JP2011515022A - 回転フォイルトラップ及び駆動装置を持つデブリ低減装置 - Google Patents

回転フォイルトラップ及び駆動装置を持つデブリ低減装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011515022A
JP2011515022A JP2010548232A JP2010548232A JP2011515022A JP 2011515022 A JP2011515022 A JP 2011515022A JP 2010548232 A JP2010548232 A JP 2010548232A JP 2010548232 A JP2010548232 A JP 2010548232A JP 2011515022 A JP2011515022 A JP 2011515022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap
casing
drive shaft
drive
sealing gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010548232A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5475693B2 (ja
Inventor
グエンテル ハンス デラ
ミハエル シャーフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2011515022A publication Critical patent/JP2011515022A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5475693B2 publication Critical patent/JP5475693B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16CSHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C33/00Parts of bearings; Special methods for making bearings or parts thereof
    • F16C33/72Sealings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/04Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

本発明は、光学的放射、特に極紫外線放射EUV又は軟X線を生じる放射源2であって、上記放射源2の放射経路における光学面上に堆積し得る不要物質及び/又は粒子を放出する放射源2との使用のためのデブリ低減装置と、対応する駆動装置とに関する。デブリ低減装置は少なくとも1つの回転フォイルトラップ5と駆動装置を有する。駆動装置は、駆動モータ14と、回転フォイルトラップ5が固定される駆動軸10とを有する。駆動モータ14、及び駆動軸10を支持するベアリング13は、駆動軸10用のアパーチャと密封ガス用の少なくとも1つの出口開口21とを持つケーシング20の中に包含される。出口開口21は密封ガスを送り出すためのポンプに接続可能である。アパーチャは駆動軸10とケーシング20の間の間隙23を画定するように設計され、上記間隙23は上記間隙23を通して上記ケーシング20の中へ密封ガスを供給するための供給管19に接続される。提案されるデブリ低減装置は、デブリ低減装置が使用される真空室の汚染のリスクなしに、従来の駆動モータと、油を塗られた又は油を差されたベアリングの使用を可能にする。これは駆動装置の増進された耐用年数をもたらす。

Description

本発明は、光学的放射、特に極紫外線放射(EUV)又は軟X線を生じる放射源であって、上記放射源の放射経路における光学面上に堆積し得る不要物質及び/又は粒子を放出する放射源と使用するためのデブリ低減装置に関し、上記デブリ低減装置は、少なくとも1つの回転フォイルトラップ、及び、上記回転フォイルトラップが固定される駆動軸と駆動モータとを有する駆動装置を有する。
本発明のデブリ低減システムは、特におよそ1nm乃至20nmの波長範囲における極紫外線放射又は軟X線を放出する照射装置に適用できる。典型的な応用分野は、わずか数nmの寸法を持つ構造を有する集積回路の製造に必要とされるEUVリソグラフィである。
EUVリソグラフィ用のEUV照射装置は、重要な要素として、EUV放射を放出する放射源と、ウエハ基板上にマスクの構造を投影するための照明光学系とを有する。EUVリソグラフィの場合、この波長域に有効な透過光学素子が知られていないので、光学部品は反射ミラーである。必要なEUV放射は、照射装置の放射源を形成するプラズマ放電によって生成される。しかしながらこうしたプラズマは、EUV放射の他に、照明光学系の光学面上に堆積し得る物質及び/又は粒子も放出する。EUV放射源の種類によって、これらの粒子は異なる化学濃度の中性原子、イオン、クラスタ、又は液滴を有し得る。このようなEUV放射源の不要な粒子放出全体はデブリと呼ばれる。EUV照射装置において、1つ又は複数のミラーから構成され得る、放射源に近いコレクタは、こうしたデブリによって汚染又は損傷され得る。汚染又は損傷を最小限にするために、デブリ低減システムが、こうした照射装置の放射源と光学部品、特にコレクタとの間で使用される。
デブリ低減の既知の方法は、EUV放射源とコレクタ間へのバッファガスの供給である。デブリ粒子は、原子又はイオンの場合、ガス原子との衝突によって減速し、これらの元の飛行方向から偏向される。十分に高密度のバッファガスがあれば、デブリ粒子は原則的にコレクタヘ向かう途中で停止され得る。デブリが例えば金属原子又は金属液滴などの凝縮性物質も含む場合は、追加のデブリ低減装置がEUV放射源とコレクタの間で使用される。こうしたデブリ低減装置は、コレクタへの放射の直線通過用の経路を持つ構造を有し、デブリ物質は主にこの構造の壁で凝縮し、その結果コレクタに到達しない。
既知のデブリ低減装置は、平行な、同心又はハニカム構造を形成する方法で配置された、固形物の複数の薄板又はフォイルから構成される。例えばWO 01/01736 A1を参照。こうしたデブリ低減部品はフォイルトラップとも呼ばれる。
WO 03/034153 A1は、フォイルトラップが中間領域によって2つの部分に分けられているデブリ低減装置の一実施形態を開示している。バッファガスはこの中間領域内に供給される。この構成により、プラズマ発生のための体積と、コレクタを包含する体積が低圧に維持され得ると同時に、デブリ粒子を効果的に減速させるために中間領域内のバッファガスがより高圧で供給され得る。
デブリ粒子を効果的に抑制するためには、数センチメートルの相互作用距離にわたって数十パスカルのバッファガスの圧力(低温圧)が必要とされる。バッファガス原子の原子量は、最も有効な運動量移行を確実にするために、停止される原子及びイオンの原子量と同様でなければならない。
EP 1 274 287は、フォイルトラップが中心光軸の周りを回転させられるデブリ低減装置を記載している。この回転により、ゆっくりと動くが、バッファガス原子との衝突によってほとんど偏向されない、従ってフォイルトラップを通過する比較的大きくて重い液滴が、フォイルトラップの回転フォイルと衝突することができ、主にこれらのフォイルの表面によって吸着される。
こうしたデブリ低減装置においては、フォイルトラップを回転させるために駆動装置が必要である。こうした駆動装置は駆動モータと駆動軸を有し、駆動軸に回転フォイルトラップが取り付けられるか又は固定される。駆動軸は通常、駆動軸の安定回転を可能にするため、及び回転軸の精密な位置合わせを確実にするために、例えばボールベアリングなどの2つのベアリングによって支持される。デブリ低減装置をEUV放射源とともに使用するとき、放射源はデブリ低減装置及び集光光学系とともに真空条件下で操作されなければならず、1つの追加バッファガスの使用しか許されない。こうしたシステムの繊細な光学面の汚染を防ぐために、全システム内の真空に対する純度要求は非常に高い。これは駆動装置の使用に伴う問題を引き起こす。既に非常に少量の、例えばオイル又はグリース蒸気の一部である炭化水素が避けられなければならない。従って、駆動モータのベアリングは油を塗られるか又は油を差されることができず、ガス抜けを最小限にするために特殊な気密性又は真空適合性の駆動モータが使用されなければならない。こうした条件の下、ベアリングの耐用年数は避けられない機械的摩耗のために非常に短い。厳選された材料と最高の精度を用いるベアリングの場合でさえ、約100時間の運転期間しか達成できない。こうした短い運転期間は、半導体製造用のリソグラフィシステムにおける応用にとって許容できない。
本発明の目的は、回転フォイルトラップと、対応する駆動装置とを持つデブリ低減装置を提供することであり、これはより長い耐用年数の駆動モータを用いて、EUV放射源を持つ照明系における運転を可能にする。
この目的は、請求項1及び10に記載のデブリ低減装置と駆動装置によって実現される。デブリ低減装置と駆動装置の有利な実施形態は、従属請求項の主題であるか、又は説明の後続部分に記載される。
提案されるデブリ低減装置は主に、光学的放射、特にEUV放射及び/又は軟X線を生じる放射源であって、上記放射源の放射経路における光学面上に堆積し得る不要物質及び/又は粒子を放出する放射源との使用を対象とする。デブリ低減装置は、上記放射源によって生成される上記放射の直線通過を可能にし、かつ、上記不要物質及び/又は粒子の量が通過することを防ぐ、少なくとも1つの回転フォイルトラップと、上記回転フォイルトラップが固定される駆動軸及び駆動モータを有する駆動ユニット又は駆動装置を有する。
駆動モータ、及び駆動軸を支持するベアリングは、ケーシング内に包含され、ケーシングは駆動軸用のアパーチャと、密封ガス用の少なくとも1つの出口開口を持つ。ケーシングのアパーチャは、駆動軸とケーシングの間に間隙をもたらすように設計され、この間隙は上記間隙を通してケーシングの中へ密封ガスを供給するための供給管に接続される。供給管への間隙の接続はフロー接続であり、これは供給管が必ずしも筐体に機械的に接続されなければならないわけではないが、供給管を通して供給される密封ガスのフローが少なくとも部分的に間隙へ入ることを実現するために、供給管の開口が間隙に十分に近くなければならないことを意味する。ケーシングはアパーチャと出口開口を除いて気密性に設計される。間隙を通してケーシングの内部へ供給される密封ガスは、出口開口を通してケーシングから出ることができる。出口開口は好ましくは適切な排気管に気密性に接続される。排気管はポンプに接続され得るか、又は大気へ開かれ得る。間隙を通してケーシングの中へ入る密封ガスの十分に高いガス流速を実現するために、間隙幅は好ましくは200μm未満に選択される。フロー方向の間隙の長さは好ましくは5乃至40mmで選択される。ケーシングの間隙に接続される供給管は、デブリ低減装置と部分的に一体になって形成されてもよく、又は駆動装置の一体部分として形成されてもよい。
デブリ低減装置又は駆動装置のこの構成は、駆動軸とケーシングの間の狭い間隙を通して、ケーシングの内部への密封ガスの供給を可能にする。密封ガスは十分に高い速度でこの狭い間隙を通って流れ、この速度は密封ガス内におけるケーシングの内部の汚染ガス又は蒸気の典型的な拡散速度よりも高く、間隙を通る密封ガスのフローの反対方向への汚染物質の拡散が防止されるようになっている。従って、提案される構成により、最小限のガス抜けを伴う特別な気密性駆動モータを使用する必要がなく、又は同様にケーシングの内部に配置されるベアリングに油を差すこと、若しくは油を塗ることを避ける必要がない。ケーシングの外側の真空又はバッファガスの汚染は、密封ガスのフローによって防止される。提案される構成は長寿命の従来のモータの使用を可能にし、ベアリングは油を塗られるか又は油を差されることができるので、駆動装置の耐用年数が著しく高められる。
好ましくは、上記駆動軸用のリードスルーが回転フォイルトラップとケーシングの間に配置される。このリードスルーは駆動軸と囲壁の間に追加間隙を形成するように設計され、追加間隙は上記駆動軸とケーシングの間の間隙とともに供給管に接続される。この追加手段は、駆動軸とケーシングの間の間隙から離れる密封ガスのフローに対して高い流れ抵抗を与える。従って密封ガスの高圧がこの間隙の入り口において維持され得る。
デブリ低減装置又は駆動装置の一実施形態において、何らかの理由で密封ガスのフローが妨げられる場合に、間隙を通るケーシングの内部のガス又は蒸気の逆流を防ぐために、逆止弁がケーシングの内部に配置される。かかる逆止弁は当業者に既知の様々な構成を持ち得る。逆止弁は一般に可動部と弁座を有する。該逆止弁は、通常の動作条件において、すなわち間隙を通る密封ガスのガスフローが維持されるときに開き、このガスフローが停止する場合に閉じられる。密封ガスのフローを通じて、間隙の近くの圧力はケーシングの内圧よりも常に高いので、逆止弁はこのガスフローを通して自動的に開き得る。かかるガスフローがない場合の逆止弁の閉鎖は、かかる場合の逆止弁における異なる圧力分布によって自動的に強制され得る。ガスフローが停止する場合、ケーシングの内圧は間隙内の圧力よりも高くなり、逆止弁の可動部品に弁を閉じさせるような圧力をもたらす。とはいえ、任意の追加部品、例えば適切なばね部材が、かかる場合に弁を閉じるために使用されてもよい。この手段により、何らかの理由で密封ガスの供給が不足するときでさえ、ケーシングの外側の真空室の汚染が防止される。
提案されるデブリ低減装置は、単一の回転フォイルトラップ、又は、回転フォイルトラップ若しくは回転フォイルトラップと静的フォイルトラップの任意の組み合わせを持ち得る。実施形態のうちの1つにおいて、デブリ低減装置は静的フォイルトラップと回転フォイルトラップから構成され、これらは中間領域によって分離される。駆動軸は静的フォイルトラップの中心のリードスルーを通って回転フォイルトラップへとのび、駆動軸と囲壁の間に小さな間隙が形成される。密封ガス用の供給管は、この場合駆動軸とケーシングの間の間隙の間の空間に接続され、この供給された密封ガスの一部は、この間隙を通してケーシングの内部へ、及び、例えば静的フォイルトラップのコアによって形成され得る囲壁と駆動軸の間の間隙へ通過し、供給された密封ガスの他の部分は静的フォイルトラップと回転フォイルトラップの間の中間領域へと通過する。いずれにしても、デブリ低減のために適用されるバッファガスを密封ガスとして使用することによって、2つのフォイルトラップ間の空間へのこのバッファガスのフローは、フォイルトラップを通るデブリ粒子の通過を抑制するためにさらに有用である。
好ましくは駆動軸と囲壁の間の間隙は100μm未満である。密封ガスのフロー方向の間隙長は好ましくは5乃至40mmである。一般的にフォイルトラップ間の空間への密封ガスのフローは、密封ガスが、真空室の内部の通常使用されるバッファガスとともに、デブリの通過の最大抑制を実現するためにフォイルトラップの内部で最適なガス圧力分布を持つように寸法設定され得る。
上記実施形態の構成に加えて、密封ガスの一部に対する逆流が、軸における密封ガス供給と、2つのフォイルトラップ間の中間領域との間にもたらされ得る。この目的のため、例えば、静止フォイルトラップのコアを通して駆動軸とその囲壁の間の間隙から追加チャネルが形成され得る。この追加チャネルを通して、密封ガスの一部が送り出されることができ、フォイルトラップシステムにおける最適なガス圧力分布にとってこれが必要である場合は、2つのフォイルトラップ間の空間への密封ガスフローの減少をもたらす。
駆動軸とケーシングの間の間隙、及び駆動軸とその囲壁の間の間隙はかなり小さいので、例えば4乃至12mmなど、ごく小さな断面積の供給管と任意的な逆流管、及び従って小さなポンプ能力が必要とされる。
従って、かかるデブリ低減装置で使用され得る対応する駆動装置又は駆動ユニットは、適切なベアリングだけでなく、部品を駆動させるための駆動モータ及び駆動軸を有する。駆動モータはベアリングとともに、駆動軸用のアパーチャと、密封ガス用の少なくとも1つの出口開口とを持つケーシング内に包含される。アパーチャは駆動軸とケーシングの間の間隙を画定するように設計され、間隙は、上記間隙を通してケーシングの中へ密封ガスを供給するための供給管に接続される。
かかる駆動装置はまた、駆動装置の運転によって生じるガス又は蒸気を通じての周囲チャンバ又は空間の汚染が防止されなければならないような他の用途においても使用され得ることが、当業者には明らかである。好ましい用途は上記のようなデブリ低減装置との使用である。かかるデブリ低減装置において、フォイルトラップは既知の方法で設計され得る。かかるフォイルトラップの個々の構成は本発明の方法に影響を与えないことが明らかである。適切なフォイルトラップの例は、本明細書の導入部に記載された文書において、又はEUV照明系におけるデブリ低減を扱ういかなる他の文書においても見られる。
以下の例示的な実施形態は、請求項によって規定される保護範囲を制限することなく、添付の図面を参照して、本発明のデブリ低減装置と駆動装置の実施例を示す。
既知のデブリ低減装置の概略図である。 当該技術分野で既知のかかる装置の駆動装置の概略図である。 提案されるデブリ低減装置の第一の実施形態の概略図である。 提案されるデブリ低減装置の第二の実施形態の概略図である。 逆止弁の2つの異なる構成を開状態と閉状態で示す、提案される駆動装置の一部分の4つの概略的断面図である。
図1は当該技術分野で既知のEUV照射装置におけるフォイルトラップを持つデブリ低減装置の概略図を示す。EUVプラズマ源2は放射源としてEUV放射を発し、これはコレクタ3によって集められ、集束される。EUVプラズマ源2は、所望のEUV放射だけでなく不要なデブリ粒子も放出する。光軸は参照符号1で描かれ、EUV放射の例示的な放射経路は参照符号8、デブリ粒子の例示的な経路は参照符号9で描かれる。
デブリ低減装置は、コレクタ3へのデブリ粒子の通過を抑制するためにEUVプラズマ源2とコレクタ3の間に配置される。この例におけるデブリ低減装置は静止フォイルトラップ4と回転フォイルトラップ5を有する。この例における静止フォイルトラップ4は、光軸1から半径方向にのびる複数のシングルフォイルシート11から構成される。このフォイルトラップの構成は、光軸1の方向の図をあらわす、図1の右側に見られる。全体の配置はこの光軸1の周りに回転対象を持つ。
デブリ低減装置は、2つのフォイルトラップ4,5の間の中間領域へのバッファガスの供給用のフィード管6も有する。このバッファガスのフロー7を通して、回転フォイルトラップ5を依然として通過するデブリ粒子は、静止フォイルトラップ4と回転フォイルトラップ5のフォイルシート上で凝縮するためにバッファガスとの衝突によって減速又は偏向される。フォイルトラップから出るバッファガスは、コレクタ3を通して、デブリ低減装置とコレクタ3の間の領域、及びデブリ低減装置とEUVプラズマ源2の間の領域へ、真空ポンプによって送り出される。
クラスタ又は液滴のような肉眼で見えるデブリ粒子は、静止フォイルトラップ4の前に配置される回転フォイルトラップ5によって効果的に停止され得る。静止フォイルトラップ4の場合と同様に、回転フォイルトラップ5も、コア16上に取り付けられる複数のフォイルシート11によって構成される。コア16は、静止フォイルトラップ4のコア15におけるリードスルーを通して、図1には示されていない駆動モータへとのびる駆動軸10上に取り付けられる。
図2は当該技術分野で既知の回転フォイルトラップ5を駆動するための駆動装置の概略図を示す。駆動モータ14の駆動軸10は、この軸10の光軸1周りの安定な回転運動を可能にするために、2つのベアリング13によって支持される。回転フォイルトラップ5のコア16はこの駆動軸10の一端に固定される。
既に説明した通り、かかる駆動装置のベアリング13は、図1に示されるようなEUV照明装置において使用されるとき、汚染物質のオイル又はグリース蒸気の発生を防ぐために、油を塗られるか又は油を差されることができない。さらに、駆動モータ14は運転中のガス抜けを最小限にするために真空気密になるように特別に構成されなければならない。ベアリング13の適切な注油の欠如は、駆動装置の非常に短い耐用年数につながる。この欠点は本発明に従うデブリ低減装置と駆動装置によって防止される。
図3は提案されるデブリ低減装置と駆動装置の例示的な一実施形態の概略図を示す。この図面、前及び後の全図面において、かかる装置の同じ構成部品に対して同一の参照符号が使用される。従って図1及び図2に既に記載された構成部品は以下で再度説明されない。
図3の例示的な実施形態において、駆動モータ14とベアリング13は、駆動軸10用のアパーチャと密封ガス用の出口開口21のみを有する気密性ケーシング20の内部に配置される。駆動軸10用のアパーチャは駆動軸10とケーシング20の間の小さな間隙23を画定するように設計される。同様の小さな間隙33が駆動軸10と囲壁の間に形成され、図3に見られるように、囲壁はこの実施形態において静止フォイルトラップ4のコア15と同一である。間隙は密封ガスの供給18のための供給管19に接続される。この密封ガスは両方の間隙を通って、すなわち駆動軸10とケーシング20の間の間隙23を通ってケーシング20の内部へ、及び駆動軸10と静止フォイルトラップ4のコア15の間の間隙33を通って流れる。ガスフロー24は図3に概略的に示される。この図面及び後の図面においては2つの供給管19が示されているが、供給管の数は本発明の機能にとって最も重要ではない。該装置はまた、例えば小さな間隙23におけるリング状空間に接続された、ケーシング20の片側のただ1つの供給管19、又はケーシング20を完全に囲むように形成される供給管19、又は2つよりも多くの供給管19も有し得る。
駆動軸10とフォイルトラップ4のコア15の間の間隙33を通る密封ガスフローの部分は、2つのフォイルトラップ間の中間領域へと通じる。この空間において、密封ガスは低減装置を通るデブリの通過を抑制するのに役立つ。駆動軸10とケーシング20の間の間隙23を通過する密封ガスフローの他の部分は、いかなる汚染ガス又は蒸気の反対方向への通過も妨げる。駆動軸10とケーシング20の間の小さな間隙23のために、密封ガスの流速はケーシング20の内部のいかなる汚染ガスの拡散速度よりも著しく高い。これらの汚染ガスの例示的なフロー25は図に示される。従って、ケーシング20の内部のベアリング13から、又はモータ14から、デブリ低減装置が中に配置される真空室への、汚染ガス又は蒸気の通過が最適に防止される。従ってかかる構成により、これらの構成部品の長い耐用年数を実現するために、必要に応じてベアリング13は油を塗られるか又は油を差されてもよい。さらに、最早特殊な気密性モータ14を使用する必要がない。特殊な気密性又は真空適合性モータよりもかなり安い標準的なモータが使用されることができる。ケーシング20へ入る密封ガスは出口開口21を通ってこのケーシングから出ることができる。出口開口21は好ましくは適切な排気管に気密性に接続される。排気管はポンプに接続され得るか、又は大気へ開かれ得る。
図4は提案されるデブリ低減装置のさらなる例示的な実施形態を概略図で示す。この実施形態においては、図3の実施形態に加えて、ポンプ空間26において付加的な密封ガスの逆流が静止フォイルトラップ4のコア15の内部にもたらされる。この付加的なポンプ空間26は、真空系の外側へ通じるポンプ管27に接続される。駆動軸10と静止フォイルトラップ4のコア15の間の間隙33に接続されるこの付加的なポンプ空間26により、2つのフォイルトラップ間の中間領域に入る密封ガスの量が高すぎる場合、密封ガスの一部を送り出すことが可能である。ポンプ管27における対応するガスフロー28は図に示される。この手段により、2つのフォイルトラップ4,5の間の中間領域に入る密封ガス又はバッファガスの量の制御が可能である。この図面においては2つのポンプ管27が示されているが、ポンプ管27の数はこの手段の機能にとって最も重要ではない。該装置はまた、例えば片側にただ1つのポンプ管27、又はケーシング20を完全に囲むように形成されるポンプ管27、又は2つよりも多くのポンプ管27も有し得る。
EUV照射装置の運転中、通常運転条件に加えて、例えば緊急の場合又は技術的欠陥の場合において、他の運転条件も生じ得る。ケーシング20の内部からの汚染ガス又は蒸気を通じての真空系の汚染を防ぐために、図5aから図5dに示されるさらなる手段が取られ得る。これらの実施形態においては、付加的な逆止弁29がケーシング20と駆動軸10の間の間隙23においてケーシング20の内部に配置される。4つの図面は駆動装置の対応する部分の断面図を示す。
逆止弁29は様々な方法で実現され得る。図5は2つの可能な構成を示す。図5a及び図5bにおいて、逆止弁29の開状態と閉状態が例示的な一実施形態に対して示され、図5c及び図5dにおいては別の例示的な実施形態に対して示される。
逆止弁29は可動部品30と弁座31から構成される。両部品は、逆止弁が通常運転条件において開くように配置される。この開状態は、ケーシング20の内部のガス圧力に比べて高い局所ガス圧力を間隙23の内部に生じる密封ガスのガスフローを通して実現される。
このシステムの異常状態において、何らかの理由で間隙23を通る通常の密封ガスフローが妨げられる時、逆止弁29周辺の圧力分布は変化し、逆止弁のケーシング20側の圧力は、間隙23側よりもかなり高くなる。この状況において、圧力32が逆止弁29の可動部品30に作用し、これが弁を閉じる。この閉状態においては、ケーシング20の内部から真空系へのいかなるガスフローも妨げられ、ケーシング20の内部からの真空系のいかなる汚染も回避される。逆止弁29の可動部品30は、図5c及び図5dにおけるような弾性材料から作られ得るか、又は図5a及び図5bにおけるようなばね状部材に接続され得る。逆止弁の弾性部材はまた、ケーシング20側と間隙23側の間に圧力差がないときに弁が閉状態になるように設計されてもよい。通常運転中、この場合は密封ガスフローによって開かれる。
本発明は図面及び前述の説明において詳細に図示され記載されているが、かかる図示と記載は説明又は例示的なものであって限定的なものではないとみなされ、本発明は開示された実施形態に限定されない。上記及び請求項に記載の異なる実施形態は組み合わされることもできる。開示された実施形態への他の変更は、図面、開示、及び添付の請求項の考察から、請求された発明を実施する際に当業者によって理解され、達成されることができる。例えば、デブリ低減装置はただ1つの回転フォイルトラップ又は複数の回転フォイルトラップから構成されてもよく、これらはまた異なる駆動装置によって駆動されてもよい。このような場合、全ての駆動装置は本発明に従って構成される。さらに、フォイルトラップの設計は図面に示された設計に限定されない。生成された放射の直線通過を可能にし、フォイルトラップを通過し得るデブリの量を削減する構造を持つ任意の適切な設計が、本発明によって実現されることができる。特に、フォイルトラップの構造は必ずしもフォイルから作られなければならないわけではないことが強調される。より厚い構造もまた可能である。密封ガスを供給するための管は、フォイルトラップ、又は駆動装置のケーシングの一体部分として配置され得るが、別々の部品としても実現され得る。複数の供給管を設けることもまた可能である。
請求項において、"有する"という語は他の要素又はステップを除外せず、不定冠詞"a"又は"an"は複数形を除外しない。相互に異なる従属請求項において手段が列挙されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用されることができないことを示すものではない。請求項における参照符号はこれらの請求項の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
1 光軸
2 EUVプラズマ源
3 コレクタ
4 静止フォイルトラップ
5 回転フォイルトラップ
6 フィード管
7 バッファガスのフロー
8 EUV放射の経路
9 デブリ粒子の経路
10 駆動軸
11 フォイルシート
13 ベアリング
14 駆動モータ
15 静止フォイルトラップのコア
16 回転フォイルトラップのコア
18 密封ガス供給
19 供給管
20 駆動装置のケーシング
21 密封ガス用の出口
23 間隙
24 密封ガスのフロー(記号)
25 汚染ガスのフロー(記号)
26 ポンプ空間
27 ポンプ管
28 ガスフロー(記号)
29 逆止弁
30 逆止弁の可動部品
31 逆止弁の弁座
32 圧力(記号)
33 追加間隙

Claims (16)

  1. 光学的放射、特に極紫外線放射(EUV)及び/又は軟X線を生じる放射源であって、前記放射源の放射経路における光学面上に堆積し得る不要物質及び/又は粒子を放出する放射源との使用のためのデブリ低減装置であって、
    前記デブリ低減装置は、回転フォイルトラップと、前記回転フォイルトラップが固定される駆動軸及び駆動モータを少なくとも持つ駆動装置とを少なくとも有し、前記駆動軸はベアリングによって支持され、前記駆動モータと前記ベアリングは、前記駆動軸用のアパーチャと密封ガス用の少なくとも1つの出口開口とを持つケーシングの中に包含され、前記出口開口は前記密封ガスを送り出すためのポンプに接続可能であり、前記アパーチャは前記駆動軸と前記ケーシングの間の間隙を画定するように設計され、前記間隙は前記間隙を通して前記ケーシングの中へ前記密封ガスを供給するための供給管に接続される、デブリ低減装置。
  2. 前記駆動軸用のリードスルーが前記回転フォイルトラップと前記ケーシングの間に配置され、前記リードスルーは前記駆動軸と囲壁の間に追加間隙を形成するように設計され、前記追加間隙は前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙とともに前記供給管に接続される、請求項1に記載の装置。
  3. 前記デブリ低減装置が、前記回転フォイルトラップと前記駆動装置の間に配置される静止フォイルトラップをさらに有する、請求項2に記載の装置。
  4. 前記リードスルーが前記静止フォイルトラップの中に形成される、請求項3に記載の装置。
  5. 前記リードスルーが前記回転フォイルトラップと前記静止フォイルトラップの間に形成される中間領域の中へのびる、請求項3に記載の装置。
  6. 前記囲壁が前記追加間隙へのポンプ空間を有し、前記ポンプ空間は前記密封ガスを送り出すためのポンプに接続可能なポンプ管に接続される、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙が200μm未満の間隙幅を持つ、請求項1に記載の装置。
  8. 前記駆動軸と前記囲壁の間の前記追加間隙が100μm未満の間隙幅を持つ、請求項2に記載の装置。
  9. 前記駆動装置が前記ケーシング内に逆止弁を有し、前記逆止弁は、前記間隙を通る前記密封ガスのフローが妨げられる場合に前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙を閉じるように設計され、配置される、請求項1に記載の装置。
  10. 前記逆止弁が、前記間隙を通る前記密封ガスのフローが妨げられる場合に生じる圧力差によって、又は、前記逆止弁の可動部品に取り付けられる弾性部材の動きによって、前記間隙を自動的に閉じるように設計され、配置される、請求項9に記載の装置。
  11. 構成部品を駆動するための駆動モータと駆動軸とを少なくとも有する駆動装置であって、前記駆動軸はベアリングによって支持され、前記駆動モータと前記ベアリングは、前記駆動軸用のアパーチャと密封ガス用の少なくとも1つの出口開口とを持つケーシングの中に包含され、前記出口開口は前記密封ガスを送り出すためのポンプに接続可能であり、前記アパーチャは前記駆動軸と前記ケーシングの間の間隙を画定するように設計され、前記間隙は前記間隙を通して前記ケーシングの中へ前記密封ガスを供給するための供給管に接続される、駆動装置。
  12. 前記駆動軸用のリードスルーが前記構成部品と前記ケーシングの間に配置され、前記リードスルーは前記駆動軸と囲壁の間に追加間隙を形成するように設計され、前記追加間隙は前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙とともに前記供給管に接続される、請求項11に記載の駆動装置。
  13. 前記囲壁が前記追加間隙へのポンプ空間を有し、前記ポンプ空間は前記密封ガスを送り出すためのポンプに接続可能なポンプ管に接続される、請求項12に記載の駆動装置。
  14. 前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙が200μm未満の間隙幅を持つ、請求項11に記載の駆動装置。
  15. 前記ケーシング内に逆止弁をさらに有し、前記逆止弁は、前記間隙を通る前記密封ガスのフローが妨げられる場合に前記駆動軸と前記ケーシングの間の前記間隙を閉じるように設計され、配置される、請求項11に記載の駆動装置。
  16. 前記逆止弁が、前記間隙を通る前記密封ガスのフローが妨げられる場合に生じる圧力差によって、又は、前記逆止弁の可動部品に取り付けられる弾性部材の動きによって、前記間隙を自動的に閉じるように設計され、配置される、請求項15に記載の駆動装置。
JP2010548232A 2008-02-28 2009-02-25 回転フォイルトラップ及び駆動装置を持つデブリ低減装置 Active JP5475693B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08102119.8 2008-02-28
EP08102119 2008-02-28
PCT/IB2009/050742 WO2009107063A1 (en) 2008-02-28 2009-02-25 Debris mitigation device with rotating foil trap and drive assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011515022A true JP2011515022A (ja) 2011-05-12
JP5475693B2 JP5475693B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=40589550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010548232A Active JP5475693B2 (ja) 2008-02-28 2009-02-25 回転フォイルトラップ及び駆動装置を持つデブリ低減装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8338797B2 (ja)
EP (1) EP2250535B1 (ja)
JP (1) JP5475693B2 (ja)
KR (1) KR101606436B1 (ja)
CN (1) CN101960386B (ja)
AT (1) ATE526612T1 (ja)
WO (1) WO2009107063A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015033572A1 (ja) * 2013-09-06 2015-03-12 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた光源装置
WO2015098031A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ウシオ電機株式会社 光源装置
WO2021251046A1 (ja) * 2020-06-12 2021-12-16 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP2021196479A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP2021196480A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2496282C1 (ru) * 2012-02-15 2013-10-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" Устройство и способ для генерации излучения из разрядной плазмы
US9268031B2 (en) 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
JP6151525B2 (ja) * 2013-02-05 2017-06-21 ギガフォトン株式会社 ガスロック装置及び極端紫外光生成装置
US8901523B1 (en) * 2013-09-04 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus for protecting EUV optical elements
WO2015055374A1 (en) 2013-10-16 2015-04-23 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus device manufacturing method, sensor system and sensing method
US9609731B2 (en) 2014-07-07 2017-03-28 Media Lario Srl Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices
CN106527062B (zh) * 2017-01-11 2018-11-27 惠科股份有限公司 一种曝光机及其图像偏移防治方法和系统
US10877190B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet radiation source

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6241472A (ja) * 1985-08-15 1987-02-23 Fujitsu Ltd 回転体の塵埃発生防止装置
JPH01320322A (ja) * 1988-06-17 1989-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非接触型密封装置及び電動機
JPH0643348U (ja) * 1992-11-24 1994-06-07 新明和工業株式会社 エアスピンドル
JP2006186366A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0599176A (ja) * 1991-10-01 1993-04-20 Ebara Corp スクリユー式ドライ真空ポンプ
JP2000018395A (ja) * 1998-06-29 2000-01-18 Toyoda Mach Works Ltd 回転軸のシール装置
DE19962160C2 (de) 1999-06-29 2003-11-13 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtungen zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett- und weicher Röntgenstrahlung aus einer Gasentladung
US6714624B2 (en) 2001-09-18 2004-03-30 Euv Llc Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles
WO2003034153A2 (en) 2001-10-12 2003-04-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3883836B2 (ja) * 2001-10-24 2007-02-21 株式会社荏原製作所 差動排気シール装置
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
CN101255892B (zh) * 2001-11-13 2011-11-16 Ntn株式会社 流体轴承装置
US6963071B2 (en) 2002-11-25 2005-11-08 Intel Corporation Debris mitigation device
CN100476585C (zh) 2002-12-23 2009-04-08 Asml荷兰有限公司 具有可扩展薄片的杂质屏蔽
US7302043B2 (en) 2004-07-27 2007-11-27 Gatan, Inc. Rotating shutter for laser-produced plasma debris mitigation
WO2006134512A2 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Debris mitigation system with improved gas distribution
US7397056B2 (en) * 2005-07-06 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
US7332731B2 (en) * 2005-12-06 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Radiation system and lithographic apparatus
US7368733B2 (en) * 2006-03-30 2008-05-06 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus comprising same
US7442948B2 (en) * 2006-05-15 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus
US7889312B2 (en) * 2006-09-22 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Apparatus comprising a rotating contaminant trap

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6241472A (ja) * 1985-08-15 1987-02-23 Fujitsu Ltd 回転体の塵埃発生防止装置
JPH01320322A (ja) * 1988-06-17 1989-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非接触型密封装置及び電動機
JPH0643348U (ja) * 1992-11-24 1994-06-07 新明和工業株式会社 エアスピンドル
JP2006186366A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015033572A1 (ja) * 2013-09-06 2015-03-12 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた光源装置
JP2015053365A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた光源装置
WO2015098031A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ウシオ電機株式会社 光源装置
WO2021251046A1 (ja) * 2020-06-12 2021-12-16 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP2021196479A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP2021196480A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP7107334B2 (ja) 2020-06-12 2022-07-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP7264119B2 (ja) 2020-06-12 2023-04-25 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
US11774856B2 (en) 2020-06-12 2023-10-03 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Extreme ultraviolet light source device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101960386A (zh) 2011-01-26
EP2250535A1 (en) 2010-11-17
WO2009107063A1 (en) 2009-09-03
KR20100119580A (ko) 2010-11-09
JP5475693B2 (ja) 2014-04-16
EP2250535B1 (en) 2011-09-28
US20110002569A1 (en) 2011-01-06
KR101606436B1 (ko) 2016-03-28
CN101960386B (zh) 2013-02-06
ATE526612T1 (de) 2011-10-15
US8338797B2 (en) 2012-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5475693B2 (ja) 回転フォイルトラップ及び駆動装置を持つデブリ低減装置
KR101298214B1 (ko) 향상된 가스 분포를 갖는 잔해 저감 시스템
RU2706713C1 (ru) Источник коротковолнового излучения высокой яркости
US7868304B2 (en) Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8198615B2 (en) Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US7812329B2 (en) System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
JP5693587B2 (ja) 放射源コレクタ装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10887973B2 (en) High brightness laser-produced plasma light source
US8614786B2 (en) Robot for in-vacuum use
EP2969272B1 (en) Apparatus for providing a local clean micro-environment near optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
JP5130267B2 (ja) プラズマに基づく短波長放射線源の動作方法およびその装置
EP2181449A1 (en) System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (euv) photolithography apparatus
JP2011258950A (ja) 水素ラジカルジェネレータ
WO2009033639A2 (en) Method for cleaning vacuum chambers for extreme uv lithography devices
WO2022258459A1 (en) Optical arrangement for euv lithography and method of regenerating a gas-binding component
CN115553070A (zh) 机械绝缘设备的污染屏蔽件
CN110945437A (zh) 用于粒子抑制的气体注射系统

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130528

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130827

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5475693

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250