TWI463268B - 具有封閉器件之微影裝置及使用微影裝置之器件製造方法 - Google Patents

Description

具有封閉器件之微影裝置及使用微影裝置之器件製造方法

本發明係關於一種包含封閉器件之微影裝置且係關於一種使用微影裝置之器件製造方法。封閉器件經組態以封閉微影裝置之光學元件的一或多個真空腔室。

本申請案主張2008年4月8日申請且全文以引用之方式併入本文中之美國臨時申請案61/071,001的權利。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓或砷化鎵晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

在微影裝置中，可成像至基板上之特徵的尺寸可受到投影輻射之波長限制。為了產生具有更高密度之器件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。儘管大多數當前微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射所產生之紫外光，但已提議使用為(例如)約13奈米之更短波長輻射。該輻射被稱作遠紫外線(EUV)或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。

當前，將EUV輻射用作源之進階微影裝置的光學器件腔室係藉由共用光學器件腔室與基板腔室之間的有限開口而與基板腔室分離。開口可為光徑之一部分以用於將圖案化器件上之影像投影至基板上，因為EUV輻射對大多數材料通常為不透射的。儘管兩個腔室在操作期間均處於高真空位準下，但通常維持光學器件腔室之壓力高於基板腔室之壓力，因為光學器件應保持儘可能地清潔，而基板腔室通常為不需要之分子污染物(例如，自抗蝕劑之脫氣，及歸因於如晶圓平台之可移動部分而產生之粒子)之來源。腔室之間的壓力差產生自光學器件腔室朝向基板腔室所引導之氣體流動，以使污染物難以在操作裝置期間進入光學器件腔室。

自污染物控制觀點，可能需要在無影像轉印(例如，曝光基板)由裝置執行時無論如何均完全地封閉開口，使得保持污染物遠離於光學器件。美國專利申請公開案第2005/0168712A1號揭示具有在非操作週期期間用於開口之封閉器件的該封閉機構。

然而，在實際情形中，在非操作週期期間完全地封閉開口為有問題的(特別係自生產量觀點)，因為一旦開口由封閉器件完全地封閉，則可歸因於腔室之間所維持之壓力差而使重新敞開開口困難且費時。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，微影裝置包含：在第一腔室中之投影系統，該投影系統經組態以將影像投影至基板上；在第二腔室中之基板台，該基板台經組態以支撐基板，其中第一腔室與第二腔室係經由第一腔室與第二腔室之間的開口而彼此耦接，該開口經組態以致使氣體能夠流動於第一腔室與第二腔室之間；封閉器件，封閉器件經組態以大體上封閉開口，其中當封閉器件已大體上封閉開口時致使氣體仍然能夠流動於第一腔室與第二腔室之間。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，微影裝置包括第一腔室，第一腔室包括投影系統。投影系統經組態以將影像投影至基板上。微影裝置亦包括第二腔室，第二腔室包括基板台。基板台經組態以支撐基板。裝置進一步包括在第一腔室與第二腔室之間的開口。開口經組態以致使氣體能夠流動於第一腔室與第二腔室之間。裝置亦包括封閉器件，封閉器件經組態以大體上封閉開口而不完全地密封開口，使得當封閉器件已大體上封閉開口時致使氣體仍然能夠流動於第一腔室與第二腔室之間。

根據本發明之一態樣，提供一種使用微影裝置之器件製造方法。方法包括：使用在第一腔室中之投影系統而將經圖案化輻射光束投影至基板上；及使用在第二腔室中之基板台而支撐基板。第一腔室與第二腔室係經由開口而彼此耦接，開口經組態以致使氣體能夠流動於第一腔室與第二腔室之間。方法亦包括：在投影之後藉由封閉器件而大體上封閉開口，使得當封閉器件已大體上封閉開口時致使氣體仍然能夠流動於第一腔室與第二腔室之間。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在使用時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

在操作微影裝置(亦即，曝光塗覆有抗蝕劑之目標部分)的過程中，存在至少以下操作模式：

1.曝光模式；其可經界定為基板(其上塗覆有抗蝕劑)由輻射曝光時之週期。

2.步進模式；其可經界定為完成目標部分之曝光與開始待曝光之後續目標部分之下一曝光之間的週期。在步進模式期間，基板台WT或基板支撐件自一目標移動至另一目標。步進模式為「非曝光週期」之子模式。

3.基板交換模式；其可經界定為一基板自基板台或基板支撐件移除(卸載)且另一基板轉移(裝載)至基板台或基板支撐件上時之週期。基板交換模式為「非曝光週期」之子模式。

4.調換模式可僅針對具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或基板支撐件(及/或兩個或兩個以上光罩台或光罩支撐件)之微影裝置類型而存在。調換模式可經界定為一基板台或基板支撐件與另一基板台或基板支撐件調換其位置時之週期。調換模式為「非曝光週期」之子模式。

圖2示意性地描繪根據本發明之一非限制性實施例的微影裝置。圖2中展示光學器件(例如，投影系統PS)之腔室10(例如，真空腔室)及基板台或基板支撐件WT之腔室20(例如，真空腔室)，以便說明腔室10、20之間的共用開口30的非限制性觀念。開口30可為所謂的動態氣鎖(DGL)，其中維持氣體流動以防止污染物行進穿過開口30。

用於DGL中之氣體應為大體上不吸收投影光束(例如，EUV)中之輻射同時針對污染物具有大體上低擴散係數的物質。已用於動態氣鎖中之該等氣體的實例為H、Ar及Kr。使用諸如Ar之氣體的DGL描述於美國專利第6,198,792 B1號中，該專利描述將投影系統區域與基板區域分離之隔膜中之孔。隔膜中之孔允許經投影輻射撞擊於基板上。惰性氣體跨越輻射光束之透射方向而流動。

DGL描述於美國專利第6,683,936 B2號及第6,642,996 B2號以及歐洲專利申請公開案第0 532 968 A1號中，DGL描述在與經投影輻射相同之方向上行進之流動，DGL進一步具有經投影輻射透射穿過之隔膜或視窗。此等後者文件之引導惰性氣體的中空管可為圓錐形，且在其頂部末端處由隔膜覆蓋，輻射在撞擊於基板上之前行進穿過隔膜。隔膜防止惰性氣體朝向投影系統向上流動。

在圖2中，光學器件之第一腔室10含有投影系統PS，而基板台之第二腔室20含有基板台WT。第一腔室10與第二腔室20係經由共用開口30(DGL)而彼此耦接。

投影系統PS可由反射光學器件(例如，鏡面)組成，其中以原子能階而控制表面平坦度。此等光學器件可在小粒子進入第一腔室10且變得附著於光學器件之表面上的情況下易被損害。

因此，儘管兩個腔室10、20在操作期間均處於高真空位準下，但通常維持光學器件之第一腔室10之壓力高於基板台之第二腔室20之壓力。此係因為應保持光學器件儘可能地清潔，而基板台之第二腔室20通常係不需要之分子污染物(例如，自抗蝕劑之脫氣、歸因於如晶圓平台之可移動部分而產生之粒子)之來源。實務上，可藉由某一氣體(例如，氫、氮、氦或二氧化碳)而淨化第一腔室10(但腔室壓力極低)以保持投影系統PS之光學元件清潔。

腔室10、20之間的壓力差產生自光學器件之第一腔室10朝向基板台之第二腔室20所引導的氣體流動(圖中未展示)，以便防止污染物在操作裝置期間進入光學器件之第一腔室10。

圖3a、圖3b及圖3c示意性地描繪圖1之微影裝置的非限制性實施例。

在圖3a所示之曝光模式中，基板台WT定位於開口30(DGL)下方。在此曝光模式中，污染物自基板台之第二腔室20至光學器件之第一腔室10中的行進距離相對較長(如以虛線箭頭所示)。因此，基板台之第二腔室20中之污染物將進入光學器件之第一腔室10的可能性為可忽視地小，因為在污染物之行進距離與該污染物進入投影系統PS之第一腔室10之可能性之間存在相關。

當進行曝光且基板台WT離開開口30(DGL)下方之位置(例如)以交換基板(如圖3b所示)時，基板台之第二腔室20中之污染物的行進距離(如以虛線箭頭所示)將自圖3a所示之行進距離縮短。因此，使光學器件之第一腔室10受污染之可能性將在非曝光週期期間由於基板台WT之位置(例如，調換模式、基板交換模式)而變得顯著地更高。

為了降低歸因於縮短污染物之行進距離而在基板台WT不位於開口30下方時污染物進入第一腔室10之可能性，可將封閉器件40應用於開口30(如圖3c所示)。移動至開口30(DGL)下方之位置中的封閉器件40增加污染物之行進距離。在一實施例中，封閉器件40應不完全地封閉開口30(DGL)，因為共用開口30(DGL)之封閉的完成可歸因於腔室10、20之間的壓力差(其可導致封閉器件40「強力地黏著」至分離腔室10、20之壁)而導致生產量損失。

若完全地封閉開口30，則第一腔室10之壓力將歸因於經淨化氣體而增加，同時使第二腔室20維持在低壓力下。接著，若在此情境下敞開封閉器件40，則將歸因於腔室10、20之間的大壓力差而產生強氣體流，且氣體流將有力地攪起第二腔室20中之污染物。該效應可甚至使第一腔室10比在無封閉器件40的情況下髒。

圖4示意性地描繪根據本發明之一非限制性實施例的微影裝置。在此實施例中，參看圖3c所論述之封閉器件40不位於開口30「下方」而位於開口30「內部」。在一實施例中，封閉器件40可在開口「上方」(圖中未展示)以達成相同效應。

此實施例可為有益的，因為無需用於封閉器件40之機構的額外空間。在典型微影裝置中，開口40至基板台WT之頂部表面之間的距離為大約一毫米。因此，製造用於該封閉器件之空間可形成挑戰，此可藉由此方法而加以解決。

圖5示意性地描繪根據本發明之一非限制性實施例的微影裝置。在此實施例中，經組態以封閉開口30(DGL)同時保持氣體流動能力之封閉器件50不為似板結構。實情為，圖5之封閉器件50之似圓錐結構互補於開口30(DGL)之似圓錐結構。換言之，本發明之實施例的封閉器件不限於板，而是可具有允許大體上封閉開口30同時仍允許第一腔室10與第二腔室20之間的氣體流動的任何形狀。

該封閉器件50可由於其增加第二腔室20中之污染物之行進距離以進入第一腔室10的效率而為有利的。封閉器件可具有許多小槽孔，槽孔不為直通而為彎曲的，以便擴大行進距離(污染物之行進長度)。

儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

B．．．輻射光束

C．．．目標部分

DGL．．．動態氣鎖

IF1．．．位置感測器

IF2．．．位置感測器

IL．．．照明系統

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．圖案化器件

MT．．．支撐結構

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2描繪圖1之微影裝置的含有投影系統之第一腔室及含有基板台之第二腔室的示意性視圖，其中在第一腔室與第二腔室之間具有開口；

圖3a描繪圖2之開口的示意性視圖，其中基板台係在相對於開口之第一位置中；

圖3b描繪圖2之開口的示意性視圖，其中基板台係在相對於開口之第二位置中；

圖3c描繪經移動至適當位置中以大體上封閉開口之封閉器件的示意性視圖；

圖4示意性地描繪圖3c之封閉器件的實施例；及

圖5示意性地描繪圖3c之封閉器件的實施例。

B．．．輻射光束

C．．．目標部分

IF1．．．位置感測器

IF2．．．位置感測器

IL．．．照明系統

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．圖案化器件

MT．．．支撐結構

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

Claims (22)

1. 一種微影裝置，其包含：一第一腔室，該第一腔室包含一投影系統，該投影系統經組態以將一影像投影至一基板上；一第二腔室，該第二腔室包含一基板台，該基板台經組態以支撐該基板；一開口，該開口係在該第一腔室與該第二腔室之間，該開口經組態以致使一氣體能夠流動於該第一腔室與該第二腔室之間；及一封閉(closing)器件，該封閉器件經組態以實質上封閉該開口而不完全地密封該開口，使得當該封閉器件已實質上封閉該開口時致使該氣體仍然能夠流動於該第一腔室與該第二腔室之間。
2. 如請求項1之微影裝置，其中該封閉器件經組態以在該影像投影至該基板上時實質上敞開該開口。
3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件經組態以在無影像投影至該基板上時實質上封閉該開口。
4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件經組態以在該基板台處於一步進模式中時實質上封閉該開口。
5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件經組態以在該等基板台處於調換模式中時實質上封閉該開口。
6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件位於該開口內部。
7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該第一腔室及該第二腔 室為真空腔室。
8. 如請求項1或2之微影裝置，其中該微影裝置包含一EUV輻射源，該EUV輻射源經組態以產生用於投影該影像之輻射。
9. 如請求項1或2之微影裝置，其中該微影裝置包含一輻射源，該輻射源經建構及配置以產生用於投影該影像之具有在1奈米至15奈米之間的波長的一輻射。
10. 如請求項1或2之微影裝置，其中該氣體流動經組態以自該第一腔室引導至該第二腔室。
11. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件包含一似板結構。
12. 如請求項1或2之微影裝置，其中該封閉器件包含一似圓錐結構。
13. 一種微影方法，該方法包含：使用在一第一腔室中之一投影系統而將一經圖案化輻射光束投影至一基板上；使用在一第二腔室中之一基板台而支撐該基板，該第一腔室與該第二腔室係經由一開口而彼此耦接，該開口經組態以致使一氣體能夠流動於該第一腔室與該第二腔室之間；及在該投影之後藉由一封閉器件而實質上封閉該開口，使得當該封閉器件已實質上封閉該開口時致使該氣體仍然能夠流動於該第一腔室與該第二腔室之間。
14. 如請求項13之微影方法，其進一步包含敞開該封閉器件 以允許該投影。
15. 如請求項13或14之微影方法，其中該封閉器件經組態以在無影像投影至該基板上時實質上封閉該開口。
16. 如請求項13或14之微影方法，其中該封閉器件經組態以在該基板台處於一步進模式中時實質上封閉該開口。
17. 如請求項13或14之微影方法，其中該封閉器件經組態以在該等基板台處於調換模式中時實質上封閉該開口。
18. 如請求項13或14之微影方法，其中該封閉器件位於該開口內部。
19. 如請求項13或14之微影方法，其中該第一腔室及該第二腔室為真空腔室。
20. 如請求項13或14之微影方法，其中該微影裝置包含一用於該影像之該投影的EUV輻射源。
21. 如請求項13或14之微影方法，其進一步包含在該影像之該投影之前產生具有在1奈米至15奈米之間的波長的一輻射。
22. 如請求項13或14之微影方法，其進一步包含將該氣體流動自該第一腔室引導至該第二腔室。