JPH09306825A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH09306825A
JPH09306825A JP13968396A JP13968396A JPH09306825A JP H09306825 A JPH09306825 A JP H09306825A JP 13968396 A JP13968396 A JP 13968396A JP 13968396 A JP13968396 A JP 13968396A JP H09306825 A JPH09306825 A JP H09306825A
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inert gas
concentration
valve
filling
flow rate
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JP13968396A
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Shuji Aoki
修司 青木
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の再起動の場合に、不活性ガス充填部に
不活性ガスが充填される時間を必要最小限にし、メンテ
ナンス時間を少なくし装置稼動率を上げる。 【解決手段】 遠紫外線用レーザー１と、遠紫外線光の
光路１２上を不活性ガスで充填する密閉路５Ａ，５Ｂ
と、該密閉路に不活性ガスを小流量で流入させる第１の
弁手段３Ｂと、該密閉路に不活性ガスを大流量で流入さ
せる第２の弁手段３Ａとを具備する半導体製造装置にお
いて、前記密閉路の不活性ガス濃度を検出するセンサー
１４Ａ，１４Ｂと、該密閉路を大気に開放する第３の弁
手段３Ｃと、不活性ガスが前記充填される際に前記密閉
路の不活性ガス濃度が所定濃度未満であるときの前記セ
ンサー出力に応じて前記第２および第３の弁手段を開
き、前記不活性ガス濃度が所定濃度以上であるときの前
記センサー出力に応じて前記第２および第３の弁手段を
閉じ前記第１の弁手段を開く制御手段８とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、主に半導体露光装置における露光前動作に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の微細化に伴い、より
微細なパターン作成のため、半導体露光装置において使
用する光源を、より波長の短い紫外線域の光源に変更し
てきている。半導体露光装置で使用する光源として、以
前はｇ線と呼ばれる光源からｉ線と呼ばれる光源に、そ
して現在は、ＫｉＦ線等の遠紫外線と呼ばれる光源に変
化してきた。
【０００３】ところが、現在使用されているＫｒＦ線等
の遠紫外線光源を使用する場合、ＫｒＦ線等の遠紫外線
光の高エネルギーのため、光路上の微細な塵が空気内の
酸素と反応し、不純物として光学系に付着したり、ま
た、光学系のレンズコーテイング材と空気中の酸素が反
応し、光学系が曇ってしまう、という現象が発生してい
る。このような不純物の付着や光学系の曇りを防止する
ため、ＫｒＦ線等の遠紫外線光の光路上を、不活性ガス
を充填し、塵と空気やレンズコーテイング材と空気が反
応しないようにしている。
【０００４】従来、サービスマンやオペレーター等が前
記不活性ガスの充填部について、不活性ガス充填部のカ
バーを開いて作業をした後に装置の立ち上げや再起動を
行う場合、不活性ガス充填部のカバーを閉じて、不活性
ガス充填部に不活性ガスが充填されるであろう、ある一
定時間、不活性ガスを大流量で流入させるための電磁開
閉弁を開け、不活性ガス充填部に不活性ガスが充填され
るのを待っていた。その後、不活性ガスを大流量で流入
させるための電磁開閉弁を閉じ、不活性ガス充填部にお
いて、気密性の低い部分からの不活性ガスの漏れを考慮
して、不活性ガスを少流量で流入させるための電磁開閉
弁を開いて装置を放置していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では装置の立ち上げまたは再起動を行なう場合、不
活性ガス充填部の不活性ガスの残留量が不確定であるた
めに、不活性ガス充填部の不活性ガスの残留量がゼロで
あることを想定して、一定時間不活性ガス充填部に、不
活性ガスを大流量で流入させるための電磁開閉弁を開
け、不活性ガス充填部に不活性ガスが充填されるのを待
っていた。このため、装置停止から再起動までにほとん
ど時間を費やさなかったような、不活性ガス充填部に不
活性ガスが多量に残留していた場合においても、不活性
ガス充填時間として一定時間を費やさなければならない
ために、装置のメンテナンスに費やす時間が長くなり、
装置稼働率の低下という問題が発生していた。
【０００６】本発明の目的は、装置の再起動の場合に、
不活性ガス充填部に不活性ガスが充填される時間を必要
最小限にし、メンテナンス時間を少なくし装置稼動率を
上げることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の第１の局面では、遠紫外線用レーザーと、遠
紫外線光の光路上を不活性ガスで充填する密閉路とを持
つ半導体製造装置において、不活性ガスの充填路の不活
性ガス濃度を検出するセンサーを持ち、不活性ガスが充
填される際にガスの充填度を自動測定し、ガスの充填度
に応じて空気を放出するための弁開閉と、不活性ガスの
充填量を切り換える機能を持つことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の第２の局面では、遠紫外線
用レーザーと、遠紫外線光の光路上を不活性ガスで充填
する密閉路とを持つ半導体製造装置において、不活性ガ
スの充填路の不活性ガス濃度を検出するセンサーを持
ち、不活性ガスが充填される際にガスの充填度を自動測
定し、ガスの充填度が設定値に達したところで不活性ガ
スの充填量を切り換える機能を持つことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記の目的を達成するため、本発
明の実施の第１の形態では、不活性ガスを大流量で流入
させる電磁開閉弁と、不活性ガスを少流量で流入させる
電磁開閉弁と、不活性ガス充填路内に混在している空気
の放出を行う電磁開閉弁と、不活性ガス充填路の不活性
ガスの充填度を測定するセンサーと、上記不活性ガスの
充填度を確認するセンサーの信号により、不活性ガスを
大流量で流入させるための電磁開閉弁の開閉指令の出
力、不活性ガス充填路内に混在している空気の放出を行
う電磁開閉弁の開閉指令の出力、および不活性ガスを少
流量で流入させるための電磁開閉弁の開閉指令を出力す
るための制御部を持つ。
【００１０】本発明の実施の第２の形態では、不活性ガ
スを大流量で流入させる電磁開閉弁と、不活性ガスを少
流量で流入させる電磁開閉弁と、不活性ガス充填路の不
活性ガスの充填度を測定するセンサーと、上記不活性ガ
スの充填度を確認するセンサーの信号により、不活性ガ
スを大流量で流入させるための電磁開閉弁の開閉指令の
出力、および不活性ガスを少流量で流入させるための電
磁開閉弁の開閉指令を出力するための制御部を持つ。
【００１１】
【作用】上記の第１の局面の構成において、装置の再起
動の場合、制御部は不活性ガスを大流量で流入させるた
めの電磁開閉弁と、不活性ガス充填路内の空気を放出す
るための電磁開閉弁とに開指令を出し、不活性ガスの大
流量での流入を開始させる。不活性ガス充填部の不活性
ガス充填度センサーが、エキシマレーザー発光可能な不
活性ガスの充填度になっていることを検知すると、制御
部に不活性ガス充填部の不活性ガス充填度を知らせる。
制御部は、エキシマレーザー発光可能な不活性ガスの充
填度になっていることを検知すると、不活性ガス充填路
内の空気を放出するための電磁開閉弁に閉指令を出し、
不活性ガス充填路内の空気の放出を停止させ、次に不活
性ガスを大流量で流入させるための電磁開閉弁に閉指令
を出し、不活性ガスの大流量での流入を停止させ、続い
て不活性ガスを少流量で流入させるための電磁開閉弁に
開指令を出し、不活性ガスの少流量での流入を開始させ
る。
【００１２】また、上記の第２の局面の構成において
は、装置の再起動の場合、制御部は不活性ガスを大流量
で流入させるための電磁開閉弁に開指令を出し、不活性
ガスの大流量での流入を開始させる。不活性ガス充填部
の不活性ガス充填度センサーが、エキシマレーザー発光
可能な不活性ガスの充填度になっていることを検知する
と、制御部に不活性ガス充填部の不活性ガス充填度を知
らせる。制御部は、エキシマレーザー発光可能な不活性
ガスの充填度になっていることを検知すると、不活性ガ
スを大流量で流入させるための電磁開閉弁に閉指令を出
し、不活性ガスの大流量での流入を停止させ、続いて不
活性ガスを少流量で流入させるための電磁開閉弁に開指
令を出し、不活性ガスの少流量での流入を開始させる。
【００１３】
【実施例】
（第１の実施例）以下、図を用いて本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例に係る半導体製造装
置の照明関係を示す図である。図２は、図１の装置にお
けるカバーの開閉状態を示す図である。図３は、図１の
半導体製造装置の不活性ガスの流入／停止および不活性
ガス充填路内の空気放出の動作関係を示すフローチャー
ト図である。図４は、図１の半導体製造装置の不活性ガ
スの流入状態、および不活性ガス充填路内の空気放出状
態を示す状態図表である。
【００１４】図１の半導体製造装置は、半導体パターン
を焼き付けるウエハ１０と、ウエハ１０を載せてＸ，Ｙ
方向に自由に駆動できるＸＹステージ７と、ウエハ１０
上に、半導体パターンを投影する投影レンズ６と、パタ
ーンが描画されているレチクル１１と、光源としてＫｒ
Ｆ線の光を出力するエキシマレーザーヘッド１を持つ。
【００１５】エキシマレーザーヘッド１上のエキシマレ
ーザー射出口９から放出されたレーザー光１２はレーザ
ー引き回し光学系５（５Ａ，５Ｂ）の内部を通り、レチ
クル１１上に導かれる。引き回し光学系５は垂直部５Ａ
と水平部５Ｂから構成され、エキシマレーザーヘッド１
から放出されたレーザー光は１２Ａ，１２Ｂの光路に従
い、レチクル１１に導かれる。
【００１６】引き回し光学系５は垂直部５Ａ、水平部５
Ｂの各々に、メンテナンス作業を行うための扉が付いて
いる。垂直部５Ａの扉５Ｃを開けると、垂直部５Ａ上の
扉開閉確認センサー４Ａにより、扉５Ｃ（図２）が開状
態になったことを検知する。また、水平部５Ｂの扉５Ｄ
（図２）を開けると、水平部５Ｂ上の扉開閉確認センサ
ー４Ｂにより、扉５Ｄが開状態になったことを検知す
る。垂直部５Ａ、水平部５Ｂの各扉開閉確認センサー４
Ａ，４Ｂの付近には、不活性ガスの濃度を検知するため
のガス濃度センサー１４Ａ，１４Ｂが取り付けてある。
【００１７】引き回し光学系５（５Ａ，５Ｂ）には、不
活性ガス充填路内の空気を放出するための配管と、不活
性ガスを充填させるための不活性ガス用のタンク２と、
タンク２と引き回し光学系５を接続する配管が継続され
ている。空気放出系配管には、配管を開閉するための電
磁開閉弁３Ｃが取り付けられ、不活性ガス系の配管に
は、不活性ガスの大流量での流入／停止をするための電
磁開閉弁３Ａと不活性ガスの少流量での流入／停止をす
るための電磁開閉弁３Ｂが取り付けられ、前記扉開閉確
認センサー４Ａ，４Ｂと不活性ガス濃度センサー１４
Ａ，１４Ｂと不活性ガスを流入するための電磁開閉弁３
Ａ，３Ｂと不活性ガス充填路内の空気を放出するための
電磁開閉弁３Ｃとエキシマレーザーヘッド１は、制御部
８に接続されている。制御部８は前記扉開閉確認センサ
ー４Ａ，４Ｂと不活性ガス濃度センサー１４Ａ，１４Ｂ
の状態により、不活性ガスを流入するための電磁開閉弁
３Ａ，３Ｂと不活性ガス充填路内の空気を放出するため
の電磁開閉弁３Ｃと、エキシマレーザーヘッド１の発光
を制御する。
【００１８】次に、図１〜図４を使用して、本実施例の
装置の動作を説明する。装置の再起動をする場合、最初
に引き回し光学系５の垂直部５Ａの扉５Ｃを閉じると、
扉開閉確認センサー４Ａは扉５Ｃが閉じたことを検知
し、制御部８に扉５Ｃが閉じていることを信号で出力す
る。
【００１９】制御部８は、扉開閉確認センサー４Ａから
の信号を受けると、次に他の扉開閉確認センサーの状態
を確認する。他の扉開閉確認センサーの状態がすべて閉
状態であれば、不活性ガスの配管部に取り付けてある、
不活性ガスを大流量で流入させるための電磁開閉弁３Ａ
を開け、続いて不活性ガス充填路内の空気を放出するた
めの電磁開閉弁３Ｃを開ける。以上の動作は図３のフロ
ーチヤートのステップ１の動作であり、装置の状態が図
４の「状態３」から「状態４」へ変化する様子を示して
いる。
【００２０】上記の動作の後、制御部８は引き回し光学
系垂直部５Ａに取り付けてあるガス濃度センサー１４Ａ
の状態を確認する。ガス濃度センサー１４Ａにおいて、
不活性ガスの濃度がある規定値以下の場合、ガス濃度セ
ンサー１４Ａは不活性ガス濃度不十分と判断し、不活性
ガスが充填されていないことを制御部８に知らせる。ま
た、不活性ガスの濃度がある規定値以上の場合ガス濃度
センサー１４Ａは、不活性ガス濃度十分と判断し、不活
性ガスが充填されたことを制御部８に知らせる。
【００２１】制御部８はガス濃度センサー１４Ａの状態
が不活性ガスの濃度充分になると、他の部分のガス濃度
確認センサーの状態を確認する。本実施例においては、
前記他の部分のガス濃度確認センサーは、引き回し光学
系水平部５Ｂに取り付けてあるガス濃度センサー１４Ｂ
だけである。
【００２２】つまり、垂直部５Ａのガス確認センサー１
４Ａにて、不活性ガスの濃度が規定値以下の場合、制御
部８は不活性ガスを大流量で流入させるための電磁開閉
弁３Ａを開けたままにすると同時に、不活性ガス充填路
内の空気の放出のための電磁開閉弁３Ｃを開けたままに
し、エキシマレーザーヘッド１にレーザー発光停止の指
令を出力する。
【００２３】垂直部５Ａのガス確認センサー１４Ａに
て、不活性ガスの濃度が規定値以上の場合、制御部８は
他のガス濃度確認センサーの状態を確認する。そして、
一つでも不活性ガス濃度が規定値以下のガス確認センサ
ーがあれば、不活性ガスを大流量で流入させるための電
磁開閉弁３Ａを開けたままにすると同時に、不活性ガス
充填路内の空気の放出のための電磁開閉弁３Ｃを開けた
ままにし、エキシマレーザーヘッド１にレーザー発光停
止の指令を出力する。
【００２４】すべてのガス確認センサーにおいて、不活
性ガス濃度が規定値以上であることが確認されると、制
御部８は、エキシマレーザーヘッド１にレーザー発光許
可の指令を出力する。これと同時に、制御部８は、不活
性ガス充填路内の空気の放出のための電磁開閉弁３Ｃを
閉じ、不活性ガスの配管部に取り付けてある大流量で流
入させるための電磁開閉弁３Ａも閉じ、続いて不活性ガ
スの配管部に取り付けてある少量流入するための電磁開
閉弁３Ｂを開ける。
【００２５】以上の動作は図３のフローチャートのステ
ップ２の動作であり、装置の状態が図４の「状態４」か
ら「状態１」へ変化する様子を示している。装置の立ち
上げを行った場合も、上記一連の動作と同様の動作が行
なわれる。
【００２６】（第２の実施例）図５は、本発明の他の実
施例に係る半導体製造装置の照明関係を示す図である。
図６は、図５の装置におけるカバーの開閉状態を示す図
である。図７は、図５の半導体製造装置の不活性ガスの
流入／停止の動作関係を示すフローチャート図である。
図８は、図５の半導体製造装置の不活性ガスの流入状態
を示す状態図表である。
【００２７】図５の半導体製造装置は、図１のものに対
し、引き回し光学系５（５Ａ，５Ｂ）における、不活性
ガス充填路内の空気を放出するための配管と、この空気
放出系配管に取り付けられていた電磁開閉弁３Ｃとを除
去したものであり、その他は図１のものと全く同様に構
成されている。したがって、図５および図６において図
１および図２と共通の部材には同一の符号を付して詳細
な説明は省略する。
【００２８】次に、図５〜図８を使用して、本実施例の
装置の動作を説明する。装置の再起動をする場合、最初
に引き回し光学系５の垂直部５Ａの扉５Ｃを閉じると、
扉開閉確認センサー４Ａは扉５Ｃが閉じたことを検知
し、制御部８に扉５Ｃが閉じていることを信号で出力す
る。
【００２９】制御部８は、扉開閉確認センサー４Ａから
の信号を受けると、次に他の扉開閉確認センサーの状態
を確認する。他の扉開閉確認センサーの状態がすべて閉
状態であれば、不活性ガスの配管部に取り付けてある、
不活性ガスを大流量で流入させるための電磁開閉弁３Ａ
を開ける。以上の動作は図７のフローチヤートのステッ
プ２１の動作であり、装置の状態が図８の「状態３」か
ら「状態４」へ変化する様子を示している。
【００３０】上記の動作の後、制御部８は引き回し光学
系垂直部５Ａに取り付けてあるガス濃度センサー１４Ａ
の状態を確認する。ガス濃度センサー１４Ａにおいて、
不活性ガスの濃度がある規定値以下の場合、ガス濃度セ
ンサー１４Ａは不活性ガス濃度不十分と判断し、不活性
ガスが充填されていないことを制御部８に知らせる。ま
た、不活性ガスの濃度がある規定値以上の場合ガス濃度
センサー１４Ａは、不活性ガス濃度十分と判断し、不活
性ガスが充填されたことを制御部８に知らせる。
【００３１】制御部８はガス濃度センサー１４Ａの状態
が不活性ガスの濃度充分の状態になると、他の部分のガ
ス濃度確認センサーの状態を確認する。つまり、垂直部
５Ａのガス確認センサー１４Ａにて、不活性ガスの濃度
が規定値以下の場合、制御部８は不活性ガスを大流量で
流入させるための電磁開閉弁３Ａを開けたままにし、エ
キシマレーザーヘッド１にレーザー発光停止の指令を出
力する。
【００３２】垂直部５Ａのガス確認センサー１４Ａに
て、不活性ガスの濃度が規定値以上の場合、制御部８は
他のガス濃度確認センサーの状態を確認する。そして、
一つでも不活性ガス濃度が規定値以下のガス確認センサ
ーがあれば、その場合にも、不活性ガスを大流量で流入
させるための電磁開閉弁３Ａを開けたままにし、エキシ
マレーザーヘッド１にレーザー発光停止の指令を出力す
る。
【００３３】すべてのガス確認センサーにおいて、不活
性ガス濃度が規定値以上であることが確認されると、制
御部８は、エキシマレーザーヘッド１にレーザー発光許
可の指令を出力する。これと同時に、制御部８は、不活
性ガスの配管部に取り付けてある大流量で流入させるた
めの電磁開閉弁３Ａを閉じ、続いて不活性ガスの配管部
に取り付けてある少量流入するための電磁開閉弁３Ｂを
開ける。
【００３４】以上の動作は図７のフローチャートのステ
ップ２２の動作であり、装置の状態が図８の「状態４」
から「状態１」へ変化する様子を示している。装置の立
ち上げを行った場合も上記一連の動作と同様の動作が行
なわれる。
【００３５】なお、上述の実施例において、電磁開閉弁
３Ａが開いているときの電磁開閉弁３Ｂの状態は開閉い
ずれの状態にしてもよい。また、電磁開閉弁や配管の組
合せは、不活性ガスを停止、大流量で流入および小流量
で流入の３状態に切り換え得る限り適宜変更してもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
装置が不活性ガス充填部の不活性ガス濃度を自動で確認
しているため、不活性ガス充填時間を不活性ガスの残留
量がゼロである状態を想定した一定充填時間ではなく、
必要最少限の充填時間にすることが可能となり、その結
果、装置メンテナンスにかかる時間が減少し、装置の稼
動率も高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体製造装置の照
明関係を示す斜視図である。
【図２】 図１の装置のカバーを開けた状態を示す図で
ある。
【図３】 図１の装置の不活性ガス停止／供給の動作お
よび不活性ガス充填路内の空気放出の動作を示したフロ
ーチャート図である。
【図４】 図１の装置における不活性ガスの流入／停
止、不活性ガス充填路内の空気放出／停止、およびエキ
シマレーザーの発光／停止の装置状態を示した図であ
る。
【図５】 本発明の他の実施例に係る半導体製造装置の
照明関係を示す斜視図である。
【図６】 図５の装置のカバーを開けた状態を示す図で
ある。
【図７】 図５の装置の不活性ガス停止／供給の動作を
示したフローチャート図である。
【図８】 図５の装置における不活性ガスの流入／停
止、およびエキシマレーザーの発光／停止の装置状態を
示した図である。
【符号の説明】
１：エキシマレーザーヘッド、２：タンク、３（３Ａ，
３Ｂ，３Ｃ）：電磁開閉弁、４（４Ａ，４Ｂ）：扉確認
センサー、５（５Ａ，５Ｂ）：レーザー引き回し光学
系、５Ｃ，５Ｄ：扉、６：投影レンズ、７：ＸＹステー
ジ、８：制御部、９：エキシマレーザー射出口、１０：
ウエハ、１１：レチクル，１２：エキシマレーザー光、
１２Ａ，１２Ｂ：レーザー光の光路、１４Ａ，１４Ｂ：
不活性ガス濃度センサー。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 遠紫外線用レーザーと、遠紫外線光の光
    路上を不活性ガスで充填する密閉路と、該密閉路に不活
    性ガスを小流量で流入させる第１の弁手段と、該密閉路
    に不活性ガスを大流量で流入させる第２の弁手段とを具
    備する半導体製造装置において、 前記密閉路の不活性ガス濃度を検出するセンサーと、該
    密閉路を大気に開放する第３の弁手段と、不活性ガスが
    充填される際に前記密閉路の不活性ガス濃度が所定濃度
    未満であるときの前記センサー出力に応じて前記第２お
    よび第３の弁手段を開き、前記不活性ガス濃度が所定濃
    度以上であるときの前記センサー出力に応じて前記第２
    および第３の弁手段を閉じ前記第１の弁を開く制御手段
    とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 遠紫外線用レーザーと、遠紫外線光の
    光路上を不活性ガスで充填する密閉路と、該密閉路に不
    活性ガスを小流量で流入させる第１の弁手段と、該密閉
    路に不活性ガスを大流量で流入させる第２の弁手段とを
    具備する半導体製造装置において、 前記密閉路の不活性ガス濃度を検出するセンサーと、不
    活性ガスが充填される際に前記密閉路の不活性ガス濃度
    が所定濃度未満であるときの前記センサー出力に応じて
    前記第２の弁手段を開き、前記不活性ガス濃度が所定濃
    度以上であるときの前記センサー出力に応じて前記第２
    の弁手段を閉じ前記第１の弁を開く制御手段とを設けた
    ことを特徴とする半導体製造装置。
JP13968396A 1996-05-10 1996-05-10 半導体製造装置 Pending JPH09306825A (ja)

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