TWI391792B - 極度紫外光微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

Description

極度紫外光微影裝置及器件製造方法

本發明係關於一種包含吸收器之極度紫外光(EUV)微影裝置及一種使用該微影裝置之器件製造方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。適當圖案化器件之實例包括：光罩。光罩之概念在微影術中為熟知的，且其包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。在輻射光束中該光罩之置放根據光罩之圖案而導致碰撞於光罩上之輻射的選擇性透射(在透射光罩之狀況下)或選擇性反射(在反射光罩之狀況下)。在光罩之狀況下，光罩支撐結構將通常為光罩台，其確保光罩可固持於入射輻射光束中之所要位置，且可將光罩台相對於光束而移動(如此需要時)。

可程式化鏡面陣列。該器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。該裝置隱含之基本原理在於(例如)：反射表面之經定址區域反射入射光作為繞射光，而未經定址區域反射入射光作為非繞射光。藉由使用適當濾光器，可將非繞射光濾出反射光束，從而僅留下繞射光；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而 變得圖案化。可使用適當電子器件來執行矩陣定址。自(例如)以引用的方式併入本文中之US 5,296,891已知鏡面陣列之適當實例。可程式化鏡面陣列可體現為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。

可程式化LCD陣列。以引用的方式併入本文中之US 5,229,872中給出該構造之實例。如上，在此狀況下之支撐結構可體現為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。

可將適當圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。

需要提供一種經組態以提供光束強度分布之適當調變的EUV微影裝置。

根據本發明之一態樣，提供一種用於將圖案成像至基板上之極度紫外光微影裝置，其包括經建構及配置以提供極 度紫外光輻射之光束的輻射系統，及經配置於光束中且經建構及配置以吸收輻射光束之至少一部分的吸收器。吸收器具有經組態以容納吸收氣體之流動的容積。流動經引導於相對於光束之橫向方向上。吸收器包括具有極度紫外光輻射透射光束進入區域及極度紫外光輻射透射光束退出區域之結構。裝置亦包括經組態以將氣體注射至容積中之氣體入口致動器陣列，及經配置以自容積排出氣體之氣體出口致動器陣列。

根據本發明之另一態樣，提供一種器件製造方法，其包括圖案化極度紫外光輻射光束、將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上，及利用經配置於光束中之吸收器而藉由在輻射光束穿過吸收器時吸收輻射光束之至少一部分來控制輻射光束之強度。吸收器具有容納吸收氣體相對於光束之橫向流動的容積。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位 器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。

本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。如以上所論述，光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。輻射源與微影裝置可為單獨實體，例如當輻射源為一準分子雷射時。在該等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在 其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整合部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在需要時)可稱作一輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(諸如，積光器及聚光器)。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在貫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定 的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移 動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖2描繪具備吸收器24之微影裝置20的實施例。微影裝置20包含經配置以產生EUV輻射光束之源21。源21可包含(例如)電射產生電漿源或放電電漿源。自源21發射之EUV輻射光束由照明系統22調節，此後，光束23貫穿包含流動吸收器氣體29之吸收器24。隨後使用圖案化器件25來圖案化光束23。圖案化器件可包含光罩、可控鏡面陣列或LCD陣列，如前述內容中所描述。經圖案化光束26貫穿吸收器24，此後，光束26進入經配置以將經圖案化光束投影至基板28之目標部分上的投影系統27。吸收器24包含EUV透射光束進入區域及EUV透射光束退出區域。應理解，EUV透射區域預期至少50%透射。吸收器24可包含經組態以大體上密封其內部容積之薄膜。或者，可將吸收器24配置為相對於光束路徑之開放式結構。吸收器24經配置以在吸收器之容積中產生吸收氣體29之所要濃度分布。任何氣體吸收EUV輻射均適合用於吸收氣體29。舉例而言，氣體可包含任何稀有氣體，諸如，He、Ne、Ar、Kr或Xe，或可包含氣態烴、CH₄ 、N₂ 、O₂ 或H₂ 。相對於光束而大體上橫向地配置吸收氣體。術語橫向地包含大於0度之任何傾斜度。 為此目的，吸收器24與參看圖3更詳細描述之氣體入口致動器陣列及氣體出口致動器陣列協作。吸收器24可包含管狀結構，管狀結構可允許氣體入口陣列之個別元件與氣體出口陣列之個別元件大體上等距地配置。可在吸收器24之容積中產生非均一濃度分布，其可補償各種操作參數。舉例而言，光束23之強度可為非均一的。吸收器24可經配置以補償光束23之任何非所要強度分布。第二，圖案化器件25可具有非均一特性。舉例而言，若針對圖案化器件來選擇光罩，則幾何形狀或反射或透射材料性質可為非均一的。吸收器24可經建構以補償該非均一性。可先驗地已知光罩非均一性。或者，在圖案化器件包含鏡面陣列時之狀況下，組成陣列之個別鏡面的可控性可為非均一的。氣體入口致動器陣列及/或氣體出口致動器陣列可經配置以補償該非均一性。第三，基板28可歸因於基板處理步驟(如上底漆、抗蝕劑塗覆及軟烘烤)而為非均一的。吸收器24可經配置以補償基板28之非均質性。在光束26由投影系統27適當地處理之後，投影系統27用以將圖案成像於基板28上。

可將吸收器24配置於照明器模組22與圖案化器件25之間的光束路徑中，使得光束23僅一次且在與光束圖案化器件25相互作用之前貫穿吸收器24。吸收器24之此配置可允許由圖案化器件25所調節之光束不受吸收器24影響。待用於吸收器24中之適當氣體為氪、氙、氬氖、氦、氫、氧、氮、氣態烴、CH₄ 、稀有氣體，等等。氪具有在為0.01毫 巴(mbar)之壓力下90%之為80 mm之相互作用長度。氙具有為1.7 mm之相互作用長度，或90%透射在為0.1毫巴之壓力下為1.7 mm，或在為0.01毫巴之壓力下為17 mm。當比較吸收器24之容積與微影裝置之周圍壓力(其為約0.1毫巴)時，可使用較高壓力梯度。舉例而言，可在吸收器24中使用氫氣，因為此氣體具有比氪及氙之吸收低得多的吸收。

圖3示意性地描繪圖2所示之吸收器的橫截面。圖3示意性地展示包含吸收器33及圖案化器件35之微影裝置30的一部分。儘管在此配置中，光束31、38穿過吸收器33兩次，但應瞭解，吸收器33可經配置於照明器模組(未圖示)與圖案化器件35之間的光束路徑中，使得光束31僅穿過吸收器33之容積一次，且經圖案化光束38自由地傳播至投影模組(未圖示)。吸收器33包含氣體入口致動器陣列34a及氣體出口致動器陣列34b，氣體入口致動器陣列34a經配置以大體上橫向於吸收器33中之光束路徑31、38的方向而將適當氣體39(氪、氙、氫或其類似者)注射至吸收器33之容積中。氣體出口致動器陣列34b經配置以自吸收器33之容積排出氣體，較佳地使得由氣體入口致動器陣列34a所給予之沿吸收器之方向H的強度分布未被修改。為此目的，氣體出口致動器陣列34b之氣體排出功率可經選擇為等於或大於氣體入口致動器陣列之氣體供應功率。可將氣體39限制至吸收器33之容積。為此目的，吸收器33可包含第一抽汲配置32a、32b及第二抽汲配置36a、36b，吸收器之容積包含位於第一抽汲配置32a、32b與第二抽汲配置36a、36b之間 的氣體39。第一抽汲配置及第二抽汲配置經建構以排出氣體，藉此大體上提供對吸收器33之容積的真空密封。第一抽汲配置及第二抽汲配置可經建構以產生比微影裝置之周圍壓力低的壓力，使得區域37a、37b、37d、37e中之氣體由第一抽汲配置及第二抽汲配置運走。此可藉由吸收器33之氣體來抵消微影裝置30之周圍大氣的污染，從而改良微影裝置之工作特性。

圖4描繪圖2所示之吸收器的氣體供應方案。配置40包含以橫向橫截面所示之吸收器41，入射輻射光束由項目45示意性地說明。吸收器41包含提供無阻礙光束進入區域及光束退出區域之開放式結構。橫向氣體流動47a、…、47n藉由氣體入口致動器陣列43a、…、43n及可包括出口泵之氣體出口致動器陣列44a、…、44n而產生於吸收器41之容積中。氣體入口致動器陣列可包含超音速噴射。氣體入口致動器陣列由入口控制單元(控制器)48控制，且氣體出口致動器陣列由出口控制單元(控制器)49控制。入口控制單元48及出口控制單元49較佳地經配置以個別地控制入口噴射42a、…、42n及出口泵44a、…、44n，使得可獲得沿吸收器之方向R的所要均質或非均質分布。感測器S可經提供以量測吸收器之容積之至少一部分中的氣體濃度，且入口控制單元48及/或出口控制單元49可經建構及配置以回應於感測器S，且相應地控制氣體入口致動器陣列43a、…、43n或氣體出口致動器陣列44a、…、44n。

圖5描繪致動器陣列之實施例及所得的吸收氣體在吸收 器之容積中的分布。配置50呈現包含複數個可移位元件(諸如，壓電元件52a、…、52n)之氣體入口致動器陣列的正視圖。元件52a、…、52n經配置於適當外罩51中。每一元件可在由箭頭L所指示之方向上移位。當元件經回縮成具有最大開口54時提供最大氣體供應。為了減少自元件之氣體供應，元件可充分地延伸至如由項目52x所指示之位置。藉由控制所有個別可移位元件52a、…、52n，可獲得沿方向R(向4)之所要透射分布55。示意性地指示到，對於具有經增加氣體供應之區域，可減少所得透射(見區域57)，而對於具有經減少氣體供應之區域，可增加所得透射(見區域59)。

儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋極度紫外光(EUV)輻射(例如，具有在約5-20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

20‧‧‧微影裝置

21‧‧‧EUV輻射光束之源

22‧‧‧照明系統

23‧‧‧光束

24‧‧‧吸收器

25‧‧‧圖案化器件

26‧‧‧經圖案化光束

27‧‧‧投影系統

28‧‧‧基板

29‧‧‧流動吸收器氣體

30‧‧‧微影裝置

31‧‧‧光束

32a‧‧‧第一抽汲配置

32b‧‧‧第一抽汲配置

33‧‧‧吸收器

34a‧‧‧氣體入口致動器陣列

34b‧‧‧氣體出口致動器陣列

35‧‧‧圖案化器件

36a‧‧‧第二抽汲配置

36b‧‧‧第二抽汲配置

37a‧‧‧區域

37b‧‧‧區域

37d‧‧‧區域

37e‧‧‧區域

38‧‧‧光束

39‧‧‧氣體

40‧‧‧配置

41‧‧‧吸收器

42a‧‧‧入口噴射

42n‧‧‧入口噴射

43a‧‧‧氣體入口致動器陣列

43n‧‧‧氣體入口致動器陣列

44a‧‧‧氣體出口致動器陣列/出口泵

44n‧‧‧氣體出口致動器陣列/出口泵

45‧‧‧項目

47a‧‧‧橫向氣體流動

47n‧‧‧橫向氣體流動

48‧‧‧入口控制單元

49‧‧‧出口控制單元

50‧‧‧配置

51‧‧‧外罩

52a‧‧‧壓電元件

52n‧‧‧壓電元件

52x‧‧‧項目

54‧‧‧最大開口

55‧‧‧透射分布

57‧‧‧區域

59‧‧‧區域

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

H‧‧‧方向

IF1‧‧‧位置感測器

IF2‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統

L‧‧‧箭頭

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器

R‧‧‧方向

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2描繪圖1中具備吸收器之微影裝置的實施例；圖3示意性地描繪圖2所示之吸收器的橫截面；圖4描繪圖2所示之吸收器的氣體供應方案；及圖5描繪致動器陣列之實施例及吸收氣體在吸收器之容積中的所得分布。

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

IFL‧‧‧位置感測器

IF2‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統

ML‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

PL‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

Claims (19)

1. 一種用於將一圖案成像至一基板上之極度紫外光微影裝置，該裝置包含：一輻射系統，該輻射系統經建構及配置以提供一極度紫外光輻射之一光束；一吸收器，該吸收器經配置於該光束中且經建構及配置以吸收該極度紫外光輻射光束中之該極度紫外光輻射之至少一部分，該吸收器包含一定義一經組態以容納一吸收氣體之一流動的內部容積之結構，該流動經引導於一相對於該光束之橫向方向上，該結構具有一極度紫外光輻射透射光束進入區域及一極度紫外光輻射透射光束退出(exit)區域之結構；及一氣體入口致動器陣列，該氣體入口致動器陣列經組態以將該氣體注射至該吸收器之該內部容積中，及一氣體出口致動器陣列，該氣體出口致動器陣列經配置以自該吸收器之該容積排出該氣體，其中該吸收器進一步包含一第一抽汲單元及一第二抽汲單元，該氣體入口致動器陣列及該氣體出口致動器陣列沿該光束路徑而位於該第一抽汲單元與該第二抽汲單元之間，該第一抽汲單元及該第二抽汲單元經配置以藉由對該吸收器之該內部容積提供一真空密封(vaccum seal)而實質上防止該吸收氣體逸散至該微影裝置之一大氣(atmosphere)中。
2. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該氣體出口致 動器陣列之一排出容量至少等於該氣體入口致動器陣列之一供應容量。
3. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該結構經配置為一相對於該光束進入區域及該光束退出區域之開放式結構。
4. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其進一步包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節該輻射光束；一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，其中該吸收器定位於該照明系統與該圖案化器件之間的一光束路徑中。
5. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該氣體入口致動器陣列包含複數個個別可調整元件，該等個別可調整元件經組態以選擇性地控制該等元件之一鄰近區域內的氣體濃度。
6. 如請求項5之極度紫外光微影裝置，其中該等可調整元件包含經建構及配置以選擇性地阻礙該氣體入口致動器陣列之一區域之一部分的若干壓電元件。
7. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該氣體係選自由氪、氙、氬氖、氦、氫、氧及氮所組成之一群。
8. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該氣體入口致動器陣列及/或該氣體出口致動器陣列經配置以在該吸收器之一橫截面中產生氣體濃度之一非均一分布，該分布 在一實質上垂直於該光束路徑之方向上延伸。
9. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其進一步包含：一感測器，該感測器經建構及配置以量測該吸收器之該內部容積之至少一部分中的一氣體濃度；及一控制器，該控制器經建構及配置以回應於該感測器，且控制該氣體入口致動器陣列或該氣體出口致動器陣列。
10. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該氣體入口致動器陣列包含若干超音速噴射。
11. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該結構為一管狀結構。
12. 如請求項1之極度紫外光微影裝置，其中該極度紫外光輻射具有一在約5-20 nm之範圍內的波長。
13. 一種器件製造方法，其包含：圖案化一極度紫外光輻射光束；將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；利用一經配置於該光束中之吸收器而藉由在該輻射光束穿過該吸收器時吸收該極度紫外光輻射光束中之該極度紫外光輻射之至少一部分來控制該輻射光束之一強度，該吸收器包含一定義一容納一吸收氣體相對於該光束之一橫向流動的內部容積之結構；及利用一第一抽汲單元及一第二抽汲單元，自該吸收器之該內部容積排出該吸收氣體，以藉由對該吸收器之該 內部容積產生一真空密封而實質上防止該吸收氣體自該吸收器逸散，其中該第二抽汲單元相對於該輻射光束之傳遞而言係位於該第一抽汲單元的下游。
14. 如請求項13之器件製造方法，其中該吸收氣體係自該吸收器之該內部容積被排出的量至少等於該吸收氣體注射至該吸收器之該容積中之一容量。
15. 如請求項13之器件製造方法，其中該吸收器定位於一照明模組與一光束圖案化器件之間的該光束中。
16. 如請求項13之器件製造方法，其進一步包含：控制複數個個別可調整元件之一鄰近區域內的一氣體濃度。
17. 如請求項13之器件製造方法，其中該氣體係選自由氪、氙、氬氖、氦、氫、氧及氮所組成之一群。
18. 如請求項13之器件製造方法，其進一步包含在該吸收器之一橫向於該光束的橫截面中產生該氣體濃度之一非均一分布。
19. 如請求項13之器件製造方法，其中該方法進一步包含：量測該吸收器之該內部容積之至少一部分中的一氣體濃度；及回應於該量測來控制一氣體入口致動器陣列及/或一氣體出口致動器陣列。