホイルトラップ15の組み立てた状態を示す斜視図である。
本実施形態の発明によれば、従来技術のホイルトラップにおいて用いられていた内側リングが不要となるので、内側リングの加工限界の問題がなくなり、プレート19をより多くの枚数設けることが可能となる。また、リング18は面積が広くなることに加え、タングステンやモリブデンに比べて加工が容易なステンレス製であるので、所望のプレート19の枚数に対応するだけの溝20を容易に加工することができる。実際には、90%の光透過率を維持した状態で、64枚のプレートを配置することができる。64枚のプレートを設けることにより、高密度高温プラズマ8とホイルトラップ15の間の圧力を上げることができ、EUV集光鏡13の損傷を効果的に低減することができる。
図5は、64枚のプレート19を設けたホイルトラップ15を組み立てた状態を示す斜視図である。
図5は、64枚のプレート19を設けたホイルトラップ15を組み立てた状態を示す斜視図である。
なお、本実施形態の発明は、DPP方式EUV光源装置について説明したが、LPP方式EUV光源装置にも同様のホイルトラップを適用することができる。
1 容器
2 第1の容器
3 第2の容器
4 第1の主放電電極(カソード)
5 第2の主放電電極(アノード)
6 絶縁材
7 高密度高温プラズマ発生部
8 高密度高温プラズマ
9 高圧パルス発生部
10 ガス供給ユニット
11 ガス導入口
12 ガス排出口
13 EUV集光鏡
14 光出射部
15 ホイルトラップ
16 水冷装置
17 水冷配管
18 リング状の支持体(リング)
19 プレートAおよびプレートB
20 溝
21 冷却水通路
22,23 押え板
24,25 止めねじ
2 第1の容器
3 第2の容器
4 第1の主放電電極(カソード)
5 第2の主放電電極(アノード)
6 絶縁材
7 高密度高温プラズマ発生部
8 高密度高温プラズマ
9 高圧パルス発生部
10 ガス供給ユニット
11 ガス導入口
12 ガス排出口
13 EUV集光鏡
14 光出射部
15 ホイルトラップ
16 水冷装置
17 水冷配管
18 リング状の支持体(リング)
19 プレートAおよびプレートB
20 溝
21 冷却水通路
22,23 押え板
24,25 止めねじ
Claims (1)
- 容器と、
この容器内に極端紫外光を放射する原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内に供給された原料を加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段と、
上記プラズマから放射される極端紫外光を集光するように上記容器内に配置された集光光学手段と、
上記集光された極端紫外光を取り出す光出射部と、
上記加熱・励起手段と上記集光光学手段との間に設けられるホイルトラップとを備えた極端紫外光光源装置において、
上記ホイルトラップは、リング状の支持体と、この支持体の内側にこの支持体により支持される放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記プレートは、両端を上記支持体により支持され、十字型に組み合わされた2枚の第1のプレートと、この第1のプレートにより分割された空間に配置され、一端は上記支持体により支持され、他端は上記第1のプレートの交点付近で互いに突き当てられて位置決めされる複数の第2のプレートとからなることを特徴とする極端紫外光光源装置。
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JP2005183460A JP2007005542A (ja) | 2005-06-23 | 2005-06-23 | 極端紫外光光源装置 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235754A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Ushio Inc | ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた極端紫外光光源装置 |
WO2008118009A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source and device manufacturing method |
JP2008300351A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-11 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマベースのeuv放射線源用のガスカーテンを生成する装置 |
JP2009010389A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法、及び放射生成方法 |
JP2010539699A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 回転フィルタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
US8067757B2 (en) | 2009-01-30 | 2011-11-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Extreme ultraviolet light source apparatus and method of adjusting the same |
JP2012074388A (ja) * | 2008-04-29 | 2012-04-12 | Asml Netherlands Bv | 放射源 |
WO2015118862A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | ウシオ電機株式会社 | ホイルトラップおよび光源装置 |
JP2015149186A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | ウシオ電機株式会社 | デブリ低減装置 |
WO2022038921A1 (ja) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
-
2005
- 2005-06-23 JP JP2005183460A patent/JP2007005542A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8018576B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Contamination prevention system, a lithographic apparatus, a radiation source and a method for manufacturing a device |
WO2008118009A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source and device manufacturing method |
JP2008235754A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Ushio Inc | ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた極端紫外光光源装置 |
JP2010522427A (ja) * | 2007-03-23 | 2010-07-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 汚染防止システム、リソグラフィ装置、放射源およびデバイス製造方法 |
US8076659B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-12-13 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Foil trap and extreme ultraviolet light source device using the foil trap |
JP2008300351A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-11 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマベースのeuv放射線源用のガスカーテンを生成する装置 |
JP2009010389A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法、及び放射生成方法 |
JP2010539699A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 回転フィルタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
JP2012074388A (ja) * | 2008-04-29 | 2012-04-12 | Asml Netherlands Bv | 放射源 |
US8067757B2 (en) | 2009-01-30 | 2011-11-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Extreme ultraviolet light source apparatus and method of adjusting the same |
WO2015118862A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | ウシオ電機株式会社 | ホイルトラップおよび光源装置 |
JP2015149401A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | ウシオ電機株式会社 | ホイルトラップ |
JP2015149186A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | ウシオ電機株式会社 | デブリ低減装置 |
WO2022038921A1 (ja) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
JP7468246B2 (ja) | 2020-08-21 | 2024-04-16 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
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