JPH11274024A - 処理液供給装置及び処理液供給方法 - Google Patents

処理液供給装置及び処理液供給方法

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JPH11274024A
JPH11274024A JP10090761A JP9076198A JPH11274024A JP H11274024 A JPH11274024 A JP H11274024A JP 10090761 A JP10090761 A JP 10090761A JP 9076198 A JP9076198 A JP 9076198A JP H11274024 A JPH11274024 A JP H11274024A
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carrier gas
mist
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wafer
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Koji Harada
浩二 原田
Fumihiko Kono
史彦 河野
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Tokyo Electron Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液供給装置の稼働停止後に処理を再開す
る際にも，基板に処理液の蒸気またはミストを均一に供
給可能な処理液供給装置とその方法を提供する。 【解決手段】 処理室１５とタンク３１とを接続する供
給管３５に，搬送ガス供給源３３からの搬送ガスを流す
分岐供給管４０と，一端がエゼクタ２３に接続する分岐
排気管４１とを各々設ける。供給管３５にバルブ３８，
３９，４３を，分岐供給管４０にバルブ４２を，分岐排
気管４１にバルブ４５を夫々介装する。処理液供給装置
３０の停止後に処理を再開させる場合，バルブ３７，３
９，４３を閉鎖して搬送ガスを分岐供給管４０から供給
管３５に流入させる。同時にエゼクタ２３を稼働させ
て，この搬送ガスを分岐排気管４１から排気する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板に対して処理
液の蒸気またはミストを供給する処理液供給装置及び処
理液供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェ
ハ」と称する。）等の基板に対して処理液を供給する処
理液供給装置が使用されている。このうち，ウェハとレ
ジストとの定着性を向上させる疎水化処理では，ヘキサ
メチルジシラザン（以下，「ＨＭＤＳ」と称する。）が
処理液として使用されている。
【０００３】かかる疎水化処理においては処理を均一に
行うために，ＨＭＤＳをウェハに対して均一に供給する
必要がある。そのため従来より，先ず液体のＨＭＤＳを
蒸気またはミスト状にした後，これを例えば窒素ガス等
の搬送ガスによって管路を通じて処理室内のウェハに供
給している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，処理液
供給装置自体が，例えば非常停止する等の理由により長
時間稼働を停止した場合には，ＨＭＤＳの蒸気やミスト
が管路内に滞留したままの状態となる。そして，管路内
に滞留したＨＭＤＳの蒸気またはミストは時間の経過と
共に粒径の大きいミスト状態になる。
【０００５】このような状態でそのままウェハの疎水化
処理を再開させた場合には，粒径の大きいミストが処理
室内のウェハに供給されてしまう。その結果，ウェハの
表面にＨＭＤＳの蒸気またはミストを均一に供給するこ
とができなくなるおそれが生じる。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，そのように長時間処理液供給装置を停止した後に
処理を再開させる場合にも，処理液の蒸気やミストを基
板に対して均一に供給することが可能な新しい処理液供
給装置及び処理液供給方法を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１に記載の処理液供給装置は，処理室内の基
板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミストを搬
送ガスを用いて供給する装置において，前記管路には搬
送ガスのみを供給する供給管と，前記管路内の雰囲気を
処理室を迂回して排気するための排気管とが接続された
ことを特徴としている。
【０００８】かかる構成によれば，管路内に供給管から
搬送ガスを供給すると共に，管路内の雰囲気を処理室を
迂回して排気管から排気することが可能となる。従っ
て，例えば処理液による粒径の大きなミストが管路内に
存在しても，これを処理室に送ることなく排気すること
ができる。従って，長時間処理液供給装置が停止した後
に処理を再開させる場合にも，基板に対して処理液を均
一に供給することが可能となる。
【０００９】請求項２に記載の処理液供給方法は，処理
室内の基板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミ
ストを搬送ガスを用いて供給する方法において，処理液
の蒸気またはミストを供給する装置が停止した後に，当
該装置による処理の再開に先だって，一旦，管路内に搬
送ガスのみを供給して当該管路内の雰囲気を処理室を迂
回して排気させる工程を有することを特徴としている。
【００１０】この請求項２に記載の処理液供給方法によ
れば，処理の再開に先立って管路内の雰囲気を搬送ガス
を利用して排気することができる。従って，管路内に例
えば処理液による粒径の大きなミストが存在していて
も，これを処理室に流入させることなく除去することが
可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態は，ウェハＷに対して一連のフォトリソグラフィ工程
を行うために塗布現像処理装置に組み込まれたアドヒー
ジョン装置に，ＨＭＤＳを供給する処理液供給装置とし
て具体化されている。
【００１２】図１に示すように，塗布現像処理装置１の
一端には，カセットステーション２が配置されている。
カセットステーション２には，例えばウェハＷを２５枚
単位で収納する複数個のカセットＣが載置自在であり，
カセットＣの正面側（ウェハＷの搬入出側）にはウェハ
Ｗの搬送及び位置決めを行うための主搬送装置３と，主
搬送装置３へとウェハＷを搬送する搬送機構４とがそれ
ぞれ備えられている。そしてウェハＷに対して，所定の
処理を施す各種の処理装置が主搬送装置３の搬送路５を
挟んで両側に配置されている。
【００１３】即ち，カセットＣから取り出されたウェハ
Ｗを洗浄するためのブラシスクラバ６，ウェハＷに対し
て高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置７，ウェハ
Ｗを所定の温度に冷却する冷却処理装置１０，ウェハＷ
を加熱する加熱処理装置１１，回転するウェハＷにレジ
スト膜を塗布するレジスト塗布装置１２，１２，ウェハ
Ｗに所定の現像処理を施す現像処理装置１３，１３，さ
らにウェハＷに疎水化処理を施すアドヒージョン装置１
４が搬送路５を挟んで配置されている。
【００１４】このアドヒージョン装置１４には図２に示
すように，処理室１５内部にウェハＷを加熱するための
加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台２０が備えられ
ている。また，処理室１５の底部にはこの処理室１５内
の雰囲気を排気するための排気管２１が接続されてお
り，この排気管２１にはバルブ２２を介してエゼクタ
（空気圧式真空装置）２３が接続されている。そしてエ
ゼクタ２３にはバルブ２４を介して駆動用の圧力空気を
供給する駆動空気供給管２５が接続されている。従っ
て，エゼクタ２３に駆動空気供給管２５を介して圧力空
気を供給することによって，処理室１５内部の雰囲気は
排気される。
【００１５】一方，本発明の実施の形態にかかる処理液
供給装置３０はＨＭＤＳ液を内部に貯えたタンク３１を
有している。このタンク３１の上部には，ＨＭＤＳ液供
給源（図示せず）からのＨＭＤＳ液をタンク３１内に供
給するための処理液供給管３２と，搬送ガス供給源３３
から供給された例えば窒素ガス等の搬送ガスをタンク３
１内に供給するための搬送ガス供給管３４と，タンク３
１内で気相化したＨＭＤＳ液の蒸気またはミストを供給
するための供給管３５との合計３本の供給管が接続され
ている。なお，処理液供給管３２にはバルブ３６が，搬
送ガス供給管３４にはバルブ３７が，供給管３５にはバ
ルブ３８及びバルブ３９がそれぞれ設けられており，バ
ルブ３８は供給管３５を吸気系に切換接続するために設
けられている。
【００１６】搬送ガス供給管３４にはタンク３１を迂回
して供給管３５に接続される分岐供給管４０が配管され
ている。また，エゼクタ２３と供給管３５との間には処
理室１５を迂回する分岐排気管４１が配管されている。
なお，分岐供給管４０にはバルブ４２，分岐排気管４１
にはバルブ４５が各々設けられている。
【００１７】本実施の形態にかかる処理液供給装置３０
は以上のように構成されている。次に，この処理液供給
装置３０の作用効果について説明する。
【００１８】主搬送装置３によってウェハＷがアドヒー
ジョン装置１４の載置台２０に載置されると，バルブ２
２，２４が開きエゼクタ２３に駆動空気供給管２５を介
して駆動用の圧力空気が送られる。そして処理室１５内
部の雰囲気をエゼクタ２３によって吸引排気して減圧す
る。
【００１９】処理室１５内部をエゼクタ２３によって排
気する間これと並行して，タンク３１内に搬送ガス供給
源３３からの搬送ガスを搬送ガス供給管３４を介して供
給する。なお，搬送ガス供給管３４に設けられたバルブ
３７の開き方を調整することによってタンク３１内に供
給する搬送ガスの流量を調節することができる。
【００２０】次いで，供給管３５に備えられたバルブ３
８を開くことにより，ＨＭＤＳの蒸気またはミストを搬
送ガスと共に供給管３５を介して処理室１５内に供給す
る。これにより，処理室１５内のウェハＷに対する所定
の疎水化処理が施される。
【００２１】ところで，かかる疎水化処理時における供
給管３５内部はＨＭＤＳの雰囲気で満たされている。従
って，例えば処理液供給装置３０が非常停止するなどし
てその稼働が長時間停止した際には，供給管３５内にＨ
ＭＤＳが粒径の大きなミスト状態で存在する場合があ
る。そして，この状態から疎水化処理をそのまま再開さ
せた場合には，当該粒径の大きなＨＭＤＳのミストが処
理室１５内のウェハＷに供給されてしまい，結果的にウ
ェハＷの表面にＨＭＤＳの蒸気またはミストが均一に供
給ができなくなるおそれが生じる。
【００２２】しかしながら本実施の形態では，処理液供
給装置３０の稼働が長時間停止した後にウェハＷに対す
る疎水化処理を再開する場合には，ウェハＷの疎水化処
理を行う前に先ず供給管３５に搬送ガスのみを供給し，
供給管３５内部の雰囲気を処理室１５を迂回して分岐排
気管４１から排出させることができる。
【００２３】即ち，バルブ４３，３７，３９を閉鎖して
バルブ４２，３８，４５を開放すると，供給管３５の内
部の雰囲気を処理室１５内に流入させることなく分岐排
気管４１から排気することができる。これにより，供給
管３５内部の大きなＨＭＤＳのミストは外部に排出さ
れ，搬送ガス雰囲気に置換された状態となる。
【００２４】その後，バルブ４２，４５を閉鎖し，バル
ブ３７，４３を開放して疎水化処理を再開する。従っ
て，再開直後でも粒径の大きなＨＭＤＳのミストは処理
室１５内には入らず，所定の疎水化処理が可能となる。
【００２５】なお，念のためにダミーウェハに対して一
旦，再開当初のＨＭＤＳの蒸気またはミストを供給し
て，これの濃度等を確認した後で疎水化処理を再開する
ようにしてもよい。
【００２６】その後，所定の疎水化処理が終了したウェ
ハＷは，再び主搬送装置３によって保持されて，次の冷
却処理のために冷却処理装置１０へ搬送される。
【００２７】以上のように，本実施の形態にかかる処理
液供給装置３０では疎水化処理を再開する際には，この
疎水化処理を行う前に供給管３５内部の雰囲気を搬送ガ
スにより処理室１５を迂回して外部に排出することがで
きる。そのため，供給管３５内に滞留したＨＭＤＳによ
る粒径の大きなミストがそのままウェハＷに対して供給
されることがなく，長時間アドヒージョン装置１４を停
止させた後で疎水化処理を再開させる場合にも，ＨＭＤ
Ｓの蒸気またはミストをウェハＷに対して均一に供給す
ることが可能となる。しかも，粒径の大きなＨＭＤＳの
ミストを排気する際に用いたのは，本来のＨＭＤＳ供給
用の搬送ガスであるから，格別専用のパージガス等を用
意する必要もない。
【００２８】なお，前記実施の形態ではエゼクタ２３で
供給管３５内部の雰囲気を排気するようにしていたが，
これに代えて供給管３５内部の雰囲気を図３に示すよう
に，バルブ４５からそのまま排気管７１を通じて外部に
排気するようにしてもよい。本発明の実施の形態では，
基板にウェハＷを用いた例を挙げて説明したが，本発明
はかかる例には限定されず，例えばＬＣＤ基板を使用す
る例についても適用することが可能である。
【００２９】
【発明の効果】請求項１〜２に記載の発明によれば，処
理液供給装置が長時間停止した後に疎水化処理を再開さ
せる場合，管路内に搬送ガスを流してこの管路内の雰囲
気を排出することができる。従って，処理再開直後に粒
径の大きな処理液の蒸気またはミストが基板に対して供
給されず，当該基板に対して処理液の蒸気またはミスト
を均一に供給することが可能となる。しかも，専用のパ
ージガスは不要である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる処理液供給装置を有する塗
布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】実施の形態にかかる処理液供給装置の構成を示
す説明図である。
【図３】他の実施の形態にかかる処理液供給装置の構成
を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置 １４ アドヒージョン装置 １５ 処理室 ３０ 処理液供給装置 ３５ 供給管 ４０ 分岐供給管 ４１ 分岐排気管 Ｗ ウェハ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室内の基板に対して管路を介して処
    理液の蒸気またはミストを搬送ガスを用いて供給する装
    置において，前記管路には搬送ガスのみを供給する供給
    管と，前記管路内の雰囲気を処理室を迂回して排気する
    ための排気管とが接続されたことを特徴とする，処理液
    供給装置。
  2. 【請求項２】 処理室内の基板に対して管路を介して処
    理液の蒸気またはミストを搬送ガスを用いて供給する方
    法において，処理液の蒸気またはミストを供給する装置
    が停止した後に，当該装置による処理の再開に先だっ
    て，一旦，管路内に搬送ガスのみを供給して当該管路内
    の雰囲気を処理室を迂回して排気させる工程を有するこ
    とを特徴とする，処理液供給方法。
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