JP2012074388A - 放射源 - Google Patents

Abstract

【課題】コレクタの損傷を低減できる極端紫外線放射装置の実現。
【解決手段】放射源は、放射を放出する放射エミッタ、放射を収集するコレクタ６と、放射源によって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップ５とを含む。汚染物トラップは、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを含む。これらの磁気リングは、フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する。
【選択図】図３

Description

[0001] 本発明は、放射源に関し、そのような放射源を含むリソグラフィ装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、普通は基板のターゲット部分に塗布する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてＩＣの個々のレイヤ上に形成する回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）上へ転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）のレイヤ上への結像によって行われる。一般に、単一の基板は連続的にパターン付けされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することで各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながらこれに同期してこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることで各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることでパターニングデバイスから基板上へパターンを転写することもできる。

[0003] ますますサイズが縮小する構造を基板上に投影するために、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外線の利用が提案されている。さらに、１０ｎｍ未満、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有する放射を使用することができるようにするという提案がなされている。リソグラフィの文脈では、１０ｎｍ未満の波長は"beyond EUV"（超ＥＵＶ）と時々呼ばれる。

[0004] 極端紫外線及び超EUVは、プラズマを用いて生成することができる。プラズマは、例えば、適当な材料（例えば、スズ）の粒子にレーザを向け、又はＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れにレーザを向けることで生成することができる。その結果として得られるプラズマは、極端紫外線を受光して放射をビーム内に合焦させるミラー付きかすめ入射コレクタなどのコレクタを用いて収集される極端紫外線（又は超EUV放射）を放出する。

[0005] 極端紫外線に加えて、プラズマは、加熱された原子、イオン、ナノクラスタ、及び／又は微小粒子などの粒子の形の汚染物を生成する。この汚染物は、極端紫外線と共に、コレクタに向けて投影され、かすめ入射コレクタを損傷することがある。

[0006] 従って、汚染物がコレクタに浸入してこれを損傷することを防止し、又はコレクタに浸入してこれを損傷する汚染物の量を低減することが望ましい。

[0007] 汚染物がコレクタに浸入してこれを損傷することを防止し、又はコレクタに浸入してこれを損傷する汚染物の量を低減するために使用することができる装置がフォイルトラップである。フォイルトラップは、放射源の放出ポイントとコレクタとの間に位置する複数のプレーナフォイル部材を備える。プレーナフォイル部材は、放出ポイントに関して放射状に並ぶように整列し、従って、プレーナフォイル部材は、放出ポイントから放出される放射を可能な限り少なく覆い隠す。言い換えれば、プレーナフォイル部材は、放射の移動方向に平行な方向を向いている。フォイルトラップは、プレーナフォイル部材に衝突する、及び／又はこれによって捕集される粒子を捕集するために用いられる。フォイルトラップの機能はフォイルトラップを回転させ、及び／又は隣接するプレーナフォイル部材の近傍（例えば、それらの間）にバッファガスを導入することで向上させることができる。別の方法としては、フォイルトラップが本来粒子の捕集ではなくバッファガスの冷却の働きをする構成でバッファガスをフォイルトラップと併用することができる。例えば、そのような構成では、プレーナフォイル部材間の距離を離してもよい。

[0008] ＥＵＶ放射源と併用する時のプレーナフォイル部材への熱負荷は大きい。この高い熱負荷は、プレーナフォイル部材の劣化、損傷又は破壊を引き起こすことがある。フォイルトラップの回転に伴う遠心力によってプレーナフォイル部材の劣化、損傷又は破壊が進む可能性がある。バッファガスをフォイルトラップと併用する時にもバッファガスへの熱負荷は大きく、許容できないほど高いこともある。

[0009] 従って、フォイルトラップ及び／又はそのようなフォイルトラップと併用するバッファガスへの熱負荷を低減することが望ましい。

[0010] 本発明の一態様によれば、放射エミッタと、汚染物トラップと、コレクタと備える放射源であって、汚染物トラップが、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを備え、これらの磁気リングがフォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、放射源が提供される。

[0011] コレクタは、互いの内部に提供された複数の反射シェルを備え、第２の磁気リングは、コレクタの反射シェルに関連する。

[0012] 磁気リングの少なくとも１つを反射シェルに実質的に整列させることができる。

[0013] 反射シェルのうちの１つの反射シェルの終端縁と放射エミッタとの間に磁気リングの少なくとも１つを提供することができる。

[0014] 反射シェルの１つから延びるコレクタの影領域内に磁気リングの少なくとも１つを提供することができる。

[0015] コレクタは、放射エミッタからの放射を受け、その放射を焦点へ向けて反射するコレクタミラーを備えることができる。

[0016] 本発明の一態様によれば、ＥＵＶ放射源と、ＥＵＶ放射を調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、放射源が放射エミッタと、汚染物トラップと、コレクタとを備え、汚染物トラップが、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを備え、これらの磁気リングがフォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、リソグラフィ装置が提供される。

[0017] 本発明の一態様によれば、放射を放出する放射エミッタと、放射エミッタによって放出される放射を収集するコレクタと、放射エミッタによって放出される放射に平行に延びるような方向を向いた複数のプレーナ部材とを備え、複数のプレーナ部材の少なくとも１つがコレクタに接触している放射源が提供される。

[0018] 複数のプレーナ部材の大半がコレクタに接触していてもよく、又は複数のプレーナ部材のすべてがコレクタに接触していてもよい。

[0019] コレクタは、コレクタミラーを備えることができる。複数のプレーナ部材の少なくとも１つは、コレクタミラーに取り付けることができる。複数のプレーナ部材の少なくとも１つは、コレクタミラー内に提供された１つ又は複数のスリット内に位置してもよい。コレクタミラーは、１つ又は複数の開口を備えることができる。１つ又は複数の開口にガスを通すように配置することもできる。

[0020] コレクタは、複数の反射シェルを備えることができる。複数のプレーナ部材の少なくとも１つは、複数の反射シェルの１つ以上に取り付けることができる。

[0021] 複数のプレーナ部材の少なくとも２つは、異なる長さを有することができる。

[0022] 複数のプレーナ部材はフォイルでよい。

[0023] 複数のプレーナ部材は、汚染物トラップの少なくとも一部を形成することができる。

[0024] 複数のプレーナ部材及びコレクタは、組み合わせて、例えば、光軸を中心に回転可能であってよい。

[0025] 本発明の一態様によれば、本発明の上記一態様による放射源と、放射を調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0026] 本発明の一態様によれば、本発明の上記態様による放射源又はリソグラフィ装置を使用する方法であって、光軸を中心にコレクタ及び複数のプレーナ部材を組み合わせて回転させるステップを含む方法が提供される。

[0027] 以下、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら、もっぱら例示的な本発明の実施形態について説明する。

[0028] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。 [0029] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の詳細概略図である。 [0030] 本発明のある実施形態による図１のリソグラフィ装置の放射源の一部の概略図である。 [0030] 本発明のある実施形態による図１のリソグラフィ装置の放射源の一部の概略図である。 [0031] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。 [0032] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。 [0033] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。 [0033] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。 [0034] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。 [0034] 本発明のある実施形態による放射源の一部の概略図である。

[0035] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略示す。この装置１は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0036] 照明システムは、放射を方向付け、整形し、制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気又は他のタイプの光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0037] 支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を受ける。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置１の設計、及びパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた形でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気又は他のクランピング技術を用いてパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定するか可動式のフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造によって、例えば、投影システムに対してパターニングデバイスが確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書に記載する「レチクル」又は「マスク」という用語のいかなる使用も「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義と考えてよい。

[0038] 本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、例えば、基板のターゲット部分にパターンを生成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しないこともあることに留意されたい。例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合がこれにあたる。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能レイヤに対応する。

[0039] パターニングデバイスの例は、マスク及びプログラマブルミラーアレイを含む。マスクは、リソグラフィ分野で周知であり、通常、ＥＵＶ放射（又は超ＥＵＶ放射）リソグラフィ装置では反射型である。プログラマブルミラーアレイの一例は、各々が入射放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜を付けることができるマトリクス状に配置した小型ミラーを使用している。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。

[0040] 本明細書で使用する「投影システム」という用語は、任意のタイプの投影システムを含むものと広く解釈すべきである。普通、ＥＵＶ放射（又は超ＥＵＶ放射）リソグラフィ装置では光学要素は反射型である。しかし、その他のタイプの光学要素を使用してもよい。光学要素は真空内にあってもよい。本明細書での「投影レンズ」という用語のいかなる使用もより一般的な「投影システム」という用語と同義と考えてよい。

[0041] 本明細書に示すように、この装置１は、反射型（例えば、反射マスクを使用する）である。

[0042] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルを並列に使用することができ、又は１つ又は複数の他のテーブルで準備ステップを実行中に１つ又は複数のテーブルで露光を実行することができる。

[0043] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射ビームを受ける。この線源とリソグラフィ装置は別のエンティティであってもよい。そのような場合、線源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適した誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムの助けを借りて線源ＳＯからイルミネータＩＬまで伝送される。他の場合、線源は、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよい。線源ＳＯ及びイルミネータＩＬ、必要に応じてビームデリバリシステムを放射システムと呼んでもよい。

[0044] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えることができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳平面内の強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にはそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータ及びコンデンサのような種々の他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームＢが断面で所望の均一性と強度分布とを有するように放射ビームＢを調整するために使用することができる。

[0045] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。マスクＭＡに反射してから、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、このビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、線形エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索してから、又はスキャン中に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを用いて実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは違い）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータだけに結合してもよく、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて整列してもよい。図示の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間の空間内に配置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供されるケースでは、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。

[0046] 図示の装置１は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。

[0047] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち、単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光で結像するターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0048] ２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向）を決定する。

[0049] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に保たれてプログラマブルパターニングデバイスを保持する。放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用される。スキャン中、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は連続する放射パルスの間に、適宜、プログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0050] 上に述べた使用モードの組合せ及び／又はその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用してもよい。

[0051] 図２は、放射源ＳＯ、照明光学ユニットＩＬ，及び投影システム（図２ではＰＬとして示す）を含む装置１の詳細図を示す。放射源ＳＯは、放電プラズマを備えることができる放射エミッタ２を含む。ＥＵＶ放射は、超高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ放射範囲内で放射を放出するＸｅガス又はＬｉ蒸気などのガス又は蒸気によって生成することができる。超高温のプラズマは、電気放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸Ｏ上に崩壊させることで生成される。放射の効率的な生成には、分力が、例えば、１０ＰａのＸｅガス又はＬｉ蒸気又は他の任意の適切なガス又は蒸気が望ましい。いくつかの実施形態では、スズを使用することができる。放射エミッタ２によって放出される放射は、放射源チャンバ３を通過してコレクタチャンバ４に達する。

[0052] コレクタチャンバ４は、汚染物トラップ５とかすめ入射コレクタ６（矩形で概略を示す）を含む。コレクタ６を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ７で反射され、コレクタチャンバ４の開口の仮想放射源ポイント８に合焦する。コレクタチャンバ４から、放射ビーム９が照明光学ユニットＩＬ内で第１及び第２の垂直入射レフレクタ１０、１１を介してレチクル又はマスクテーブルＭＴ上に位置するレチクル又はマスク上に反射される。第１及び第２の反射要素１３、１４を介して基板テーブルＷＴ上に保持された基板（図示せず）上に投射光学システムＰＬ内に結像されるパターン付ビーム１２が形成される。照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＬには、普通、図に示す以上の要素を備えることができる。

[0053] 図３は、かすめ入射コレクタ６及びそれに関連する汚染物トラップ５の概略断面図を示す。ＥＵＶ放射及び荷電粒子が放射する放射エミッタ２も図３に示されている。かすめ入射コレクタ６は、例えば、Ｒｕコーティングを施したＮｉから形成される６つのシェル１５を備える。各シェル１５の放射状の内側表面は、ＥＵＶ放射を反射する。６つのシェル１５が示されているが、任意の適した数のシェルを使用することができる。

[0054] 各シェルは、断面が円形で、シェルは、放射エミッタ２（点線２０で示される）を通過する軸と同軸に配置されている。シェルは、組み合わさって放射エミッタ２に最も近いかすめ入射コレクタ６の端部の５つの環状の開口１６を画定する。放射エミッタ２によって生成されるＥＵＶ放射は、開口１６に進入しシェルによって画定される導管１７を通過することができる（各導管は放射状の外部のシェル１５の放射状の内部表面と放射状の内部シェル１５の放射状の外部表面によって画定される）。

[0055] 各シェル１５は、断面が円形であるが、シェルは円筒形ではない。例えば、各シェルは、通常、実質的に双曲線形状を有し放射エミッタ２の全体の方向に内側へテーパする第１の部分１８ａと実質的に楕円形の形状を有する第２の部分１８ｂとを含む。各シェル１５の第１の部分１８ａは、全体として放射エミッタ２に向かってテーパしているが、放射エミッタに直接向かわず、放射エミッタを超えたある位置に向かう。図を見やすくするために、シェルの第１及び第２の部分１８ａ、ｂは、図３では曲線ではなく直線で示されている。

[0056] シェル１５の形状の効果として、放射エミッタ２から移動するＥＵＶ放射は、所与のシェル１５の第１の部分１８ａの放射状の内部表面に入射する。放射は、シェル１５の第１の部分１８ａの放射状の内部表面から反射し、シェルの第２の部分１８ｂの放射状の内部表面に向かう。放射はこの表面から反射し、それ以上反射することなくこのシェルによって形成された導管１７及び隣接するシェルを通過する。次に、ＥＵＶ放射は、かすめ入射コレクタを抜け、格子スペクトルフィルタ７に入射する（図２を参照）。

[0057] 各シェル１５は、有限の厚みを有する。すなわち、放射エミッタ２に最も近い各シェル１５の端部で、シェルは、終端縁１９を有する。シェルの終端縁１９に入射するＥＵＶ放射は、かすめ入射コレクタ６には入射しない。従って、このＥＵＶ放射は、収集されずリソグラフィ装置によって使用されない。

[0058] かすめ入射コレクタ６は、有限の放射状範囲を有し、特定の角度範囲内に収まる放射エミッタ２からの放射だけを捕集することができる。最も外側のシェル１５の終端縁１９は、放射エミッタ２と組み合わさって、その外側ではかすめ入射コレクタ（図３に破線２１ａで示す）によって放射が収集されない外側円錐軌道を画定する。

[0059] 最も内側のシェル１５は、放射エミッタ２と組み合わさって、その内部ではかすめ入射コレクタ（図３に破線２１ｂで概略示す）によって放射が収集されない内側円錐軌道を画定する。

[0060] 汚染物トラップ５は、放射エミッタ２とかすめ入射コレクタ６との間に提供される。汚染物トラップ５は、外側円錐軌道２１ａの外側の実質的に環状の断面の外部磁石２２を備える。汚染物トラップ５は、また内側円錐軌道２１ｂの内側の実質的に円形又は環状の断面の内部磁石２４を備える。いくつかの例では、内部磁石を含まない汚染物トラップ５を提供することができる。汚染物トラップ５は、実質的に環状の断面の５つの中間磁石２３の組をさらに備える。中間磁石２３の各々は、かすめ入射コレクタ６の特定のシェル１５に関連する。

[0061] 外部磁石２２、中間磁石２３及び内部磁石２４は、組み合わさって汚染物トラップ５内に磁界を確立する。図３で、各磁石２２〜２４は、暗い側と明るい側とを有する。これらは、磁石の磁化の方向（極）を示すためのものである。暗い側は磁石の北極、明るい側は磁石の南極を表す。磁石は、所与の磁石の北極が隣接する磁石の南極を向くように配置される。磁石によって生成される磁界の磁界線は、磁石から磁石へと通過し、それにより汚染物トラップ５内に磁界を確立する。磁石は、逆の向きに設けることができることを理解されたい（すなわち、暗い側は磁石の南極、明るい側は磁石の北極を表してもよい）。

[0062] ５つの中間磁石が示されているが、任意の適した数の中間磁石を使用することができる。

[0063] 図４は、前方から見た磁石２２〜２４の概略図を示す。磁石によって確立される磁界の磁界線は、破線２５によって概略が示されている。磁界線は、内部磁石２４から外部磁石２２へ向かって外側に放射状に延びている。

[0064] 汚染物トラップ５内には、複数のプレーナフォイル部材２６が提供される。フォイル部材２６は、放射エミッタ２からＥＵＶ放射の移動方向に平行に、中間磁石２３に垂直に配置されている。フォイル部材２６は、隣接する中間磁石２３の間に延び、中間、内部、及び外部磁石２２〜２４によって支持される。フォイル部材２６は、実質的に放射状に延びることができる。フォイル部材２６は、約３０ｍｍの軸長を有するが、フォイル部材は、約５ｍｍから約２００ｍｍの間の任意の適した長さでよく、より望ましくは、約１５ｍｍから約４０ｍｍの間でよいことを理解されたい。図４は、放射状に隣接したフォイル部材２６を放射状に整列した形で示しているが、それらをこのように整列する必要はない。例えば、放射状に隣接したフォイル部材２６を互いに放射方向にオフセットするようにすることもできる。

[0065] 図３を再度参照すると、各中間磁石２３は、かすめ入射コレクタ６のシェル１５に関連する。各中間磁石は、シェル１５に実質的に整列する（これは中間磁石の位置についてであり、向きについてではない−中間磁石がシェルと同じ方向を向いているという意味ではない）。各中間磁石２３は、かすめ入射コレクタ６のシェル１５の終端縁１９に実質的に整列する外縁２３ａを有する。各中間磁石２３は、放射エミッタ２の方向に向け、そのため、中間磁石の内面及び外面は、放射エミッタによって放出される放射の移動方向に実質的に平行になっている。各中間磁石２３は実質的に環状で、環状の円錐台形状をしていると言ってもよい。別の方法としては、各中間磁石２３の形状と位置は、各中間磁石２３が環状の円錐容積内に実質的に収まり、円錐容積のポイントが放射エミッタ２によって画定され、環状の円錐容積の環状の底部がかすめ入射コレクタ６の対応するシェル１６の終端縁１９によって画定されると表現してもよい。

[0066] 各中間磁石２３の形状と位置は、所与の中間磁石２３に入射するＥＵＶ放射（又はＥＵＶ放射のかなりの部分）が中間磁石２３がなければ対応するシェル１５の終端縁１９に入射していたはずの形状と位置である。従って、終端縁１９に関連し、これに隣接する中間磁石２３を提供することは、かすめ入射コレクタ６によって収集されるＥＵＶ放射の量を大幅に低減しない。可能な限り多くのＥＵＶ放射をリソグラフィ装置の基板テーブルＷＴ上に向ける（図１を参照）ことが望ましいため、このことは有利であり、基板を迅速に露光することができる。

[0067] 磁石２２〜２４は、サマリウムコバルト（ＳｍＣｏ）を備えることができる。別の方法としては、磁石２２〜２４は、任意の適当な材料（例えば、適当なキュリー温度を備え水素損傷への適当な耐性がある材料）を備えることができる。磁石２２〜２４はコバルト、鉄、又はニッケルなどの強磁性の材料を備えることができる。磁石のすべてが永久磁石であることは必須ではない。例えば、中間磁石２３のいくつかは、永久に磁化されてはいない材料を含むことができる。それでも、その材料は、汚染物トラップの他の磁石によって生成される磁界を集中させるのを助けるという点で有利な効果をもたらす。少なくとも磁石の一部は電磁石である。例えば、内部及び外部磁石２２、２４は電磁石であってもよい。

[0068] 外部磁石２２は、任意の適した環状厚さであってもよく、その厚みは、望ましくは、約０．５ｍｍ〜約５０ｍｍ、より望ましくは、約１０ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲内である。中間磁石２３の環状厚みは、望ましくは、かすめ入射コレクタ６のシェル１５の終端縁１９の厚みに等しいか又はそれより小さい。例えば、中間磁石２３の環状厚みは、約０．５ｍｍ〜約５ｍｍの範囲内でよく、より望ましくは、約１ｍｍ〜約３ｍｍの範囲内である。内部磁石２４の厚みは、望ましくは、約０．５ｍｍ〜約５０ｍｍ、より望ましくは、約１０ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲内である。

[0069] かすめ入射コレクタ６に向かって汚染物トラップ５を通過するＥＵＶ放射は、その向きが放射の移動方向に平行であるためにフォイル部材２６の影響が最小限で済む。磁界がない場合、放射エミッタ２からの荷電粒子もフォイル部材２６によって最小限の影響を受ける。これは、汚染物の移動方向がフォイル部材の移動方向と同じであるからである。しかし、汚染物トラップ全体にわたって磁石２２〜２４によって確立された磁界によって汚染物の各荷電粒子にローレンツ力が作用し、汚染物トラップに進入する荷電粒子の軌道が変更される。荷電粒子の軌道は、荷電粒子の移動方向に垂直で磁界の方向に垂直な方向に曲げられる。荷電粒子の変更された軌道によって粒子はフォイル部材２６に向かって移動し、フォイル部材２６に入射する。これによって荷電粒子は、汚染物トラップ５によって捕集され、かすめ入射コレクタ６には到達しない。従って、荷電粒子は、かすめ入射コレクタ６を損傷できない。

[0070] 中間磁石２３を提供することで汚染物トラップ５内の磁界強度が増大し、荷電粒子を捕集する中間磁石２３の能力が増大する（中間磁石２３がない場合に提供される磁界と比較して）。中間磁石２３は、汚染物トラップ内で内部及び外部磁石２４及び２２によって生成される磁界を集中させるのを助ける。

[0071] 本発明のある実施形態を図５に示す。図３及び図４の実施形態のフィーチャに対応する図５の実施形態のフィーチャには対応するが、１００だけ増えた参照数字が付与されている。

[0072] 図５は、汚染物トラップ１０５、かすめ入射コレクタ１０６及び放射エミッタ１０２の概略断面図を示す。第１の実施形態のようにかすめ入射コレクタ１０６と放射エミッタ１０２の間に位置する代わりに、汚染物トラップ１０５の一部は、かすめ入射コレクタ１０６のシェル１１５内に提供される。

[0073] 上記のように、シェル１１５は、各々放射エミッタ１０２を超えた位置に向けて内側にテーパする第１の部分１１８ａを含む。この効果として、放射エミッタ１０２から移動するＥＵＶ放射は、各シェル１１５の第１の部分１１８ａの放射状の内部表面に入射する。この構成の結果として、各シェル１１５の第１の部分１１８ａからそのシェルの第１の部分１１８の放射状の外部表面に隣接した領域１２５内に影が延びる。影になった領域は影領域(shadow area)１２５と呼ばれる。放射エミッタ１０２からかすめ入射コレクタ１０６へ移動するＥＵＶ放射は、影領域１２５を通過しない。従って、中間磁石１２３などの要素を影領域１２５内に配置してもコレクタ１０６によって収集されるＥＵＶ放射の量を大幅に減らさずに済む。

[0074] 汚染物トラップ１０５は、シェル１１５によって確立される影領域１２５内に提供される５つの中間磁石１２３を含む複数の磁石１２２〜１２４を備える。各中間磁石は、異なるシェル１１５の影領域１２５内に提供される。各中間磁石１２３は、断面が実質的に環状で、各々が対応するシェル１１５の第１の部分１１８ａの外部表面に接触しこれによって支持される内部表面を有する。所与の中間磁石１２３がそれを支持するシェル１１５に関連すると言ってもよい。各中間磁石１２３の外部表面は、対応するシェル１１５によって画定された影領域１２５の外にはみださない形状と寸法を備える。各中間磁石は、対応するシェルによって画定された影領域１２５を実質的に占有するような形状と寸法を備えることができる。

[0075] 影領域１２５内の利用可能な空間の量は、場合によって図３及び図４に示す実施形態の例よりも大きい中間磁石１２３を使用することができる大きさである。さらに、中間磁石１２３は、シェル１５の終端縁１９に整列する必要がないため、磁石のサイズと位置決めの許容差が拡大する。汚染物トラップ１０５の一部をかすめ入射コレクタ１０６内に提供することで、トラップ１０５とかすめ入射コレクタ１０６との相対位置は確実に一定であるように助けることができる。

[0076] 図５には示していないが、汚染物トラップ１０５は、汚染物を捕集する役目を果たす実質的に放射状に延びるフォイル部材を含むことができる。

[0077] 図３〜図５では、中間磁石２３、１２３は、最も外側のシェルを除き、かすめ入射コレクタ６、１０６の各シェル１５、１１５に関連する。しかし、場合によっては、シェルの一部は中間磁石を備えていなくてもよい。例えば、汚染物トラップは、外部磁石２２、１２２と、単一の中間磁石２３、１２３と、内部磁石２４、１２４とを備えることができる。別の方法としては、２つ以上の中間磁石を使用することもできる。一例では、中間磁石２３、１２３を１つおきのシェル１５、１１５に関連付けることができる。場合によっては、内部磁石２４、１２４を提供することは好ましくない。所与のコレクタに関して使用する磁石の配置は、そのコレクタ内に有することが望ましい磁界の強度に依存する。

[0078] 図３〜図５に示すかすめ入射コレクタ６、１０６は、６つのシェルを有するが、他の任意の適した数のシェルも使用することができる。

[0079] 本発明の実施形態の上記説明では、中間磁石２３、１２３をシェル１５、１１５に関連するものとして説明している。「関連する」という用語は、例えば、シェルに実質的に整列した、又はシェル１５から延びる影領域内にある中間磁石を含むことを意図している。

[0080] 本発明のある実施形態を図６に示す。図６は、垂直入射コレクタ２０６、汚染物トラップ２０５及び放射エミッタ２０２の概略断面図を示す。放射エミッタは、例えば、レーザビーム２０３によって気化されるスズの粒子を含むことができる。垂直入射コレクタ２０６は、楕円曲線コレクタミラー２０６ａを備える。放射エミッタ２０２は、曲線の第１の焦点に位置し、コレクタによって収集されるＥＵＶ放射の出力ポイント（図示せず）は曲線の第２の焦点に位置する。

[0081] コレクタミラー２０６ａは、有限の放射状範囲を有し、特定の角度範囲内に収まる放射エミッタ２０２からの放射だけを捕集することができる。コレクタミラー２０６ａの外縁は、放射エミッタ２０２と組み合わさってその外側ではコレクタミラー（図６に破線２１２ａで概略を示す）によって放射が収集されない外側円錐軌道を画定する。

[0082] コレクタミラー２０６ａは、レーザビーム２０３が放射エミッタ２０２に到達するための開口２０４を中心に備える。開口２０４は、放射エミッタ２０２と組み合わさってその内部では、コレクタミラー（図６に破線２２１ｂで概略を示す）によって放射が収集されない内側円錐軌道を画定する。

[0083] 汚染物トラップ２０５は、実質的に放射状に延びる複数のフォイル２２６と、放射状に延びる磁界を生成するように配置された複数の磁石２２２〜２２４とを備える。磁石は、形状が実質的に環状でコレクタミラー２０６ａによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する外部磁石２２２と、形状が実質的に円筒状でコレクタミラー２０６ａによって収集される放射の内側円錐軌道内に位置する内部磁石２２４とを備える。形状が実質的に環状の別の磁石２２３が内部及び外部磁石２２２、２２４の間に位置する。以下に中間磁石２２３と呼ぶこの別の磁石は、コレクタミラー２０６ａによって収集される放射の軌道内に位置する。

[0084] 中間磁石２２３は、汚染物がコレクタミラー２０６ａまでその中を進まなければならない放射状に延びる磁界を強化できるため、有利である。磁界のこの強化作用によって汚染物が放射状に延びるフォイル２２６上にそれるのを助ける。従って、中間磁石２２３は、中間磁石２２３が存在しなかった場合に捕集されなかったはずの汚染物の捕集を提供する。

[0085] いくつかの実施形態では、内部磁石２２４を提供することは望ましくない。

[0086] 中間磁石２２３は、一定のＥＵＶ放射を阻止するため、一定のＥＵＶ放射は、コレクタミラー２０６ａに到達できない。また中間磁石２２３は、コレクタミラー２０６ａに入射し垂直入射コレクタの出力に向けて反射した一定のＥＵＶ放射を阻止することができる。これによって、リソグラフィ装置の後続部分へ移動するＥＵＶ放射の量が低減する。しかし、この潜在的な欠点は、場合によっては、中間磁石２２３が提供することができる改良型汚染物捕集性能によって補償できる限界を超えていると考えられる。

[0087] 中間磁石２２３によって阻止されるＥＵＶ放射の量を制限することが望ましい。これを達成する１つの方法は、中間磁石２２３の適切な形状を選択する方法である。例えば、中間磁石を細長くして（すなわち、長辺と短辺とを有して）、それによって、ＥＵＶ放射に比較的幅の狭い断面を提示することができる。中間磁石は、放射が放射エミッタ２０２から放出される方向に実質的に平行の向きの、又は放射が放コレクタミラー２０６ａから中間焦点へ反射する方向に実質的に平行な、又はこれらの２つの方向の間の任意の方向に平行な長辺を有することができる。中間磁石２２３によって阻止されるＥＵＶ放射の量を制限できる別の方法は、中間磁石をコレクタミラーの外側よりもコレクタミラー２０６ａの中心の近くに配置する方法である。中心から遠い位置よりもコレクタミラー２０６ａの中心に近い位置の方が収集されるＥＵＶ放射の量は少ない。中間磁石は、例えば、コレクタミラーの中心と外側との距離の約５０％未満の位置、コレクタミラーの中心と外側との距離の約４０％未満の位置、またコレクタミラーの中心と外側との距離の約３０％未満の位置にあってよい。

[0088] 放射状に延びるフォイル２２６の程度は、コレクタミラー２０６ａの程度に対応させて、放射状に延びるフォイルは、中心軸で収束せずコレクタミラーの開口２０４で収束するようにすることができる。

[0089] 放射状に延びるフォイル２２６は、軸を中心に回転するように配置することができる（軸はフォイルの放射状の延伸方向に対応させることができる）。この場合、磁界は、望ましくは、回転対称で、フォイル内で発生する電磁誘導を制限する。

[0090] 本発明の実施形態の磁石によって生成される磁界は、望ましくは、荷電粒子汚染物の移動方向に実質的に垂直な実質的に放射状のコンポーネントを備える。しかし、この磁界は、他の方向を向いたコンポーネントを含むことができる。磁界は、荷電粒子を捕集するように意図されたフォイルに向けて荷電粒子を偏向するように配置すべきである。

[0091] 環状又は円筒形の永久磁石は、特に磁化の方向が放射状である時には一体で製造することが困難である。従って、外部磁石２２、１２２、２２２、中間磁石２３、１２３、２２３及び／又は内部磁石２４、１２４、２２４は、共に所望の磁界を生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを備えることができる。各セグメントは独立した磁石であってもよい。

[0092] 環状磁石という用語は、例えば、環状の磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。同様に、円筒形磁石という用語は、例えば、円筒形の磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。磁石について使用する環状円錐台形状という用語は、例えば、環状の円錐台形状を有する磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。

[0093] 環状の磁石、円筒形の磁石及び環状の円錐台磁石は、磁石リングの例と考えられる。磁石リングは、所望の磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有するセグメントから製造することができる。磁界は、例えば、環状の磁石、円筒形の磁石又は環状の円錐台磁石によって提供されるはずの磁界に似ていてもよい。各セグメントは、異なる磁石であってもよい。

[0094] 本発明の実施形態によって提供される汚染物の捕集は、バッファガスの使用などを含む他の汚染緩和方法によって補足されてもよい。本明細書に記載する本発明の実施形態に加えて回転式フォイルトラップを使用してもよい。

[0095] 上記のように、フォイルトラップ及び／又はそのようなフォイルトラップと併用されるバッファガスのプレーナフォイル部材への熱負荷は許容できないほど高い場合がある。従って、この熱負荷を低減したいという要望がある。熱負荷を低減するには、フォイルトラップのプレーナフォイル部材を冷却しなければならない。プレーナフォイル部材は薄いため、プレーナフォイル部材内に、例えば、流体を流す流路などの能動的冷却システムを含ませることは困難である場合がある。

[0096] 本発明のある実施形態によれば、コレクタ及びフォイルトラップは、フォイルトラップの１つ又は複数のプレーナフォイル部材がコレクタに接触するように配置される。接触は直接的であってもよい。例えば、フォイルトラップのプレーナフォイル部材をコレクタに直接取り付けてもよい。接触は非直接的であってもよい。例えば、フォイルトラップのプレーナフォイル部材を締結具（ねじ、ボルト、又は接着剤など）を介してコレクタに取り付けてもよい。フォイルトラップのプレーナフォイル部材内の熱は、熱をコレクタに導通させることでより容易に放散する。同様に、プレーナフォイル部材の近くにあるバッファガスもフォイル部材とコレクタとを通して熱を放散する。コレクタは、例えば、流体流路冷却システムを使用して能動的に冷却でき、プレーナフォイル部材からの熱の放散をさらに促進する。本発明の特定の実施形態について以下に説明する。

[0097] 図７ａは、図６と同じ垂直入射コレクタ２０６、汚染物トラップ２０５（すなわち、フォイルトラップ）及び放射エミッタ２０２の概略断面図を示す。図６に示し同図に関して説明したフィーチャは、図７ａで同じ参照数字を付与されている。しかし、図６とは対照的に、図７ａは、コレクタ２０６が汚染物トラップ２０５のプレーナフォイル部材２２６に接触している状態を示す。特に、図７ａは、コレクタミラー２０６ａが汚染物トラップ２０５のプレーナフォイル部材２２６に接触している状態を示す。プレーナフォイル部材２２６内の熱は、コレクタミラー２０６ａを通る導通を介して放散でき、これによってプレーナフォイル部材２２６への熱負荷を低減することができる。

[0098] プレーナフォイル部材２２６は、放射エミッタ２０２（すなわち、放射の放出ポイント）に関して放射状に並ぶように整列し、従って、プレーナフォイル部材２２６は、放射エミッタ２０２から放出される放射を可能な限り少なく覆い隠す。言い換えれば、プレーナフォイル部材２２６は、放射の移動方向に平行な方向を向いている。

[0099] フォイル部材２２６は、任意の適した方法でコレクタ２０６に結合する（取り付ける）ことができる。一例では、コレクタ２０６内にスリットが提供される（例えば、コレクタミラー２０６ａを形成するために反射コーティングが提供される前に）。スリットは、例えば、レーザカッティング装置を使用して、又は放電加工によって提供することができる。次に、プレーナフォイル部材２２６がスリットに挿入され、半田付けなどによってコレクタ２０６の背面（すなわち、非反射側）に固定される。そのような構成によって、コレクタ２０６によって収集（又は言い換えれば、反射）可能な放射の量をほとんど又は全く低減させることなく、プレーナフォイル部材２２６とコレクタ２０６との良好な熱接触が確保される。これは、スリットが提供されなかったとしても、スリットが提供されるコレクタ２０６の領域は、プレーナフォイル部材２２６の存在によって放射を反射することがないためである。

[0100] プレーナフォイル部材２２６への熱負荷のさらなる低減（又は、言い換えれば、プレーナフォイル部材２２６のさらなる冷却）は、コレクタ２０６を能動的に冷却することで達成することができる。例えば、流体を搬送する流路をコレクタ２０６内又はコレクタ２０６の背面に形成することができる。コレクタ２０６から、すなわち、プレーナフォイル部材２２６から熱を吸収して除去するために、水などの流体を流路に通すことができる。

[0101] 上記のように、バッファガスをプレーナフォイル部材２２６と併用して汚染物の捕集を改善することができる。図７ｂは、図７ａに示し同図に関して説明した垂直入射コレクタ２０６の端面図を示す。図７ｂは、開口２０６ｂがコレクタミラー２０６ａ内に備えられることを示す。開口２０６ｂを介して、バッファガスをコレクタ２０６の背面側からプレーナフォイル部材２２６の間に挿入することができる。

[0102] プレーナフォイル部材は、プレーナフォイル部材２２６の間に大幅な圧力低下を発生させるように適当な位置に置くことができる。大幅な圧力低下によって、ガスを用いて粒子が捕集される、又はフォイルトラップを用いてガスが冷却されるフォイルトラップ内のガスの大部分が保持される。

[0103] プレーナフォイル部材２２６は、それぞれ長さが違っていてもよい（長さはコレクタミラー２０６ａの中心から外側へ向かって測定される）。例えば、プレーナフォイル部材２２６がすべてコレクタミラー２０６ａの周囲からコレクタミラーの開口２０４まで延びている場合、開口２０４を取り巻く領域内のプレーナフォイル部材２２６の密度は、その領域から反射する放射の強度が大幅に低減する程度であってよい。従って、フルレングスのフォイル部材の間にハーフレングスのフォイル部材を追加してもよい。長さが異なるプレーナフォイル部材を使用することで、コレクタミラー２０６ａの表面全体により均一で平均的なフォイル空間を達成することができる。例えば、任意の適当な長さ（例えば、フルレングスプレーナフォイル部材２２６の３分の１又は６分の１）を有するプレーナフォイル部材２２６を提供してコレクタミラー２０６ａの表面全体に均一で平均的なフォイル空間を確立することができる。

[0104] 図８及び図９は、本発明のある実施形態の概略図を示す。図８は、図３と同じかすめ入射コレクタ６、汚染物トラップ５（すなわち、フォイルトラップ）及び放射エミッタ２の概略断面図を示す。図９は、汚染物トラップ５の端面図を示す。図３及び図４に示し同図に関して説明したフィーチャは、図８及び図９で同じ参照数字を付与されている。しかし、図３及び図４とは対照的に、図８及び図９は、コレクタ６が汚染物トラップ５のプレーナフォイル部材２６に接触している状態を示す。特に、図８及び図９は、コレクタ６のシェル１５が汚染物トラップ５のプレーナフォイル部材２６に接触している状態を示す。プレーナフォイル部材２６内の熱（及びプレーナフォイル部材２６の近くのバッファガス）は、コレクタシェル１５を通る導通を介して放散することができ、これによってプレーナフォイル部材２６への熱負荷を低減することができる。

[0105] いくつかの実施形態では、コレクタの表面は、例えば、ガスを用いてクリーニングされる。そのような実施形態では、上記フォイルトラップは、汚染物を捕集する必要がない。そのような実施形態では、このフォイルトラップをトラップと考えなくてもよい。例えば、汚染物の捕集が望まれない実施形態では、フォイルトラップは、冷却部材の働きをしてもよい。プレーナ部材は、フォイル以外の材料、例えば、フォイルと考えるには厚すぎる１つ又は複数の金属レイヤから形成してもよい。従って、一般に、上記プレーナフォイルトラップ部材は、放出ポイントに関して放射状に整列するように並ぶプレーナ部材としてより総称的に記述でき、従って、プレーナ部材は、放出ポイントから放出される放射を可能な限り少なく覆い隠す。言い換えれば、プレーナフォイル部材は、放射の移動方向に平行な方向を向いている。

[0106] コレクタが放出ポイントに関して放射状に整列するプレーナ部材に取り付けられているいくつかの用途では、コレクタ及びプレーナ部材を（組み合わせて）光軸を中心に回転させることが望ましい。これは、プレーナ部材によって引き起こされる影（又は言い換えれば遮断又は不明瞭化）が収集角度全体にわたって平均化されるためである。コレクタ及びプレーナ部材の構成は、例えば、コレクタのクリーニングにガスが使用され、プレーナ部材が汚染物トラップとして稼働していない時に回転させることができる。これは、回転時に引き起こされる遠心力によってプレーナ部材から汚染物が再び放出されるリスクがないためである。

[0107] いくつかの例では、図７及び図９に示し同図に関して説明した磁石のすべて又はいずれかを提供することは望ましくない。図７及び図９に示し同図に関して説明した原理はそのような磁石の組み込みに依存しない。

[0108] いくつかの実施形態では、プレーナ部材のすべてがコレクタに接触しているわけではない。しかし、プレーナ部材への熱負荷を低減するために、プレーナ部材の大部分がコレクタに接触していることが望ましく、さらにプレーナ部材のすべてがコレクタに接触していることが望ましい。

[0109] 従来のかすめ入射コレクタ及び従来の垂直入射コレクタに関連して本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はその他の形態のコレクタにも適用することができる。これは、図示されたかすめ入射コレクタと同様の構造を有するが入射角がすべてかすめ入射角ではないコレクタを含む。例えば、場合によって、コレクタは、大きい収集角度（例えば、光軸から７０°を超えた角度）で収集を行うことができる。この場合、コレクタの外部シェルの反射角が大きすぎるため、外部シェルを多層反射コーティングで被膜することが有利であろう。そのようなコレクタは、最も厳密な意味ではかすめ入射コレクタとは呼べない。さらに、放射源と放射が１回通過する第１の反射との間に一般にある容積が存在する２つのほぼ垂直入射の反射に基づくコレクタ設計が存在する。上記細長い形状の磁石リングがこの容積内に配置されると、それらは一方向に通過する放射だけを（図６に関する上記実施形態による二方向に通過する放射ではなく）覆い隠す。従って、それらが放射を覆い隠す程度は低減される。

[0110] 本発明の実施形態は、材料の小滴を用いる放射源に限定されない。本発明のある実施形態は、例えば、材料の小滴ではなくガスからプラズマを生成することができる。これらは、両方共にプラズマ生成物質の例であると考えられる。

[0111] 本発明の実施形態についての上記説明はＥＵＶ放射を生成する放射源に関するものであるが、本発明は、また、"beyond EUV"（超ＥＵＶ」放射、すなわち、波長が１０ｎｍ未満の放射を生成する放射源にも実施することができる。超ＥＵＶ放射は、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有することができる。超ＥＵＶ放射を生成する放射源も上記放射源と同じ方法で動作できる。

[0112] 上記説明は、例示としてのものであって限定するものではない。それ故、添付の請求の範囲から逸脱することなく本発明をさまざまに変更することができることは当業者には明らかであろう。

Claims (15)

1. 放射を放出する放射エミッタと、
   前記放射を収集するコレクタと、
   前記放射エミッタによって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップであって、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、前記コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、前記コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを備える汚染物トラップとを備え、前記磁気リングが前記フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、放射源。
2. 前記コレクタが、互いの内部に提供された複数の反射シェルを備え、前記第２の磁気リングが、前記コレクタの反射シェルに関連する、請求項１に記載の放射源。
3. 前記汚染物トラップが、前記コレクタの別の反射シェルに関連する第３の磁気リングをさらに備える、請求項２に記載の放射源。
4. 前記汚染物トラップが、前記コレクタの前記反射シェルの少なくとも半数に関連する磁気リングを備える、請求項３に記載の放射源。
5. 前記磁気リングの少なくとも１つが、反射シェルに実質的に整列する、請求項２又は３に記載の放射源。
6. 前記反射シェルのうちの１つの反射シェルの終端縁と前記放射エミッタとの間に前記磁気リングの少なくとも１つが提供される、請求項２から５のいずれか１項に記載の放射源。
7. 前記磁気リングの内面及び外面が前記放射エミッタによって放出される放射の移動方向に実質的に平行になるように、前記少なくとも１つの磁気リングが放射エミッタの方に向けられる、請求項６に記載の放射源。
8. 前記磁気リングのうちの少なくとも１つが、前記反射シェルの１つから延びる影領域内の前記コレクタに提供される、請求項２から７のいずれか１項に記載の放射源。
9. 前記フォイルが、前記コレクタの前記反射シェル間に提供される、請求項２から８のいずれか１項に記載の放射源。
10. 前記コレクタが、前記放射エミッタの放射を受け、前記放射を焦点へ向けて反射するコレクタミラーを備える、請求項１に記載の放射源。
11. 前記第２の磁気リングが、前記放射が前記放射エミッタから放出される第１の方向に平行な方向の長さが前記第１の方向に垂直な第２の方向の長さよりも長い、請求項１０に記載の放射源。
12. 前記第２の磁気リングが、前記コレクタミラーの外側よりも前記コレクタミラーの中心の近くにある、請求項１０又は１１に記載の放射源。
13. 前記第２の磁気リングが、前記コレクタミラーの中心と外側との距離の約５０％未満の位置にある、請求項１０又は１１に記載の放射源。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射源と、
    前記放射を放射ビームに調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
    を備えるリソグラフィ装置。
15. 放射源であって、
    放射を放出する放射エミッタと、
    前記放射を収集するコレクタと、
    前記放射エミッタによって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップであって、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、前記コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、前記コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを備える汚染物とラップとを備え、前記磁気リングが前記フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、放射源と、
    前記放射を放射ビームに調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
    を備えるリソグラフィ装置。

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