JP2004207740A - リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法、リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法および洗浄システム - Google Patents
リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法、リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法および洗浄システム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ投影装置(1)において構成要素(101)の表面(104)の少なくとも一部から汚染(105)を除去するための洗浄システム(100)であって、前記表面の近傍に洗浄粒子を供給するための洗浄粒子供給器を具備し、この洗浄粒子供給器は、電界(107)を発生させるための電界発生器(106、V)を具備する。更に、リソグラフィ投影装置(1)の構成要素(101)の表面(104)の少なくとも一部から汚染(105)を除去するための方法。この方法は、リソグラフィ投影装置の少なくとも一部に電界を発生させるステップと、前記電界(107)によって汚染の近傍に洗浄粒子を供給するステップと、前記洗浄粒子と前記汚染との相互作用によって前記汚染を除去するステップと、を具備する。これによって、表面(104)から汚染(105)を除去する。
【選択図】図3
Description
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、マスク像全体を、一度で(すなわち単一の「フラッシュ」で)対象部分C上に投影する。次いで、基板テーブルWTをxおよび/またはy方向に移動させて、ビームPBによって異なる対象部分Cを照射可能とする。
2.スキャンモードでは、基本的に同じ事柄が当てはまるが、所与の対象部分Cを単一の「フラッシュ」で露光しない点が異なる。代わりに、マスクテーブルMTを、所与の方向に(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向に)速度vで移動させることができ、投影ビームPBにマスク像を走査させる。これと共に、基板テーブルWTを、同時に速度V=Mvで、同じまたは反対の方向に動かす。ここで、Mは、レンズPLの倍率である(通例、Mは1/4または1/5である)。このようにして、解像度に関して妥協することなく、比較的大きな対象部分Cを露光することができる。
0.5KeVから1.0KeVのエネルギのNeイオンにより、マイクロアンペア範囲の電流(イオン源に依存する)で、表面に対する入射角を10度から30度とし、30秒未満の時間期間、汚染クラスタによって汚染された層の燃焼を行うと、結果として、汚染クラスタが除去される。約0.3nmのrms値の表面粗さは実質的に不変のままである。上層が極めて薄く、これらが例えばルテニウムのような金属または例えばシリコンのような半導体から成る場合、これらの層には無視できるほどの小さな混合が生じる可能性がある。
具体的には、走査電子顕微鏡によって、10KeV電子で、ナノアンペア範囲の電流により、60秒未満の時間期間、表面に対して85度から90度の角度で汚染クラスタの燃焼を行うと、結果として、汚染クラスタが割れる。残りの物質残留物は、例えばUVオゾン洗浄によって、後で除去することができる。上層の混合はほとんど発生しない。約0.25nmのrms値の表面粗さは不変のままである。
1KeVのArイオンにより、マイクロアンペア範囲の電流で、表面に対する入射角を30度未満とし、10から20秒の時間期間、汚染クラスタの燃焼を行うと、結果として、汚染クラスタが除去される。アルゴンの質量は、基本的に汚染クラスタの物質の質量よりも大きいので、上層が例えばロジウムのような金属または窒化シリコンのような非金属から成る場合、およびこれらが極めて薄い場合、上層のわずかな混合が発生する可能性がある。この場合も、表面粗さは、ほぼ影響を受けないままである。
具体的には、走査電子顕微鏡のもとで、0.5KeVのKrイオンにより、マイクロアンペア範囲の電流で、表面に対する入射角を30度未満として、更に、12KeV電子により、ナノアンペア範囲の電流で、表面に対する入射角を80から85度として、10から20秒の時間期間、汚染クラスタの燃焼を行うと、結果として、汚染クラスタは剥離または割れによって除去される。クリプトンの質量は、基本的に汚染クラスタの物質の質量よりも大きいので、上層が例えばイリジウムのような金属または炭化ホウ素のような非金属から成る場合、およびこれらが極めて薄い場合、上層のわずかな混合が発生する可能性がある。この場合も、表面粗さは、ほぼ影響を受けないままである。
Claims (35)
- リソグラフィ投影装置において構成要素の表面の少なくとも一部から汚染を除去するための洗浄システムであって、
前記表面の近傍に洗浄粒子を供給するための洗浄粒子供給器であって、電界を発生させるための電界発生器を具備する洗浄粒子供給器、
を具備することを特徴とする、洗浄システム。 - 更に、前記電界発生デバイスに通信接続され、前記除去される汚染の少なくとも1つの特性に関して前記電界の少なくとも1つの特性を調整するための汚染関連調整デバイスを具備することを特徴とする、請求項1に記載の洗浄システム。
- 更に、前記電界発生デバイスに通信接続され、供給される洗浄粒子の少なくとも1つの特性に関して前記電界の少なくとも1つの特性を調整するための洗浄粒子関連調整デバイスを具備することを特徴とする、請求項1または2に記載の洗浄システム。
- 前記洗浄粒子関連調整デバイスは、前記除去される汚染の少なくとも1つの特性に関して、前記供給される洗浄粒子および/または電界の少なくとも1つの特性を調整するためのデバイスを具備することを特徴とする、請求項3に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生器は、前記電界を時間的にほぼ一定に維持するための制御デバイスを具備することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生器は、前記電界を時間的に変動させるための変動デバイスを具備することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生器は、パルス電界を発生させるためのパルス電界発生器を具備し、前記洗浄粒子調整装置は、前記パルス発生器に通信接続されて、供給される前記洗浄粒子の少なくとも1つの特性に関して前記パルス電界のパルス幅を制御することを特徴とする、請求項3および6に記載の洗浄システム。
- 前記供給される洗浄粒子は、
前記電界によって加速された電荷キャリアと、
加速された電荷キャリアによって発生する粒子と、
から成る群のうち少なくとも1つを具備し、前記電荷キャリアは、
深紫外線または超紫外線放射等の電磁放射によって誘導される荷電粒子と、
前記構成要素の前記表面から放出された二次電子およびイオンの生成によって発生した電子等の電子と、
イオンと、
化学的に反応性の電荷キャリアと、
希ガスイオン等の化学的に不活性の電荷キャリアと、
から成る群のうち少なくとも1つを具備し、加速された電荷キャリアによって発生した前記粒子は、反応性イオンまたは遊離基等の反応性粒子を具備することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の洗浄システム。 - 更に、磁界を発生させて前記洗浄粒子を制御するための少なくとも1つの磁界発生デバイスを具備することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 更に、前記電界において少なくとも1つの気体を供給するための少なくとも1つの気体供給を具備することを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記気体は酸素および水素のうち1つであり、前記気体から発生した反応性イオンを前記電界によって前記表面に向けて加速させることを特徴とする、請求項10に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生デバイスは少なくとも1つの電極を具備し、前記洗浄システムは更に、前記表面に対して前記少なくとも1つの電極の少なくとも1つの位置を変化させるための機械的アクチュエータを具備することを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記機械的アクチュエータは、前記電極と前記表面との間の距離を調整可能であることを特徴とする、請求項12に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生デバイスは、調整可能な幾何学的形状を有する少なくとも1つの電極を具備することを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生デバイスは、前記構成要素の前記表面の物質に実質的に類似した物質の表面を有する少なくとも1つの電極を具備することを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 前記電界発生デバイスは、前記電界を反転させるための反転機構を具備することを特徴とする、請求項1〜15のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 更に、前記構成要素の前記表面の少なくとも一部上に深紫外線または超紫外線放射等の電磁放射を投影するための放射デバイスを具備することを特徴とする、請求項1〜16のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- 更に、レチクルであって、該レチクルによって反射または透過した放射ビームプロファイルを変更するように構成および配置され、ビーム強度、ビーム方向、ビーム偏光、ビーム断面のうち少なくとも1つを、前記構成要素の前記表面から除去される前記汚染の位置、汚染層の厚さ、および/または汚染のタイプに適合させるようになっているレチクルを具備することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1項に記載の洗浄システム。
- リソグラフィ投影装置の構成要素の表面の少なくとも一部から汚染を除去するための方法であって、
前記リソグラフィ投影装置の少なくとも一部に電界を発生させるステップと、
前記電界によって汚染の近傍に洗浄粒子を供給するステップと、
前記洗浄粒子と前記汚染との相互作用によって前記汚染の少なくとも一部を除去するステップと、
を具備することを特徴とする、方法。 - 更に、前記構成要素の前記表面の少なくとも一部上に深紫外線または超紫外線放射等の電磁放射を投影するステップを具備することを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 前記汚染の一部の第1の除去と、
前記汚染の別の部分の少なくとも第2の除去と、
を具備し、前記第2の除去は前記第1の除去とは少なくとも1つの特徴が異なることを特徴とする、請求項19または20に記載の方法。 - 積層物または基板の表面を洗浄するための方法において、前記表面上に存在する汚染クラスタに、これらが除去されるまで、イオンおよび/または電子放射によってエネルギを供給することを特徴とする、方法。
- 前記汚染クラスタが割れるおよび/または剥離するまで、イオンおよび/または電子放射によって前記クラスタにエネルギを供給することを特徴とする、請求項22に記載の方法。
- 前記イオンおよび/または電子ビームの前記エネルギは、一方で前記汚染クラスタが割れるおよび/または剥離し、他方で前記表面の粗さおよび/または層厚の均一さが本質的に不変のままであるようになっていることを特徴とする、請求項22または23に記載の方法。
- 前記イオンビームの前記エネルギは40eVおよび2000eVの間であることを特徴とする、請求項22から24に記載の方法。
- 前記電子ビームの前記エネルギは40eVおよび15000eVの間であることを特徴とする、請求項22から24に記載の方法。
- 前記表面に対する前記イオンおよび/または電子ビームの入射角は、一方で前記汚染クラスタが割れるおよび/または剥離し、他方で前記表面の粗さおよび/または層厚の均一さが本質的に不変のままであるように選択されることを特徴とする、請求項22から26に記載の方法。
- 前記表面に対する前記イオンビームの入射角は4度および45度の間で選択されることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記表面に対する前記電子ビームの入射角は70度および90度の間で選択されることを特徴とする、請求項27または28に記載の方法。
- 前記イオンおよび/または電子ビームの放射時間は、一方で前記汚染クラスタが割れるおよび/または剥離し、他方で前記表面の粗さおよび/または層厚の均一さが本質的に不変のままであるように選択されることを特徴とする、請求項22から29に記載の方法。
- 前記放射時間は0.5秒および300秒の間で選択されることを特徴とする、請求項30に記載の方法。
- 前記イオンビームにおける前記イオンは、不活性ガスイオン、ハロゲンイオン、およびガリウムイオンから成る群のうち1つから成ることを特徴とする、請求項22から31に記載の方法。
- 前記洗浄される表面は、モリブデン、炭化モリブデン、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、ウォルフラム、ニッケル、炭化ホウ素、シリコン、ベリリウム、窒化シリコン、二酸化シリコン、窒化ホウ素、チタニウム、二酸化チタン、窒化チタン、イットリウム、酸化イットリウム、セリウム、酸化ロジウム、ジルコニウム、酸化ジルコニウム、ニオビウム、銅−金合成物、パラジウム、または白金を含むことを特徴とする、請求項22から32に記載の方法。
- デバイス製造方法であって、
請求項19から33のいずれか1項に記載の方法を適用して、構成要素の表面の少なくとも一部から汚染を除去するステップと、
放射感知物質の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を設けるステップと、
投影放射ビームを提供するステップと、
パターニング手段を用いて前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
前記放射感知物質の層の対象部分上に前記パターニングした放射ビームを投影するステップと、
を具備することを特徴とする、方法。 - リソグラフィ投影装置であって、
所望のパターンに従って投影ビームをパターニングするように機能するパターニング手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の対象部分上に前記パターニングしたビームを投影するための投影システムと、
請求項1から19のいずれか1項に記載され、前記装置の構成要素の表面から汚染を除去するための少なくとも1つの洗浄システムと、
を具備することを特徴とする、装置。
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