JP3038285B2 - 減圧処理装置 - Google Patents
減圧処理装置Info
- Publication number
- JP3038285B2 JP3038285B2 JP5291209A JP29120993A JP3038285B2 JP 3038285 B2 JP3038285 B2 JP 3038285B2 JP 5291209 A JP5291209 A JP 5291209A JP 29120993 A JP29120993 A JP 29120993A JP 3038285 B2 JP3038285 B2 JP 3038285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- atmospheric gas
- gas
- pressure
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置、ドライエ
ッチング装置、Ｘ線露光装置等の減圧雰囲気を必要とす
る各種装置に用いられる減圧処理装置に関するものであ
る。
ッチング装置、Ｘ線露光装置等の減圧雰囲気を必要とす
る各種装置に用いられる減圧処理装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ装置、ドライエッチング装
置、Ｘ線露光装置等の半導体製造装置は、半導体素子の
高集積化やパターンの微細化にともなって、精度や歩留
りのより一層の向上が要請されている。特に、歩留り向
上の要請に答えるためには塵埃等の微小異物が混在しな
い清浄な雰囲気気体中に配設する必要があるため、前記
半導体製造装置をクリーンルーム中に配設した上で、前
記半導体製造装置の内部を減圧雰囲気においている。
置、Ｘ線露光装置等の半導体製造装置は、半導体素子の
高集積化やパターンの微細化にともなって、精度や歩留
りのより一層の向上が要請されている。特に、歩留り向
上の要請に答えるためには塵埃等の微小異物が混在しな
い清浄な雰囲気気体中に配設する必要があるため、前記
半導体製造装置をクリーンルーム中に配設した上で、前
記半導体製造装置の内部を減圧雰囲気においている。
【０００３】また、図５に示すイオンエッチング装置
は、減圧雰囲気におかけるチャンバ２０１と、チャンバ
２０１の図示下方に連通されたチャンバ２０１を真空吸
引するための真空ポンプ２０５が真空制御バルブ２０４
を介在された真空管路２０６と、チャンバ２０１の図示
上方に配設された反応ガスをダウンフローに吹出すため
のガス吹出口２０８と、ガス吹出口２０８に反応ガスを
供給するための図示しない反応ガス供給源に連通された
給気制御バルブ２０７が介在された供給管路２０９とを
備え、チャンバ２０１内にはウエハＷ0 を支持するウエ
ハ載置台２０２およびこれに対向する電極２０３が配設
されている。
は、減圧雰囲気におかけるチャンバ２０１と、チャンバ
２０１の図示下方に連通されたチャンバ２０１を真空吸
引するための真空ポンプ２０５が真空制御バルブ２０４
を介在された真空管路２０６と、チャンバ２０１の図示
上方に配設された反応ガスをダウンフローに吹出すため
のガス吹出口２０８と、ガス吹出口２０８に反応ガスを
供給するための図示しない反応ガス供給源に連通された
給気制御バルブ２０７が介在された供給管路２０９とを
備え、チャンバ２０１内にはウエハＷ0 を支持するウエ
ハ載置台２０２およびこれに対向する電極２０３が配設
されている。
【０００４】このイオンエッチング装置は、ウエハＷ0
をウエハ載置台２０２によって保持し、真空ポンプ２０
５によって所定の圧力まで真空引きを行ったのち、ガス
吹出口２０８より反応ガスをダウンフローで供給しつつ
電極２０３によって前記反応ガスをイオン化してウエハ
Ｗ0 のイオンエッチングを行うものである。
をウエハ載置台２０２によって保持し、真空ポンプ２０
５によって所定の圧力まで真空引きを行ったのち、ガス
吹出口２０８より反応ガスをダウンフローで供給しつつ
電極２０３によって前記反応ガスをイオン化してウエハ
Ｗ0 のイオンエッチングを行うものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術のうち、半導体製造装置をクリーンルームと同
様な構成で配設するものは、ダウンフローに用いるガス
の消費量および排気能力の大きい真空ポンプが必要にな
るためイニシャルコストおよびランニングコストが高く
なってしまう。一方、前記イオンエッチング装置では、
真空引き初期は排気速度を低速とし、所定の真空度に到
達後排気速度を高速とすることでチャンバの底部に堆積
したごみ等の舞い上がりをある程度防止できるものの、
根本的にはチャンバ内のごみ等の微小異物を取り除くこ
とができないという問題点があった。
来の技術のうち、半導体製造装置をクリーンルームと同
様な構成で配設するものは、ダウンフローに用いるガス
の消費量および排気能力の大きい真空ポンプが必要にな
るためイニシャルコストおよびランニングコストが高く
なってしまう。一方、前記イオンエッチング装置では、
真空引き初期は排気速度を低速とし、所定の真空度に到
達後排気速度を高速とすることでチャンバの底部に堆積
したごみ等の舞い上がりをある程度防止できるものの、
根本的にはチャンバ内のごみ等の微小異物を取り除くこ
とができないという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、雰囲気気体の減圧雰囲
気におかれるチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空
間部に、微小異物の混在しない局所的な清浄空間を形成
することができる減圧処理装置を実現することを目的と
するものである。
に鑑みてなされたものであって、雰囲気気体の減圧雰囲
気におかれるチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空
間部に、微小異物の混在しない局所的な清浄空間を形成
することができる減圧処理装置を実現することを目的と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の減圧処理装置は、減圧自在なチャンバ
と、前記チャンバを減圧するための真空発生源と、前記
チャンバに雰囲気気体を供給するための雰囲気気体の給
気手段を備えた減圧処理装置であって、少なくとも１個
ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲気気体の循環系
を前記チャンバ内に配設するとともに、前記循環系に、
前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引して前記吹出口よ
り吹出させるための気流発生手段および前記雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段を設けたことを特徴とす
るものである。
めに、本発明の減圧処理装置は、減圧自在なチャンバ
と、前記チャンバを減圧するための真空発生源と、前記
チャンバに雰囲気気体を供給するための雰囲気気体の給
気手段を備えた減圧処理装置であって、少なくとも１個
ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲気気体の循環系
を前記チャンバ内に配設するとともに、前記循環系に、
前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引して前記吹出口よ
り吹出させるための気流発生手段および前記雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段を設けたことを特徴とす
るものである。
【０００８】
【作用】チャンバ内の雰囲気気体は、吸込口より吸込ま
れ、温調手段により所定の温度に温度調節されるととも
に清浄化手段によって清浄化されて吹出口よりチャンバ
内へ吹出されるため、少なくとも１個ずつの吸込口およ
び吹出口をチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空間
部に配設しておくことにより、局所的に清浄な空間部を
形成することができる。
れ、温調手段により所定の温度に温度調節されるととも
に清浄化手段によって清浄化されて吹出口よりチャンバ
内へ吹出されるため、少なくとも１個ずつの吸込口およ
び吹出口をチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空間
部に配設しておくことにより、局所的に清浄な空間部を
形成することができる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１０】図１は、本発明に係る減圧処理装置の第１
実施例であるＸ線露光装置の説明図である。
実施例であるＸ線露光装置の説明図である。
【００１１】本実施例のＸ線露光装置は、図１に示すよ
うに、ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気におか
れるチャンバ１および該チャンバ１にゲート弁１３を介
在させた通路によって接続されたロードロックチャンバ
７を有し、チャンバ１内にはビームダクト２７から導入
されたＸ線３０の光路に沿ってビームダクト側から順次
マスク２９を支持する図示しないマスクステージ、基板
であるウエハＷを保持して位置決めするためのウエハ載
置台５が配設されており、ウエハ載置台５とロードロッ
クチャンバ７の間にはロードロックチャンバ７内のウエ
ハキャリア１１からウエハ載置台５へウエハＷの受渡し
を行う搬送ロボット６が配設されている。また、チャン
バ１の一壁面には、排気制御弁３を介在させた排気管路
４によって真空発生源である排気量の大きな真空ポンプ
２が連通されており、これに対向する他の壁面には雰囲
気気体の給気手段であるヘリウムガスを導入するための
給気制御弁２５を介在させた給気管路２６が連通されて
いる。
うに、ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気におか
れるチャンバ１および該チャンバ１にゲート弁１３を介
在させた通路によって接続されたロードロックチャンバ
７を有し、チャンバ１内にはビームダクト２７から導入
されたＸ線３０の光路に沿ってビームダクト側から順次
マスク２９を支持する図示しないマスクステージ、基板
であるウエハＷを保持して位置決めするためのウエハ載
置台５が配設されており、ウエハ載置台５とロードロッ
クチャンバ７の間にはロードロックチャンバ７内のウエ
ハキャリア１１からウエハ載置台５へウエハＷの受渡し
を行う搬送ロボット６が配設されている。また、チャン
バ１の一壁面には、排気制御弁３を介在させた排気管路
４によって真空発生源である排気量の大きな真空ポンプ
２が連通されており、これに対向する他の壁面には雰囲
気気体の給気手段であるヘリウムガスを導入するための
給気制御弁２５を介在させた給気管路２６が連通されて
いる。
【００１２】また、ロードロックチャンバ７の一壁面に
は、真空発生源である真空ポンプ８が排気制御弁９を介
在させた排気管路１０によって連通されており、これに
対向する他の壁面にはヘリウムガスを導入するための給
気制御弁１２を介在させた給気管路１２ａが連通されて
いる。
は、真空発生源である真空ポンプ８が排気制御弁９を介
在させた排気管路１０によって連通されており、これに
対向する他の壁面にはヘリウムガスを導入するための給
気制御弁１２を介在させた給気管路１２ａが連通されて
いる。
【００１３】さらに、チャンバ１内には、一端側に吹出
口２２を有し、他端側に吸込口２１を有するダクト２０
を備えるとともに、ダクト２０の吸込口２１の近傍に配
設されたダクト内へ雰囲気気体を吸込んで吹出口２２よ
り吹出させるための気流発生手段であるファン１９と、
ダクト２０の吹出口２２の近傍に配設された雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段であるフィルタ２３とを
備えた循環系が配設されている。
口２２を有し、他端側に吸込口２１を有するダクト２０
を備えるとともに、ダクト２０の吸込口２１の近傍に配
設されたダクト内へ雰囲気気体を吸込んで吹出口２２よ
り吹出させるための気流発生手段であるファン１９と、
ダクト２０の吹出口２２の近傍に配設された雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段であるフィルタ２３とを
備えた循環系が配設されている。
【００１４】本実施例において、吹出口２２を搬送ロボ
ット６の搬送経路の上方やウエハ載置台の上方に配設
し、吸込口をこれらの近傍に配設しておくことにより、
清浄化された雰囲気気体の気流を発生させることができ
る。つまり、吸込口および吹出口をチャンバ内の清浄な
雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体の
気流を発生するように配設する。この場合、前記気流が
ダウンフローとなるようにするとよい。
ット６の搬送経路の上方やウエハ載置台の上方に配設
し、吸込口をこれらの近傍に配設しておくことにより、
清浄化された雰囲気気体の気流を発生させることができ
る。つまり、吸込口および吹出口をチャンバ内の清浄な
雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体の
気流を発生するように配設する。この場合、前記気流が
ダウンフローとなるようにするとよい。
【００１５】本実施例においては、ダクト２０のファン
１９の下流側近傍から分岐してチャンバ１の外部へ突出
する分岐ダクト２４が設けられており、該分岐ダクト２
４は気流制御弁１８を介在させた管路１８ａにより真空
発生源である排気量の小さい真空ポンプ１６に接続され
た三方弁１７の一つのポートに接続されている。三方弁
１７の他のポートにはチャンバ１内の圧力を検出する圧
力計１４によって制御される圧力制御弁１５を介在させ
た管路１５ａ一端側が接続されており、該管路１５ａの
他端側はチャンバ１に連通されている。また、ダクト２
０には雰囲気気体の温調手段の熱交換器である冷却器４
０の蒸発器３１および再熱器３２がそれぞれダクト２０
内を吸出口２２へ向けて流れる雰囲気気体と熱交換でき
るように配設されている。
１９の下流側近傍から分岐してチャンバ１の外部へ突出
する分岐ダクト２４が設けられており、該分岐ダクト２
４は気流制御弁１８を介在させた管路１８ａにより真空
発生源である排気量の小さい真空ポンプ１６に接続され
た三方弁１７の一つのポートに接続されている。三方弁
１７の他のポートにはチャンバ１内の圧力を検出する圧
力計１４によって制御される圧力制御弁１５を介在させ
た管路１５ａ一端側が接続されており、該管路１５ａの
他端側はチャンバ１に連通されている。また、ダクト２
０には雰囲気気体の温調手段の熱交換器である冷却器４
０の蒸発器３１および再熱器３２がそれぞれダクト２０
内を吸出口２２へ向けて流れる雰囲気気体と熱交換でき
るように配設されている。
【００１６】冷却器４０は、圧縮器３３、凝縮器３４、
受液器３５、膨張弁３６、蒸発器３１からなる公知のも
のであって蒸発器３１以外はチャンバ１の外部に配設さ
れている。
受液器３５、膨張弁３６、蒸発器３１からなる公知のも
のであって蒸発器３１以外はチャンバ１の外部に配設さ
れている。
【００１７】ここで、本実施例の動作について説明す
る。
る。
【００１８】（１）ゲート弁１３を閉鎖した状態でチャ
ンバ１およびロードロックチャンバ７をそれぞれ所定の
圧力となるまで各真空ポンプ２，８で排気したのち、各
給気制御弁２５，１２を開いてヘリウムガスを所定量導
入してチャンバ１内をヘリウムガスでガス置換したの
ち、各給気制御弁２５，１２を閉鎖する。
ンバ１およびロードロックチャンバ７をそれぞれ所定の
圧力となるまで各真空ポンプ２，８で排気したのち、各
給気制御弁２５，１２を開いてヘリウムガスを所定量導
入してチャンバ１内をヘリウムガスでガス置換したの
ち、各給気制御弁２５，１２を閉鎖する。
【００１９】（２）上記（１）ののち、ファン１９をフ
ァンコントローラ１９ａによって駆動して吸込口２１よ
り搬送ロボット６やウエハ載置台５の近傍のヘリウムガ
スをダクト２０内へ吸込み、この吸込んだヘリウムガス
を蒸発器３１との熱交換により冷却するとともに再熱器
３２で再加熱して所定の温度に温度調節し、ついでフィ
ルタ２３で清浄化したのち、吹出口２２からチャンバ１
内へ吹出す。
ァンコントローラ１９ａによって駆動して吸込口２１よ
り搬送ロボット６やウエハ載置台５の近傍のヘリウムガ
スをダクト２０内へ吸込み、この吸込んだヘリウムガス
を蒸発器３１との熱交換により冷却するとともに再熱器
３２で再加熱して所定の温度に温度調節し、ついでフィ
ルタ２３で清浄化したのち、吹出口２２からチャンバ１
内へ吹出す。
【００２０】この場合、チャンバ１内に配設された温度
センサ２８によりチャンバ１内の温度をモニタして温度
コントローラ３９によって予め設定した設定温度となる
ように冷却器コントローラ３７および再熱器コントロー
ラ３８へ指令を出し、蒸発器３１による冷却温度および
再熱器３２による加熱温度の少なくとも一方を制御する
ことでヘリウムガスの温度調節が行われる。この状態
で、ゲート弁１３を開き、ウエハキャリア１１からウエ
ハＷを搬送ロボット６によって保持してウエハ載置台５
に受渡したのちゲート弁１３を閉鎖しておく。
センサ２８によりチャンバ１内の温度をモニタして温度
コントローラ３９によって予め設定した設定温度となる
ように冷却器コントローラ３７および再熱器コントロー
ラ３８へ指令を出し、蒸発器３１による冷却温度および
再熱器３２による加熱温度の少なくとも一方を制御する
ことでヘリウムガスの温度調節が行われる。この状態
で、ゲート弁１３を開き、ウエハキャリア１１からウエ
ハＷを搬送ロボット６によって保持してウエハ載置台５
に受渡したのちゲート弁１３を閉鎖しておく。
【００２１】（３）上記（２）ののち、三方弁１７を切
換えて真空ポンプ１６と分岐ダクト２０ａとを連通させ
ることによりダクト２０を介して吸込口２１および吹出
口２２よりチャンバ１内のヘリウムガスを吸引して、チ
ャンバ１内のヘリウムガスの圧力を所定の圧力に減圧す
るが、この排気系はコンダクタンスが大きく急激に排気
されることがないため、ゴミ等の微小異物が舞上げられ
ることがない。チャンバ１内が所定の圧力に減圧された
ら、排気制御弁３を開き、排気量の大きな真空ポンプ２
によって急激に排気を行い、ガス置換に必要な圧力に達
したら排気制御弁３および気流制御弁１８を閉鎖し、給
気制御弁２５を開いてヘリウムガスを露光時に要求され
る圧力になるまで導入する。このとき、ファン１９、冷
却器４０および再熱器３２を作動させることによって吸
込口２１によりチャンバ１内のヘリウムガスをダクト２
０内へ吸込み、該ヘリウムガスの冷却および再加熱を行
って所定の温度に温度調節するとともにフィルタ２３で
清浄化したのち、吹出口２２よりチャンバ１内に吹出し
て循環させる。
換えて真空ポンプ１６と分岐ダクト２０ａとを連通させ
ることによりダクト２０を介して吸込口２１および吹出
口２２よりチャンバ１内のヘリウムガスを吸引して、チ
ャンバ１内のヘリウムガスの圧力を所定の圧力に減圧す
るが、この排気系はコンダクタンスが大きく急激に排気
されることがないため、ゴミ等の微小異物が舞上げられ
ることがない。チャンバ１内が所定の圧力に減圧された
ら、排気制御弁３を開き、排気量の大きな真空ポンプ２
によって急激に排気を行い、ガス置換に必要な圧力に達
したら排気制御弁３および気流制御弁１８を閉鎖し、給
気制御弁２５を開いてヘリウムガスを露光時に要求され
る圧力になるまで導入する。このとき、ファン１９、冷
却器４０および再熱器３２を作動させることによって吸
込口２１によりチャンバ１内のヘリウムガスをダクト２
０内へ吸込み、該ヘリウムガスの冷却および再加熱を行
って所定の温度に温度調節するとともにフィルタ２３で
清浄化したのち、吹出口２２よりチャンバ１内に吹出し
て循環させる。
【００２２】（４）上記（３）ののち、給気制御弁２５
を絞ってヘリウムガスの給気量を減少させるとともに三
方弁１７を切換えて圧力制御弁１５を介在させた管路１
５ａと真空ポンプ１６とを連通させ、圧力計１４でチャ
ンバ１内の圧力をモニタしつつ圧力制御弁１５を制御す
ることによってチャンバ１内を所定の減圧雰囲気に制御
する。
を絞ってヘリウムガスの給気量を減少させるとともに三
方弁１７を切換えて圧力制御弁１５を介在させた管路１
５ａと真空ポンプ１６とを連通させ、圧力計１４でチャ
ンバ１内の圧力をモニタしつつ圧力制御弁１５を制御す
ることによってチャンバ１内を所定の減圧雰囲気に制御
する。
【００２３】図２は、本発明に係る減圧処理装置の第２
実施例であるＸ線露光装置の説明図である。
実施例であるＸ線露光装置の説明図である。
【００２４】本実施例は、ファンコントローラ１０６お
よび排気制御弁１０３にインターロック回路１２０を付
加するとともに、チャンバ１０１の外部から蒸発器１０
９、再熱器１１２およびフィルタ１１６の交換等ができ
るように、チャンバ１０１のそれぞれの部位にそれぞれ
開口部１０１ａ，１０１ｃ，１０１ｅを設け、各開口部
にカバー１０１ｂ，１０１ｄ，１０１ｆを着脱自在に設
けた点が、上記第１実施例と異なる。しかしその他の基
本的構成は上記第１実施例と同様であるので、その説明
は省略する。
よび排気制御弁１０３にインターロック回路１２０を付
加するとともに、チャンバ１０１の外部から蒸発器１０
９、再熱器１１２およびフィルタ１１６の交換等ができ
るように、チャンバ１０１のそれぞれの部位にそれぞれ
開口部１０１ａ，１０１ｃ，１０１ｅを設け、各開口部
にカバー１０１ｂ，１０１ｄ，１０１ｆを着脱自在に設
けた点が、上記第１実施例と異なる。しかしその他の基
本的構成は上記第１実施例と同様であるので、その説明
は省略する。
【００２５】本実施例のインターロック回路１２０は、
圧力計１２１によってチャンバ１０１内の圧力および排
気制御弁１０３の開度をモニタし、チャンバ１０１内の
圧力が所定の圧力以下になったときにファンコントロー
ラ１０６、冷却器コントローラ１１１および再熱器コン
トローラ１１３に信号を送り、ファン１０５および再熱
器１１２の動作を停止させることによって、過熱等を防
止して信頼性を向上させることができる。
圧力計１２１によってチャンバ１０１内の圧力および排
気制御弁１０３の開度をモニタし、チャンバ１０１内の
圧力が所定の圧力以下になったときにファンコントロー
ラ１０６、冷却器コントローラ１１１および再熱器コン
トローラ１１３に信号を送り、ファン１０５および再熱
器１１２の動作を停止させることによって、過熱等を防
止して信頼性を向上させることができる。
【００２６】次に、本発明に係るＸ線露光装置を用いた
半導体デバイスの製造方法について説明する。
半導体デバイスの製造方法について説明する。
【００２７】図３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ
１１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップＳ１２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ
１３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップＳ１４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップＳ１５（組立）は後工程
と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ１６（検
査）ではステップＳ１５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップＳ１７）される。
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ
１１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップＳ１２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ
１３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップＳ１４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップＳ１５（組立）は後工程
と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ１６（検
査）ではステップＳ１５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップＳ１７）される。
【００２８】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ２６（露光）では上記説明したＸ線露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップＳ２７（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップＳ２８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レ
ジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
を示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ２６（露光）では上記説明したＸ線露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップＳ２７（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップＳ２８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レ
ジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
【００２９】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３０】雰囲気気体の減圧雰囲気におかれるチャン
バ内に、局所的に清浄な空間を形成することができると
ともに、チャンバ内にある浮遊ゴミや堆積物等の微小異
物を清浄化手段によって回収除去することができる。
バ内に、局所的に清浄な空間を形成することができると
ともに、チャンバ内にある浮遊ゴミや堆積物等の微小異
物を清浄化手段によって回収除去することができる。
【００３１】また、吸込口と吹出口を設けた循環系をチ
ャンバ内に配置しておくことによって、前記循環系の機
械的強度を大きく設定しておく必要性がない上、循環系
から雰囲気気体が漏れることがあってもチャンバ外へ漏
れることがない。
ャンバ内に配置しておくことによって、前記循環系の機
械的強度を大きく設定しておく必要性がない上、循環系
から雰囲気気体が漏れることがあってもチャンバ外へ漏
れることがない。
【００３２】さらに、請求項６に係る発明は、上記効果
に加えて、気流発生手段や温調手段の過熱等が防止され
るために、信頼性が向上する。
に加えて、気流発生手段や温調手段の過熱等が防止され
るために、信頼性が向上する。
【図１】本発明に係る減圧処理装置の第１実施例のＸ線
露光装置の説明図である。
露光装置の説明図である。
【図２】本発明に係る減圧処理装置の第２実施例のＸ線
露光装置の説明図である。
露光装置の説明図である。
【図３】半導体デバイスの製造工程を示すシーケンス図
である。
である。
【図４】ウエハプロセスを示すシーケンス図である。
【図５】従来のイオンエッチング装置の説明図である。
１，１０１ チャンバ ２，８，１６，１０２ 真空ポンプ ３，９，１０３ 排気制御弁 ４，１０，１０４ 排気管路 ５，１０５ ウエハ載置台 ６ 搬送ロボット ７ ロードロックチャンバ １１ ウエハキャリア １２，２５，１１８ 給気制御弁 １３ ゲート弁 １４，１２１ 圧力計 １５ 圧力制御弁 １７ 三方弁 １８ 気流制御弁 １９，１０５ ファン １９ａ，１０６ ファンコントローラ ２０，１１５ ダクト ２１，１０７ 吸込口 ２２，１０８ 吹出口 ２３，１１６ フィルタ ２４ 分岐ダクト ２７ ビームダクト ２８，１１９ 温度センサ ２９ マスク ３０ Ｘ線 ３１，１０９ 蒸発器 ３２，１１２ 再熱器 ３３ 圧縮器 ３４ 凝縮器 ３５ 受液器 ３６ 膨張弁 ３７，１１１ 冷却器コントローラ ３８，１１３ 再熱器コントローラ ３９，１１４ 温度コントローラ ４０，１１０ 冷却器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−233717（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−316313（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−45377（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280625（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90133（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 G03F 7/20 521 H01L 21/027 H01L 21/3065 H01L 21/31
Claims (6)
- 【請求項１】 減圧自在なチャンバと、前記チャンバを
減圧するための真空発生源と、前記チャンバに雰囲気気
体を供給するための雰囲気気体の給気手段を備えた減圧
処理装置であって、 少なくとも１個ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲
気気体の循環系を前記チャンバ内に配設するとともに、
前記循環系に、前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引し
て前記吹出口より吹出させるための気流発生手段および
前記雰囲気気体を清浄化するための清浄化手段を設けた
ことを特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項２】 清浄化手段がフィルタであることを特徴
とする請求項１記載の減圧処理装置。 - 【請求項３】 吸込口および吹出口がチャンバ内の清浄
な雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体
のダウンフローを発生するように配設されたことを特徴
とする請求項１または２記載の減圧処理装置。 - 【請求項４】 雰囲気気体の循環系が、雰囲気気体を所
定の温度にするための温調手段を備えたことを特徴とす
る請求項１乃至３いずれか１項記載の減圧処理装置。 - 【請求項５】 温調手段は、雰囲気気体との熱交換を行
うための熱交換器のみがチャンバ内に配設されたことを
特徴とする請求項４記載の減圧処理装置。 - 【請求項６】 チャンバ内が所定の圧力以下になったと
きに気流発生手段および温調手段を停止させるインター
ロック回路を備えたことを特徴とする請求項１乃至５い
ずれか１項記載の減圧処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291209A JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291209A JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122505A JPH07122505A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3038285B2 true JP3038285B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17765881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5291209A Expired - Fee Related JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3038285B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1030351A1 (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP5291209A patent/JP3038285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122505A (ja) | 1995-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7148955B2 (en) | Temperature adjusting system and exposure apparatus incorporating the same | |
| KR100241953B1 (ko) | 반도체디바이스제조용 처리장치 | |
| US7276097B2 (en) | Load-lock system, exposure processing system, and device manufacturing method | |
| JP4560182B2 (ja) | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11312640A (ja) | 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法 | |
| JP2004311940A (ja) | 基板移送モジュールの汚染を制御することができる基板処理装置及び方法 | |
| JPH0926176A (ja) | 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JP2001076998A (ja) | 基板管理方法及び半導体露光装置 | |
| KR100588935B1 (ko) | 웨이퍼처리방법 및 웨이퍼처리장치 | |
| US8794896B2 (en) | Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit | |
| JP3590328B2 (ja) | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム | |
| JPH11274024A (ja) | 処理液供給装置及び処理液供給方法 | |
| JP3038285B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| US20020006577A1 (en) | Apparatus and method for coating treatment | |
| US6598316B2 (en) | Apparatus to reduce contaminants from semiconductor wafers | |
| JP3559219B2 (ja) | 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法 | |
| JP3202954B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
| JP2001135702A (ja) | 基板搬送装置および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 | |
| US6990173B1 (en) | Positioning apparatus, atmosphere substituting method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPH11224848A (ja) | 露光装置およびディバイス製造方法 | |
| JPH1097962A (ja) | 処理装置及び処理システム | |
| JP2003124283A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH09283419A (ja) | 減圧チャンバおよびこれを用いた露光装置 | |
| JP2001023892A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002260996A (ja) | 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |