JPH07122505A - 減圧処理装置 - Google Patents
減圧処理装置Info
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- JPH07122505A JPH07122505A JP5291209A JP29120993A JPH07122505A JP H07122505 A JPH07122505 A JP H07122505A JP 5291209 A JP5291209 A JP 5291209A JP 29120993 A JP29120993 A JP 29120993A JP H07122505 A JPH07122505 A JP H07122505A
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- atmospheric gas
- gas
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 雰囲気気体の減圧雰囲気におかれるチャンバ
内の清浄な雰囲気を必要とする空間部に、微小異物の混
在しない局所的な清浄空間を形成する。 【構成】 ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気に
おかれるチャンバ1内には、ウエハ載置台5等が配設さ
れており、ウエハ載置台5とロードロックチャンバ7の
間にはウエハキャリヤ11からウエハ載置台5へウエハ
Wを受渡すための搬送ロボット6が配設されている。チ
ャンバ1内にはファン19およびフィルタ23を設けた
ダクト20が配設され、下方に設けられた吸込口21よ
り吸引した雰囲気気体を上方に設けられた吹出口22か
ら吹出させて清浄化された雰囲気気体の気流を発生させ
て搬送ロボット6の搬送経路等に局所的に清浄な空間を
形成する。また、ダクト20には再熱器32および蒸発
器31が設けられており、雰囲気気体の温度調節ができ
る。
内の清浄な雰囲気を必要とする空間部に、微小異物の混
在しない局所的な清浄空間を形成する。 【構成】 ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気に
おかれるチャンバ1内には、ウエハ載置台5等が配設さ
れており、ウエハ載置台5とロードロックチャンバ7の
間にはウエハキャリヤ11からウエハ載置台5へウエハ
Wを受渡すための搬送ロボット6が配設されている。チ
ャンバ1内にはファン19およびフィルタ23を設けた
ダクト20が配設され、下方に設けられた吸込口21よ
り吸引した雰囲気気体を上方に設けられた吹出口22か
ら吹出させて清浄化された雰囲気気体の気流を発生させ
て搬送ロボット6の搬送経路等に局所的に清浄な空間を
形成する。また、ダクト20には再熱器32および蒸発
器31が設けられており、雰囲気気体の温度調節ができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CVD装置、ドライエ
ッチング装置、X線露光装置等の減圧雰囲気を必要とす
る各種装置に用いられる減圧処理装置に関するものであ
る。
ッチング装置、X線露光装置等の減圧雰囲気を必要とす
る各種装置に用いられる減圧処理装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、CVD装置、ドライエッチング装
置、X線露光装置等の半導体製造装置は、半導体素子の
高集積化やパターンの微細化にともなって、精度や歩留
りのより一層の向上が要請されている。特に、歩留り向
上の要請に答えるためには塵埃等の微小異物が混在しな
い清浄な雰囲気気体中に配設する必要があるため、前記
半導体製造装置をクリーンルーム中に配設した上で、前
記半導体製造装置の内部を減圧雰囲気においている。
置、X線露光装置等の半導体製造装置は、半導体素子の
高集積化やパターンの微細化にともなって、精度や歩留
りのより一層の向上が要請されている。特に、歩留り向
上の要請に答えるためには塵埃等の微小異物が混在しな
い清浄な雰囲気気体中に配設する必要があるため、前記
半導体製造装置をクリーンルーム中に配設した上で、前
記半導体製造装置の内部を減圧雰囲気においている。
【0003】また、図5に示すイオンエッチング装置
は、減圧雰囲気におかけるチャンバ201と、チャンバ
201の図示下方に連通されたチャンバ201を真空吸
引するための真空ポンプ205が真空制御バルブ204
を介在された真空管路206と、チャンバ201の図示
上方に配設された反応ガスをダウンフローに吹出すため
のガス吹出口208と、ガス吹出口208に反応ガスを
供給するための図示しない反応ガス供給源に連通された
給気制御バルブ207が介在された供給管路209とを
備え、チャンバ201内にはウエハW0 を支持するウエ
ハ載置台202およびこれに対向する電極203が配設
されている。
は、減圧雰囲気におかけるチャンバ201と、チャンバ
201の図示下方に連通されたチャンバ201を真空吸
引するための真空ポンプ205が真空制御バルブ204
を介在された真空管路206と、チャンバ201の図示
上方に配設された反応ガスをダウンフローに吹出すため
のガス吹出口208と、ガス吹出口208に反応ガスを
供給するための図示しない反応ガス供給源に連通された
給気制御バルブ207が介在された供給管路209とを
備え、チャンバ201内にはウエハW0 を支持するウエ
ハ載置台202およびこれに対向する電極203が配設
されている。
【0004】このイオンエッチング装置は、ウエハW0
をウエハ載置台202によって保持し、真空ポンプ20
5によって所定の圧力まで真空引きを行ったのち、ガス
吹出口208より反応ガスをダウンフローで供給しつつ
電極203によって前記反応ガスをイオン化してウエハ
W0 のイオンエッチングを行うものである。
をウエハ載置台202によって保持し、真空ポンプ20
5によって所定の圧力まで真空引きを行ったのち、ガス
吹出口208より反応ガスをダウンフローで供給しつつ
電極203によって前記反応ガスをイオン化してウエハ
W0 のイオンエッチングを行うものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術のうち、半導体製造装置をクリーンルームと同
様な構成で配設するものは、ダウンフローに用いるガス
の消費量および排気能力の大きい真空ポンプが必要にな
るためイニシャルコストおよびランニングコストが高く
なってしまう。一方、前記イオンエッチング装置では、
真空引き初期は排気速度を低速とし、所定の真空度に到
達後排気速度を高速とすることでチャンバの底部に堆積
したごみ等の舞い上がりをある程度防止できるものの、
根本的にはチャンバ内のごみ等の微小異物を取り除くこ
とができないという問題点があった。
来の技術のうち、半導体製造装置をクリーンルームと同
様な構成で配設するものは、ダウンフローに用いるガス
の消費量および排気能力の大きい真空ポンプが必要にな
るためイニシャルコストおよびランニングコストが高く
なってしまう。一方、前記イオンエッチング装置では、
真空引き初期は排気速度を低速とし、所定の真空度に到
達後排気速度を高速とすることでチャンバの底部に堆積
したごみ等の舞い上がりをある程度防止できるものの、
根本的にはチャンバ内のごみ等の微小異物を取り除くこ
とができないという問題点があった。
【0006】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、雰囲気気体の減圧雰囲
気におかれるチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空
間部に、微小異物の混在しない局所的な清浄空間を形成
することができる減圧処理装置を実現することを目的と
するものである。
に鑑みてなされたものであって、雰囲気気体の減圧雰囲
気におかれるチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空
間部に、微小異物の混在しない局所的な清浄空間を形成
することができる減圧処理装置を実現することを目的と
するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の減圧処理装置は、減圧自在なチャンバ
と、前記チャンバを減圧するための真空発生源と、前記
チャンバに雰囲気気体を供給するための雰囲気気体の給
気手段を備えた減圧処理装置であって、少なくとも1個
ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲気気体の循環系
を前記チャンバ内に配設するとともに、前記循環系に、
前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引して前記吹出口よ
り吹出させるための気流発生手段および前記雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段を設けたことを特徴とす
るものである。
めに、本発明の減圧処理装置は、減圧自在なチャンバ
と、前記チャンバを減圧するための真空発生源と、前記
チャンバに雰囲気気体を供給するための雰囲気気体の給
気手段を備えた減圧処理装置であって、少なくとも1個
ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲気気体の循環系
を前記チャンバ内に配設するとともに、前記循環系に、
前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引して前記吹出口よ
り吹出させるための気流発生手段および前記雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段を設けたことを特徴とす
るものである。
【0008】
【作用】チャンバ内の雰囲気気体は、吸込口より吸込ま
れ、温調手段により所定の温度に温度調節されるととも
に清浄化手段によって清浄化されて吹出口よりチャンバ
内へ吹出されるため、少なくとも1個ずつの吸込口およ
び吹出口をチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空間
部に配設しておくことにより、局所的に清浄な空間部を
形成することができる。
れ、温調手段により所定の温度に温度調節されるととも
に清浄化手段によって清浄化されて吹出口よりチャンバ
内へ吹出されるため、少なくとも1個ずつの吸込口およ
び吹出口をチャンバ内の清浄な雰囲気を必要とする空間
部に配設しておくことにより、局所的に清浄な空間部を
形成することができる。
【0009】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【0010】図1は、本発明に係る減圧処理装置の第1
実施例であるX線露光装置の説明図である。
実施例であるX線露光装置の説明図である。
【0011】本実施例のX線露光装置は、図1に示すよ
うに、ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気におか
れるチャンバ1および該チャンバ1にゲート弁13を介
在させた通路によって接続されたロードロックチャンバ
7を有し、チャンバ1内にはビームダクト27から導入
されたX線30の光路に沿ってビームダクト側から順次
マスク29を支持する図示しないマスクステージ、基板
であるウエハWを保持して位置決めするためのウエハ載
置台5が配設されており、ウエハ載置台5とロードロッ
クチャンバ7の間にはロードロックチャンバ7内のウエ
ハキャリア11からウエハ載置台5へウエハWの受渡し
を行う搬送ロボット6が配設されている。また、チャン
バ1の一壁面には、排気制御弁3を介在させた排気管路
4によって真空発生源である排気量の大きな真空ポンプ
2が連通されており、これに対向する他の壁面には雰囲
気気体の給気手段であるヘリウムガスを導入するための
給気制御弁25を介在させた給気管路26が連通されて
いる。
うに、ヘリウムガス等の雰囲気気体の減圧雰囲気におか
れるチャンバ1および該チャンバ1にゲート弁13を介
在させた通路によって接続されたロードロックチャンバ
7を有し、チャンバ1内にはビームダクト27から導入
されたX線30の光路に沿ってビームダクト側から順次
マスク29を支持する図示しないマスクステージ、基板
であるウエハWを保持して位置決めするためのウエハ載
置台5が配設されており、ウエハ載置台5とロードロッ
クチャンバ7の間にはロードロックチャンバ7内のウエ
ハキャリア11からウエハ載置台5へウエハWの受渡し
を行う搬送ロボット6が配設されている。また、チャン
バ1の一壁面には、排気制御弁3を介在させた排気管路
4によって真空発生源である排気量の大きな真空ポンプ
2が連通されており、これに対向する他の壁面には雰囲
気気体の給気手段であるヘリウムガスを導入するための
給気制御弁25を介在させた給気管路26が連通されて
いる。
【0012】また、ロードロックチャンバ7の一壁面に
は、真空発生源である真空ポンプ8が排気制御弁9を介
在させた排気管路10によって連通されており、これに
対向する他の壁面にはヘリウムガスを導入するための給
気制御弁12を介在させた給気管路12aが連通されて
いる。
は、真空発生源である真空ポンプ8が排気制御弁9を介
在させた排気管路10によって連通されており、これに
対向する他の壁面にはヘリウムガスを導入するための給
気制御弁12を介在させた給気管路12aが連通されて
いる。
【0013】さらに、チャンバ1内には、一端側に吹出
口22を有し、他端側に吸込口21を有するダクト20
を備えるとともに、ダクト20の吸込口21の近傍に配
設されたダクト内へ雰囲気気体を吸込んで吹出口22よ
り吹出させるための気流発生手段であるファン19と、
ダクト20の吹出口22の近傍に配設された雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段であるフィルタ23とを
備えた循環系が配設されている。
口22を有し、他端側に吸込口21を有するダクト20
を備えるとともに、ダクト20の吸込口21の近傍に配
設されたダクト内へ雰囲気気体を吸込んで吹出口22よ
り吹出させるための気流発生手段であるファン19と、
ダクト20の吹出口22の近傍に配設された雰囲気気体
を清浄化するための清浄化手段であるフィルタ23とを
備えた循環系が配設されている。
【0014】本実施例において、吹出口22を搬送ロボ
ット6の搬送経路の上方やウエハ載置台の上方に配設
し、吸込口をこれらの近傍に配設しておくことにより、
清浄化された雰囲気気体の気流を発生させることができ
る。つまり、吸込口および吹出口をチャンバ内の清浄な
雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体の
気流を発生するように配設する。この場合、前記気流が
ダウンフローとなるようにするとよい。
ット6の搬送経路の上方やウエハ載置台の上方に配設
し、吸込口をこれらの近傍に配設しておくことにより、
清浄化された雰囲気気体の気流を発生させることができ
る。つまり、吸込口および吹出口をチャンバ内の清浄な
雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体の
気流を発生するように配設する。この場合、前記気流が
ダウンフローとなるようにするとよい。
【0015】本実施例においては、ダクト20のファン
19の下流側近傍から分岐してチャンバ1の外部へ突出
する分岐ダクト24が設けられており、該分岐ダクト2
4は気流制御弁18を介在させた管路18aにより真空
発生源である排気量の小さい真空ポンプ16に接続され
た三方弁17の一つのポートに接続されている。三方弁
17の他のポートにはチャンバ1内の圧力を検出する圧
力計14によって制御される圧力制御弁15を介在させ
た管路15a一端側が接続されており、該管路15aの
他端側はチャンバ1に連通されている。また、ダクト2
0には雰囲気気体の温調手段の熱交換器である冷却器4
0の蒸発器31および再熱器32がそれぞれダクト20
内を吸出口22へ向けて流れる雰囲気気体と熱交換でき
るように配設されている。
19の下流側近傍から分岐してチャンバ1の外部へ突出
する分岐ダクト24が設けられており、該分岐ダクト2
4は気流制御弁18を介在させた管路18aにより真空
発生源である排気量の小さい真空ポンプ16に接続され
た三方弁17の一つのポートに接続されている。三方弁
17の他のポートにはチャンバ1内の圧力を検出する圧
力計14によって制御される圧力制御弁15を介在させ
た管路15a一端側が接続されており、該管路15aの
他端側はチャンバ1に連通されている。また、ダクト2
0には雰囲気気体の温調手段の熱交換器である冷却器4
0の蒸発器31および再熱器32がそれぞれダクト20
内を吸出口22へ向けて流れる雰囲気気体と熱交換でき
るように配設されている。
【0016】冷却器40は、圧縮器33、凝縮器34、
受液器35、膨張弁36、蒸発器31からなる公知のも
のであって蒸発器31以外はチャンバ1の外部に配設さ
れている。
受液器35、膨張弁36、蒸発器31からなる公知のも
のであって蒸発器31以外はチャンバ1の外部に配設さ
れている。
【0017】ここで、本実施例の動作について説明す
る。
る。
【0018】(1)ゲート弁13を閉鎖した状態でチャ
ンバ1およびロードロックチャンバ7をそれぞれ所定の
圧力となるまで各真空ポンプ2,8で排気したのち、各
給気制御弁25,12を開いてヘリウムガスを所定量導
入してチャンバ1内をヘリウムガスでガス置換したの
ち、各給気制御弁25,12を閉鎖する。
ンバ1およびロードロックチャンバ7をそれぞれ所定の
圧力となるまで各真空ポンプ2,8で排気したのち、各
給気制御弁25,12を開いてヘリウムガスを所定量導
入してチャンバ1内をヘリウムガスでガス置換したの
ち、各給気制御弁25,12を閉鎖する。
【0019】(2)上記(1)ののち、ファン19をフ
ァンコントローラ19aによって駆動して吸込口21よ
り搬送ロボット6やウエハ載置台5の近傍のヘリウムガ
スをダクト20内へ吸込み、この吸込んだヘリウムガス
を蒸発器31との熱交換により冷却するとともに再熱器
32で再加熱して所定の温度に温度調節し、ついでフィ
ルタ23で清浄化したのち、吹出口22からチャンバ1
内へ吹出す。
ァンコントローラ19aによって駆動して吸込口21よ
り搬送ロボット6やウエハ載置台5の近傍のヘリウムガ
スをダクト20内へ吸込み、この吸込んだヘリウムガス
を蒸発器31との熱交換により冷却するとともに再熱器
32で再加熱して所定の温度に温度調節し、ついでフィ
ルタ23で清浄化したのち、吹出口22からチャンバ1
内へ吹出す。
【0020】この場合、チャンバ1内に配設された温度
センサ28によりチャンバ1内の温度をモニタして温度
コントローラ39によって予め設定した設定温度となる
ように冷却器コントローラ37および再熱器コントロー
ラ38へ指令を出し、蒸発器31による冷却温度および
再熱器32による加熱温度の少なくとも一方を制御する
ことでヘリウムガスの温度調節が行われる。この状態
で、ゲート弁13を開き、ウエハキャリア11からウエ
ハWを搬送ロボット6によって保持してウエハ載置台5
に受渡したのちゲート弁13を閉鎖しておく。
センサ28によりチャンバ1内の温度をモニタして温度
コントローラ39によって予め設定した設定温度となる
ように冷却器コントローラ37および再熱器コントロー
ラ38へ指令を出し、蒸発器31による冷却温度および
再熱器32による加熱温度の少なくとも一方を制御する
ことでヘリウムガスの温度調節が行われる。この状態
で、ゲート弁13を開き、ウエハキャリア11からウエ
ハWを搬送ロボット6によって保持してウエハ載置台5
に受渡したのちゲート弁13を閉鎖しておく。
【0021】(3)上記(2)ののち、三方弁17を切
換えて真空ポンプ16と分岐ダクト20aとを連通させ
ることによりダクト20を介して吸込口21および吹出
口22よりチャンバ1内のヘリウムガスを吸引して、チ
ャンバ1内のヘリウムガスの圧力を所定の圧力に減圧す
るが、この排気系はコンダクタンスが大きく急激に排気
されることがないため、ゴミ等の微小異物が舞上げられ
ることがない。チャンバ1内が所定の圧力に減圧された
ら、排気制御弁3を開き、排気量の大きな真空ポンプ2
によって急激に排気を行い、ガス置換に必要な圧力に達
したら排気制御弁3および気流制御弁18を閉鎖し、給
気制御弁25を開いてヘリウムガスを露光時に要求され
る圧力になるまで導入する。このとき、ファン19、冷
却器40および再熱器32を作動させることによって吸
込口21によりチャンバ1内のヘリウムガスをダクト2
0内へ吸込み、該ヘリウムガスの冷却および再加熱を行
って所定の温度に温度調節するとともにフィルタ23で
清浄化したのち、吹出口22よりチャンバ1内に吹出し
て循環させる。
換えて真空ポンプ16と分岐ダクト20aとを連通させ
ることによりダクト20を介して吸込口21および吹出
口22よりチャンバ1内のヘリウムガスを吸引して、チ
ャンバ1内のヘリウムガスの圧力を所定の圧力に減圧す
るが、この排気系はコンダクタンスが大きく急激に排気
されることがないため、ゴミ等の微小異物が舞上げられ
ることがない。チャンバ1内が所定の圧力に減圧された
ら、排気制御弁3を開き、排気量の大きな真空ポンプ2
によって急激に排気を行い、ガス置換に必要な圧力に達
したら排気制御弁3および気流制御弁18を閉鎖し、給
気制御弁25を開いてヘリウムガスを露光時に要求され
る圧力になるまで導入する。このとき、ファン19、冷
却器40および再熱器32を作動させることによって吸
込口21によりチャンバ1内のヘリウムガスをダクト2
0内へ吸込み、該ヘリウムガスの冷却および再加熱を行
って所定の温度に温度調節するとともにフィルタ23で
清浄化したのち、吹出口22よりチャンバ1内に吹出し
て循環させる。
【0022】(4)上記(3)ののち、給気制御弁25
を絞ってヘリウムガスの給気量を減少させるとともに三
方弁17を切換えて圧力制御弁15を介在させた管路1
5aと真空ポンプ16とを連通させ、圧力計14でチャ
ンバ1内の圧力をモニタしつつ圧力制御弁15を制御す
ることによってチャンバ1内を所定の減圧雰囲気に制御
する。
を絞ってヘリウムガスの給気量を減少させるとともに三
方弁17を切換えて圧力制御弁15を介在させた管路1
5aと真空ポンプ16とを連通させ、圧力計14でチャ
ンバ1内の圧力をモニタしつつ圧力制御弁15を制御す
ることによってチャンバ1内を所定の減圧雰囲気に制御
する。
【0023】図2は、本発明に係る減圧処理装置の第2
実施例であるX線露光装置の説明図である。
実施例であるX線露光装置の説明図である。
【0024】本実施例は、ファンコントローラ106お
よび排気制御弁103にインターロック回路120を付
加するとともに、チャンバ101の外部から蒸発器10
9、再熱器112およびフィルタ116の交換等ができ
るように、チャンバ101のそれぞれの部位にそれぞれ
開口部101a,101c,101eを設け、各開口部
にカバー101b,101d,101fを着脱自在に設
けた点が、上記第1実施例と異なる。しかしその他の基
本的構成は上記第1実施例と同様であるので、その説明
は省略する。
よび排気制御弁103にインターロック回路120を付
加するとともに、チャンバ101の外部から蒸発器10
9、再熱器112およびフィルタ116の交換等ができ
るように、チャンバ101のそれぞれの部位にそれぞれ
開口部101a,101c,101eを設け、各開口部
にカバー101b,101d,101fを着脱自在に設
けた点が、上記第1実施例と異なる。しかしその他の基
本的構成は上記第1実施例と同様であるので、その説明
は省略する。
【0025】本実施例のインターロック回路120は、
圧力計121によってチャンバ101内の圧力および排
気制御弁103の開度をモニタし、チャンバ101内の
圧力が所定の圧力以下になったときにファンコントロー
ラ106、冷却器コントローラ111および再熱器コン
トローラ113に信号を送り、ファン105および再熱
器112の動作を停止させることによって、過熱等を防
止して信頼性を向上させることができる。
圧力計121によってチャンバ101内の圧力および排
気制御弁103の開度をモニタし、チャンバ101内の
圧力が所定の圧力以下になったときにファンコントロー
ラ106、冷却器コントローラ111および再熱器コン
トローラ113に信号を送り、ファン105および再熱
器112の動作を停止させることによって、過熱等を防
止して信頼性を向上させることができる。
【0026】次に、本発明に係るX線露光装置を用いた
半導体デバイスの製造方法について説明する。
半導体デバイスの製造方法について説明する。
【0027】図3は半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップS
11(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップS12(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップS
13(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップS14(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップS15(組立)は後工程
と呼ばれ、ステップS14によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップS16(検
査)ではステップS15で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
(ステップS17)される。
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップS
11(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップS12(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップS
13(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップS14(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップS15(組立)は後工程
と呼ばれ、ステップS14によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップS16(検
査)ではステップS15で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
(ステップS17)される。
【0028】図4は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップS21(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS22(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS25(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS26(露光)では上記説明したX線露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップS27(現像)では露光したウエハを
現像する。ステップS28(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップS29(レ
ジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
を示す。ステップS21(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS22(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS25(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS26(露光)では上記説明したX線露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップS27(現像)では露光したウエハを
現像する。ステップS28(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップS29(レ
ジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
【0029】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【0030】雰囲気気体の減圧雰囲気におかれるチャン
バ内に、局所的に清浄な空間を形成することができると
ともに、チャンバ内にある浮遊ゴミや堆積物等の微小異
物を清浄化手段によって回収除去することができる。
バ内に、局所的に清浄な空間を形成することができると
ともに、チャンバ内にある浮遊ゴミや堆積物等の微小異
物を清浄化手段によって回収除去することができる。
【0031】また、吸込口と吹出口を設けた循環系をチ
ャンバ内に配置しておくことによって、前記循環系の機
械的強度を大きく設定しておく必要性がない上、循環系
から雰囲気気体が漏れることがあってもチャンバ外へ漏
れることがない。
ャンバ内に配置しておくことによって、前記循環系の機
械的強度を大きく設定しておく必要性がない上、循環系
から雰囲気気体が漏れることがあってもチャンバ外へ漏
れることがない。
【0032】さらに、請求項6に係る発明は、上記効果
に加えて、気流発生手段や温調手段の過熱等が防止され
るために、信頼性が向上する。
に加えて、気流発生手段や温調手段の過熱等が防止され
るために、信頼性が向上する。
【図1】本発明に係る減圧処理装置の第1実施例のX線
露光装置の説明図である。
露光装置の説明図である。
【図2】本発明に係る減圧処理装置の第2実施例のX線
露光装置の説明図である。
露光装置の説明図である。
【図3】半導体デバイスの製造工程を示すシーケンス図
である。
である。
【図4】ウエハプロセスを示すシーケンス図である。
【図5】従来のイオンエッチング装置の説明図である。
1,101 チャンバ 2,8,16,102 真空ポンプ 3,9,103 排気制御弁 4,10,104 排気管路 5,105 ウエハ載置台 6 搬送ロボット 7 ロードロックチャンバ 11 ウエハキャリア 12,25,118 給気制御弁 13 ゲート弁 14,121 圧力計 15 圧力制御弁 17 三方弁 18 気流制御弁 19,105 ファン 19a,106 ファンコントローラ 20,115 ダクト 21,107 吸込口 22,108 吹出口 23,116 フィルタ 24 分岐ダクト 27 ビームダクト 28,119 温度センサ 29 マスク 30 X線 31,109 蒸発器 32,112 再熱器 33 圧縮器 34 凝縮器 35 受液器 36 膨張弁 37,111 冷却器コントローラ 38,113 再熱器コントローラ 39,114 温度コントローラ 40,110 冷却器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3065 21/31 H01L 21/31 B
Claims (6)
- 【請求項1】 減圧自在なチャンバと、前記チャンバを
減圧するための真空発生源と、前記チャンバに雰囲気気
体を供給するための雰囲気気体の給気手段を備えた減圧
処理装置であって、 少なくとも1個ずつの吸込口と吹出口を有する前記雰囲
気気体の循環系を前記チャンバ内に配設するとともに、
前記循環系に、前記吸込口より前記雰囲気気体を吸引し
て前記吹出口より吹出させるための気流発生手段および
前記雰囲気気体を清浄化するための清浄化手段を設けた
ことを特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項2】 清浄化手段がフィルタであることを特徴
とする請求項1記載の減圧処理装置。 - 【請求項3】 吸込口および吹出口がチャンバ内の清浄
な雰囲気を必要とする空間部に清浄化された雰囲気気体
のダウンフローを発生するように配設されたことを特徴
とする請求項1または2記載の減圧処理装置。 - 【請求項4】 雰囲気気体の循環系が、雰囲気気体を所
定の温度にするための温調手段を備えたことを特徴とす
る請求項1乃至3いずれか1項記載の減圧処理装置。 - 【請求項5】 温調手段は、雰囲気気体との熱交換を行
うための熱交換器のみがチャンバ内に配設されたことを
特徴とする請求項4記載の減圧処理装置。 - 【請求項6】 チャンバ内が所定の圧力以下になったと
きに気流発生手段および温調手段を停止させるインター
ロック回路を備えたことを特徴とする請求項1乃至5い
ずれか1項記載の減圧処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5291209A JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5291209A JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07122505A true JPH07122505A (ja) | 1995-05-12 |
JP3038285B2 JP3038285B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17765881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5291209A Expired - Fee Related JP3038285B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 減圧処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3038285B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999025010A1 (fr) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Appareil d'exposition, appareil de fabrication de composants, et procede de fabrication d'appareils d'exposition |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP5291209A patent/JP3038285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999025010A1 (fr) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Appareil d'exposition, appareil de fabrication de composants, et procede de fabrication d'appareils d'exposition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3038285B2 (ja) | 2000-05-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |