TWI569688B - 雷射源中之光電磁感測器之校正技術 - Google Patents

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Description

雷射源中之光電磁感測器之校正技術 發明領域
本申請案概有關於雷射系統，且更具言之，係有關於一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源中的光電磁感測器之校正。
發明背景
半導體產業繼續地發展微影技術，其能夠印製更小的積體電路尺寸。極紫外(“EUV”)光(有時亦稱為軟x光)一般係被界定為具有在10至102nm間之波長的電磁輻射。EUV微影術一般係被認為包含在10~14nm範圍內之波長的EUV光，且係用來製造基材譬如矽晶圓中之極小的細構(例如32nm以下的細構)。該等系統必須是高度可靠的，並能提供具成本效益的產能和合理的製程幅度。
用以產生EUV光的方法包括，但不一定限制於，將一材料轉變成一電漿狀態，其具有一或多種元素(例如氙、鋰、錫、銦、銻、碲、鋁等)具有一或更多在該EUV範圍內的放射線等。在一該等方法中，通常稱為雷射製造的電漿(“LPP”)，該所需的電漿能在一LPP EUV源電漿腔室內 之一照射位置以一雷射束照射一標靶材料，譬如一具有該所需放射線元素的材料之細滴、細流或串束等來被產生。
圖1示出一習知技術的LPP EUV系統100之一些部件。一雷射源101，譬如一CO2雷射，會造成一雷射束102，其會通過一射束輸送系統103並穿過聚焦光件104等(包含一透鏡及一操控鏡)。聚焦光件104具有一主焦點105在一LPP EUV源電漿腔室110內之一照射位置處。一細滴產生器106會製造一適當標靶材料的細滴107等，其當在該主焦點105處被雷射束102射擊到時，會產生一電漿其會照射EUV光。一橢圓鏡(“收集器”)108會將來自該電漿的EUV光聚焦在一焦點區109(亦稱為一中間焦點位置)，用以將所產生的EUV光輸送至例如一微影術掃描系統(未示出)。焦點區109典型將會在一掃描器(未示出)內，其含有晶圓等係要被曝露於該EUV光。在某些實施例中，可能有多數個雷射源101，且其射束全都會聚於聚焦光件104上。一種LPP EUV光源可能使用一CO2雷射及一硒化鋅(ZnSe)透鏡具有一防反射塗層及一大約6至8吋的透明口徑。
該雷射源101能被以一猝發模式操作，在一猝發中會有若干個光脈衝產生，且在各猝發之間會有某些時間量。該雷射源101可包含若干個雷射，其會產生脈衝的雷射束具有各別的性質，譬如波長及/或脈衝長度。在該雷射源101、該射束輸送系統103、及聚焦光件104內，該等分開的雷射束可被組合、分裂、或者操縱。
於該雷射束102到達該LPP EUV源電漿腔室110 之前，該射束102會在該雷射源101、該射束輸送系統103及/或該聚焦光件104內的不同點處被測量。該等測量值係使用各種會測量該雷射束102之一或更多特性的儀器來獲取。於某些實例中，該雷射束102可在其與其它被產生的射束組合之前，或在其已組合之後來被測量。但是，該等儀器可能不是直接測量該雷射束102的某些性質，或可能不是被以一能測量該雷射束102之該等性質的方式來校正。
發明概要
依據一實施例，一種光電磁感測器校正系統包含：一能量監測器，其在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源內，該能量監測器經組態成能測量具有一相同的波長且在一猝發(burst)中發生的雷射脈衝，該能量監測器包含：一功率量計，其經組態成能測量歷經一界定的時間週期之該等雷射脈衝的一平均功率，及一光電磁(PEM)檢測器，其經組態成能提供一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示歷經該界定的時間週期的至少一部份之該等雷射脈衝的該猝發之一暫時廓形(temporal profile)；一校正模組，其經組態成能依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數為由該平均功率決定的該等雷射脈衝的該猝發之一能量與該第一電壓訊號之一積分的一比值；及一單脈衝能量計算(SPEC)模組，其經組態成能依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之表示該後續脈衝的一暫時廓形之一第二電壓訊號的一脈衝積分(pulse integral)來決定 該等雷射脈衝的串列之一後續脈衝的一能量。
依據一實施例，一種校正一雷射系統中之一光電磁感測器的方法包含：在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源內使用一能量監測器來測量具有一相同的波長且在一猝發中發生的雷射脈衝，該測量包含：由一功率量計接收歷經一界定的時間週期所測得之該等雷射脈衝之一平均功率；及由一光電磁(PEM)檢測器接收一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示在該界定的時間週期之至少一部份期間所感測的該等雷射脈衝之一暫時廓形；依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數係為由該平均功率決定的該等雷射脈衝之一能量與該第一電壓訊號之一積分的一比值；及依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之表示該後續脈衝之一暫時廓形的一第二電壓訊號之一積分來決定該等雷射脈衝之串列的一後續脈衝之一能量。
依據一實施例，一非暫時性電腦可讀的媒體具有指令體現其上，該等指令可被一或更多個處理器執行來進行如下操作，包含：在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源中使用一能量監測器來測量具有一相同的波長且在一猝發中發生的雷射脈衝，該測量包含：由一功率量計接收歷經一界定的時間週期所測得之該等雷射脈衝之一平均功率，及由一光電磁(PEM)檢測器接收一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示在該界定的時間週期的至少一部份中所感測之該等猝發的雷射脈衝之一暫時廓形； 及依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數為由該平均功率與該第一電壓訊號之一積分來決定之該等猝發的雷射脈衝之一能量的比值；及依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之一表示該後續脈衝之一暫時廓形的第二電壓訊號之一積分來決定該串列的雷射脈衝之一後續脈衝的一能量。
100‧‧‧LLP EUV系統
101‧‧‧雷射源
102‧‧‧雷射束
103‧‧‧射束輸送系統
104‧‧‧聚焦光件
105‧‧‧主焦點
106‧‧‧細滴產生器
107‧‧‧細滴
108‧‧‧橢圖鏡
109‧‧‧焦點區
110‧‧‧LPP EUV源電漿腔室
200、902‧‧‧能量監測器
202‧‧‧功率量計
204‧‧‧射束分裂器
206‧‧‧反射器
208‧‧‧光電磁檢測器
300‧‧‧示圖
302、402、602‧‧‧雷射猝發
304‧‧‧猝發長度
306‧‧‧範圍窗
308‧‧‧猝發週期
310‧‧‧上升邊緣
312‧‧‧尖峰
314‧‧‧電壓標度
316‧‧‧下降邊緣
400、500、600、700、800‧‧‧圖表
502、804‧‧‧主脈衝
702、802‧‧‧前脈衝
900‧‧‧系統
904‧‧‧校正模組
906‧‧‧單脈衝能量計算模組
908‧‧‧再校正模組
1000‧‧‧計算方法
1002~1008、1102~1106、1202~1210‧‧‧各操作步驟
1100、1200‧‧‧校正方法
圖1為依據習知技術之一LPP EUV系統的一部份之一簡圖。
圖2為依據一實施例之一能量監測器的一簡圖。
圖3為依據一實施例之一雷射源的一猝發模式之一圖示。
圖4為由一PEM檢測器輸出之一圖表乃示出一包含數主脈衝的猝發之一暫時廓形。
圖5為由一PEM檢測器輸出之一圖表乃示出單一主脈衝的一暫時廓形。
圖6為由一PEM檢測器輸出之一圖表乃示出一包含多數前脈衝的猝發之一暫時廓形。
圖7為由一PEM檢測器輸出之一圖表乃示出單一前脈衝的一暫時廓形。
圖8為由一PEM檢測器輸出之一圖表乃示出以一時間長度分開之一前脈衝與一主脈衝的一暫時廓形。
圖9為依據一實施例之一用以測量一脈衝之一能量的系統之一方塊圖。
圖10為依據一實施例之一測量一脈衝之一能量的方法例之一流程圖。
圖11為使用一單元雷射束的功率量計來校正一光電磁(PEM)檢測器之一方法例的一流程圖。
圖12為使用一組合的雷射束之功率量計來校正一PEM檢測器之一方法例的一流程圖。
較佳實施例之詳細說明
在一LPP EUV系統中，一雷射脈衝的能量會在該雷射源，該射束輸送系統，及/或該聚焦光件等之不同位置被算出。在一LPP EUV系統中被用來測量一雷射束的感測器不會直接地測量該雷射束之一脈衝的能量。該等感測器包含一功率量計，其會提供歷經一界定的時間週期所產生之該等脈衝的平均功率之一測量值。該等感測器更包含一光電磁(PEM)檢測器其會依據歷經一限定的時間週期所檢測到的紅外(IR)光來輸出一電壓訊號。該電壓訊號會提供該等各別雷射脈衝之一暫時廓形。使用由該等感測器收集到的資料，一校正係數會被算出來將該PEM檢測器校正於該功率量計。在該校正之後，該等脈衝的能量可被由該PEM檢測器所提供的該電壓訊號算出。
被測量的雷射束可包含相同波長的光之脈衝，稱為一單元雷射束。該單元雷射束可包含一第一波長的前脈衝或一第二波長的主脈衝等。為決定一單元雷射束中的光之一脈衝的能量，該PEM檢測器會藉算出一用於該單元雷 射束的校正係數來被校正於該功率量計。對一單元雷射束而言，該校正係數乃為依據由該功率量計所接收之一測量值與由該PEM檢測器歷經一猝發所提供的電壓訊號之一比值。在校正之後，該校正係數和由該PEM檢測器提供之該電壓訊號會被用來計算該單元雷射束中的脈衝之能量。
在該LPP EUV系統中，當兩個不同波長的單元雷射束被組合時，所造成之組合的雷射束具有在該時間領域中分開之交替波長的脈衝等。在所述的實施例中，於該組合雷射束中的脈衝會在該等第一波長的前脈衝與第二波長的主脈衝之間輪流交替。當計算該組合雷射束中之一主脈衝的能量時，由主脈衝的單元雷射所算出的校正係數會被使用。由於該LPP EUV系統中的光學部件在該組合雷射束中的前脈衝和主脈衝之間的不同效果，故該組合雷射束中的前脈衝之一分開的校正係數會被算出。該等前脈衝的校正係數係依據由該功率量計測出的功率與可歸屬於該組合雷射束中之主脈衝的功率間之一差異來決定。在校正後，該校正係數和由該PEM檢測器提供的電壓訊號會被用來計算該組合雷射束中的前脈衝及主脈衝等之各別的能量。
圖2為依據一實施例之一能量監測器200的簡圖，包含一功率量計202及一PEM檢測器208。該能量監測器200可例如使用一射束分裂器接收來自該雷射源101內之另一部件的雷射束102。一精習於該技術者應可易知，在達到該能量監測器200之前，該雷射束102會穿過一或多個光學部件來檢取該雷射束102的一部份以供測量。此等光學部 件可包括一鑽石窗，一部份反射器，或一硒化鋅窗。一可包含該能量監測器200的雷射種籽模組之一例，係被論述於2013年12月5日公開之共同讓渡的美國專利申請案公開No.2013/0321926中。
該能量監測器200係被設成能在該雷射源101，該射束輸送系統103，或該聚焦光件104中之一特定位置來測量該雷射束102。在某些所述的實施例中，該能量監測器200的配置會使該能量監測器200能測量包含相同波長之光的雷射脈衝(例如前脈衝或主脈衝等)之一單元雷射束102。該等光的雷射脈衝係由單一光源產生，但在其它系統中亦可被以多於一個光源來產生。在所述的其它實施例中，該能量監測器200的配置會使該能量監測器能測量由具有不同波長之二雷射源產生之一組合雷射束102。該雷射源101、射束輸送系統103、及該聚焦光件104可包含多於一個能量監測器200。
該雷射束102會依循一光徑穿過該能量監測器200。該雷射束102會被一射束分裂器204分裂，而使該雷射束102之一第一部份繼續沿該光徑前進，而該雷射束102的其餘部份會被導至一反射器206。該反射器206則會將該雷射束102之該其餘部份導至該功率量計202。
該功率量計202係構製成能測量該雷射束102歷經一界定的時間週期之平均功率。該測量可能含跨該雷射束102的若干次猝發。在某些實例中，該測量可含跨該雷射束102的5、10或20次猝發。該界定的時間週期可為一秒之 一分數或若干秒。在某些實例中，該界定的時間週期為一秒。
該雷射束102未被導至該功率量計202的部份會被導至另一個射束分裂器204。由該射束分裂器204，該雷射束之一第一部份會例如被導至另外的感測器或其它的光學部件(未示出)。該雷射束102的剩餘部份會被導至該PEM檢測器208。
該PEM檢測器208會提供一電壓訊號，其表示該射束102之一暫時廓形。該暫時廓形會含跨該功率量計202所用的界定時間週期之至少一部份。該暫時廓形可含跨該雷射束102的至少一猝發。為計算一組合雷射束中的脈衝之能量，該暫時廓形會含跨一前脈衝和一主脈衝。
雖只有一個PEM檢測器208被示於圖2中，但添加的PEM檢測器(未示出)亦可被包含在該能量監測器200中。又，該雷射束102在被該PEM檢測器208測量之前，可被使用例如一透鏡(未示出)或擴散器組(未示出)來調修。該能量監測器200可被以一罩殼封閉並附接於該雷射源101之一口孔，或被封閉在該雷射源101內。
圖9示出一依據一實施例之用以測量一脈衝之一能量的系統900之方塊圖。該系統900包含一能量監測器902，一校正模組904，一單脈衝能量計算(SPEC)模組906，及一選擇性再校正模組908。該系統900可被以精習於該技術者所知的多種方式來實施，包括但不限於，如一電腦裝置具有一處理器可進入一記憶體其能儲存可執行的指令。 該電腦裝置可包含一或多個輸入和輸出部件，包含某些部件等可透過一網路或其它的通訊方式來與其它的電腦裝置傳訊。該系統900包含一或更多個模組體現成運算邏輯或可執行的代碼。
該能量監測器902係構製成能接收有關該雷射束102之雷射脈衝的資料。該能量監測器902包含，或電子地導通，一功率量計及一PEM檢測器。在某些實例中，該能量監測器902係為該能量監測器200，包含該功率量計202和該PEM檢測器208。該功率量計係構製成能測量該等雷射脈衝歷經一界定的時間週期之平均功率。該界定的時間週期可為例如一秒。該PEM檢測器係構製成能提供一電壓訊號，表示歷經該界定的時間週期之至少一部份的該等雷射脈衝之一暫時廓形。
當該能量監測器200或902被置於該LPP EUV系統100內來接受一單元雷射束102時，該校正模組904係構製成能依據該功率量計(例如功率量計202)和該PEM檢測器(例如PEM檢測器208)所收集的資料來決定一校正係數。一校正係數會針對每一單元雷射束來被算出。該校正係數係用以依據於後收集的PEM檢測器資料來算出一單獨脈衝的能量(例如單一主脈衝502或單一前脈衝702)。該校正係數為由該平均功率與該電壓訊號之一積分所決定之一比值。
為決定一單元雷射束102中的校正係數，脈衝的猝發會被分析。圖3為依據一實施例之雷射脈衝的二猝發302之一示圖300。該示圖300為由該PEM檢測器208提供的 暫時廓形之一廓線，示出一漸變的電壓為時間(以毫秒(ms)測計)之一函數。
每一猝發302在該示圖300中係被示為一曲線，具有一上升邊緣310，尖峰312，嗣在以一下降邊緣316結束之前維持一低於一最高標度的電壓標度314有一時間長度。該猝發302開始於該上升邊緣310而終止於該下降邊緣。當計算該猝發302的能量來計算一校正係數時係如在其它處所說明者，該PEM檢測器208具有一範圍窗306其至少會含括該猝發長度304。該範圍窗306可被加長來抓取二猝發302之間的時間，或被縮短來僅抓取該猝發302中的一或二個脈衝。
一猝發週期308係指由一第一猝發302的上升邊緣310至一第二猝發302的上升邊緣310。該猝發週期308可由一表示歷經一界定的時間週期(例如一秒)之猝發的數次之該等猝發302之一重複率或“rep rate”來被決定。該猝發重複率可被表示為一頻率，譬如5赫茲(Hz)、10Hz或20Hz。
圖4為一圖表400乃示出由該PEM檢測器208的輸出所提供之一包含主脈衝的單元雷射束102之一猝發402的暫時廓形。該圖表400為圖3中所示的輸出之一實際例子。該單元雷射束102係由一單雷射源所產生。在一實施例中，該等主脈衝具有一10.59微米的波長。如所示，該猝發402會持續大約3.5ms，且包含一預定數目的雷射脈衝。依據不同的實施例，一猝發402可依據該猝發長度而包含不同數目的雷射脈衝。該等雷射脈衝具有一寬度(以一時間長度測計) 及一振幅。作為計算該校正係數的一部份，歷經圖表400中所示之一時間長度，該校正模組904能積分該猝發402的脈衝。
圖6為由該PEM檢測器208輸出之一圖表600，示出一包含前脈衝之單元雷射束102的一猝發602之一暫時廓形。該圖表600為圖3中所示的輸出之一實際例子。該單元雷射束102係由單一雷射源所產生，但在其它系統中可被由多數個雷射源產生。在一實施例中，該等前脈衝具有一10.26微米的波長。如所示，該猝發602具有一大約3.5ms的持續時間，且包含一預定數目的雷射脈衝。依據不同的實施例，一猝發602可根據該猝發長度而包含不同數目的雷射脈衝。該等雷射脈衝具有一寬度(以一時間長度測計)及一振幅。作為計算該校正係數的一部份，歷經圖表600中所示之一時間長度，該校正模組904能積分該猝發602的脈衝等。
用於該單元雷射束102的校正係數係被以用於包含主脈衝的單元射束和包含前脈衝之單元射束的相同方法來算出。首先，該校正模組904會由該平均功率來決定該雷射脈衝之猝發的能量。歷經該功率被測量之該界定的時間週期所產生的能量會被決定：E total =P measured ＊T period 其中E total 為該電射束102歷經該界定的時間週期之能量，P measured 係由該功率量計202取得的功率測量值，T period 為該功率量計202之該界定的時間週期(例如1秒)。由E total ，在一猝發中的能量之量會被使用該猝發重複率來算出： 其中E burst 為一猝發的能量，E total 係該單元雷射束102歷經該界定的時間週期(例如一秒)之能量，而f burst 為該猝發重複率。
為決定該校正係數K p ，以下公式會被使用：K p ʃV dt=E burst 因此 其中K p 為該校正係數，V是由該PEM檢測器208接收的電壓訊號，因此該積分ʃv dt係為歷經該猝發的時間長度由該PEM檢測器208所提供之電壓訊號曲線底下的面積，而E burst 為由該功率量計202所接收的平均功率資料來決定之一猝發的能量。該校正係數K p 具有W/V的單位。
該SPEC模組906係構製成能使用由該校正模組904算出的校正係數來計算一單脈衝的能量。該SPEC模組906會由該PEM檢測器208接收電壓資料，其包含一單元雷射束中的單一脈衝(例如單主脈衝502或單前脈衝702)之一暫時廓形。
圖5為由該PEM檢測器208輸出之一圖表500，示出該單位雷射束102中之一單主脈衝502的暫時廓形。該單主脈衝502可為該猝發402中之一脈衝，或可為一後續的猝 發中之一脈衝。該單主脈衝502係藉縮減該PEM檢測器208的範圍窗306所抓取者。該主脈衝502具有一振幅及一寬度(以時間長度測計)。作為計算該脈衝502之能量的一部份，該SPEC模組906能積分該主脈衝502。
圖7為由一PEM檢測器輸出之一圖表700，乃示出該單元雷射束102中之一單前脈衝702。該單前脈衝702係藉減少該PEM檢測器208測量該雷射束102所經歷的時間長度來抓取者。該前脈衝702具有一振幅及一寬度(以一時間長度測計)。作為計算該前脈衝702的能量之一部份，該SPEC模組906能積分該前脈衝702。
使用一單脈衝之該暫時廓形，該單脈衝的能量會依據公式被算出：E pulse =K p ʃV dt其中E pulse 是該脈衝的能量，K p 為用於被測量的脈衝波長之脈衝的校正係數，而V係由該PEM檢測器接收之表示被測量的脈衝之一暫時廓形的電壓訊號，因此該積分ʃV dt為該PEM檢測器208歷經該脈衝的時間長度所提供之該電壓訊號曲線底下的面積。
該選擇性再校正模組908係構製成能決定是否要再校正該PEM檢測器208。該等校正係數經久之後可能會喪失精確性，例如，由於儀器偏差，設備老化，或接收該雷射束的雷射分裂器劣化所致。在一單元雷射束中，當一後續的雷射脈衝之猝發(例如猝發402或猝發602)時，該再校正 模組908係構製成能將該功率量計202測量值相較於一使用該PEM檢測器208提供的資料算出之該雷射束102的功率。如前所述，該比較係使用一秒的時間週期來作成。如精習於該技術者依據以下說明將可易知，其它的時間週期亦可被使用，譬如一猝發長度304或一猝發週期308，或數個猝發週期。
為計算該雷射束102歷經一秒的週期之該等脈衝的功率，歷經一猝發(例如猝發402或602)之該等脈衝的能量會被使用該校正係數來決定：E burst =K p ʃV dt其中K p 是該校正係數，V為由該PEM檢測器208接收的電壓訊號，因此該積分ʃV dt係為歷經該猝發的時間長度由該PEM檢測器208所提供之該電壓訊號曲線底下的面積，而E burst 是所算出之一猝發的能量。該雷射脈衝能量的總和係用來決定歷經該時間週期之該雷射束102的總能量：E total =ΣE burst 其中E burst 為一猝發的能量，E total 為歷經該界定的時間週期(例如一秒)之該雷射束102被算出的能量，而ΣE burst 為歷經該界定的時間週期之雷射脈衝能量的總和。為決定該等脈衝的功率，該總能量會被除以該時間週期(例如一秒) 其中E total 為歷經該界定的時間週期之該雷射束102被算出 的能量，P calculated 為由該PEM檢測器208接收的該電壓訊號算出之一功率值，而T period 是該界定的時間週期(例如一秒)。
為決定是否要指示該校正模組904重計算該校正係數，該再校正模組908能夠計算該算出的功率與測量的功率間之一差異。該差異可被以%來表示。為決定是否要再校正，該再校正模組908可將該差異比較於一臨界值。在某些實例中，若該二功率值係相差大於15%，則該再校正模組908會指示該校正模組904來重計算該校正係數。依據該比較，該再校正管理器908能指示該校正模組904藉在該雷射束102的脈衝之一後續的猝發時重計算該校正係數而來更新該校正係數。
當該能量監測器200或902被置於該LPP EUV系統100中來接收一組合的雷射束102時，圖9的系統900係更構製成能決定校正係數用來決定一組合雷射束102中之一前脈衝的能量。該能量監測器902係被設在該LPP EUV系統100中來測量一組合雷射束102。
為計算一組合雷射束102中之該等前脈衝的校正係數，該校正模組904會使用一與當校正一單元雷射束時所用者不同的計算組。該等計算會使用為該等主脈衝之單元雷射束102算出的校正係數來決定由該功率量計202所測出之可歸屬於該等主脈衝的功率之一部份，嗣用該功率的剩餘部份來決定用於該組合雷射束中之該等前脈衝的校正係數。
圖8為一包含一前脈衝與一主脈衝以一時間長度 分開的組合脈衝之由一PEM檢測器208輸出的電壓訊號之一暫時廓形例800。該組合雷射束102係藉將該等單元雷射束102組合成單一雷射束所產生，因此，在該組合雷射束102之一猝發中，該猝發602的前脈衝等會與該猝發402的主脈衝等輪流交替。如圖8中所示，一前脈衝802會比一主脈衝804在前15微秒。該等雷射脈衝具有一寬度(以一時間長度測計)及一振幅。歷經一如該圖表800中所示的時間長度，該校正模組904和該SPEC模組906能分開於該主脈衝804來積分該前脈衝802。該積分係用來決定供計算該前脈衝的能量之校正係數，及計算一組合雷射束中之後續前脈衝的能量。
該校正模組904會依據由該PEM檢測器208所提供之表示該組合脈衝中的主脈衝之暫時廓形的一部份之電壓訊號來計算該組合射束之主脈衝的功率。使用該暫時廓形，該主脈衝的能量會依據如下公式被算出：E main pulse =K mp ʃV dt其中E main pulse 為該主脈衝的能量，K mp 為被算出用於該單元雷射束102之主脈衝的校正係數，而V是由該PEM檢測器接收之表示被測量的主脈衝之一暫時廓形的電壓訊號，因此該積分ʃV dt係為歷經該主脈衝的時間長度由該PEM檢測器208提供之該電壓訊號曲線底下的面積。
該組合脈衝的平均功率會被該功率量計202歷經該界定的時間週期(例如一秒)來測出。依據該主脈衝的能 量，歷經該界定的時間週期之可歸屬於該等主脈衝的功率會被算出為： 其中E main pulse 為該主脈衝的能量，P main pulse 是所算出的主脈衝之功率，T period 為該功率量計202所用之界定的時間週期，而ΣE main pulses 為歷經該功率量計202使用之界定的時間週期所發生之該等主脈衝的能量總和。為決定該功率量計202所測得之該功率可歸屬於該等前脈衝的部份，該校正模組904會決定該差：P pre-pulse =P measured -P main pulse 其中P pre-pulse 為歷經該界定的時間週期由該功率量計測出的功率之可歸屬於該組合脈衝之前脈衝的部份，P measured 是該功率量計202所測得之該組合脈衝的功率，而P main pulse 為該等主脈衝之算出的功率。
使用可歸屬於該等前脈衝的功率，可歸屬於該等前脈衝的能量會被決定如下： 其中E pre-pulse 為歷經該功率量計202使用之該界定的時間週期之該等前脈衝的總能量，P pre-pulse 為歷經該界定的時間週期由該功率量計所測得的功率可歸屬於該組合脈衝之前脈衝的部份，T period 是該功率量計202之該界定的時間週期(例如一秒)。
為決定該組合雷射束中之前脈衝的校正係數，以下的公式會被使用： 其中K pp 是該組合雷射束中之前脈衝的校正係數，V為由該PEM檢測器208接收的電壓訊號，因此該積分ʃV dt係為歷經該界定的時間週期之至少一部份由該PEM檢測器208提供之該電壓訊號曲線底下的面積，而E pre-pulse 為歷經該功率量計202使用之該界定的時間週期之前脈衝的總能量。該校正係數K pp 具有W/V的單位。
當該組合雷射束中的前脈衝之校正係數被決定後，該SPEC模組906會由該PEM檢測器208接收電壓資料，其包含一組合雷射束中之一對的前脈衝和主脈衝之一暫時廓形。該SPEC模組906嗣能使用以下公式來決定一後續前脈衝的能量：E pre-pulse =K pp ʃV dt其中E pre-pulse 是該單前脈衝的能量，K pp 為用於該組合雷射束102中的前脈衝之脈衝的校正係數，而V為由該PEM檢測器208接收之表示被測量的前脈衝之一暫時廓形的該電壓訊號，因此該積分ʃV dt係為歷經該前脈衝的時間長度由該PEM檢測器208提供之該電壓訊號曲線底下的面積。
該選擇性再校正模組908更能決定是否要使用該功率量計202來為該組合雷射束102中的前脈衝再校正該 PEM檢測器208，如前所述。針對該組合雷射束，該再校正模組908會藉加總歷經一界定的時間週期之該組合雷射束中的脈衝能量來決定對應於該功率量計202的脈衝功率。該再校正模組908嗣會將由該總合算出之一功率相較於由該功率量計202測出的功率，如前所述。
圖10為依據一實施例之計算一脈衝的能量之一舉例方法1000的流程圖。該方法1000可藉該系統900來進行。
在一操作1002時，一PEM檢測器會被使用一功率量計針對一第一雷射束來校正。該第一雷射能在一單元雷射束中造成主脈衝或前脈衝等，如前所述，圖11為一使用一功率量計校正一PEM檢測器來決定一單元雷射束中的脈衝能量之一舉例方法1100的流程圖。該方法1100可被例如以該系統900的能量監測器200或900及該校正模組904來進行作為操作1002的一部份。
在一操作1102時，一功率測量值會被由該功率量計(例如功率量計202)接收。該功率測量值表示該單元雷射束102歷經一時間週期的脈衝之平均功率。
在一操作1104時，歷經一時間長度之一電壓訊號會被由一PEM檢測器(例如PEM檢測器208)接收。該電壓訊號為該單元雷射束102之一猝發的脈衝之一暫時廓形。被該PEM檢測器208收集的資料所經歷的該時間長度係為該功率量計202之該時間週期內的至少一猝發。
在一操作1106時，該雷射束102的校正係數會被 算出。該校正係數係如相關於該校正模具904所述地被算出。該校正係數可由該校正模組904算出。
若該能量監測器200係測量一單元雷射束，則該方法1000會跳過操作1004前進至一操作1006。在該操作1006中，一脈衝的能量會被算出。該脈衝的能量會被算出，例如，在別處相關於該SPEC模組906所述者。在某些實例中，該SPEC模組906會進行該操作1006。
在一選擇性操作1008時，一決定會被作成即是否要例如以該再校正模組908來再校正該PEM檢測器。該決定係藉將一由該PEM檢測器所提供之該電壓訊號算出的功率相較於由該功率量計所測出的功率而來進行。若該決定係要再校正，則該方法1000會回到操作1002，或在某些實例中，會回到操作1004。若該決定係不要再校正，則該方法1000會回到操作1006。
當被該能量監測器200測量的雷射束是一組合雷射束時，該方法1000會由該操作1002前進至該操作1004。該PEM檢測器會針對一組合射束來被校對，以決定該組合射束內之一前脈衝的能量。一第二雷射能造成各猝發中的前脈衝等，如前所述，其會與一組合雷射束102中的主脈衝等組合。在該操作1004時，針對該組合雷射束102中之該等前脈衝的校正係數會被決定。該組合雷射束102中之該等前脈衝的校正係數係分開於該單元雷射束102中之前脈衝者來被決定，因為該LPP EUV系統100的光學部件在該等單元雷射束102組合之後，會影響該前脈衝的暫時廓形與被該功 率量計202測出的功率之間的關係。該等前脈衝的校正係數係依據由該功率量計測出的功率與可歸屬於該組合雷射束中之主脈衝的功率間之一差來被決定。
圖12為在一具有前脈衝和主脈衝等之組合雷射束上使用一功率量計(例如功率量計202)來校正一PEM檢測器(例如PEM檢測器208)之一舉例方法1200的流程圖。該方法1200係當被該能量監測器200測量的雷射束為一組合雷射束時之進行該方法1000的操作1004之一方法例。該方法1200可藉例如該系統900的校正模組904來進行。
在一操作1202時，該電壓資料會被從該能量監測器200或902中的該PEM檢測器208接收。該電壓資料為該組合雷射束102之一暫時廓形，如圖8中所示。被該PEM檢測器208所收集的資料經歷的時間長度是該功率量計202之該時間週期的至少一部份。
在一操作1204時，可歸屬於該等主脈衝的功率會被決定。該等主脈衝的功率係被如相關於該校正模組904和該SPEC模組906所述地來決定。
在一操作1206時，該功率資料會被由該功率量計202接收。該功率資料表示該組合雷射束102歷經一時間週期的脈衝之平均功率。
在一操作1208時，該組合雷射束102中之可歸屬於該等前脈衝的功率會被決定。該等前脈衝的功率係如相關於該校正模組904和該SPEC模組906所述地被決定。
在一操作1210時，該組合雷射束102中之該等前 脈衝的校正係數會被算出。該校正係數係如相關於該校正模組904所述地被算出。
當被該能量監測器200測量的雷射束為一組合雷射束時會前進至該操作1006，該組合雷射束中之各別的主脈衝和前脈衝之能量會被如於前針對操作1006所述地來算出。被算出用於主脈衝的單元射束之該操作1002的校正係數，會被用來計算該組合雷射束中之一主脈衝的能量。為計算該組合雷射束中之前脈衝的能量，該操作1004的校正係數會被使用。當被該能量監測器200測量的雷射束為一組合雷射束時，該方法1000則可前進至如前所述的選擇性操作1008。
所揭的方法和裝置已被參照數個實施例說明於上。精習於該技術者在參閱本揭露後將會輕易得知其它的實施例。所述方法和裝置的某些態樣可使用不同於如以上實施中所述的構造，或配合不同於上述的元件等來被輕易地實施。例如，可能比所述者更為複雜的不同運算法及/或邏輯電路等，以及可能不同類型的雷射束產生系統等，亦可被使用。
又，亦應請瞭解所述的方法和裝置能被以許多方式來實施，包括作為一製法，一裝置，或一系統。於此所述的方法可被以能指示一處理器來進行該等方法的程式指令來實施，且該等指令記錄在一非暫時性電腦可讀的儲存媒體上，譬如一硬碟驅動器，軟碟，光碟比如唯讀光碟(CD)或數位多用途光碟(DVD)，快閃記憶體等，或被傳通於一 電腦網路上，其中該等程式指令會在光學或電子的通訊鏈上被傳送。應請注意所述的方法之各步驟的順序可能被改變而仍在本揭露的範圍內。
應請瞭解所提供的各例係僅為說明之目的，且可被以不同的習慣和技術延伸至其它的應用例和實施例。雖有若干個實施例被揭述，但無意要將本揭露限制於所揭的該等實施例。相反地，乃意圖要涵蓋熟悉該技術者可易得知的所有變化、修正、及等同物。
在以上說明中，本發明係參照其之特定實施例來被描述，但精習於該技術者將會瞭解本發明並不限制於此。上述發明的各種特徵和態樣可被個別地或一起地使用。又，本發明能被利用於超出於此所述者之任意數目的環境和用途中，而不偏離於本說明書之較廣義的精神及範圍。因此，本說明書和圖式等係被視為舉例說明而非限制性的。應請瞭解該等“包含”、“包括”及“具有”若被用於此，係明確地意圖要被解讀為技術的開放端式用語。
900‧‧‧系統
902‧‧‧能量監測器
904‧‧‧校正模組
906‧‧‧單脈衝能量計算模組
908‧‧‧再校正模組

Claims (13)

  1. 一種光電磁感測器校正系統，包含：一能量監測器，其在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源內，該能量監測器經組態成能測量具有一相同的波長且在一猝發(burst)中發生的雷射脈衝，該能量監測器包含：一功率量計，其經組態成能測量歷經一界定的時間週期之該等雷射脈衝的一平均功率，及一光電磁(PEM)檢測器，其經組態成能提供一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示歷經該界定的時間週期的至少一部份之該等雷射脈衝的該猝發之一暫時廓形(temporal profile)；一校正模組，其經組態成能依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數為由該平均功率決定的該等雷射脈衝的該猝發之一能量與該第一電壓訊號之一積分的一比值；及一單脈衝能量計算(SPEC)模組，其經組態成能依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之表示該後續脈衝的一暫時廓形之一第二電壓訊號的一脈衝積分(pulse integral)來決定該等雷射脈衝的串列之一後續脈衝的一能量。
  2. 如請求項1的光電磁感測器校正系統，更包含一再校正模組，其經組態成能依據一表示一第二猝發之一第二暫 時廓形的第三電壓訊號來計算該第二猝發之一能量。
  3. 如請求項2的光電磁感測器校正系統，其中該再校正模組係進一步經組態成能將該第二猝發之該能量與由該功率量計感測之一第二平均功率相比較，並能依據該比較來指示該校正模組要更新該校正係數。
  4. 如請求項3的光電磁感測器校正系統，其中該再校正模組係經組態成如果該比較超過一臨界值則會指示該校正模組要更新該校正係數。
  5. 如請求項1的光電磁感測器校正系統，其中該等雷射脈衝係為主脈衝。
  6. 如請求項1的光電磁感測器校正系統，其中該等雷射脈衝係為前脈衝(pre-pulses)。
  7. 一種校正一雷射系統中之一光電磁感測器的方法，該方法包含：在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源內使用一能量監測器來測量具有一相同的波長且在一猝發中發生的雷射脈衝，該測量包含：由一功率量計接收歷經一界定的時間週期所測得之該等雷射脈衝之一平均功率；及由一光電磁(PEM)檢測器接收一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示在該界定的時間週期之至少一部份期間所感測的該等雷射脈衝之一暫時廓形；依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數係為由該平均功率決定的該等雷射脈 衝之一能量與該第一電壓訊號之一積分的一比值；及依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之表示該後續脈衝之一暫時廓形的一第二電壓訊號之一積分來決定該等雷射脈衝之串列的一後續脈衝之一能量。
  8. 如請求項7的方法，更包含依據表示該第二猝發之一暫時廓形的一第三電壓訊號來計算一第二猝發之一能量。
  9. 如請求項8的方法，更包含將該第二猝發之該能量與由該功率量計所感測之一第二平均功率相比較，並依據該比較來更新該校正係數。
  10. 如請求項9的方法，其中更新該校正係數係依據該比較超過一臨界值。
  11. 如請求項7的方法，其中該等雷射脈衝係為主脈衝。
  12. 如請求項7的方法，其中該等雷射脈衝係為前脈衝。
  13. 一種非暫時性電腦可讀的媒體，具有指令體現其上，該等指令可被一或更多個處理器執行來進行如下操作，包含：在一雷射製造的電漿(LPP)極紫外光(EUV)系統之一雷射源中使用一能量監測器來測量具有一相同的波長且在一猝發中發生的雷射脈衝，該測量包含：由一功率量計接收歷經一界定的時間週期所測得之該等雷射脈衝之一平均功率，及由一光電磁(PEM)檢測器接收一第一電壓訊號，該第一電壓訊號表示在該界定的時間週期的至少一部份中所感測之該等猝發的雷射脈衝之一暫時廓 形；及依據該平均功率和該第一電壓訊號來決定一校正係數，該校正係數為由該平均功率與該第一電壓訊號之一積分來決定之該等猝發的雷射脈衝之一能量的比值；及依據該校正係數和由該PEM檢測器提供之一表示該後續脈衝之一暫時廓形的第二電壓訊號之一積分來決定該串列的雷射脈衝之一後續脈衝的一能量。
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CN110099768B (zh) * 2017-09-22 2021-03-26 三菱电机株式会社 激光加工装置
CN111521264B (zh) * 2020-07-02 2020-09-22 北京瑞通科悦科技有限公司 一种用于脉冲能量测量的快速计算方法及装置
CN113567903B (zh) * 2021-07-21 2023-04-28 清华大学 实现传感器校准的方法、装置、计算机存储介质及终端

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040135517A1 (en) * 2002-10-30 2004-07-15 Xtreme Technologies Gmbh Radiation source for generating extreme ultraviolet radiation
TW200639843A (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Mediatek Inc Laser power controlling method for recording data and related apparatus
US20070008517A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Cymer, Inc. Systems and methods for EUV light source metrology
TW200942789A (en) * 2007-11-30 2009-10-16 Intel Corp Wavelength meter and associated method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3542359B2 (ja) * 1992-12-24 2004-07-14 キヤノン株式会社 パルスレーザ装置および該装置を用いた露光装置
JP2844288B2 (ja) * 1993-02-09 1999-01-06 ミヤチテクノス株式会社 レーザモニタ装置
US6141081A (en) * 1997-08-08 2000-10-31 Cymer, Inc. Stepper or scanner having two energy monitors for a laser
KR101024559B1 (ko) * 2002-05-07 2011-03-31 사이머 인코포레이티드 수명이 긴 광학기구를 갖춘 고 전력 딥 자외선 레이저
DE10355866B3 (de) * 2003-11-27 2005-04-14 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Optische Anordnung zur Gewinnung eines Messsignals für die Leistungsmessung bei Lasern
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
CN101429865A (zh) * 2008-12-05 2009-05-13 北京六合伟业科技有限公司 一种内置参数的校准模拟传感器的方法
JP5314433B2 (ja) * 2009-01-06 2013-10-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
CN102353446A (zh) * 2011-07-08 2012-02-15 西安炬光科技有限公司 一种脉冲激光器功率测试方法及系统
CN102394704B (zh) * 2011-07-15 2013-10-30 华中科技大学 一种阵列校准信号源输出功率自动调整装置
JP6021454B2 (ja) * 2011-10-05 2016-11-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法
CN102435829B (zh) * 2011-10-28 2013-08-14 哈尔滨工业大学 光学电压传感器的自校准方法
JP5818721B2 (ja) * 2012-03-06 2015-11-18 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6050607B2 (ja) * 2012-05-15 2016-12-21 株式会社アマダミヤチ レーザ加工装置及びレーザ出力校正方法
US8811440B2 (en) * 2012-09-07 2014-08-19 Asml Netherlands B.V. System and method for seed laser mode stabilization

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040135517A1 (en) * 2002-10-30 2004-07-15 Xtreme Technologies Gmbh Radiation source for generating extreme ultraviolet radiation
TW200639843A (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Mediatek Inc Laser power controlling method for recording data and related apparatus
US20070008517A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Cymer, Inc. Systems and methods for EUV light source metrology
TW200942789A (en) * 2007-11-30 2009-10-16 Intel Corp Wavelength meter and associated method

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