JPH0376214A - 試料等の汚染防止装置 - Google Patents

試料等の汚染防止装置

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JPH0376214A
JPH0376214A JP21246789A JP21246789A JPH0376214A JP H0376214 A JPH0376214 A JP H0376214A JP 21246789 A JP21246789 A JP 21246789A JP 21246789 A JP21246789 A JP 21246789A JP H0376214 A JPH0376214 A JP H0376214A
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JP
Japan
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gas
wafer
sample
fan
exchange chamber
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Pending
Application number
JP21246789A
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English (en)
Inventor
Atsushi Yamada
篤 山田
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、荷電粒子線装置等における試料や被処理材料
の汚染防止装置に関する。
[従来技術] シリコン等の半導体ウェハを基材として電子線照射によ
って微細な回路パターンを多数形成する半導体製造装置
においては、ゴミが試料(被処理材料)としてのウェハ
上の回路パターンに付着すると断線、ショート等の原因
となるため、半導体製品の歩留まりに大きな影響を与え
ている。このため半導体製造はクリーンルー・ム内で行
われ、クリーンルーム内ではゴミを取り除いた空気を常
時上から下へ流し、ゴミを床下へ送るようにして、ゴミ
が上に舞い上がらないようにしている。
第2図は従来使用している試料等の汚染防止装置の一例
を示し、図中1は図示しない荷電粒子線装置等の試料室
と試料交換室2の間に設けられたエアーロック弁、3は
試料交換室2内に設けられた搬送機構で、ウェハ4は搬
送機構3上に載置され図示しない試料室に移送される。
試料交換室2は排気口5と気体導入口6が開けられてい
る。排気口5は真空弁7を介し真空ポンプ8に接続され
ており、気体導入口6はリーク弁9を介しフィルタ10
、減圧弁11、高圧気体源12に接続されている。
このような構成の装置において、ウェハ4の挿入を行う
には、まず試料交換室2を大気圧とし、試料室2の大気
側扉(図示せず)を開いて、ウェハ4を搬送機構3上に
載置する。次に排気口5に接続された真空弁7を開は真
空ポンプ8により吸引排気し試料交換室2内を高真空に
する。つぎにエアーロック弁1を開いて、搬送機構3を
操作して、既に高真空に排気しである図示しない試料室
に移送しエアーロック弁1を閉める。この状態で図示し
ない試料室内において電子線による、描画、計測を行う
。作業完了後、搬送機構3により試料交換室2に戻す。
試料交換室2には、気体導入口6が設けられており、真
空弁7を閉じ真空ポンプ8による排気を遮断した後、リ
ーク弁9を開き高圧気体源12から減圧弁11により適
性圧力に設定された気体を、フィルタ10を通してゴミ
を取り除き、気体導入口6から導き試料交換室2を大気
圧にする。ところが交換室内2での搬送機構3等の機械
的な動き等によりゴミが発生し、試料交換室2の下部に
溜っていたゴミが、導入された気体により舞い上げられ
、試料交換室2内にsl[されている搬送機構3上のウ
ェハ4上に描画されている回路パターンに付着する。そ
こで気体導入時に調圧弁を取り付けてゆっくりと気体を
導入することも考えられるが、試料交換室2が大気圧に
なるまで多くの時間を必要とする。
[発明が解決しようとする課題] 第2図に示す従来装置においては、気体導入時にゴミが
舞い上がり、ウェハ上の回路パターンに付着するため、
従来例で述べたように断線、ショート等の原因となり、
半導体製品の歩留まりに大きな影響を与えている。
本発明は、このような問題を解決して、歩留まりを良く
し精度の高い半導体製品を製造することを目的とするも
のである。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成するため、本発明の試料等の汚染
防止装置は、荷電粒子線装置等の試料室にエアーロック
弁を介して連通した試料交換室に、フィルタを介して高
圧気体源に接続された気体導入口と、真空ポンプ等と連
通する排気口と、搬送機構が取付けられた装置において
、前記搬送機構の上部にファンと、ファンを駆動させる
手段と、前記ファンの上部に前記気体導入口を設けたこ
とにより、気体をファンを通して搬送機構上の試料に吹
き付けるようにしたことを特徴としている。
[作用] 気体導入口から試料交換室に導入された気体をファンに
より撹拌しなからウェハ上に吹き付けるようにしたため
、これにより試料交換室の下部に溜まっているゴミを舞
い上げることがなくなった。
[実施例] 以下本発明の実施例を添附図面に基づいて詳述する。第
1図は、本発明の一実施例装置の要部を示す断面図であ
る。尚、第1図中で第2図で用いた数字と同じ数字の付
されたものは同じ構成要素を示している。
第1図の装置が第2図の装置と異なっているところは、
搬送機構3と対向した位置に気体導入口6を設け、搬送
機構3と気体導入口6との間にモーター等の駆動手段1
4によって回転するファン13を設け、導入した気体を
ファン13を通して搬送機構3上のウェハ4の表面に吹
き付けるようにしたことである。
第1図の装置において1、図示しない試料室内にウェハ
4に対する描画作業が完了すると、搬送機構3によりウ
ェハ4を試料交換室2に戻す。次に真空弁7を閉じ真空
ポンプ8による排気を遮断した後、リーク弁9を開き高
圧気体源12から減圧弁11により適性圧力に設定し、
フィルタ1oを通してゴミを取り除いた気体を、気体導
入口6から試料交換室2に導入する。この導入した気体
を駆動手段14によって回転しているファン13により
撹拌しなからウェハ4上で均一に拡散させる。
その結果比較的高速で気体を導入しても試料交換室の下
部に溜まっているゴミを舞い上げることが抑止され、ウ
ェハ4表面は清浄に保たれる。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明による試料等の汚染防止装
置を用いることにより、比較的短時間に気体を導入して
も試料交換室下部に溜まっているゴミが舞い上がって、
ウェハ上の回路パターンに付着することが抑制され、半
導体製品の歩留まりが非常に良くなった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例装置を示す断面図、第2図は
従来装置の要部を示す断面図である。 1:エアーロック弁   2:試料交換室3:搬送機構
      4:ウエハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 荷電粒子線装置等の試料室にエアーロック弁を介して連
    通した試料交換室に、フィルタを介して高圧気体源に接
    続された気体導入口と、真空ポンプ等と連通する排気口
    と、試料の搬送機構が取付けられた装置において、前記
    搬送機構の上部にファンと、ファンを駆動させる手段と
    、前記ファンの上部に前記気体導入口を設けたことによ
    り、気体をファンを通して搬送機構上の試料に吹き付け
    るようにしたことを特徴とする試料等の汚染防止装置。
JP21246789A 1989-08-18 1989-08-18 試料等の汚染防止装置 Pending JPH0376214A (ja)

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JPH0376214A true JPH0376214A (ja) 1991-04-02

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ID=16623129

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002309685A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Joto Techno Co Ltd 床下換気工法用の水切り材
KR100706930B1 (ko) * 2003-10-30 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

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KR100706930B1 (ko) * 2003-10-30 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

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