JP2015149186A - デブリ低減装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマPと、プラズマPから放射される光を集光する集光鏡の間に、回転式ホイルトラップ4と、それを包囲するカバー部材11から構成されるデブリ低減装置が配置される。また、プラズマPとカバー部材11との間には、集光鏡の集光範囲内を進行する光が通過する開口部6aを有しプラズマPからの放射がカバー部材11に到達するのを遮へいする遮へい部材6と、該遮へい部材6からカバー部材11への熱輻射を抑制する熱遮へい部材7を設ける。遮へい部材6により、カバー部材11に加わる熱負荷を抑制することができ、また、熱遮蔽部材7を設けているので、遮へい部材6が過熱しても遮へい部材6からの輻射をさえぎり、カバー部材11への入熱を防ぐことができる。
【選択図】 図1
Description
このような方法を採用するEUV光源装置は、高温プラズマの生成方式により、LPP(LaserProduced Plasma:レーザ生成プラズマ)方式EUV光源装置とDPP(DischargeProduced Plasma:放電生成プラズマ)方式EUV光源装置とに大きく分けられる。
図6は、特許文献1記載されたDPP方式のEUV光源装置を簡易的に説明するための図である。
EUV光源装置は、放電容器であるチャンバ1を有する。チャンバ1内には、一対の円板状の放電電極2a,2bなどが収容される放電部1aと、ホイルトラップ5や集光光学手段であるEUV集光鏡9などが収容されるEUV集光部1bとを備えている。
1cは、放電部1a、EUV集光部1bを排気して、チャンバ1内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
2a,2bは円盤状の電極である。電極2a,2bは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ16a,16bが回転することにより、16c,16dを回転軸として回転する。
14は、波長13.5nmのEUV光を放射する高温プラズマ用原料である。高温プラズマ原料14は、加熱された溶融金属(meltedmetal)例えば液体状のスズ(Sn)であり、コンテナ15に収容される。
高温プラズマ原料14がレーザ光17の照射により気化された状態で、電極2a,2bに、電力供給手段3からパルス電力が印加されることにより、両電極2a,2b間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料14によるプラズマPが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマPからEUVが放射される。
高温プラズマPから放射したEUV光は、EUV集光鏡9により集光鏡9の集光点(中間集光点ともいう)fに集められ、EUV光取出部8から出射し、EUV光源装置に接続された点線で示した露光機40に入射する。
図7は、LPP方式のEUV光源装置を簡易的に説明するための図である。
LPP方式のEUV光源装置は、光源チャンバ1を有する。光源チャンバ1には、EUV放射種である原料(高温プラズマ原料)を供給するための原料供給ユニット10および原料供給ノズル20が設けられている。原料供給ノズル20からは、原料として、例えば液滴状のスズ(Sn)が放出される。
光源チャンバ1の内部は、真空ポンプ等で構成されたガス排気ユニット1cにより真空状態に維持されている。
また、高温プラズマ生成用のレーザ光22は、迷光としてEUV光取出部に到達することもある。よって、EUV光取出部の前方(高温プラズマ側)にEUV光を透過して、レーザ光22を透過させない不図示のスペクトル純度フィルタを配置することもある。
〔デブリ低減装置(ホイルトラップ)〕
上述したEUV光源装置において、高温プラズマPからは種々のデブリが発生する。それは、例えば、高温プラズマPと接する金属(例えば、一対の円板状の放電電極2a,2b)が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料14であるSnに起因するデブリである。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマPから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリはEUV集光鏡9にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、EUV光の反射率を低下させる。
図8に、特許文献2に示されるようなホイルトラップの概略構成を示す。
ホイルトラップ5は、ホイルトラップ5の中心軸(図8ではEUV光の光軸に一致)を中心として、半径方向に放射状に配置された、複数の薄膜(ホイル)または薄い平板(プレート)(以下薄膜と平板を合せて「ホイル5a」と呼ぶ)と、この複数のホイル5aを支持する、同心円状に配置された外部リング5cと中心支柱5bのリング状支持体とから構成されている。
ホイル5aは、その平面がEUV光の光軸に平行になるように配置され支持されている。そのため、ホイルトラップ5を極端紫外光源(高温プラズマ)側から見ると、中心支柱5bと外部リング5cの支持体の部分を除けば、ホイル5aの厚みしか見えない。したがって、高温プラズマPからのEUV光のほとんどは、ホイルトラップ5を通過することができる。
なお、ホイルトラップ5は、高温プラズマの近くに配置されるので、受ける熱負荷も大きい。よって、ホイルトラップ5を構成するホイル5aやコーン5bは、例えば、モリブデン(Mo)などの高耐熱材料から形成される。
近年、特許文献4に記載されているように、ホイルトラップを2つ、直列に設けるとともに、一方のホイルトラップを回転させる構成が知られている。
図9に概略構成を示す。図9に示す例では、高温プラズマPに近い方のホイルトラップが回転する機能を有する。以下、この回転機能を有するホイルトラップを回転式ホイルトラップ、回転せず固定型のホイルトラップを固定式ホイルトラップとも言う。
回転式ホイルトラップ4の各ホイル4aは、コーン4bに例えば金ろうを用いたろう付け等で固定されており、各ホイル4aはコーン4bの回転軸を中心に放射状に伸びる。なお、回転式ホイルトラップ4は、コーン4bに固定されていればよいので、図8に示すような外側リングは設けなくてもよい。
よって、ホイルに捕捉されたSnに起因するデブリは、やがて液化し、回転式ホイルトラップの回転により生じる遠心力によって、各ホイルに沿って半径方向に移動し、各ホイルの外周部から離脱することになる。
図10にカバー部材を設けた回転式ホイルトラップを示す。このカバー部材11は回転式ホイルトラップ4の外縁部から離脱した液化したデブリ(Snに起因するデブリ)を捕捉し回収する。回収したデブリはデブリ排出口11aから排出される。よって、チャンバ内の不所望な部分にデブリが付着することはない。
カバー部材11は、開口部11b,11cを有し、この開口部11b,11cの大きさは、DMTの後段(DMTのEUV出射側)に位置するEUV集光鏡の集光範囲(集光角)内を進行する高温プラズマPからのEUV光の放射を遮光しない大きさに設定されてある。すなわち、カバー部材11は、EUV集光鏡9による集光範囲(集光角)外に設けられるので、上記したカバー部材11によって、EUV集光鏡9により集光されるEUVが遮光されることはない。
上記したように、このカバー部材11はRFTの遠心力で弾き出されたデブリ(スズ)を回収し、ホイルトラップ外に排出するためのものである。上記したカバー部材11は、捕捉したRFTからのスズを溶かすために、図10に示すようにヒーター12で加熱され、その温度は常にスズの融点以上に保たれている。よってカバー部材11の内側で捕捉されたデブリ(スズ)は、図10に示すように、液化して当該カバー部材の内側表面に沿って移動し、デブリ(スズ)排出口11a(以下、スズ排出口とも言う)より排出される。
よって、カバー部材11の過熱は避けなければならない。そのためにはカバー部材11を冷却する冷却機構を設けることが考えられる。冷却機構としては、例えば、冷媒が内部を通過する配管をカバー部材と接触させ、カバー部材11と冷媒との間で熱交換を行う構造が採用される。
しかし、カバー部材11の温度がスズの融点以上に保持されるように、カバー部材11を冷却するには、冷媒として水を使用できない。配管内に冷媒としてガスを流通させて冷却する方法なども考えられるが、熱交換の効率が悪く、かつスペースが限られていることもあり容易ではない。
本発明は上記問題点を解決するものであって、本発明の目的は、回転式ホイルトラップを包囲するカバー部材が過熱するのを防ぎ、これにより、スズとカバー部材との反応を抑制し、また、カバー部材の熱膨張を小さくしてカバー部材内部の圧力低下を抑制することである。
ここで、上記遮へい部材は加熱され、加熱された遮へい部材からの輻射により、上記カバー部材等が二次的に過熱される。そこで、上記遮へい部材とカバー部材の間に、熱遮蔽部材を設ける。これにより、上記遮へい部材からの輻射をさえぎり、カバー部材への入熱を防ぐことができる。
すなわち、本発明においては、次のようにして前記課題を解決する。
(1)プラズマと、該プラズマから放射される光を集光する集光鏡の間に配置され、主軸から放射状に伸びる複数のホイルを備え、上記光は通過するが上記プラズマからのデブリは捕捉するホイルトラップと上記ホイルトラップを包囲し、かつ、上記集光鏡の集光範囲外に配置されるカバー部材とからなるデブリ低減装置において、上記プラズマと上記カバー部材との間に、上記集光鏡の集光範囲内を進行する光が通過する開口部を有し上記プラズマからの放射が上記カバー部材に到達するのを遮へいする遮へい部材を設け、該遮へい部材と上記カバー部材の間に、該遮へい部材からカバー部材への熱輻射を抑制する熱遮へい部材を設ける。
(2)上記(1)において、遮へい部材の材質は、モリブデン、タングステン、およびモリブデンまたはタングステンを含む合金のいずれかである。
(3)上記(1)(2)において、上記遮へい部材が、デブリ低減装置本体またはデブリ低減装置が収納されている真空容器と電気的に接続されている。
(4)上記(1)(2)(3)において、上記遮へい部材は、プラズマから放出され遮へい部材に堆積し液滴状となったスズを導くための溝および/または突起を備える。
(5)上記(1)(2)(3)(4)において、上記遮へい部材のデブリ低減装置側の表面積が、プラズマ側の表面積より大きい。
(1)プラズマと回転ホイルトラップの外周を覆うカバー部材の間に遮へい部材を設けることにより、カバー部材がプラズマからの放射により過熱されるのを防ぐことができる。また、上記遮へい部材とカバー部材の間に、熱遮蔽部材を設けることにより、加熱された遮へい部材からの輻射によるカバー部材への入熱を防ぎ、上記カバー部材が二次的に過熱されることを防ぐことができる。
そのことにより、スズとカバー部材との反応を抑制することができ、また、カバー部材の熱膨張も小さくなるため、カバー部材内部の圧力低下も抑制される。
(2)遮へい部材を、モリブデン、タングステン、およびモリブデンまたはタングステンを含む合金のいずれかの高融点金属で形成することにより、プラズマからの放射によりカバー部材が高温に曝されても、溶融などの問題は起るのを防ぐことができる。
(3)遮へい部材とカバー部材の間に電位差が生じるとそこで放電が発生する。カバー部材やホイルトラップ内部は、デブリを阻止するためにガス圧が高いため、特に放電が起こりやすい。ここで放電が発生すると、スパッタリングにより二次的にデブリが発生するため、回避しなければならない。そこで、遮へい部材を、上記のように高融点金属等の導電性のある部材で構成し、遮へい部材を接地電位とし、接地電位にされているチャンバ、デブリ低減部材本体と同電位にすることで、これらの間での放電を防ぐことができる。
(4)遮へい部材はプラズマから光とともに放出されるスズが堆積する。プラズマからの放射により遮へい部材がスズの融点以上の温度に達した際、堆積したスズは溶融する。やがて、液滴状となったスズは重力により遮へい部材表面をつたって移動し、遮へい部材の下部に集まるが、遮へい部材に、この液滴となったスズを導くための溝や突起を設けることで、スズの液滴がEUV集光鏡の集光範囲を遮ったり、ホイルトラップ内に落下したりするのを防ぐことができる。
(5)遮へい部材はプラズマからの放射により過熱され高温になり、そこからの輻射による二次的な放熱はプラズマ生成部にも及ぶことがある。そこで、プラズマ直近の遮へい部材のデブリ低減装置側に凹凸などを設け、表面積をプラズマ側より大きくすることで、プラズマ側に放出される輻射を減らすことができる。なお、その分デブリ低減装置側への輻射が増加するが、遮へい部材とカバー部材の間に、熱遮蔽部材を設けることで、カバー部材への輻射は減少させることができる。
カバー部材11の外側の各所には、カバー部材11の温度をセンシングする温度センサー12aが設けられる(理解を容易にするため、図1では温度センサー12aが1つだけ示されている)。温度センサー12aから送出されるカバー部材11の温度情報信号は、温度制御部12bに入力する。温度情報信号を受信した温度制御部12bは、RFT4を包囲するカバー部材11の温度がスズの融点以上となるように、カバー部材11を加熱するヒーター12を調整する。
このような遮へい部材6からの二次加熱の影響を抑制するために、本実施例においては、高温プラズマPからの放射に直接曝される遮へい部材6とカバー部材11との間に、熱遮へい部材7を配置している。熱遮へい部材7は、遮蔽部材6と同様、モリブデン、タングステン、およびモリブデンまたはタングステンを含む合金のいずれかから構成することができる。
熱遮へい部材7は、遮へい部材6と比較的近接して配置されるので、遮へい部材6の背面(高温プラズマPと対向する面と反対側の面)と対向する面側の熱遮へい部材7の表面には、高温プラズマPからの放射を受け加熱された遮へい部材6からの熱輻射の大部分が入射する。
なお、遮へい部材6、熱遮蔽部材7、カバー部材11の間に電位差が生じるとそこで放電が発生する。カバー部材11やホイルトラップ4内部は、デブリを阻止するためにガス圧が高いため、特に放電が起こりやすい。ここで放電が発生すると、スパッタリングにより二次的にデブリが発生するため、回避しなければならない。
そこで、図1に示すように、遮へい部材6、熱遮へい部材7を接地電位とするのが望ましい。カバー部材11およびデブリ低減装置本体、これらが収納されるチャンバ(真空容器)等は通常接地されて接地電位であるので、遮へい部材6、熱遮へい部材7を上記デブリ低減装置本体、これらが収納されるチャンバと電気的に接続し、接地電位とすることで、これらを同電位とすることができ、これらの間での放電を防ぐことができる。
このため、カバー部材11がプラズマPからの放射により過熱されるのを防ぎ、スズとカバー部材11との反応を抑制することができる。
また、カバー部材11の熱膨張も小さくなるため、前述したように、カバー部材11が熱膨張により変形し、カバー部材11とRFT4との間の間隔がさらに広がり、ガス圧が低下し、デブリ低減効果が悪くなるといった問題を防ぐことができる。
また、熱遮へい部材71は、遮へい部材6と比較的近接して配置されるので、遮へい部材6の背面(高温プラズマPと対向する面と反対側の面)と対向する面側の熱遮へい部材71表面には、遮へい部材6からの熱輻射の大部分が入射し、同様に、熱遮へい部材72には、熱遮へい部材71と比較的近接して配置されるので、熱遮へい部材72表面には、熱遮へい部材71からの熱輻射の大部分が入射する。
なお、図3において、カバー部材11を加熱するヒーターや、温度センサー、温度制御部等は省略されている。
図3に示す実施例においては、DMTにおいて遮へい部材6と熱遮へい部材73を設けるとともに、カバー部材11と対面する熱遮へい部材73を、カバー部材11のほぼ全体を包囲するように大型化したものである。
上記のように熱遮へい部材73を構成することにより、熱遮へい部材73のカバー部材11と対向する面から放出される二次的な輻射は、カバー部材11の全体に渡って比較的均一に入射する。よって、熱遮へい部材73からの輻射により加熱されるカバー部材11において、局所的な高温部分を減少させることも可能である。すなわち、局所的な高温部分に起因するカバー部材11の熱変形の発生を抑制することが可能となる。
なお、本発明の遮へい部材6、熱遮へい部材7,71,72,73は、EUV集光鏡の集光範囲(集光角)内を進行する高温プラズマPからのEUV放射を遮光しない大きさに設定された開口部6a,7aが確保されていれば、必ずしも円環形状に構成する必要はない。
本実施例においては、遮へい部材6の高温プラズマPと対向する表面にスズを導くための溝部および/または突起が設けられる。
図4はその構造の一例を示しており、EUV集光鏡の集光範囲(集光角)内を進行する高温プラズマPからのEUV放射を遮光しない大きさに設定された開口部6aの外周部に溝部6bを設けた場合を示している。
なお、図4に示した遮へい部材6の下部には、突起部6cが設けられている。遮へい部材6の表面に堆積し液化したデブリ(スズ)は、遮へい部材6の表面や上記溝部6b等を通って下方に移動するが、図4に示すように遮へい部材6の下側に突起部6cを設けておくことにより、液化したデブリは上記突起部6cに集まり、その下側に落下する。
このため、上記液化したデブリを1か所に集めて回収することができ、デブリの回収が容易となる。
図5に示す遮へい部材6は、このような不具合に対応するために、デブリ低減装置(DMT)と対向する表面に凹凸部6dを形成したものである。なお、図5(a)は遮へい部材6をプラズマP側から見た図、図5(b)は図5(c)におけるB−B断面図、図5(c)は遮へい部材6をDMT側(カバー部材側)から見た図である。
1a 放電部
1b EUV集光部
1c ガス排気ユニット
2a,2b 放電電極
3 電力供給手段
4 回転式ホイルトラップ(RFT)
4a ホイル
4b 中心支柱
5 ホイルトラップ
6 遮へい部材
6a 開口部
6b 溝部
6c 突起部
6d 凹凸部
7 熱遮へい部材
71 熱遮へい部材
72 熱遮へい部材
73 熱遮へい部材
7a 開口部
8 EUV光取出部
9 EUV集光鏡
10 原料供給ユニット
11 カバー部材
11a デブリ(スズ)排出口
11b,11c 開口部
12 ヒーター
12a 温度センサー
12b 温度制御部
14 高温プラズマ原料
15 コンテナ
16a,16b 回転モ−タ
16c,16d 回転軸
17 レ−ザ光
17a レ−ザ源
20 原料供給ノズル
21 励起用レ−ザ光発生装置
22 レ−ザ光
23 レ−ザ光入射窓部
24 レ−ザ光集光手段
40 露光機
P プラズマ
Claims (5)
- プラズマと、該プラズマから放射される光を集光する集光鏡の間に配置され、主軸から放射状に伸びる複数のホイルを備え、上記光は通過するが上記プラズマからのデブリは捕捉するホイルトラップと上記ホイルトラップを包囲し、かつ、上記集光鏡の集光範囲外に配置されるカバー部材とからなるデブリ低減装置において、
上記プラズマと上記カバー部材との間に、上記集光鏡の集光範囲内を進行する光が通過する開口部を有し上記プラズマからの放射が上記カバー部材に到達するのを遮へいする遮へい部材が設けられ、該遮へい部材と上記カバー部材の間には、該遮へい部材からカバー部材への熱輻射を抑制する熱遮へい部材が設けられている
ことを特徴とするデブリ低減装置。 - 上記遮へい部材の材質が、モリブデン、タングステン、およびモリブデンまたはタングステンを含む合金のいずれかである
ことを特徴とする請求項1に記載のデブリ低減装置。 - 上記遮へい部材が、デブリ低減装置本体またはデブリ低減装置が収納されている真空容器と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか一項に記載のデブリ低減装置。 - 上記遮へい部材は、プラズマから放出され遮へい部材に堆積し液滴状となったスズを導くための溝および/または突起を備える
ことを特徴とする請求項1,2,3のいずれか一項に記載のデブリ低減装置。 - 上記遮へい部材のデブリ低減装置側の表面積が、プラズマ側の表面積より大きい
ことを特徴とする請求項1,2,3,4のいずれか一項に記載のデブリ低減装置。
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