CN114503034A - 清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种用于光刻设备的清洁装置(10)，所述清洁装置包括：辐射源(2)，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻系统的光学部件(IL；PS)或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射(8)；其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具(7)夹持。

Description

清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制 造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月1日提交的欧洲申请19200715.1的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、以及设备制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底上(通常是在所述衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在所述实例中，图案形成装置(其替代地被称为掩模或掩模版)可以被用于产生待形成于所述IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，经由成像到被设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。

光刻技术被广泛认为是制造集成电路和其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术而制作的特征的尺寸变得更小，光刻术正成为用于制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键因素。

可以由瑞利(Rayleigh)分辨率判据给出图案印制极限的理论估计值，如方程式(1)所示：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印制所述图案的所述投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调整系数(也被称为瑞利常数)，并且CD是所印制的特征的特征大小(或临界尺寸)。从方程式(1)可以得出，可以通过以下三种方式来获得特征的最小可印制大小的减小：通过缩短曝光波长λ；通过增加所述数值孔径NA；或通过减小k₁的值。

为了缩短所述曝光波长，并且因而减小所述最小可印制大小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10nm至20nm的范围内，例如在13nm至14nm范围内的波长的电磁辐射。已进一步提出可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5nm至10nm范围内(诸如6.7mm或6.8nm)。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子储存环所提供的同步辐射的源。

可以使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供所述等离子体的激光器、以及用于容纳所述等离子体的源收集器模块。可以例如通过将激光束引导到燃料处来产生所述等离子体，所述燃料诸如合适的材料(例如，锡)的颗粒、或合适的气体或蒸汽(诸如Xe气体或Li蒸汽)的流。所得到的等离子体发射了使用辐射收集器所收集的输出辐射，例如EUV辐射。所述辐射收集器可以是镜面正入射辐射收集器，所述镜面正入射辐射收集器接收所述辐射并且将所述辐射聚焦为束。所述源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支持所述等离子体的围封结构或腔室。这样的辐射系统典型地被称为激光产生等离子体(LPP)源。

光刻设备包括例如用于产生所述辐射束并且将所述辐射束投影至所述衬底的光学元件。在维修干预之后，水和碳氢化合物污染可能会沉积在所述光学元件上。此外，由于所述光学元件上的水和可能的污染颗粒，则所述光学元件的透射和反射性质可能随着时间而劣化。可以使用扫描器来清洁所述光学元件。

期望提供一种能够较有效地和/或以较低成本的方式清洁所述光学元件的清洁装置。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的清洁装置，所述清洁装置包括：辐射源，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射或去污辐射；其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具夹持。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：辐射系统，所述辐射系统被配置成提供辐射的投影束；支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对所述投影束进行图案化的图案形成装置；衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底；投影系统，所述投影系统被配置成将被图案化的束投影至所述衬底的目标部分上；以及如上所述提及的清洁装置，其中所述支撑结构被配置成支撑所述清洁装置。

根据本发明的一方面，提供一种从光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的方法，所述方法包括以下步骤：将清洁装置夹持到支撑结构上，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对投影束进行图案化的图案形成装置；和供应来自清洁装置的净化辐射，以便从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物。

根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：通过来自清洁装置的、利用能够去除来自光刻设备的光学部件或其它部件的表面的水或其它污染物的辐射进行的辐照，去除所述水或其它污染物；用图案形成装置替换所述清洁装置；提供至少部分地由辐射敏感材料层覆盖的衬底；使用辐射系统提供辐射投影束；使用所述图案形成装置在所述投影束的横截面中向所述投影束赋予图案；以及将被图案化的辐射束投影至所述辐射敏感材料层的目标部分上。

附图说明

现在将仅以示例的方式，参考随附的示意性附图来描述本发明的实施例，在附图中，相应的附图标记指示相应的部分或部件，并且在附图中：

图1描绘了根据本发明实施例的光刻设备；

图2是所述光刻设备的较详细视图；

图3是图1和图2的设备的源收集器模块SO的较详细视图；并且

图4是根据本发明实施例的EUV光刻设备中的清洁装置的示意图。

根据下文阐述的具体实施方式，当与附图结合时，将明白本发明的特征和优点，在整个附图中相似的附图标记标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述设备包括：

-照射系统(照射器)IL，所述照射系统(照射器)IL被配置成调节辐射束B(例如，EUV辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)MA并且被连接至第一定位器PM，所述第一定位器PM被配置成准确地定位所述图案形成装置；

-衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且被连接至第二定位器PW，所述第二定位器PW被配置成准确地定位所述衬底；以及

-投影系统(例如，反射型投影系统)PS，所述投影系统PS被配置成将由图案形成装置MA赋予所述辐射束PB的图案投影到所述衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型、或其它类型的光学部件、或者它们的任意组合，用以对辐射进行引导、成形、或控制。

所述支撑结构MT以依赖于所述图案形成装置的定向、所述光刻设备的设计、和其它条件(诸如例如所述图案形成装置是否被保持在真空环境中)的方式来保持所述图案形成装置。所述支撑结构可以使用机械的、真空的、静电的、或其它夹持技术来保持所述图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保所述图案形成装置(例如相对于所述投影系统)位于期望的位置处。

术语“图案形成装置”应被广义地解释为指代可以被用于在辐射束的截面中向所述辐射束赋予图案以便在所述衬底的目标部分中产生图案的任何装置。被赋予至所述辐射束的图案可以与在所述目标部分中所产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。

所述图案形成装置可以是透射型或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻术中是众所周知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型、以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。被倾斜的反射镜在由所述反射镜矩阵所反射的辐射束中赋予图案。

所述投影系统(如所述照射系统)可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或它们的任意组合，如对于所使用的曝光辐射或其它因素(诸如真空的使用)所适用的。可能期望使用真空用于EUV辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射。因此，真空环境可以借助于真空壁和真空泵而被提供至整个束路径。

如这里所描绘的，所述设备是反射型的(即，利用反射型掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时将一个或更多个其它台用于曝光。

参考图1，所述照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子态，等离子态的材料具有具备在EUV范围内的一个或更多个发射线的至少一种元素(例如，氙、锂或锡)。在经常被称为激光产生等离子体(“LPP”)的这样一种方法中，可以通过利用激光束辐照燃料来产生所需的等离子体，所述燃料诸如具有所需的线发射元素的材料的液滴、流或簇。所述源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的包括用于提供激发所述燃料的激光束的激光器(图1中未示出)的部分或部件。所得到的等离子体发射使用设置于所述源中的辐射收集器所收集的输出辐射，例如EUV辐射。所述激光器和所述源收集器模块可以是分立的实体，例如当使用CO₂激光器来提供用于燃料激发的激光束时。

在这样的情况下，不认为所述激光器构成所述光刻设备的部分或部件，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，将所述辐射束从所述激光器传递至所述源收集器模块。换句话说，例如当所述源是放电产生等离子体EUV发生器(经常被称为DPP源)时，所述源可以是所述源收集器模块的组合部分。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为 外部和 内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。

所述辐射束B被入射到被保持在所述支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且被所述图案形成装置图案化。在已从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B传递穿过所述投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位器PW和衬底传感器PS2(例如，干涉仪装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在所述辐射束B的路径中。类似地，所述第一定位器PM和另一个位置传感器PS1可以被用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

所描绘的设备可以使用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式中，所述支撑结构(例如，掩模台)MT和所述衬底台WT被保持为基本静止，同时将被赋予至所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向偏移，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，同步地扫描所述支撑结构(例如，掩模台)MT和所述衬底台WT，而同时将被赋予至所述辐射束的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。所述衬底台WT相对于所述支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以由所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，所述支撑结构(例如，掩模台)MT被保持成基本上静止地保持可编程图案形成装置，并且所述衬底台WT被移动或扫描，而同时被赋予至所述辐射束的图案被投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置(诸如，上文提到的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

也可以采用上文描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

图2更详细地示出了所述设备100，其包括源收集器模块SO、照射系统IL、和投影系统PS。所述源收集器模块SO被构造和布置成使得可以在源收集器模块SO的围封结构220中维持真空环境。发射EUV辐射的等离子体210可以通过放电产生等离子体源来形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽产生，例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中产生非常热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体210通过例如放电来产生，所述放电引起至少部分地电离的等离子体。为了有效地产生辐射，可能需要例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)等离子体以产生EUV辐射。

由热等离子体210所发出的辐射经由可选的气体屏障或污染物陷阱230(在某些情况下也被称为污染物屏障或翼片阱)，从源腔室211传递到收集器腔室212内，气体屏障或污染物陷阱230被定位在源腔室211中的开口中或开口的后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230也可以包括气体屏障、或气体屏障与通道结构的组合。本文另外指出的污染物陷阱或污染物屏障230至少包括通道结构，如本领域中已知的。

收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，所述辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿过收集器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片240以被聚焦于虚拟源点IF。所述虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且所述源收集器模块被布置成使得所述中间焦点IF位于围封结构220中的开口221处或开口221的附近。所述虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的像。

随后，所述辐射横穿所述照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置成在所述图案形成装置MA处提供辐射束21的期望角度分布，并且在所述图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均一性。当所述辐射束21在由支撑结构MT所保持的所述图案形成装置MA处反射时，形成被图案化的束26，并且被图案化的束26由投影系统PS经由反射元件28、30成像到由晶片平台或衬底台WT所保持的衬底W上。

照射光学单元IL和投影系统PS中通常可以存在比所示更多的元件。依赖于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤光片240。此外，可以存在比图2所示更多的反射镜，例如，与图2所示的相比，在投影系统PS中可以存在一至六个额外的反射元件。

仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例，如图2所图示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器。所述掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地布置，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生等离子体源(通常被称为DPP源)结合使用。

替代地，所述源收集器模块SO可以是LPP辐射系统的一部分，如图3所示。激光器LA被布置成将激光能量淀积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)之类的燃料中，从而产生具有几十电子伏特的电子温度的被高度电离的等离子体210。在这些离子的去激励和复合期间所产生的高能辐射从所述等离子体发射，被近正入射(即近法向入射)收集器光学器件CO收集，并且被聚焦到围封结构220中的开口221上。

所述光刻设备100包括诸如透镜和反射镜之类的光学元件。例如，所述投影系统PS可以包括透镜和反射镜的组合。在实施例中，所述光学元件的表面设置于涂层。随着时间的推移，所述光学元件的透射和/或反射性质可能劣化。特别是，透射损耗和/或反射损耗可能会增加。所述劣化至少部分地由所述涂层的表面的氧化所引起。

发明人已发现，所述氧化至少部分地是由存在于所述光学表面上的水所引起的。可以在使用所述光刻设备100期间沉积水分子。在真空环境中，这些水分子可以停留在表面上，例如，在光学部件(诸如反射镜或膜)的表面上，或在所述光刻设备的其它部件的表面上(诸如所述光刻设备的容器或壳体的内表面上)。入射到具有水的表面上的EUV辐射会导致水分子变成氢和氧自由基。氧自由基导致所述光学涂层发生氧化。

反射镜的氧化是不可逆的且高度破坏性的过程，并且导致反射镜反射率的显著损失。由于更换所述反射镜的成本非常高，这最终会导致以较差反射水平即反射程度来操作所述光刻设备，并且因此降低生产率。反射镜的使用寿命的降低也导致另一明显的经济劣势。

在实施例中，所述光刻设备100包括一个或更多个透射膜。例如，可以使用被称为表膜的膜来防止颗粒到达图案形成装置MA。

在实施例中，所述光刻设备100包括动态气锁。所述动态气锁被配置成防止气体在所述光刻设备100的不同部分或节段之间流动。所述动态气锁可以包括由位于中间空间中的表膜(即，透射膜)所覆盖的中空部分。

水分子可以存在于所述膜的表面上(例如，在图案形成装置表膜或动态气锁中)。水分子可能导致所述膜对于EUV辐射的透射率的降低。水分子可能导致所述膜的下垂或松垂。水分子可能增加所述隔膜破裂的可能性。

图4是用于EUV光刻设备100的清洁装置10的示意图。所述清洁装置10被配置成清洁所述光刻设备100中的表面。例如，在实施例中，所述清洁装置10被配置成清洁光学元件(或它们的涂层)的表面。在实施例中，所述清洁装置10被配置成清洁所述光刻设备100中所使用的一个或更多个膜的表面。

如图4所示，在实施例中，所述清洁装置10包括辐射源2。所述辐射源2被配置成提供去污辐射即净化辐射8。所述辐射源2的类型不特别受限。在实施例中，所述辐射源2是VCSEL。在替代实施例中，所述辐射源2是边缘发射型红外二极管。

所述净化辐射8能够去除粘附在所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面上的水或其它污染物。水污染所述光学部件。在实施例中，所述净化辐射8能够去除它污染物，诸如羟基。水分子和羟基可以帮助其它污染物(包括污染物颗粒)粘附至所述光学部件(例如，通过毛细管力)。这些污染颗粒可以从外部源引入所述系统中，或所述污染颗粒可以从所述光刻设备100内产生。例如，所述污染物颗粒可以包括例如由于EUV辐射束B而导致的从衬底W松散地溅射的碎屑和副产品。通过从所述光学部件去除水和/或羟基，则例如通过冲洗过程更易于去除污染物颗粒。通过使用所述清洁装置100，在将所述光学器件曝光于EUV辐射之前，可以去除被聚集在光学元件上的水。本发明的实施例预期降低氧化机制的可能性(使得较少的水分子可以被裂解)。本发明的实施例预期在扫描器恢复期间和之后缩短EUV扫描器稳定时间。

在实施例中，所述净化辐射8具有约3μm的波长范围。然而，可以使用其它波长(例如，其它红外波长)。所述净化辐射8的合适波长或波长范围在2μm至300mm的范围内。在实施例中，所述净化辐射8具有在约100μm至约300mm(微波辐射)的范围内的波长。在实施例中，所述净化辐射8具有在约2μm至约30μm(红外辐射)的范围内的波长。所述净化辐射8的波长不特别受限。

在实施例中，所述清洁装置10被配置成由在由所述EUV光刻设备100所执行的曝光过程期间夹持所述图案形成装置MA的静电夹具夹持。

在实施例中，设置卡盘7，用于经由静电力将所述图案形成装置MA保持到所述光刻设备100的所述支撑结构MT上。这种卡盘可以被称为静电夹具。类似的静电夹具可以被用于保持所述衬底W。在实施例中，所述卡盘包括电介质构件。

在曝光过程期间，所述静电夹具将所述图案形成装置MA夹持至所述支撑结构MT。例如，当期望清洁所述光学元件时，所述静电夹具被用于将所述清洁装置10夹持至所述支撑结构MT。因此，所述清洁装置10具有与在曝光过程中的所述图案形成装置MA将会具有的位置相同的位置。

所述清洁装置10可以以与所述图案形成装置MA相同的方式来输送/搬运。例如，可以使用相同的机器人来移动所述光刻设备100中的所述清洁装置10。在实施例中，所述清洁装置10具有与标准EUV图案形成装置MA相同的形状、体积和夹持功能。

所述清洁装置10是与所述光刻设备100的其余部分分立的部件。所述清洁装置10可以与现有的光刻设备100一起使用，以改善其清洁功能。可以利用所述清洁装置10来改造现有的光刻设备100。

通过将所述清洁装置10配置成被夹持至所述支撑结构MT，所述清洁装置10可以从所述图案形成装置MA的正常位置对表面进行清洁。从这个位置，所述清洁装置10可以利用所述净化辐射8到达所述照射系统IL和所述投影系统PS两者。单个清洁装置10可以清洁所述照射系统IL和所述投影系统PS两者中的光学元件，而无需移动。

在实施例中，所述清洁装置10具有用于EUV光刻的图案形成装置MA的标准尺寸。所述图案形成装置有标准大小和形状。

所述图案形成装置MA的第一名义大小是6.0”×6.0”×0.25”。在实施例中，所述清洁装置10具有约152mm的边长。在实施例中，所述清洁装置10具有至少151.6mm的边长。在实施例中，所述清洁装置10具有至多152.4mm的边长。在实施例中，所述清洁装置10具有约6.35mm的厚度。在实施例中，所述清洁装置10具有至少6.25mm的厚度。在实施例中，所述清洁装置10具有至多6.45mm的厚度。

图案形成装置MA的第二名义大小是6.0”×6.0”×0.15”。在实施例中，所述清洁装置10具有约3.80mm的厚度。在实施例中，清洁装置10具有至少3.70mm的厚度。在实施例中，清洁装置10具有至多3.90mm的厚度。

图案形成装置MA的第三名义大小为7.0”×7.0”×0.25”。在实施例中，所述清洁装置10具有约177.4mm的边长。在实施例中，清洁装置10具有至少177.0mm的边长。在实施例中，清洁装置10具有至多177.8mm的边长。

图案形成装置MA的第四名义大小是230mm×230mm×9mm。在实施例中，所述清洁装置10具有约230mm的边长。在实施例中，清洁装置10具有至少229.6mm的边长。在实施例中，清洁装置10具有至多230.0mm的边长。在实施例中，清洁装置10具有约9mm的厚度。在实施例中，清洁装置10具有至少8.90mm的厚度。在实施例中，清洁装置10具有至多9.10mm的厚度。

在实施例中，所述清洁装置10具有与用于EUV光刻的标准图案形成装置MA相同的重量。在实施例中，所述清洁装置10的重量至少约为200g，且至多约为1000g，例如约为300g或约为500g。在实施例中，所述清洁装置10具有至少约为100g，且至多约为200g的质量。在实施例中，所述清洁装置10具有至少为1000g，并且至多为2000g，例如约为1050g的质量。

在实施例中，所述清洁装置10在平面图中呈正方形形状。当然，所述清洁装置10的侧面可能不具有确切地相同即完全相同的长度，使得所述清洁装置10不具有完美的正方形形状。

如图4中描绘的，在实施例中，所述清洁装置10包括能量源4。所述能量源4被配置成向所述辐射源2提供能量以供应至所述净化辐射8。能量源4被配置成对所述清洁装置10供能。在实施例中，所述清洁装置10可以与所述光刻设备100的其余部分无关地为自身供能。

在实施例中，所述能量源4是电池。例如，所述能量源可以是锂离子电池。在实施例中，所述能量源4是可再充电的。例如，能量源4可以在每次使用之间通过触点或接触点而被充电。替代地，所述能量源4可以在每次使用之间通过非接触式充电而被重新充电。

在实施例中，所述光刻设备100包括库。所述库用于储存所述清洁装置10。在实施例中，所述库被配置成除了所述清洁装置10之外还储存一个或更多个图案形成装置MA。所述库可以储存多个清洁装置10。这允许一个清洁装置10在另一个清洁装置正在被重新充电时使用。例如，如果所述清洁装置10的所述能量源4在光学元件完全被清洁之前耗尽，则这将是有帮助的。

在实施例中，所述库包括充电站，所述充电站被配置成对所述清洁装置10的所述能量源4充电。例如，所述库可以包括用于对所述能量源4充电的触点或接触点。另外地或替代地，所述库可以包括用于对所述能量源4充电的非接触式充电站。

可以提供不同的清洁装置10以用于供应不同类型的净化辐射。例如，所述清洁装置10可以提供不同波长或波长范围的净化辐射8。另外地或替代地，可以配置不同的清洁装置10以用于供应不同剂量的污染辐射8。不同的清洁装置10可以被配置用于供应可以适用于清洁不同元件的不同特性的净化辐射8。例如，一个清洁装置10可以被优化或被充分利用以用于清洁所述照射系统IL的光学元件，而另一个清洁装置10可以被优化或被充分利用以用于清洁所述投影系统PS的光学元件。

所述能量源4不一定是电池。例如，在实施例中，所述清洁装置10包括感应线圈。所述感应线圈被配置成接收来自电磁场的电能。所述感应线圈与所述辐射源2电连接，以便向所述辐射源2供应能量以供应所述净化辐射8。感应充电可以被用于所述能量源4。

在实施例中，所述静电夹具具有感应线圈，所述感应线圈被配置成向所述清洁装置10供应电能。所述清洁装置10的所述感应线圈可以联结至所述静电夹具中的感应线圈。这允许所述清洁装置10被通电，而同时清洁装置10供应用于清洁所述光学元件的净化辐射8。

如图4中描绘的，在实施例中，所述清洁装置10包括聚焦元件3。所述聚焦元件3被配置成聚焦和引导由所述辐射源2所供应的所述净化辐射8。所述净化辐射8朝向所述照射系统IL和所述投影系统PS中的一者或两者引导。

如图4所示，在实施例中，所述清洁装置10包括控制器5。所述控制器5被配置成控制由所述辐射源2供应所述净化辐射8。发光可以由内置控制器5自动地触发。替代地，可以手动地触发发光。

如图4所示，在实施例中，所述清洁装置10包括气体释放模块6。所述气体释放模块6被配置成从清洁装置10向外供应气体9。所述清洁装置10配备有气体释放模块6，用于以受控方式喷射气体9。所述气体9可以是主动气体或被动气体。在实施例中，气体释放模块6被配置成释放氢气、氮气和氩气中的一种或更多种。所述气体释放模块6可以有助于在所述清洁装置10周围产生特定环境。所述气体9可以被用于帮助清洁或净化或吹扫所述光刻设备100。所述气体可以帮助抽走即泵送走被脱附或释放的水分子。

然而，清洁装置10不必设置有所述气体释放模块6。例如，清洁或吹扫气体可以由光刻设备100的另一部分供应。

尽管在本文中可以在IC的制造中具体提及光刻设备的使用，但是应当理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的情境中，术语“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用分别被认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所提及的衬底可以在曝光之前或之后被处理，例如在轨道或涂覆显影系统(即典型地对衬底施加抗蚀剂层并且显影曝光后的抗蚀剂的工具)、量测工具、和/或检查工具中。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其它衬底处理工具。此外，例如可以为了制造多层IC而对衬底进行多于一次的处理，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指代已包含多个处理后的层的衬底。

在情境允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学部件的任何一种或组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。

尽管本文中可以具体参考EUV光刻设备，但应理解，本发明也可以被用于其它光刻设备中，例如，在使用深紫外(DUV)辐射的光刻设备中或在电子束光刻设备中。

尽管在本文中可以具体参考静电夹持，但应理解，本发明不限于此，也可以与其它夹持方法一起使用，例如真空夹持或毛细管夹持。

尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以用不同于所描述的方式来实践。例如，所述清洁装置10可以具有非正方形的形状，诸如圆形或矩形。具体地，所述清洁装置10的形状可以依赖于所述图案形成装置MA的形状来选择。

Claims (19)

1.一种用于光刻设备的清洁装置，所述清洁装置包括：

辐射源，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射；

其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具夹持。

2.根据权利要求1所述的清洁装置，其中所述光刻设备是EUV光刻设备，其中所述夹具是静电夹具，并且其中所述清洁装置具有用于EUV光刻的图案形成装置的标准尺寸。

3.根据权利要求1所述的清洁装置，其中所述清洁装置具有正方形形状。

4.根据权利要求3所述的清洁装置，其中所述正方形形状具有152mm的边长。

5.根据权利要求3或4所述的清洁装置，其中所述清洁装置具有6.35mm的厚度。

6.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：

能量源，所述能量源被配置成向所述辐射源供应能量以供应所述净化辐射。

7.根据权利要求6所述的清洁装置，其中所述能量源是电池。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的清洁装置，包括：

感应线圈，所述感应线圈被配置成接收来自电磁场的电能，其中所述感应线圈与所述辐射源电连接，以便向所述辐射源供应能量以供应所述净化辐射。

9.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：

控制器，所述控制器被配置成控制由所述辐射源供应净化辐射。

10.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：

气体释放模块，所述气体释放模块被配置成从所述清洁装置向外供应气体。

11.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：

光学元件，所述光学元件被配置成聚焦和引导由所述辐射源供应的所述净化辐射。

12.一种光刻设备，包括：

辐射系统，所述辐射系统被配置成提供辐射的投影束；

支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对所述投影束进行图案化的图案形成装置；

衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底；

投影系统，所述投影系统被配置成将被图案化的束投影至所述衬底的目标部分上；以及

根据任一前述权利要求所述的清洁装置，其中所述支撑结构被配置成支撑所述清洁装置。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，包括：

所述图案形成装置，其中所述图案形成装置和所述清洁装置具有彼此大致相同的形状。

14.根据权利要求13所述的光刻设备，包括：

用于储存所述图案形成装置和所述清洁装置的库。

15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中所述库包括充电站，所述充电站被配置成对所述清洁装置的电池充电。

16.根据权利要求14或15所述的光刻设备，其中所述库储存多个根据权利要求中任一项的清洁装置。

17.根据权利要求16所述的光刻设备，其中所述清洁装置被配置成供应具有彼此不同特性的净化辐射。

18.一种从光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的方法，所述方法包括以下步骤：

将清洁装置夹持在支撑结构上，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对投影束进行图案化的图案形成装置；和

供应来自所述清洁装置的净化辐射，以便从所述光刻设备的所述光学部件或其它部件的所述表面去除水或其它污染物。

19.一种器件制造方法，包括以下步骤：

通过来自清洁装置的辐照，从光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物，所述清洁装置利用能够去除所述水或其它污染物的辐射；

用图案形成装置替换所述清洁装置；

提供至少部分地由辐射敏感材料层覆盖的衬底；

使用辐射系统提供辐射的投影束；

使用所述图案形成装置，在所述投影束的横截面中向所述投影束赋予图案；以及

将辐射的被图案化的束投影至所述辐射敏感材料层的目标部分上。

Images