JP2017219698A - デブリトラップおよび光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】デブリの捕捉確率を向上させることができるデブリトラップ、およびそれを備えた光源装置を提供する。
【解決手段】デブリトラップ１３は、プラズマＰの近傍に配置され、プラズマＰから放射される光を通過し、プラズマＰから発生するデブリを捕捉する。デブリトラップ１３は、固定式ホイルトラップ１３ｂを備える。固定式ホイルトラップ１３ｂは、複数のホイルと、複数のホイルを固定する固定部材と、光の通過方向における上流側および下流側にそれぞれホイルが存在し、少なくとも光の通過領域においてホイルが存在しない内部空間と、固定部材に設けられ、内部空間に光に対して透明な透明ガスを導入可能なガス導入口と、を備える。
【選択図】 図２

Description

本発明は、高温プラズマから放出されるデブリを捕捉するデブリトラップ、およびそのデブリトラップを備える光源装置に関する。

近年、半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう。）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」ともいう。）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（以下、「ＥＵＶ放射種」という。）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。このようなＥＵＶ光源装置では、高温プラズマから種々のデブリが発生するため、当該デブリを捕捉するために、ホイルトラップ（フォイル・トラップ）を用いるのが一般的である。

デブリトラップとしては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。この技術は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）と、回転せず固定されたホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）とを備えるものである。
回転式ホイルトラップは、中央に配置された回転軸を中心として、半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備え、上記回転軸を中心に複数のホイルを回転させることでプラズマから飛来するデブリを捕捉する。ここで、上記回転軸は、例えば、プラズマの略中心を貫通する軸である。

固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップにより捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉する。固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップの回転軸と同一軸上に中心軸を有し、当該中心軸から半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備える。固定式ホイルトラップの複数のホイルは、配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。すなわち、回転式ホイルトラップで捕捉しきれなかった高速のデブリは、固定式ホイルトラップにおける圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下し、固定式ホイルトラップのホイルやホイルの支持体によって捕捉されやすくなる。

特表２０１２−５１３６５３号公報

上述したように、固定式ホイルトラップは、ホイル間の圧力が上がった領域で高速に進行するデブリを捕捉する。このデブリの捕捉確率は、ホイル間の圧力に依存する。
そこで、本発明は、デブリの捕捉確率をより向上させることができるデブリトラップ、およびそれを備えた光源装置を提供することを課題としている。

上記課題を解決するために、本発明に係るデブリトラップの一態様は、プラズマの近傍に配置され、前記プラズマから放射される光を通過し、当該プラズマから発生するデブリを捕捉するデブリトラップであって、複数のホイルと、前記複数のホイルを固定する固定部材と、前記光の通過方向における上流側および下流側にそれぞれ前記ホイルが存在し、少なくとも前記光の通過領域において前記ホイルが存在しない内部空間と、前記固定部材に設けられ、前記内部空間に前記光に対して透明な透明ガスを導入可能なガス導入口と、を有する固定式ホイルトラップを備える。

このように、固定式ホイルトラップにガスを供給することにより、固定式ホイルトラップ内部における圧力を上げることができる。また、固定式ホイルトラップ内に内部空間を設け、当該内部空間にガスを導入することで、内部空間においてガス圧力を均一化したあと、複数のホイルによって区画された各区画空間に等圧力でガスを供給することができる。したがって、光の通過領域におけるガス圧力分布を均一化することができると共に、光の通過領域におけるガス圧力を十分確保することができる。固定式ホイルトラップにおけるデブリ捕捉能力に空間的な分布（不均一性）が生じることを抑制しつつ、デブリ捕捉能力を向上させることができる。

また、上記のデブリトラップにおいて、前記ガス導入口は、前記固定部材における前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向を挟んで対向する面に、それぞれ設けられていてもよい。さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記ガス導入口は、前記固定部材の全周に設けられていてもよい。
これにより、内部空間におけるガス圧力をより均一化することができる。なお、複数のガス導入口からそれぞれ供給されるガスの供給量に偏差があったとしても、その影響は、バッファ空間として機能する内部空間により吸収されるため、ガス供給量を高精度に制御する必要がない。

また、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記光の通過領域における上流側に配置された複数の第一のホイルと、前記光の通過領域における下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であってもよい。
これにより、固定式ホイルトラップ内部に適切に内部空間を形成することができる。また、第一のホイルと第二のホイルとの離間距離や枚数等に応じて内部空間の大きさを容易に調整することができ、適切なデブリ捕捉能力を得ることができる。

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記第一のホイルと前記第二のホイルとが前記光線方向を含む同一平面内に配置された一組のホイル組を複数有する構成であってもよい。この場合、第一のホイルと第二のホイルとが光線方向を含む同一平面内に配置されるため、固定式ホイルトラップを通過する光を極力遮らない構成とすることができ、光の取出効率の低下を抑制することができる。
また、上記のデブリトラップにおいて、前記光線方向における前記第一のホイルの長さが、前記光線方向における前記第二のホイルの長さよりも短く設定されていてもよい。この場合、光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができる。

一般に、デブリの除去性能は、単位体積中の上記ガスの分子数Ｎとデブリの移動距離Ｄの積ＮＤに依存する傾向がある。この積ＮＤが小さいと、高速デブリの減速効果が小さくなり、デブリの除去性能は不十分となる。ここで光源（高温プラズマ）の形状の変化が小さい場合、デブリの移動距離Ｄはほぼ一定となるので、十分なデブリの除去性能を得るには、ガスの分子数Ｎを大きくする必要がある。すなわち、固定式ホイルトラップに導入するガスの供給量を増加させて、ガス圧力を高くする必要がある。

一方、ガス圧力が高くなると、ガス圧力の高い空間を透過するプラズマからの光の光強度は減衰する。第二のホイルの光出射側には、プラズマから放出された光の整形や光路変更等を行うための光学系が配置されることが多い。そのため、光学系にデブリが到達しないように、できるだけデブリを第二のホイルの光入射側より前方で（すなわち、光の通過領域における上流側の空間で）デブリを除去することが望ましい。この場合、光の通過領域における上流側の空間のデブリ除去性能を確保するために、ガスの供給量はより大きくなる。ガスの供給量が大きくなると、第二のホイル部分（すなわち、光の通過領域における下流側の空間）でのガス圧力も大きくなり、結果として、デブリトラップにおける光強度の減衰が大きくなる。しかしながら、上記のように構成することにより、光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができるので、これにより、光強度の減衰を抑制することができる。

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記第二のホイルの枚数は、前記第一のホイルの枚数よりも多くてもよい。この場合、第二のホイルの枚数を多くするほど、第二のホイルにより区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きくすることができ、それだけ光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができる。したがって、上記の通り、デブリトラップにおける光強度の減衰を抑制することができる。
また、このようなデブリトラップにおいて、前記光線方向における前記第一のホイルの長さと、前記光線方向における前記第二のホイルの長さとが等しく設定されていてもよい。この場合、第一のホイルと第二のホイルとを同一形状とすることができ、ホイルの製造が容易となる。

さらにまた、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、それぞれ開口部を有し、前記内部空間は、前記複数のホイルの前記開口部によって形成される空間であってもよい。これにより、固定式ホイルトラップ内部に適切に内部空間を形成することができる。また、固定部材によるホイルの支持も容易である。
また、上記のデブリトラップにおいて、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における上流側端部までの長さが、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における下流側端部までの長さよりも短く設定されていてもよい。この場合、光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができる。これにより、光強度の減衰を抑制することができる。

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されていてもよい。この場合、固定式ホイルトラップにおける光の透過率およびデブリの捕捉確率を、光の通過領域において適切に均一化することができる。
また、上記のデブリトラップにおいて、前記固定式ホイルトラップは、前記プラズマから放射される光の一部を所定の立体角で取り出した光線束を通過し、前記光線束の進行方向に進行するデブリを捕捉するものであり、前記複数のホイルは、前記光線束の通過領域に相当する大きさを有していてもよい。この場合、固定式ホイルトラップが必要以上に大きくなることを抑制することができ、その分のコストを削減することができる。

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記プラズマを通る軸を回転軸として回転可能な複数の回転ホイルと、前記回転軸上に配置され前記回転ホイルを支持する支持部材と、を有し、前記固定式ホイルトラップに対して前記回転軸方向に並設される回転式ホイルトラップをさらに備えていてもよい。この場合、プラズマから発生するデブリのうち、回転式ホイルトラップにおいて比較的低速で進行するデブリを捕捉し、固定式ホイルトラップにおいて、回転式ホイルトラップにより捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉することができる。
また、本発明に係る光源装置の一態様は、上記のいずれかのデブリトラップと、前記光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、を備える。これにより、プラズマから発生するデブリを適切に捕捉することができる光源装置とすることができる。

本発明のデブリトラップでは、固定式ホイルトラップにおけるデブリの捕捉確率をより向上させることができる。

本実施形態の極端紫外光光源装置を示す概略構成図である。 デブリトラップの構成を示す図である。 回転式ホイルトラップの一例を示す図である。 第一の実施形態における固定式ホイルトラップの正面図である。 図４の固定式ホイルトラップの側面図である。 図４の固定式ホイルトラップの上面図である。 ホイルトラップへのガス供給方法の一例である。 比較例における固定式ホイルトラップの正面図である。 比較例における固定式ホイルトラップの側面図である。 比較例における固定式ホイルトラップの上面図である。 ガス圧力と極端紫外光強度との関係を示す図である。 第二の実施形態における固定式ホイルトラップの側面図である。 第三の実施形態における固定式ホイルトラップの上面図である。 固定式ホイルトラップの別の例を示す正面図である。 図１４の固定式ホイルトラップの上面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態の光源装置を示す概略構成図である。本実施形態では、光源装置が極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００である場合について説明する。
本実施形態におけるＥＵＶ光源装置１００は、例えばマスク検査装置用の光源装置である。このＥＵＶ光源装置１００は、例えば、ＥＵＶ光を用いた半導体露光に用いられるマスクの欠陥を検査するためのマスク検査装置に対して検査光を放出する。当該マスク検査装置の検査対象は、例えば、低熱膨張ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とを交互に積層してなるＥＵＶ反射用の多層膜が形成されたマスクブランクス上に、ＥＵＶを吸収する材料からなる吸収体パターンが形成される反射型マスクである。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１００から放出される光を検査光として、上記マスクのブランクス検査やパターン検査を行う。

ＥＵＶ光源装置１００は、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置である。より具体的には、ＥＵＶ光源装置１００は、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
なお、高温プラズマ原料を適宜選択し、当該高温プラズマ原料を励起する条件を調整することにより、上記光源装置において、高温プラズマから真空紫外光（１０ｎｍ〜２００ｎｍ）やＸ線（軟Ｘ線〜硬Ｘ線：１０ｐｍ〜１０ｎｍ）を取り出すことも可能である。

ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。放電空間１１ｂには、各々独立して回転可能な一対の放電電極２１ａ，２１ｂが互いに離間して対向配置されている。放電電極２１ａ，２１ｂは、ＥＵＶ放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するためのものである。放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。

集光空間１１ｃには、凹面鏡１２と、デブリトラップ１３と、アパーチャ部材１５とが配置されている。
凹面鏡１２は、例えば楕円面鏡や放物面鏡であり、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えばマスク検査装置のマスク検査部へ導くものである。凹面鏡１２の基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面鏡１２の反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。凹面鏡１２の反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。

凹面鏡１２とＥＵＶ取出部１１ｄとの間には、着脱自在のモニタ用ミラー（不図示）が必要に応じて挿入される。このモニタ用ミラーによってＥＵＶ光の一部が採取されて不図示のＥＵＶモニタに導光されることで、ＥＵＶ光の強度がモニタされる。モニタの結果は制御部４０に送られる。また、凹面鏡１２には不図示の位置調整機構が備えられており、チャンバ１１内を真空雰囲気に保ったままで凹面鏡１２の位置を調整することができる。
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、ＥＵＶ光のみを通過させるような働きをするものである。デブリトラップ１３は、回転式ホイルトラップ１３ａと固定式ホイルトラップ１３ｂとを備える。デブリトラップ１３の具体的構成については後で詳述する。

アパーチャ部材１５は、高温プラズマ原料から放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための開口部を有する。具体的には、アパーチャ部材１５は、高温プラズマ原料から放出されるＥＵＶ光の一部を所定の立体角で取り出す。具体的には後で述べる回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸方向（図１における左右方向）に対して傾斜角度をもって所定の立体角で取り出す。ここで、上記傾斜角度は、例えば２０°〜３０°程度であり、ＥＵＶ光の取出角度は、例えば１４°〜１６°程度である。このアパーチャ部材１５は、高温プラズマの近傍に配置されるため、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点材料から構成する。
なお、凹面鏡１２はＥＵＶ光源装置内には必ずしも設置する必要はなく、アパーチャ部材１５の開口部を通過したＥＵＶ光を直接マスク検査装置のマスク検査部に導光してもよい。但し、この場合にも、上記マスク検査部にデブリが到達しないように、高温プラズマとマスク検査部との間にはデブリトラップ１３が配置される。

放電空間１１ｂに配置された一対の放電電極２１ａ，２１ｂは、金属製の円盤状部材である。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、２つの放電電極２１ａ，２１ｂのうち、一方の放電電極２１ａがカソードであり、他方の放電電極２１ｂがアノードである。
放電電極２１ａは、その一部（重心方向の下部）が高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中に浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。ここで、コンテナ２３ａとモータ２４ａと回転軸２５ａとを併せたものが、原料供給機構に対応している。なお、原料供給機構は、上記の構成に限定されるものではなく、高温プラズマ原料２２ａを放電電極２１ａに供給可能な構成であればよい。
また、回転軸２５ａは、例えば、メカニカルシール２６ａを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ａは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ａの回転を許容する。

放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、その一部（重心方向の下部）が高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中に浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
また、回転軸２５ｂは、例えば、メカニカルシール２６ｂを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ｂの回転を許容する。

放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ（Ｓｎ）を用いる。この高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂに電力を供給する給電用の導電体としても働く。

コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｆ，１１ｇを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａおよび２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａおよび２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部および放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を印加することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を印加することができる。

なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａおよび２３ｂには、スズ２２ａ，２２ｂを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
パルス電力供給部２７は、コンテナ２３ａおよび２３ｂ間、すなわち放電電極２１ａおよび２１ｂ間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。パルス電力供給部２７は、制御部４０によって駆動制御される。また、パルス電力供給部２７によって放電電力２１ａおよび２１ｂ間に印加された電圧のモニタ値は、制御部４０によって取得される。

レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザ光（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射部である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ_４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate レーザ装置）である。このレーザ源２８が放出するレーザ光Ｌは、レーザ光集光部（集光レンズ）２９等を介してチャンバ１１の窓部（レーザビーム入射窓部）１１ｇに入射する。また、レーザ源２８には、光量モニタが内蔵されており、レーザ源２８から出力されるレーザ光Ｌの強度は制御部４０によって取得される。

レーザ源２８が放出し、集光レンズ２９およびチャンバ１１の窓部１１ｇを通過したレーザ光Ｌは、折り返しミラー１４により折り返されて放電電極（カソード）２１ａの端部（曲面）に照射される。
放電電極（カソード）２１ａと放電電極（アノード）２１ｂとは、ＥＵＶ光が集光される凹面鏡１２が配置されている側における両電極間の距離が狭くなるように、傾けて配置される。即ち、凹面鏡１２側（図１の右側）の電極間距離が狭く、凹面鏡１２とは反対側（図１の左側）の電極間距離が広くなるように配置される。
レーザ源２８によるレーザ光の照射タイミングは、制御部４０が制御する。

パルス電力供給部２７により放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力電圧を印加した状態で、放電領域に輸送された高温プラズマ原料２２ａに対してレーザ光Ｌが照射されると、当該高温プラズマ原料２２ａが気化し、両電極２１ａ，２１ｂ間でパルス放電が開始される。その結果、高温プラズマ原料２２ａによるプラズマＰが形成される。そして、放電時に流れる大電流によりプラズマＰが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力電圧を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。また、パルス電力供給部２７は、上記のようにコンテナおよびスズを介して電力を供給する構成に限定されるものではなく、放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力電圧を印加可能な構成であればよい。

次に、デブリトラップ１３の具体的構成について説明する。
ＥＵＶ光源装置１００では、例えば、高温プラズマＰと接する金属（例えば、一対の放電電極２１ａ，２１ｂ）が上記プラズマＰによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）に起因するデブリが発生する。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマＰから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリは凹面鏡１２にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、ＥＵＶ光の反射率を低下させるおそれがある。

そこで、ＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂと集光空間１１ｃに収容された凹面鏡１２との間に、上記デブリによる凹面鏡１２のダメージを防ぐためのデブリトラップ１３を配置する。デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。
図２は、デブリトラップ１３を回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４に直交する方向から見た断面図である。デブリトラップ１３は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）１３ａと、回転せず固定されたホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）１３ｂと、を備える。

回転式ホイルトラップ１３ａは、図３に示すように、回転軸３４から半径方向に放射状に伸びる複数のホイル（回転ホイル）３１を備える。なお、ホイル３１は、薄膜（ホイル）または薄い平板（プレート）により構成されており、本明細書では薄膜と平板を併せて「ホイル」と呼ぶ。
ホイル３１は、半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱（支持部材）３２よって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である外側リング３３によって支持されている。これら複数のホイル３１は、支持体（中心支柱３２と外側リング３３）に支持された状態で、中心支柱３２の回転軸３４を中心に回転可能となっている。
また、ホイル３１は、その平面が回転軸３４に対して平行になるように配置され支持されている。そのため、回転式ホイルトラップ１３ａを極端紫外光源（高温プラズマＰ）側から見た場合、中心支柱３２および外側リング３３によって構成される支持体を除けば、ホイル３１の厚みしか見えない。

アパーチャ部材１５には、図２に示すように、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４から偏心した位置に、任意の形状（例えば、円形）の開口部１５ａが形成されている。そして、回転式ホイルトラップ１３ａは、アパーチャ部材１５の開口部１５ａを通過したＥＵＶ光の光線束（以下、「ＥＵＶ取出光」ともいう。）の主光線Ｏ上にホイル３１が位置するように配置される。
ここで、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４は、中心支柱３２によってＥＵＶ取出光が遮光されないように当該回転式ホイルトラップ１３ａを回転させる軸である。本実施形態において、回転軸３４は、プラズマＰを通過し、中心支柱３２の中心軸に一致する軸である。このような構成により、回転式ホイルトラップ１３ａの複数のホイル３１は、回転軸３４を中心に回転することで、高温プラズマＰからのデブリを捕捉する。このとき、回転式ホイルトラップ１３ａは、上記デブリのうち比較的低速のデブリを捕捉する。

固定式ホイルトラップ１３ｂは、高温プラズマＰからのデブリのうち、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉する。図２に示すように、固定式ホイルトラップ１３ｂは、ＥＵＶ取出光の主光線Ｏ上に配置する。
また、固定式ホイルトラップ１３ｂは、アパーチャ部材１５の開口部１５ａにより進行方向が制限されたＥＵＶ光であるＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を有する。つまり、固定式ホイルトラップ１３ｂは、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４に直交する平面において、当該回転軸３４に対してアパーチャ部材１５の開口部１５ａが形成された側（図２では回転軸３４の上側）のみに配置される。

以下、固定式ホイルトラップ１３ｂの具体的構成について、図４〜図６を参照しながら説明する。ここで、図４は、固定式ホイルトラップ１３ｂを主光線方向から見た断面図である。また、図５は、図４におけるＢ−Ｂ断面図であり、図６は、図４におけるＣ−Ｃ断面図である。
固定式ホイルトラップ１３ｂは、複数のホイル（第一のホイル）４１と、複数のホイル（第二のホイル）４２と、ホイル４１および４２を支持する固定枠（固定部材）４３とを備える。ホイル４１および４２は、図４に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されている。また、固定枠４３は、例えば、図４に示す正面図において矩形状である。なお、固定枠４３の外形は任意の形状であってよい。

また、ホイル４１とホイル４２とは、図５に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向において所定の離間距離ｄをもって離間して配置されている。さらに、図６に示すように、内部空間４３ｂに対してＥＵＶ光入射側（図６の下側）において、複数のホイル４１は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。同様に、内部空間４３ｂに対してＥＵＶ光出射側（図６の上側）において、複数のホイル４２は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。また、ホイル４１の枚数とホイル４２の枚数とは同じである。
すなわち、固定式ホイルトラップ１３ｂは、ＥＵＶ取出光の光線方向に平行な１つの仮想平面内に距離ｄをもって離間したホイル４１とホイル４２との組を複数組備える構成である。このような構成により、図５および図６に示すように、複数のホイル４１と複数のホイル４２との間には、ＥＵＶ取出光の主光線方向に長さｄを持つ擬似的な内部空間４３ｂが設けられる。

また、固定枠４３における上下方向に対向する面（ＥＵＶ取出光の主光線方向を挟んで対向する面）には、それぞれ複数のガス導入口４３ａが形成されている。これらのガス導入口４３ａは、固定式ホイルトラップ１３ｂ内にガスＧａを供給するための孔であり、内部空間４３ｂに空間的に接続されるように設けられている。本実施形態では、複数のガス導入口４３ａがＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する方向に等間隔に一列に設けられているものとする。ここで、上記ガスＧａは、ＥＵＶ光に対して透明なガス（ＥＵＶ透明ガス）であり、例えばヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガス、水素（Ｈ₂）等を用いることができる。本実施形態では、ＥＵＶ透明ガスとしてＡｒガスを用いる。

さらに、ガス導入口４３ａは、図５および図６に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル４１の長さをＬ１、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル４２の長さをＬ２としたとき、Ｌ１＜Ｌ２となるような位置に設けられている。
このような構造下で、複数のガス導入口４３ａを介してＡｒガスが内部空間４３ｂに供給されると、Ａｒガスは、内部空間４３ｂに一時的に貯められる。これは、内部空間４３ｂを挟むホイル４１で区画された区画空間や、ホイル４２で区画された区画空間は、内部空間４３ｂと比べてコンダクタンスが小さいためである。すなわち、擬似的な内部空間４３ｂは、供給されたＡｒガスが一時的に貯められ、当該Ａｒガスの圧力分布を均一化する擬似的なバッファ空間として機能する。この擬似的なバッファ空間４３ｂにて一旦、Ａｒガス分布が均一になったあと、Ａｒガスは、当該バッファ空間４３ｂから等圧力でホイル４１側の区画空間やホイル４２側の区画空間に供給される。

なお、ホイル４１およびホイル４２の離間距離ｄは、内部空間４３ｂに流入するＡｒガスの流量や当該バッファ空間の高さに相当するホイル４１、ホイル４２のＥＵＶ光の主光線と垂直な方向の長さ、バッファ空間の幅に相当するホイル４１、ホイル４３の枚数等を考慮して、内部空間４３ｂがバッファ空間として機能できるように適宜設定される。
また、回転式ホイルトラップ１３ａおよび固定式ホイルトラップ１３ｂは、高温プラズマＰの近くに配置されるため、これらホイルトラップを構成するホイルや支持体は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）などの高耐熱材料から形成するものとする。

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂは、１枚のホイルをＥＵＶ取出光の主光線方向においてホイル４１とホイル４２とに２分割し、両ホイルを上記主光線方向に距離ｄだけ離間するように配置したホイル組を、複数組備える構成を有する。そして、固定式ホイルトラップ１３ｂは、複数のホイル４１と複数のホイル４２とによって固定式ホイルトラップ１３ｂ内部に形成される内部空間４３ｂに、Ａｒガスを供給可能に構成する。したがって、固定式ホイルトラップ１３ｂによるデブリ捕捉能力を向上させることができる。以下、この点について、比較例を用いて詳細に説明する。

図７は、回転式ホイルトラップ１１３ａと固定式ホイルトラップ１１３ｂとの間の空間に向けて、ＥＵＶ透明ガスＧａを供給する第一の比較例を示す図である。
この第一の比較例では、両ホイルトラップの間の空間に、図７の上方向からＡｒガスＧａが供給される。この場合、供給されるＡｒガスＧａとホイルトラップにより奏されるデブリトラップ機能は、必ずしも良好ではない。
図７に示すように、不図示のガスノズルから同図の下方向に供給されるＡｒガスＧａは、下方向に進むにつれて拡散し、結果として圧力勾配が生じる。つまり、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガスの圧力分布が不均一となる。そのため、ホイルトラップにおけるデブリ捕捉能力には空間的な分布（不均一性）が生じてしまう。

また、回転式ホイルトラップ１１３ａと固定式ホイルトラップ１１３ｂとの間の空間の幅は、固定式ホイルトラップ１１３ｂのホイル間の幅よりも大きい。そのため、図７に示すように供給されたＡｒガスＧａは、固定式ホイルトラップ１１３ｂホイルによって区画された区画空間に進入しにくい。したがって、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部において十分なＡｒガス圧力が得られず、回転式ホイルトラップ１１３ａのデブリ捕捉能力を向上させることができない。

図８〜図１０は、ＥＵＶ透明ガス（Ａｒガス）を固定式ホイルトラップ内部に直接供給する第二の比較例を示す図である。
この第二の比較例は、固定式ホイルトラップ１１３ｂの複数のホイル１４１を支持する固定枠１４３に複数のガス導入口１４３ａを設け、ガス導入口１４３ａを介して、ホイル１４１間の区画空間に対して上下方向から直接ＡｒガスＧａを供給する構成である。ここで、複数のガス導入口１４３ａは、図８に示すように、Ｙ軸方向に所定の間隔をもって一列に形成されている。また、各ガス導入口１４３ａは、図９に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル１４１のほぼ中央部に形成されている。

この第二の比較例は、固定式ホイルトラップ内部に、上述した本実施形態のような内部空間（バッファ空間）を有しない構成である。このような構成の場合、図７に示す第一の比較例と比較すると、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部へのＡｒガスＧａの供給量を増大することが可能となる。しかしながら、この第二の比較例の場合にも、以下のような不具合が生じる。
図８は、固定式ホイルトラップ１１３ｂを主光線方向から見た断面図である。この断面は、固定枠１４３に設けたガス導入口１４３ａを含み、ＡｒガスＧａの導入方向に平行な方向の面である。
この第二の比較例では、ガス導入口１４３ａは離散的に配置されており、ガス導入口１４３ａが接続された区画空間とガス導入口１４３ａが接続されていない区画空間とが混在している。このような構成の場合、ガス導入口１４３ａと空間的に接続されている区画空間１４３ｂは圧力が高くなり、ガス導入口１４３ａと空間的に接続されていない区画空間１４３ｃは圧力が低くなる。

この固定式ホイルトラップ１１３ｂについて、ＥＵＶ光束が通過する領域において、図８のＹ軸方向におけるＡｒガスの圧力分布を測定したところ、圧力分布は不均一であった。つまり、所定の間隔をもって設けられたガス導入口１４３ａから離散的にＡｒガスＧａを固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部の区画空間に供給すると、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部におけるＡｒガスの圧力分布は不均一になることが分かった。つまり、この場合、固定式ホイルトラップ１１３ｂにおけるデブリ捕捉能力に空間的な分布（不均一性）が生じてしまうことになる。
上記の傾向は、各ガス導入口１４３ａへ供給されるＡｒガスＧａの供給量に偏差があると、更に顕著になる。そのため、例えばガス分配器を用いてＡｒガスＧａを各ガス導入口１４３ａへ供給する際には、ガス分配器の分配性能は高精度である必要がある。

図９は、図８のＤ−Ｄ断面図である。この図９は、固定式ホイルトラップ１１３ｂのホイル１４１により区画された区画空間のうち、ガス導入口１４３ａと空間的に接続された空間の断面図である。断面方向は、ホイル１４１と平行な面が伸びる方向である。
ホイル１４１によって区画された区画空間の幅は狭く、また、コンダクタンスは流路が長いほど小さくなる。そのため、図９の矢印で示すように、ガス導入口１４３ａから供給されるＡｒガスＧａは直進せず、同図の左右方向に進みやすくなる。すなわち、上記区画空間において、ＥＵＶ取出光が通過する領域１４３ｄにはＡｒガスＧａが届きにくく、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高くすることができない。
デブリは、プラズマＰよりＥＵＶ光の進行方向と同様の方向に進行するので、この第二の比較例の固定式ホイルトラップ１１３ｂでは、デブリの捕捉性能が低いことになる。また、当然ながら、ＥＵＶ光路上でのＡｒガス圧力分布も不均一となる。

図１０は、図８のＥ−Ｅ断面図である。この図１０に示すように、ホイル１４１は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されており、ホイル１４１間の間隔は、ＥＵＶ光入射側が狭く、ＥＵＶ光出射側が広い。そのため、ガス導入口１４１ａからホイル１４１の区画空間内に供給されるＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図１０の矢印α側）の方には流れにくく、ＥＵＶ光出射側（図１０の矢印β側）の方に流れやすい。そのため、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部におけるＥＵＶ光出射側の空間１４３ｅの圧力は、ＥＵＶ光入射側の空間１４３ｆの圧力と比べて高くなる傾向にある。

図１１に示すように、Ａｒガスの圧力が１．３３（Ｐａ）程度の低圧力雰囲気では、光路長が１０ｃｍである場合、Ａｒガス雰囲気内を通過するＥＵＶ光の強度はそれほど減衰しない。一方、Ａｒガスの圧力が１０（Ｐａ）超えるようなＡｒガス雰囲気では、光路長が１０ｃｍである場合、Ａｒガス雰囲気内を通過するＥＵＶ光の強度は顕著に減衰する。
したがって、できるだけ固定式ホイルトラップ内部における圧力が高い領域の幅（光路長）は短い方が好ましい。しかしながら、第二の比較例では、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部において、ＥＵＶ光出射側近傍の空間１４３ｅの圧力が高く、ＡｒガスによるＥＵＶ光強度の減衰が場合によっては無視できなくなる。

これに対して、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂでは、上述したように、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部に内部空間（バッファ空間）４３ｂを設け、当該バッファ空間４３ｂにＡｒガスを供給するため、ホイル４１側の各区画空間とホイル４２側の各区画空間とにそれぞれ等圧力でＡｒガスを供給することができる。したがって、上記の各比較例のような固定式ホイルトラップ内部におけるＥＵＶ光路上の圧力分布の不均一は生じない。
また、固定枠４３に間隔をもって設けられたガス導入口４３ａから離散的に供給されたＡｒガスは、バッファ空間４３ｂによって均一化される。そのため、各ガス導入口へ供給されるＡｒガスの供給量に偏差があったとしても、その影響はバッファ空間４３ｂにより吸収される。したがって、例えばガス分配器を用いてＡｒガスを各ガス導入口４３ａへ供給する場合においても、ガス分配器の分配性能は高精度である必要はない。
このように、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部のＥＵＶ光路上におけるガス圧力分布をほぼ均一にすることができる。

さらに、上記の第二の比較例では、固定式ホイルトラップ１３１ｂにおけるＥＵＶ取出光が通過する領域にはＡｒガスＧａが届きにくく、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高くすることは困難であった。これに対して、本実施形態では、固定式ホイルトラップ１３ｂに供給されたＡｒガスは、一時的にバッファ空間４３ｂに貯められ、Ａｒガス圧力分布が均一化された状態で各区画空間に供給される。そのため、固定式ホイルトラップ１３ｂのＥＵＶ取出光が通過する領域にも十分にＡｒガスが供給され、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高めることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂにおけるデブリ捕捉能力を十分に確保することができる。

さらに、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂにおいては、ＥＵＶ光入射側に配置されたホイル４１の長さ（主光線方向の長さ）Ｌ１が、ＥＵＶ光出射側に配置されたホイル４２の長さＬ２よりも短くなるように設定している。
そのため、上述したように、ガス導入口４３ａから固定式ホイルトラップ１３ｂ内に供給され、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図６の矢印β側）の方には流れにくくすることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部におけるＥＵＶ光入射側の空間４３ｃの圧力を、上記の第二の比較例と比較してより高くし、ＥＵＶ光出射側の空間４３ｄの圧力を、上記の第二の比較例と比較してより低くすることが可能となる。
このように、ＥＵＶ光出射側近傍の空間４３ｄの圧力が高くなることを抑制することで、圧力の高いＡｒガス空間の光路長が長くなることを抑制することができる。すなわち、ＥＵＶ取出光の光路上において、Ａｒガス圧力が高い領域の幅を上記の第二の比較例と比較して短くすることが可能となり、ＡｒガスによるＥＵＶ光強度の減衰を抑制することができる。

また、上述したように、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方により多く流れる。固定式ホイルトラップ１３ｂに対してＥＵＶ光入射側には、回転式ホイルトラップ１３ａが配置されているため、固定式ホイルトラップ１３ｂにおいてＥＵＶ光入射側に流れたＡｒガスは、回転式ホイルトラップ１３ａに流れ込むことになる。この場合、回転式ホイルトラップ１３ａ側の雰囲気圧力を高めることができ、回転式ホイルトラップ１３ａに入射する高速イオンの速度を減速させ、回転式ホイルトラップ１３ａにおける高速イオン（デブリ）の捕集性能を向上させることができる。
なお、固定式ホイルトラップ１３ｂから回転式ホイルトラップ１３ａ側へ流れるＡｒガスは、ほぼ均一の流れとなる。すなわち、固定式ホイルトラップ１３ｂが回転式ホイルトラップ１３ａへＡｒガスを均一に供給するガス分配器として機能する。そのため、回転式ホイルトラップ１３ａへ供給されるＡｒガスが主光線上で均一になることが期待される。

以上のように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂにおいては、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂにおける捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂは、ホイル４１とホイル４２とがＥＵＶ取出光の光線方向を含む同一平面内に配置された構成とする。このように、ホイル４１とホイル４２とを光線方向を含む同一平面内に配置することで、固定式ホイルトラップ１３ｂを通過する光を極力遮らない構成とすることができ、光の取出効率の低下を抑制することができる。

（第二の実施形態）
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。
上述した第一の実施形態では、ホイル４１とホイル４２との組を複数組設けることにより擬似的なバッファ空間を形成する場合について説明した。第二の実施形態では、開口部を有するホイルを複数枚設けることにより擬似的なバッファ空間を形成する場合について説明する。
図１２は、第二の実施形態の固定式ホイルトラップ１３ｂ´の側面図である。この図１３において、上述した第一の実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂと同様の構成を有する部分には、固定式ホイルトラップ１３ｂと同一符号を付し、以下、構成の異なる部分を中心に説明する。
図１２に示すように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´は、開口部４４ａを有する複数のホイル４４と、複数のホイル４４を支持する固定枠４３とを備える。ホイル４４は、図４に示す第一の実施形態のホイル４１と同様に、ＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する断面において、等間隔に複数配置されている。また、ホイル４４は、図６に示す第一の実施形態のホイル４１やホイル４２と同様に、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。

開口部４４ａは、ＥＵＶ取出光の主光線方向の長さがｄ１であり、ＥＵＶ取出光の主光線方向に垂直な方向の長さがｈ１である開口部である。開口部４４ａの長さｈ１は、少なくともＥＵＶ取出光が通過する領域の主光線方向に垂直な方向の長さを有する。開口部４４ａは、ＥＵＶ取出光の主光線方向に垂直な方向において、ホイル４４の略中心位置に形成されている。また、ガス導入口４３ａは、ホイル４４同士で区画された区画空間と空間的に接続される位置で、且つ、主光線方向において内部空間の略中心位置に形成されている。このような構成により、第一の実施形態と同様の内部空間（擬似的なバッファ空間）を固定式ホイルトラップ１３ｂ´内部に設けることができる。

なお、長さｄ１およびｈ１は、上記内部空間に流入するＡｒガスの流量、バッファ空間の幅に相当するホイル４４の枚数等を考慮して、当該内部空間がバッファ空間として機能できるように適宜設定される。また、ガス導入口４３ａから開口部４４ａの端部までの距離ｈ２は、できるだけ短い方が好ましい。距離ｈ２が短いと、この領域のコンダクタンスが比較的大きくなり、ガス導入口４３ａから供給されるＡｒガスの殆どが、上記の擬似的なバッファ空間に供給されるようになるためである。
さらに、開口部４４ａのホイル４４における位置は、開口部４４ａの中心からホイル４４のＥＵＶ光入射側端部までの長さをＬ１、開口部４４ａの中心からホイル４４のＥＵＶ光出射側端部までの長さをＬ２としたとき、Ｌ１＜Ｌ２となる位置に設定されている。このように設定することにより、第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光束出射側のＡｒガス圧力が低くなるようにすることが可能となる。

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´においては、上述した第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂ´における捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´においては、開口部４４ａを有するホイル４４を複数枚備える構成であるため、第一の実施形態のようにホイル４１とホイル４２との組をＥＵＶ取出光の光線方向に一列に並ぶように支持する必要がなく、固定枠４３によるホイル４４の支持が容易である。

（第三の実施形態）
次に、本発明の第三の実施形態について説明する。
上述した第一の実施形態では、ホイル４１の枚数とホイル４２の枚数とを同じとする場合について説明した。第三の実施形態では、ホイル４１とホイル４２とを異なる枚数とした場合について説明する。
また、第一の実施形態においては、図５および図６に示すようにＬ１＜Ｌ２に設定し、複数のホイル４１で区画された区画空間のコンダクタンスが、複数のホイル４２で区画された区画空間のコンダクタンスより大きくなるようにした。これにより、バッファ空間に供給されたＡｒガスが、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図６の矢印β側）の方に流れにくくし、固定式ホイルトラップ１３ｂのＥＵＶ光出射側の圧力が、ＥＵＶ光入射側と比べてより低くなる傾向とした。

本実施形態では、複数のホイル４１で区画された区画空間のコンダクタンスを、複数のホイル４２で区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きくするために、図１３に固定式ホイルトラップ１３ｂ″の上面図を示すように、ホイル４２の枚数を、ホイル４１の枚数よりも多くしている。
このように設定することにより、バッファ空間４３ｂの中心からホイル４１のＥＵＶ光入射側端部までの長さＬ１と、バッファ空間４３ｂの中心からホイル４２のＥＵＶ光出射側端部までの長さＬ２とが等しい長さＬであっても、第一の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図１３の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図１３の矢印β側）の方には流れにくくすることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂ″のＥＵＶ光入射側の空間４３ｃの圧力をより高くし、ＥＵＶ光出射側の空間４３ｄの圧力をより低くすることが可能となる。

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ″においては、上述した第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂ″における捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ″においては、ホイル４１とホイル４２とのＥＵＶ光の光線方向における長さを同じにすることができる。このように、ホイル４１とホイル４２とを同一形状のホイルとすることができるので、ホイルの製造が容易である。

（変形例）
上記各実施形態においては、固定式ホイルトラップを構成するホイルが、固定式ホイルトラップの正面図において等間隔に配置され、上面図においてＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている場合について説明した。しかしながら、固定式ホイルトラップを構成するホイルの配置は上記に限定されるものではない。
例えば、固定式ホイルトラップは、図１４および図１５に示す形状であってもよい。すなわち、固定式ホイルトラップを構成するホイル５１および５２は、所定の仮想軸を中心として半径方向に放射状に配置されたホイルの一部を切り取った形状であってもよい。ここで、上記仮想軸は、例えば、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４と一致する軸とすることができる。また、固定枠５２は、例えば、上記仮想軸を中心とした円弧を有する扇形とすることができる。なお、固定枠５２の外形は任意の形状であってよい。さらに、複数のホイル５１および５２は、仮想軸に直交する方向から見た場合、図１６に示すように、仮想軸に対して平行に配置することができる。
この場合にも、複数のホイル５１と複数のホイル５２との間に擬似的なバッファ空間５３ｂを形成し、ガス導入口５３ａを介してバッファ空間５３ｂにＥＵＶ透明ガスを供給することができるので、第一および第三の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第二の実施形態のような開口部を有する複数のホイルを配置する構成にも適用可能である。

また、上記各実施形態においては、デブリトラップ１３として回転式ホイルトラップと固定式ホイルトラップとを両方用いる場合について説明したが、固定式ホイルトラップのみを用いてもよい。
さらに、上記各実施形態においては、固定式ホイルトラップを１つのみ用いる場合について説明したが、固定式ホイルトラップを複数用いることもできる。この場合、複数の固定式ホイルトラップは、ＥＵＶ取出光の主光線方向に並設される。
さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ透明ガスを固定式ホイルトラップの上下方向から供給する場合について説明したが、ＥＵＶ透明ガスを供給する方向は任意の方向であってよい。また、ＥＵＶ透明ガスを固定枠４３の全周方向から供給してもよい。

（応用例）
上記各実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
また、上記各実施形態においては、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用する場合について説明したが、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも適用可能である。なお、ＬＰＰ方式とは、プラズマ生成用ドライバレーザをターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する方式である。

さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ光源装置を露光用マスクの検査装置の光源として用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、半導体露光用光源として用いることもできる。この場合、固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップと同等の大きさとしてもよい。
また、上記実施形態においては、光源装置がＥＵＶ光源装置である場合について説明したが、光源装置は、ＶＵＶ（真空紫外光）を取り出すＶＵＶ光源装置や、Ｘ線を取り出すＸ線発生装置であってもよい。光源装置をＶＵＶ光源装置として機能させる場合、このＶＵＶ光源装置は、基板の表面改質用光源、オゾン発生用光源、基板の貼り合わせ用光源として用いることもできる。

さらに、光源装置をＸ線発生装置として機能させる場合、このＸ線発生装置は、医療用分野においては、胸部Ｘ線写真撮影や、歯科Ｘ線写真撮影、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いることもできる。また、このＸ線発生装置は、工業用分野においては、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いることもできる。さらに、このＸ線発生装置は、研究用分野においては、物質の結晶構造を解析するためのＸ線解析、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いることもできる。

１１…チャンバ、１３…デブリトラップ、１３ａ…回転式ホイルトラップ、１３ｂ…固定式ホイルトラップ、２１ａ，２１ｂ…放電電極、２２ａ，２２ｂ…高温プラズマ原料、２３ａ，２３ｂ…コンテナ、２７…パルス電力発供給部、２８…レーザ源、４０…制御部、３１…ホイル、３２…中心支柱、３３…外側リング、４１…ホイル、４２…ホイル、４３…固定枠、４３ａ…ガス導入口、４３ｂ…内部空間（バッファ空間）、１００…極端紫外光光源装置（マスク検査用ＥＵＶ光源装置）

Claims (14)

1. プラズマの近傍に配置され、前記プラズマから放射される光を通過し、当該プラズマから発生するデブリを捕捉するデブリトラップであって、
   複数のホイルと、
   前記複数のホイルを固定する固定部材と、
   前記光の通過方向における上流側および下流側にそれぞれ前記ホイルが存在し、少なくとも前記光の通過領域において前記ホイルが存在しない内部空間と、
   前記固定部材に設けられ、前記内部空間に前記光に対して透明な透明ガスを導入可能なガス導入口と、を有する固定式ホイルトラップを備えることを特徴とするデブリトラップ。
2. 前記ガス導入口は、
   前記固定部材における前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向を挟んで対向する面に、それぞれ設けられていることを特徴とする請求項１に記載のデブリトラップ。
3. 前記ガス導入口は、
   前記固定部材の全周に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のデブリトラップ。
4. 前記複数のホイルは、
   前記光の通過領域における上流側に配置された複数の第一のホイルと、
   前記光の通過領域における下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、
   前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のデブリトラップ。
5. 前記複数のホイルは、
   前記第一のホイルと前記第二のホイルとが前記光線方向を含む同一平面内に配置された一組のホイル組を複数有する構成であることを特徴とする請求項４に記載のデブリトラップ。
6. 前記光線方向における前記第一のホイルの長さが、前記光線方向における前記第二のホイルの長さよりも短く設定されていることを特徴とする請求項５に記載のデブリトラップ。
7. 前記第二のホイルの枚数は、前記第一のホイルの枚数よりも多いことを特徴とする請求項４に記載のデブリトラップ。
8. 前記光線方向における前記第一のホイルの長さと、前記光線方向における前記第二のホイルの長さとが等しく設定されていることを特徴とする請求項７に記載のデブリトラップ。
9. 前記複数のホイルは、それぞれ開口部を有し、
   前記内部空間は、前記複数のホイルの前記開口部によって形成される空間であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のデブリトラップ。
10. 前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における上流側端部までの長さが、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における下流側端部までの長さよりも短く設定されていることを特徴とする請求項９に記載のデブリトラップ。
11. 前記複数のホイルは、
    前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のデブリトラップ。
12. 前記固定式ホイルトラップは、
    前記プラズマから放射される光の一部を所定の立体角で取り出した光線束を通過し、前記光線束の進行方向に進行するデブリを捕捉するものであり、
    前記複数のホイルは、前記光線束の通過領域に相当する大きさを有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のデブリトラップ。
13. 前記プラズマを通る軸を回転軸として回転可能な複数の回転ホイルと、
    前記回転軸上に配置され前記回転ホイルを支持する支持部材と、を有し、
    前記固定式ホイルトラップに対して前記回転軸方向に並設される回転式ホイルトラップをさらに備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のデブリトラップ。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載のデブリトラップと、
    前記光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、を備えることを特徴とする光源装置。

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