JP7264119B2 - 極端紫外光光源装置 - Google Patents

Description

本発明は、極端紫外光光源装置に関する。

近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに、極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種ともいう）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。

このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間の間隙に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。ＤＰＰ方式としては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面に液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ））を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Plasma）方式と呼ばれることもある。

ＥＵＶ光源装置は、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。つまり、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。
ＥＵＶ光は減衰しやすいので、プラズマから利用装置までは、減圧雰囲気つまり真空環境におかれている。

一方、ＬＤＰ方式で生成されたプラズマからはデブリが高速で放散される。デブリは、高温プラズマ原料であるスズ粒子、およびエネルギービームの照射を受けることによって僅かに欠損した放電電極の材料粒子を含む。デブリは利用装置で邪魔になるので、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリの進行方向をそらすデブリトラップが提案されている（特許文献１）。

特開２０１７－２１９６９８号公報

デブリトラップは、複数のホイルにより、配置された空間を細かく分割し、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。デブリは、この圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下するとともに進行方向がそらされる。デブリトラップとしては、固定された固定式ホイルトラップ（ｆｏｉｌ ｔｒａｐ）と、デブリに衝突させてその進行方向をそらす作用を加えた回転式ホイルトラップがある。１つの装置に、回転式ホイルトラップと固定式ホイルトラップの両方を設けてもよいし、一方を設けてもよい。
デブリトラップで進行を阻害されたデブリは、デブリ収容容器に蓄積される。デブリの蓄積は、デブリが固相であると蓄積物が特定の地点上で成長してしまうので、デブリが液相である方が効率が良い。そこで、デブリを加熱するため、デブリ収容容器の周囲には、ヒーター配線を設けることが望ましい。
しかし、ヒーター配線をデブリ収容容器とともに真空下にある筐体内に配備する場合には、ヒーター配線の点検および修理が困難である。また、筐体内にあるデブリ収容容器を交換したり、デブリ収容容器からデブリ、例えばスズを取り出したりするのに時間がかかる。一般的に、半導体製造装置はユーザーが製品の生産活動に利用できる時間（アップタイムともいう）をできるだけ長くすることが求められる。したがって、デブリ収容容器の交換などの保守にかかる時間をできるだけ短く、かつ保守の周期をできるだけ長くしなければならない。

そこで、本発明は、デブリ収容容器を加熱するヒーター配線の点検および修理が容易であって、デブリ収容容器を交換したり、デブリ収容容器からデブリを取り出したりすることが容易な極端紫外光光源装置を提供することを目的とする。

本発明のある態様に係る極端紫外光光源装置は、極端紫外光を放出するプラズマを発生させる光源部と、前記光源部が配置された第１の真空筐体と、前記極端紫外光が利用される利用装置と前記第１の真空筐体の間に配置され、前記利用装置と前記第１の真空筐体に連通する第２の真空筐体と、前記第２の真空筐体の内部に配置され、前記プラズマから前記利用装置に向けて放散されたデブリの進行方向をそらすデブリトラップと、前記第２の真空筐体の外部に配置され、前記デブリトラップで進行方向がそらされたデブリが落下するデブリ収容容器とを備える。前記第２の真空筐体の壁には、前記デブリ収容容器の内部空間と前記第２の真空筐体の内部空間を連通させる貫通孔が形成されている。

この態様においては、デブリトラップで進行方向がそらされたデブリが第２の真空筐体の壁に形成された貫通孔を通じて、デブリ収容容器に落下する。デブリ収容容器は、第２の真空筐体の外部に配置されている。したがって、デブリ収容容器を加熱するヒーター配線にデブリが付着することがなく、ヒーター配線の点検および修理が容易である。また、デブリ収容容器を容易に第２の真空筐体から取り外すことができるので、デブリ収容容器を新しいデブリ収容容器に交換したり、デブリ収容容器からスズを取り出したりすることが容易である。

本発明の態様においては、デブリ収容容器を加熱するヒーター配線の点検および修理が容易であって、デブリ収容容器を交換したり、デブリ収容容器からデブリを取り出したりすることが容易である。

本発明の実施形態に係る極端紫外光光源装置を示す概略図である。 実施形態に係る極端紫外光光源装置の一部を示す断面図である。 実施形態に係る極端紫外光光源装置の回転式ホイルトラップの正面図である。

以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。図面の縮尺は必ずしも正確ではなく、一部の特徴は誇張または省略されることもある。

極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１は、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置またはリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能な、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
実施形態に係るＥＵＶ光源装置１は、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。より具体的には、ＥＵＶ光源装置は、放電を発生させる一対の電極の表面に供給された液相のプラズマ原料にレーザビーム等のエネルギービームを照射してプラズマ原料を気化し、その後、電極間の放電によって高温プラズマを発生させる。プラズマからはＥＵＶ光が放出される。

図１に示すように、ＥＵＶ光源装置１は、内部でプラズマを発生させるチャンバ（第１の真空筐体）１１を有する。チャンバ１１は、剛体、例えば金属から形成されている。チャンバ１１の内部は、ＥＵＶ光の減衰を抑制するため真空にされる。
図１におけるチャンバ１１の内部の描写は、チャンバ１１の内部の平面図である。

チャンバ１１の内部には、極端紫外光を放出するプラズマを発生させる光源部１２が配置されている。光源部１２は、一対の放電電極２１ａ，２１ｂを有する。放電電極２１ａ，２１ｂは、同形同大の円板であり、放電電極２１ａがカソードとして使用され、放電電極２１ｂがアノードとして使用される。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から形成されている。
放電電極２１ａ，２１ｂは、互いに離間した位置に配置されており、放電電極２１ａ，２１ｂの周縁部が近接している。カソード２１ａの周縁部とアノード２１ｂの周縁部が最も接近した位置で、カソード２１ａとアノード２１ｂの間の間隙では、放電が発生し、これに伴い高温プラズマが発生する。以下、カソード２１ａの周縁部とアノード２１ｂの周縁部が最も接近した位置にあるカソード２１ａとアノード２１ｂの間の間隙を「放電領域Ｄ」と呼ぶ。

カソード２１ａは、モータ２２ａの回転軸２３ａに連結されており、カソード２１ａの軸線周りに回転する。アノード２１ｂは、モータ２２ｂの回転軸２３ｂに連結されており、アノード２１ｂの軸線周りに回転する。モータ２２ａ，２２ｂはチャンバ１１の外部に配置されており、回転軸２３ａ，２３ｂはチャンバ１１の外部から内部に延びている。回転軸２３ａとチャンバ１１の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシール２４ａのようなシール部材で封止されており、回転軸２３ｂとチャンバ１１の壁の間の隙間も、例えば、メカニカルシール２４ｂのようなシール部材で封止されている。シール部材は、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２３ａ，２３ｂの回転を許容する。
このように放電電極２１ａ，２１ｂは、別個のモータ２２ａ，２２ｂによってそれぞれ駆動される。これらのモータ２２ａ，２２ｂの回転は、制御部１５によって制御される。

チャンバ１１の内部には、液相のプラズマ原料２５ａが貯留されたコンテナ２６ａと、液相のプラズマ原料２５ｂが貯留されたコンテナ２６ｂが配置されている。コンテナ２６ａ，２６ｂには、加熱された液相のプラズマ原料２５ａ，２５ｂが供給される。液相のプラズマ原料２５ａ，２５ｂは、例えばスズ（Ｓｎ）である。
カソード２１ａの下部は、コンテナ２６ａ内のプラズマ原料２５ａに浸されており、アノード２１ｂの下部は、コンテナ２６ｂ内のプラズマ原料２５ｂに浸されている。したがって、放電電極２１ａ，２１ｂには、プラズマ原料が付着する。放電電極２１ａ，２１ｂの回転に伴って、液相のプラズマ原料２５ａ，２５ｂは、高温プラズマを発生させるべき放電領域Ｄに輸送される。

チャンバ１１の外部には、カソード２１ａにコートされたプラズマ原料２５ａにエネルギービームを照射して、プラズマ原料２５ａを気化させるレーザ（エネルギービーム照射装置）２８が配置されている。レーザ２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ_４レーザ（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate レーザ）であり、赤外レーザビームＬを発する。但し、エネルギービーム照射装置は、プラズマ原料２５ａを気化させることができるレーザビーム以外のビームを発する装置であってもよい。
レーザ２８によるレーザビームの照射タイミングは、制御部１５によって制御される。
レーザ２８から放出された赤外レーザビームＬは、可動ミラー３１に導かれる。レーザ２８と可動ミラー３１の間には、典型的には、集光手段が配置される。集光手段は、例えば集光レンズ２９を有する。

赤外レーザビームＬは、チャンバ１１の外部に配置された可動ミラー３１により反射されて、チャンバ１１の壁に設けられた透明窓３０を通過して、放電領域Ｄ付近のカソード２１ａの外周面に照射される。
カソード２１ａの外周面に赤外レーザビームＬを照射するのを容易にするため、放電電極２１ａ，２１ｂの軸線は平行ではない。回転軸２３ａ，２３ｂの間隔は、モータ側が狭く、電極側が広くなっている。
アノード２１ｂは、カソード２１ａと可動ミラー３１の間に配置されている。換言すれば、可動ミラー３１で反射された赤外レーザビームＬは、アノード２１ｂの外周面付近を通過した後に、カソード２１ａの外周面に到達する。赤外レーザビームＬの進行を邪魔しないように、アノード２１ｂはカソード２１ａより、図１の左側に退避している。
放電領域Ｄ付近のカソード２１ａの外周面にコートされた液相のプラズマ原料２５ａは、赤外レーザビームＬの照射により気化して、気相のプラズマ原料が放電領域Ｄに発生する。

放電領域Ｄで高温プラズマを発生させるため（気相のプラズマ原料をプラズマ化するため）、パルス電力供給部３５がカソード２１ａとアノード２１ｂに電力を供給し、カソード２１ａとアノード２１ｂの間で放電を生じさせる。パルス電力供給部３５は、周期的にパルス電力を放電電極２１ａ，２１ｂに供給する。
パルス電力供給部３５は、チャンバ１１の外部に配置されている。パルス電力供給部３５から延びる給電線は、チャンバ１１の壁に埋設されてチャンバ１１内の減圧雰囲気を維持するシール部材３６を通過して、チャンバ１１の内部に延びている。

この実施形態では、パルス電力供給部３５から延びる２つの給電線は、それぞれコンテナ２６ａ，２６ｂに接続されている。コンテナ２６ａ，２６ｂは、導電性材料から形成されており、コンテナ２６ａ，２６ｂの内部のプラズマ原料２５ａ，２５ｂも導電性材料、スズである。コンテナ２６ａ，２６ｂの内部のプラズマ原料２５ａ，２５ｂには、放電電極２１ａ，２１ｂが浸されている。したがって、パルス電力供給部３５がコンテナ２６ａ，２６ｂにパルス電力を供給すると、結果的にパルス電力が放電電極２１ａ，２１ｂに供給される。
カソード２１ａとアノード２１ｂの間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料が、大電流により加熱励起されて、高温プラズマが発生する。また、高熱により、放電領域Ｄ付近のアノード２１ｂの外周面にコートされた液相のプラズマ原料２５ｂもプラズマ化される。

高温プラズマからはＥＵＶ光Ｅが放出される。ＥＵＶ光Ｅは、他の光学系装置である利用装置４０（リソグラフィ装置またはマスクの検査装置）で利用される。チャンバ１１と利用装置４０の間には、接続チャンバ（第２の真空筐体）４２が配置されている。接続チャンバ４２の内部空間は、チャンバ１１の壁に形成された貫通孔である窓４３を介してチャンバ１１と連通する。また、接続チャンバ４２は利用装置４０に連通する。図面では、利用装置４０の一部のみを示す。
図２に拡大して示すように、接続チャンバ４２の壁には、貫通孔である窓４４が形成されており、接続チャンバ４２の内部空間は、窓４４を介して利用装置４０と連通する。接続チャンバ４２の内部も、ＥＵＶ光Ｅの減衰を抑制するため真空にされる。放電領域Ｄのプラズマから放出されたＥＵＶ光Ｅは、窓４３，４４を通じて、利用装置４０に導入される。

一方、プラズマからはデブリ４６が高速で放散される。デブリ４６は、高温プラズマ原料であるスズ粒子、およびエネルギービームの照射を受けることによって僅かに欠損した放電電極２１ａ，２１ｂの材料粒子を含む。デブリ４６は利用装置に到達すると利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ性能低下させることがある。そこで、デブリ４６が利用装置４０に侵入しないように、デブリ４６の進行方向をそらすデブリトラップが接続チャンバ４２内に設けられている。この実施形態では、デブリトラップは、デブリ４６に衝突させてデブリ４６の進行方向をそらす作用も有する回転式ホイルトラップ５０を有する。図示しないが、固定式ホイルトラップを接続チャンバ４２内に設けてもよい。

回転式ホイルトラップ５０は、特許文献１に開示された構成を有する。具体的には、図２および図３に示すように、回転式ホイルトラップ５０は、中心のハブ５１、ハブ５１に同心の外側リング５２、ハブ５１と外側リング５２の間に配置された多数のホイル５３を有する。各ホイル５３は、薄膜または薄い平板である。ホイル５３は、等しい角間隔をおいて放射状に配置されている。各ホイル５３は、ハブ５１の中心軸線を含む平面上にある。回転式ホイルトラップ５０の材料は、例えばタングステンおよび／またはモリブデンのような高融点金属である。
ハブ５１は、モータ（回転駆動装置）５４の回転軸５５に連結されており、ハブ５１の中心軸線は回転軸５５の中心軸線に合致する。回転軸５５は回転式ホイルトラップ５０の回転軸とみなすことができる。モータ５４に駆動されて、回転式ホイルトラップ５０は回転し、回転するホイル５３は到来するデブリ４６に衝突し、デブリ４６が利用装置４０に侵入するのを阻止する。
回転式ホイルトラップ５０が接続チャンバ４２内に配置されているのに対して、モータ５４は接続チャンバ４２の外に配置されている。接続チャンバ４２の壁には、回転軸５５が通過する貫通孔５６が形成されている。回転軸５５と接続チャンバ４２の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシール５７のようなシール部材で封止されている。

回転式ホイルトラップ５０にはプラズマの輻射熱が与えられるので、過熱を防止するために、回転軸５５を中空にして冷却水を流通させ冷却を行なうことがある。また、モータ５４自体の動作にともなう過熱を防止するために、モータ５４の周囲には水冷配管５９が巻き付けられている。水冷配管５９には、水が流されており、熱交換によりモータ５４から熱を奪う。
また、回転式ホイルトラップ５０やモータ５４の過熱を防止するため、接続チャンバ４２内には、遮熱板６０が配置されている。遮熱板６０の材料は、例えばタングステンおよび／またはモリブデンのような高融点金属である。遮熱板６０は、プラズマと回転式ホイルトラップ５０の間に介在する。遮熱板６０には貫通孔６０ａが形成されている。貫通孔６０ａは、窓４４とプラズマの中間に位置する。
プラズマからは様々な方向にＥＵＶ光Ｅが放出される。ＥＵＶ光Ｅの一部は、チャンバ１１の窓４３、遮熱板６０の貫通孔６０ａ、回転式ホイルトラップ５０の複数のホイル５３の隙間、窓４４を通過して、利用装置４０に導入される。回転式ホイルトラップ５０の複数のホイル５３は、窓４４に向かって進むＥＵＶ光Ｅを遮らないように、窓４４に向かって進むＥＵＶ光Ｅの光軸に平行に配置される。

この実施形態においては、回転式ホイルトラップ５０が内在する接続チャンバ４２の外部に、回転式ホイルトラップ５０を回転させるモータ５４が配置されている。したがって、モータ５４およびモータ５４の配線５４ａ，５４ｂと水冷配管５９の点検および修理が容易である。また、モータ５４の配線５４ａ，５４ｂと水冷配管５９が接続チャンバ４２の外部に配置されるので、接続チャンバ４２の内部に配置される場合に比べて、接続チャンバ４２の封止箇所が少ない。さらに、モータ５４が接続チャンバ４２の外部に配置されるので、モータ５４の冷却を容易に行なうことができる。

プラズマからはＥＵＶ光とともに様々な方向にデブリ４６が放出される。デブリ４６の一部は、チャンバ１１の窓４３を通じて接続チャンバ４２に侵入する。接続チャンバ４２の下方には、デブリ４６が落下するデブリ収容容器６４が配置されている。接続チャンバ４２に侵入したデブリ４６の一部は、遮熱板６０に堆積する。それらはプラズマからの輻射熱により溶融し、やがてある程度の量に達すると重力により遮蔽板６０の下方に集まり、液滴となってデブリ収容容器６４に落下する。接続チャンバ４２に侵入したデブリ４６の一部や放電電極２１ａ，２１ｂ、コンテナ２６ａ，２６ｂからこぼれたスズは、接続チャンバ４２内に設置されたヒーターで加熱された受け板６５に導かれてデブリ収容容器６４に落下する。接続チャンバ４２に侵入し遮熱板６０の貫通孔６０ａを通過したデブリ４６は、回転式ホイルトラップ５０のホイル５３に跳ね飛ばされるなどして進行方向を変えて、デブリ収容容器６４に落下する。
デブリ収容容器６４は、接続チャンバ４２の外部に配置されている。接続チャンバ４２の底壁には、デブリ収容容器６４の内部空間と接続チャンバ４２の内部空間を連通させる貫通孔６６が形成されている。デブリ収容容器６４は、上部にフランジ６４Ａを有している。フランジ６４Ａで囲まれたデブリ収容容器６４の開口部が貫通孔６６に重ねられ、フランジ６４Ａが接続チャンバ４２の底壁に、例えばネジで固定されている。フランジ６４Ａと接続チャンバ４２の底壁の間の間隙は、ここに設けられたガスケット６８により封止されている。

デブリ４６の大部分はスズであるので、デブリ収容容器６４はスズ回収容器と呼ぶこともできる。デブリ収容容器６４の周囲には、デブリ収容容器６４を加熱するヒーター配線６９が巻き付けられている。ＥＵＶ光源装置１の使用の間、ヒーター配線６９によって、デブリ収容容器６４の内部はスズの融点（約２３２℃）以上に加熱され、デブリ収容容器６４内部に蓄積されたスズは液相にされている。デブリ収容容器６４の内部のスズを液相とする理由は、固体のデブリ４６が蓄積する場合には、デブリ４６が落下しやすい地点で蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように、成長してゆくからである。特定の地点上でデブリの蓄積物が成長すると、他の地点で堆積するデブリが少ないのに、数少ない地点の蓄積物が回転式ホイルトラップ５０に接触して、回転式ホイルトラップ５０の回転を妨げたり回転式ホイルトラップ５０を損傷したりするおそれがある。あるいは、窓４４に向かって進むＥＵＶ光Ｅの光路に蓄積物が達して、ＥＵＶ光Ｅを遮るおそれがある。デブリ収容容器６４の内部のスズを液相にすることで、蓄積されるスズの上部が平坦化される。
デブリ収容容器６４に蓄積されたスズを回収する場合には、接続チャンバ４２内部を大気圧に戻し、ヒーター配線６９による加熱を停止する。その後、デブリ収容容器６４が常温に戻ってから、デブリ収容容器６４を接続チャンバ４２から取り外し、新しい（スズの溜まっていない）デブリ収容容器６４を接続チャンバ４２に取り付ける。
接続チャンバ４２から取り外されたデブリ収容容器６４の内部のスズは固相になっているが、再加熱することによってデブリ収容容器６４から取り出すことができるので、デブリ収容容器６４は再利用できる。

この実施形態においては、回転式ホイルトラップ５０で進行方向がそらされたデブリ４６が接続チャンバ４２の壁に形成された貫通孔６６を通じて、デブリ収容容器６４に落下する。デブリ収容容器６４は、接続チャンバ４２の外部に配置されている。したがって、デブリ収容容器６４を加熱するヒーター配線６９にデブリ４６が付着することがなく、ヒーター配線６９の点検および修理が容易である。また、デブリ収容容器６４を容易に接続チャンバ４２から取り外すことができるので、デブリ収容容器６４を新しいデブリ収容容器６４に交換したり、デブリ収容容器６４からスズを取り出したりすることが容易である。

さらに、接続チャンバ４２の外部には、ＥＵＶ光Ｅを監視する監視装置７０が配置されている。監視装置７０は、ＥＵＶ光Ｅの存在を検出する検出器またはＥＵＶ光Ｅの強度を測定する測定器である。
接続チャンバ４２の壁には、ＥＵＶ光Ｅが通過する貫通孔である極端紫外光案内孔７１が形成されており、極端紫外光案内孔７１と監視装置７０の間には、ＥＵＶ光Ｅが漏れずに通過する管７２が設けられている。

上記の遮熱板６０には、貫通孔６０ｂが形成され、プラズマと貫通孔６０ｂを結ぶ直線の延長線上に監視装置７０、極端紫外光案内孔７１および管７２が配置されている。したがって、プラズマから放出されるＥＵＶ光Ｅの一部は、チャンバ１１の窓４３、遮熱板６０の貫通孔６０ｂ、回転式ホイルトラップ５０の複数のホイル５３の隙間、接続チャンバ４２の壁の極端紫外光案内孔７１、管７２の内腔を通過して、監視装置７０に到達する。
このようにして、ＥＵＶ光Ｅを監視装置７０によって監視することができる。監視装置７０は接続チャンバ４２の外部に配置されるので、接続チャンバ４２の内部に配置される場合に比べて、監視装置７０および監視装置７０の配線７０ａ，７０ｂの点検および修理が容易である。また、監視装置７０の配線７０ａ，７０ｂが接続チャンバ４２の外部に配置されるので、接続チャンバ４２の内部に配置される場合に比べて、接続チャンバ４２の封止箇所が少ない。さらに、監視装置７０が接続チャンバ４２の外部に配置されるので、監視装置７０の過熱を抑制することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態を参照しながら本発明を図示して説明したが、当業者にとって特許請求の範囲に記載された発明の範囲から逸脱することなく、形式および詳細の変更が可能であることが理解されるであろう。このような変更、改変および修正は本発明の範囲に包含されるはずである。

１ 極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）
１１ チャンバ（第１の真空筐体）
１２ 光源部
２１ａ，２１ｂ 放電電極
４０ 利用装置
４２ 接続チャンバ（第２の真空筐体）
４３，４４ 窓
４６ デブリ
５０ 回転式ホイルトラップ（デブリトラップ）
５２ 外側リング
５４ モータ（回転駆動装置）
５４ａ，５４ｂ 配線
５５ 回転軸
５６ 貫通孔
５７ メカニカルシール
５９ 水冷配管
６０ 遮熱板
６４ デブリ収容容器
６６ 貫通孔
６９ ヒーター配線
７０ 監視装置
７０ａ，７０ｂ 配線
７１ 極端紫外光案内孔
７２ 管

Claims (2)

1. 極端紫外光を放出するプラズマを発生させる光源部と、
   前記光源部が配置された第１の真空筐体と、
   前記極端紫外光が利用される利用装置と前記第１の真空筐体の間に配置され、前記利用装置と前記第１の真空筐体に連通する第２の真空筐体と、
   前記第２の真空筐体の内部に配置され、前記プラズマから前記利用装置に向けて放散されたデブリの進行方向をそらすデブリトラップと、
   前記第２の真空筐体の外部に配置され、前記デブリトラップで進行方向がそらされたデブリが落下するデブリ収容容器と、
   前記第２の真空筐体の内部に配置されて前記第２の真空筐体の内部に侵入したデブリの一部を受ける受け板とを備え、
   前記第２の真空筐体の底壁には、前記デブリ収容容器の内部空間と前記第２の真空筐体の内部空間を連通させる貫通孔が形成されており、前記第２の真空筐体の内部から前記貫通孔を通じてデブリが前記デブリ収容容器に落下するようになっているとともに、前記受け板に受けられたデブリが前記受け板に導かれて前記デブリ収容容器に落下するようになっていることを特徴とする
   極端紫外光光源装置。
2. 前記第２の真空筐体の前記底壁は、前記受け板に覆われていない部分を有し、当該部分の上面は、貫通孔に近いほど低くなるように、傾斜している
   ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。

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