JP2009065222A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フル・フロー・パージよりも流量が少ない期間の後に、生産をより速やかに再開することができるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】１５７ｎｍの照射を使用したリソグラフィ装置において、低フロー・パージ・モードが使用された後に、投影ビームが、低い強度で活性化され、基板レベルにおける強度が監視される。基板レベルにおける強度が、ビーム経路上の透過率が正常に戻ったことを示すときには、露光を再開することが安全であると判定される。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に当てる機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この環境では、マスクなどのパターン化手段を使用してＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを照射感光材料（レジスト）の層をもつ基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の（例えば、１つ又は複数のダイの部分を含む）ターゲット部分に投影することができる。一般に、１枚の基板は、連続的に露光される隣接したターゲット部分の回路を含むことになる。知られているリソグラフィ装置には、全体のパターンを一括してターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、投影ビームを介して所与の方向（「スキャン」方向）にそのパターンをスキャンすることによって各ターゲット部分を照射するが、同期して基板をこの方向と平行又は逆平行にスキャンするいわゆるスキャナとが含まれる。

リソグラフィ装置では、投影することができるフィーチャ・サイズは、使用される露光照射の波長によって制限される。したがって、より精細な細部を投影することができるためには、波長のさらに短い照射を使用する必要がある。現在の生産用リソグラフィ装置は、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍにおける紫外線照射を使用している。１５７ｎｍの照射を使用する装置は、開発中である。１５７ｎｍの照射を使用するリソグラフィ装置で克服する必要がある問題の１つは、通常の大気は、実質的にこの波長において光を通さないことである。したがって、リソグラフィ装置を、あるいは少なくともそのビーム経路を極めて純粋な窒素（Ｎ_２）を用いてパージ（空気追放）することが提案されている。必要とされる純度は非常に高く、数ｐｐｍの酸素又は水蒸気でさえ、露光照射の透過率をかなり低下させることになる。かかる高純度の窒素の使用は、２つの問題、すなわちそれが高価であり、装置の操作又はサービスを行う要員にとって危険であるという問題を提起する。

これらの問題を軽減するために、パージ・システムが、２つのモード、すなわち露光のための高フロー・モードと、装置が使用されていないとき、特にこの装置のコンパートメント（区画室）が、サービスのために開かれているときに使用するための低フロー・モードとを有することが提案されてきている。この低フロー・モードは、通常の大気にさらされると生ずることもある汚染から装置中の光学要素を保護するにはちょうど十分であるが、人にとっては危険ではないフロー・レート（流量）を有する。装置が、低フロー・パージ・モードにおける期間の後に再始動されるとき、生産を再開するためにビーム経路をパージするために高フロー・パージ・モードにおいて１５〜３０分程度のある時間がかかる。この時間は、ビーム経路における一様なガスの混合を、したがって露光フィールドにわたって一様な照射線量を確保するために必要である。露光照射光源が、汚染が存在するにもかかわらず点灯される場合には、装置中の光学要素を損傷する可能性があるので、エラー（知られているＯ_２センサ及び水蒸気センサは、損傷を起こし得る汚染レベルを信頼可能に検出することができない）についてのある程度の余裕を残す必要があり、したがって装置のコンパートメントを開けるごとに３０〜６０分もの遅延が存在した後にはじめて生産を再開することができる。かかるダウン時間は、この装置の処理量をひどく低下させてしまう。

本発明の目的は、フル・フロー・パージよりも流量が少ない期間の後に、生産をより速やかに再開することができるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、
照射の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームの断面内にパターンを付与する役割を果たすパターン化手段を支持する支持構造物と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムと、
パージ・ガスを用いて装置の少なくとも一部分をパージするための、比較的高フローのパージ・ガスを有する第１のモード及び比較的低フローのパージ・ガスを有する第２のモードで動作可能なパージ手段と、
前記パージ手段によってパージされる部分である前記装置の一部分の前記投影ビームの強度を、前記投影ビームの方向に関して下流の位置において測定するためのセンサとを備えるリソグラフィ装置であって、
前記第２のモードから前記第１のモードへの前記パージ手段のモードの変更に応答して、前記照明システムを制御して、前記基板のターゲット部分を露光するために使用される通常の強度よりも低い強度で投影ビームを生成するように構成され、前記センサによって測定される前記投影ビームの強度を監視するように構成された制御装置を備え、該制御装置は、前記センサによって測定される前記投影ビームの前記強度が所定の判断基準を満たすまで、前記照明システムに前記通常の強度を有する投影ビームを生成させないように構成されていることを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。

パージされたコンパートメントの、投影ビームの方向に関して下流側の投影ビームの強度を監視するセンサを使用することによって、高感度の汚染検出器がもたらされ、汚染レベルが生産のための仕様値に戻るとすぐに装置が生産モードに戻ることが可能となる。同時に、低い強度しか使用しないことにより、汚染の存在下におけるこの装置の光学要素に対する損傷が防止される。

この所定の判断基準は、ビームの強度が、ビーム経路の透過率が生産に必要とされるレベル、例えば９９％又はそれより高い透過率に戻ったことを示すレベルに到達していることであってもよい。低フローの第２のパージ・モード中には、ビーム経路の透過率が、高フローのパージ中で汚染が除かれた後の透過率の約６０％のこともある。

本発明の好ましい実施例においては、この所定の判断基準は、ビーム経路の透過率のばらつきが、所定のしきい値、例えば１％より小さいというものである。透過率が、このように安定しているときには、パージ状態も安定していると想定することができる。この構成では、ダウン時間前後の期間の強度レベルを比較すべき場合には必要とされるような、長時間にわたっての高い絶対精度のセンサを提供する必要性が回避される。

エネルギ・センサが、空間的に感度が良く、所定の判断基準が、その断面の少なくとも一部分を横切るビーム強度が所定の一様性をもつものであることが好ましい。その絶対的な強度の代わりにビーム強度の一様性を考慮することによって、光源出力のゆらぎによって引き起こされる強度のどのような変動も無視される。

投影ビームがパルス化される場合には、所定の判断基準は、いくつかのパルスについての平均化された測定値について言うこともある。この場合にも光源出力のパルス間の変動は無視される。

ビームの強度は、例えば４ｋＨｚの生産中に使用されるパルス繰返し率よりも低い例えば１Ｈｚのパルス繰返し率でパルス照射光源を動作させることによって、又は前記照明システムにおいて可変減衰器を使用することによって、或いはその両方によって低下させることができる。

本発明のさらなる態様によれば、
第１のフロー・レートのパージ・ガスを用いて投影ビームが横切るビーム経路の少なくとも一部分の第１のパージを行う段階と、
前記第１のフロー・レートよりも高い第２のフロー・レートのパージ・ガスを用いて前記投影ビームが横切るビーム経路の前記部分の第２のパージを行う段階とを含むデバイス製造方法であって、
前記第２のパージを行う段階中に、第１の強度の投影ビームを前記ビーム経路に沿って誘導する段階と、
前記ビーム経路の少なくとも一部分の透過率を監視する段階と、
前記ビーム経路の透過率が所定の判断基準を満たした後だけに、前記第１の強度よりも高い第２の強度の投影ビームを前記ビーム経路に沿って誘導して基板のターゲット部分を露光する段階とを含むことを特徴とする方法が提供される。

本文中ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特別な言及が行われることもあるが、本明細書中で説明しているリソグラフィ装置は、集積化された光学系、磁気ドメイン・メモリについての誘導パターン及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の用途を有することもできることを理解されたい。かかる代替用途の文脈においては、本明細書中の用語「ウェハ」又は「ダイ」のどのような使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」又は「ターゲット部分」の同義語と考えることができることが当業者には理解されよう。本明細書中で言及している基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック・ツール（一般に基板にレジスト層を塗布し、露光済みのレジストを現像するツール）、測定ツール、又は検査ツール中で処理することができる。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容は、このような他の基板処理ツールに適用することもできる。さらに、基板を、複数回にわたって処理して例えば多層のＩＣを作成することもでき、それ故、本明細書中に使用される用語「基板」は、複数の処理された層をすでに含んでいる基板のことも意味することができる。

本明細書中で使用している用語「照射」及び「ビーム」は、（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍの波長を有する）紫外線（ＵＶ）照射及び（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）超紫外線（ＥＵＶ）照射、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めて、すべてのタイプの電磁照射を包含している。

本明細書中で使用している用語「パターン化手段」は、基板のターゲット部分にパターンを作成するなど、投影ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる手段のことを意味すると広く解釈するべきである。この投影ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないこともあることに留意されたい。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイス中の特定の機能層に対応することになる。

パターン化手段は、透過性でもよいし、また反射性でもよい。パターン化手段の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、交互位相シフト（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ）、ハーフトーン（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ）位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド・マスク・タイプを含んでいる。プログラム可能ミラー・アレイの一例では、小さなミラーのマトリクス配列が使用されており、各ミラーは、個別に傾けられて入射照射ビームを異なる方向へ反射することができる。したがって、このようにして反射されたビームは、パターン化される。パターン化手段の各例では、その支持構造は、例えば固定されることもあり又は必要に応じて移動可能なこともあり、またパターン化手段が、例えば投影システムに対して所望の位置にくるようにすることができるフレーム又はテーブルでもよい。本明細書中の用語「レチクル」又は「マスク」の使用はどれも、より一般的な用語「パターン化手段」と同義語であると考えることができる。

本明細書中で使用している用語「投影システム」は、例えば使用される露光照射について、又は浸漬液の使用や真空の使用など他のファクタについての適切なものとして、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含めて様々なタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈すべきである。本明細書中の用語「レンズ」の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」の同義語と考えることができる。

照明システムは、照射投影ビームを誘導し形成し制御するための屈折光学構成要素、反射光学構成要素、及び反射屈折光学構成要素を含めて様々なタイプの光学構成要素を包含することもでき、かかる構成要素は、以下で集合的に又は単独で「レンズ」と呼ぶこともある。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプとすることができる。かかる「マルチ・ステージ」マシンにおいては、追加のテーブルを並列に使用することができ、又は、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用しながら、予備工程を１つ又は複数のテーブル上で実行することもできる。

リソグラフィ装置はまた、基板を比較的高い屈折率を有する液体に、例えば水に浸漬して投影システムの最終要素と基板の間のスペースを満たすタイプとすることもできる。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの第１の要素との間の、リソグラフィ装置における他のスペースに対して適用することもできる。投影システムの開口数を増大させるための浸漬技法は、当技術分野においてよく知られている。

次に添付の概略図を参照して、本発明の実施例を単なる例として説明することにする。図面において、対応する参照符号は、対応する部分を示している。

図１は、本発明の特定の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示すものである。この装置は、
−照射（例えば、ＤＵＶ照射）の投影ビームＰＢを提供するための照明システム（照明装置）ＩＬと、
−アイテムＰＬに対してパターン化手段を正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続され、パターン化手段（例えば、マスク）ＭＡを支持するための第１の支持構造物（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、
−アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続され、基板（例えば、レジスト・コートされたウェハ）Ｗを保持するための基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
−基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上にパターン化手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されるパターンを投影するための投影システム（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬとを備える。

図に示すように、この装置は、（例えば、透過型マスクを使用した）透過型のものである。或いは、装置は、（例えば、前述のタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）反射型のものでもよい。

照明装置ＩＬは、照射光源ＳＯから照射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマ・レーザであるときには、この光源とリソグラフィ装置は、別々の物であってもよい。かかる場合には、光源は、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとは考えずに、照射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム送出システムＢＤの助けを借りて光源ＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合には、例えば光源が水銀ランプであるときには、この光源は、装置の一体化部分であってもよい。光源ＳＯ及び照明装置ＩＬは、必要ならビーム送出システムＢＤと一緒に、照射システムと呼ぶこともできる。

照明装置ＩＬは、ビームの角度強度分布を調整するための調整手段ＡＭを含むことができる。一般的に、少なくとも、照明装置のひとみ面の強度分布の（一般にそれぞれ外部σ（σ−ｏｕｔｅｒ）及び内部σ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）外径範囲及び／又は内径範囲を調整することができる。さらに、照明装置ＩＬは、一般にインテグレータＩＮや集光器ＣＯなど他の様々な構成要素を備える。この照明装置は、断面に所望の一様性と強度分布を有する、投影ビームＰＢと呼ばれる調整済みの照射ビームを提供する。

投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡ上に入射する。マスクＭＡを横切った後、投影ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、このレンズが、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉装置）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例えばビームＰＢの経路中に異なるターゲット部分Ｃを位置づけることができる。同様に、マスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又はスキャン中に、第１の位置決め手段ＰＭ及び（図１には明示的に示していない）別の位置センサを使用してビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置づけることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部分を形成するロング・ストローク・モジュール（粗い位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（精細な位置決め）の助けを借りて実現できることになる。しかし、（スキャナとは逆に）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴをショート・ストローク・アクチュエータだけに接続するか、又は固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク合わせマークＭ１、Ｍ２と基板合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

図に示した装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、投影ビームに付与されるパターン全体が、ターゲット部分Ｃ上に一括で投影される（すなわち、１度の静的露光の）間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、本質的に静止したまま保たれる。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにするために基板テーブルＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向にシフトする。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１度の静的露光で投影されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

２．スキャン・モードでは、投影ビームに付与されるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１度の動的露光の）間に、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが、同期してスキャンされる。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度と方向は、投影システムＰＬの（縮小）倍率及び画像反転特性によって決定される。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１度の動的露光におけるそのターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限するのに対して、スキャン移動の距離が、ターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定する。

３．別のモードでは、投影ビームに付与されるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、マスク・テーブルＭＴは、プログラム可能なパターン化手段を本質的に静止したまま保持するように保たれ、基板テーブルＷＴは、移動させられ又はスキャンされる。このモードでは一般に、基板テーブルＷＴの移動ごとに、或いはスキャン中の連続的な照射パルスの間に、パルス化照射光源が使用され、プログラム可能パターン化手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用したマスクのないリソグラフィに簡単に適用することができる。

前述の使用モード又はまったく異なる使用モードの組合せ及び／又は変形もまた、使用することができる。

装置のパージ・ガス構成及び関連する制御システムを図２に示す。この装置は、いくつかのコンパートメントに分割され、この場合には４つのコンパートメント、すなわち照明システム・コンパートメントＩＬＣ、マスク・コンパートメントＭＡＣ、投影システム・コンパートメントＰＬＣ、及び基板コンパートメントＷＣが示されている。各コンパートメントに対して、パージ・ガスが、パージ・ガス供給システムＰＧＳから供給される。波長１５７ｎｍ又はこの近辺の露光照射を使用した装置の場合には、パージ・ガスは、ビーム経路から、そうしなければ露光照射の透過を阻止するはずの空気を置換する超高純度のＮ_２である。

パージ・ガス供給システムは、基板を露光するための高フロー・モードと、装置のコンパートメントが開けられているか、又は装置の他のダウン時間中であるか、或いはその両方であるときに使用される低フロー・モードの２つのモードで動作する。低フロー・モードでは、高純度のために高価であるパージ・ガスがあまり消費されず、人にとってもあまり危険ではない。それにもかかわらず、このフローは、光学要素を汚染から保護し、装置中に汚染物質が蓄積されないようにするのに十分である。高フロー・モード及び低フロー・モードにおける実際のフロー・レートは、様々なコンパートメントのサイズ、並びにコンパートメント内のリーク及び可能性のある他の汚染源に依存することになる。高フロー・モードにおけるフロー・レートは、一般に低フロー・モードにおけるフロー・レートの３ないし４倍である。このファクタは、装置ごと及びコンパートメントごとに変化し得る。すべてのコンパートメントを開くべきとは限らない場合には、閉じたままのコンパートメントは、高フロー・モードのままにすることもできる。

ある期間の間、低フロー・モードで動作した後には、投影システム及び照明システム中の光学要素が、強力な投影ビームの影響下で汚染物質との反応によって損傷が引き起こされないように、ビーム経路中の汚染レベルが指定されたレベルに戻ってはじめて露光が開始されるようにする必要がある。

高フロー・モードが再開されると、制御システムＣＳは、照射光源ＳＯが、低出力ビームを放射し、基板テーブルＷＴ中に作り込まれたスポット・センサＳＳを使用して基板レベルにおけるビーム強度を監視するように制御する。測定された強度が通常の透過率レベルに戻ったことが示されると、フル出力の投影ビームを使用した生産用露光を再開することができる。ビーム経路中の雰囲気の透過率は、光学要素を損傷させ得る汚染物質、主に酸素及び水蒸気の影響を極めて受けやすいので、この透過率が正常に戻ることは、ビーム経路には汚染物質がないことを示している。たった１〜１０ｐｐｍの汚染物質でさえ、透過率の明確な低下を引き起こす可能性がある。

以下を含めて様々な判断基準を使用して透過率が正常なレベルにあるかどうかを判定することができる。
１．絶対強度が、或るしきい値を超えている、
２．強度の変化率が、或るしきい値より小さくなる、
３．投影ビームの断面にわたっての強度の一様性が、或るしきい値を超えている、例えば、非一様性＜０．２％、
４．時間にわたっての強度の安定性が、或るしきい値を超えている、例えば変動率が＜５％、好ましくは＜２％、最も好ましくは＜１％。

上記判断基準のすべてにおいて、関連するパラメータの時間平均値を使用することができる。

光源ＳＯが、パルス化光源、例えばエキシマ・レーザである場合には、４ｋＨｚ以上の通常の露光率に比べてパルス繰返し率を、例えば＜１０Ｈｚまで、好ましくは約１Ｈｚにまで低下することによって投影ビームの強度を低下させることができる。この投影ビームの強度は、照明システムＩＬにおいて可変減衰器ＶＡを使用して制御することもできる。

照明システムが、ある割合の投影ビームを例えば一部銀メッキされたミラーによって誘導する対象のエネルギ・センサを組み込んでいる場合には、例えば光源出力の変動を補償できるようにする基準として、このエネルギ・センサの出力を考慮に入れることもできる。また、低フロー・モードにあったコンパートメントしかエネルギ・センサのビームの上流（ｕｐ−ｂｅａｍ）にない場合には、エネルギ・センサによって測定されるビーム強度をスポット・センサによって測定される強度の代わりに使用することもできる。

本発明の特定の実施例について以上で説明してきたが、本発明は説明した方法以外の別の方法でも実施できることが理解されよう。この説明は本発明を限定することを意図してはいない。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 図１の装置のパージ・ガス構成及び関連する制御システムを示す図である。

符号の説明

ＡＭ 調整手段
ＢＤ ビーム送出システム
Ｃ ターゲット部分
ＣＯ 集光器
ＣＳ 制御システム
ＩＦ 位置センサ
ＩＬ 照明システム
ＩＬＣ 照明システム・コンパートメント
ＩＮ インテグレータ
Ｍ１、Ｍ２ マスク合わせマーク
ＭＡ パターン化手段（マスク）
ＭＡＣ マスク・コンパートメント
ＭＴ 第１の支持構造物（マスク・テーブル）
Ｐ１、Ｐ２ 基板合わせマーク
ＰＢ 投影ビーム
ＰＧＳ パージ・ガス供給システム
ＰＬ 投影システム（屈折投影レンズ）
ＰＬＣ 投影システム・コンパートメント
ＰＭ 第１の位置決め手段
ＰＷ 第２の位置決め手段
ＳＯ 照射光源
ＳＳ スポット・センサ
ＶＡ 可変減衰器
Ｗ 基板（レジスト・コートされたウェハ）
ＷＣ 基板コンパートメント
ＷＴ 基板テーブル（ウェハ・テーブル）

Claims (11)

1. 照射の投影ビームを提供するための照明システムと、
   前記投影ビームの断面内にパターンを付与する役割を果たすパターン化手段を支持する支持構造物と、
   基板を保持するための基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムと、
   パージ・ガスを用いて装置の少なくとも一部分をパージするための、比較的高フローのパージ・ガスを有する第１のモード及び比較的低フローのパージ・ガスを有する第２のモードで動作可能なパージ手段と、
   前記パージ手段によってパージされる部分である前記装置の一部分の前記投影ビームの強度を、前記投影ビームの方向に関して下流の位置において測定するためのセンサとを備えるリソグラフィ装置であって、
   前記第２のモードから前記第１のモードへの前記パージ手段のモードの変更に応答して、前記照明システムを制御して、前記基板のターゲット部分を露光するために使用される通常の強度よりも低い強度で投影ビームを生成するように構成され、前記センサによって測定される前記投影ビームの強度を監視するように構成された制御装置を備え、該制御装置は、前記センサによって測定される前記投影ビームの前記強度が所定の判断基準を満たすまで、前記照明システムに前記通常の強度を有する投影ビームを生成させないように構成されていることを特徴とする装置。
2. 前記所定の判断基準は、前記ビーム経路の透過率が生産のために必要とされるレベルに戻っていることを示すレベルに前記ビームの強度が到達していることである、請求項１に記載の装置。
3. 前記所定の判断基準は、前記ビームの強度の変化率が所定のしきい値よりも小さくなっていることである、請求項１に記載の装置。
4. 前記エネルギ・センサが空間的に感度があり、前記所定の判断基準は、その断面の少なくとも一部分を横切るビーム強度が所定の一様性を有することである、請求項１に記載の装置。
5. 前記所定の判断基準は、時間にわたってのビーム経路の透過率の安定性が所定のしきい値よりも小さいことである、請求項１に記載の装置。
6. 前記所定の判断基準は、前記投影ビームの強度の時間平均又はその変化率に基づいている、請求項１から５までのいずれか一項に記載の装置。
7. 前記照明システムがパルス化投影ビームを提供し、前記制御装置は、前記照明システムが生産中に使用されるパルス繰返し率よりも低いパルス繰返し率を有するパルス化ビームをより低い強度の前記投影ビームとして提供するように制御する、請求項１から６までのいずれか一項に記載の装置。
8. 前記制御装置は、前記照明システム中の可変減衰器が低下された強度の投影ビームを生成するように制御する、請求項１から７までのいずれか一項に記載の装置。
9. 前記低下された強度の投影ビームが、前記通常の強度の１％以下の強度を有する、請求項１から８までのいずれか一項に記載の装置。
10. 前記センサが前記基板テーブル上に設けられる、請求項１から９までのいずれか一項に記載の装置。
11. 第１のフロー・レートのパージ・ガスを用いて投影ビームが横切るビーム経路の少なくとも一部分の第１のパージを行う段階と、
    前記第１のフロー・レートよりも高い第２のフロー・レートのパージ・ガスを用いて前記投影ビームが横切るビーム経路の一部分の第２のパージを行う段階とを含むデバイス製造方法であって、
    前記第２のパージを行う段階中に、第１の強度の投影ビームを前記ビーム経路に沿って誘導する段階と、
    前記ビーム経路の少なくとも一部分の透過率を監視する段階と、
    前記ビーム経路の透過率が所定の判断基準を満たした後だけに、前記第１の強度よりも高い第２の強度の投影ビームを前記ビーム経路に沿って誘導して基板のターゲット部分を露光する段階とを含むことを特徴とする方法。

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