JP2009500624A - Euv光源測定のためのシステム及び方法 - Google Patents
Euv光源測定のためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009500624A JP2009500624A JP2008520314A JP2008520314A JP2009500624A JP 2009500624 A JP2009500624 A JP 2009500624A JP 2008520314 A JP2008520314 A JP 2008520314A JP 2008520314 A JP2008520314 A JP 2008520314A JP 2009500624 A JP2009500624 A JP 2009500624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- euv light
- euv
- mirror
- detector
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】「EUV光源」測定のためのシステム及び方法。第1の態様では、EUV光源電力出力を測定するためのシステムは、EUV光経路に沿って配置された光電子原料物質を含み、この物質を露出させてある一定量の光電子を発生させることができる。システムは、更に、光電子を検出してEUV電力を示す出力を生成するための検出器を含むことができる。別の態様では、EUV光強度を測定するためのシステムは、EUV光経路に沿って配置可能な多層ミラー、例えばMo/Siを含み、このミラーを露出させてミラーに光電流を発生させることができる。電流モニタをミラーに接続し、光電流を測定してEUV電力を示す出力を生成することができる。更に別の態様では、オフラインEUV測定システムは、光特性を測定するための計器、及びMoSi2/Si多層ミラーを含むことができる。
【選択図】図1
Description
極紫外線(EUV)光、例えば、約50nm又はそれ未満、例えば5から50nmの波長を有し、かつ約13.5nmの波長の光を含む電磁放射線は、リソグラフィ処理に使用して基板、例えばシリコンウェーハに極小形態を生成することができる。
上述の考察事項を念頭に置いて、本出願人は、EUV光源測定のためのシステム及び方法を開示する。
22 パルスレーザシステム
24 ターゲット送出システム
28 プラズマ形成サイト
Claims (31)
- EUV光源電力出力を測定するためのシステムであって、
原料物質をEUV光に露出してEUV電力を示すある一定量の光電子を発生させるためにEUV光経路に沿って配置可能な光電子原料物質と、
前記光電子を検出して前記EUV電力を示す出力を生成するための検出器と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 選択された領域内の光電子を前記検出器に誘導し、該領域の外側の光電子の少なくとも一部分が該検出器に到達するのを防止する電界を確立するように配置された複数の電極を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記電界は、非対称四極子であることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記領域は、該領域の磁場強度を低減するために比較的高い透磁率を有するシールドによって少なくとも部分的に囲まれていることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記シールドは、ミュー金属を含むことを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記四極子は、サドルを形成し、前記領域は、該サドルと前記検出器の間に位置決めされていることを特徴とする請求項3に記載のシステム。
- 前記光電子原料物質は、ヘリウム、アルゴン、及びその組合せから成る気体の群から選択された気体であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記光電子原料物質は、気体であり、
システムは、前記EUV光に露出された気体の量を測定するガスモニタを更に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記EUV光に露出された前記気体の量を所定のレベルに維持する制御システムを更に含むことを特徴とする請求項8に記載のシステム。
- 前記EUV光源は、プラズマ形成サイトでデブリを発生し、
システムは、前記デブリに露出された位置でEUV光源出力電力を測定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記検出器は、電子増倍管検出器であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記検出器は、チャンネルプレート検出器であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記検出器は、真空フォトダイオードであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- EUV光源電力出力を測定するためのシステムであって、
原料物質をEUV光に露出させてEUV電力を示すエネルギ形態を発生させるためにEUV光経路に沿って配置可能な原料物質と、
前記エネルギ形態の特性を測定して前記EUV電力を示す出力を生成するための検出器と
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記原料物質は、気体であり、
システムは、前記EUV光に露出された気体の量を測定するガスモニタを更に含む、
ことを特徴とする請求項14に記載のシステム。 - 前記EUV光源は、プラズマ形成サイトでデブリを発生し、
システムは、前記デブリに露出された位置でEUV光源出力電力を測定する、
ことを特徴とする請求項14に記載のシステム。 - 前記エネルギ形態は、蛍光を含むことを特徴とする請求項14に記載のシステム。
- 前記エネルギ形態は、光電子を含むことを特徴とする請求項14に記載のシステム。
- EUV光強度を測定するためのシステムであって、
ミラーをEUV光に露出してミラー内に光電流を発生させるためにEUV光経路に沿って配置可能な多層ミラーと、
前記光電流を測定してEUV光強度を示す出力を生成するように前記ミラーに接続した電流モニタと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記ミラーは、Moの少なくとも1つの層及びSiの少なくとも1つの層を含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 接地した底板、及び前記ミラーと該底板の間に挿入された絶縁体を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記絶縁体は、セラミック材料を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記ミラーに接触して前記光電流を前記モニタに伝達するためのリング電極を更に含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記リング電極をEUV光から遮蔽するように位置決めされた絞りを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- EUV光源と加工物の間に帯域幅低減光路を有するリソグラフィツールと共に使用することができ、>9W/cm2のサンプル平均強度を有する光を該光源からサンプリングし、該光の帯域幅を低減し、該低減された帯域幅EUV光の少なくとも1つの特性を測定するための、EUV光源に対する測定システムであって、
低減帯域幅EUV光特性を測定するための計器と、
MoSi2の少なくとも1つの層とSiの少なくとも1つの層とを有し、前記計器によって受光されるように>9W/cm2のサンプル強度を有する前記光の少なくとも一部分を反射する位置内に移動可能な多層ミラーと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記サンプリングされた光の帯域幅を前記リソグラフィツールの前記光路を出る帯域幅低減光の帯域幅の±10%以内に低減することを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記サンプリングされた光の帯域幅は、0.30nm未満に低減されることを特徴とする請求項26に記載のシステム。
- 前記多層ミラーは、各層がMoSi2の層とSiの層を含む50よりも多い複層を含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 各ミラーがMoSi2の少なくとも1つの層とSiの少なくとも1つの層とを有する2つの多層ミラーを含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記多層ミラーは、光を反射する第1の側面と対向する側面とを含み、
システムは、前記ミラーを冷却するために前記対向する側面上に装着された冷却サブシステムを更に含む、
ことを特徴とする請求項25に記載のシステム。 - 前記冷却サブシステムは、水冷銅板を含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/177,501 | 2005-07-08 | ||
US11/177,501 US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | Systems and methods for EUV light source metrology |
PCT/US2006/025792 WO2007008470A2 (en) | 2005-07-08 | 2006-06-29 | Systems and methods for euv light source metrology |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011228554A Division JP5613130B2 (ja) | 2005-07-08 | 2011-10-18 | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009500624A true JP2009500624A (ja) | 2009-01-08 |
JP4913808B2 JP4913808B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=37618026
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520314A Expired - Fee Related JP4913808B2 (ja) | 2005-07-08 | 2006-06-29 | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
JP2011228554A Expired - Fee Related JP5613130B2 (ja) | 2005-07-08 | 2011-10-18 | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011228554A Expired - Fee Related JP5613130B2 (ja) | 2005-07-08 | 2011-10-18 | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7394083B2 (ja) |
EP (1) | EP1904818A4 (ja) |
JP (2) | JP4913808B2 (ja) |
WO (1) | WO2007008470A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071116A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
JP2011198609A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における照度分布検出方法および集光光学手段の位置調整方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7856044B2 (en) | 1999-05-10 | 2010-12-21 | Cymer, Inc. | Extendable electrode for gas discharge laser |
US7671349B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
WO2007054291A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Euv illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
JP4885587B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-02-29 | 株式会社小松製作所 | ターゲット供給装置 |
JP5086664B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-11-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US7812329B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-10-12 | Cymer, Inc. | System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
US20090095924A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | International Business Machines Corporation | Electrode design for euv discharge plasma source |
US8519366B2 (en) * | 2008-08-06 | 2013-08-27 | Cymer, Inc. | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source |
US8445876B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-05-21 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
WO2010137625A1 (ja) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
DE102010001336B3 (de) | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems |
JP5687488B2 (ja) | 2010-02-22 | 2015-03-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP5846572B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、極端紫外光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法 |
US9453801B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Photoemission monitoring of EUV mirror and mask surface contamination in actinic EUV systems |
US20140158894A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and device using photoelectrons for in-situ beam power and stability monitoring in euv systems |
DE102013201193A1 (de) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bestimmen der Phasenlage und/oder der Dicke einer Kontaminationsschicht an einem optischen Element und EUV-Lithographievorrichtung |
US9239268B1 (en) | 2014-07-14 | 2016-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source |
TWI569688B (zh) * | 2014-07-14 | 2017-02-01 | Asml荷蘭公司 | 雷射源中之光電磁感測器之校正技術 |
WO2018123035A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 |
DE102018115113A1 (de) * | 2018-06-22 | 2019-12-24 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Röntgenstrahldetektor |
TWI821437B (zh) * | 2018-10-26 | 2023-11-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於監控光發射之系統、euv光源、及控制euv光源之方法 |
DE102022209922A1 (de) | 2022-09-21 | 2023-09-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektometervorrichtung, messanordnung, verfahren zum herstellen eines optischen referenzelements und verfahren zum vermessen einer probe einer lithographieanlage |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10255709A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 画像検査装置 |
JP2001215721A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-08-10 | Cymer Inc | 改善されたパルス電源システムを備えたプラズマ収束光源 |
JP2003518316A (ja) * | 1997-12-31 | 2003-06-03 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ | 放電ランプ光源装置及び方法 |
DE10244303A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-01 | Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt | Verfahren und Monitordetektor zur Bestimmung der Intensität von gepulster VUV- oder EUV-Strahlung sowie Verwendung eines derartigen Monitordetektors |
JP2005064135A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Nikon Corp | フライアイミラー、それを有するx線露光装置及びx線露光方法 |
JP2006520107A (ja) * | 2003-03-08 | 2006-08-31 | サイマー インコーポレイテッド | 放電生成プラズマeuv光源 |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2759106A (en) | 1951-05-25 | 1956-08-14 | Wolter Hans | Optical image-forming mirror system providing for grazing incidence of rays |
US3279176A (en) | 1959-07-31 | 1966-10-18 | North American Aviation Inc | Ion rocket engine |
US3150483A (en) | 1962-05-10 | 1964-09-29 | Aerospace Corp | Plasma generator and accelerator |
US3232046A (en) | 1962-06-06 | 1966-02-01 | Aerospace Corp | Plasma generator and propulsion exhaust system |
US3746870A (en) | 1970-12-21 | 1973-07-17 | Gen Electric | Coated light conduit |
US3969628A (en) | 1974-04-04 | 1976-07-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Intense, energetic electron beam assisted X-ray generator |
US4042848A (en) | 1974-05-17 | 1977-08-16 | Ja Hyun Lee | Hypocycloidal pinch device |
US3946332A (en) | 1974-06-13 | 1976-03-23 | Samis Michael A | High power density continuous wave plasma glow jet laser system |
US3961197A (en) | 1974-08-21 | 1976-06-01 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | X-ray generator |
US3960473A (en) | 1975-02-06 | 1976-06-01 | The Glastic Corporation | Die structure for forming a serrated rod |
US4223279A (en) | 1977-07-18 | 1980-09-16 | Mathematical Sciences Northwest, Inc. | Pulsed electric discharge laser utilizing water dielectric blumlein transmission line |
US4162160A (en) | 1977-08-25 | 1979-07-24 | Fansteel Inc. | Electrical contact material and method for making the same |
US4143275A (en) | 1977-09-28 | 1979-03-06 | Battelle Memorial Institute | Applying radiation |
JPS5816742B2 (ja) * | 1977-12-27 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 像増強管 |
US4203393A (en) | 1979-01-04 | 1980-05-20 | Ford Motor Company | Plasma jet ignition engine and method |
US4550408A (en) | 1981-02-27 | 1985-10-29 | Heinrich Karning | Method and apparatus for operating a gas laser |
US4538291A (en) | 1981-11-09 | 1985-08-27 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | X-ray source |
US4455658A (en) | 1982-04-20 | 1984-06-19 | Sutter Jr Leroy V | Coupling circuit for use with a transversely excited gas laser |
US4633492A (en) | 1982-09-20 | 1986-12-30 | Eaton Corporation | Plasma pinch X-ray method |
US4504964A (en) | 1982-09-20 | 1985-03-12 | Eaton Corporation | Laser beam plasma pinch X-ray system |
US4618971A (en) | 1982-09-20 | 1986-10-21 | Eaton Corporation | X-ray lithography system |
US4536884A (en) | 1982-09-20 | 1985-08-20 | Eaton Corporation | Plasma pinch X-ray apparatus |
US4534035A (en) | 1983-08-09 | 1985-08-06 | Northrop Corporation | Tandem electric discharges for exciting lasers |
DE3332711A1 (de) | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich |
JPS60175351A (ja) | 1984-02-14 | 1985-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線発生装置およびx線露光法 |
US4837794A (en) | 1984-10-12 | 1989-06-06 | Maxwell Laboratories Inc. | Filter apparatus for use with an x-ray source |
US4626193A (en) | 1985-08-02 | 1986-12-02 | Itt Corporation | Direct spark ignition system |
CA1239487A (en) | 1985-10-03 | 1988-07-19 | National Research Council Of Canada | Multiple vacuum arc derived plasma pinch x-ray source |
CA1239486A (en) | 1985-10-03 | 1988-07-19 | Rajendra P. Gupta | Gas discharge derived annular plasma pinch x-ray source |
US4891820A (en) | 1985-12-19 | 1990-01-02 | Rofin-Sinar, Inc. | Fast axial flow laser circulating system |
US5189678A (en) | 1986-09-29 | 1993-02-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Coupling apparatus for a metal vapor laser |
US5315611A (en) | 1986-09-25 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High average power magnetic modulator for metal vapor lasers |
US5023884A (en) | 1988-01-15 | 1991-06-11 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser |
US4959840A (en) | 1988-01-15 | 1990-09-25 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser |
US5025446A (en) | 1988-04-01 | 1991-06-18 | Laserscope | Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation |
IT1231783B (it) | 1989-05-12 | 1992-01-14 | Enea | Testa laser per eccitazione a scarica trasversa con tre elettrodi |
DE3927089C1 (ja) | 1989-08-17 | 1991-04-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
US5005180A (en) | 1989-09-01 | 1991-04-02 | Schneider (Usa) Inc. | Laser catheter system |
US5102776A (en) | 1989-11-09 | 1992-04-07 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for microlithography using x-pinch x-ray source |
US5025445A (en) | 1989-11-22 | 1991-06-18 | Cymer Laser Technologies | System for, and method of, regulating the wavelength of a light beam |
US5027076A (en) | 1990-01-29 | 1991-06-25 | Ball Corporation | Open cage density sensor |
US5471965A (en) | 1990-12-24 | 1995-12-05 | Kapich; Davorin D. | Very high speed radial inflow hydraulic turbine |
US5126638A (en) | 1991-05-13 | 1992-06-30 | Maxwell Laboratories, Inc. | Coaxial pseudospark discharge switch |
US5142166A (en) | 1991-10-16 | 1992-08-25 | Science Research Laboratory, Inc. | High voltage pulsed power source |
US5359620A (en) | 1992-11-12 | 1994-10-25 | Cymer Laser Technologies | Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser |
US5411224A (en) | 1993-04-08 | 1995-05-02 | Dearman; Raymond M. | Guard for jet engine |
US5313481A (en) | 1993-09-29 | 1994-05-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Copper laser modulator driving assembly including a magnetic compression laser |
US5448580A (en) | 1994-07-05 | 1995-09-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Air and water cooled modulator |
US5504795A (en) | 1995-02-06 | 1996-04-02 | Plex Corporation | Plasma X-ray source |
AU4768596A (en) | 1995-02-17 | 1996-09-04 | Advanced Pulse Power Technologies, Inc. | Pulse power generating circuit with energy recovery |
US5830336A (en) | 1995-12-05 | 1998-11-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering of lithium |
US5863017A (en) | 1996-01-05 | 1999-01-26 | Cymer, Inc. | Stabilized laser platform and module interface |
US5963616A (en) | 1997-03-11 | 1999-10-05 | University Of Central Florida | Configurations, materials and wavelengths for EUV lithium plasma discharge lamps |
US5982800A (en) | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
US5991324A (en) | 1998-03-11 | 1999-11-23 | Cymer, Inc. | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US5936988A (en) | 1997-12-15 | 1999-08-10 | Cymer, Inc. | High pulse rate pulse power system |
US6128323A (en) | 1997-04-23 | 2000-10-03 | Cymer, Inc. | Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser |
US5866871A (en) | 1997-04-28 | 1999-02-02 | Birx; Daniel | Plasma gun and methods for the use thereof |
US6172324B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-01-09 | Science Research Laboratory, Inc. | Plasma focus radiation source |
US6452199B1 (en) | 1997-05-12 | 2002-09-17 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source with blast shield |
US6064072A (en) | 1997-05-12 | 2000-05-16 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
US5763930A (en) | 1997-05-12 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
US6566668B2 (en) | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units |
US6541786B1 (en) | 1997-05-12 | 2003-04-01 | Cymer, Inc. | Plasma pinch high energy with debris collector |
US5856991A (en) | 1997-06-04 | 1999-01-05 | Cymer, Inc. | Very narrow band laser |
US6192064B1 (en) | 1997-07-01 | 2001-02-20 | Cymer, Inc. | Narrow band laser with fine wavelength control |
US6094448A (en) | 1997-07-01 | 2000-07-25 | Cymer, Inc. | Grating assembly with bi-directional bandwidth control |
US6018537A (en) | 1997-07-18 | 2000-01-25 | Cymer, Inc. | Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser |
US5852621A (en) | 1997-07-21 | 1998-12-22 | Cymer, Inc. | Pulse laser with pulse energy trimmer |
US6529531B1 (en) | 1997-07-22 | 2003-03-04 | Cymer, Inc. | Fast wavelength correction technique for a laser |
US5953360A (en) | 1997-10-24 | 1999-09-14 | Synrad, Inc. | All metal electrode sealed gas laser |
US6151346A (en) | 1997-12-15 | 2000-11-21 | Cymer, Inc. | High pulse rate pulse power system with fast rise time and low current |
US6240117B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-05-29 | Cymer, Inc. | Fluorine control system with fluorine monitor |
US5978406A (en) | 1998-01-30 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Fluorine control system for excimer lasers |
US6151349A (en) | 1998-03-04 | 2000-11-21 | Cymer, Inc. | Automatic fluorine control system |
US6219360B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-04-17 | Trw Inc. | High average power solid-state laser system with phase front control |
US6016325A (en) | 1998-04-27 | 2000-01-18 | Cymer, Inc. | Magnetic modulator voltage and temperature timing compensation circuit |
US6442181B1 (en) | 1998-07-18 | 2002-08-27 | Cymer, Inc. | Extreme repetition rate gas discharge laser |
US6477193B2 (en) | 1998-07-18 | 2002-11-05 | Cymer, Inc. | Extreme repetition rate gas discharge laser with improved blower motor |
US6208675B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Blower assembly for a pulsed laser system incorporating ceramic bearings |
US6067311A (en) | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Excimer laser with pulse multiplier |
US6493374B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-12-10 | Cymer, Inc. | Smart laser with fast deformable grating |
US6208674B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator |
US6219368B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-04-17 | Lambda Physik Gmbh | Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser |
US6104735A (en) | 1999-04-13 | 2000-08-15 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with magnetic bearings and magnetic reluctance centering for fan drive assembly |
US6164116A (en) | 1999-05-06 | 2000-12-26 | Cymer, Inc. | Gas module valve automated test fixture |
US6535531B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-03-18 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with pulse multiplier |
US6549551B2 (en) | 1999-09-27 | 2003-04-15 | Cymer, Inc. | Injection seeded laser with precise timing control |
US6414979B2 (en) | 2000-06-09 | 2002-07-02 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with blade-dielectric electrode |
US6381257B1 (en) | 1999-09-27 | 2002-04-30 | Cymer, Inc. | Very narrow band injection seeded F2 lithography laser |
US6370174B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-04-09 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 lithography laser |
US6359922B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-03-19 | Cymer, Inc. | Single chamber gas discharge laser with line narrowed seed beam |
US6377651B1 (en) * | 1999-10-11 | 2002-04-23 | University Of Central Florida | Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target |
US6532247B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-03-11 | Cymer, Inc. | Laser wavelength control unit with piezoelectric driver |
US6392743B1 (en) | 2000-02-29 | 2002-05-21 | Cymer, Inc. | Control technique for microlithography lasers |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US6466602B1 (en) | 2000-06-09 | 2002-10-15 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser long life electrodes |
DE10102969A1 (de) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Kugler Gmbh | Gekühlte Spiegelvorrichtung |
US6538737B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-03-25 | Cymer, Inc. | High resolution etalon-grating spectrometer |
US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
DE10150874A1 (de) * | 2001-10-04 | 2003-04-30 | Zeiss Carl | Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
US7026629B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10209493B4 (de) * | 2002-03-07 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung |
US6994444B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-02-07 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for managing actinic intensity transients in a lithography mirror |
JP2004061177A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Canon Inc | 光学装置及び測定方法、半導体デバイスの製造方法 |
US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
DE602004003015T2 (de) * | 2003-10-06 | 2007-02-08 | Asml Netherlands B.V. | Verfahren und Gerät zur Herstellung einer Schutzschicht auf einem Spiegel |
JP4564369B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2010-10-20 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7750326B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and cleaning method therefor |
EP1739490A1 (en) * | 2005-06-14 | 2007-01-03 | Philips Intellectual Property GmbH | Radiation energy sensor with extended lifetime |
-
2005
- 2005-07-08 US US11/177,501 patent/US7394083B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-29 JP JP2008520314A patent/JP4913808B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-29 WO PCT/US2006/025792 patent/WO2007008470A2/en active Application Filing
- 2006-06-29 EP EP06786101.3A patent/EP1904818A4/en not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-10-18 JP JP2011228554A patent/JP5613130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10255709A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 画像検査装置 |
JP2003518316A (ja) * | 1997-12-31 | 2003-06-03 | ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ | 放電ランプ光源装置及び方法 |
JP2001215721A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-08-10 | Cymer Inc | 改善されたパルス電源システムを備えたプラズマ収束光源 |
DE10244303A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-01 | Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt | Verfahren und Monitordetektor zur Bestimmung der Intensität von gepulster VUV- oder EUV-Strahlung sowie Verwendung eines derartigen Monitordetektors |
JP2006520107A (ja) * | 2003-03-08 | 2006-08-31 | サイマー インコーポレイテッド | 放電生成プラズマeuv光源 |
JP2005064135A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Nikon Corp | フライアイミラー、それを有するx線露光装置及びx線露光方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071116A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
JP2014212353A (ja) * | 2009-09-24 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射検出器 |
JP2011198609A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における照度分布検出方法および集光光学手段の位置調整方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1904818A2 (en) | 2008-04-02 |
JP5613130B2 (ja) | 2014-10-22 |
US7394083B2 (en) | 2008-07-01 |
EP1904818A4 (en) | 2013-05-22 |
JP2012054580A (ja) | 2012-03-15 |
WO2007008470A3 (en) | 2007-11-22 |
WO2007008470A2 (en) | 2007-01-18 |
JP4913808B2 (ja) | 2012-04-11 |
US20070008517A1 (en) | 2007-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4913808B2 (ja) | Euv光源測定のためのシステム及び方法 | |
JP4445258B2 (ja) | 極紫外放射検出のための安定なエネルギー検出器 | |
US8129700B2 (en) | Optical element contamination preventing method and optical element contamination preventing device of extreme ultraviolet light source | |
Richardson et al. | High conversion efficiency mass-limited Sn-based laser plasma source for extreme ultraviolet lithography | |
US7355191B2 (en) | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source | |
US7196342B2 (en) | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source | |
TWI402628B (zh) | 控管極遠紫外線(euv)光微影裝置腔室間之氣體流動的系統 | |
EP1853882B1 (en) | Systems for protecting internal components of an euv light source from plasma-generated debris | |
US20100032590A1 (en) | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source | |
EP1885166A2 (en) | Extreme ultraviolet light source device and method of generating extreme ultraviolet radiation | |
Thompson et al. | Experimental test chamber design for optics exposure testing and debris characterization of a xenon discharge produced plasma source for extreme ultraviolet lithography | |
Brandt et al. | LPP EUV source development for HVM | |
Hansson et al. | Status of the liquid-xenon-jet laser-plasma source for EUV lithography | |
Takenoshita et al. | Debris characterization and mitigation from microscopic laser-plasma tin-doped droplet EUV sources | |
KR101333032B1 (ko) | 감소된 반사율을 향상시키기 위하여 euv 광 컴포넌트를 인시추 처리하는 광학 장치 및 방법 | |
Antonsen et al. | XCEED: XTREME commercial EUV exposure diagnostic experiment | |
Fomenkov et al. | Laser-produced plasma light source for EUVL | |
Böwering et al. | Metrology of laser-produced plasma light source for EUV lithography | |
Stamm et al. | Development status of gas discharge produced plasma Z-pinch EUV sources for use in beta-tools and high volume chip manufacturing tools | |
Soumagne et al. | Measurements of energy distribution functions of xenon ions from laser-produced plasmas for lithography | |
Mbanaso | Development of a gas-based spectral filter for carbon dioxide laser produced plasma extreme ultraviolet sources |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111226 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4913808 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |