JP2009010389A - リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法、及び放射生成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射源から放射された放射から放射ビームを形成する放射システムを備える。放射システムは、放射源から発せられた物質捕捉する汚染物質トラップを備える。汚染物質トラップは、放射システムにおいて放射ビームが伝播しているときに放射源から発せられた物質を受けるよう放射ビーム経路に配列された汚染物質捕捉面を備える。放射システムは、汚染物質トラップを液体スズで冷却する液体スズ冷却システムを備える。リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持部と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、を備える。
【選択図】図2
Description
Claims (28)
- 放射源から放射された放射から放射ビームを形成する放射システムであって、
放射システムにおいて放射ビームが伝播しているときに放射源から発せられた物質を受けるよう放射ビーム経路に配列された汚染物質捕捉面を備え、放射源から発せられた物質を捕捉する汚染物質トラップと、
汚染物質トラップを液体スズで冷却する液体スズ冷却システムと、を備える放射システムと、
放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持部と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの温度を調整することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの静止部の内部に設けられた液体スズ閉回路を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの静止部の内部に液体スズ供給流路を備え、該供給流路は、汚染物質トラップの回転部へと延びており該回転部の外表面に液体スズを供給することを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記表面は箔に形成されており、液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの回転部に設けられた箔の先端に沿う戻り経路をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記表面は箔に形成されており、液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの回転部に設けられた箔に埋め込まれている戻り経路をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの回転部を直接冷却する液体スズ準開回路を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体スズ冷却システムは、汚染物質トラップの回転部に噴霧するスプレー端を有する外部供給流路を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記表面は箔に形成されており、前記スプレー端は、汚染物質トラップの回転部に設けられた箔の近傍に設けられていることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 汚染物質トラップの近傍に設けられた気体供給口及び加熱素子をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- ラジカルまたはプラズマを生成するユニットをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 汚染物質トラップの外表面は、低酸化速度の最上層を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記最上層は金を含むことを特徴とする請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記表面は、実質的に多孔質の部分を有する箔に形成されており、液体スズ供給流路は、該箔の多孔質部分に端部を有することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 放射源から放射された放射から放射ビームを形成する放射システムであって、
放射システムにおいて放射ビームが伝播しているときに放射源から発せられた物質を受けるよう放射ビーム経路に配列された汚染物質捕捉面を備え、放射源から発せられた物質を捕捉する汚染物質トラップと、
汚染物質トラップを液体スズで冷却する液体スズ冷却システムと、を備えることを特徴とする放射システム。 - 汚染物質捕捉表面を備える汚染物質トラップを使用して、放射源により放射された放射ビームに該表面を配列することにより、放射源から発せられた物質を捕捉し、
汚染物質トラップを液体スズで冷却し、
放射ビームを調整し、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成し、
パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 汚染物質トラップが設けられているチャンバに滴下した液体スズを回収し、回収された液体スズを汚染物質トラップの冷却に再使用することをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 液体スズ冷却システムの冷却回路において液体スズを再生することをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 表面濡れ性を向上させる前処理を汚染物質トラップの外表面にすることをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記前処理は前記外表面を加熱することを含む請求項19に記載の方法。
- 前記外表面の加熱は水素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記前処理は汚染物質トラップの近傍にラジカルまたはプラズマを導入することを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記プラズマは酸素プラズマであることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記前処理は低酸化速度の最上層で該表面をコーティングすることを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記最上層は金を含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記最上層は液体スズへの溶解度が約0.05%未満であることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記最上層は液体スズへの溶解度が約0.005%未満であることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 汚染物質捕捉表面を備える汚染物質トラップを使用して、放射源により放射された放射ビームに該表面を配列することにより、放射源から発せられた物質を捕捉し、
汚染物質トラップを液体スズで冷却することを含むことを特徴とする放射生成方法。
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