KR20230017853A - 극단 자외광 광원 장치 - Google Patents

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KR20230017853A
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extreme ultraviolet
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노리타카 아시자와
히로노부 야부타
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우시오덴키 가부시키가이샤
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Abstract

극단 자외광 광원 장치는, 극단 자외광을 방출하는 플라스마를 발생시키는 광원부와, 극단 자외광이 이용되는 이용 장치와 광원부 사이에 배치된 진공 하우징과, 진공 하우징의 내부에 배치되고, 플라스마로부터 이용 장치를 향하여 방산된 데브리(debris)의 진행 방향을 극단 자외광의 광선 방향으로부터 빗나가게 하는 데브리 트랩과, 진공 하우징의 내부에 배치되고, 플라스마와 데브리 트랩 사이에 배치된 차열판 구조체와, 차열판 구조체를 냉각하는 냉각 기구를 구비한다. 차열판 구조체는, 제1 차열판과, 제1 차열판에 간격을 두고 겹쳐지는 제2 차열판을 갖는다. 제2 차열판은, 제1 차열판과 플라스마 사이에 배치되어 있다. 제1 차열판은, 냉각 기구에 의해서 냉각되어 있다.

Description

극단 자외광 광원 장치
본 발명은, 극단 자외광 광원 장치에 관한 것이다.
근년, 반도체 집적 회로의 미세화 및 고집적화에 따라, 노광용 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 차세대 반도체 노광용 광원으로서는, 특히 파장 13.5nm의 극단 자외광(이하, EUV(Extreme Ultra Violet) 광이라고도 한다)을 방사하는 극단 자외광 광원 장치(이하, EUV 광원 장치라고도 한다)의 개발이 진행되고 있다.
EUV 광원 장치에 있어서, EUV 광(EUV 방사)을 발생시키는 방법은 몇 가지가 알려져 있다. 그들 방법 중 하나로, 극단 자외광 방사종(이하, EUV 방사종이라고도 한다)을 가열하여 여기함으로써 고온 플라스마를 발생시키고, 그 고온 플라스마로부터 EUV 광을 취출(取出)하는 방법이 있다.
이러한 방법을 채용하는 EUV 광원 장치는, 고온 플라스마의 생성 방식에 의해, LPP(Laser Produced Plasma:레이저 생성 플라스마) 방식과 DPP(Discharge Produced Plasma:방전 생성 플라스마) 방식으로 나누어진다.
DPP 방식의 EUV 광원 장치는, EUV 방사종(기상(氣相)의 플라스마 원료)을 포함하는 방전 가스가 공급된 전극 간의 간극에 고전압을 인가하여, 방전에 의해 고밀도 고온 플라스마를 생성하고, 거기로부터 방사되는 극단 자외광을 이용하는 것이다. DPP 방식으로서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 방전을 발생시키는 전극 표면에 액체상의 고온 플라스마 원료(예를 들면, Sn(주석))를 공급하고, 당해 원료에 대해서 레이저 빔 등의 에너지 빔을 조사하여 당해 원료를 기화시키고, 그 후, 방전에 의해서 고온 플라스마를 생성하는 방법이 제안되어 있다. 이러한 방식은, LDP(Laser Assisted Discharge Plasma) 방식이라 불리기도 한다.
EUV 광원 장치는, 반도체 디바이스 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 광원 장치로서 사용된다. 혹은, EUV 광원 장치는, 리소그래피에 사용되는 마스크의 검사 장치의 광원 장치로서 사용된다. 즉, EUV 광원 장치는, EUV 광을 이용하는 다른 광학계 장치(이용 장치)의 광원 장치로서 사용된다.
EUV 광은 대기 중에서는 감쇠하기 쉽기 때문에, 플라스마로부터 이용 장치까지는, 감압 분위기, 즉 진공 환경에 있다.
한편, LDP 방식으로 생성된 플라스마로부터는 데브리(debris)가 고속으로 방산된다. 데브리는, 고온 플라스마 원료인 주석 입자, 및 에너지 빔의 조사를 받음으로써 약간 결손된 방전 전극의 재료 입자를 포함한다. 데브리는 이용 장치에 도달하면 이용 장치 내의 광학 소자의 반사막을 손상 또는 오염시켜 성능을 저하시키는 경우가 있으므로, 데브리가 이용 장치에 침입하지 않도록, 방산된 데브리의 진행 방향을 빗나가게 하는 데브리 트랩이 제안되어 있다(특허문헌 1).
데브리 트랩은, 복수의 포일에 의해, 배치된 공간을 세밀하게 분할하여, 그 부분의 컨덕턴스를 낮추고 압력을 올리는 기능을 한다. 데브리는, 이 압력이 올라간 영역에서 분위기 가스와의 충돌 확률이 오르기 때문에 속도가 저하함과 더불어, 데브리 진행 방향이 EUV 광의 광선 방향으로부터 빗나간다. 데브리 트랩으로서는, 복수의 포일의 위치가 고정된 고정식 포일 트랩(foil trap)과, 비교적 질량이 큰 저속의 데브리에 대해서, 데브리 진행 방향과 직교하는 방향으로 포일을 회전 운동시켜 데브리를 포착하는 회전식 포일 트랩이 있다. 1개의 장치에, 회전식 포일 트랩과 고정식 포일 트랩 양쪽 모두를 설치해도 되고, 한쪽을 설치해도 된다.
데브리 트랩과 플라스마 사이에는, 차열판이 배치된다. 차열판을 배치하는 목적 중 하나는, 데브리 트랩이 플라스마로부터의 방사에 의해서 고온이 되어 파손되는 것을 막는 것에 있다. 차열판을 배치하는 또 하나의 목적은, 데브리 트랩을 향하여 진행하는 데브리를 가능한 한 적게 하여, 데브리 트랩의 부하를 감소시키는 것에 있다. 차열판에는, 이용 장치를 향하여 진행하는 EUV 광이 통과하는 개구(어퍼쳐)가 형성되어 있다.
차열판에 퇴적된 데브리는, 곧 어느 정도의 양에 달하면 액적이 되어 중력에 의해 차열판의 하방에 모이고, 데브리 수용 용기(주석 회수 용기)로 낙하한다.
일본국 특허공개 2017-219698호 공보
EUV 광원의 고출력화에 따라 플라스마로부터 방출되는 열도 증가하므로, 데브리 트랩이 과열되어 파손되는 경우가 있다. 데브리 트랩은, 플라스마로부터 방출되어 차열판의 개구를 통과하여 데브리 트랩에 도달하는 직접적인 방사 외에, 플라스마로부터의 방사에 의해서 가열된 차열판이 발하는 2차적인 열복사를 받는다. 따라서, 데브리 트랩의 열부하를 저감하기 위해서는, 차열판의 온도를 낮추면 된다.
그러나, 차열판을 과도하게 냉각하면, 데브리는 차열판 상에서 고화되어, 퇴적되어 버린다. 차열판 상에 도달한 데브리는, 액체가 되어 중력에 의해 차열판의 하방에 모여, 데브리 수용 용기에 낙하하는 것이 바람직하다. 데브리가 고체가 되어 퇴적되는 경우에는, 데브리가 마치 종유동의 석순과 같이 성장한다. 데브리의 퇴적물이 성장하면, 차열판의 개구를 막거나 다른 부품에 간섭하여, 광원의 안정 가동을 방해하는 경우가 있다. 따라서, 광원이 발광하는 중에는, 차열판의 온도를 데브리의 대부분인 주석의 융점(약 232℃) 이상으로 유지해야 한다.
그래서, 본 발명은, 데브리 트랩의 과열을 방지하고, 또한 차열판에 퇴적되는 데브리에 의해서 장치의 안정 가동이 방해되지 않는 극단 자외광 광원 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따른 극단 자외광 광원 장치는, 극단 자외광을 방출하는 플라스마를 발생시키는 광원부와, 상기 극단 자외광이 이용되는 이용 장치와 상기 광원부 사이에 배치된 진공 하우징과, 상기 진공 하우징의 내부에 배치되고, 상기 플라스마로부터 상기 이용 장치를 향하여 방산된 데브리의 진행 방향을 상기 극단 자외광의 광선 방향으로부터 빗나가게 하는 데브리 트랩과, 상기 진공 하우징의 내부에 배치되고, 상기 플라스마와 상기 데브리 트랩 사이에 배치된 차열판 구조체와, 상기 차열판 구조체를 냉각하는 냉각 기구를 구비한다. 상기 차열판 구조체는, 제1 차열판과, 상기 제1 차열판에 간격을 두고 겹쳐지는 제2 차열판을 갖는다. 상기 제2 차열판은, 상기 제1 차열판과 상기 플라스마 사이에 배치되어 있다. 상기 제1 차열판은, 상기 냉각 기구에 의해서 냉각되도록 구성되어 있다.
이 양태에 있어서는, 플라스마로부터의 방사에 의해, 플라스마에 가까운 제2 차열판 및 거기에 퇴적되는 데브리가 고온이 되어도, 플라스마로부터 먼 제1 차열판을 제2 차열판보다 저온으로 함으로써, 제1 차열판의 배후에 있는 데브리 트랩의 과열을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 냉각 기구는, 상기 진공 하우징을 냉각하는 수랭 배관과, 상기 진공 하우징에 접촉되어 상기 제1 차열판을 유지하는 유지 부재를 갖는다.
이 경우에는, 수랭 배관으로 냉각된 진공 하우징에 유지 부재를 통해 제1 차열판의 열이 전도되어, 제1 차열판이 냉각된다.
더 바람직하게는, 상기 제2 차열판은, 상기 진공 하우징 및 상기 냉각 기구와는 이격되어 있으며, 상기 제1 차열판에 직접 접속되어 있지 않다.
이 경우에는, 제2 차열판은, 진공 하우징, 제1 차열판 및 냉각 기구와는 직접적인 열전도가 없기 때문에, 제2 차열판은 플라스마로부터의 방사를 받았을 때, 고온으로 유지된다.
바람직하게는, 상기 제2 차열판은, 텅스텐제의 중앙부와, 상기 중앙부를 둘러싸는 몰리브덴제의 주변부를 갖고, 중앙부와 주변부가 교환 가능하게 결합되어 있다.
이 경우에는, 플라스마로부터의 거리가 가까워 온도가 높아지기 쉬운 중앙부를, 보다 높은 융점을 갖는 텅스텐으로 형성함으로써, 제2 차열판의 내구성이 향상된다. 주변부는, 텅스텐보다 염가인 몰리브덴으로 형성되어 있으므로, 제2 차열판의 비용을 저감할 수 있다. 주변부는, 가요성이 높은 몰리브덴으로 형성되어 있으므로, 주변부를 주위의 부재의 배치에 순응하도록 굽힘 가공하는 것이 용이하다. 또, 중앙부와 주변부가 교환 가능하게 결합되어 있으므로, 중앙부가 고온에서 손상된 경우에는, 중앙부만을 교환하고 주변부를 재이용하는 것도 가능해진다.
(발명의 효과)
본 발명의 양태에 있어서는, 차열판에 퇴적되는 데브리를 고온으로 유지하고, 또한 데브리 트랩의 과열을 방지할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 극단 자외광 광원 장치를 나타낸 개략 도이다.
도 2는, 실시형태에 따른 극단 자외광 광원 장치의 일부를 나타낸 측면 단면도이다.
도 3은, 실시형태에 따른 극단 자외광 광원 장치의 회전식 포일 트랩의 정면도이다.
도 4는, 실시형태에 따른 차열판 구조체를 옆에서 본 단면도이다.
도 5는 실시형태에 따른 차열판 구조체를 위에서 본 단면도이다.
도 6은, 실시형태에 따른 차열판 구조체의 사시도이다.
도 7은, 실시형태에 따른 차열판 구조체의 제1 차열판의 사시도이다.
도 8은, 실시형태에 따른 차열판 구조체의 제2 차열판의 사시도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 실시형태를 설명한다. 도면의 축척은 반드시 정확하지 않고, 일부의 특징은 과장 또는 생략되는 경우도 있다.
극단 자외광 광원 장치(EUV 광원 장치)(1)는, 반도체 디바이스 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 광원 장치 또는 리소그래피용 마스크의 검사 장치의 광원 장치로서 사용 가능한, 예를 들면 파장 13.5nm의 극단 자외광(EUV 광)을 방출하는 장치이다.
실시형태에 따른 EUV 광원 장치(1)는, LDP 방식의 EUV 광원 장치이다. 보다 구체적으로는, EUV 광원 장치는, 방전을 발생시키는 한 쌍의 전극의 표면에 공급된 액상의 플라스마 원료에 레이저 빔 등의 에너지 빔을 조사하여 플라스마 원료를 기화시키고, 그 후, 전극 간의 방전에 의해서 고온 플라스마를 발생시킨다. 플라스마로부터는 EUV 광이 방출된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, EUV 광원 장치(1)는, 내부에서 플라스마를 발생시키는 챔버(11)를 갖는다. 챔버(11)는, 강체, 예를 들면 금속으로 형성되어 있다. 챔버(진공 하우징)(11)의 내부는, EUV 광의 감쇠를 억제하기 위해 진공이 된다.
도 1에 있어서의 챔버(11)의 내부의 묘사는, 챔버(11)의 내부의 평면도이다.
챔버(11)의 내부에는, 극단 자외광을 방출하는 플라스마를 발생시키는 광원부(12)가 배치되어 있다. 광원부(12)는, 한 쌍의 방전 전극(21a, 21b)을 갖는다. 방전 전극(21a, 21b)은, 같은 모양 같은 크기의 원판이며, 방전 전극(21a)이 캐소드로서 사용되고, 방전 전극(21b)이 애노드로서 사용된다. 방전 전극(21a, 21b)은, 예를 들면, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈 등의 고융점 금속으로 형성되어 있다.
방전 전극(21a, 21b)은, 서로 이격된 위치에 배치되어 있으며, 방전 전극(21a, 21b)의 주연부가 근접해 있다. 캐소드(21a)의 주연부와 애노드(21b)의 주연부가 가장 접근한 위치에서, 캐소드(21a)와 애노드(21b) 사이의 간극에서는 방전이 발생하고, 이에 따라 고온 플라스마가 발생한다. 이하, 캐소드(21a)의 주연부와 애노드(21b)의 주연부가 가장 접근한 위치에 있는 캐소드(21a)와 애노드(21b) 사이의 간극을 「방전 영역(D)」이라고 부른다.
캐소드(21a)는, 모터(22a)의 회전축(23a)에 연결되어 있으며, 캐소드(21a)의 축선 둘레로 회전한다. 애노드(21b)는, 모터(22b)의 회전축(23b)에 연결되어 있으며, 애노드(21b)의 축선 둘레로 회전한다. 모터(22a, 22b)는 챔버(11)의 외부에 배치되어 있으며, 회전축(23a, 23b)은 챔버(11)의 외부로부터 내부로 연장되어 있다. 회전축(23a)과 챔버(11)의 벽 사이의 간극은, 예를 들면, 메커니컬 시일(24a)과 같은 시일 부재로 봉지되어 있고, 회전축(23b)과 챔버(11)의 벽 사이의 간극도, 예를 들면, 메커니컬 시일(24b)과 같은 시일 부재로 봉지되어 있다. 시일 부재는, 챔버(11) 내의 감압 분위기를 유지하면서, 회전축(23a, 23b)의 회전을 허용한다.
이와 같이 방전 전극(21a, 21b)은, 별개의 모터(22a, 22b)에 의해서 각각 구동된다. 이들 모터(22a, 22b)의 회전은, 제어부(15)에 의해서 제어된다.
챔버(11)의 내부에는, 액상의 플라스마 원료(25a)가 저류된 컨테이너(26a)와, 액상의 플라스마 원료(25b)가 저류된 컨테이너(26b)가 배치되어 있다. 컨테이너(26a, 26b)에는, 가열된 액상의 플라스마 원료(25a, 25b)가 공급된다. 액상의 플라스마 원료(25a, 25b)는, 예를 들면 주석(Sn)이다.
캐소드(21a)의 하부는, 컨테이너(26a) 내의 플라스마 원료(25a)에 잠겨 있으며, 애노드(21b)의 하부는, 컨테이너(26b) 내의 플라스마 원료(25b)에 잠겨 있다. 따라서, 방전 전극(21a, 21b)에는, 플라스마 원료가 부착된다. 방전 전극(21a, 21b)의 회전에 따라, 액상의 플라스마 원료(25a, 25b)는, 고온 플라스마를 발생시켜야 하는 방전 영역(D)으로 수송된다.
챔버(11)의 외부에는, 캐소드(21a)에 코팅된 플라스마 원료(25a)에 에너지 빔을 조사하여, 플라스마 원료(25a)를 기화시키는 레이저(에너지 빔 조사 장치)(28)가 배치되어 있다. 레이저(28)는, 예를 들면 Nd:YVO4 레이저(Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate 레이저)이며, 적외 레이저 빔(L)을 발한다. 단, 에너지 빔 조사 장치는, 플라스마 원료(25a)를 기화시킬 수 있는 레이저 빔 이외의 빔을 발하는 장치여도 된다.
레이저(28)에 의한 레이저 빔의 조사 타이밍은, 제어부(15)에 의해서 제어된다.
레이저(28)로부터 방출된 적외 레이저 빔(L)은, 가동 미러(31)에 인도된다. 레이저(28)와 가동 미러(31) 사이에는, 전형적으로는, 집광 수단이 배치된다. 집광 수단은, 예를 들면 집광 렌즈(29)를 갖는다.
적외 레이저 빔(L)은, 챔버(11)의 외부에 배치된 가동 미러(31)에 의해 반사되고, 챔버(11)의 벽에 설치된 투명창(30)을 통과하여, 방전 영역(D) 부근의 캐소드(21a)의 외주면에 조사된다.
캐소드(21a)의 외주면에 적외 레이저 빔(L)을 조사하는 것을 용이하게 하기 위해, 방전 전극(21a, 21b)의 축선은 평행은 아니다. 회전축(23a, 23b)의 간격은, 모터 측이 좁고, 전극 측이 넓게 되어 있다.
애노드(21b)는, 캐소드(21a)와 가동 미러(31) 사이에 배치되어 있다. 환언하면, 가동 미러(31)에서 반사된 적외 레이저 빔(L)은, 애노드(21b)의 외주면 부근을 통과한 후에, 캐소드(21a)의 외주면에 도달한다. 적외 레이저 빔(L)의 진행을 방해하지 않도록, 애노드(21b)는 캐소드(21a)로부터 도 1의 좌측에 퇴피해 있다.
방전 영역(D) 부근의 캐소드(21a)의 외주면에 코팅된 액상의 플라스마 원료(25a)는, 적외 레이저 빔(L)의 조사에 의해 기화되어, 기상의 플라스마 원료가 방전 영역(D)에 발생한다.
방전 영역(D)에서 고온 플라스마를 발생시키기 위해(기상의 플라스마 원료를 플라스마화하기 위해), 펄스 전력 공급부(35)가 캐소드(21a)와 애노드(21b)에 전력을 공급하여, 캐소드(21a)와 애노드(21b)의 사이에서 방전을 발생시킨다. 펄스 전력 공급부(35)는, 주기적으로 펄스 전력을 방전 전극(21a, 21b)에 공급한다.
펄스 전력 공급부(35)는, 챔버(11)의 외부에 배치되어 있다. 펄스 전력 공급부(35)로부터 연장되는 급전선은, 챔버(11)의 벽에 매설되고 챔버(11) 내의 감압 분위기를 유지하는 시일 부재(36)를 통과하여, 챔버(11)의 내부로 연장되어 있다.
이 실시형태에서는, 펄스 전력 공급부(35)로부터 연장되는 2개의 급전선은, 각각 컨테이너(26a, 26b)에 접속되어 있다. 컨테이너(26a, 26b)는, 도전성 재료로 형성되어 있으며, 컨테이너(26a, 26b)의 내부의 플라스마 원료(25a, 25b)도 도전성 재료, 주석이다. 컨테이너(26a, 26b)의 내부의 플라스마 원료(25a, 25b)에는, 방전 전극(21a, 21b)이 잠겨 있다. 따라서, 펄스 전력 공급부(35)가 컨테이너(26a, 26b)에 펄스 전력을 공급하면, 결과적으로 펄스 전력이 방전 전극(21a, 21b)에 공급된다.
캐소드(21a)와 애노드(21b)의 사이에서 방전이 발생하면, 방전 영역(D)에 있어서의 기상의 플라스마 재료가, 대전류에 의해 가열 여기되어, 고온 플라스마가 발생한다. 또, 고열에 의해, 방전 영역(D) 부근의 애노드(21b)의 외주면에 코팅된 액상의 플라스마 원료(25b)도 플라스마화된다.
고온 플라스마로부터는 EUV 광(E)이 방출된다. EUV 광(E)은, 다른 광학계 장치인 이용 장치(40)(리소그래피 장치 또는 마스크 검사 장치)에서 이용된다. 챔버(11)와 이용 장치(40) 사이에는, 접속 챔버(진공 하우징)(42)가 배치되어 있다. 접속 챔버(42)의 내부 공간은, 챔버(11)의 벽에 형성된 관통 구멍인 창(43)을 통해 챔버(11)와 연통한다. 또, 접속 챔버(42)는 이용 장치(40)에 연통한다. 도면에서는, 이용 장치(40)의 일부만을 나타낸다. 또 도 1에서는, 접속 챔버(42)의 세부사항의 도시는 생략한다.
도 2의 측면 단면도에 나타내는 바와 같이, 접속 챔버(42)의 벽에는, 관통 구멍인 창(44)이 형성되어 있으며, 접속 챔버(42)의 내부 공간은, 창(44)을 통해 이용 장치(40)와 연통한다. 접속 챔버(42)의 내부도, EUV 광(E)의 감쇠를 억제하기 위해 진공이 된다. 방전 영역(D)의 플라스마로부터 방출된 EUV 광(E)은, 창(43, 44)을 통해서, 이용 장치(40)에 도입된다.
한편, 플라스마로부터는 EUV 광과 함께 데브리(46)가 방산된다. 데브리(46)는, 고온 플라스마 원료인 주석 입자, 및 에너지 빔의 조사를 받음으로써 약간 결손된 방전 전극(21a, 21b)의 재료 입자를 포함한다. 데브리(46)는 이용 장치에 도달하면 이용 장치 내의 광학 소자의 반사막을 손상 또는 오염시켜 성능을 저하시키는 경우가 있으므로, 데브리(46)가 이용 장치(40)에 침입하지 않도록, 데브리(46)의 진행 방향을 EUV 광의 광선 방향으로부터 빗나가게 하기 위해서 데브리 트랩이 접속 챔버(42) 내에 설치되어 있다. 이 실시형태에서는, 데브리 트랩은, 회전 운동에 의해 데브리(46)를 포착하는 회전식 포일 트랩(50)을 갖는다. 도시하지 않지만, 고정식 포일 트랩을 접속 챔버(42) 내의 EUV 광의 광로 상에 설치해도 된다.
회전식 포일 트랩(50)은, 특허문헌 1에 개시된 구성을 갖는다. 구체적으로는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 회전식 포일 트랩(50)은, 중심의 허브(51), 허브(51)와 동심의 외측 링(52), 허브(51)와 외측 링(52) 사이에 배치된 다수의 포일(53)을 갖는다. 각 포일(53)은, 박막 또는 얇은 평판이다. 포일(53)은, 동일한 각 간격을 두고 방사상으로 배치되어 있다. 각 포일(53)은, 허브(51)의 중심축선을 포함하는 평면 상에 있다. 회전식 포일 트랩(50)의 재료는, 예를 들면 텅스텐 및/또는 몰리브덴과 같은 고융점 금속이다.
허브(51)는, 모터(회전 구동 장치)(54)의 회전축(55)에 연결되어 있으며, 허브(51)의 중심축선은 회전축(55)의 중심축선에 합치한다. 회전축(55)은 회전식 포일 트랩(50)의 회전축으로 간주할 수 있다. 모터(54)에 의해 구동되어, 회전식 포일 트랩(50)은 회전하고, 회전하는 포일(53)은 도래하는 데브리(46)를 포착하여, 데브리(46)가 이용 장치(40)에 침입하는 것을 저지한다.
회전식 포일 트랩(50)이 접속 챔버(42) 내에 배치되어 있는 데에 반해, 모터(54)는 접속 챔버(42)의 밖에 배치되어 있다. 접속 챔버(42)의 벽에는, 회전축(55)이 통과하는 관통 구멍(56)이 형성되어 있다. 회전축(55)과 접속 챔버(42)의 벽 사이의 간극은, 예를 들면, 메커니컬 시일(57)과 같은 시일 부재로 봉지되어 있다.
회전식 포일 트랩(50)은, 플라스마로부터의 방사에 의해 고온이 되기 때문에, 과열을 방지하기 위해서, 회전축(55)을 중공으로 하고 냉각수를 유통시켜 냉각을 행하는 경우가 있다. 또, 모터(54) 자체의 소손을 방지하기 위해서, 모터(54)의 주위에는 수랭 배관(59)이 감겨 있다. 수랭 배관(59)에는, 물이 흘러가고 있으며, 열 교환에 의해 모터(54)로부터 열을 빼앗는다.
또, 플라스마로부터 회전식 포일 트랩(50)으로의 방사를 저감하여 과열을 방지하기 위해, 접속 챔버(42) 내에는, 고융점 금속으로 형성된 차열판 구조체(60)가 배치되어 있다. 차열판 구조체(60)는, 플라스마와 회전식 포일 트랩(50) 사이에 개재된다. 차열판 구조체(60)에는 관통하는 개구(60a)가 형성되어 있다. 개구(60a)는, 창(44)과 플라스마 사이에 위치한다.
플라스마로부터는 다양한 방향으로 EUV 광(E)이 방출된다. EUV 광(E)의 일부는, 챔버(11)의 창(43), 차열판 구조체(60)의 개구(60a), 회전식 포일 트랩(50)의 복수의 포일(53)의 간극, 창(44)을 통과하여, 이용 장치(40)에 도입된다. 회전식 포일 트랩(50)의 복수의 포일(53)은, 플라스마(발광점)로부터 창(44)을 향하여 나아가는 EUV 광(E)을 차단하지 않도록, 창(44)을 향하여 나아가는 EUV 광(E)의 광선 방향과 평행하게 배치된다. 즉, 도 2와 같이 각 포일(53)이 허브(51)의 중심축선을 포함하는 평면 상에 배치된 회전식 포일 트랩(50)인 경우, 허브(51)의 중심축선의 연장선 상에 플라스마(발광점)가 존재하도록 배치하면, 각 포일(53)로 차폐되지 않고 회전식 포일 트랩(50)을 통과하는 EUV 광의 비율(투과율이라고도 한다)을 최대로 할 수 있다.
이 실시형태에 있어서는, 회전식 포일 트랩(50)이 내재하는 접속 챔버(42)의 외부에, 회전식 포일 트랩(50)을 회전시키는 모터(54)가 배치되어 있다. 따라서, 모터(54) 및 모터(54)의 배선(54a, 54b)과 수랭 배관(59)의 점검 및 수리가 용이하다. 또, 모터(54)의 배선(54a, 54b)과 수랭 배관(59)이 접속 챔버(42)의 외부에 배치되므로, 접속 챔버(42)의 내부에 배치되는 경우에 비해, 접속 챔버(42)의 봉지 개소를 줄일 수 있다. 진공의 봉지 개소가 줄면, 조립 시 및 보수 작업 시에 행하는 진공 리크의 검사 개소가 줄고, 또 경년 열화에 의한 진공 리크의 리스크도 없어지기 때문에, 장치의 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 모터(54)가 접속 챔버(42)의 외부에 배치되므로, 모터(54)의 냉각을 용이하게 행할 수 있다.
한편, 플라스마에서는 다양한 방향으로 데브리(46)도 방출된다. 데브리(46)의 일부는, 챔버(11)의 창(43)을 통해서 접속 챔버(42)에 침입한다. 접속 챔버(42)의 하방에는, 데브리(46)가 낙하하는 데브리 수용 용기(64)가 배치되어 있다. 접속 챔버(42)에 침입한 데브리(46)의 일부는, 차열판 구조체(60)에 퇴적된다. 그것들은 플라스마로부터의 차열판 구조체(60)에 가해지는 방사에 의해 용융되고, 곧 어느 정도의 양에 달하면 액적이 된다. 그리고, 그 액적은 중력에 의해 차열판 구조체(60)의 하방에 모여, 데브리 수용 용기(64)로 낙하한다. 이와 같이 차열판 구조체(60)는, 회전식 포일 트랩(50)을 향하여 진행하는 데브리(46)를 감소시킨다. 접속 챔버(42)에 침입한 데브리(46)의 일부나 컨테이너(26a, 26b)로부터 누출된 플라스마 원료는, 접속 챔버(42) 내에 설치되어 히터로 가열된 받이판(65)에 인도되어 데브리 수용 용기(64)로 낙하한다. 접속 챔버(42)에 침입하여 차열판 구조체(60)의 개구(60a)를 통과한 데브리(46)는, 회전식 포일 트랩(50)의 포일(53)에 포착된 후, 데브리 수용 용기(64)로 낙하한다.
데브리 수용 용기(64)는, 접속 챔버(42)의 외부에 배치되어 있다. 접속 챔버(42)의 저벽에는, 데브리 수용 용기(64)의 내부 공간과 접속 챔버(42)의 내부 공간을 연통시키는 관통 구멍(66)이 형성되어 있다. 데브리 수용 용기(64)는, 상부에 플랜지(64A)를 가지고 있다. 플랜지(64A)로 둘러싸인 데브리 수용 용기(64)의 개구부가 관통 구멍(66)에 겹쳐지며, 플랜지(64A)가 접속 챔버(42)의 저벽에, 예를 들면 나사로 고정되어 있다. 플랜지(64A)와 접속 챔버(42)의 저벽 사이의 간극은, 여기에 설치된 개스킷(68)에 의해 봉지되어 있다.
데브리(46)의 대부분은 주석이므로, 데브리 수용 용기(64)는 주석 회수 용기라고 부를 수도 있다. 데브리 수용 용기(64)의 주위에는, 데브리 수용 용기(64)를 가열하는 히터 배선(69)이 감겨 있다. EUV 광원 장치(1)를 사용하는 동안, 히터 배선(69)에 의해서, 데브리 수용 용기(64)의 내부는 주석의 융점(약 232℃) 이상으로 가열되어, 데브리 수용 용기(64) 내부에 축적된 주석은 액상이 되어 있다. 데브리 수용 용기(64)의 내부의 주석을 액상으로 하는 이유는, 고체의 데브리(46)가 축적되는 경우에는, 데브리(46)가 낙하하기 쉬운 지점에서 축적물이 마치 종유동의 석순과 같이 성장해 가기 때문이다. 데브리의 축적물이 석순 형상으로 성장하면, 예를 들면 회전식 포일 트랩(50)에 접촉하여, 회전식 포일 트랩(50)의 회전을 방해하거나 회전식 포일 트랩(50)을 손상시키는 경우가 있다. 혹은, 창(44)을 향하여 나아가는 EUV 광(E)의 광로에 축적물이 달하여, EUV 광(E)을 막기도 한다. 데브리 수용 용기(64)의 내부의 주석을 액상으로 함으로써, 주석이 데브리 수납 용기(64) 내에서 평탄화되어 효율적으로 주석을 저장하는 것이 가능해진다.
데브리 수용 용기(64)에 축적된 주석을 회수하는 경우에는, 히터 배선(69)에 의한 가열을 정지한 후, 데브리 수용 용기(64)가 상온으로 돌아오고 나서, 접속 챔버(42) 내부를 대기압으로 되돌린다. 그 후, 데브리 수용 용기(64)를 접속 챔버(42)로부터 떼어내어, 새로운(주석이 모여 있지 않은) 데브리 수용 용기(64)를 접속 챔버(42)에 장착한다.
접속 챔버(42)로부터 떼어내진 데브리 수용 용기(64)의 내부의 주석은 고상으로 되어 있는데, 재가열함으로써 데브리 수용 용기(64)로부터 취출(取出)할 수 있다.
이 실시형태에 있어서는, 회전식 포일 트랩(50)으로 포착된 데브리(46)가 접속 챔버(42)의 벽에 형성된 관통 구멍(66)을 통해서, 데브리 수용 용기(64)로 낙하한다. 데브리 수용 용기(64)는, 접속 챔버(42)의 외부에 배치되어 있다. 따라서, 데브리 수용 용기(64)를 가열하는 히터 배선(69)에 데브리(46)가 부착되는 일이 없어, 히터 배선(69)의 점검 및 수리가 용이하다. 또, 데브리 수용 용기(64)를 용이하게 접속 챔버(42)로부터 떼어낼 수 있으므로, 데브리 수용 용기(64)를 새로운 데브리 수용 용기(64)로 교환하는 것이 용이하다. 또, 떼어낸 데브리 수용 용기(64)로부터 주석을 취출한 후, 데브리 수용 용기(64)는 재이용할 수 있다.
또한, 접속 챔버(42)의 외부에는, EUV 광(E)을 감시하는 감시 장치(70)가 배치되어 있다. 감시 장치(70)는, EUV 광(E)의 존재를 검출하는 검출기 또는 EUV 광(E)의 강도를 측정하는 측정기이다.
접속 챔버(42)의 벽에는, EUV 광(E)이 통과하는 관통 구멍인 극단 자외광 안내 구멍(71)이 형성되어 있고, 극단 자외광 안내 구멍(71)과 감시 장치(70) 사이에는, EUV 광(E)이 새지 않고 통과하는 관(72)이 설치되어 있다.
상기의 차열판 구조체(60)에는, 관통하는 개구(60b)가 형성되고, 플라스마와 개구(60b)를 잇는 직선의 연장선 상에 감시 장치(70), 극단 자외광 안내 구멍(71) 및 관(72)이 배치되어 있다. 따라서, 플라스마로부터 방출되는 EUV 광(E)의 일부는, 챔버(11)의 창(43), 차열판 구조체(60)의 개구(60b), 회전식 포일 트랩(50)의 복수의 포일(53)의 간극, 접속 챔버(42)의 벽의 극단 자외광 안내 구멍(71), 관(72)의 내강을 통과하여, 감시 장치(70)에 도달한다.
이와 같이 하여, EUV 광(E)을 감시 장치(70)에 의해서 감시할 수 있다. 감시 장치(70)는 접속 챔버(42)의 외부에 배치되므로, 접속 챔버(42)의 내부에 배치되는 경우에 비해, 감시 장치(70) 및 감시 장치(70)의 배선(70a, 70b)의 점검 및 수리가 용이하다. 또, 감시 장치(70)의 배선(70a, 70b)이 접속 챔버(42)의 외부에 배치되므로, 접속 챔버(42)의 내부에 배치되는 경우에 비해, 접속 챔버(42)의 봉지 개소가 적다. 또한, 감시 장치(70)가 접속 챔버(42)의 외부에 배치되므로, 필요에 따라 용이하게 냉각 기구를 부가할 수 있기 때문에, 감시 장치(70)의 과열을 억제할 수 있다.
다음에 차열판 구조체(60)를 상술한다.
도 4로부터 도 6에 나타내는 바와 같이, 차열판 구조체(60)는, 2장의 차열판을 갖는 복합 구조를 갖는다. 구체적으로는, 차열판 구조체(60)는, 제1 차열판(75)과 제2 차열판(76)을 갖는다. 제2 차열판(76)은, 제1 차열판(75)과 플라스마 사이에 배치되고, 제1 차열판(75)에 간격을 두고 겹쳐져 있다.
제2 차열판(76)은, 지지 프레임(90)에 장착된 복수의 지주(91) 상에 복수의 나사(79)에 의해서 교환 가능하게 결합되어 있다. 지주(91)는, 제1 차열판(75)에 형성되어 있는 관통 구멍(78)을 통과한다. 제2 차열판(76)을 지지하는 지지 프레임(90)은, 도시하지 않는 개소에서 접속 챔버(42) 상에 접속되어 있다. 후술하는 바와 같이, 관통 구멍(78)의 직경은, 지주(91)의 직경보다 크게 되어 있어, 제1 차열판(75)과 지주(91)는 서로 접촉하지 않도록 배치되어 있다.
한편, 제1 차열판(75)은, 복수의 유지부(77)(후술, 도 5~도 7 참조)를 통해, 접속 챔버(42)에 접속되어 있다. 이와 같이, 제2 차열판(76)과 제1 차열판(75)을 직접 장착하지 않고, 제1 차열판(76)에 접촉하지 않도록 제1 차열판(76)의 관통 구멍(78)을 통과하는 지주(91)를 통해, 제2 차열판(76)을 지지 프레임(90)에 장착함으로써, 제2 차열판(76)과 제1 차열판(75) 사이의 열전도를 억제할 수 있다. 여기서, 지지 프레임(90)과 지주(91)는, 열전도율이 비교적 작은 티타늄이나 스테인리스 등의 금속 재료나, 알루미나(Al2O3)나 지르코니아(ZrO2) 등의 세라믹스로 구성된다.
제1 차열판(75)의 관통 구멍(75a) 및 제2 차열판(76)의 중앙부(80)의 관통 구멍(76a)은 위치 결정되어, 상기의 개구(60a)를 구성한다. 개구(60a)는, 플라스마로부터 이용 장치(40)로의 EUV 광(E)의 진행을 허용한다.
동일하게 하여, 제1 차열판(75)의 관통 구멍(75b) 및 제2 차열판(76)의 중앙부(80)의 관통 구멍(76b)도 또 위치 결정되어 상기의 개구(60b)를 구성한다. 개구(60b)는, 플라스마로부터 감시 장치(70)로의 EUV 광(E)의 진행을 허용한다.
플라스마(발광점)를 시점으로 하여 방산되는 데브리 중, 제1 차열판(75)을 포함하는 평면 상에 도달하는 데브리는, 제2 차열판(76) 상의 관통 구멍(76a 및 76b)에 의해서 규정된다. 바람직하게는, 관통 구멍(75a 및 75b)은, 이 제1 차열판(75) 상의 데브리 도달 범위를 완전히 포함하는 크기 및 형상인 편이 좋다. 환언하면, 플라스마(발광점)로부터 제2 차열판(76) 상의 관통 구멍(76a 및 76b)을 통해 제1 차열판(75)을 바라봤을 때에, 제1 차열판(75)이 제2 차열판(76)의 그림자에 들어가 보이지 않게 되도록, 관통 구멍(75a 및 75b)의 크기 및 형상을 선정하는 편이 좋다. 왜냐하면, 플라스마로부터 EUV 광(E)과 함께 데브리(46)는 직진하는데, 제2 차열판(76)의 그림자가 되지 않는 영역에 제1 차열판(75)이 노출되어 있으면, 제1 차열판(75)에 직접 데브리가 퇴적되기 때문이다. 예를 들면, 관통 구멍(75a와 76a), 관통 구멍(75b와 76b)이 각각 동심 동 직경으로 광축 상에 배치되어 있는 경우, 관통 구멍(75a, 75b)의 주위는 제2 차열판(76)의 그림자에 들어가지 않으므로, 데브리가 퇴적된다. 그 경우, 제1 차열판(75)은 후술하는 바와 같이 냉각되어 있기 때문에, 데브리(46)는 용융되지 않고 계속 퇴적된다. 곧, 제1 차열판(75)과 제2 차열판(76)은 퇴적된 데브리에 의해 연결되어 열전도가 발생하기 때문에, 제2 차열판(76)의 온도가 저하하여, 제2 차열판(76) 상에도 데브리가 퇴적되어 버린다.
지지 프레임(90)은, 제2 차열판(76)을 지지할 뿐만 아니라, 회전식 포일 트랩(50)으로 포착되어, 원심력에 의해 회전식 포일 트랩(50)의 포일 위를 경방향으로 이동하여, 상기 포일의 단부로부터 이탈한 데브리가 접속 챔버(42)의 내부에 비산하는 것을 방지하는 기능을 갖는다. 따라서, 회전식 포일 트랩(50)은, 지지 프레임(90)에 의해서 전체 둘레가 덮인다. 지지 프레임(90)의 전벽(차열판 구조체(60) 측의 벽)에는 개구가 형성되고, 지지 프레임(90)의 후벽(차열판 구조체(60)와 반대 측의 벽)에는, 관통 구멍(90a, 90b)이 형성되어 있다. 관통 구멍(90a)은, 개구(60a)와 창(44) 사이에 있으며, EUV 광(E)이 이용 장치(40)로 진행하는 것을 허용한다. 관통 구멍(90b)은, 개구(60b)와 극단 자외광 안내 구멍(71) 사이에 있으며, EUV 광(E)이 감시 장치(70)로 진행하는 것을 허용한다. 지지 프레임(90)의 하단에는, 데브리의 배출 구멍(90c)이 형성되어 있다. 회전식 포일 트랩(50)으로부터 이탈한 데브리는, 배출 구멍(90c)을 통해서 낙하하고, 관통 구멍(66)을 통해서 데브리 수용 용기(64)에 받아들여진다.
제1 차열판(75)은, 냉각 기구에 의해서 제열(除熱)되도록 구성되어 있다. 이 실시형태에서는, 냉각 기구는, 접속 챔버(42)를 냉각하는 수랭 배관(88)(도 4, 도 5 참조)과, 접속 챔버(42)에 접속되고 제1 차열판(75)을 유지하는 유지부(77)(후술, 도 5~도 7 참조)를 갖는다. 수랭 배관(88)은, 실시형태에서는, 접속 챔버(42)의 벽 내에 배치되어 있는데, 접속 챔버(42)의 외측 또는 내측에 배치하여 접속 챔버(42)의 벽에 접촉시켜도 된다. 어느 쪽이든, 수랭 배관(88)으로 냉각된 접속 챔버(42)에, 유지부(77)를 통해 제1 차열판(75)의 열이 전도된다. 따라서, 제1 차열판(75)이 냉각된다.
한편, 제2 차열판(76)은, 접속 챔버(42) 및 냉각 기구(수랭 배관(88)과 유지부(77))와는 이격되어 있으며, 제1 차열판(75)과 간격을 두고 있다. 또한, 제2 차열판(76)은 제1 차열판(75)에 접속되지 않고, 지지 프레임(90)에 장착된 지주(91) 상에 고정되어 있다. 따라서, 제1 차열판(75)과 제2 차열판(76)은 직접적인 열전도가 없기 때문에, 제2 차열판(76)은 고온으로 유지된다.
플라스마에 가까운 제2 차열판(76)이 아니라, 플라스마로부터 먼 제1 차열판(75)을 냉각하여, 제2 차열판(76)보다 저온으로 함으로써, 플라스마에 의해서 고온이 된 제2 차열판(76)으로부터의 2차적인 열복사를 제1 차열판(75)으로 차폐하여, 제1 차열판(75)의 배후에 있는 데브리 트랩(이 실시형태에서는 회전식 포일 트랩(50))의 과열을 방지할 수 있다. 그 때, 제2 차열판(76)은, 열전도에 의한 냉각을 받지 않기 때문에, 플라스마로부터의 방사를 받아 고온으로 유지된다. 따라서, 제2 차열판(76) 상에 퇴적된 데브리는, 곧 어느 정도의 양에 달하면 액적이 된다. 그리고, 그 액적은 중력에 의해 차열판 구조체(60)의 하방에 모여 데브리 수용 용기(64)로 낙하한다. 데브리 수용 용기(64)는 히터 배선에 의해 주석의 융점(약 232℃) 이상으로 가열되어 있으므로, 축적되는 주석을 주로 하는 데브리는 국소적으로 존재하지 않고 액체로서 평탄화되어 저장된다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 차열판(75)은, 두께가 수 mm인 판이며, 상단과 하단이 제거된 원판의 형상을 갖는다. 제1 차열판(75)의 재료는 몰리브덴이다. 몰리브덴의 융점은 약 2600℃이며, 제1 차열판(75)은 높은 내열성을 갖는다. 제1 차열판(75)의 중앙에는, 플라스마(발광점)로부터 감시 장치(70) 및 이용 장치(40)로의 EUV 광(E)의 광로를 방해하지 않는 형상을 갖는 2개의 관통 구멍(75a, 75b)이 각각 형성되어 있다.
제1 차열판(75)의 네 귀퉁이에는, 접속 챔버(42)에 제1 차열판(75)을 접속시켜 유지하기 위한 유지부(77)가 형성되어 있다. 이와 같이, 이 실시형태에서는, 제1 차열판(75)을 유지하는 유지부(77)가 제1 차열판(75) 상에 일체 구조로서 형성되어 있는데, 유지부(77)는 제1 차열판(75)과의 열전도가 양호하면 되며, 제1 차열판(75)과는 별개의 부재를, 용접, 브레이징, 나사 고정 등으로 장착해도 된다. 그 경우, 유지부(77)는 텅스텐이나 몰리브덴, 알루미늄이나 구리 등의 열전도율이 양호한 금속이어도 되고, 탄화 규소(SiC)나 질화 알루미늄(AlN), 질화 붕소(BN) 등의 열전도가 양호한 세라믹스여도 된다.
제1 차열판(75)에는, 복수의 원형의 관통 구멍(78)이 형성되어 있다. 각 관통 구멍(78)의 직경은, 배후의 지지 프레임(90)에 제2 차열판(76)을 유지하기 위한 원기둥 형상의 지주(91)의 외경보다 크게 하여, 지주(91)가 관통 구멍(78)의 내주면에 접촉하지 않도록 한다. 또한, 관통 구멍(78)의 형상은 반드시 원형일 필요는 없으며, 마찬가지로 지주(91)의 형상은 원기둥 형상이 아니어도 된다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 차열판(76)은, 중앙부(80)와, 중앙부(80)를 둘러싸는 주변부(81)를 갖는다. 중앙부(80)와 주변부(81)는, 복수의 나사(82)에 의해서 교환 가능하게 결합되어 있다. 중앙부(80)는, 두께가 수 mm인 텅스텐제의 원판이다. 주변부(81)는, 두께가 수 mm인 몰리브덴제의 원판이며, 중앙부(80)의 외경보다 훨씬 큰 외경을 갖는다.
주변부(81)의 중앙에는, 주변부(81)를 관통하는 개구(81A)가 형성되어 있다. 중앙부(80)의 외경은 개구(81A)의 외경보다 크고, 중앙부(80)는 개구(81A)를 덮는다. 중앙부(80)에는, 2개의 관통 구멍(76a, 76b)이 형성되어 있다.
제2 차열판(76)의 주변부(81)에는, 복수의 관통 구멍(81b)이 형성되어 있다. 관통 구멍(81b)의 위치는, 제1 차열판(75)의 관통 구멍(78) 및 지지 프레임(90)에 장착된 지주(91)에 대응하는 위치이다. 나사(79)는, 관통 구멍(81b)을 통과하여, 지주(91)의 나사 구멍에 체결되어 있다.
제2 차열판(76)에 있어서, 플라스마로부터의 직선 거리가 주변부(81)보다 가까워 고온이 되는 중앙부(80)를, 보다 고융점의 텅스텐으로 형성함으로써, 제2 차열판(76)의 내구성이 향상된다. 주변부(81)는, 텅스텐보다 염가인 몰리브덴으로 형성되어 있으므로, 제2 차열판(76)의 비용을 저감할 수 있다. 주변부(81)는, 가요성이 높은 몰리브덴으로 형성되어 있으므로, 주변부(81)를 주위의 부재의 배치에 순응하도록 굽힘 가공하는 것이 용이하다. 예를 들면, 이 실시형태에서는, 주변부(81)의 상부(84)와 하부(85)가 굽힘 가공되어 있어, 차열판 구조체(60)를 접속 챔버(42) 내부의 형상에 간섭하지 않고 배치 가능하다. 또, 중앙부(80)와 주변부(81)가 교환 가능하게 결합되어 있으므로, 중앙부(80)가 고온으로 손상되었을 경우에는, 중앙부(80)만을 교환하고 주변부(81)는 재이용할 수 있으므로, 비용을 저감할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태를 참조하면서 본 발명을 도시하여 설명했는데, 당업자에게 있어서 특허 청구 범위에 기재된 발명의 범위로부터 벗어나지 않고, 형식 및 세부사항의 변경이 가능하다는 것이 이해될 것이다. 이러한 변경, 개변 및 수정은 본 발명의 범위에 포함될 것이다.
예를 들면, 상기의 실시형태에 있어서는, 차열판 구조체(60)의 냉각 기구는, 접속 챔버(42)를 냉각하는 수랭 배관(88)과, 제1 차열판(75)을 유지하는 유지부(77)이다. 그러나, 차열판 구조체(60)는, 제1 차열판(75)을 냉각하도록 제1 차열판(75)에 접촉하는 수랭 배관 또는 공랭 배관(도시 생략)이어도 된다.
상기의 실시형태에서는, 제2 차열판(76)이 중앙부(80)와 주변부(81) 2종류의 부재로 구성되어 있다. 그러나, 제2 차열판(76) 전체를, 텅스텐제의 한 종류의 부재에 의해 구성해도 된다.
상기의 실시형태에서는, 차열판 구조체(60)는, 2장의 차열판(75, 76)을 갖는다. 단, 차열판 구조체(60)는 더 많은 차열판을 가져도 된다.
1 극단 자외광 광원 장치(EUV 광원 장치)
12 광원부
40 이용 장치
42 접속 챔버(진공 하우징)
46 데브리
50 회전식 포일 트랩(데브리 트랩)
60 차열판 구조체
60a 개구
60b 개구
64 데브리 수용 용기
70 감시 장치
75 제1 차열판
76 제2 차열판
77 유지부(냉각 기구)
80 중앙부
81 주변부
88 수랭 배관(냉각 기구)

Claims (4)

  1. 극단 자외광을 방출하는 플라스마를 발생시키는 광원부와,
    상기 극단 자외광이 이용되는 이용 장치와 상기 광원부 사이에 배치된 진공 하우징과,
    상기 진공 하우징의 내부에 배치되고, 상기 플라스마로부터 상기 이용 장치를 향하여 방산된 데브리(debris)의 진행 방향을 상기 극단 자외광의 광선 방향으로부터 빗나가게 하는 데브리 트랩과,
    상기 진공 하우징의 내부에 배치되고, 상기 플라스마와 상기 데브리 트랩 사이에 배치된 차열판 구조체와,
    상기 차열판 구조체를 냉각하는 냉각 기구를 구비하고,
    상기 차열판 구조체는, 제1 차열판과, 상기 제1 차열판에 간격을 두고 겹쳐지는 제2 차열판을 갖고,
    상기 제2 차열판은, 상기 제1 차열판과 상기 플라스마 사이에 배치되고,
    상기 제1 차열판은, 상기 냉각 기구에 의해서 냉각되어 있는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 광원 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 냉각 기구는, 상기 진공 하우징을 냉각하는 수랭 배관과, 상기 진공 하우징에 접촉되어 상기 제1 차열판을 유지하는 유지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 광원 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 차열판은, 상기 진공 하우징 및 상기 냉각 기구와는 이격되어 있고, 상기 제1 차열판에 접속되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 극단 자외광 광원 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 차열판은, 텅스텐제의 중앙부와, 상기 중앙부를 둘러싸는 몰리브덴제의 주변부를 갖고, 중앙부와 주변부가 교환 가능하게 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 광원 장치.
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