JP2007005124A - 極端紫外光光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】容器1と、容器1内に錫および/または錫化合物、またはリチウムおよび/またはリチウム化合物を含む原料を供給する原料供給手段10と、容器1内に供給された原料を放電により加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段7と、プラズマから放射された極端紫外光を集光するように容器1内に配置された集光光学手段13と、集光された極端紫外光を取り出す光出射部14と、加熱・励起手段7と集光光学手段13との間に設けられるデブリトラップ15とを備える極端紫外光光源装置において、デブリトラップ15は、冷却媒体により冷却されるリング状の支持体と、上記支持体の内側に、この支持体に支持され、放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記支持体と上記プレートとの間に断熱手段を設けた。
【選択図】 図1
Description
EUV光源装置において、EUV光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの1つにEUV放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるEUV光を取り出す方法がある。
LPP方式EUV光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットにパルスレーザを照射することによって発生する高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
一方、DPP方式EUV光源装置は、電流駆動によって生成された高密度高温プラズマから放射されるEUV光を利用するものである。
このDPP方式EUV光源装置は、容器内に、リング状の第1の主放電電極(カソード)と第2の主放電電極(アノード)とがリング状の絶縁材を挟んで配置されている。また、容器は、導電材で形成された第1の主放電電極側の第1の容器と、同じく導電材で形成された第2の主放電電極側の第2の容器とから構成されている。これらの第1の容器と第2の容器とは、絶縁材により分離、絶縁されている。ここで、第2の容器と第2の主放電電極とは接地されている。
第1の主放電電極、第2の主放電電極、および絶縁材がDPP方式のEUV光発生部を構成している。なお、DPP方式EUV光源装置は、図5に示すもの以外にも、非特許文献1にも記載されているように、様々な構成例がある。
デブリトラップとして、ガスカーテンと呼ばれるガスを流す方法や、ホイルトラップと呼ばれる構造体を設ける方法、その両者を組み合わせる方法等が提案されているが、ここでは、ホイルトラップに着目すると、ホイルトラップについては、例えば、特許文献2に「フォイル・トラップ」として記載されている。
ガス供給ユニットより第1の容器側に設けられたガス導入口を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、EUV光発生部の高密度高温プラズマ発生部で波長13.5nmのEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、スタナン(SnH4)が用いられる。導入されたスタナン(SnH4)は容器内を流れて、第2の容器側に設けられたガス排出口に到達する。ガス排出口に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
接地されている第2の容器および第2の主放電電極と、第1の容器および第1の主放電電極間に、高電圧パルス発生部からおよそ+20kV〜−20kVの高電圧パルス電圧が印加されると、絶縁材表面に沿面放電(creeping discharge)が発生して第1の主放電電極と第2の主放電電極間が実質上、短絡状態になり、第1の主放電電極と第2の主放電電極間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってリング状の第1、第2の各主放電電極間の高密度高温プラズマ発生部に、高密度高温プラズマが発生し、このプラズマから波長13.5nmのEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、第2の容器内に設けられたEUV集光鏡により反射され、例えば、波長13.5nmのEUV光を選択する波長選択手段(例えば、光学フィルタ)を備える光出射部より露光機側光学系の照射部(不図示)に出射される。
発明者らが実験したところによれば、放射種として錫(Sn)、すなわち錫(Sn)および/または錫(Sn)化合物を含む原料、例えば、スタナン(SnH4)を使用した場合、上記の引用文献2に示されるような、プレートが冷却されるような構造においては、錫(Sn)および/または錫(Sn)化合物(例えば、錫(Sn)の炭化物、酸化物等)が、デブリトラップのプレートに堆積してしまい、これがEUV光の通過を遮るという問題が生じた。
なお、EUV放射種である錫(Sn)の供給方法としてプラズマ生成領域にスタナン(SnH4)を導入する場合のみならず、Sn2H6等他の高蒸気圧錫水素化物を用いた場合も同様の不具合が起こることは言うまでもない。
また、放射種としてリチウム(Li)、すなわち、リチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を使用した場合も、同様の不具合が起きる可能性が考えられる。
第1の手段は、容器と、この容器内に錫(Sn)および/または錫(Sn)化合物、またはリチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内に供給された原料を放電により加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記プラズマから放射された極端紫外光を集光するように上記容器内に配置された集光光学手段と、集光された上記極端紫外光を取り出す光出射部と、上記加熱・励起手段と集光光学手段との間に設けられるデブリトラップとを備える極端紫外光光源装置において、上記デブリトラップは、冷却媒体により冷却されるリング状の支持体と、上記支持体の内側に、この支持体に支持され、放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記支持体と上記プレートとの間に断熱手段が設けられていることを特徴とする極端紫外光光源装置である。
図1は、本実施形態の発明に係るDPP方式EUV光源装置の構成を示す断面図である。
同図において、1は容器、2は容器1を構成する第1の容器、3は容器1を構成する第2の容器、4はリング状の第1の主放電電極(カソード)、5はリング状の第2の主放電電極(アノード)、6はリング状の絶縁材、7は高密度高温プラズマ発生部、8は高密度高温プラズマ、9は第1の主放電電極4および第2の主放電電極5間に接続された高圧パルス発生部、10は(錫)Snおよび/または(錫)Sn化合物、またはリチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を供給するガス供給ユニット、11はガス導入口、12はガス排出口、13はEUV集光鏡、14は光出射部、15はデブリトラップ、16はデブリトラップ15を冷却する水冷装置、17は水冷配管である。
ガス供給ユニット10より第1の容器2側に設けられたガス導入口11を介して放電用ガスが導入される。この放電用ガスは、EUV発生部の高密度高温プラズマ発生部7で波長13.5nmのEUV光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、例えば、スタナン(SnH4)である。導入されたスタナン(SnH4)は容器1内を流れて、第2の容器3側に設けられたガス排出口12に到達する。ガス排出口12には、真空ポンプ等のガス排気手段を有するガス排気ユニット(不図示)が接続されている。すなわち、ガス排出口12に到達した放電用ガスは、ガス排気ユニットに備えられるガス排気手段により排気される。
同図において、18は内側のリング状の支持体(以下、内側リングという)、19は外側のリング状の支持体(以下、外側リングという)、20は厚さが約0.2mmの薄い板状のプレート、21は溝、22は冷却水通路、23,24は押え板、25,26は止めねじである。なお、その他の構成は図1に示す同符号の構成に対応する。
図4(a)は、両リング18,19の溝21に、セラミックス等の断熱材27または熱伝導の低い材料をプレート20が接触する面に設置したものである。なお、断熱材27または低熱伝導材料は、膜状のもので固定されていなくてもよい。
図4(b)は、接触面を少なくするために、両リング18,19の溝21にプレート20の一部分をギザギザに曲げて入れたものである。なお、同図においては、2度折り曲げていいるが、1度でもよい。
図4(c)は、接触面を少なくするために、両リング18,19の溝21に表面を粗く(サンドペーパー状)したプレート20を入れたものである。
図4(d)は、プレート20を固定するためには、両リング18,19に最低、3点の接触が必要となることから、同図に示すように、横の移動を制限する2つの支持点と、上への移動を制限する1つの支持点を有する円形状の溝21に、プレート20を入れ、最低限の支持点のみの接触により、低熱伝導の構造としたものである。
図4(e)は、両リング18,19の溝21の空間を5角形に形成し、その一辺を開放することにより、プレート20との接触点を少なくしたものである。これ以外にも、n角形(nは6以上の整数)で低熱伝導の構造とすることが可能である。
図4(f)は、両リング18,19の溝21の表面を粗い形状としてプレート20の接触点を減少させたものである。また、図3(c)の構造と組み合わせて、プレート20と溝21の両接触面を粗い形状にしてもよい。
図4(g)は、両リング18,19の溝21の幅を、プレート20を支持できる範囲で広げ、溝21とプレート20との間に隙間を設けたものである。
2 第1の容器
3 第2の容器
4 第1の主放電電極(カソード)
5 第2の主放電電極(アノード)
6 絶縁材
7 高密度高温プラズマ発生部
8 高密度高温プラズマ
9 高圧パルス発生部
10 ガス供給ユニット
11 ガス導入口
12 ガス排出口
13 EUV集光鏡
14 光出射部
15 デブリトラップ
16 水冷装置
17 水冷配管
18 内側リング
19 外側リング
20 プレート
21 溝
22 冷却水通路
23,24 押え板
25,26 止めねじ
27 断熱材
Claims (2)
- 容器と、
この容器内に錫(Sn)および/または錫(Sn)化合物、またはリチウム(Li)および/またはリチウム(Li)化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内に供給された原料を放電により加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段と、
上記プラズマから放射された極端紫外光を集光するように上記容器内に配置された集光光学手段と、
集光された上記極端紫外光を取り出す光出射部と、
上記加熱・励起手段と集光光学手段との間に設けられるデブリトラップとを備える極端紫外光光源装置において、
上記デブリトラップは、冷却媒体により冷却されるリング状の支持体と、上記支持体の内側に、この支持体に支持され、放射状に配置された複数のプレートとから構成され、上記支持体と上記プレートとの間に断熱手段が設けられていることを特徴とする極端紫外光光源装置。 - 上記錫(Sn)化合物は、スタナン(SnH4)であることを特徴とする請求項1に記載の極端紫外光光源装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010389A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法、及び放射生成方法 |
JP2011155254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用冷却スパイダ及び方法 |
US8076659B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-12-13 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Foil trap and extreme ultraviolet light source device using the foil trap |
US9078334B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source devices |
US9480136B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-10-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Extreme UV radiation light source device |
JP2020524814A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源モジュール及びリソグラフィ装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003254284A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Boc Edwards Technologies Ltd | ポンプ装置 |
WO2003087867A2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2004214656A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-29 | Asml Netherlands Bv | 伸張可能な薄膜を備える汚染バリヤ |
-
2005
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003254284A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Boc Edwards Technologies Ltd | ポンプ装置 |
WO2003087867A2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2004214656A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-29 | Asml Netherlands Bv | 伸張可能な薄膜を備える汚染バリヤ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8076659B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-12-13 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Foil trap and extreme ultraviolet light source device using the foil trap |
JP2009010389A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射システム、デバイス製造方法、及び放射生成方法 |
JP2011155254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用冷却スパイダ及び方法 |
US9078334B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source devices |
US9480136B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-10-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Extreme UV radiation light source device |
US9686846B2 (en) | 2013-04-30 | 2017-06-20 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Extreme UV radiation light source device |
JP2020524814A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源モジュール及びリソグラフィ装置 |
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