KR100588935B1 - 웨이퍼처리방법 및 웨이퍼처리장치 - Google Patents

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Abstract

처리방법은, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지되고, 피처리체에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기를 포함하고, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되어 있는 처리장치를 이용한다. 상기 처리방법은, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과, 상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한다.

Description

웨이퍼처리방법 및 웨이퍼처리장치{WAFER PROCESSING METHOD AND WAFER PROCESSING SYSTEM}
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 처리장치의 개략블록도
도 2는 도 1에 표시한 처리장치에 있어서의 로드록실로부터 처리실까지 웨이퍼를 공급하는 처리방법을 설명하는 순서도
도 3은 도 1에 표시한 처리장치에 있어서의 로드록실로부터 처리실까지 웨이퍼를 공급하는 처리방법을 설명하는 순서도
도 4는 도 3의 변형예로서의 순서도
도 5는 도 1에 표시한 노광장치의 변형예로서의 EUV광학계를 표시한 도면
도 6은 디바이스(예를 들면, IC, LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조방법을 설명하는 순서도
도 7은 도 6에 표시한 스텝 4를 설명하는 상세한 순서도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 처리실 2: 로드록실
3: 내부게이트밸브 4: 외부게이트밸브
5: 압력센서 6: 배기라인
7: 배기밸브 8: 진공펌프
9: 공기밸브 10: 밸브
11: 헬륨순환장치 12: 헬륨공급라인
13: 헬륨회수라인 14: 헬륨공급수단
15: 헬륨공급라인 16: 헬륨도입밸브
17: 헬륨도입밸브 18: 헬륨유량제어기
19: 질소공급수단 20: 질소공급라인
21: 질소도입밸브 22: 질소유량제어기
23: 재활용헬륨공급라인 24: 재활용헬륨도입밸브
25: 재활용헬륨유량제어기 26: 웨이퍼캐리어
27, 28: 웨이퍼전송로봇 29: 노광장치의 주요부
30: 분위기해방밸브 31: 실(室)배기라인
32, 47: 배기밸브 33, 48, 49: 진공펌프
34: 청정실바닥 35: 지지부
36: 공장바닥 37: 베릴륨창
38, 42: 빔라인 39, 40: 바이패스라인
41: 게이트밸브 43: 고진공게이지
44: 차동압력센서 45: 절대압력센서.
본 발명은, 일반적으로 반도체노광장치 등에 이용되는 처리방법에 관한 것으로, 특히, 공기와 감압 또는 진공분위기간에 분위기를 치환하는 로드록실(laod lock chamber)에 대해서 분위기제어하는 것에 관한 것이다.
최근 싱크로트론방사를 이용하는 발전된 노광기술은, 반도체제조에 있어서 보다 미세처리에 대해 시도하고 있으나, 싱크로트론방사는 공기중 X선감쇄의 문제를 지닌다. 따라서, 이 문제에 대한 하나의 해결책으로서의 종래의 처리장치는, X선감쇄를 감소시키는 헬륨정화처리실에 노광장치의 주요부를 수용하고 있다.
이 처리장치는, 전형적으로, 공급부로서의 개소와 처리실사이에 웨이퍼를 반송하고, 공기와 감압 혹은 진공분위기간에 그의 분위기를 교체하는 로드록실을 포함한다. 이 로드록실은, 해당 로드록실과 상기 개소사이, 그리고 해당 로드록실과 상기 처리실사이에 게이트밸브를 구비한다. 상기 로드록실과 처리실사이에 있는 게이트밸브는, 웨이퍼가 상기 개소와 상기 로드록실사이에 반송될 경우 폐쇄되고, 상기 로드록실은 대기압으로 유지된다. 또, 상기 로드록실과 상기 개소사이에 있는 게이트밸브는, 웨이퍼가 상기 처리실과 로드록실사이에 반송될 경우 폐쇄되고, 상기 로드록실은 감압 혹은 진공분위기에 유지된다.
매 웨이퍼는, 로드록실에서 공기로부터 헬륨으로 분위기전환된 후, 처리실에 반송되어 노광되며, 노광후 로드록실로 귀환되고, 꺼내기 전에 로드록실내는 헬륨으로부터 공기로 분위기전환된다.
로드록실의 분위기가 헬륨으로 교체되기 전에, 로드록실은 일단 진공배기되고, 이어서, 웨이퍼가 처리실로 반송되면, 처리실과 동일한 압력으로 헬륨으로 충전하여 처리실내에 헬륨순도를 유지해야만 한다. 로드록실을 주위압력으로 복원 해서 노광된 웨이퍼를 꺼낼 때, 로드록실은 진공배기한 후, 헬륨이 회수, 정제 및 재활용(즉, 재순환)된 경우 주위압력에서 질소를 충전하거나 공기를 정화, 즉, 정제한다.
이와 같이 해서, 로드록실은 진공배기되면서, 갑작스런 압력강하에 의해 단열냉각이 일어나, 포화된 습윤압력을 낮춰, 로드록실이 젖을 때 이슬(즉, 물방울)을 형성한다. 예를 들면, 50%의 습도를 지닌 가스의 온도가 약 12℃까지 낮아지면, 습도는 100%로 되어 이슬을 형성한다. 또, 진공배기속도를 느리게 하는 방법, 단열냉각에 의해 강하된 온도를 보상하기 위해 진공배기하기 전에 따뜻한 가스를 도입하는 방법(예를 들면, 일본국 공개특허 제 2000-40669호 공보), 로드록실의 내부를 가열하는 방법 등의 웨이퍼의 오염을 방지하기 위한 응축방지수단이 몇몇개 제안되어 있다.
그러나, 로드록실의 느린 진공배기속도는 노광장치의 처리량(throughput)을 저하시키므로 바람직하지 않다. 또, 진공배기하기 전에 뜨거운 가스를 도입하는 방법이나, 로드록실을 가열하는 방법은, 온도제어된 처리실에 바람직하지 않은 열이 전달되어 그의 온도안정성을 해쳐서, 노광장치의 수율을 낮추게 된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명의 일측면에 의하면, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지되고, 피처리체에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기를 포함하고, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되는 처리장치를 이용하는 처리방법에 있어서, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과, 상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 처리방법을 제공한다.
상기 처리방법은, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다. 후술하는 특허청구범위의 청구항 제 1항에 의한 처리방법에 있어서, 상기 용기는 제 2가스를 포함하고, 상기 처리방법은, 분위기치환실이 용기와 동일한 감압환경을 지닐 때까지 해당 분위기치환실에 소정의 습도이하로 건조된 상기 제 2가스를 도입하는 공정과, 상기 제 1게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 처리방법은, 또한, 상기 분위기치환실이 주위압력을 지닐 때까지 해당 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 3가스를 도입하는 공정과, 상기 제 2게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비해도 된다. 상기 제 1가스는 질소 혹은 정제된 공기이어도 된다. 또, 상기 제 2가스는 불활성 가스이어도 된다. 또한, 상기 제 3가스는 질소 혹은 정제된 공기이어도 된다. 상기 소정의 처리는 노광처리이어도 된다. 또, 상기 제 1가스가 제 2가스와 동일해도 된다. 상기 처리방법은, 상기 제 1게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비해도 된다. 또, 상기 처리방법은, 상기 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은지의 여부를 판정하는 공정과, 상기 판정공정이 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 것으로 판정한 경우, 상기 분위기치환실은 상기 진공배기공정을 행하는 공정을 또 구비해도 된다.
본 발명에 의한 다른 측면의 노광방법은, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되는 처리장치를 이용하는 처리방법을 사용하여 광원으로부터의 광에 의해 용기내의 피처리체를 노광하는 노광방법으로서, 상기 처리방법은, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과, 상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. 상기 처리방법은 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다.
본 발명에 의한 또다른 측면의 디바이스의 제조방법에 의하면, 처리방법에 의해 용기내의 피처리체를 노광하는 공정 및 노광된 피처리체를 현상하는 공정을 구비한 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 처리방법은, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되는 처리장치를 이용하고, 또, 상기 처리방법은, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과, 상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. 상기 처리방법은, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다.
본 발명에 의한 또다른 측면의 노광장치에 의하면, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되는 처리장치를 이용하는 처리방법을 사용하여, 광원으로부터의 광에 의해 용기내의 피처리체를 노광하는 노광장치로서, 상기 처리방법은, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과, 상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. 상기 처리방법은, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다.
본 발명의 또다른 측면의 처리장치에 의하면, 내부가 감압 혹은 진공분위기에서 유지되고 피처리체에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지니고, 해당 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 접속되는 분위기치환실, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 공급하는 제 1가스공급기구, 상기 분위기치환실을 배기하는 배기기구 및 상기 배기기구가 상기 분위기치환실을 배기하고 상기 제 1가스공급기구가 상기 분위기치환실에 제 1가스를 공급할 경우 해당 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 지의 여부를 판정하여, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮을 경우, 상기 제 1가스공급기구에 대해서는, 해당 제 1가스공급기구에 의해 상기 분위기치환실에 공급된 제 1가스를 감소시키도록 지시하고, 상기 배기기구에 대해서는 해당 분위기치환실을 진공배기하도록 지시하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 제어기는, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 경우 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다. 상기 용기는 제 2가스를 포함해도 되고, 상기 처리장치는, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하로 건조된 제 2가스를 공급하는 제 2가스공급기구를 또 구비하고, 상기 제어기는, 상기 제 1게이트밸브를 개방하기 전에, 상기 제 2가스공급기구에 대해서, 상기 분위기치환실이 상기 용기와 동일한 감압된 압력환경을 지닐 때까지 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 2가스를 도입하도록 지시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 또다른 측면의 처리장치에 의하면, 제 1가스를 포함하고, 감압환경으로 유지되고 피처리체에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지니고, 해당 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 접속되고, 제 2게이트밸브를 통해서 공기에 접속되며, 또, 상기 피처리체를 상기 용기로부터 회수하는 분위기치환실, 상기 피처리체를 회수한 분위기치환실내의 분위기를 배기하는 제 1배기수단, 상기 제 1배기수단에 의해 배기된 분위기로부터 소정의 습도이하로 건조된 제 1가스를 재활용하기 위한 재활용기구, 상기 분위기치환실에 대해서 상기 재활용기구에 의해 재활용된 제 1가스를 공급하는 제 1가스공급기구, 상기 분위기치환실을 배기하는 제 2배기기구 및 상기 제 2배기기구가 상기 분위기치환실을 배기하고 상기 제 1가스공급기구가 상기 분위기치환실에 제 1가스를 공급할 경우 해당 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 지의 여부를 판정하여, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮을 경우, 상기 제 1가스공급기구에 대해서는, 해당 제 1가스공급기구에 의해 상기 분위기치환실에 공급된 제 1가스를 감소시키도록 지시하고, 상기 배기기구에 대해서는 해당 분위기치환실을 진공배기하도록 지시하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 제어기는, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 경우 상기 제 1가스의 도입을 정지해도 된다. 상기 처리장치는, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하로 건조된 제 2가스를 공급하는 제 2가스공급기구를 또 구비해도 되고, 상기 제어기는, 상기 제 2게이트밸브를 개방하기 전에, 상기 제 2가스공급기구에 대해서, 상기 분위기치환실이 주위압력을 지닐 때까지 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 2가스를 도입하도록 지시하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부도면을 참조해서, 본 발명에 의한 일실시예의 처리장치에 대해서 상세히 설명한다. 여기서, 도 1은, 본 발명에 의한 일실시예의 개략블록도이다. 본 실시예의 처리장치는, 피처리체로서 웨이퍼를 노광하고 있지만, 본 발명은, 처리장치의 처리를 노광으로 제한하지 않고, 퇴적, 에칭, 애싱(ashing) 등의 각종 처리에도 적용가능하다. 물론, 노광은 높은 처리량을 요구하므로, 본 발명에 적합하다.
도 1을 참조하면, (1)은 스테이지, 셔터 등이 장착된 노광장치의 주요부(29)와 웨이퍼전송로봇(28)을 수용하는 처리실이다. 본 실시예의 노광장치는, 싱크로트론방사광으로서 노광광을 이용하는 X선 노광장치이다. 물론, 본 발명은, 후술하는 바와 같이, 노광장치의 종류를 제한하는 것은 아니다.
(2)는 처리실(1)에 접속된 내부게이트밸브(3)와, 처리실(1)의 외부의 공기에 연통된 외부게이트밸브(4)를 포함하는 로드록실이다. 로드록실(2)은 처리대상 웨이퍼를 웨이퍼캐리어(26)로부터 입수하여, 처리실(1)로 공급한다. 또, 로드록실 (2)은, 처리된 웨이퍼를 처리실(1)로부터 입수하고, 웨이퍼캐리어(26) 또는 다른 장치(예를 들면, 후처리부)로 공급한다.
로드록실(2) 및 전송로봇(27), (28)은, 웨이퍼를 하나씩 운반하도록 구성되고, 로드록실(2)은 배기시간을 최소화하기 위해 최소용량을 지닌다. 본 실시예에 있어서, 웨이퍼는 300㎜의 직경을 지니고, 내부게이트밸브(3) 및 외부게이트밸브 (4)는 50㎜의 개방높이를 지니며, 로드록실(2)은 8ℓ= 400㎜×400㎜×50㎜의 용량을 지닌다.
(5)는 로드록실(2)의 압력을 검출하는 압력센서이고, (6)은 로드록실(2)내의 배기라인으로, 배기밸브(7), 배기펌프(8) 및 공기밸브(9)를 포함한다.
(11)은, 헬륨을 일정한 압력과 순도로 헬륨공급라인(12) 및 헬륨회수라인 (13)을 통해서 순환시키고, 또 처리실(1)의 분위기를 X선노광에 적합하게 유지하는 헬륨순환장치이다.
(14)는 헬륨을 소정의 습도(예를 들면, 10%, 바람직하게는, 5%, 여기서, 공 급된 헬륨의 습도는 적어도 처리실내의 분위기에 요구된 것과 유사 혹은 그 이하일 필요가 있음)로 공급하기 위한 헬륨공급수단이다. (15)는 처리실용의 헬륨도입밸브(16), 로드록실용의 헬륨도입밸브(17) 및 헬륨유량제어기(18)를 포함하는 헬륨공급라인이다. 헬륨공급라인(15)은 헬륨이 소정의 습도를 지니도록 원조하는 제습기 시스템을 포함해도 된다.
(19)는 질소를 소정의 습도(예를 들면, 10%, 바람직하게는, 5%, 여기서, 공급된 질소의 습도는 적어도 처리실내의 분위기에 요구된 것과 유사 혹은 그 이하일 필요가 있음)로 공급하기 위한 질소공급수단이다. (20)은 질소유량제어기(22) 및 질소도입밸브를 포함하는 질소공급라인이다. 질소공급라인(20)은 질소가 소정의 습도를 지니도록 원조하는 제습기 시스템을 포함해도 된다. (23)은 재활용 헬륨유량제어기(25) 및 재활용 헬륨도입밸브(24)를 포함하는 재활용 헬륨공급라인이다.
(26)은 주위압력에서 유지되고 1개이상의 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼캐리어이다. (27)은 웨이퍼캐리어(26)와 로드록실(2)간에 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼전송로봇이다. (28)은 로드록실(2)과 노광장치의 주요부(29)간에 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼전송로봇이다.
(30)은 처리실(1)을 공기에 개방하는 분위기해방밸브이다. (31)은 배기밸브(32)와 진공펌프(33)를 지닌 실(室)배기라인이다. (35)는 공장바닥(36)상에 청정실바닥(34)을 지지하기 위한 지지부이다.
(37)은, 싱크로트론방사광을 투과하는 동시에 노광중에 고진공으로 되는 빔라인(38)으로부터 처리실(1)을 구분하는 베릴륨창이다. (39)는 바이패스밸브(40) 를 포함하는 베릴륨창(37)의 바이패스라인이다. (41)은 항상 고진공으로 유지된 빔라인 (42)과 빔라인(38)과의 접속을 끊기 위해 상류의 싱크로트론에 접속된 게이트밸브이다. (43)은 고진공게이지, (44)는 차동압력센서, (45)는 절대압력센서이다. (48) 및 (49)는 배기밸브(47)를 통해서 빔라인(38)의 진공을 고진공상태로 유지하도록 하는 진공펌프이다.
도 2는 노광장치가 공기에 접속된 로드록실(2)내의 분위기를 헬륨으로 교체할 때 이용되는 처리의 순서도이다. 제어기(도시생략)는 이 처리에 있어서 상기 장치의 각 부의 동작을 제어한다. 보다 구체적으로는, 제어기는, 압력센서(5)에 의한 검출결과, 타이머(도시생략)에 의해 계측된 시간 등에 의거한 절환, 로봇 (27), (28)의 전송동작, 그리고 밸브(3), (4), (7), (9), (10), (17), (21), (24)의 개/폐 등을 제어한다.
처리가 개시되면, 내부게이트밸브(3)가 폐쇄되고, 외부게이트밸브(4)가 개방되며, 로드록실(2)은 대기에 연통되어 대기분위기로 유지된다.
초기에, 웨이퍼전송로봇(27)은 웨이퍼를 웨이퍼캐리어(26)로부터 로드록실(2)로 반송한다. 이어서, 도 2에 표시한 처리가 개시된다. 외부게이트밸브(4)가 폐쇄된다(스텝 S1).
다음에, 질소도입밸브(21)가 개방되어 로드록실(2)에의 질소의 도입을 개시한다(스텝 S2). 질소도입밸브(21)로부터 도입된 질소는 소정의 습도(예를 들면, 10%, 바람직하게는, 5%)로 건조되어 있다. 다른 실시예는 질소대신에 정제(또는 건조)된 공기를 도입한다. 질소 및 공기는 후술하는 헬륨보다도 저렴하지만, 본 발명은, 가스의 종류를 특정의 것으로 제한하는 것은 아니다. 따라서, 건조헬륨을 도입하는 것이 가능하다.
다음에, 배기밸브(7)는 로드록실(2)내의 압력이 주위압력을 초과하기 전에 개방한다(스텝 S3). 다음에, 헬륨회수밸브(10)가 폐쇄되고, 분위기배기밸브(9)가 개방된다.
이 상태에서 소정시간이 경과한 후(스텝 S4), 질소도입밸브(21)를 폐쇄한다 (스텝 S5). 배기밸브(7)가 개방상태로 유지되므로, 로드록실(2)은 즉시 진공배기된다. 제어기(도시생략)는, 예를 들면, 로드록실(2)내의 습도가 소정의 습도(예를 들면, 10%)로 되었는지의 여부를 판정하기 위해 가스분석기를 이용해서 시간주기를 평균하거나 혹은 시뮬레이션결과를 이용함으로써 소정시간을 구할 수 있다. 즉, 제어기는, 로드록실(2)내의 습도가 스텝 S4에서 미리 결정된 것보다도 낮은 지의 여부를 판정하고, 그렇다고 판정되면, 스텝 S5로 진행하고, 그렇지 않다고 판정되면 스텝 S2 및 스텝 S3을 유지한다. 스텝 S4에 이은 스텝 S5는, 반드시 질소도입밸브(21)를 폐쇄할(또는 질소도입밸브(21)를 통한 질소의 도입량을 0으로 할) 필요는 없지만, 단지 질소도입밸브(21)로부터 로드록실(2)로의 질소의 도입량을 감소시켜도 된다. 그러나, 질소의 도입량은 배기밸브(7)의 처리량보다도 낮게 하는 것이 바람직하다. 도입량은, 단계적으로, 직선적으로 또는 곡선적으로 점차로(소정의 2차, 3차 혹은 지수함수를 따라) 감소시켜도 된다.
다음에, 제어기는, 압력센서(5)로부터의 출력이 목표압력을 나타내는 소정치이하인지의 여부를 판정한다(스텝 S6). 그렇다고 판정되면, 제어기는 배기밸브 (7)를 페쇄한다(스텝 S7). 예를 들면, 로드록실(2)이 8ℓ의 용량을 지니고 배기시간으로서 20초 걸려 100Pa에 도달한 경우, 공기온도는 약 -25℃까지 강하한다. 본 실시예는 미리 로드록실(2)내의 습도를 23℃에서 질소로 10%로 유지시키고 있다. 따라서, 증기는, 포화치가 1이하로 떨어지므로, 온도가 -25℃로 강하하더라도 이슬을 형성하지 않는다. 그러므로, 인접하는 미립자가 모여 성장해서 최종적으로 웨이퍼상에 퇴적물로서 떨어지는 응축수와 같은 종래의 문제는 일어나지 않는다.
다음에, 헬륨도입밸브(17)가 개방된다(스텝 S8). 헬륨도입밸브(17)로부터 도입된 헬륨은, 소정의 습도(예를 들면, 10%)로 건조되어 있다. 공급된 가스는, 처리실(1)에서 사용된다. 따라서, 처리실(1)이 아르곤, 크세논 등의 다른 불활성 가스를 필요로 한다면, 그 가스는 스텝 S8에서 도입하면 된다.
다음에, 제어기는, 압력센서(5)의 출력을 검사해서, 처리실(1)의 압력까지 로드록실(2)에 헬륨을 도입한다. 헬륨도입밸브(17)는, 로드록실(2)의 압력이 처리실(1)의 압력까지 증가하면 폐쇄한다(스텝 S10). 최종적으로, 내부게이트밸브 (3)를 개방해서, 로드록실(2)을 처리실(1)에 접속한다(스텝 S11). 일련의 처리후, 웨이퍼전송로봇(28)은 웨이퍼를 로드록실(2)로부터 노광장치의 주요부(29)로 반송한다.
주요부(29)는 웨이퍼를 노광한다. 종래의 처리방법으로 본 발명과 마찬가지로 처리량 및 수율을 유지하고자 시도할 경우, 진공에서 유래되는 응축수가 입자를 모아, 성장해서, 최종적으로는 웨이퍼상에 불순물로서 적하되어 고품질의 노광 을 곤란하게 한다. 한편, 상기 설명한 바와 같이, 본 실시예는, 웨이퍼로부터 불순물을 제거하여 웨이퍼에 대해서 고품질의 노광을 제공한다.
로드록실(2)내의 분위기를 교체할 때, 본 실시예에 의한 분위기교체방법은, 로드록실(2)을 배기하면서 헬륨보다도 저렴한 질소 및 정제 혹은 건조 공기를 도입하고, 로드록실(2)내부를 건조가스로 교체한 후 진공으로 배기하고, 이어서 헬륨을 소정의 압력까지 도입한다. 이것에 의하면, 진공화시 종래의 방법에서 바람직하지 않게 일어나던 응축을 방지하여, 로드록실의 내부 및 웨이퍼의 오염을 피할 수 있다. 배기속도가 낮아지지 않으므로, 노광장치가 히터와 같은 가열원 혹은 그의 부가물을 필요로 하는 일없이 처리량을 유지한다, 따라서, 그렇지 않았다면 이들 온도변화요인에 의해 열화될 수도 있었던 온도안정성이, 처리장치의 비용이나 공간을 증대시키는 일없이 유지된다.
도 3은, 헬륨분위기를 지닌 처리실(1)에 접속되는, 로드록실(2)내의 분위기를 대기로 치환하는 데 이용되는 처리의 순서도이다. 노광후, 웨이퍼전송로봇 (28)은 노광된 웨이퍼를 노광장치의 주요부(29)로부터 로드록실(2)로 반송한다. 도 3에 표시한 처리는, 이하의 공정으로 개시된다. 내부게이트밸브(3)는 먼저 폐쇄된다(스텝 S21). 다음에, 질소도입밸브(21)가 개방되고, 로드록실(2)에의 질소의 도입을 개시한다(스텝 S22). 로드록실(2)내의 압력이 단축된 교체시간동안 처리실(1)내의 압력을 초과하기 전에 배기밸브(7)가 개방된다(스텝 S23). 다음에, 헬륨회수밸브(10)가 폐쇄상태를 유지하고, 공기배기밸브(9)가 개방상태를 유지한다(스텝 S23).
이 상태에서 소정의 시간이 경과한 후(스텝 S24), 질소도입밸브(21)를 폐쇄한다(스텝 S25). 배기밸브(7)가 개방상태로 유지되므로, 로드록실(2)은 진공배기된다. 제어기(도시생략)는, 예를 들면, 로드록실(2)내의 습도가 소정의 습도(예를 들면, 10%)로 되었는지의 여부를 판정하기 위해 가스분석기를 이용해서 시간주기를 평균하거나 혹은 시뮬레이션결과를 이용함으로써 소정시간을 구할 수 있다. 즉, 제어기는, 로드록실(2)내의 습도가 스텝 S24에서 미리 결정된 것보다도 낮은 지의 여부를 판정하고, 그렇다고 판정되면, 스텝 S25로 진행하고, 그렇지 않다고 판정되면 스텝 S22 및 스텝 S23을 유지한다.
다음에, 제어기는, 압력센서(5)로부터의 출력이 목표압력을 나타내는 소정치이하인지의 여부를 판정한다(스텝 S26). 그렇다고 판정되면, 제어기는 배기밸브 (7)를 페쇄한다(스텝 S27). 로드록실(2)내의 습도는 소정치이하이므로, 신속한 진공배기에서도 응축을 일으키지 않는다.
다음에, 제어기는 질소도입밸브(21)를 재차 개방하고(스텝 S28), 압력센서 (5)의 출력을 조사하면서 대기압까지 질소를 도입한다(스텝 S29). 로드록실(2)의 압력이 주위압력에 도달하면 질소도입밸브(21)를 폐쇄한다(스텝 S30). 다른 실시예는, 질소대신에 정제(또는 건조)공기를 도입한다. 최종적으로, 외부게이트밸브(4)를 개방해서(스텝 S31), 로드록실(2)을 대기에 연통시킨다. 일련의 처리가 종료되면, 웨이퍼전송로봇(27)은 웨이퍼를 로드록실(2)로부터 웨이퍼캐리어(26)로 반송한다.
상기 방법은, 웨이퍼가 처리실(1)로부터 회수되면 처리실(1)내의 분위기가 로드록실(2)내로 유입되더라도 로드록실(2)이 대기에 개방되기 전에 로드록실(2)내의 분위기를 즉시 회수해도 된다. 그 결과, 처리장치의 처리량이나 수율의 저하를 방지하는 것이 가능하다. 또한, 노광웨이퍼의 응축물에 의한 오염을 방지하는 것도 가능하다.
도 4는, 헬륨분위기를 지닌 처리실(1)에 연통되는, 로드록실(2)내의 분위기를 대기로 치환하는 데 이용되는 다른 처리의 순서도이다. 본 실시예는 값비싼 헬륨을 재활용(즉, 재순환)시키기 위한 처리이다.
도 4에 표시한 처리가 개시되면, 내부게이트밸브(3)는 먼저 폐쇄된다(스텝 S41). 다음에, 공기배기밸브(9)가 폐쇄되고(스텝 S42), 헬륨회수밸브(10)가 개방된다(스텝 S43). 배기밸브(7)가 개방되면, 로드록실(2)내의 헬륨이 헬륨순환장치 (11)에 수집되어, 정제, 압축되어 헬륨순환장치(11)의 버퍼탱크(도시생략)에 보관된다.
다음에, 재활용헬륨도입밸브(24)가 개방되고(스텝 S44), 헬륨순환장치(11)가 정제된 헬륨의 도입을 개시한다. 도 3과 마찬가지로, 로드록실(2)내의 압력이 단축된 치환시간동안 처리실(1)내의 압력을 초과하기 전에 배기밸브(7)가 개방된다(스텝 S45). 이와 같이 해서, 전술한 바와 같이, 헬륨순환장치(11)가 로드록실(2)내의 헬륨을 회수한 후, 치환용으로 로드록실(2)내에 재활용헬륨을 공급한다.
소정의 시간이 경과한 후(스텝 S46), 재활용헬륨도입밸브(24)를 폐쇄한다(스텝 S47). 배기밸브(7) 및 헬륨회수밸브(10)가 개방상태로 유지되므로, 로드록실 (2)은 진공배기된다. 제어기(도시생략)는, 예를 들면, 로드록실(2)내의 습도가 소정의 습도(예를 들면, 10%)로 되었는지의 여부를 판정하기 위해 가스분석기를 이용해서 시간주기를 평균하거나 혹은 시뮬레이션결과를 이용함으로써 소정시간을 구할 수 있다. 즉, 제어기는, 로드록실(2)내의 습도가 스텝 S46에서 미리 결정된 것보다도 낮은 지의 여부를 판정하고, 그렇다고 판정되면, 스텝 S47로 진행하고, 그렇지 않다고 판정되면 스텝 S44 및 스텝 S45를 유지한다.
다음에, 제어기는, 압력센서(5)로부터의 출력이 목표압력을 나타내는 소정치이하인지의 여부를 판정한다(스텝 S48). 그렇다고 판정되면, 제어기는 배기밸브 (7)를 페쇄한다(스텝 S49). 로드록실(2)내의 습도는 소정치이하이므로, 신속한 진공배기에서도 응축을 일으키지 않는다.
다음에, 제어기는 질소도입밸브(21)를 개방하고(스텝 S50), 압력센서(5)의 출력을 조사하면서 대기압까지 질소를 도입한다(스텝 S51). 로드록실(2)의 압력이 대기압에 도달하면 질소도입밸브(21)를 폐쇄한다(스텝 S52). 다른 실시예는, 질소대신에 정제(또는 건조)된 공기를 도입한다. 최종적으로, 외부게이트밸브(4)를 개방해서(스텝 S53), 로드록실(2)을 대기에 연통시킨다. 일련의 처리가 종료되면, 웨이퍼전송로봇(27)은 웨이퍼를 로드록실(2)로부터 웨이퍼캐리어(26)로 반송한다.
상기 방법은, 웨이퍼가 처리실(1)로부터 회수되면 처리실(1)내의 분위기가 로드록실(2)내로 유입되더라도 로드록실(2)이 대기에 개방되기 전에 로드록실(2)내의 분위기를 즉시 회수해도 된다. 그 결과, 처리장치의 처리량이나 수율의 저하를 방지하는 것이 가능하다. 또한, 노광웨이퍼의 응축물에 의한 오염을 방지하는 것도 가능하다.
진공상태에서 감압용기를 지니는 웨이퍼처리장치는, 로드록실(2)내의 진공화가 종료되면 내부밸브를 개방하여, 마찬가지 효과를 위해 로드록실에 감압용기를 연통시킨다.
상기 실시예와는 달리, 노광장치의 주요부(29)는, 도 5에 표시한 바와 같은 원자외("EUV")광학계이어도 된다. 본 발명은, EUV광학계가 진공용기내에 유지되어 산소 또는 기타 가스에 의한 EUV광의 바람직하지 않은 흡수나 처리량의 열화를 방지하기 때문에 바람직하다.
도 5에 있어서, EUV광원은, 예를 들면, 여기펄스레이저(70), 콘덴서렌즈(71) 및 목표물공급장치(72)를 포함하는 레이저플라즈마광원이다. 조명광학계는, 복수의 다층피막이나 불투명 입사미러(73) 내지 (75), 광학적분기(76) 등을 포함한다.
투영광학계는, 복수의 미러(77) 내지 (80)를 사용한다. 필요한 개수의 미러로서는, 수차보정에 대해서는, 4 내지 6개정도이다. 미러는, 볼록 및 오목구면 혹은 비구면의 반사면형상을 지닌다. 또, 미러는, SiC, 저팽창계수유리 등의 열팽창계수가 작은 강성의 경질 재료로 이루어진 기판을 소정의 반사면형상으로 연마 및 경면화해서, 몰리브덴/실리콘 등의 다층피막을 반사면상에 형성함으로써 작성된다.
레티클스테이지(83) 및 웨이퍼스테이지(93)는, 축소비에 비례하는 속도비로 동기주사하는 기구를 지닌다. 여기서, X는 레티클(M) 또는 웨이퍼(W)면의 주사방향이고, Y는 그에 수직인 방향, Z는 레티클(M) 또는 웨이퍼(W)면에 수직인 방향이 다.
레티클(M)은 레티클스테이지(83)상에 레티클척(84)에 의해 유지된다. 레티클스테이지(83)는 X방향으로 고속으로 이동하는 기구를 지닌다. 또, 각 X, Y 및 Z방향에 대해 레티클(M)을 위치결정시키는 미세조정기구도 지닌다. 레티클스테이지(83)의 위치 및 배향은, 레이저간섭계에 의해 측정되고, 그 결과에 의거해서 제어된다. 레티클(M)은 반사마스크이고, 미러와 같은 다층피막을 포함한다.
웨이퍼(W)는 웨이퍼스테이지(93)상에 웨이퍼척(94)에 의해 유지된다. 레티클스테이지(83)와 마찬가지로, 웨이퍼스테이지(93)는 X방향으로 고속으로 이동하는기구를 지닌다. 또, 각 X, Y 및 Z방향에 대해 웨이퍼(W)를 위치결정시키는 미세조정기구도 지닌다. 웨이퍼스테이지(93)의 위치 및 배향은, 레이저간섭계에 의해 측정되고, 그 결과에 의거해서 제어된다.
얼라인먼트검출광학계(85) 및 (95)는 레티클(M) 및 웨이퍼(W)의 앞에 배열되어 있다. 얼라인먼트검출광학계(85) 및 (95)는 레티클(M)의 위치와 투영광학계 (77) 내지 (80)의 광축간의 위치관계와 웨이퍼(W)의 위치와 투영광학계(77) 내지 (80)의 광축간의 위치관계를 제공한다. 레티클스테이지(83)와 웨이퍼스테이지 (93)의 위치 및 각도는, 레티클(M)의 투영상이 웨이퍼(W)상의 소정의 위치와 일치하도록 설정된다.
포커스검출광학계(96)는 또한 웨이퍼(W)앞에 위치되어, Z방향으로 웨이퍼(W)면상의 포커스위치를 측정한다. 웨이퍼면은, 웨이퍼스테이지(93)의 위치와 각도를 제어함으로써 노광동안 투영광학계(77) 내지 (80)에 대한 결상위치에 항상 유지 된다.
웨이퍼(W)상에 1회의 주사노광이 종료되면, 웨이퍼스테이지(93)는 다음회의 쇼트의 주사노광개시위치로 X 및 Y방향으로 단계적으로 이동하고, 레티클스테이지 (83)와 웨이퍼스테이지(93)는 투영광학계(77) 내지 (80)의 축소비에 비례하는 속도비로 X방향으로 동기주사된다. 이와 같이 해서, 레티클(M)의 투영상의 축소크기가 웨이퍼(W)상에 형성되면서 주사노광이 반복된다(스텝 앤드 스캔 방식). 따라서, 레티클(M)상의 패턴이 웨이퍼(W)의 전체 영역에 전사된다.
진공실(60)은 조명광학계(73) 내지 (76), 투영광학계(77) 내지 (80), 레티클 (M) 및 웨이퍼(W)를 수용한다. 본 발명의 처리방법은, 진공실(60)내의 웨이퍼(W)의 안내와 진공실(60)으로부터의 웨이퍼(W)의 공급에 적용가능하다. 그 결과, 고품질의 노광이 웨이퍼(W)에 대해서 수행된다.
따라서, 본 발명의 상기 실시예에 의하면, 로드록실을 진공배기하기 전에 정제된 공기 또는 질소를 도입해서 그의 분위기를 교체하면서 로드록실을 배기하고, 분위기를 건조가스로 교체한 후 로드록실을 진공배기한다. 이것에 의해, 진공화시 바람직하지 않게 일어날 수도 있었던 응축물이 방지되어, 로드록실의 내부 및 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다. 또, 배기속도가 느려지지 않으므로, 노광장치가 처리량을 유지한다. 또한, 노광장치는, 히터 등의 광원이나 그의 부가물을 필요로 하지 않으므로, 처리장치의 비용이나 공간을 증대시키는 일없이 온도안정성이 유지된다.
또, 본 발명은, 이들 실시예로 제한되지 않고, 본 발명의 범위로부터 벗어나 는 일없이 각종 변형이나 수정이 가능하다. 예를 들면, 처리장치는, 처리실에 웨이퍼를 공급하기 위한 로드록실과, 처리실로부터 처리된 웨이퍼를 입수하기 위한 다른 로드록실을 포함해도 된다. 이 경우, 개별의 로드록실이 처리실에 웨이퍼를 공급하는 배출처리와, 처리실로부터 회수된 웨이퍼를 전송하는 배출처리를 행한다. 로드록실에 공급되는 불활성 가스는, 헬륨 및/또는 질소뿐만 아니라 아르곤 등이어도 된다.
다음에, 도 6 및 도 7을 참조해서, 상기 본 발명의 방법을 이용한 디바이스의 제조방법의 실시예를 설명한다. 도 6은, 디바이스(예를 들면, IC나 LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조를 설명하는 순서도이다. 여기서는, 반도체칩의 제조를 예로 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는 반도체디바이스의 회로를 설계한다. 스텝 2(마스크제작)에서는 설계한 회로패턴을 지닌 마스크를 제작하고, 스텝 3(웨이퍼제조)에서는 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다. 전(前)공정이라고도 불리는 스텝 4(웨이퍼처리)에서는, 이와 같이 해서 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서 포토리소그라피기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다 후공정이라고도 불리는 스텝 5(조립)에서는, 스텝 4에서 처리된 웨이퍼를 반도체칩으로 형성하며, 어셈블리(예를 들면, 다이싱 및 본딩)공정, 패키징(칩봉인)공정 등을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 작성된 반도체디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등의 각종 검사를 실시한다. 이들 공정에 의해, 반도체디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 7).
도 7은 스텝 4의 웨이퍼처리공정의 상세한 순서도이다. 스텝 11(산화)에서 는 웨이퍼의 표면을 산화하고, 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하고, 스텝 13(전극형성)에서는 증착법 등에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입하고, 스텝 15(레지스트처리)에서는 웨이퍼에 감광재를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 상기 노광장치를 이용해서 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광하고, 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상하고, 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트상이외의 부분을 에칭하고, 스텝 19(레지스트박리)에서는 에칭공정후 불필요하게 된 레지스트재를 제거한다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼상에 다중으로 회로패턴이 형성된다. 본 실시예의 디바이스의 제조방법에 의하면, 종래보다도 고품위의 디바이스를 제조할 수 있다.
본 발명은, 2003년 3월 7일자로 출원된 일본국 특허 출원 제 2003-62338호에 의거한 우선권을 청구한 것이며, 그 내용을 전체적으로 참조하여 본 발명에 구체화되어 있다.
이상, 본 발명에 의하면, 소정의 수율 및 처리량을 저하시키는 일없이 응축물을 방지하는 동시에 고품질의 처리를 제공하는 처리방법 및 처리장치를 제공하는 것이 가능하다.

Claims (23)

  1. 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지되고, 웨이퍼에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기를 포함하고, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 연통되는 웨이퍼처리장치를 이용하는 웨이퍼처리방법에 있어서,
    상기 제1게이트밸브 폐쇄시에 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과;
    상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 용기는 제 2가스를 포함하고,
    상기 웨이퍼처리방법은, 분위기치환실이 용기와 동일한 감압환경을 지닐 때까지 해당 분위기치환실에 소정의 습도이하로 건조된 상기 제 2가스를 도입하는 공정과;
    상기 제 1게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 분위기치환실이 대기압을 지닐 때까지 해당 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 3가스를 도입하는 공정과;
    상기 제 2게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 1가스가 질소 혹은 정제된 공기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 제 2가스가 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 제 3가스가 질소 혹은 정제된 공기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 소정의 처리가 노광처리인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  9. 제 3항에 있어서, 상기 제 1가스가 제 2가스와 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 1게이트밸브를 개방하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은지의 여부를 판정하는 공정과;
    상기 판정공정이 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 것으로 판정한 경우, 상기 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  12. 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 연통되는 웨이퍼처리장치를 이용하는 웨이퍼처리방법을 사용하여, 광원으로부터의 광에 의해 용기내의 웨이퍼를 노광하는 노광방법으로서,
    상기 웨이퍼처리방법은,
    상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과;
    상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 웨이퍼처리방법은 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 웨이퍼처리방법에 의해 용기내의 웨이퍼를 노광하는 공정; 및
    노광된 웨이퍼를 현상하는 공정을 구비한 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 웨이퍼처리방법은, 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 연통되는 처리장치를 이용하고,
    상기 웨이퍼처리방법은,
    상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과;
    상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 웨이퍼처리방법은, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
  16. 제 1 및 제 2게이트밸브를 지닌 분위기치환실과, 내부가 감압 또는 진공분위기로 유지된 용기를 포함하는 동시에, 상기 분위기치환실이, 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 연통되는 웨이퍼처리장치를 이용하는 웨이퍼처리방법을 사용하여, 광원으로부터의 광에 의해 용기내의 웨이퍼를 노광하는 노광장치로서,
    상기 웨이퍼처리방법은,
    상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 도입하면서 해당 분위기치환실을 배기하는 공정과;
    상기 배기공정후, 상기 분위기치환실에 도입될 제 1가스의 양을 감소시킴으로써 해당 분위기치환실을 진공배기하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼처리방법은, 상기 진공배기공정에 있어서 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  18. 내부가 감압 혹은 진공분위기에서 유지되고, 웨이퍼에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기;
    제 1 및 제 2게이트밸브를 지니고, 해당 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 상기 용기와는 다른 공간에 연통되는 분위기치환실;
    상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 1가스를 공급하는 제 1가스공급기구;
    상기 분위기치환실을 배기하는 배기기구; 및
    상기 배기기구가 상기 분위기치환실을 배기하고 상기 제 1가스공급기구가 상기 분위기치환실에 제 1가스를 공급할 경우 해당 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 지의 여부를 판정하여, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮을 경우, 상기 제 1가스공급기구에 대해서는 해당 제 1가스공급기구에 의해 상기 분위기치환실에 공급된 제 1가스를 감소시키도록 지시하고, 상기 배기기구에 대해서는 해당 분위기치환실을 진공배기하도록 지시하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 경우 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 용기는 제 2가스를 포함하고,
    상기 웨이퍼처리장치는, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하로 건조된 제 2가스를 공급하는 제 2가스공급기구를 또 구비하고,
    상기 제어기는, 상기 제 1게이트밸브를 개방하기 전에, 상기 제 2가스공급기구에 대해서 상기 분위기치환실이 상기 용기와 동일한 감압된 압력환경을 지닐 때까지 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 2가스를 도입하도록 지시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  21. 제 1가스를 포함하고, 감압환경으로 유지되고 웨이퍼에 대해서 소정의 처리를 제공하는 용기;
    제 1 및 제 2게이트밸브를 지니고, 해당 제 1게이트밸브를 통해 상기 용기에 연통되고, 제 2게이트밸브를 통해서 공기에 연통되며, 또, 상기 웨이퍼를 상기 용기로부터 회수하는 분위기치환실;
    상기 웨이퍼를 회수한 분위기치환실내의 분위기를 배기하는 제 1배기수단;
    상기 제 1배기수단에 의해 배기된 분위기로부터 소정의 습도이하로 건조된 제 1가스를 재활용하기 위한 재활용기구;
    상기 분위기치환실에 대해서 상기 재활용기구에 의해 재활용된 제 1가스를 공급하는 제 1가스공급기구;
    상기 분위기치환실을 배기하는 제 2배기기구; 및
    상기 제 2배기기구가 상기 분위기치환실을 배기하고 상기 제 1가스공급기구가 상기 분위기치환실에 제 1가스를 공급할 경우 해당 분위기치환실내의 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 지의 여부를 판정하여, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮을 경우, 상기 제 1가스공급기구에 대해서는 해당 제 1가스공급기구에 의해 상기 분위기치환실에 공급된 제 1가스를 감소시키도록 지시하고, 상기 배기기구에 대해서는 해당 분위기치환실을 진공배기하도록 지시하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 습도가 미리 설정된 습도보다도 낮은 경우 상기 제 1가스의 도입을 정지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  23. 제 21항에 있어서, 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 2가스를 공급하는 제 2가스공급기구를 또 구비하고,
    상기 제어기는, 상기 제 2게이트밸브를 개방하기 전에, 상기 제 2가스공급기구에 대해서, 상기 분위기치환실이 대기압을 지닐 때까지 상기 분위기치환실에 소정의 습도이하의 제 2가스를 도입하도록 지시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
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