JP5005748B2 - 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5005748B2 JP5005748B2 JP2009213876A JP2009213876A JP5005748B2 JP 5005748 B2 JP5005748 B2 JP 5005748B2 JP 2009213876 A JP2009213876 A JP 2009213876A JP 2009213876 A JP2009213876 A JP 2009213876A JP 5005748 B2 JP5005748 B2 JP 5005748B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- particles
- radiation
- substrate
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
Description
放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと、を含む。
IL 照明システム(イルミネータ)
BD ビームデリバリシステム
MA パターニングデバイス
PM ポジショナ
IF 位置センサ
MT サポート構造
W 基板
WT 基板テーブル
B 放射ビーム
C ターゲット部分
PS 投影システム
AD アジャスタ
IN インテグレータ
CO コンデンサ
LA 放射源
3 放射システム
10 放射コレクタ
11 格子スペクトル清浄フィルタ又はミラー
12 中間焦点
13、14 法線入射リフレクタ
17 パターン付きビーム
18、19 反射素子
20 物体の表面からパーティクルを非接触で除去するためのシステム
20a チャンバ
21 プラズマ源
22 物体
23 バルブ
24 制御ユニット
25 電気バイアスユニット
26 ホルダ
26a ホルダの位置
41 多層ミラー
42 Heプラズマ
43 制御ユニット
44 バイアスユニット
45 プラズマ源
48 放射ビーム
P 汚染パーティクル
I 正イオン
Claims (10)
- 物体の表面からパーティクルを非接触で除去するためのシステムであって、
前記表面の付近にHeプラズマを発生させるプラズマ源と、
前記プラズマ源に影響を与えることなく、前記Heプラズマ中のHe準安定原子の発生を増加させるため、前記Heプラズマの電子エネルギー分布を変更する制御ユニットと、
を含むシステム。 - 前記制御ユニットは、前記Heプラズマの電子エネルギー分布を変更するために、パルスモードで前記物体に電気的に正のバイアスを印加する電気バイアスユニットを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記パルスモードのデューティサイクルは、少なくとも50%である、請求項2に記載のシステム。
- 前記パルスモードのデューティサイクルは、少なくとも90%である、請求項2に記載のシステム。
- 前記電気的に正のバイアスは、浮遊電位より1乃至3ボルト上の範囲にある、請求項2乃至請求項4のうち何れか1項に記載のシステム。
- 前記パーティクルと化学反応を起こして前記表面から前記パーティクルを除去する補助ガスを更に含む、請求項1乃至請求項5のうち何れか1項に記載のシステム。
- 前記補助ガスは、分子状水素、原子状水素、又はそれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のシステム。
- EUV放射投影ビームを調整又は供給する複数の光学素子を含む光学系と、
前記複数の光学素子のうちの1つ以上の光学素子の表面を洗浄する、請求項1乃至請求項7のうち何れか1項に記載のシステムと、
を含む、リソグラフィ投影装置。 - 複数の光学素子を用いてEUV放射ビームを供給し、
放射感応材料層のターゲット部分上に前記EUV放射ビームを投影し、
プラズマ源に影響を与えることなく、Heプラズマ中のHe準安定原子の発生を増加させるため、前記Heプラズマの電子エネルギー分布を変更し、
前記Heプラズマを用いて少なくとも1つの光学素子の表面を洗浄する、デバイス製造方法。 - 前記表面から前記パーティクルを除去すべく前記パーティクルと化学反応を起こす補助ガスを供給するステップを更に含む、請求項9に記載のデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10095708P | 2008-09-29 | 2008-09-29 | |
US61/100,957 | 2008-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087505A JP2010087505A (ja) | 2010-04-15 |
JP5005748B2 true JP5005748B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=42240968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009213876A Expired - Fee Related JP5005748B2 (ja) | 2008-09-29 | 2009-09-16 | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100151394A1 (ja) |
JP (1) | JP5005748B2 (ja) |
NL (1) | NL2003405A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10067418B2 (en) * | 2014-05-12 | 2018-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Particle removal system and method thereof |
US10459352B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask cleaning |
KR20210143412A (ko) | 2020-05-20 | 2021-11-29 | 삼성전자주식회사 | 레티클 포드의 세정 방법 및 세정 시스템 |
EP4016187A1 (en) * | 2020-12-16 | 2022-06-22 | ASML Netherlands B.V. | Lithography apparatus component and method |
JP2023551171A (ja) * | 2020-12-08 | 2023-12-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置コンポーネントおよび方法 |
EP4068000A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-05 | ASML Netherlands B.V. | Conditioning apparatus and method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08188658A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材の表面処理方法 |
JPH0945623A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Anelva Corp | プラズマcvd装置のクリーニング方法およびプラズマcvd装置 |
JPH0985026A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Sekisui Chem Co Ltd | フィルターの製造方法 |
JP2001020076A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 反応室のクリーニング方法及び装置 |
JP4363863B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2009-11-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体処理装置における処理制御方法 |
TWI305296B (en) * | 2004-07-27 | 2009-01-11 | Cymer Inc | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source |
US7528386B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-05-05 | Board Of Trustees Of University Of Illinois | Submicron particle removal |
JP4905179B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
-
2009
- 2009-08-28 NL NL2003405A patent/NL2003405A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-09-16 JP JP2009213876A patent/JP5005748B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-25 US US12/567,383 patent/US20100151394A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2003405A (en) | 2010-03-30 |
JP2010087505A (ja) | 2010-04-15 |
US20100151394A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7315346B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7116394B2 (en) | Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system | |
JP5188576B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US8018578B2 (en) | Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5732393B2 (ja) | リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
EP1429189B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2002110539A (ja) | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびそれらによって製造されたデバイス | |
JP5005748B2 (ja) | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2007173792A (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP4429201B2 (ja) | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
US7759663B1 (en) | Self-shading electrodes for debris suppression in an EUV source | |
JP2014507070A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2009065222A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4881444B2 (ja) | プラズマ放射源、プラズマ放射源を形成する方法、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影するための装置、およびデバイス製造方法 | |
JP4685943B2 (ja) | リソグラフィ装置、照明システム、およびeuv放射線の投影ビームを供給する方法 | |
CN110945435B (zh) | 对用于缺陷优化的掩模版放置的控制 | |
JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
EP1431828A1 (en) | Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system | |
KR20100102682A (ko) | 극자외 방사선 소스 및 극자외 방사선을 생성하는 방법 | |
WO2021063722A1 (en) | A cleaning device, a lithography apparatus, a method of removing water or other contaminant and a device manufacturing method | |
NL2023973A (en) | A cleaning device, a lithography apparatus, a method of removing water or other contaminant and a device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120423 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120523 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |